JP2003173575A - 光ディスクおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】耐磨耗性と透明性に優れ、かつ、光ディスク基
盤との密着性に優れた、薄膜カバー層／ハードコート層
の複合膜を有する光ディスクおよびその製造方法の提
供。 【解決手段】薄膜カバー層（Ｘ）が、多官能ウレタン
（メタ）アクリレート化合物（Ａ）、ポリシクロアルカ
ン構造を有する活性エネルギ線硬化性の官能性化合物
（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ１）を含有する活性エネルギ
線硬化性組成物（Ｐ）の硬化物層からなり、ハードコー
ト層（Ｙ）が、活性エネルギ線硬化性の多官能性化合物
（Ｄ）、メルカプトシラン化合物で表面修飾されたコロ
イド状シリカ（Ｅ）、光重合開始剤（Ｃ２）を含有する
活性エネルギ線硬化性組成物（Ｑ）の硬化物層からな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録および／また
は再生するのに用いられる光が薄膜カバー層を通して記
録層に照射される方式の光ディスクにおいて、該記録層
の表面に耐磨耗性、基材密着性および透明性などに優れ
た薄膜カバー層／ハードコート層の複合層が形成された
光ディスクおよびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】大量のデータを高密度で記録、再生でき
る光記録媒体において、より高密度にデータを記録、再
生するためには、レーザー光スポットのサイズをより小
さくする必要がある。このサイズを小さくする方法とし
ては、レーザー光波長（λ）を短くする方法、またはレ
ンズの開口数（ＮＡ）を大きくする方法の２通りの方法
が考えられる。現在用いられている光記録媒体用の半導
体レーザー光の波長は、主に７８０〜６８０ｎｍである
が、さらに短波長の６５０ｎｍの橙色レーザー光、およ
び、より短波長の緑または青色レーザー光を用いる検討
がなされている。特に、青色レーザー光を用いる方式と
しては光源の波長を４００ｎｍ程度、ＮＡを０．６以上
として、より大きな記録密度を得ることが提案されてい
る。

【０００３】一方、光源の短波長化や対物レンズの高Ｎ
Ａ化に伴ない、光記録媒体のレーザー光入射面が光軸に
対して直角より傾くチルトの許容量が小さくなり、ま
た、光ディスクの厚みムラの許容量も小さくなるため、
上記許容量を少しでも稼ぐためにレーザー光入射面のカ
バー層の厚さを薄くする必要がある。従来の光記録媒体
のカバー層の厚さは、コンパクトディスク（ＣＤ）で
１．２ｍｍ、デジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）
で０．６ｍｍであり、ディスク基盤自体がカバー層とし
ての役割を果たしていた。しかし、短波長のレーザー光
を用いる光記録媒体では、カバー層の厚さを０．１ｍｍ
程度にする必要があるため、従来のようにディスク基盤
自体をカバー層とすることができず、ディスク基盤の反
射膜、記録膜などの積層膜（以下、該積層膜を単に記録
層と記すことがある。）を形成した面に薄膜カバー層が
形成される。

【０００４】ＣＤやＤＶＤで行われているようにポリカ
ーボネートを射出成形して透明基材を作製する従来の方
法は、基材内部に光学的にゆがみが生じ複屈折し易くな
るため好ましくない。このような困難を回避するため光
硬化性樹脂をレーザー光が通過する透明基材として用い
る試みがなされている。すなわち、ディスク状の支持体
の上に設けた記録層の表面に液状の光硬化性樹脂を塗布
した後、該光硬化性樹脂に活性エネルギ線を照射して硬
化させることにより、該光硬化性樹脂の硬化物をレーザ
ー光が通過する透明基材として用いる。光硬化性樹脂と
して従来ＣＤの保護コート材として用いられている光硬
化性樹脂を用いた場合には、粘度が低いために塗布膜厚
が薄くなり所望の０．１ｍｍの膜厚にすることが困難で
ある。

【０００５】さらに、硬化の際の体積収縮によりディス
クが反ってしまうという不都合が生じるという問題点が
ある。そこで、硬化収縮を低減させるために柔軟な樹脂
を用いると、表面が傷付きやすく信号の記録再生に支障
を来しやすいと言った不都合が生じる。このような柔軟
な樹脂層上にハードコート層を形成しても下地が柔軟す
ぎて、所期のハードコート性能が確保できないといった
問題があった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、記録
および／または再生するのに用いられる光が薄膜カバー
層を通して記録層に照射される方式の光ディスク（以
下、単に超高密度記録用光ディスクと記すことがあ
る。）の高性能化を実現することにある。すなわち、該
光ディスクの記録層上に形成された薄膜カバー層は、レ
ーザー光の透過率が高く、記録層と良好な密着性を有
し、さらに該薄膜カバー層の形成時の収縮などによるデ
ィスク変形が極めて小さく、かつ、特定のハードコート
層を形成した際に充分なハードコート性能を発現できる
光ディスクおよびその製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、特定の薄膜カバー層を用いることによって上記
課題を達成できることを見いだし、さらに特定のハード
コート層を組み合わせることにより本発明を完成した。

【０００８】すなわち、本発明は、記録および／または
再生するのに用いられる光が薄膜カバー層を通して記録
層に照射される方式の光ディスクにおいて、光ディスク
基盤面に形成された記録層表面に下記薄膜カバー層
（Ｘ）が形成され、かつ、該薄膜カバー層（Ｘ）表面に
下記ハードコート層（Ｙ）が形成されていることを特徴
とする光ディスクを提供する。 薄膜カバー層（Ｘ）：多官能ウレタン（メタ）アクリレ
ート化合物（Ａ）、ポリシクロアルカン構造を有する活
性エネルギ線硬化性の重合性官能基を１個以上有する化
合物（Ｂ）、および光重合開始剤（Ｃ１）を含有する活
性エネルギ線硬化性組成物（Ｐ）を硬化せしめて得られ
る硬化物層。 ハードコート層（Ｙ）：活性エネルギ線によって重合し
うる重合性官能基を２個以上有する多官能性化合物
（Ｄ）、メルカプト基を有する有機基と加水分解性基お
よび／または水酸基とがケイ素原子に結合しているメル
カプトシラン化合物で表面修飾された平均粒径１〜２０
０ｎｍの修飾コロイド状シリカ（Ｅ）、および光重合開
始剤（Ｃ２）を含有する活性エネルギ線硬化性組成物
（Ｑ）を硬化せしめて得られる硬化物層。

【０００９】また、本発明は、記録および／または再生
するのに用いられる光が薄膜カバー層を通して記録層に
照射される方式の光ディスクの製造方法において、光デ
ィスク基盤面に形成された記録層表面に、前記活性エネ
ルギ線硬化性組成物（Ｐ）の未硬化物層（Ｘ１）、部分
硬化物層（Ｘ２）または硬化物層（Ｘ）を形成し、該
（Ｘ１）、該（Ｘ２）または該（Ｘ）の表面に、前記活
性エネルギ線硬化性組成物（Ｑ）の未硬化物層（Ｙ１）
または部分硬化物層（Ｙ２）を形成し、次いで、前記
（Ｐ）の層が硬化物層（Ｘ）である場合は前記（Ｑ）の
未硬化物層（Ｙ１）もしくは部分硬化物層（Ｙ２）を硬
化させ、または、前記（Ｐ）の層が未硬化物層（Ｘ１）
もしくは部分硬化物層（Ｘ２）である場合は前記（Ｐ）
の層および前記（Ｑ）の層を同時に硬化させて、前記薄
膜カバー層（Ｘ）および前記ハードコート層（Ｙ）が形
成された光ディスクを得ることを特徴とする光ディスク
の製造方法を提供する。

【００１０】本発明によれば、薄膜カバー層（Ｘ）形成
用樹脂として、硬化収縮量が低く柔軟性に優れる特定の
ウレタンアクリレートとＴ_ｇが高くかつ硬化収縮量が低
い特定のポリシクロアルカン化合物とを併用すること
で、低収縮が達成され、かつ、上部にハードコート層が
形成された際に、優れたハードコート性能を発現できる
層が形成される。また、ハードコート層（Ｙ）として、
光重合時に連鎖移動反応でマトリクス樹脂と共重合し得
るメルカプト基で表面修飾された特定のコロイド状シリ
カと特定の光重合性多官能化合物からなる有機・無機ハ
イブリッド組成物の硬化物を選択することにより、非常
に高度な耐擦傷性を発現できる。

【００１１】

【発明の実施の形態】まず、活性エネルギ線硬化性組成
物（Ｐ）（以下、単に組成物（Ｐ）と記すことがあ
る。）について説明する。なお、以下の説明において、
アクリロイル基およびメタクリロイル基を総称して（メ
タ）アクリロイル基と記し、（メタ）アクリロイルオキ
シ基、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリレートなど
の表現も同様とする。

【００１２】多官能ウレタン（メタ）アクリレート化合
物（Ａ）（以下、化合物（Ａ）または単に（Ａ）と記す
ことがある。）としては、特開平１１−２４０１０３号
公報の段落番号００２４〜００３６に記載された化合物
が好ましく挙げられる。特に、２官能の化合物（Ａ）で
あって、重量平均分子量が１５００以上、かつ、２００
００以下のものが好ましい。２官能の化合物（Ａ）を使
用することにより、光重合時の硬化収縮量をより低くで
きる。また、上記範囲の重量平均分子量を採用すること
により、組成物（Ｐ）の粘度を所望範囲に調整でき、１
回のコートで５０μｍ以上の層を形成できるとともに、
コーティング作業が容易となる。該化合物（Ａ）は１種
類で用いてもよく、２種類以上で用いてもよい。

【００１３】組成物（Ｐ）における、化合物（Ａ）、ポ
リシクロアルカン構造を有する活性エネルギ線硬化性の
重合性官能基を１個以上有する化合物（Ｂ）（以下、化
合物（Ｂ）または単に（Ｂ）と記すことがある。）およ
び光重合開始剤（Ｃ１）（以下、単に（Ｃ１）と記すこ
とがある。）の割合は特に限定されないが、通常は
（Ａ）／（Ｂ）／（Ｃ１）の合計１００質量部に対し、
化合物（Ａ）が１０〜８０質量部であることが好まし
い。化合物（Ａ）の割合が上記範囲であれば、組成物
（Ｐ）の粘度を所望範囲に調整でき、１回のコートで５
０μｍ以上の層を形成できるとともに、コーティング作
業が容易となる。

【００１４】本発明における化合物（Ｂ）はポリシクロ
アルカン構造を有することが重要である。該ポリシクロ
アルカン構造としては、ビシクロアルカン構造、トリシ
クロアルカン構造、テトラシクロアルカン構造、ペンタ
シクロアルカン構造などが挙げられるが、通常はビシク
ロアルカン構造およびトリシクロアルカン構造が好まし
い。

【００１５】該化合物（Ｂ）としては、以下に挙げる化
合物が例示できる。イソボルニル（メタ）アクリレー
ト、８−（２−アクリロイルオキシ）エチルオキシカル
ボニル−９−カルボキシトリシクロ［５．２．１．０
^２，６］デカン、３，４−ビス（メタクリロイルオキ
シ）トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン、３，
４−ビス（２−ビニルオキシエトキシ）トリシクロ
［５．２．１．０^２，６］デカン、８，９−ビス（アク
リロイルオキシメチル）トリシクロ［５．２．１．０
^２，６］デカン、８−アクリロイルオキシメチル−９−
ヒドロキシメチル−トリシクロ［５．２．１．
０^２，６］デカン、８−メタクリロイルオキシ−メチル
−９−ヒドロキシメチル−トリシクロ［５．２．１．０
^２，６］デカン、８，９−ビス（メタアクリロイルオキ
シメチル）トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカ
ン、８−ヒドロキシメチル−９−（２−ビニルオキシエ
トキシメチル）トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デ
カン、８，９−ビス（２−ビニルオキシエトキシメチ
ル）トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン、３，
４−ビス（メタクリロイルオキシ）トリシクロ［５．
２．１．０^２，６］デカン−８，９−ジカルボン酸無水
物、３，４−ビス（メタクリロイルオキシ）−８，９−
ビス（メトキシカルボニル）トリシクロ［５．２．１．
０^２，６］デカン、８，９−ビス（アリルカルボニル）
−３，４−エポキシトリシクロ［５．２．１．
０ ^２，６］デカン、３（４）−ヒドロキシ−４（３）−
メタクリロイルオキシトリシクロ［５．２．１．０
^２，６］デカン、ジアリルトリシクロ［５．２．１．０
^２，６］デカン−８，９−ジカルボキシレート、ジアリ
ルオキシエチルトリシクロ［５．２．１．０^２，６］デ
カン−８，９−ジカルボキシレート、ジメチロールトリ
シクロ［５．２．１．０^２，６］デカンジアクリレー
ト。

【００１６】本発明においては、前記化合物（Ｂ）を用
いることによって、組成物（Ｐ）自体のＴ_ｇが高くなる
とともに、ポリシクロアルカン構造に基づく低い硬化収
縮量が、ハードコート層（Ｙ）の物性発現と薄膜カバー
層（Ｘ）自体の低収縮量化に寄与していると考えられ
る。

【００１７】組成物（Ｐ）における化合物（Ｂ）の割合
も特に限定されないが、通常は（Ａ）／（Ｂ）／（Ｃ
１）の合計１００質量部に対し、化合物（Ｂ）が２０〜
７０質量部であることが好ましい。化合物（Ｂ）の割合
が上記範囲であれば、組成物（Ｐ）の粘度を所望範囲に
調整でき、１回のコートで５０μｍ以上の層を形成でき
るとともに、コーティング作業が容易となる。なお、化
合物（Ｂ）の割合が余りに多すぎると、薄膜カバー層
（Ｘ）が剛直になり過ぎ、光ディスクの反りに追随でき
ずにクラック等が入りやすくなる。

【００１８】本発明における光重合開始剤（Ｃ１）とし
ては、アリールケトン系光重合開始剤（例えば、アセト
フェノン類、ベンゾフェノン類、アルキルアミノベンゾ
フェノン類、ベンジル類、ベンゾイン類、ベンゾインエ
ーテル類、ベンジルジメチルケタール類、ベンゾイルベ
ンゾエート類、α−アシルオキシムエステル類など）、
含イオウ系光重合開始剤（例えば、スルフィド類、チオ
キサントン類など）、アシルホスフィンオキシド系光重
合開始剤、その他の光重合開始剤などが挙げられる。該
光重合開始剤（Ｃ１）は１種類で用いてもよく、２種類
以上で用いてもよい。また、該光重合開始剤（Ｃ１）は
アミン類などの光増感剤と組み合わせて使用してもよ
い。

【００１９】該光重合開始剤（Ｃ１）としては、以下に
挙げる化合物が例示できる。４−フェノキシジクロロア
セトフェノン、４−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセトフ
ェノン、４−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセトフェノ
ン、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−
メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−（４−
イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル
プロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−
２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−（２−ヒド
ロキシエトキシ）フェニル）−２−ヒドロキシ−２−メ
チルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシ
ルフェニルケトン、２−メチル−１−｛４−（メチルチ
オ）フェニル｝−２−モルホリノプロパン−１−オン。

【００２０】ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、
ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルジメ
チルケタール、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、
ベンゾイル安息香酸メチル、４−フェニルベンゾフェノ
ン、ヒドロキシベンゾフェノン、アクリル化ベンゾフェ
ノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノ
ン、３，３’，４，４’−テトラキス（ｔｅｒｔ−ブチ
ルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、９，１０−
フェナントレンキノン、カンファーキノン、ジベンゾス
ベロン、２−エチルアントラキノン、４，４’−ジエチ
ルイソフタロフェノン、１−フェニル−１，２−プロパ
ンジオン−２（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、メ
チルフェニルグリオキシレート。

【００２１】４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニル
スルフィド、チオキサントン、２−クロロチオキサント
ン、２−メチルチオキサントン、２，４−ジメチルチオ
キサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４−ジ
クロロチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサント
ン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン。２，４，
６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシ
ド、ベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、２，６
−ジメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、
ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−
トリメチルペンチルホスフィンオキシド。

【００２２】組成物（Ｐ）における光重合開始剤（Ｃ
１）の割合も特に限定されないが、通常は（Ａ）／
（Ｂ）／（Ｃ１）の合計１００質量部に対し、光重合開
始剤（Ｃ１）が０．０１〜２０質量部であることが好ま
しく、特に０．１〜１０質量部が好ましい。

【００２３】本発明において、組成物（Ｐ）としては、
（Ａ）／（Ｂ）／（Ｃ１）の合計１００質量部に対し、
（Ａ）が１０〜８０質量部であり、（Ｂ）が２０〜７０
質量部であり、かつ、（Ｃ１）が０．０１〜２０質量部
であることが特に好ましい。

【００２４】本発明における組成物（Ｐ）には、上記化
合物（Ａ）、上記化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ１）
の他に、以下に例示される、重合性官能基を１個有する
単官能の活性エネルギ線硬化性化合物（Ｇ）（以下、単
官能化合物（Ｇ）または単に（Ｇ）と記すことがあ
る。）などが含有されてもよい。該単官能化合物の割合
は、特に限定されないが、通常は（Ａ）／（Ｂ）／（Ｃ
１）の合計１００質量部に対し、０〜５０質量部の範囲
から適宜選定される。

【００２５】一般式ＣＨ_２＝Ｃ（Ｒ^２）ＣＯＯＣ_ｎＨ
_２ｎ＋１（Ｒ^２は水素原子またはメチル基であり、ｎは
１〜１３の整数である。）で表されるアルキル（メタ）
アクリレート（前記一般式において、Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１は
直鎖構造でも分岐構造でもよい。）、アリル（メタ）ア
クリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ブトキシ
エチル（メタ）アクリレート、ブタンジオール（メタ）
アクリレート、ブトキシトリエチレングリコールモノ
（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアミノエチル
（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプ
ロピル（メタ）アクリレート、２−シアノエチル（メ
タ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレー
ト、２，３−ジブロモプロピル（メタ）アクリレート、
ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアミノエチル（メタ）アクリレート、２−エトキ
シエチル（メタ）アクリレート、２−（２−エトキシエ
トキシ）エチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキ
シル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アク
リレート、グリシジル（メタ）アクリレート、ヘプタデ
カフルオロデシル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキ
シエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−
（メタ）アクリロイルオキシプロピルトリメチルアンモ
ニウムクロライド、２−ヒドロキシプロピル（メタ）ア
クリレート、γ−（メタ）アクリルオキシプロピルトリ
メトキシシラン、２−メトキシエチル（メタ）アクリレ
ート、メトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレ
ート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリ
レート、メトキシテトラエチレングリコール（メタ）ア
クリレート、メトキシジプロピレングリコール（メタ）
アクリレート、メトキシ化シクロデカトリエン（メタ）
アクリレート、モルホリン（メタ）アクリレート、ノニ
ルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレ
ート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコール（メ
タ）アクリレート、オクタフルオロペンチル（メタ）ア
クリレート、フェノキシヒドロキシプロピル（メタ）ア
クリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、
フェノキシジエチレングリコール（メタ）アクリレー
ト、フェノキシテトラエチレングリコール（メタ）アク
リレート、フェノキシヘキサエチレングリコール（メ
タ）アクリレート、フェノキシ（メタ）アクリレート、
ポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２−
スルホン酸ナトリウムエトキシ（メタ）アクリレート、
テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、テトラ
ヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、トリフルオロ
エチル（メタ）アクリレート、ビニルアセテート、Ｎ−
ビニルカプロラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、ジシク
ロペンタジエニル（メタ）アクリレート。

【００２６】また、本発明における組成物（Ｐ）には、
その他の添加剤として、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリウレタン、ポリブタジエン、ポリクロロ
プレン、ポリエーテル、ポリエステル、ペンタジエン誘
導体、ＳＢＳ（スチレン／ブタジエン／スチレンブロッ
ク共重合体）、ＳＢＳの水添物、ＳＩＳ（スチレン／イ
ソプレン／スチレンブロック共重合体）、石油樹脂、キ
シレン樹脂、ケトン樹脂、フッ素系オリゴマー、シリコ
ーン系オリゴマー、ポリスルフィド系オリゴマー等を配
合することができる。

【００２７】さらに、上記光重合開始剤（Ｃ１）以外の
機能性配合剤としては、紫外線吸収剤、光安定剤、酸化
防止剤、熱重合防止剤、レベリング剤、消泡剤、増粘
剤、沈降防止剤、顔料（有機着色顔料、無機顔料）、帯
電防止剤、硬化触媒などが挙げられ、本発明における組
成物（Ｐ）に適宜配合してもよい。

【００２８】紫外線吸収剤としては、合成樹脂用紫外線
吸収剤として使用されているベンゾトリアゾール系紫外
線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリチル酸
系紫外線吸収剤、フェニルトリアジン系紫外線吸収剤な
どが好ましい。具体的には、特開平１１−２６８１９６
号公報の段落番号００７８に記載された化合物が挙げら
れる。本発明においては、２−｛２−ヒドロキシ−５−
（２−アクリロイルオキシエチル）フェニル｝ベンゾト
リアゾール、２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキ
シプロピル−３−（３−ベンゾトリアゾール−４−ヒド
ロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）プロピオネー
トなど分子内に光重合性の官能基を有するものが特に好
ましい。

【００２９】光安定剤としては、合成樹脂用光安定剤と
して使用されているヒンダードアミン系光安定剤が好ま
しい。具体的には、特開平１１−２６８１９６号公報の
段落番号００８０に記載された化合物が挙げられる。本
発明においては、Ｎ−メチル−４−メタクリロイルオキ
シ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンなどの分
子内に重合性官能基を有するものが特に好ましい。

【００３０】酸化防止剤としては、２，６−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−ｐ−クレゾールなどのヒンダードフェノー
ル系酸化防止剤、トリフェニルホスファイトなどのリン
系酸化防止剤などが挙げられる。また、レベリング剤と
しては、シリコーン樹脂系レベリング剤、アクリル樹脂
系レベリング剤などが挙げられる。消泡剤としては、ポ
リジメチルシロキサンなどのシリコーン樹脂系消泡剤な
どが挙げられる。また、増粘剤としては、ポリメチルメ
タクリレート系ポリマー、水添ひまし油系化合物、脂肪
酸アミド系化合物などが挙げられる。

【００３１】有機着色顔料としては、縮合多環系有機顔
料、フタロシアニン系有機顔料などが挙げられる。無機
顔料としては、二酸化チタン、酸化コバルト、モリブデ
ンレッド、チタンブラックなどが挙げられる。帯電防止
剤としては、ノニオン系帯電防止剤、カチオン系帯電防
止剤、アニオン系帯電防止剤などが挙げられる。また、
硬化触媒としては、酸、アルカリまたは塩類などから選
ばれる硬化触媒が挙げられる。

【００３２】薄膜カバー層（Ｘ）の厚さは５０〜１５０
μｍが好ましい。なお、この層の厚さは記録再生装置の
光学設計から正確に要求値が決められることになる。

【００３３】次に、活性エネルギ線硬化性組成物（Ｑ）
（以下、単に組成物（Ｑ）と記すことがある。）につい
て説明する。該組成物（Ｑ）は、特開平１０−８１８３
９号公報に開示されたものである。すなわち該組成物
（Ｑ）は、活性エネルギ線によって重合しうる重合性官
能基を２個以上有する多官能性化合物（Ｄ）（以下、化
合物（Ｄ）または単に（Ｄ）と記すことがある。）、メ
ルカプト基を有する有機基と加水分解性基および／また
は水酸基とがケイ素原子に結合しているメルカプトシラ
ン化合物で表面修飾された平均粒径１〜２００ｎｍの修
飾コロイド状シリカ（Ｅ）（以下、修飾コロイド状シリ
カ（Ｅ）または単に（Ｅ）と記すことがある。）、およ
び光重合開始剤（Ｃ２）（以下、単に（Ｃ２）と記すこ
とがある。）を含有する。

【００３４】本発明における前記化合物（Ｄ）は、特開
平１０−８１８３９号公報の段落番号００１３〜００５
２に記載された多官能性化合物（ａ）に相当する。本発
明における化合物（Ｄ）としては、重合性官能基を分子
中に３個以上有し、１官能基あたりの分子量が１００以
下であるものが特に好ましい。具体的には、トリメチロ
ールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリス
リトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリト
ールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリト
ールヘキサ（メタ）アクリレート等が好ましく例示され
る。

【００３５】次に本発明における修飾コロイド状シリカ
（Ｅ）は、特開平１０−８１８３９号公報の段落番号０
０５７〜００７９に記載された成分（ｂ）に相当する。
また、該修飾コロイド状シリカ（Ｅ）におけるメルカプ
トシラン化合物は、下記式（１）で表される化合物が好
ましい。 ＨＳ−Ｒ−ＳｉＸ_ｎＲ^１ _３−ｎ・・・（１） ただし、式（１）において、ＨＳ−はメルカプト基を有
する有機基、Ｒは２価の炭化水素基、Ｒ^１は１価の炭化
水素基、Ｘは水酸基または加水分解性基、ｎは１〜３の
整数を表す。

【００３６】本発明における修飾コロイド状シリカ
（Ｅ）としては、コロイド状シリカが分散した有機分散
媒にメルカプトシラン化合物を添加して加水分解するこ
とにより得られるものが特に好ましく採用される。前記
組成物（Ｑ）における光重合開始剤（Ｃ２）としては、
前記の光重合開始剤（Ｃ１）と同様のものが採用され
る。本発明においては、（Ｃ１）と（Ｃ２）は同種のも
のを採用してもよく、異種のものを採用してもよい。

【００３７】前記組成物（Ｑ）における、化合物（Ｄ）
と修飾コロイド状シリカ（Ｅ）の割合は特に限定されな
いが、（Ｄ）の１００質量部に対し、（Ｅ）が５〜３０
０質量部であることが好ましい。（Ｅ）の割合が余りに
少ないと、充分な耐磨耗性が得られ難く、また（Ｅ）の
割合が余りに多いと、硬化被膜にヘーズが生じやすく、
かつ、ディスクが外力により強制的に変形させられた際
にクラック等を生じやすくなる。より好ましい割合は、
（Ｄ）の１００質量部に対し（Ｅ）が１０〜２００質量
部である。

【００３８】また、（Ｄ）、（Ｅ）両者間の割合とは独
立して、（Ｄ）中の重合性官能基のモル数に対して
（Ｅ）中のメルカプト基のモル数は５０％以下であるこ
とが好ましい。該モル数が余りに大きいと、マトリクス
となる樹脂の硬化不良が起こりやすく、充分な耐磨耗性
が得られないおそれがある。さらに、光重合開始剤（Ｃ
２）の割合も特に限定されないが、（Ｄ）の１００質量
部に対して０．０１〜２０質量部、特に０．１〜１０質
量部が好ましい。

【００３９】本発明において、組成物（Ｑ）としては、
（Ｄ）の１００質量部に対し、（Ｅ）が５〜３００質量
部であり、かつ、（Ｃ２）が０．０１〜２０質量部であ
ることが特に好ましい。

【００４０】なお、前記組成物（Ｑ）においては、化合
物（Ｄ）とともに前記単官能化合物（Ｇ）を併用しても
よい。該単官能化合物（Ｇ）としては、前記例示化合物
が適宜選定使用でき、組成物（Ｐ）と組成物（Ｑ）とで
該単官能化合物（Ｇ）を同種にしても異種にしてもよ
い。該単官能化合物（Ｇ）を化合物（Ｄ）とともに併用
する場合は、（Ｄ）／（Ｇ）の合計１００重量部に対
し、（Ｅ）および（Ｃ）の割合を上記範囲とすることが
好ましい。（Ｅ）中のメルカプト基のモル数についても
同様に、（Ｄ）中の重合性官能基と（Ｇ）中の重合性官
能基との合計モル数に対して５０％以下であることが好
ましい。また、化合物（Ｄ）／単官能化合物（Ｇ）の併
用比（質量基準）は、１０／０〜１／３の範囲から選定
されるのが望ましい。該単官能化合物（Ｇ）の併用比が
余りに大きくなると、ハードコート層（Ｙ）の耐擦傷性
が低下する傾向にある。

【００４１】本発明における組成物（Ｑ）は、上記基本
的３成分（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｃ２）または４成分
（Ｄ）、（Ｇ）、（Ｅ）、（Ｃ２）以外に、溶剤や種々
の配合剤を含んでいてもよい。溶剤は通常必須の成分で
あり、化合物（Ｄ）が特に低粘度の液体でないかぎり、
溶剤を使用するのが好ましい。溶剤としては、通常多官
能性化合物（Ｄ）を硬化成分とする被覆用組成物に使用
される溶剤を使用できる。また、修飾コロイド状シリカ
（Ｅ）の分散媒をそのまま溶剤として使用してもよい。
さらに基材の種類により適切な溶剤を選択して用いるこ
とが好ましい。

【００４２】溶剤の量は必要とする組成物の粘度、目的
とする硬化物層の厚さ、乾燥温度条件などにより適宜変
更できる。通常は化合物（Ｄ）に対して質量基準で１０
０倍以下が好ましく、特に０．１〜５０倍が好ましい。

【００４３】該溶剤としては、例えば特開平１０−８１
８３９号公報の段落番号００８８に挙げられている、低
級アルコール類、ケトン類、エーテル類、セロソルブ類
などの溶剤が好ましい。また、酢酸ｎ−ブチル、ジエチ
レングリコールモノアセテートなどのエステル類、ハロ
ゲン化炭化水素類、炭化水素類なども好ましく挙げられ
る。耐溶剤性の低い芳香族ポリカーボネート樹脂の被覆
には低級アルコール類、セロソルブ類、エステル類、そ
れらの混合物などが適当である。

【００４４】さらに組成物（Ｑ）には、必要に応じて紫
外線吸収剤、酸化防止剤、熱重合防止剤などの安定剤、
レベリング剤、消泡剤、増粘剤、沈降防止剤、顔料、分
散剤、帯電防止剤、防曇剤などの界面活性剤類、潤滑性
付与剤、指紋付着防止剤、スリッピング剤を適宜配合し
て用いてもよい。

【００４５】特に光ディスクはカートリッジに入れて使
用することがあるため、表面の潤滑性に優れるのが好ま
しく、また手で持つことも多いため、ユーザーのハンド
リング時に付着する可能性のある指紋の付着防止等の機
能が重要となる。そのため組成物（Ｑ）に、シリコン系
化合物（例えば、ポリジメチルシロキサン、ポリジメチ
ルシロキサン／ポリエーテルブロックコポリマー、アル
キル基変性ポリジメチルシロキサン等）、フッ素系化合
物、ポリオール化合物と脂肪酸とのエステル化物である
脂肪酸エステルワックス等の潤滑性付与剤、指紋付着防
止剤などを添加することが有効である。

【００４６】前記組成物（Ｑ）に添加する上記潤滑性付
与剤または指紋付着防止剤の割合は、化合物（Ｄ）の１
００質量部に対して、０．０１〜１０質量部の範囲であ
ることが好ましい。該添加割合が余りに少ないと発現す
る効果が不充分となり、また余りに多いとハードコート
層（Ｙ）自体が可塑化されてしまい、耐擦傷性が低下す
る傾向にある。

【００４７】ハードコート層（Ｙ）の厚さは０．０５〜
２０μｍが好ましく、特に０．１〜７μｍが好ましい。
ハードコート層（Ｙ）の厚さが余りに大きいと、耐磨耗
性などの表面特性の向上がそれ以上期待できないうえ、
層が脆くなり、ディスクのわずかな変形によってもハー
ドコート層（Ｙ）にクラックなどが生じやすくなる。ま
た余りに小さいと、該ハードコート層（Ｙ）の耐磨耗性
が充分発現できないおそれがある。

【００４８】次に、活性エネルギ線硬化性組成物（Ｐ）
および活性エネルギ線硬化性組成物（Ｑ）の塗工、硬化
方法について説明する。上記の組成物（Ｐ）および組成
物（Ｑ）を、光ディスクのレーザー光入射面に塗工する
方法としては、特に制限されず、公知ないし周知の方法
などを採用できる。例えば、ディップ法、フローコート
法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、ロ
ールコート法、ブレードコート法、エアーナイフコート
法、スピンコート法、スリットコート法、マイクログラ
ビアコート法などの種々の方法を採用できる。また、例
えば組成物（Ｐ）をグラビアコートした後、組成物
（Ｑ）をスピンコートまたはスプレーコートするといっ
た複数の塗工方法を組み合わせることもできる。本発明
においては、生産性や表面外観の点からスピンコート法
が好ましく採用される。

【００４９】組成物（Ｐ）および組成物（Ｑ）を硬化さ
せる活性エネルギ線としては、特に限定されず、紫外
線、電子線またはその他の活性エネルギ線を使用でき
る。本発明においては、紫外線が好ましい。紫外線源と
しては、キセノンランプ、パルスキセノンランプ、低圧
水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドラ
ンプ、カーボンアーク灯、タングステンランプなどを使
用できる。

【００５０】次に、光ディスク基盤について説明する。
光ディスク基盤としては、ポリカーボネート、ポリメチ
ルメタクリレート、アモルファスポリオレフィンなどの
透明樹脂またはガラスに直接案内溝を形成した基盤、上
記透明樹脂またはガラスにフォトポリマー法により案内
溝を形成した基盤などが好ましく挙げられる。

【００５１】上記の光ディスク基盤の案内溝の表面に
は、下記の誘電体膜、記録膜、反射膜などからなる積層
膜が形成される。これら各膜の材質は特に限定されな
い。誘電体膜の材質としては、例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｓ
ｉＯ_２、ＡｌＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＴｉ
Ｎ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｎＳなどが好ましく挙げられる。記
録膜の材質は、記録方式により異なるが、例えば、追記
型光記録媒体ではＴｅ、Ｓｎ、Ｓｅなどのカルコゲナイ
ト系合金、相変化型光記録媒体ではＴｅＯ_ｘ、ＩｎＳ
ｅ、ＳｎＳｂなどのカルコゲナイト系合金、光磁気ディ
スクではＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏなどの遷移金
属と希土類金属との合金（単層または２層以上の交換結
合膜）が好ましく挙げられる。反射膜の材質は、たとえ
ば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属、Ａｌ−Ｔｉ、
Ａｌ−Ｃｒなどの合金が好ましく挙げられる。

【００５２】本発明の光ディスクは、例えば以下のよう
にして製造できる。上記光ディスク基盤の案内溝を有す
る面に、常法により誘電体膜、記録膜、反射膜などから
なる積層膜（記録層）を形成する。誘電体膜、記録膜お
よび反射膜のそれぞれは、スパッタリング、イオンプレ
ーティングなどの物理蒸着法またはプラズマＣＶＤなど
の化学蒸着法により形成できる。

【００５３】本発明における超高密度記録用光ディスク
は、前記のとおり、光ディスク基盤面に形成された記録
層表面に、前記活性エネルギ線硬化性組成物（Ｐ）の未
硬化物層（Ｘ１）、部分硬化物層（Ｘ２）または硬化物
層（Ｘ）を形成し、該（Ｘ１）、該（Ｘ２）または該
（Ｘ）の表面に、前記活性エネルギ線硬化性組成物
（Ｑ）の未硬化物層（Ｙ１）または部分硬化物層（Ｙ
２）を形成し、次いで、前記（Ｐ）の層が硬化物層
（Ｘ）である場合は前記（Ｑ）の未硬化物層（Ｙ１）も
しくは部分硬化物層（Ｙ２）を硬化させ、または、前記
（Ｐ）の層が未硬化物層（Ｘ１）もしくは部分硬化物層
（Ｘ２）である場合は前記（Ｐ）の層および前記（Ｑ）
の層を同時に硬化させて、前記薄膜カバー層（Ｘ）およ
び前記ハードコート層（Ｙ）が形成された光ディスクを
得ることにより製造される。

【００５４】すなわち、本発明の上記製造方法におい
て、組成物（Ｐ）の塗工〜硬化および組成物（Ｑ）の塗
工〜硬化のそれぞれのタイミングとしては、以下の
（１）〜（３）のタイミングが挙げられる。 （１）光ディスク基盤面に形成された記録層表面に、組
成物（Ｐ）を塗工した後、充分な量の活性エネルギ線を
照射して充分に組成物（Ｐ）の層を硬化させて硬化物層
（Ｘ）（すなわち、薄膜カバー層（Ｘ）と同じ。）を形
成せしめ、次いで、該硬化物層（Ｘ）の表面に組成物
（Ｑ）を塗工した後、充分な量の活性エネルギ線を照射
して充分に組成物（Ｑ）を硬化させてハードコート層
（Ｙ）を形成する。この場合、組成物（Ｑ）の未硬化物
層（Ｙ１）を予め部分硬化層（Ｙ２）に転化せしめた
後、さらに該部分硬化層（Ｙ２）を硬化させるという、
２段硬化を採用してもよいが、通常は、組成物（Ｑ）の
層の硬化は１段硬化が好ましい。

【００５５】（２）光ディスク基盤面に形成された記録
層表面に、組成物（Ｐ）を塗工して該組成物（Ｐ）の未
硬化物層（Ｘ１）を形成した後、該未硬化物層（Ｘ１）
の表面に組成物（Ｑ）を塗工して該組成物（Ｑ）の未硬
化物層（Ｙ１）を形成し、次いで、充分な量の活性エネ
ルギ線を照射して組成物（Ｐ）および組成物（Ｑ）を同
時に硬化させて、薄膜カバー層（Ｘ）およびハードコー
ト層（Ｙ）を形成する。この場合も、組成物（Ｑ）の層
の２段硬化を採用してもよいが、通常は１段硬化が好ま
しい。

【００５６】（３）光ディスク基盤面に形成された記録
層表面に、組成物（Ｐ）を塗工した後、指触乾燥状態に
なり、かつ完全硬化に至らないまでの量の活性エネルギ
線（通常、約５００ｍＪ／ｃｍ^２までの照射量）を照射
して組成物（Ｐ）の部分硬化物層（Ｘ２）を形成し、該
部分硬化物層（Ｘ２）の表面に組成物（Ｑ）を塗工して
該組成物（Ｑ）の未硬化物層（Ｙ１）もしくは部分硬化
物層（Ｙ２）を形成し、次いで、完全硬化させるに充分
な量の活性エネルギ線を照射して組成物（Ｐ）および組
成物（Ｑ）を同時に硬化させて、薄膜カバー層（Ｘ）お
よびハードコート層（Ｙ）を形成する。この場合も、組
成物（Ｑ）の層の２段硬化を採用してもよいが、通常は
１段硬化が好ましい。

【００５７】本発明の上記製造方法においては、２つの
硬化物層（Ｘ）、（Ｙ）間の層間密着力を上げるため
に、上記（２）または（３）のタイミングで行うことが
好ましい。また、上記組成物（Ｘ）、（Ｙ）が溶剤を含
有している場合は、塗工後、乾燥して溶剤を除去してか
ら硬化させることが好ましい。

【００５８】本発明における光ディスクは、単板で用い
てもよく、２枚以上を貼り合わせて用いてもよい。ま
た、必要に応じてハブを付け、カートリッジへ組み込ん
で用いることもできる。

【００５９】

【実施例】以下、本発明を実施例（例７〜１１）、比較
例（例１２）に基づき説明するが、本発明はこれらに限
定されない。各例においては、光ディスク基盤として、
光記録媒体用ポリカーボネート基盤（直径１２ｃｍ、厚
さ１．２ｍｍ）の片面（案内溝を有する面）に、積層膜
（Ａｌからなる反射膜、ＳｉＮからなる第１誘電体膜、
ＴｂＦｅＣｏからなる光磁気記録膜、ＳｉＮからなる第
２誘電体膜）をスパッタ法により成膜して記録層とした
ものを用いた。なお、例１〜６は修飾コロイド状シリカ
分散液、塗工液（Ｑ１）および塗工液（Ｐ１）〜（Ｐ
４）の参考合成例である。

【００６０】また、各例で得られたサンプルについての
各種物性の測定および評価は以下に示す方法で行い、そ
の結果を表１に示した。なお、初期曇価、耐磨耗性およ
び４００ｎｍ光線透過率の測定用サンプルとしては、反
射膜の形成を省いた光ディスク基盤を用いた。また、反
りの有無についての評価は、厚さ０．６ｍｍのポリカー
ボネート基盤を用いたサンプルについて行った。なお、
参考として通常の建築用ガラスシート（厚さ３ｍｍの板
ガラス）についての評価結果も併せて表１に示した。

【００６１】［初期曇価、耐磨耗性］ＪＩＳ−Ｒ３２１
２における耐磨耗試験法により、２つのＣＳ−１０Ｆ磨
耗輪にそれぞれ５００ｇの重りを組み合わせ５００回転
させたときの曇価（ヘーズ）をヘーズメータにて測定し
た。曇価の測定は磨耗サイクル軌道の４カ所で行い、平
均値を算出した。初期曇価は耐磨耗試験前の曇価の値
（％）を、耐磨耗性は（耐磨耗試験後曇価）−（耐磨耗
試験前曇価）の値（％）を示す。

【００６２】［４００ｎｍ光線透過率］島津製作所社製
ＵＶ−３１００により、サンプルの基盤をキャンセルし
た測定波長４００ｎｍにおける光線透過率を測定した。

【００６３】［密着性］サンプルを剃刀の刃により１ｍ
ｍ間隔で縦横それぞれ１１本の切れ目を付け、１００個
の碁盤目を作り、市販のセロハンテープをよく密着させ
た後、９０度手前方向に急激にはがした際の、薄膜カバ
ー層およびハードコート層が剥離せずに残存した碁盤目
の数（ｍ）をｍ／１００で表す。

【００６４】［反り］サンプルをガラス平板上にハード
コート層の面を上にして置き、中心部を手で押さえた際
の、ディスク端部のガラス面からの距離を隙間ゲージに
て測定した。

【００６５】［例１］撹拌機および冷却管を装着した２
０００ｍＬの４つ口フラスコに、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート分散型コロイド状シリカ
（シリカ含量３０質量％、平均粒径１１ｎｍ）１０００
ｇと、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン５０
ｇを加え、１０５℃にて１４時間撹拌した後、室温下に
１０時間熟成することにより、メルカプトシラン修飾コ
ロイド状シリカ分散液を得た。

【００６６】［例２］撹拌機および冷却管を装着した１
０００ｍＬの４つ口フラスコに、ジペンタエリスリトー
ルヘキサアクリレートを１８４．６０ｇ、２−メチル−
１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノ
プロパン−１−オンを９．２３ｇ、ポリジメチルシロキ
サンの両末端がメルカプト基で変性されたシリコーンオ
イル（信越化学工業社製、商品名「Ｘ−２２−１６７
Ｂ」）を０．７２ｇ、ハイドロキノンモノメチルエーテ
ルを１．２０ｇ、およびメチルエチルケトンを３４５．
９０ｇ入れ、常温および遮光にした状態で、１時間撹拌
して均一化した。続いて撹拌しながら、例１で合成した
メルカプトシラン修飾コロイド状シリカ分散液１６９．
９０ｇをゆっくりと加え、さらに常温および遮光にした
状態で１時間撹拌して均一化した。次いで、２−プロパ
ノールの８６．５ｇを加え、常温および遮光にした状態
下で１時間撹拌して塗工液（Ｑ１）を得た。

【００６７】［例３］撹拌機および冷却管を装着した１
０００ｍＬの４つ口フラスコに、２官能ウレタンアクリ
レート−１（日本化薬社製、商品名「ＵＸ−２２０
１」）を２９０．００ｇ、２官能ウレタンアクリレート
−２（日本化薬社製、商品名「ＵＸ−８１０１」）を１
７０．００ｇ、イソボルニルアクリレートを２４０．０
０ｇ、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレートを
１００．００ｇ、および１−ヒドロキシシクロヘキシル
フェニルケトンを４０．００ｇ加え、常温および遮光に
した状態で３時間撹拌して塗工液（Ｐ１）を得た。

【００６８】［例４］例３において、日本化薬社製「Ｕ
Ｘ−２２０１」を同量の２官能ウレタンアクリレート−
３（共栄社化学社製、商品名「ＵＦ−８００３」）に変
更し、日本化薬社製「ＵＸ−８１０１」を同量の２官能
ウレタンアクリレート−４（共栄社化学社製、商品名
「ＵＦ−８００１」）に変更する以外は、同様の組成お
よび同様の方法で塗工液（Ｐ２）を得た。

【００６９】［例５］例３において、日本化薬社製「Ｕ
Ｘ−２２０１」を同量の２官能ウレタンアクリレート−
５（日本化薬社製、商品名「ＵＸ−６１０１」）に変更
し、日本化薬社製「ＵＸ−８１０１」を同量の２官能ウ
レタンアクリレート−４（共栄社化学社製、商品名「Ｕ
Ｆ−８００１」）に変更する以外は、同様の組成および
同様の方法で塗工液（Ｐ３）を得た。

【００７０】［例６］例３において、日本化薬社製「Ｕ
Ｘ−２２０１」を同量の２官能エポキシアクリレート−
１（日本化薬社製、商品名「Ｒ−１４６」）に変更し、
日本化薬社製「ＵＸ−８１０１」を同量の２官能エポキ
シアクリレート−２（日本化薬社製、商品名「Ｒ−２８
０」）に変更する以外は、同様の組成および同様の方法
で塗工液（Ｐ４）を得た。

【００７１】［例７］光ディスク基盤の記録層表面にス
ピンコート法により塗工液（Ｐ１）を塗工（厚さ９８μ
ｍ）し、得られた塗膜層（ｘ１）に空気雰囲気中、高圧
水銀灯を用いて１００ｍＪ／ｃｍ^２（波長３００〜３９
０ｎｍ領域の紫外線積算エネルギ量。以下同じ。）の紫
外線を照射し、該塗膜層（ｘ１）を部分硬化させ、膜厚
９８μｍの透明部分硬化物層（Ｘ２ｘ１）を前記記録層
表面に形成した。

【００７２】該透明部分硬化物層（Ｘ２ｘ１）の表面
に、スピンコート法により塗工液（Ｑ１）を塗工（ウェ
ット厚さ６μｍ）し、９０℃の熱風循環オーブン中で１
分間保持して溶剤を除去し、塗膜層（ｙ１）を形成し
た。次いで、空気雰囲気中、高圧水銀灯を用いて１５０
０ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射し、該塗膜層（ｙ１）お
よび該透明部分硬化物層（Ｘ２ｘ１）を硬化させ、膜厚
１．８μｍの透明硬化物層（Ｙｙ１）を形成するととも
に、前記透明部分硬化物層（Ｘ２ｘ１）が硬化した透明
硬化物層（Ｘｘ１）を形成した。光ディスク基盤の記録
層表面に薄膜カバー層（Ｘｘ１）／ハードコート層（Ｙ
ｙ１）（総膜厚９９．８μｍ）が形成されたサンプル１
を得た。

【００７３】［例８］光ディスク基盤の記録層表面にス
ピンコート法により塗工液（Ｐ１）を塗工（厚さ９８μ
ｍ）し、得られた塗膜層（ｘ１）に空気雰囲気中、高圧
水銀灯を用いて１０００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射
し、該塗膜層（ｘ１）を硬化させ、膜厚９８μｍの透明
硬化物層（Ｘｘ１）を前記記録層表面に形成した。

【００７４】該透明硬化物層（Ｘｘ１）の表面にスピン
コート法により塗工液（Ｑ１）を塗工（ウェット厚さ６
μｍ）し、９０℃の熱風循環オーブン中で１分間保持し
て溶剤を除去し、塗膜層（ｙ１）を形成した。次いで、
空気雰囲気中、高圧水銀灯を用いて１５００ｍＪ／ｃｍ
^２の紫外線を照射し、該塗膜層（ｙ１）を硬化させ、膜
厚１．８μｍの透明硬化物層（Ｙｙ１）を前記透明硬化
物層（Ｘｘ１）の表面に形成した。光ディスク基盤の記
録層表面に薄膜カバー層（Ｘｘ１）／ハードコート層
（Ｙｙ１）（総膜厚９９．８μｍ）が形成されたサンプ
ル２を得た。

【００７５】［例９］光ディスク基盤の記録層表面にス
ピンコート法により塗工液（Ｐ１）を塗工（厚さ９８μ
ｍ）し、塗膜層（ｘ１）を形成した。該塗膜層（ｘ１）
の表面に塗工液（Ｑ１）をスピンコート法により塗工
（ウェット厚さ６μｍ）し、９０℃の熱風循環オーブン
中で１分間保持して溶剤を除去し、塗膜層（ｙ１）を形
成した。次いで、空気雰囲気中、高圧水銀灯を用いて１
５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射し、該塗膜層（ｘ
１）および該塗膜層（ｙ１）を硬化させ、膜厚９８μｍ
の透明硬化物層（Ｘｘ１）および膜厚１．８μｍの透明
硬化物層（Ｙｙ１）を形成した。光ディスク基盤の記録
層表面に薄膜カバー層（Ｘｘ１）／ハードコート層（Ｙ
ｙ１）（総膜厚９９．８μｍ）が形成されたサンプル３
を得た。

【００７６】［例１０］例７において、塗工液（Ｐ１）
を塗工液（Ｐ２）に変更した以外は、例７と同様にして
サンプル４を得た。

【００７７】［例１１］例７において、塗工液（Ｐ１）
を塗工液（Ｐ３）に変更した以外は、例７と同様にして
サンプル５を得た。

【００７８】［例１２］例７において、塗工液（Ｐ１）
を塗工液（Ｐ４）に変更した以外は、例７と同様にして
サンプル６を得た。

【００７９】

【表１】

【００８０】

【発明の効果】本発明の光ディスクは、光ディスク基盤
の記録層表面に薄膜カバー層／ハードコート層の複合膜
が形成されてなり、該複合膜は、光ディスク基盤を反ら
すことなく、高い耐磨耗性および透明性を有し、かつ、
光ディスク基盤との密着性に優れている。また、本発明
の製造方法によれば、上記の優れた複合膜を光ディスク
基盤の記録層表面に形成できるとともに、薄膜カバー層
／ハードコート層間の密着性および該複合膜／光ディス
ク基盤間の密着性に優れた光ディスクを製造できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ Ｆターム(参考） 5D029 LA04 LA05 LA06 LA07 LB01 LB07 LB13 5D121 AA04 EE21 EE23 EE27 EE28 GG02

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】記録および／または再生するのに用いられ
   る光が薄膜カバー層を通して記録層に照射される方式の
   光ディスクにおいて、光ディスク基盤面に形成された記
   録層表面に下記薄膜カバー層（Ｘ）が形成され、かつ、
   該薄膜カバー層（Ｘ）表面に下記ハードコート層（Ｙ）
   が形成されていることを特徴とする光ディスク。 薄膜カバー層（Ｘ）：多官能ウレタン（メタ）アクリレ
   ート化合物（Ａ）、ポリシクロアルカン構造を有する活
   性エネルギ線硬化性の重合性官能基を１個以上有する化
   合物（Ｂ）、および光重合開始剤（Ｃ１）を含有する活
   性エネルギ線硬化性組成物（Ｐ）を硬化せしめて得られ
   る硬化物層。 ハードコート層（Ｙ）：活性エネルギ線によって重合し
   うる重合性官能基を２個以上有する多官能性化合物
   （Ｄ）、メルカプト基を有する有機基と加水分解性基お
   よび／または水酸基とがケイ素原子に結合しているメル
   カプトシラン化合物で表面修飾された平均粒径１〜２０
   ０ｎｍの修飾コロイド状シリカ（Ｅ）、および光重合開
   始剤（Ｃ２）を含有する活性エネルギ線硬化性組成物
   （Ｑ）を硬化せしめて得られる硬化物層。
2. 【請求項２】前記活性エネルギ線硬化性組成物（Ｐ）に
   おける、（Ａ）／（Ｂ）／（Ｃ１）の合計１００質量部
   に対し、（Ａ）が１０〜８０質量部であり、（Ｂ）が２
   ０〜７０質量部であり、かつ、（Ｃ１）が０．０１〜２
   ０質量部である請求項１に記載の光ディスク。
3. 【請求項３】前記活性エネルギ線硬化性組成物（Ｑ）に
   おける、（Ｄ）の１００質量部に対し、（Ｅ）が５〜３
   ００質量部であり、かつ、（Ｃ２）が０．０１〜２０質
   量部である請求項１または２に記載の光ディスク。
4. 【請求項４】前記メルカプトシラン化合物が、下記式
   （１）で表される化合物である請求項１、２または３の
   いずれかに記載の光ディスク。 ＨＳ−Ｒ−ＳｉＸ_ｎＲ^１ _３−ｎ・・・（１） ただし、式（１）において、ＨＳ−Ｒはメルカプト基を
   有する有機基、Ｒは２価の炭化水素基、Ｒ^１は１価の炭
   化水素基、Ｘは水酸基または加水分解性基、ｎは１〜３
   の整数を表す。
5. 【請求項５】前記修飾コロイド状シリカ（Ｅ）が、コロ
   イド状シリカが分散した有機分散媒にメルカプトシラン
   化合物を添加して加水分解することにより得られるもの
   である請求項１〜４のいずれかに記載の光ディスク。
6. 【請求項６】前記薄膜カバー層（Ｘ）の厚さが、５０〜
   １５０μｍである請求項１〜５のいずれかに記載の光デ
   ィスク。
7. 【請求項７】前記ハードコート層（Ｙ）の厚さが、０．
   ０５〜２０μｍである請求項１〜６のいずれかに記載の
   光ディスク。
8. 【請求項８】記録および／または再生するのに用いられ
   る光が薄膜カバー層を通して記録層に照射される方式の
   光ディスクの製造方法において、光ディスク基盤面に形
   成された記録層表面に、前記活性エネルギ線硬化性組成
   物（Ｐ）の未硬化物層（Ｘ１）、部分硬化物層（Ｘ２）
   または硬化物層（Ｘ）を形成し、該（Ｘ１）、該（Ｘ
   ２）または該（Ｘ）の表面に、前記活性エネルギ線硬化
   性組成物（Ｑ）の未硬化物層（Ｙ１）または部分硬化物
   層（Ｙ２）を形成し、次いで、前記（Ｐ）の層が硬化物
   層（Ｘ）である場合は前記（Ｑ）の未硬化物層（Ｙ１）
   もしくは部分硬化物層（Ｙ２）を硬化させ、または、前
   記（Ｐ）の層が未硬化物層（Ｘ１）もしくは部分硬化物
   層（Ｘ２）である場合は前記（Ｐ）の層および前記
   （Ｑ）の層を同時に硬化させて、前記薄膜カバー層
   （Ｘ）および前記ハードコート層（Ｙ）が形成された光
   ディスクを得ることを特徴とする光ディスクの製造方
   法。