JP2003171770A - プラズマ放電処理装置、プラズマ放電処理方法、その方法で製造された薄膜及び積層体、及び光学フィルム、光学フィルムを用いた偏光板及び表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速、高生産性を有する基材表面に薄膜を形
成する装置、安価に多層の薄膜を均一に形成出来る方
法、均一の厚さの薄膜積層体または光学フィルム、更に
性能の優れた偏光板または画像表示装置を提供する。 【解決手段】 対向回転電極の一方の電極に接して通過
させた基材が、対向回転電極の間に形成する放電部にお
いて、大気圧もしくはその近傍の圧力下、及び供給され
た反応ガスの存在下でプラズマ放電処理され、該基材が
折り返してもう片方の回転電極に接しながら放電部に移
送されて往復し同一基材面が再び処理される大気圧また
はその近傍の圧力で処理するプラズマ放電処理装置、及
びそれを使用して薄膜を形成した光学フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基材表面に薄膜を
大気圧もしくはその近傍の圧力下で形成するためのプラ
ズマ放電処理装置、その装置を用いて薄膜を形成するプ
ラズマ放電処理方法、並びにこの装置及びこの方法を用
いて形成した光学フィルム、更にこの光学フィルムを有
する偏光板及び画像表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光学レンズ、ＣＲＴ、またはコンピュー
タやワープロの液晶画像表示装置等の分野において、そ
れらの表面の反射によって起こる画像の不鮮明さ等の不
具合に対して、透過率の向上、コントラストの向上、映
り込み低減のための表面反射を減少させる反射防止技術
が、従来より数多く提案されている。提案されている技
術として、例えば、光学干渉層の多層積層体の屈折率と
光学膜厚を適切な値に調整することにより、この積層体
と空気界面における光の反射を減らすことが出来るとい
う反射防止技術が知られている。このような多層積層体
は、高屈折率層としてのＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅等
や低屈折率材料としてのＳｉＯ₂、ＭｇＦ₂等の薄膜が積
層されたものであり、これらはスパッタリング法、真空
蒸着法、イオンプレーティング法等の真空乾式薄膜製膜
法によって製作されたものである。しかし、このような
真空乾式薄膜製膜法の真空装置は、処理基材が大きくな
るとそれに伴い大型化するため装置が非常に高額となる
ことや、真空度を上げる排気にも非常に時間と費用を費
やしたり、更に連続生産が出来ず生産性が低いことなど
デメリットが大きい。

【０００３】また、別の反射防止層の作製方法として、
チタンアルコキシドやシランアルコキシドに代表される
金属アルコキシドを基材の表面に塗布、乾燥、加熱して
金属酸化物の膜を作製する方法がある。しかしこの方法
では、加熱温度を３００℃という高い温度にする必要が
あり、基材が変形したり平面性が損なわれダメージが大
きい。また特開平８−７５９０４号公報に記載されてい
るような加熱温度を１００℃程度とした比較的低温で行
う方法では、作製に時間がかかり何れにしても問題点が
多々あった。

【０００４】近年、これら温度と時間の問題を改善する
方法として、特開平９−２１９０２号公報にみられるよ
うな高屈折率材料をＴｉ、Ｚｒ、ＴａまたはＩｎのアル
コキシドと、分子中に２個以上のアクリロイル基、メタ
クリロイル基、アリル基またはビニル基等を有する重合
可能な官能基化合物を併用することにより低温で作製す
る方法が提案されている。また、特開平７−２０９５０
３号公報には、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、
メタクリロイル基等の重合可能な官能基とアルコキシド
基のような加水分解可能な官能基を併せ持つ有機珪素化
合物と重合可能な不飽和結合を持つ単量体からの共重合
物を主成分とする光学皮膜形成コーティング用組成物が
示されており、樹脂成分と無機成分を分子レベルで均一
に出来るという技術が提案されており、組成物を基材に
塗布した後、１００℃で長時間加熱するか、電離放射線
照射により重合させて皮膜とする方法が述べられてい
る。

【０００５】この他、特開平８−２９５８４６号及び同
９−２２０７９１号公報にも重合性有機金属化合物及び
金属酸化物やシラン化合物組成物を含有する組成物を熱
または電離性放射線で硬化する技術が開示されている。
更にこの他にも上記のような反応性有機金属化合物は使
用しないが、電離性放射線として電子線や紫外線を照射
することによって作製する方法が、特開平５−２７０８
６４号、同５−２７９５９８号、同６−１１６０２号、
同８−１２２５０１号、同８−２９７２０１号、同９−
２１９０２号及び同９−２５３５０号公報に記載されて
いる。しかし、これらの製膜方法では、有機成分が未反
応のまま残存し、それが経時的に徐々に変化していくた
め、屈折率が変化し次第に反射防止機能が損なわれてし
まうことがあった。

【０００６】上記の方法に対して、大気圧またはその近
傍の圧力下でプラズマ放電を発生させ、反射防止機能を
有する薄膜を製膜する方法が特開平１１−１３３２０５
号、特開２０００−１８５３６２号、特開平１１−６１
４０６号、特開２０００−１４７２０９号、同２０００
−１２１８０４号公報に開示されている。しかしなが
ら、上記記載の方法では、微少面積への製膜は可能であ
るものの広巾基材への均一な製膜は困難であり、特に屈
折率が一定でなければならない、また光学膜厚が均一で
なければならない反射防止機能膜等には不向きであっ
た。

【０００７】上記のごとき従来の大気圧プラズマ放電処
理法の他の問題として、電極に汚れが付着したり、更に
汚れが蓄積してしまうという問題があった。これを解決
するための様々な方法が提案されたが、何れも十分なも
のはなかった。この中で、特開２０００−２１２７５３
号公報では、対向電極のそれぞれの表面に基材を配置す
る方法が提案されており、電極の汚れを防止することが
出来るとしている。しかし、この方法では、常に２枚の
基材が必要であるという問題があった。この方法は一
見、二つの基材を同時に処理出来、生産効率が高いよう
に見えるが、２枚の基材を同じように処理するために
は、極めて高い精度の搬送設備や処理条件設定が必要で
ある。そして、一方の基材の製造ラインにトラブルがあ
る場合には、もう一方のラインも停止しなければなら
ず、多大なメンテナンス負荷を要し、実用的でなかっ
た。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、真空
装置を必要とせずまた高温での処理をも行わずに広幅の
基材を高速で且つ連続処理が出来、高生産性を有する薄
膜を形成する装置を提供すること、第２の目的は、膜厚
が均一な薄膜を得ることが出来、且つ連続的に均一薄膜
の多層積層体を形成する方法を提供すること、第３の目
的は、かかる方法で形成した薄膜積層体の光学フィルム
を提供すること、更に第４の目的は、この光学フィルム
を使用し優れた偏光板及び画像表示装置を提供すること
である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は以下の構成より
なる。

【００１０】１．連続的に移送する基材の表面を大気圧
もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラ
ズマ放電処理装置であって、少なくとも一対の対向電極
と該対向電極の間に形成される放電部を有し、該放電部
において該対向電極の一方の電極に接しながら該放電部
を通過し処理された該基材が再び該対向電極のもう一方
の電極に接しながら該放電部に移送するための折り返し
移送手段を有し、該放電部において往復して通過する該
基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供
給する手段及び処理後の排ガスを排出する手段を有し、
且つ該対向電極間に電圧を印加してプラズマ放電を発生
させる手段を有することを特徴とするプラズマ放電処理
装置。

【００１１】２．連続的に移送する基材の表面を大気圧
もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラ
ズマ放電処理装置であって、複数対の対向電極と該対向
電極の間に形成される複数の放電部を有し、放電部にお
いてそれぞれの一方の電極に接しながらそれぞれの放電
部を通過し処理された該基材を再び該対向電極のそれぞ
れのもう一方の電極に接しながらそれぞれの放電部に移
送し処理するための折り返し移送手段を有し、各放電部
において往復して通過する該基材の間に大気圧またはそ
の近傍の圧力の反応ガスを供給する手段及び処理後の排
ガスを排出する手段を有し、且つそれぞれの対向電極間
に電圧を印加してプラズマ放電を発生させる手段を有す
ることを特徴とするプラズマ放電処理装置。

【００１２】３．連続的に移送する基材の表面を大気圧
もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラ
ズマ放電処理装置であって、一対の対向電極と該対向電
極の間に形成される放電部を有し、該放電部において該
対向電極の一方の電極に接しながら該放電部を通過し処
理された該基材を再び該対向電極のもう一方の電極に接
しながら該放電部に移送し処理するための折り返し移送
手段を有し、該放電部において往復して通過する該基材
の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給す
る手段及び処理後の排ガスを排出する手段を有し、且つ
該対向電極間に電圧を印加してプラズマ放電を発生させ
る手段を有する放電部を、連続して複数有することを特
徴とするプラズマ放電処理装置。

【００１３】４．対向電極が回転するロール電極である
ことを特徴とする前記１乃至３の何れか１項に記載のプ
ラズマ放電処理装置。

【００１４】５．連続的に移送する基材の表面を大気圧
もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラ
ズマ放電処理装置であって、少なくとも一つの回転する
ロール電極とこれに対向する複数の回転するロール電極
との間に形成される複数の放電部を有し、該放電部にお
いて、対向するロール電極の一方に接しながら該放電部
を通過し処理された該基材が、再び該対向するロール電
極のもう一方に接しながら該放電部を通過し、処理する
ことが可能な移送手段を有し、該放電部において往復し
て通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の
反応ガスを供給する手段を有し、且つ該対向するロール
電極間に電圧を印加してプラズマ放電を発生させる手段
を有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。

【００１５】６．対向電極の表面が固体誘電体で被覆さ
れていることを特徴とする前記１乃至５の何れか１項に
記載のプラズマ放電処理装置。

【００１６】７．対向電極間の間隙が０．５〜２０ｍｍ
であることを特徴とする前記１乃至６の何れか１項に記
載のプラズマ放電処理装置。

【００１７】８．前記電源の周波数が１００ｋＨｚを超
え１５０ＭＨｚ以下であることを特徴とする前記１乃至
７の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。

【００１８】９．一対の対向電極、該対向電極の間で形
成される放電部、折り返し手段、反応ガス供給手段及び
排ガスを排出する手段を一つの処理室内に有することを
特徴とする前記１、３乃至８のいずれか１項に記載のプ
ラズマ放電処理装置。

【００１９】１０．複数の対向電極とそれらの間で形成
される複数の放電部、一つの折り返し手段、複数の反応
ガス供給手段及び複数の排ガスを排出する手段を一つの
処理室内に有することを特徴とする前記２、４乃至８に
記載のプラズマ放電処理装置。

【００２０】１１．前記処理室の基材の入口及び出口の
それぞれに予備室を隣接して有することを特徴とする前
記５、９または１０に記載のプラズマ放電処理装置。

【００２１】１２．一つのプラズマ放電部を往復して連
続移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力
下で反応ガスにより処理することを特徴とするプラズマ
放電処理方法。

【００２２】１３．前記１乃至１１の何れか１項に記載
のプラズマ放電処理装置を用いて、往復して連続移送す
る基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応
ガスにより処理することを特徴とするプラズマ放電処理
方法。

【００２３】１４．前記２乃至１１の何れか１項に記載
の複数の放電部を有するプラズマ放電処理装置を用い
て、往復して連続移送する基材の表面に大気圧もしくは
その近傍の圧力下で反応ガスにより処理することを特徴
とするプラズマ放電処理方法。

【００２４】１５．前記反応ガスが９０〜９９．９９体
積％の希ガスと０．０１〜１０体積％の反応性ガスを有
することを特徴とする前記５または１２乃至１４の何れ
か１項に記載のプラズマ放電処理方法。

【００２５】１６．反応性ガスがガス状の有機金属化合
物またはガス状の有機フッ素化合物を含有することを特
徴とする前記５または１２乃至１５の何れか１項に記載
のプラズマ放電処理方法。

【００２６】１７．前記１２、１５または１６に記載の
方法を用いて、基材表面に形成したことを特徴とする薄
膜。

【００２７】１８．前記１２乃至１６の何れか１項に記
載の方法を用いて、基材表面に複数形成したことを特徴
とする薄膜積層体。

【００２８】１９．前記１７に記載の薄膜を有すること
を特徴とする光学フィルム。 ２０．前記１８に記載の薄膜積層体を有することを特徴
とする光学フィルム。

【００２９】２１．前記１９または２０に記載の光学フ
ィルムを有すること特徴とする偏光板。

【００３０】２２．前記１９または２０に記載の光学フ
ィルムを有すること特徴とする画像表示装置。

【００３１】２３．前記２１に記載の偏光板を有するこ
とを特徴とする画像表示装置。 ２４．連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはそ
の近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処
理方法であって、少なくとも一対の対向電極の間に形成
される放電部を有し、該放電部において、一方の電極に
接しながら該放電部を通過する該基材上に大気圧または
その近傍の圧力の反応ガスを供給し、且つ該対向電極間
に電圧を印加してプラズマ放電を発生させ、基材表面に
プラズマ放電処理を行った後、直ちに又は他の放電部を
通過した後折り返し移送手段によって折り返され、もう
一方の対向電極に接しながら該放電部に再び移送され、
通過する基材に、該放電部において更にプラズマ放電処
理を行うことを特徴とするプラズマ放電処理方法。

【００３２】２５．少なくとも１つの対向電極に対し
て、２つ以上の対向電極が配置され、これらの電極間に
プラズマ放電可能な電圧が印加されて複数の放電部を形
成し、各々の放電部において、電極に接しながら搬送さ
れる基材表面にプラズマ放電処理されることを特徴とす
る前記２４に記載のプラズマ放電処理方法。

【００３３】２６．複数の対からなる対向電極群を有
し、一方の対向電極群のうち１つと、これと対となる対
向電極群の複数の対向電極とが複数の放電部を形成する
ように隣接して配置され、各々の放電部において、一方
の対向電極に接して搬送され、プラズマ放電処理された
基材が、折り返し移送手段によって折り返され、再度も
う一方の対向電極に接して搬送され、基材表面が再びプ
ラズマ放電処理されることを特徴とする前記２４に記載
のプラズマ放電処理方法。

【００３４】〔プラズマ放電処理装置〕本発明の大気圧
もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理する装置
を図として例示し説明をするが、本発明におけるプラズ
マ放電処理装置はこれらに限定されない。

【００３５】図１は、本発明の製造方法に用いられるプ
ラズマ放電処理装置の一例で、ロール電極を用いて基材
を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に
示した図である。この装置は一対のロール電極１０Ａと
ロール電極１０Ｂを有し、これらのロール電極１０Ａと
１０Ｂにはプラズマ放電のための電圧を印加出来る電源
８０が電圧供給手段８１と８２を介して接続されてい
る。ロール電極１０Ａと１０Ｂは基材Ｆを巻き回しなが
ら回転することが出来る回転電極である。放電部１００
は大気圧もしくはその近傍の圧力下に維持され、反応ガ
ス供給部３０から反応ガスＧが供給され、放電部１００
においてプラズマ放電が行われる。前工程または元巻き
ロールから供給される基材Ｆは、ガイドロール２０によ
りロール電極１０Ａに密着され、同期して回転移送さ
れ、放電部１００で大気圧もしくはその近傍の圧力下で
反応ガスによりプラズマ放電処理が施される。反応ガス
供給部３０は基材の幅と同等か、あるいはそれよりやや
幅が広いスリット状であることが好ましく、あるいはパ
イプ状の吹き出し口を横に並べて基材の幅同等となるよ
うに配置したものでもよく、幅方向全体で均一な流量或
いは流速で反応ガスＧが放電部１００に導入されるよう
にするのがよい。一旦処理された基材Ｆは折り返しロー
ル（Ｕターンロールともいう）１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ
及び１１Ｄを経て、逆方向に移送されロール電極１０Ｂ
に抱かれて再び放電部１００でプラズマ放電処理が施さ
れガイドロール２１を介して巻き取りまたは次工程（何
れも図示してない）に移送される。処理後のガスＧ′は
排気口４０より排気される。排気口４０からの排気流量
は反応ガス供給部３０からの流量と同等か、やや多いこ
とが好ましい。放電部１００のロール電極１０Ａ及び１
０Ｂの側面側を遮蔽しても、また装置全体を囲い、全体
を希ガス或いは反応ガスでみたしてもよい。

【００３６】図２は、ベルト電極を用いて基材を往復さ
せて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図
である。この図の装置は、回転電極が二つのサポートロ
ール１４Ｃと１４Ｄ及び二つのサポートロール１４Ｅと
１４Ｆで無限移行する無端のベルト電極１３Ａ及びベル
ト電極１３Ｂを有しているのが特徴である。ベルト電極
１３Ａと１３Ｂの間で平行になっている部分の空間が放
電部１０１となっており、ロール電極を用いる場合より
もより広い放電空間を確保することが出来る。前工程ま
たは元巻きロールから供給される基材Ｆはガイドロール
２０と折り返しロール１１Ａによって張力が与えられ、
ベルト電極１３Ａに密着され、ベルト電極１３Ａと共に
同期して移送され放電部１０１でプラズマ放電処理さ
れ、折り返しロール１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ及び１１Ｄ
を経て、同様にベルト電極１３Ｂと共に密着しながら逆
方向に放電部１０１を通り二度目のプラズマ放電処理が
施される。処理された基材Ｆはガイドロール２１を経て
巻き取りまたは次工程へ移送される。反応ガスＧは反応
ガス供給部３０から放電部１０１に供給される。処理後
のガスＧ′は排出口４０から排出される。放電部の空間
をより広くしたい場合は、反応ガスは反応ガス供給部一
カ所だけでなく放電部の横から供給部を設け供給しても
よい。また、サポートロールは複数設けてもよく、放電
部のサポートロールの側面側を遮蔽してもよいし、装置
全体を囲って反応ガスで満たしてもよい。ベルト電極１
３Ａまたは１３Ｂに密着している基材Ｆは張力制御や位
置制御を行うことによって、安定な処理が出来る。ま
た、図２を縦型に配置したプラズマ放電処理装置であっ
てもよい。又、意図的にベルト間隔を、搬送方向の前と
後ろで変更し、拡げたり狭くすることで得られる薄膜の
物性や組成を変化させた傾斜膜を作製することも出来
る。

【００３７】図３は、複数のロール電極を用いて基材を
往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示
した図である。前工程または元巻きロールから供給され
る基材Ｆは最初にガイドロール２２を経て、ロール電極
１０Ｃに抱かれ密着して放電部１０４でプラズマ放電処
理が施され、ついで、ガイドロール２０Ｅを経てロール
電極１０Ｅに抱かれて密着して放電部１０５で二度目の
処理が施され、ガイドロール２０Ｇを経て、ロール電極
１０Ｇで同様に放電部１０６で三度目の処理が施され
る。反応ガスＧ、はそれぞれの反応ガス供給部３０Ｃ、
３０Ｅ、３０Ｇから供給され、処理後のガスＧ′はそれ
ぞれ排出口４０Ｃ、４０Ｅ、４０Ｇから排出される。処
理された基材Ｆは折り返しロール（Ｕターンロール）１
１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄを経て、逆方向に移送さ
れ、同様に、ロール電極１０Ｈ、放電部１０６で四度目
の処理が行われ、ガイドロール２１Ｈを経て、ロール電
極１０Ｆ、放電部１０５で五度目の処理が行われ、更
に、ガイドロール２１Ｆを経て、ロール電極１０Ｄ、放
電部１０４で六度目の処理が行われる。処理後の基材Ｆ
はガイドロール２３を経て巻き取りまたは次工程に移送
される。図３において、各放電部の反応ガスを同一のも
のを使用してもよいし、それぞれ別の反応ガスを使用し
てもよい。別々の反応ガスを用した場合には、異なった
薄膜層の積層体が得られる。なお、８０Ｃ、８０Ｅ、８
０Ｇは何れも電源であり、８１Ｃ、８１Ｅ、８１Ｇ、８
２Ｃ、８２Ｅ及び８２Ｇは電圧供給手段である。

【００３８】図４は、基材を往復させて処理するロール
電極対を連続的につなげて処理するプラズマ放電処理装
置を模式的に示した図である。図４は独立した電極対を
直列に有するもので、それぞれの独立した電極対の放電
部で異なった反応ガスを使用すると、それらの異なった
薄膜の積層体を得ることが出来る。基材の移送の仕方は
図１と同様であるので、詳細は省略する。図中、２４、
２５、２６はガイドロール、１０Ｊと１０Ｋ、１０Ｌと
１０Ｍ、１０Ｎと１０Ｐ、１０Ｑと１０Ｒはそれぞれ対
をなすロール電極である。また１０７、１０８、１０
９、１１０はそれぞれの放電部、３０Ｊ、３０Ｌ、３０
Ｎ、３０Ｑはそれぞれガス供給部、４０Ｊ、４０Ｌ、４
０Ｎ、４０Ｑはそれぞれガス排出口である。更に８０
Ｊ、８０Ｌ、８０Ｎ、８０Ｑはそれぞれの電源、８１Ｊ
と８２Ｊ、８１Ｌと８２Ｌ、８１Ｎと８２Ｎ、８１Ｑと
８２Ｑはそれぞれの対の電圧供給手段である。一つのロ
ール電極対は図２と同様である。

【００３９】図５は、外界と遮断する処理室とその出入
口の両側に予備室を有するプラズマ放電処理装置を模式
的に示した図である。図５は図１と同様なプラズマ放電
処理装置を処理室容器７１内の処理室７０に納め、処理
室７０の基材Ｆの出入り口６２と６３において、外界の
空気を遮断するために前記処理室に隣接して予備室６０
Ａ（入口側）と６０Ｂ（出口側）を有しているものであ
る。なお、予備室６０Ａ及びＢの気圧は外界より若干高
いことが好ましく、０．３Ｐａ以上高いことが特に好ま
しい。予備室６０Ａ及び６０Ｂに対して処理室７０が
０．３Ｐａ以上高いことが好ましい。基材Ｆ表面に外界
の空気が同伴して来るのでこの空気を遮断し、またガス
を外部に漏らさないために、入口側の予備室６０Ａと外
界９０との境６１及び予備室６０Ａと処理室７０との境
６２に、また処理室７０と出口側の予備室６０Ｂとの境
６３及び予備室６０Ｂと外界との境６４に、それぞれ二
対のニップロール６５及び６６が配置されており、これ
らにより同伴空気が遮断されている。３１は処理室７０
及び予備室６０Ａ、６０Ｂへの希ガスの導入口であり、
４１は排出口である。基材Ｆのプラズマ放電処理及び移
送については図１と同様であるので省略する。予備室は
複数設けてもよく、複数設けることにより外気の混入や
反応ガス等の漏れ防止の点で好ましく、２〜１０室更に
あることが好ましい。複数の予備室を有する場合、それ
ぞれの予備室と隣り合う処理室等との気圧をやや低くあ
るいは高くすることにより効率的に外界との遮断を行う
ことが出来る。

【００４０】図６は基材を往復させて処理するロール電
極対を連続的につなげて処理する別の形態のプラズマ放
電処理装置を模式的に示した図である。図６においては
独立した電極対を直列に有するものとは異なり、１つの
対向電極Ａ１に注目してみるとＡ１に対して、３つの対
向電極Ｂ１、Ｂ５及びＢ２が対向して配置され、該電極
間に形成されるそれぞれの放電部でプラズマ放電処理が
されるタイプのプラズマ放電処理装置である。大気圧も
しくはその近傍の圧力下に維持され、反応ガス供給部３
０から反応ガスＧが供給され、放電部１００においてプ
ラズマ放電が行われる。

【００４１】装置全体は、複数の対からなる対向電極群
Ａ１〜Ａ５と複数の対向電極Ｂ１〜Ｂ５から構成され、
一方の電極Ａ１〜Ａ５のうちの１つに対して対向電極Ｂ
１〜Ｂ５のうちの複数が、又一方の電極Ｂ１〜Ｂ５のう
ちの１つからみると電極Ａ１〜Ａ５のうちの複数が対向
しそれぞれ放電部１００を形成している構造になってい
るのが特徴である。各々の放電部は、大気圧もしくはそ
の近傍の圧力下に維持され、反応ガス供給部３０から反
応ガスＧが供給され、放電部１００においてプラズマ放
電が行われる。プラズマ処理を受ける基材は、該対向電
極群の一方の電極に接して搬送され、プラズマ放電処理
され、折り返し移送手段によって折り返された基材が、
再度、対向電極のもう１つに接して搬送されて、基材表
面がプラズマ放電処理される。図において、２０のガイ
ドロールを通して基材Ｆが、回転するロール電極Ｂ１に
接して処理空間にはいると、各折り返しロール１１Ｉ〜
１１Ａを間に挟みつつ、ロール電極Ｂ１、Ａ１、Ｂ２、
Ａ２・・・と順次、基材が各ロール電極に接しつつ搬送
され、各放電部１００を通過することで、各ロール電極
間に形成された各放電部にてそれぞれプラズマ放電処理
を受ける。各折り返しロールを介して同じ放電部で、互
いに対向する、一度目とは異なった別の電極に接しつつ
もう一度基材がプラズマ放電処理を受けることになる。
尚８０は電源を８１、８２はそれぞれ対となる電圧供給
手段を表している。これらの電極群に対し複数の電源を
用いることもできる。この様にして複数の放電部におい
て複数の処理を受けた基材は最終的にはガイドロール２
１を介してプラズマ放電処理装置から次工程へ送られ
る。

【００４２】上記したように、大気圧もしくはその近傍
の圧力下で処理するプラズマ放電処理装置を例示した
が、本発明の特徴は、第１に、放電部において、長尺の
基材を連続的に処理出来、一度通して処理した基材を再
び同じ放電部に通して往復して処理することにより、処
理速度を上げることが出来、生産性を高めることが出来
るばかりでなく、形成する薄膜の均一性が向上するこ
と、第２に、装置がコンパクトのため連続してプラズマ
放電処理装置を並べることにより、薄膜の積層体を容易
に、高品質でしかも安価に作製することが出来ることで
ある。又、複数の放電部で処理することによって膜強度
を高めることも出来る。

【００４３】以下上記図を例にとりその特徴、優位性を
説明する。平板電極を用いる装置は処理有効面積が広
く、処理効率が高い反面、基材の裏側にもプラズマ放電
処理が行われ易く、基材が固定電極に安定して接するこ
とが出来ないばかりか、基材の移送と固定電極の間で摩
擦を生じ擦り傷が発生するため光学フィルム用には不向
きである。図２のベルト電極を使用したプラズマ放電処
理装置は、これもベルト電極の長さにもよるが、処理面
積が広く効率のよいものであり、本発明において使用し
易い装置である。図２は、図１に比べると、処理される
基材がベルト電極表面に密着して処理されることにより
安定した処理が出来る。ただ、ベルトのような平らな電
極の上に基材があるため若干基材が部分的に浮く可能性
があり、基材にかかる張力を適切に制御したり、このよ
うな場合ベルト電極の裏側に直径の小さめなサポートロ
ールを何本か当てベルト電極に張りを持たせることによ
って密着の安定性を増すことが出来る。図１のロール電
極を使用した装置は、電極に基材が最も密着性がよく、
安定した、しかも効率のよい処理が出来るため、本発明
において最も好ましい装置である。これらの図示した装
置において、折り返しロールがあることが、本発明の一
つの特徴である。折り返しロールの本数は一本でも、図
示してあるように４本でも、何本あってもよい。好まし
くは張力を制御出来るロールあるいは手段を有している
ことが望ましい。又、折り返す前に別の放電部でプラズ
マ放電処理されて、紫外線照射等の別の工程と組み合わ
すことも出来る。

【００４４】また、本発明の装置はコンパクトであり、
図３や図４又図６に示したように、対向ロール電極を連
続して設けることが出来、より効率を上げることが出来
る。図３は複数の対向電極を横に配列したもので、連続
的に同一の反応ガスで処理しても、またそれぞれの対向
電極のところで異なった反応ガスを使用して処理しても
よい。例えば前者の場合には処理速度を高めることが出
来ると同時に、より均一な薄膜を形成させることが出
来、また後者は異なった薄膜を積層することが出来ると
いうのが特徴である。図４は独立した処理部を有し、一
処理が完結して次の処理部に基材が移送されるため、そ
れぞれ異なった反応ガスを使用することにより、設計し
易い薄膜積層体を形成することが出来、本発明の積層体
を形成するための装置として特に好ましい形である。図
５は、図１のプラズマ放電処理装置の全体を囲った処理
室であり、また基材に同伴する空気を遮断する予備室を
設けたものである。図１〜４においては、この処理室及
び予備室が省略されている図となっており、図１が図５
となるように何れも同様に処理室と予備室は設けること
が出来る。特に図４で異なる反応ガスを用いる場合に
は、プラズマ放電処理装置各々に設けるのが好ましい。
図５において、移送して来る基材に同伴して来る空気は
ニップロールのような遮断手段により遮断され、且つ処
理室の基材の出入り口に、処理室より圧力の若干高いか
または低い予備室をそれぞれ設けることによって、処理
室内への空気の混入を避けることが出来、そのことによ
って処理効果を上げると同時に処理の均一性を向上させ
ることが出来る。本発明のプラズマ放電処理装置の処理
室及び予備室には反応ガス組成と同等な成分のガス、ま
たは希ガスのみで予め満たしておくことが望ましい。

【００４５】〔対向電極〕本発明に使用される電極は、
金属等の導電性母材で出来ており、その表面が固体誘電
体で被覆されていることが望ましい。固体誘電体として
は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフ
タレート等のプラスティック、ガラス、二酸化珪素、酸
化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン等の金
属酸化物あるいはチタン酸バリウム等の複合金属酸化物
等を挙げることが出来る。特に好ましいものは、セラミ
ックスを溶射後に無機材料を用いて封孔処理したセラミ
ック被覆処理誘電体である。また、電極の金属等の導電
性母材としては、銀、白金、ステンレス、アルミニウ
ム、鉄等の金属等を挙げることが出来るが、加工の観点
からステンレスが好ましい。また、ライニング材として
は、珪酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガ
ラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、ア
ルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく、
この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いという点でよ
り好ましく用いられる。

【００４６】本発明に使用される電極の形状は、図１ま
たは２にあるようにロール電極、ベルト電極があるが、
これら以外に形状には対向電極となるものであれば制限
がなく使用出来る。本発明においてはロール電極がプラ
ズマ放電処理の効率がよく、均一な薄膜が形成し易く、
処理される基材の表面の傷の付きにくさから特に好まし
い。

【００４７】本発明に使用される電極は必要に応じて加
熱あるいは冷却等の温度調整することが望ましい。して
もよい。例えば、ベルト電極の場合は、ベルトの裏面か
ら気体で冷却することも出来るが、ロール電極の場合に
は、ロールの内部に液体を供給することが出来、電極表
面の温度及び基材の温度を制御することが出来るので好
ましい。温度を与える液体としては、蒸留水、油等の絶
縁性材料が好ましい。基材の温度は処理条件によって異
なるが、通常、室温〜２００℃とすることが好ましく、
より好ましくは室温〜１２０℃とすることである。

【００４８】ベルト電極やロール電極のように、基材が
密着して基材と電極とが同期して移送及び回転する場
合、その電極の表面は高い平滑性が求められる。平滑性
はＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定される表面粗さの最大高
さ（Ｒｍａｘ）及び中心線平均表面粗さ（Ｒａ）として
表される。本発明に使用するベルト電極及びロール電極
の表面粗さのＲｍａｘは１０μｍ以下であることが好ま
しく、より好ましくは８μｍ以下であり、特に好ましく
は７μｍ以下である。またＲａは０．５μｍ以下が好ま
しく、より好ましくは０．１μｍ以下である。

【００４９】本発明において、対向電極間の間隙は、固
体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用す
る目的、電極の形状等を考慮して決定される。電極表面
同士の距離は、プラズマ放電を均一に発生させるという
観点から０．５〜２０ｍｍが好ましく、より好ましくは
０．５〜５ｍｍであり、特に好ましくは１ｍｍ±０．５
ｍｍである。本発明におけるロール電極間の間隙とは対
向する電極表面が互いに最も接近している間隔をいう。
また、ロール電極の場合には、間隙がロール電極の回転
によっても一定であることが望ましい。具体的には、ロ
ールが１回転した時のロール間の間隙の変動が±３０％
未満であることが好ましく、好ましくは±１０％未満
で、より好ましくは±５％未満であり、最も好ましくは
±０である。ロール電極の間隙の基材の幅方向の変動も
上記と同様である。ロール電極の直径は１０〜１０００
ｍｍが好ましく、２０〜５００ｍｍがより好ましく、３
０〜３００ｍｍが更に好ましい。

【００５０】本発明において、プラズマ放電を行う処理
室は、電極と絶縁性の材質のフレームや容器で囲むこと
が好ましく、電極との絶縁がとれれば金属製のものを用
いてもよい。例えば、金属製のものとしては、アルミま
たは、ステンレスのフレームの内面にポリイミド樹脂等
を張り付けたものでもよく、該金属フレームにセラミッ
クス溶射を行い絶縁性を持たせたものでもよい。またパ
イレックス（Ｒ）ガラス製の処理容器で装置全体を囲う
のも好ましい。この様な外側の囲いではなく、放電部、
電極、基材搬送手段等の側面を局部的に囲むことも、反
応ガスを適切に放電部に供給したり、排ガスを排気する
ことが出来るため、ガス濃度や組成を一定に出来、プラ
ズマ放電処理を安定して行うことが出来好ましい。

【００５１】本発明におけるプラズマ放電を発生させる
ための電圧を加える手段は、対向電極の一方の電極に電
源を接続し、もう一方の電極にアースを接地して、電圧
を印加するようになっている。本発明における電源は、
高周波電源が好ましく用いられる。またはパルス電源も
使用出来る。電圧を印加し電源より電極に印加する電圧
の値は適宜決定されるが、例えば、電圧は０．５〜１０
ｋＶ程度が好ましく、また電源周波数としては１ｋＨｚ
〜１５０ＭＨｚに調整するが、特に１００ｋＨｚを超え
１３．５６ＭＨｚ以下であると、安定した放電により均
一な薄膜が得られ好ましい。その波形はパルス波であっ
てもサイン波であってもよい。また、電極間の放電電流
密度は０．０１〜５００ｍＡ／ｃｍ²が好ましい。プラ
ズマ放電処理の放電強度は、アーク放電も起こらず安定
した効果的な処理を行うには、５０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ²以
上５００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ²未満が好ましい。この範囲で
プラズマ放電処理を行うことにより、処理の均一性を有
し、ダメージもなく仕上げることが出来る。

【００５２】〔反応ガス〕本発明のプラズマ放電処理装
置に使用する反応ガスについて説明する。

【００５３】本発明において、反応ガスは主に希ガスと
反応性ガスの混合ガスを用いるのが特に好ましい。

【００５４】本発明に有用な希ガスの元素としては、周
期表の第１８属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、
アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等を挙げるこ
とが出来るが、本発明においては、ヘリウム、アルゴン
が好ましく、特にアルゴンが好ましい。反応ガス中の希
ガスの濃度は、９０体積％以上あることが安定したプラ
ズマを発生させるために好ましい。特に９０〜９９．９
９体積％が好ましい。希ガスはプラズマ放電を発生する
ために必要であり、該プラズマ放電中の反応性ガスをイ
オン化またはラジカル化し、表面処理に寄与する。

【００５５】本発明において、反応性ガスは基材上に作
製される機能性薄膜の種類によって様々な物質が用いら
れる。例えば、反応性ガスとして、有機フッ素化合物を
用いることにより反射防止層等に有用な低屈折率層や防
汚層を形成することが出来、珪素化合物を用いることに
より、反射防止層等に有用な低屈折率層やガスバリア層
を形成することも出来る。また、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｓ
ｉあるいはＺｎのような金属を含有する有機金属化合物
を用いることにより、金属酸化物層または金属窒化物層
等を形成することが出来、これらは反射防止層等に有用
な中屈折率層や高屈折率層を形成することが出来、更に
は導電層や帯電防止層を形成することも出来る。

【００５６】このように、本発明に有用な反応性ガスの
物質として、有機フッ素化合物及び金属化合物を好まし
く挙げることが出来る。

【００５７】本発明に好ましく使用する反応性ガスの有
機フッ素化合物としては、フッ化炭素やフッ化炭化水素
等のガスが好ましく、例えば、テトラフルオロメタン、
ヘキサフルオロエタン、１，１，２，２−テトラフルオ
ロエチレン、１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロ
プロパン、ヘキサフルオロプロペン等のフッ化炭素化合
物；１，１−ジフルオロエチレン、１，１，１，２−テ
トラフルオロエタン、１，１，２，２，３−ペンタフル
オロプロパン等のフッ化炭化水素化合物；ジフルオロジ
クロロメタン、トリフルオロクロロメタン等のフッ化塩
化炭化水素化合物；１，１，１，３，３，３−ヘキサフ
ルオロ−２−プロパノール、１，３−ジフルオロ−２−
プロパノール、パーフルオロブタノール等のフッ化アル
コール；ビニルトリフルオロアセテート、１，１，１−
トリフルオロエチルトリフルオロアセテート等のフッ化
カルボン酸エステル；アセチルフルオライド、ヘキサフ
ルオロアセトン、１，１，１−トリフルオロアセトン等
のフッ化ケトン等を挙げることが出来るが、これらに限
定されない。有機フッ素化合物がプラズマ放電処理によ
って、腐食性ガスあるいは有害ガスが発生しないような
化合物を選ぶのが好ましいが、それらが発生しない条件
を選ぶことも出来る。有機フッ素化合物を本発明に有用
な反応性ガスとして使用する場合、常温常圧で有機フッ
素化合物が気体であることが目的を遂行するのに最も適
切な反応性ガス成分としてそのまま使用出来好ましい。
これに対して常温常圧で液体または固体の有機フッ素化
合物の場合には、加熱や減圧等の気化装置などの手段に
より気化して使用すればよく、また適切な有機溶媒に溶
解して噴霧あるいは蒸発させて用いてもよい。本発明に
有用な有機フッ素化合物は、例えば、本発明の光学フィ
ルムが反射防止フィルムの場合、その低屈折率層を形成
することが出来る。

【００５８】反応ガス中に上記の有機フッ素化合物を用
いる場合、プラズマ放電処理により基材上に均一な薄膜
を形成する観点から、反応ガス中の有機フッ素化合物の
含有率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましい
が、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。これら
は単独でも混合して用いてもよい。

【００５９】また、本発明に好ましく用いられる反応性
ガスの金属化合物としては、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂ、Ｂ
ｉ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｈｇ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎａ、Ｎ
ｉ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｖ、
Ｗ、Ｙ、ＺｎまたはＺｒ等の金属化合物または有機金属
化合物を挙げることが出来、Ａｌ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｂ、
Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎまたはＺｒが有機金属化合
物として好ましく用いられる。

【００６０】これらのうち珪素化合物としては、例え
ば、ジメチルシラン、テトラメチルシラン等のアルキル
シラン；テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、テトラプロポキシシラン、ジメチルジエトキシシラ
ン、メチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシ
ラン等の珪素アルコキシド等の有機珪素化合物；モノシ
ラン、ジシラン等の珪素水素化合物；ジクロルシラン、
トリクロロシラン、テトラクロロシラン等のハロゲン化
珪素化合物；その他オルガノシラン等を挙げることが出
来、何れも好ましく用いることが出来る。本発明におい
ては、これらに限定されない。また、これらは適宜組み
合わせて用いることが出来る。上記の有機珪素化合物
は、取り扱い上の観点から珪素アルコキシド、アルキル
シラン、有機珪素水素化合物が好ましく、腐食性、有害
ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ないことか
ら、特に有機珪素化合物として珪素アルコキシドが好ま
しい。

【００６１】本発明に有用な反応性ガスとしての珪素以
外の金属化合物としては、特に限定されないが、有機金
属化合物、ハロゲン化金属化合物、金属水素化合物等を
挙げることが出来る。有機金属化合物の有機成分として
はアルキル基、アルコキシド基、アミノ基が好ましく、
テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、
テトラブトキシチタン、テトラジメチルアミノチタン等
を好ましく挙げることが出来る。またハロゲン化金属化
合物としては、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チ
タン等を挙げることが出来、更に金属水素化合物として
は、モノチタン、ジチタン等を挙げることが出来る。本
発明においては、チタン系の有機金属化合物を好ましく
用いることが出来る。

【００６２】上記有機金属化合物を放電部に導入するに
は、何れも、常温常圧で、気体、液体または固体の何れ
の状態のものであっても構わないが、それが液体または
固体の場合は、加熱、減圧または超音波照射等の気化装
置などの手段により気化させて使用すればよい。本発明
においては、気化したり、蒸発させてガス状として使用
することが好ましい。常温常圧で液体の有機金属化合物
の沸点が２００℃以下のもであれば気化を容易に出来る
ので、本発明の薄膜の製造に好適である。また有機金属
化合物が金属アルコキシド、例えばテトラエトキシシラ
ンやテトライソプロポキシチタンのような場合、有機溶
媒に易溶であるため有機溶媒、例えばメタノール、エタ
ノール、ｎ−ヘキサン等に希釈して使用してもよい。有
機溶媒は、混合溶媒として使用してもよい。

【００６３】本発明において、有機金属化合物を反応性
ガスとして反応ガスに使用する場合、反応ガス中の含有
率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましいが、
更に好ましくは、０．１〜５体積％である。上記金属化
合物は同種あるいは異種の金属化合物を数種類混合して
使用してもよい。

【００６４】なお、上記のような有機フッ素化合物及び
／または有機金属化合物の反応性ガスに水素、酸素、窒
素、一酸化窒素、二酸化窒素、二酸化炭素、オゾン、過
酸化水素を希ガスに対して０．１〜１０体積％混合させ
て使用してもよく、このように補助的に使用することに
より薄膜の硬度を著しく向上させることが出来る。

【００６５】本発明の後述の光学フィルムが、反射防止
層を有するフィルムの場合、例えば、有機珪素化合物は
低屈折率層を形成するのに適しており、また、チタン系
有機金属化合物は高屈折率層を形成するのに適してお
り、何れも好ましく用いられる。また、これらを混合し
たガスを用いて、その混合比率を調整することにより屈
折率を制御して中屈折率層とすることも出来る。

【００６６】上記反応ガスを用いてプラズマ放電処理で
形成された低屈折率層や高屈折率層は、全てではないが
主に金属の酸化物からなっていると考えられている。例
えば、有機珪素化合物による低屈折率層と有機チタン化
合物による高屈折率層の積層体には、低屈折率層が酸化
珪素、また高屈折率層が酸化チタンをそれぞれ主成分と
して有していることが好ましい（ここで本発明におい
て、主成分として有しているとは形成された薄膜中にそ
のものを５０質量％以上有していることをいう）。この
際、酸化チタンを主成分とする高屈折率層に微量の酸化
珪素が混入してもよいし、また反対に酸化珪素を主成分
とする低屈折率層に微量の酸化チタンが混入してもよ
い。このような混合が起こることにより、各層の密着性
（接着性）を改善することも出来る。もちろん、合目的
の屈折率に調整するために、あるいは、その他の目的で
反応ガス中に主成分以外の有機金属化合物あるいはフッ
素含有化合物を混合添加することも出来、反応ガスを反
応ガス供給部から供給する前の段階で適宜混合しておく
ことが好ましい。前述のように、放電部には反応ガスで
満たされており、例え同伴空気が若干処理室に入り込ん
だとしても実際には、微量の空気（酸素や窒素）あるい
は水分の影響は無視出来る。なお、処理条件によって
は、意図的に反応ガスに空気（酸素あるいは窒素）や水
分を添加して処理する場合もある。

【００６７】〔基材〕次に、本発明に係る基材について
説明する。

【００６８】本発明に係わる基材としては、セルロース
エステルフィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボ
ネートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリオレフィ
ンフィルム、ポリビニルアルコール系フィルム、セルロ
ース系フィルム、その他の樹脂フィルム等を挙げること
が出来、例えば、セルロースエステルフィルムとしては
セルロースジアセテートフィルム、セルロースアセテー
トブチレートフィルム、セルロースアセテートプロピオ
ネートフィルム、セルロースアセテートフタレートフィ
ルム、セルローストリアセテート、セルロースナイトレ
ート；ポリエステルフィルムとしては、ポリエチレンテ
レフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィ
ルム、ポリブチレンフタレートフィルム、１，４−ジメ
チレンシクロヘキシレンテレフタレート、あるいはこれ
ら構成単位のコポリエステルフィルム；ポリカーボネー
トフィルムとしてはビスフェノールＡのポリカーボネー
トフィルム；ポリスチレンフィルムとしては、シンジオ
タクティックポリスチレンフィルム；ポリオレフィンフ
ィルムとしてはポリエチレンフィルム、ポリプロピレン
フィルム；ポリビニルアルコール系フィルムとしてはポ
リビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコー
ルフィルム；セルロース系フィルムとしてはセロファ
ン；その他の樹脂フィルムとしては、ノルボルネン樹脂
系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテ
ルケトンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテル
スルホンフィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリエー
テルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ
素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタク
リレートフィルム、アクリルフィルムあるいはポリアリ
レートフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム等を挙げ
ることが出来る。

【００６９】これらのフィルムの素材を適宜混合して得
られたフィルムも好ましく用いることが出来る。例え
ば、ゼオネックス（日本ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ
（日本合成ゴム（株）製）などの市販品の樹脂を混合し
たフィルムを用いることも出来る。また、ポリカーボネ
ート、ポリアリレート、ポリスルフォンあるいはポリエ
ーテルスルフォン等の固有の複屈折率が高い素材であっ
ても、溶液流延あるいは溶融押し出し等の条件、更には
縦、横方向に延伸する条件等を適宜設定することによ
り、本発明に適した基材を得ることが出来る。本発明に
おいては、上記の記載のフィルムに限定されない。

【００７０】本発明のプラズマ放電処理に適した基材の
厚さとしては、１０〜１０００μｍ程度のフィルムを好
ましく用いることが出来、より好ましくは１０〜２００
μｍであり、特に１０〜６０μｍの薄手の基材を好まし
く用いることが出来る。

【００７１】本発明において、上記基材としてのフィル
ムのうちで、セルロースエステルフィルムが特に好まし
く用いられる。

【００７２】ここで、本発明に特に有用な基材としての
セルロースエステルフィルムについて述べる。本発明に
有用なセルロースエステルフィルムは、セルロースの水
酸基を、アシル基、特に炭素原子数が２〜４のアシル基
で２．４０〜２．９８置換したセルロースエステルを使
用したものが好ましい。このようなセルロースエステル
としては、セルロースジアセテート、セルローストリア
セテート、セルロースアセテートブチレート、セルロー
スアセテートプロピオネートを挙げることが出来、中で
もセルローストリアセテート、セルロースアセテートブ
チレート、セルロースアセテートプロピオネートが好ま
しい。これらの好ましいセルロースエステルにおいて、
アセチル基の置換度が１．６以上であることが特に好ま
しい。セルロースエステルの原料のセルロースとして
は、特に限定はないが、綿花リンター、木材パルプ（針
葉樹由来、広葉樹由来）、ケナフなどを挙げることが出
来る。またそれらから得られたセルロースエステルはそ
れぞれ任意の割合で混合使用することが出来る。これら
のセルロースエステルは、セルロース原料をアシル化剤
が酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸）
である場合には、酢酸のような有機酸やメチレンクロラ
イド等の有機溶媒を用い、硫酸のようなプロトン性触媒
を用いて定法により反応させて得ることが出来る。特に
混酸セルロースエステルの場合には、例えば混酸エステ
ルでは特開平１０−４５８０４号公報に記載の方法で反
応して得ることが出来る。アシル基の置換度の測定方法
はＡＳＴＭ−８１７−９６の規定に準じて測定すること
が出来る。

【００７３】セルロースエステルの数平均分子量（Ｍ
ｎ）は、７０，０００〜２５０，０００が、成型した場
合の機械的強度が強く、且つ、適度なドープ粘度となり
好ましく、更に好ましくは、８０，０００〜１５０，０
００である。

【００７４】これらセルロースエステルは後述するよう
に一般的に溶液流延製膜法と呼ばれる方法で製造（製
膜）される。この方法は、無限に移送する無端の金属ベ
ルト（例えばステンレスベルト）あるいは回転する金属
ドラム（例えば鋳鉄で表面をクロムメッキしたドラム）
等の流延用金属支持体（以降、単に金属支持体というこ
ともある）上に、加圧ダイからドープ（セルロースエス
テル溶液のこと）を流延（キャスティング）し、金属支
持体上のウェブ（ドープ膜）を金属支持体から剥離し、
乾燥させて製造するものである。

【００７５】ドープの調製に用いる有機溶媒としては、
セルロースエステルを溶解出来、かつ、適度な沸点であ
ることが好ましく、例えばメチレンクロライド、酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸アミル、アセトン、テトラヒド
ロフラン、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサ
ン、シクロヘキサノン、ギ酸エチル、２，２，２−トリ
フルオロエタノール、２，２，３，３−ヘキサフルオロ
−１−プロパノール、１，３−ジフルオロ−２−プロパ
ノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２
−メチル−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３
−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、２，２，３，
３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノール、ニトロエ
タン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等を挙
げることが出来るが、メチレンクロライド、ジオキソラ
ン誘導体、酢酸メチル、酢酸エチル、アセトン等を好ま
しい有機溶媒（即ち、良溶媒）として挙げることが出来
る。また、後述の製膜工程に示すように、溶媒蒸発工程
において金属支持体上に形成されたウェブから溶媒を乾
燥させる温度は、ウェブ中の有機溶媒の発泡を防止する
観点から、有機溶媒の沸点以下が好ましく、３０〜８０
℃が好ましい。例えば、上記の良溶媒の沸点は、メチレ
ンクロライド（沸点４０℃）、酢酸メチル（同５６
℃）、アセトン（同５６℃）、酢酸エチル（同７６℃）
等である。上記の良溶媒の中でも溶解性に優れるメチレ
ンクロライド及び酢酸メチルが特に好ましく用いられ
る。ドープには、良溶媒を全有機溶媒に対して５０質量
％以上含み、良溶媒の他に貧溶媒として、０．１〜３０
質量％の炭素原子数１〜４のアルコールやシクロヘキサ
ンを含有させることが好ましい。特に好ましくは１０〜
３０質量％で前記アルコールを含むことが好ましい。炭
素原子数１〜４のアルコールとしては、メタノール、エ
タノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−
ブタノール、ｓ−ブタノール、ｔ−ブタノール等を挙げ
ることが出来、これらのうちドープの安定性、沸点も比
較的低く、乾燥性も良く、且つ毒性がないこと等からエ
タノールが好ましい。ドープとして、良溶媒７０〜９５
質量％に対してエタノール５〜３０質量％が好ましい。
これら貧溶媒を含むドープを金属支持体に流延後、金属
支持体上でウェブから溶媒の蒸発が始まるとアルコール
（貧溶媒）の比率が多くなるに従いウェブがゲル化し、
ウェブが丈夫になるので、有機溶媒を多く含んでいても
金属支持体から容易に剥離することが出来る。またドー
プ中の貧溶媒の割合が少ない場合には、セルロースエス
テルの溶解を促進する役割もある。

【００７６】ドープ調製方法としては、主たる有機溶媒
の沸点を越した温度で、圧力を高くして溶解する高温溶
解法、−１００〜−１０℃に冷却して溶解する冷却溶解
法、更に高圧で溶解する高圧溶解法等があり、いずれも
好ましく用いることが出来るが、作業の容易さ、設備が
シンプル等の理由から高温溶解法が特に好ましい。

【００７７】本発明に係わるセルロースエステルフィル
ムは可塑剤を含有するのが好ましい。可塑剤としては特
に限定はないが、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エ
ステル系可塑剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピ
ロメリット酸系可塑剤、グリコレート系可塑剤、クエン
酸エステル系可塑剤、ポリエステル系可塑剤などを挙げ
ることが出来る。リン酸エステル系としては、トリフェ
ニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジ
ルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフ
ェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオク
チルホスフェート、トリブチルホスフェート等；フタル
酸エステル系としては、ジエチルフタレート、ジメトキ
シエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチル
フタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキ
シルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ブチル
ベンジルフタレート等；トリメリット酸系可塑剤とし
て、トリブチルトリメリテート、トリフェニルトリメリ
テート、トリエチルトリメリテート等、ピロメリット酸
エステル系可塑剤として、テトラブチルピロメリテー
ト、テトラフェニルピロメリテート、テトラエチルピロ
メリテート等；グリセリンエステルとしては、トリアセ
チン、トリブチリン等；グリコール酸エステル系では、
エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエ
チルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート
等；その他のカルボン酸エステルの例としては、オレイ
ン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸
ジブチル、種々のトリメリット酸エステルを挙げること
が出来る。これらのうち、リン酸エステル系可塑剤やグ
リコール酸エステル系の可塑剤が好ましい。これらの可
塑剤の使用量は、フィルム性能、加工性等の点で、セル
ロースエステルに対して１〜２０質量％であることが好
ましい。

【００７８】本発明に係わるセルロースエステルフィル
ムには、画像表示装置として屋外に置かれた場合等の劣
化防止の観点から紫外線吸収剤を含有させることが好ま
しい。紫外線吸収剤としては、波長３７０ｎｍ以下の紫
外線の吸収能に優れ、かつ波長４００ｎｍ以上の可視光
の吸収が少ないものを好ましく用いることが出来る。例
えば、オキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾ
ール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフ
ェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケ
ル錯塩系化合物などを挙げることが出来るが、これらに
限定されない。

【００７９】ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤として
は、例えば、２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフ
ェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ
−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾ
トリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾー
ル、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔ−ブ
チルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−
（２′−ヒドロキシ−３′−（３″，４″，５″，６″
−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５′−メチルフ
ェニル）ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス
（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−
（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノー
ル）、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔ−ブチル−
５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾー
ル、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６
−（直鎖及び側鎖ドデシル）−４−メチルフェノール、
オクチル−３−〔３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５
−（クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フ
ェニル〕プロピオネート、２−エチルヘキシル−３−
〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−
クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニ
ル〕プロピオネート等を挙げることが出来、チヌビン
（ＴＩＮＵＶＩＮ）１０９、チヌビン１７１、チヌビン
３２６（チバ・スペッシャリティ・ケミカル社製）等が
市販されており、好ましく用いることが出来る。

【００８０】また、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤も本
発明に係わるセルロースエステルフィルムに有用なもの
の一つである。例えば、２，４−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾ
フェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホ
ベンゾフェノン、ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ
−５−ベンゾイルフェニルメタン）等を挙げることが出
来る。

【００８１】本発明の光学フィルムには、紫外線吸収剤
として透明性が高く、偏光板や液晶の劣化を防ぐ効果に
優れたベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤やベンゾフェ
ノン系紫外線吸収剤を好ましく用いることが出来、不要
な着色がより少ないベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤
が特に好ましい。

【００８２】本発明に有用な基材としてのセルロースエ
ステルフィルムには、マット剤をセルロースエステルフ
ィルム中に含有させることによって、搬送や巻き取りを
し易くすることが出来る。マット剤は出来るだけ微粒子
のものが好ましく、微粒子としては、例えば二酸化珪
素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウ
ム、炭酸カルシウム、カオリン、タルク、焼成ケイ酸カ
ルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウ
ム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム等の無機微
粒子や架橋高分子微粒子を挙げることが出来る。中でも
二酸化珪素がフィルムのヘイズを小さく出来るので好ま
しい。微粒子の一次粒子または二次粒子の平均粒径は
０．０５〜１．０μｍの範囲で、その含有量はセルロー
スエステルに対して０．００５〜０．３質量％が好まし
い。二酸化珪素のような微粒子は有機物により表面処理
されている場合が多いが、このようなものはフィルムの
ヘイズを低下出来るため好ましい。表面処理で好ましい
有機物としては、ハロシラン類、アルコキシシラン類、
シラザン、シロキサンなどがあげられる。微粒子の平均
粒径が大きい方が滑り性効果は大きく、反対に平均粒径
の小さい方は透明性に優れるため、好ましい微粒子の一
次粒子の平均粒径は５〜５０ｎｍで、より好ましくは７
〜１４ｎｍである。これらの微粒子はセルロースエステ
ルフィルム中では、セルロースエステルフィルム表面に
０．０１〜１．０μｍの凹凸を生成させることが好まし
い。二酸化珪素の微粒子としては日本アエロジル（株）
製のアエロジル（ＡＥＲＯＳＩＬ）２００、２００Ｖ、
３００、Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０２、
Ｒ８１２、ＯＸ５０、ＴＴ６００等を挙げることが出
来、好ましくはアエロジル２００Ｖ、Ｒ９７２、Ｒ９７
２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０２、Ｒ８１２である。これらの
微粒子は２種以上併用してもよい。２種以上併用する場
合、任意の割合で混合して使用することが出来る。この
場合、平均粒径や材質の異なる微粒子、例えばアエロジ
ル２００ＶとＲ９７２Ｖを質量比で０．１：９９．９〜
９９．９〜０．１の範囲で使用出来る。

【００８３】本発明に有用な基材としてのセルロースエ
ステルフィルムの製膜方法は、上記ドープを、金属支持
体、例えばステンレスベルト上に加圧ダイから流延して
ウェブを形成させ、ウェブの表面側及び金属支持体の裏
面側から加熱して有機溶媒を蒸発させて乾燥する。ウェ
ブ表面からは乾球温度３０〜８０℃、露点温度１０℃以
下の程度の温風を当て、裏面側からは、同様の温風を当
てても、赤外線を照射しても、あるいは主たる有機溶媒
の沸点以下の温度の温水を直接当てる方法が行われる。
特に裏面加熱は温水加熱が好ましい。剥離点においてス
テンレスベルトからウェブを剥離し、ロールで引回すロ
ール乾燥機、あるいはウェブの両端を把持して幅保持す
るか横延伸したりして、ウェブを乾燥し巻き取ることに
よってセルロースエステルフィルムを製膜することが出
来る。剥離する際の後述の残留溶媒量は、乾燥条件によ
り５〜１５０質量％が望ましく、４０〜１２０質量％が
好ましい。巻き取る時の残留溶媒量は、本発明において
は、セルロースエステルフィルムの残留溶媒量は２質量
％未満であることが好ましく、０．５質量％未満である
ことがより好ましく、０．１質量％未満であることが特
に好ましい。セルロースエステルフィルムのような溶液
流延製膜法により製膜して得られる基材は有機溶媒が全
て蒸発しきれないで有機溶媒が残存することがあるが、
これを残留溶媒量といい、残留溶媒量が少ないほど後の
プラズマ放電処理に対する弊害が少なくて済む。残留溶
媒量は下記の式で表される。

【００８４】 残留溶媒量（質量％）＝｛（Ｍ−Ｎ）／Ｎ｝×１００ ここで、Ｍは残留溶媒量を測定する試料の質量、ＮはＭ
の試料を１１０℃で３時間加熱して吸湿しないように室
温に戻した質量である。

【００８５】本発明に係わる基材としての光学特性は、
面内レターデーションＲ₀が０〜１０００ｎｍのもの、
厚み方向のレターデーションＲ_tが０〜３００ｎｍのも
のが好ましく、または、波長分散特性のＲ₀（６００）
／Ｒ₀（４５０）が０．７〜１．３であることが好まし
く、特に１．０〜１．３であること好ましい。ここで、
Ｒ₀（４５０）は波長４５０ｎｍの光による３次元屈折
率測定に基づいた面内レターデーション、Ｒ₀（６０
０）は波長６００ｎｍの光による３次元屈折率測定に基
づいた面内レターデーションを表す。

【００８６】〔基材の被覆物及び被覆層〕本発明に係わ
る基材は、前述のフィルムだけで基材として用いる以外
に、前述のフィルム表面にゼラチン、ポリビニルアルコ
ール、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系
樹脂等の被覆層を塗設したもの、或いは前述のフィルム
に直接、または上記被覆層の上に、防眩層やクリアハー
ドコート層、バックコート層、または帯電防止層等の被
覆層を設層したものを基材として用いることが出来る。

【００８７】本発明において有用な被覆層として、不飽
和エチレン性モノマーを１種以上含む成分を重合させて
形成した層で、活性線硬化性の組成物または熱硬化性の
組成物を用いるのが好ましく、特に活性線硬化性組成物
を用いるのが好ましい。ここで、活性線硬化組成物と
は、不飽和エチレン性モノマーを主として含有する組成
物、または不飽和エチレン性基を有する比較的分子量の
大きい化合物（通常、樹脂と称する）を含有する組成物
で、紫外線や電子線のような活性線照射により架橋反応
などにより硬化層を形成する組成物をいう。活性線硬化
性組成物としては、紫外線硬化性組成物や電子線硬化性
組成物などが代表的なものとして挙げることが出来、紫
外線や電子線以外の活性線照射によって硬化する組成物
でもよい。

【００８８】本発明の被覆物に有用な紫外線硬化性組成
物（紫外線硬化性樹脂を含）について述べる。

【００８９】紫外線硬化性組成物に主として含有されて
いる樹脂成分としては、例えば、紫外線硬化型アクリル
ウレタン系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレー
ト系樹脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、
紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、紫外線硬
化型エポキシ樹脂等を挙げることが出来る。

【００９０】紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂は、
一般にポリエステルポリオールにイソシアネートモノマ
ー、もしくはプレポリマーを反応させて得られた生成物
に更に２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシエチルメタクリレート（以下アクリレートにはメタ
クリレートを包含するものとしてアクリレートのみを表
示する）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート等の水
酸基を有するアクリレート系のモノマーを反応させるこ
とによって、特開昭５９−１５１１１０号公報に記載さ
れているように得ることが出来る。

【００９１】紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系
樹脂は、一般にポリエステルポリオールに２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシアクリレート系
のモノマーを反応させることによって、特開昭５９−１
５１１１２号公報に記載されているように得ることが出
来る。

【００９２】紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂
としては、エポキシアクリレートをオリゴマーとし、下
記のごとき光重合開始剤を添加して反応させた特開平１
−１０５７３８号公報に記載のものを挙げることが出来
る。光重合開始剤としては、ベンゾイン誘導体、オキシ
ムケトン誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサント
ン誘導体等を挙げることが出来、２種以上を併用したも
のも用いられる。

【００９３】また、紫外線硬化型ポリオールアクリレー
ト系樹脂としては、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエ
リスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリト
ールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリス
リトールペンタアクリレート等を挙げることが出来る。

【００９４】紫外線硬化性組成物は、光重合開始剤ある
いは増感剤を含有し、紫外線により硬化される。光重合
開始剤としては、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ヒ
ドロキシベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、α−アミ
ロキシムエステル、チオキサントン等及びこれらの誘導
体を挙げることが出来る。また、エポキシアクリレート
系の光重合開始剤を使用する際、ｎ−ブチルアミン、ト
リエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等の増感
剤を用いることが出来る。

【００９５】紫外線硬化性組成物には、上記樹脂成分を
希釈し且つ重合し硬化に関与する成分として不飽和エチ
レン性基を１〜４個１分子中に有するモノマーを含有さ
せることがある。該モノマーとしては、例えば、不飽和
エチレン性基を１個有するモノマーとして、メチルアク
リレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、
ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、
酢酸ビニル、スチレン等の一般的なモノマーを挙げるこ
とが出来る。また不飽和エチレン性基を二つ以上有する
モノマーとして、エチレングリコールジアクリレート、
プロピレングリコールジアクリレート、１，４−シクロ
ヘキサンジアクリレート、１，４−シクロヘキシルジメ
チルジアクリレート、トリメチロールプロパントリアク
リレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、
ジビニルベンゼン等を挙げることが出来る。紫外線硬化
性樹脂について多くの市販品があり、例えば、アデカオ
プトマーＫＲ・ＢＹシリーズ：ＫＲ−４００、ＫＲ−４
１０、ＫＲ−５５０、ＫＲ−５６６、ＫＲ−５６７、Ｂ
Ｙ−３２０Ｂ（以上、旭電化工業株式会社製）；コーエ
イハードＡ−１０１−ＫＫ、Ａ−１０１−ＷＳ、Ｃ−３
０２、Ｃ−４０１−Ｎ、Ｃ−５０１、Ｍ−１０１、Ｍ−
１０２、Ｔ−１０２、Ｄ−１０２、ＮＳ−１０１、ＦＴ
−１０２Ｑ８、ＭＡＧ−１−Ｐ２０、ＡＧ−１０６、Ｍ
−１０１−Ｃ（以上、広栄化学工業株式会社製）；セイ
カビームＰＨＣ２２１０（Ｓ）、ＰＨＣ Ｘ−９（Ｋ−
３）、ＰＨＣ２２１３、ＤＰ−１０、ＤＰ−２０、ＤＰ
−３０、Ｐ１０００、Ｐ１１００、Ｐ１２００、Ｐ１３
００、Ｐ１４００、Ｐ１５００、Ｐ１６００、ＳＣＲ９
００（以上、大日精化工業株式会社製）；ＫＲＭ７０３
３、ＫＲＭ７０３９、ＫＲＭ７１３０、ＫＲＭ７１３
１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２
０２（以上、ダイセル・ユーシービー株式会社）；ＲＣ
−５０１５、ＲＣ−５０１６、ＲＣ−５０２０、ＲＣ−
５０３１、ＲＣ−５１００、ＲＣ−５１０２、ＲＣ−５
１２０、ＲＣ−５１２２、ＲＣ−５１５２、ＲＣ−５１
７１、ＲＣ−５１８０、ＲＣ−５１８１（以上、大日本
インキ化学工業株式会社製）；オーレックスＮｏ．３４
０クリヤ（中国塗料株式会社製）；サンラッドＨ−６０
１（三洋化成工業株式会社製）；ＳＰ−１５０９、ＳＰ
−１５０７（昭和高分子株式会社製）；ＲＣＣ−１５Ｃ
（グレース・ジャパン株式会社製）；アロニックスＭ−
６１００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０（以上、東亞合
成株式会社製）等を挙げることが出来る。このような市
販品の紫外線硬化性樹脂を本発明に係わる被覆物として
適宜選択して利用出来る。

【００９６】紫外線硬化性組成物を光硬化反応させて皮
膜を形成するための光源としては、紫外線を発生する光
源であればいずれでも使用出来る。例えば、低圧水銀
灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボン
アーク灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を
用いることが出来る。照射条件はそれぞれのランプによ
って異なるが、照射光量は２０〜１００００ｍＪ／ｃｍ
²程度あればよく、好ましくは、５０〜２０００ｍＪ／
ｃｍ²である。近紫外線領域から可視光線領域にかけて
光源に対しては、それらの領域に吸収極大を有する増感
剤を組成物に含有させることによって使用を可能にする
ことが出来る。

【００９７】紫外線硬化性組成物は有機溶媒を含有して
紫外線硬化性組成物塗布液としてもよく、不飽和エチレ
ン性モノマーを希釈性モノマーとして使用する場合で
も、有機溶媒を含有させるのが好ましい。

【００９８】紫外線硬化性組成物塗布液に使用する有機
溶媒としては、例えば、シクロヘキサン等の炭化水素
類、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、イソアミルアルコール等のアルコール類；アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の
ケトン類；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類；エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、
プロピレングリコールモノイソブチルエーテル等のグリ
コールエーテル類等を挙げることが出来、適宜選択し、
あるいはこれらを混合して使用出来るが、上記のプロピ
レングリコールモノアルキルエーテルまたはプロピレン
グリコールモノアルキルエーテルエステルを５質量％以
上含有させることが好ましく、これらを５〜８０質量％
含有する混合有機溶媒を用いることがより好ましい。

【００９９】紫外線硬化性組成物塗布液を基材に塗布す
る方法としては、グラビアコーター、スピナーコータ
ー、ワイヤーバーコーター、ロールコーター、リバース
コーター、押し出しコーター、エアードクターコーター
等公知の方法を用いることが出来る。塗布の際の液膜厚
（ウェット膜厚ともいう）で０．１〜３０μｍが好まし
く、より好ましくは、０．５〜１５μｍである。

【０１００】紫外線硬化性組成物塗布液を塗布し、乾燥
した後、もしくは生乾きの状態で、紫外線光源を上記の
エネルギー値程度に照射し硬化反応を行わせる。この時
の照射時間は、基材の移送速度、塗布液の組成、塗布厚
さ等によって異なるが、概して０．５秒〜５分程度で照
射及び硬化が完結することが好ましく、３秒〜２分がよ
り好ましい。

【０１０１】硬化した被覆層のブロッキング防止やすり
傷防止等のためあるいは防眩層とするために、無機ある
いは有機の微粒子を加えることが好ましい。例えば、無
機微粒子としては酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニ
ウム、酸化錫、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸バリウ
ム、タルク、カオリン、硫酸カルシウム等を挙げること
が出来、また有機微粒子としては、ポリメタアクリル酸
メチルアクリレート樹脂粉末、アクリルスチレン系樹脂
粉末、ポリメチルメタクリレート樹脂粉末、シリコン系
樹脂粉末、ポリスチレン系樹脂粉末、ポリカーボネート
樹脂粉末、ベンゾグアナミン系樹脂粉末、メラミン系樹
脂粉末、ポリオレフィン系樹脂粉末、ポリエステル系樹
脂粉末、ポリアミド系樹脂粉末、ポリイミド系樹脂粉
末、あるいはポリ弗化エチレン系樹脂粉末等を挙げるこ
とが出来、これらを紫外線硬化性組成物に加えることが
出来る。これらの微粒子粉末の平均粒径は、０．００５
〜１μｍが好ましく、特に０．０１〜０．１μｍのもの
が好ましい。紫外線硬化性樹脂と微粒子粉末との割合
は、樹脂１００質量部に対して、微粒子粉末を０．１〜
１０質量部となるように配合することが望ましい。この
ようにして形成された紫外線硬化性被覆層の表面粗さ
は、目的や種類に応じて異なるが、中心線平均表面粗さ
Ｒａ（前出）として、Ｒａがクリアーハードコート層な
ら１〜５０ｎｍ、防眩層なら０．１〜１μｍ程度が好ま
しい。このようにして得られた樹脂層表面に、本発明の
方法で均一に薄膜を形成することが出来る。

【０１０２】〔薄膜、積層体及び光学フィルム〕本発明
において、薄膜の形成は、図５に示したような装置を用
いて、対向電極の間隙の放電部で、基材を大気圧もしく
はその近傍の圧力下で上記反応ガスによりプラズマ放電
処理することによって行われる。本発明における大気圧
もしくはその近傍の圧力下でのプラズマ放電処理は、基
材の幅が、例えば２０００ｍｍもの非常に幅広いものを
行うことが出来、また、処理速度を１００ｍ／分の速度
で行うことも出来る。本発明において、プラズマ放電を
開始する際、まず処理室の空気を真空ポンプで引きなが
ら、反応ガスまたは希ガスを処理室に導入して、空気と
置換してから放電部に反応ガスを供給し、放電部を満た
すのが好ましい。その後基材を移送させて処理を行う。

【０１０３】本発明は、図３または４に示したように、
多層の薄膜を連続的に設けることが出来る。例えば、プ
ラズマ放電処理して反射防止層を有する光学フィルムを
製造する場合、基材表面に連続して、チタンアルコキシ
ドで屈折率が１．６〜２．３の高屈折率層の薄膜を、こ
の上にシランアルコキシド或いは有機フッ素化合物を用
いて屈折率が１．３〜１．５の低屈折率層の薄膜を効率
的に形成させることが出来る。このような、本発明の方
法で多層の薄膜を連続して積層させることにより薄膜各
層の間の密着性に優れた積層体を形成させることが出来
る。

【０１０４】本発明の光学フィルムの積層構成を下記に
例示する。ここで、隣接する各層を／を挟んで表示した
ものであり、左側（基材のおもて面）から順に右側（基
材の裏面）へと積層構成を示している。

【０１０５】Ａ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／低
屈折率層／高屈折率層／ハードコート層／基材 Ｂ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高
屈折率層／ハードコート層／帯電防止層／基材／粘着層 Ｃ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／中屈折率層／ハ
ードコート層／帯電防止層／基材 Ｄ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高
屈折率層／ハードコート層／基材／導電性層／粘着層 Ｅ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／中屈折率層／ハ
ードコート層／基材／帯電防止層／バックコート層／粘
着層 Ｆ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／導電性中屈折率
層／ハードコート層／基材／バックコート層／粘着層 Ｇ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高
屈折率層／低屈折率層／ハードコート層／基材／導電性
層／粘着層 Ｈ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／中屈折率層／帯
電防止剤含有ハードコート層／基材 Ｉ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高
屈折率層／ハードコート層／基材／導電性層／バックコ
ート層 ここで、ハードコート層はクリアハードコート層または
防眩層を指している。

【０１０６】上記のように、機能層の塗設及び本発明の
プラズマ放電処理により様々な組み合わせの積層体を形
成することが出来る。図３または４に示したような連続
的にプラズマ放電処理をすることにより、上記のような
所望の光学フィルムを精度よく得ることが、本発明の特
徴である。

【０１０７】上記防汚層としては、既にプラズマ放電処
理した低屈折率層の表面に、有機フッ素樹脂を０．１〜
２０ｎｍの膜厚で塗設した層であっても、また有機フッ
素化合物を含む反応ガスで本発明のプラズマ放電処理し
た層であってもよく、表面を有機フッ素化合物で被覆し
たものを好ましく用いることが出来る。実際的には連続
的に低屈折率層形成後に防汚層をプラズマ放電処理する
ことにより形成するのが好ましい。

【０１０８】上記低屈折率層としては、有機フッ素化合
物を含む反応ガスで本発明のプラズマ放電処理して得ら
れた有機フッ素化合物層あるいはアルコキシシラン等の
有機珪素化合物を用いて形成された、主に酸化珪素を有
する層が好ましく、高屈折率層としては有機金属化合物
を含むガスを大気圧プラズマ放電処理して得られた金属
酸化物、例えば酸化チタン、酸化ジルコニウムなどを有
する層である。それぞれの薄膜はこれだけに限定される
ものではなく、層構成もこれらに限定されるものではな
い。

【０１０９】上記中屈折率層としては、低屈折率層用反
応性ガスと高屈折率層用反応性ガスを適宜混合して屈折
率を調整したものでもよく、あるいは例えば重合性基を
有する有機化合物を混合したものでもよい。

【０１１０】図３のように一対の対向電極の放電部に供
給する反応ガスを低屈折率層用の成分とし、次の一対の
対向電極の放電部では高屈折率層用の成分を供給すると
いうように交互にすることにより、また、図４のように
それぞれの独立した処理部に、それぞれの成分の反応ガ
スを交互に供給することにより、高屈折率層と低屈折率
層を交互に有する均一の膜厚の積層体を形成出来ること
が本発明の特徴であり、このような連続積層体の形成方
法は特に好ましい方法である。

【０１１１】膜厚は放電部や反応ガス濃度、基材の搬送
速度によって適宜調整することが出来る。

【０１１２】本発明のプラズマ放電処理により、基材上
に形成した薄膜は片面のみにあるが、巻き取り後、その
反対側をプラズマ放電処理するために装置内に通しても
よい。帯電防止層を金属酸化物で形成する場合に、帯電
防止層または導電性層は、金属酸化物微粒子や架橋カチ
オンポリマー粒子等の塗布液を膜厚０．１〜２μｍ程度
の層に基材に塗布して形成することが出来るが、本発明
のプラズマ放電処理によっても薄膜の導電性層を形成す
ることが出来る。例えば、酸化スズ、酸化インジウムあ
るいは酸化亜鉛等の金属酸化物の導電性層を形成しても
よい。また、特願２０００−２７３０６６記載の易接着
加工、特願２０００−８００４３記載の帯電防止加工等
も本発明のプラズマ放電処理を用いて実施することが出
来る。

【０１１３】本発明のプラズマ放電処理方法による薄膜
形成条件は前述プラズマ放電処理装置のところで述べた
が、更に、処理するためのその他の条件等について述べ
る。

【０１１４】本発明の薄膜を形成する際、あらかじめ基
材を５０〜１２０℃に熱処理してからプラズマ放電処理
することにより均一な薄膜を形成し易く、予加熱するの
は好ましい方法である。熱処理することにより、吸湿し
ていた基材を乾燥させることが出来、低湿度に維持した
ままプラズマ放電処理することが好ましい。６０％ＲＨ
未満、より好ましくは４０％ＲＨで調湿した基材を吸湿
させることなくプラズマ放電処理することが好ましい。
含水率は３％以下であることが好ましく、２％以下であ
ることがより好ましく、１％以下であることが更に好ま
しい。

【０１１５】また、プラズマ放電処理後の基材を５０〜
１３０℃の熱処理ゾーンで１〜３０分熱処理することに
より薄膜を安定化させることが出来、有効な手段であ
る。

【０１１６】更に、本発明の多段のプラズマ放電処理に
より積層体を作製する際、それぞれのプラズマ放電処理
前後に処理面に紫外線を照射してもよく、形成した薄膜
の基材への密着性（接着性）や安定性を改善することが
出来る。紫外線照射光量としては５０〜２０００ｍＪ／
ｃｍ²であることが好ましく、５０ｍＪ／ｃｍ²未満では
効果が十分ではなく、２０００ｍＪ／ｃｍ²を越えると
基材の変形等が生じる恐れがある。

【０１１７】本発明で形成される薄膜の膜厚としては、
１〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。

【０１１８】本発明のプラズマ放電処理により形成する
薄膜の平均膜厚に対する膜厚偏差は小さく、均一な薄膜
を形成することが出来、優れた薄膜形成方法である。薄
膜の膜厚偏差は±１０％のものを容易に得ることが出
来、好ましくは±５％以内、特に±１％以内の均一な薄
膜を得ることが出来る。

【０１１９】上述の、無機または有機微粒子を含有する
組成物塗布液を基材に塗布乾燥し、表面をＲａが０．１
〜０．５μｍ程度凹凸表面を有する機能層、例えば防眩
層の上に、プラズマ放電処理により均一な膜厚の薄膜を
形成することも出来る。例えば、その薄膜が低屈折率層
あるいは高屈折率層等の場合、光学干渉層として設ける
ことが出来る。

【０１２０】本発明の光学フィルムは本発明のプラズマ
放電処理により形成する薄膜及びその積層体により構成
される。

【０１２１】本発明の光学フィルムとしては、反射防止
フィルム、防眩性反射防止フィルム、電磁波遮蔽フィル
ム、導電性フィルム、帯電防止フィルム、位相差フィル
ム、光学補償フィルム、視野角拡大フィルム、輝度向上
フィルム等があるが、これらに限定されない。

【０１２２】〔偏光板〕本発明の方法で作製した光学フ
ィルムは、特に偏光板保護フィルムとして有用であり、
公知の方法で偏光板を作製することが出来る。これらの
光学フィルムは薄膜の均一性が高いため、各種表示装置
に好ましく用いられ、優れた表示性能を得ることが出来
る。

【０１２３】偏光板は、例えばポリビニルアルコールフ
ィルムにヨウ素や二色性色素を含有させ、縦方向に延伸
した偏光子を保護フィルムで両側をサンドイッチしたよ
うな構成を有している。本発明の偏光板は、本発明のプ
ラズマ放電処理により作製した積層体の光学フィルムを
偏光板保護フィルムとして用いることにより、より均一
な薄膜を有する積層体の光学フィルムを低コストで生産
性よく提供することが出来る。

【０１２４】〔画像表示装置〕本発明の画像表示装置は
特に限定されないが、例えば液晶ディスプレイ装置、有
機ＥＬディスプレイ装置、無機ＥＬディスプレイ装置、
プラズマディスプレイ装置等の各種ディスプレイ装置を
挙げることが出来る。本発明の光学フィルムは均一な薄
膜が形成されているため、これらの表示装置に用いた場
合、ムラのない高い表示品質の表示装置を低コストで提
供することが出来る。

【０１２５】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。

【０１２６】〔評価方法〕 〈反射率の測定１（膜厚と偏差）〉試料の分光反射率を
分光光度計Ｕ−４０００型（日立製作所製）を用いて、
５度正反射の条件で反射率の測定を行った。測定では、
試料の観察面の裏面を、目の細かいサンドペーパーを用
いて粗面化処理した後、黒色のスプレーを吹きつけ光吸
収処理を行い、試料裏面での光の反射を防止した。観察
面について、４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長での反射率
の測定を行った。得られる反射スペクトルデータより、
薄膜層の膜厚を算出する。セルロースエステルフィルム
の製膜時の幅方向及び長手方向についてそれぞれ１０ｃ
ｍ間隔で１０点を測定して膜厚のバラツキをｎｍ単位で
表す。

【０１２７】〈反射率の測定２（反射率が０．６％以下
となった点の数）〉上記観察面の裏面を光反射を防止し
たのち、観察面について同様に反射スペクトルを測定し
スペクトルデータから、幅手方向に１０点測定を行い、
４５０〜６５０ｎｍの範囲で反射率が０．６％以下とな
った点の数をカウントした。

【０１２８】〈目視評価（ムラ）〉幅方向全幅×長手方
向５０ｃｍの試料を裏面に黒色のスプレーを用いて光吸
収処理を行い、表面から蛍光灯の反射を観察して反射光
のムラについて評価した。

【０１２９】 ◎：ムラが全く認められない ○：わずかにムラが認められる △：ムラが認められる ×：明らかにムラが認められる。

【０１３０】〈目視評価（偏光板のムラ、液晶表示パネ
ルのムラ）〉偏光板及び液晶表示パネルについて、表面
から蛍光灯をあてて観察して反射光のムラについて評価
した。基準は上記と同様である。

【０１３１】〔基材の作製〕下記のように基材を準備し
た。

【０１３２】 〈ドープ〉 《ドープＡ》 アエロジル２００Ｖ １ｋｇ エタノール ９ｋｇ 上記素材をディゾルバ攪拌機で３０分間撹拌混合した
後、マントンゴーリン型高圧分散装置を用いて分散を行
い酸化珪素微粒子分散液を得た。

【０１３３】 （酸化珪素微粒子添加液Ａの調製） セルローストリアセテート（アセチル置換度：２．７） ６ｋｇ メチレンクロライド １４０ｋｇ を密閉容器に投入し、加熱し、撹拌しながら、完全に溶
解、濾過した後、１０ｋｇの上記酸化珪素微粒子分散液
を撹拌しながら加えて、さらに３０分間撹拌した後、濾
過し、酸化珪素微粒子添加液Ａを調製した。

【０１３４】 （ドープＡの調製） メチレンクロライド ４４０ｋｇ エタノール ３５ｋｇ セルローストリアセテート（アセチル置換度：２．７） １００ｋｇ エチルフタリルエチルグリコレート ７ｋｇ チヌビン１７１ ２ｋｇ 上記組成物のメチレンクロライドとエタノールを密閉容
器に投入し、攪拌しながらセルローストリアセテート、
エチルフタリルエチルグリコレート及びチヌビン１７１
を投入し、加熱、撹拌しながら、完全に溶解、混合し
た。このセルローストリアセテートを流延する温度まで
温度を下げて一晩静置し、脱泡操作を施した後、溶液を
安積濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾
過した。更にこのセルローストリアセテート溶液１００
ｋｇ当たり酸化珪素微粒子添加液を２ｋｇの割合で添加
し、インラインミキサー（東レ静止型管内混合機Ｈｉ−
Ｍｉｘｅｒ、ＳＷＪ）で十分混合し、濾過し、ドープＡ
を調製した。

【０１３５】 《ドープＢ》 （酸化珪素微粒子添加液Ｂの調製） セルロースアセテートプロピオネート（アセチル置換度：２．０、 プロピオニル基置換度：０．８） ６ｋｇ 酢酸メチル １００ｋｇ エタノール ４０ｋｇ 上記の素材を密閉容器に投入し、加熱し、撹拌しなが
ら、完全に溶解、濾過した。これに１０ｋｇの上記酸化
珪素微粒子分散液を撹拌しながら加えて、さらに３０分
間撹拌した後、濾過し、酸化珪素微粒子添加液Ｂを調製
した。

【０１３６】 （ドープＢの調製） セルロースアセテートプロピオネート（アセチル置換度：２．０、 プロピオニル基置換度：０．８） １００ｋｇ 酢酸メチル ２９０ｋｇ エタノール ８５ｋｇ トリフェニルフォスフェート ８ｋｇ エチルフタリルエチルグリコレート ４ｋｇ チヌビン１０９ ２ｋｇ 酢酸メチルとエタノールを密閉容器に投入し、攪拌しな
がら素材を投入し、加熱、撹拌しながら、完全に溶解、
混合した。このセルロースプロピオネート溶液を流延す
る温度まで温度を下げて一晩静置し、脱泡操作を施した
後、セルロースプロピオネート溶液を安積濾紙（株）製
の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過した。更に溶液
１００ｋｇあたり酸化珪素微粒子添加液Ｂを２ｋｇの割
合で添加し、インラインミキサー（東レ静止型管内混合
機Ｈｉ−Ｍｉｘｅｒ、ＳＷＪ）で十分混合し、濾過し、
ドープＢを調製した。

【０１３７】 《ドープＣ》 （酸化珪素微粒子添加液Ｃの調製） セルローストリアセテート（アセチル置換度：２．８８） ６ｋｇ メチレンクロライド １４０ｋｇ を密閉容器に投入し、加熱し、撹拌しながら、完全に溶
解、濾過した。これに１０ｋｇの上記酸化珪素分散液を
撹拌しながら加えて、さらに３０分間撹拌した後、濾過
し、酸化珪素微粒子添加液Ｃを調製した。

【０１３８】 （ドープＣの調製） メチレンクロライド ４４０ｋｇ エタノール ３５ｋｇ トリアセチルセルロース（アセチル置換度：２．８８） １００ｋｇ トリフェニルフォスフェート ８ｋｇ エチルフタリルエチルグリコレート ４ｋｇ チヌビン３２６ ０．４ｋｇ チヌビン１０９ ０．９ｋｇ チヌビン１７１ ０．９ｋｇ 上記組成物のメチレンクロライドとエタノールを密閉容
器に投入し、攪拌しながら素材を投入し、加熱、撹拌し
ながら、完全に溶解、混合し、セルローストリアセテー
ト溶液を調製した。このセルローストリアセテートを流
延する温度まで下げて一晩静置し、脱泡操作を施した
後、溶液を安積濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を
使用して濾過した。更にセルローストリアセテート溶液
１００ｋｇあたり酸化珪素微粒子添加液Ｃを２ｋｇの割
合で添加し、インラインミキサー（東レ静止型管内混合
機Ｈｉ−Ｍｉｘｅｒ、ＳＷＪ）で十分混合し、濾過し、
ドープＣを調製した。

【０１３９】《セルロースエステルフィルム》上記で調
製したドープＡ、Ｂ及びＣを用いて下記のようにしてセ
ルロースエステルフィルム１〜３を作製した。なお、作
製したセルロースエステルフィルムロールの幅を１３０
０ｍｍ、ロール長さを２５００ｍとした。

【０１４０】（セルロースエステルフィルム１の作製）
ドープＡを濾過した後、温度を３５℃としたドープＡを
加圧ダイから、無限移行する無端のステンレスベルト上
に流延した。ウェブの表面側から乾燥風で加熱し、また
ステンレスベルトの裏面から３８℃の温水で加熱し、残
留溶媒量３５質量％でウェブをステンレスベルトから剥
離した。

【０１４１】剥離後、ウェブの両端をクリップで把持し
幅保持をしながら１００℃で乾燥させた後、クリップか
らウェブを解放後、ロール搬送しながら１２０℃の乾燥
ゾーンで乾燥を終了させ、フィルム両端に幅１０ｍｍ、
高さ５μｍのナーリング加工を施して、膜厚６０μｍの
セルロースエステルフィルム１を作製した。

【０１４２】（セルロースエステルフィルム２及び３の
作製）ドープＡをドープＢに代え、膜厚５０μｍとした
以外はセルロースエステルフィルム１と同様にセルロー
スエステルフィルム２を作製した。また、ドープＡをド
ープＣに代え、膜厚４０μｍとした以外はセルロースエ
ステルフィルム１と同様にセルロースエステルフィルム
３を作製した。

【０１４３】〈基材〉セルロースエステルフィルム１〜
３を用いて、下記のようにして基材１〜９とした。

【０１４４】《基材１》セルロースエステルフィルム１
をそのまま（何も加工しないで）基材１とした。

【０１４５】《基材２》セルロースエステルフィルム１
のＢ面側（ステンレスベルトにウェブが接していた側の
フィルムの面をＢ面と定義する）に下記のクリアハード
コート層塗布組成物を液膜厚が１３μｍとなるように押
し出しコーターで塗布し、次いで８０℃に設定された乾
燥部で乾燥した後、１２０ｍＪ／ｃｍ²で紫外線照射
し、乾燥膜厚で３μｍの中心線平均表面粗さ（Ｒａ）１
３ｎｍのクリアハードコート層を設け、基材２とした。

【０１４６】 （クリアハードコート層塗布組成物） ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体 ６０質量部 ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体 ２０質量部 ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分 ２０質量部 ジメトキシベンゾフェノン ４質量部 酢酸エチル ４５質量部 メチルエチルケトン ４５質量部 イソプロピルアルコール ６０質量部。

【０１４７】《基材３》セルロースエステルフィルム１
のＢ面に下記の防眩層塗布組成物を液膜厚が１３μｍと
なるように押し出しコーターで塗布し、次いで８０℃に
設定された乾燥部で乾燥した後、１２０ｍＪ／ｃｍ²で
紫外線照射し、乾燥膜厚で５μｍの防眩層（中心線平均
表面粗さ（Ｒａ）０．３μｍ）を設け、基材３とした。

【０１４８】 （防眩層塗布組成物） 酢酸エチル ４５質量部 メチルエチルケトン ４５質量部 イソプロピルアルコール ６０質量部 サイリシア４３１（平均粒径２．５μｍ、富士シリシア化学社製） ２質量部 アエロジル２００Ｖ（平均粒径１２ｎｍ） ３質量部 以上を高速攪拌機（ＴＫホモミキサー、特殊機化工業
（株）製）で攪拌し、その後マントンゴーリン衝突型分
散機（高圧分散装置、ゴーリン社製）で分散した後、下
記の成分を添加し、防眩層塗布組成物を調製した。

【０１４９】 ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体 ６０質量部 ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体 ２０質量部 ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分 ２０質量部 ジメトキシベンゾフェノン ４質量部。

【０１５０】《基材４〜６》上記の基材１〜３のセルロ
ースエステルフィルム１をセルロースエステルフィルム
２に変更した以外は同様にして基材４〜６とした。

【０１５１】《基材７》セルロースエステルフィルム３
のＡ面側（ステンレスベルト上でのウェブの空気側のフ
ィルム面をＡ面と定義する）下記バックコート層塗布組
成物を液膜厚１３μｍとなるように押し出しコーターで
塗布し、乾燥温度８０℃で乾燥し、バックコート層を設
け、基材７とした。

【０１５２】 （バックコート層塗布組成物） アセトン ３０質量部 酢酸エチル ４５質量部 イソプロピルアルコール １０質量部 ジアセチルセルロース ０．５質量部 アエロジル２００Ｖ（アセトンの一部を用い２％アセトン分散液として添加） （アセトンの一部を用い２％アセトン分散液として添加）０．１質量部。

【０１５３】《基材８》セルロースエステルフィルム３
のＡ面に上記のバックコート層を基材７と同様に塗設
し、その後、Ｂ面側に上記クリアハードコート層を基材
２と同様に設け、基材８とした。

【０１５４】《基材９》セルロースエステルフィルム３
のＡ面に上記のバックコート層を基材７と同様に塗設
し、その後、Ｂ面側に上記防眩層を基材３と同様に設
け、基材９とした。

【０１５５】上記の基材１〜９とそれに使用した使用セ
ルロースエステルフィルム１〜３について下記表１に層
構成をまとめた。

【０１５６】

【表１】

【０１５７】実施例１ 《光学フィルム１〜３の作製》基材１、４及び７のＢ面
に、図５に示したような装置を用いて放電部における圧
力を１００ｋＰａとして下記高屈折率形成用反応ガスを
用いプラズマ放電処理を行った。図５の予備室の圧力を
処理室より０．３Ｐａ低くして、何れにもアルゴンガス
を導入し満たし、放電部には反応ガス供給部から下記の
組成の反応ガスを供給し、排気口から処理後のガスを排
気した。予備室の圧力は外界に対して０．３Ｐａ高くし
た。対向電極のロール電極は、冷却水による冷却機能を
有するステンレス製ジャケットロール母材（冷却機能は
図１には図示していない）で出来ており、ロールの外周
にはセラミック溶射によりアルミナを１ｍｍ被覆し、そ
の後テトラメトキシシランの有機溶媒溶液を塗布乾燥
後、紫外線照射により硬化させて封孔処理を行った固体
誘電体を有するものである。ロール電極の一方をアース
に接地した。ロール電極の間隙を１．５ｍｍとし、放電
プラズマ発生に用いる使用電源には日本電子（株）製の
高周波電源ＪＲＦ−１００００で１３．５６ＭＨｚに設
定し、放電密度を３００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ²としてプラズ
マ放電処理を行い、基材のＢ面側に膜厚約１００ｎｍと
なるように高屈折率層を形成し、光学フィルム１〜３を
作製した。なお、ロール電極はラインドライブモータと
同期させて回転させた。評価方法に示した幅手方向及び
長手方向の高屈折率層の反射率を測定して膜厚とその偏
差を評価し、また評価方法に示した膜厚ムラを目視で評
価し、結果を表２に示した。

【０１５８】 （高屈折率層形成用反応ガス組成） 希ガス：アルゴン ９８．８体積％ 反応性ガス：テトライソプロポキシチタン蒸気 （１５０℃に加熱した液体にアルゴンガスをバブリング） ０．２体積％ 水素ガス １体積％ 比較例１ プラズマ放電処理を図７の装置を使用し、一方向に基材
を移送させた以外は実施例１と同様に行った。図７はロ
ール電極を用い一方向に通過する基材を処理するプラズ
マ放電処理装置を模式的に示した図である。図７におい
て、一対の対向ロール電極１０Ｓ及び１０Ｔを有し、こ
れらのロール電極１０Ｓ及び１０Ｔには放電のための電
圧を印加出来る高周波電源８０Ｓが電圧供給手段８１Ｓ
と８２Ｓを介して接続されている。ロール電極１０Ｓ及
び１０Ｔは基材ＦＴ及びＦＳをそれぞれ別々に巻き回し
ながら回転することが出来る回転電極である。放電部１
００Ｓには大気圧もしくはその近傍の圧力下に維持さ
れ、反応ガス供給部３０Ｓから反応ガスＧが供給され放
電部１００Ｓにおいてプラズマ放電が行われる。前工程
または元巻きから供給される基材ＦＳはガイドロール２
０Ｓによりロール電極１０Ｓに密着され、同期して回転
移送され、放電部１００Ｓで大気圧もしくはその近傍の
圧力下で反応ガスによりプラズマ放電処理が施される。
もう一方の電極１０Ｔにおいても、同様に基材ＦＴも処
理される。図７には基材の折り返しはなく、ロール電極
１０Ｓ及び１０Ｔを別々の基材ＦＳとＦＴを移送し、基
材ＦＳとＦＴはそれぞれが同じ放電部において同時に処
理される。２１Ｓと２１Ｔは送り出す側のガイドロール
である。処理後の反応ガスは排出口４０Ｓから排出され
る。

【０１５９】比較例１はこのように、一方通過の基材を
処理するものである。図示してないが図５のような処理
室と予備室を有している。基材１、４及び７を用いて、
装置として図７を使用したこと以外は実施例１と同様に
連続的に基材のＢ面側に膜厚約１００ｎｍとなるように
高屈折率層を形成し、光学フィルム１１〜１３を作製し
た。実施例１と比較して膜厚形成速度が遅かったため、
約半分の速度で基材を搬送して処理しなければならなか
った。

【０１６０】評価方法に示した幅手方向及び長手方向の
高屈折率層の反射率から膜厚及びその偏差を測定し、ま
た評価方法に示した膜厚ムラを目視で評価し、結果を表
２に示した。

【０１６１】

【表２】

【０１６２】（結果）本発明の方法は、比較例と比べて
約２倍の速度で処理することが出来た。これに対して、
光学フィルム１１〜１３は処理ムラがあり、反射率によ
る膜厚のムラも大きく本発明に対して何れも劣ってい
た。

【０１６３】実施例２ 基材２、３、５、６、８及び９を用い、図５のプラズマ
放電処理装置を５個直列につないだ図４に示したような
連続積層プラズマ放電処理装置を用いて、表面に複数の
薄膜を形成した積層体の光学フィルムを下記のようにし
て作製した。該基材のＢ面側に（基材２、５、８はクリ
アハードコート層の上に各屈折率層を形成し、また基材
３、６、９は防眩層の上に各屈折率層を形成）ロール電
極の放電部側にして下記条件で、１００ｋＰａの圧力下
で順に、低屈折率層用反応ガス、高屈折率層形成用反応
ガス、低屈折率層形成用反応ガス、高屈折率層形成用反
応ガス及び低屈折率層用反応ガスを用いてプラズマ放電
処理を、基材／低屈折率層１（膜厚２０ｎｍ）／高屈折
率層１（膜厚２３ｎｍ）／低屈折率層２（膜厚２５ｎ
ｍ）／高屈折率層２（膜厚９５ｎｍ）／低屈折率層３
（膜厚８８ｎｍ）になるように連続的に行った。なお、
低屈折率層、高屈折率層のそれぞれの膜厚が上記のよう
になるように放電条件、放電部をそれぞれ調節して行っ
た。高屈折率層形成用反応ガス及び低屈折率層形成用反
応ガスはそれぞれの回数共同じ組成のものを使用した。
対向ロール電極、高周波数電源、周波数及び放電密度の
条件を実施例１と基本的に同様にした。使用した高屈折
率層用反応ガス組成物は屈折率が１．９０となるよう
に、また低屈折率層用反応ガス組成物は屈折率が１．４
６となるように配合されている。上記のようにプラズマ
放電処理し、基材２、３、５、６、８及び９を用い、光
学フィルム４〜９を作製した。

【０１６４】上記で得られた積層体の光学フィルムを前
記評価方法の反射率の測定を行い、反射率が０．６％以
下となった点（反射率の測定２）の評価、及び目視によ
る反射光のムラの評価を行い、結果を表３に示した。

【０１６５】 （高屈折率層形成用反応ガス組成） 希ガス：アルゴン ９８．８体積％ 反応性ガス：テトライソプロポキシチタン蒸気 （１５０℃に加熱した液体にアルゴンガスをバブリング） ０．２体積％ 水素ガス １体積％ （低屈折率層形成用反応ガス組成） 希ガス：アルゴン ９８．２体積％ 反応性ガス：テトラメトキシシラン蒸気 （加熱した液体にアルゴンガスをバブリング） ０．３体積％ 水素ガス １．５体積％ 比較例２ 図７で示した装置が連続的に５個直列した装置（図５の
ような処理室と予備室を有している）を用いた以外は実
施例２と同様に、基材２、３、５、６、８及び９の上に
積層体を形成し、光学フィルム１４〜１９を作製した。

【０１６６】上記で得られた積層体の光学フィルムを４
５０〜６５０ｎｍの反射率及び目視による反射光のムラ
の評価を行い、結果を表３に示した。図８は本発明の光
学フィルム８の４００〜７００ｎｍの反射率のスペクト
ルグラフを一例として示した図であるが、その他のスペ
クトルグラフは省略した。

【０１６７】

【表３】

【０１６８】（結果）表３から、本発明の方法で製造さ
れた薄膜を有する積層体は、目的の膜厚の薄膜が均一に
形成出来るため反射率が極めて低く、本発明の光学フィ
ルム４〜９はは４５０〜６５０ｎｍの波長領域におい
て、何れも図８のごとく反射率０．６％以下で、しかも
ほとんど平らで波長によるムラが認められなかった。ま
た目視によるムラも何れも全くなかった。これに対し
て、比較例の光学フィルム１４〜１９は図示してない
が、しかも４５０〜６５０ｎｍの範囲内で反射率が０．
６％以上を示す測定点があり、ムラが目立った。目視に
おいてもムラが観察された。また、プラズマ放電処理速
度も本発明に対して約１／２に遅くしても、薄膜の膜厚
が目標になかなか到達出来なかった。

【０１６９】実施例３及び比較例３ 実施例２及び比較例２で作製した積層体の光学フィルム
８と９及び１８と１９を偏光板保護フィルムとして用い
て、以下に述べる方法に従って偏光板８、９、１８と１
９を作製し、評価を行った。

【０１７０】〈偏光膜の作製〉厚さ１２０μｍのポリビ
ニルアルコールフィルムを、温度１１０℃で縦方向に倍
率５倍に一軸延伸した。これをヨウ素０．０７５質量
部、ヨウ化カリウム５質量部、水１００質量部からなる
水溶液に６０秒間浸漬し、次いでヨウ化カリウム６質量
部、ホウ酸７．５質量部、水１００質量部からなる６８
℃の水溶液に浸漬した。これを水洗、乾燥し偏光膜を得
た。

【０１７１】〈偏光板の作製〉次いで、下記工程１〜５
に従って、偏光膜と各偏光板用保護フィルムとを貼り合
わせて偏光板を作製した。

【０１７２】工程１：実施例２及び比較例２で作製した
光学フィルム８、９、１８及び１９をそれぞれ長手方向
３０ｃｍ及び巾手方向１８ｃｍの大きさに各２枚切り出
し、２ｍｏｌ／ｌの水酸化ナトリウム溶液に６０℃で９
０秒間浸漬し、次いで水洗、乾燥させた。低屈折率層の
面には、剥離性の保護フィルムを張り付けて処理を行っ
た。

【０１７３】工程２：上記偏光膜を長手方向３０ｃｍ、
幅手方向１８ｃｍの大きさに光学フィルムの数だけ切り
だし、完全鹸化ポリビニルアルコール２質量％含有する
水性接着剤槽中に１〜２秒間それぞれの偏光膜を浸漬し
た。

【０１７４】工程３：工程２で偏光膜に付着した過剰の
接着剤を軽く取り除き、それを工程１で処理したそれぞ
れの光学フィルムのＡ面側に貼り合わせ、更に偏光膜の
もう一方の面に使用した同一の光学フィルムを接着剤と
接する様に貼り合わせ（低屈折率層が外側となるように
貼り合わせ）偏光膜をサンドウィッチ型に積層体とし
た。

【０１７５】工程４：上記積層体中の過剰の接着剤と気
泡を取り除くために、ハンドローラで２０〜３０Ｎ／ｃ
ｍ²の圧力で、ローラスピードは約２ｍ／分で工程３で
積層押し且つ絞り出し圧着して貼り合わせた。

【０１７６】工程５：工程４で圧着した積層体を８０℃
の乾燥機中で２分間乾燥処理し、偏光板８、９、１８及
び１９を作製した。

【０１７７】〈液晶表示パネル（液晶表示装置）〉市販
のＮＥＣ製カラー液晶ディスプレイ、ＭｕｌｔｉＳｙｎ
ｃ ＬＣＤ１５２５Ｊ、型名ＬＡ−１５２９ＨＭの液晶
画像表示パネルの最表面の偏光板を注意深く剥離し、こ
こに偏光方向を合わせて上記偏光板８、９、１８及び１
９を張り付け液晶表示パネル８、９、１８及び１９を作
製し、結果を表４に示した。

【０１７８】偏光板及び液晶表示パネルについて、目視
でムラの評価を行い、前述のムラの評価の基準で同様に
評価し、表４に示した。

【０１７９】

【表４】

【０１８０】（結果）本発明の偏光板及び偏光板を用い
た液晶表示パネルは、ムラ、特に干渉模様のような色の
付いたムラがなく優れた偏光板及び液晶表示パネルを
得、品質の高いものとして提供出来ることがわかった。
これに対して、比較例の偏光板及び液晶表示パネルはム
ラが多く、特に色の付いたムラが表示性能を劣化させ、
実用として提供出来るものではなかった。

【０１８１】

【発明の効果】本発明により、均一な薄膜を高い製膜速
度で効率的に生産性よく作るプラズマ放電装置及びその
装置で薄膜を形成する方法を提供出来る。これにより膜
厚均一な高品質な光学フィルム、偏光板及び画像表示装
置を提供出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】ロール電極を用いて基材を往復させて処理する
プラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。

【図２】ベルト電極を用いて基材を往復させて処理する
プラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。

【図３】複数のロール電極を用いて基材を往復させて処
理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図であ
る。

【図４】基材を往復させて処理するロール電極対を連続
的につなげて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に
示した図である。

【図５】外界と遮断する処理室とその出入口の両側に予
備室を有するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図
である。

【図６】基材を往復させて処理するロール電極対を連続
的につなげて処理するプラズマ放電処理装置の別の１態
様を模式的に示した図である。

【図７】ロール電極を用い一方向に通過する基材を処理
するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。

【図８】本発明の光学フィルムの４００〜７００ｎｍの
反射率スペクトルグラフを一例として示した図である。

【符号の説明】

Ｆ、ＦＳ、ＳＴ 基材 Ｇ 反応ガス Ｇ′ 処理後のガス １０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１
０Ｇ ロール電極 Ａ１〜Ａ５，Ｂ１〜Ｂ５ ロール電極 １１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅ、１１Ｆ、１
１Ｇ、１１Ｈ、１１Ｉ折り返しロール（Ｕターンロー
ル） １３Ａ、１３Ｂ ベルト電極 １４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ、１４Ｆ サポートロール ２０、２０Ｃ、２０Ｅ、２０Ｇ、２１、２２、２３ ガ
イドロール ３０、３０Ｃ、３０Ｅ、３０Ｇ 反応ガス供給部 ３１ ガス導入口 ４０、４０Ｃ、４０Ｅ、４０Ｇ 排出口 ６０Ａ、６０Ｂ 予備室 ６５、６６ ニップロール ７０ 処理室 ７１ 処理室容器 ８０、８０Ｃ、８０Ｅ、８０Ｇ 電源 ８１、８１Ｄ、８１Ｈ、８１Ｆ、８１Ｊ 電圧供給手段 １００、１００Ｓ、１００Ｔ、１０１ 放電部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BB13 BB33 BB63 BC01 BC05 BC09 2K009 AA02 AA07 AA15 CC03 CC26 CC42 DD17 EE03 EE05 4K030 AA11 CA12 FA03 GA14 JA03 JA06 JA18 KA16 KA30

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 連続的に移送する基材の表面を大気圧も
   しくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズ
   マ放電処理装置であって、少なくとも一対の対向電極と
   該対向電極の間に形成される放電部を有し、該放電部に
   おいて該対向電極の一方の電極に接しながら該放電部を
   通過し処理された該基材が再び該対向電極のもう一方の
   電極に接しながら該放電部に移送するための折り返し移
   送手段を有し、該放電部において往復して通過する該基
   材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給
   する手段及び処理後の排ガスを排出する手段を有し、且
   つ該対向電極間に電圧を印加してプラズマ放電を発生さ
   せる手段を有することを特徴とするプラズマ放電処理装
   置。
2. 【請求項２】 連続的に移送する基材の表面を大気圧も
   しくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズ
   マ放電処理装置であって、複数対の対向電極と該対向電
   極の間に形成される複数の放電部を有し、放電部におい
   てそれぞれの一方の電極に接しながらそれぞれの放電部
   を通過し処理された該基材を再び該対向電極のそれぞれ
   のもう一方の電極に接しながらそれぞれの放電部に移送
   し処理するための折り返し移送手段を有し、各放電部に
   おいて往復して通過する該基材の間に大気圧またはその
   近傍の圧力の反応ガスを供給する手段及び処理後の排ガ
   スを排出する手段を有し、且つそれぞれの対向電極間に
   電圧を印加してプラズマ放電を発生させる手段を有する
   ことを特徴とするプラズマ放電処理装置。
3. 【請求項３】 連続的に移送する基材の表面を大気圧も
   しくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズ
   マ放電処理装置であって、一対の対向電極と該対向電極
   の間に形成される放電部を有し、該放電部において該対
   向電極の一方の電極に接しながら該放電部を通過し処理
   された該基材を再び該対向電極のもう一方の電極に接し
   ながら該放電部に移送し処理するための折り返し移送手
   段を有し、該放電部において往復して通過する該基材の
   間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する
   手段及び処理後の排ガスを排出する手段を有し、且つ該
   対向電極間に電圧を印加してプラズマ放電を発生させる
   手段を有する放電部を、連続して複数有することを特徴
   とするプラズマ放電処理装置。
4. 【請求項４】 対向電極が回転するロール電極であるこ
   とを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のプ
   ラズマ放電処理装置。
5. 【請求項５】 連続的に移送する基材の表面を大気圧も
   しくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズ
   マ放電処理装置であって、少なくとも一つの回転するロ
   ール電極とこれに対向する複数の回転するロール電極と
   の間に形成される複数の放電部を有し、該放電部におい
   て、対向するロール電極の一方に接しながら該放電部を
   通過し処理された該基材が、再び該対向するロール電極
   のもう一方に接しながら該放電部を通過し、処理するこ
   とが可能な移送手段を有し、該放電部において往復して
   通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反
   応ガスを供給する手段を有し、且つ該対向するロール電
   極間に電圧を印加してプラズマ放電を発生させる手段を
   有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
6. 【請求項６】 対向電極の表面が固体誘電体で被覆され
   ていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に
   記載のプラズマ放電処理装置。
7. 【請求項７】 対向電極間の間隙が０．５〜２０ｍｍで
   あることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記
   載のプラズマ放電処理装置。
8. 【請求項８】 前記電源の周波数が１００ｋＨｚを超え
   １５０ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項１乃至
   ７の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
9. 【請求項９】 一対の対向電極、該対向電極の間で形成
   される放電部、折り返し手段、反応ガス供給手段及び排
   ガスを排出する手段を一つの処理室内に有することを特
   徴とする請求項１、３乃至８のいずれか１項に記載のプ
   ラズマ放電処理装置。
10. 【請求項１０】 複数の対向電極とそれらの間で形成さ
    れる複数の放電部、一つの折り返し手段、複数の反応ガ
    ス供給手段及び複数の排ガスを排出する手段を一つの処
    理室内に有することを特徴とする請求項２、４乃至８に
    記載のプラズマ放電処理装置。
11. 【請求項１１】 前記処理室の基材の入口及び出口のそ
    れぞれに予備室を隣接して有することを特徴とする請求
    項５、９または１０に記載のプラズマ放電処理装置。
12. 【請求項１２】 一つのプラズマ放電部を往復して連続
    移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下
    で反応ガスにより処理することを特徴とするプラズマ放
    電処理方法。
13. 【請求項１３】 請求項１乃至１１の何れか１項に記載
    のプラズマ放電処理装置を用いて、往復して連続移送す
    る基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応
    ガスにより処理することを特徴とするプラズマ放電処理
    方法。
14. 【請求項１４】 請求項２乃至１１の何れか１項に記載
    の複数の放電部を有するプラズマ放電処理装置を用い
    て、往復して連続移送する基材の表面に大気圧もしくは
    その近傍の圧力下で反応ガスにより処理することを特徴
    とするプラズマ放電処理方法。
15. 【請求項１５】 前記反応ガスが９０〜９９．９９体積
    ％の希ガスと０．０１〜１０体積％の反応性ガスを有す
    ることを特徴とする請求項５または１２乃至１４の何れ
    か１項に記載のプラズマ放電処理方法。
16. 【請求項１６】 反応性ガスがガス状の有機金属化合物
    またはガス状の有機フッ素化合物を含有することを特徴
    とする請求項５または１２乃至１５の何れか１項に記載
    のプラズマ放電処理方法。
17. 【請求項１７】 請求項１２、１５または１６に記載の
    方法を用いて、基材表面に形成したことを特徴とする薄
    膜。
18. 【請求項１８】 請求項１２乃至１６の何れか１項に記
    載の方法を用いて、基材表面に複数形成したことを特徴
    とする薄膜積層体。
19. 【請求項１９】 請求項１７に記載の薄膜を有すること
    を特徴とする光学フィルム。
20. 【請求項２０】 請求項１８に記載の薄膜積層体を有す
    ることを特徴とする光学フィルム。
21. 【請求項２１】 請求項１９または２０に記載の光学フ
    ィルムを有すること特徴とする偏光板。
22. 【請求項２２】 請求項１９または２０に記載の光学フ
    ィルムを有すること特徴とする画像表示装置。
23. 【請求項２３】 請求項２１に記載の偏光板を有するこ
    とを特徴とする画像表示装置。
24. 【請求項２４】 連続的に移送する基材の表面を大気圧
    もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラ
    ズマ放電処理方法であって、少なくとも一対の対向電極
    の間に形成される放電部を有し、該放電部において、一
    方の電極に接しながら該放電部を通過する該基材上に大
    気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給し、且つ該
    対向電極間に電圧を印加してプラズマ放電を発生させ、
    基材表面にプラズマ放電処理を行った後、直ちに又は他
    の放電部を通過した後折り返し移送手段によって折り返
    され、もう一方の対向電極に接しながら該放電部に再び
    移送され、通過する基材に、該放電部において更にプラ
    ズマ放電処理を行うことを特徴とするプラズマ放電処理
    方法。
25. 【請求項２５】 少なくとも１つの対向電極に対して、
    ２つ以上の対向電極が配置され、これらの電極間にプラ
    ズマ放電可能な電圧が印加されて複数の放電部を形成
    し、各々の放電部において、電極に接しながら搬送され
    る基材表面にプラズマ放電処理されることを特徴とする
    請求項２４に記載のプラズマ放電処理方法。
26. 【請求項２６】 複数の対からなる対向電極群を有し、
    一方の対向電極群のうち１つと、これと対となる対向電
    極群の複数の対向電極とが複数の放電部を形成するよう
    に隣接して配置され、各々の放電部において、一方の対
    向電極に接して搬送され、プラズマ放電処理された基材
    が、折り返し移送手段によって折り返され、再度もう一
    方の対向電極に接して搬送され、基材表面が再びプラズ
    マ放電処理されることを特徴とする請求項２４に記載の
    プラズマ放電処理方法。