JP2003168756A - 放熱板と基板とのパッケージ - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 24
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
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- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
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- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一の厚さの接着剤膜が得られ、厚さが容易
に制御でき、異なる封じ形態、サイズを切り替える場合
に、ノズルの位置決めの設定、ノズルの洗浄などの動作
の無駄な時間がなく、直接に同じ方法で膠を付けること
ができる放熱板と基板とのパッケージを提供する。 【解決手段】 基板1にはチップ2を接合する位置が設
けられ、チップ2を基板1に接合する。しかも、電気導
通するように接続させる。そして、網板印刷の方式で接
着剤41を適当な厚さの接着剤層へこそぎ取る。放熱板
3は殻体薄片であり、チップ2を覆う。放熱板3の底面
に凸点31が設置され、基板1に膠で粘着する。封じ膠
5はチップ2、放熱板3を覆う。
に制御でき、異なる封じ形態、サイズを切り替える場合
に、ノズルの位置決めの設定、ノズルの洗浄などの動作
の無駄な時間がなく、直接に同じ方法で膠を付けること
ができる放熱板と基板とのパッケージを提供する。 【解決手段】 基板1にはチップ2を接合する位置が設
けられ、チップ2を基板1に接合する。しかも、電気導
通するように接続させる。そして、網板印刷の方式で接
着剤41を適当な厚さの接着剤層へこそぎ取る。放熱板
3は殻体薄片であり、チップ2を覆う。放熱板3の底面
に凸点31が設置され、基板1に膠で粘着する。封じ膠
5はチップ2、放熱板3を覆う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は放熱板と基板とのパ
ッケージに関するものである。
ッケージに関するものである。
【0002】
【従来の技術】集積程度が大きくチップの体積が小さい
場合に、チップが作動していると高熱が生じる。そのと
きに、コンポネットを封じるときはまず放熱板でチップ
を覆う。続いて放熱板を封じて、放熱の効果を向上させ
る。従来の放熱板を接合するプロセスを図1〜図4に示
す。まず、基板1’に、チップ2’を接合する。しか
も、基板1’における放熱板3’の底面凸点31’(di
mple)に対応した位置には、接着剤を注入してあるノズ
ル4’で、四点に適量の塗装剤用量の接着剤41’を噴
出する。放熱板3’の底面凸点31’を接着剤41’に
合わせて押し合わせたあとで、封じ膠5’で、放熱板
3’を覆う。
場合に、チップが作動していると高熱が生じる。そのと
きに、コンポネットを封じるときはまず放熱板でチップ
を覆う。続いて放熱板を封じて、放熱の効果を向上させ
る。従来の放熱板を接合するプロセスを図1〜図4に示
す。まず、基板1’に、チップ2’を接合する。しか
も、基板1’における放熱板3’の底面凸点31’(di
mple)に対応した位置には、接着剤を注入してあるノズ
ル4’で、四点に適量の塗装剤用量の接着剤41’を噴
出する。放熱板3’の底面凸点31’を接着剤41’に
合わせて押し合わせたあとで、封じ膠5’で、放熱板
3’を覆う。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した放熱
板3’を基板1’に粘着する従来の既存のプロセスは現
場で実施すると、次の欠点がある。上述基板1’に放熱
板3’を粘着する方式はまずノズル4’で、適量の膠を
四つの対応凸点31’の位置に噴出する。ノズル4’に
充填した接着剤41’は物理化学性質により、または接
着剤41’の充填量が減ることにより、粘度の特性が変
化しやすいので、常にマシンから出てくる膠量が不安定
になる恐れがある。噴出した接着剤41’の塗装量が足
りなければ放熱板3’の粘着力が足りないので、接着剤
41’硬化のあとの接着力も不充分である。それによ
り、熱処理のときに放熱板3’が落下しやすい。それに
対して、接着剤41’が量を越す場合には、内部に覆っ
たチップの電気接合に失敗が起こる。また、ノズル4’
から噴射する接着剤41’の使用により接着剤の配分不
良が多いので、断線、リードワイヤ不良も電気の接合に
影響を及ぼす。接着剤41’の流量が多過ぎると、頻繁
的にそれが基板に垂れてしまうなどの問題が生じる。
板3’を基板1’に粘着する従来の既存のプロセスは現
場で実施すると、次の欠点がある。上述基板1’に放熱
板3’を粘着する方式はまずノズル4’で、適量の膠を
四つの対応凸点31’の位置に噴出する。ノズル4’に
充填した接着剤41’は物理化学性質により、または接
着剤41’の充填量が減ることにより、粘度の特性が変
化しやすいので、常にマシンから出てくる膠量が不安定
になる恐れがある。噴出した接着剤41’の塗装量が足
りなければ放熱板3’の粘着力が足りないので、接着剤
41’硬化のあとの接着力も不充分である。それによ
り、熱処理のときに放熱板3’が落下しやすい。それに
対して、接着剤41’が量を越す場合には、内部に覆っ
たチップの電気接合に失敗が起こる。また、ノズル4’
から噴射する接着剤41’の使用により接着剤の配分不
良が多いので、断線、リードワイヤ不良も電気の接合に
影響を及ぼす。接着剤41’の流量が多過ぎると、頻繁
的にそれが基板に垂れてしまうなどの問題が生じる。
【0004】また、ノズル4’から噴射する接着剤4
1’の塗装位置または厚さが少し変化しただけでも、放
熱板3’の組み立ての際に凸点31’に付けてある膠量
が均一にならない。さらにひどくなると、接着剤41’
が全く付かず、放熱板3’の固定が悪くなったりはずれ
たりする現象が起きる。
1’の塗装位置または厚さが少し変化しただけでも、放
熱板3’の組み立ての際に凸点31’に付けてある膠量
が均一にならない。さらにひどくなると、接着剤41’
が全く付かず、放熱板3’の固定が悪くなったりはずれ
たりする現象が起きる。
【0005】その他、従来は膠の添加はワンポイントず
つしなければならないので、封じ形態を変えたり、サイ
ズを切り替える場合に、ノズル4’の位置決めの設定、
ノズル4’の洗浄をしなければならないので、プロセス
の効率が悪くなる。上述の問題を解決するための本発明
の主な目的は、均一の厚さの接着剤膜が得られる放熱板
と基板とのパッケージを提供することにある。
つしなければならないので、封じ形態を変えたり、サイ
ズを切り替える場合に、ノズル4’の位置決めの設定、
ノズル4’の洗浄をしなければならないので、プロセス
の効率が悪くなる。上述の問題を解決するための本発明
の主な目的は、均一の厚さの接着剤膜が得られる放熱板
と基板とのパッケージを提供することにある。
【0006】本発明のもう一つの目的は厚さが容易に制
御できる放熱板と基板とのパッケージを提供することに
ある。本発明のもう一つの目的は異なる封じ形態、サイ
ズを切り替える場合に、ノズルの位置決めの設定、ノズ
ルの洗浄など動作の無駄時間がなく、直接に同じ方法で
膠を付けることができる放熱板と基板とのパッケージを
提供することにある。
御できる放熱板と基板とのパッケージを提供することに
ある。本発明のもう一つの目的は異なる封じ形態、サイ
ズを切り替える場合に、ノズルの位置決めの設定、ノズ
ルの洗浄など動作の無駄時間がなく、直接に同じ方法で
膠を付けることができる放熱板と基板とのパッケージを
提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の放熱板と基板とのパッケージは主に、網板印
刷の方式で、接着剤を適当な厚さの接着剤層へこそぎ取
って、膠を放熱板の凸点に付ける。そのような方法で、
均一の厚さの接着剤膜が得られ、放熱板の凸点にも、均
一の接着剤の厚さを確保することができる。
の本発明の放熱板と基板とのパッケージは主に、網板印
刷の方式で、接着剤を適当な厚さの接着剤層へこそぎ取
って、膠を放熱板の凸点に付ける。そのような方法で、
均一の厚さの接着剤膜が得られ、放熱板の凸点にも、均
一の接着剤の厚さを確保することができる。
【0008】また、網板印刷の方式で接着剤層を作るの
で、厚さが容易に制御され、異なる封じ形態、サイズを
切り替える場合に、ノズルの位置決めの設定、ノズルの
洗浄など動作の無駄時間がなく、直接に同じ方法で膠を
付けることができる。
で、厚さが容易に制御され、異なる封じ形態、サイズを
切り替える場合に、ノズルの位置決めの設定、ノズルの
洗浄など動作の無駄時間がなく、直接に同じ方法で膠を
付けることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の目的、特徴および効果な
どを明解にするために、以下にさらに具体的な実施例を
図面とあわせて詳しく説明する。図5〜図10を参照す
る。本発明の一実施例による放熱板と基板とのパッケー
ジの主な構造は、以下の要素から形成される。
どを明解にするために、以下にさらに具体的な実施例を
図面とあわせて詳しく説明する。図5〜図10を参照す
る。本発明の一実施例による放熱板と基板とのパッケー
ジの主な構造は、以下の要素から形成される。
【0010】基板1には、セミコンダクターチップ2を
接合する位置が設けられる。少なくとも、一枚のチップ
2を基板1に接合する。しかも、電気導通するように接
続させる。網板印刷の方式で、接着剤を適当な厚さの接
着剤層へこそぎ取る。
接合する位置が設けられる。少なくとも、一枚のチップ
2を基板1に接合する。しかも、電気導通するように接
続させる。網板印刷の方式で、接着剤を適当な厚さの接
着剤層へこそぎ取る。
【0011】放熱板3は殻体薄片であり、チップ2を覆
う。放熱板の底面に、凸点31が設置され、そして基板
1に膠で粘着する。封じ膠5はチップ2、放熱板3を覆
う。以上のコンポネットで、主なプロセスは次のとおり
である。
う。放熱板の底面に、凸点31が設置され、そして基板
1に膠で粘着する。封じ膠5はチップ2、放熱板3を覆
う。以上のコンポネットで、主なプロセスは次のとおり
である。
【0012】(a)図5に示すように、チップ2をワイ
ヤリング成型の方式で、基板1に接合する。網板印刷の
方式で、こそぎ取る板4を利用し、接着剤41を平板4
3では均一かつ適当な厚さの接着剤層42までこそぎ取
る。 (b)図6、7、8に示すように、アブソーバー32
で、放熱板3を接着剤層42まで移動させる。しかも、
放熱板3の凸点31に接着剤層42から、適量の接着剤
41を付けさせる。のちに、放熱板3を基板1のチップ
2の上方へ移動させる。
ヤリング成型の方式で、基板1に接合する。網板印刷の
方式で、こそぎ取る板4を利用し、接着剤41を平板4
3では均一かつ適当な厚さの接着剤層42までこそぎ取
る。 (b)図6、7、8に示すように、アブソーバー32
で、放熱板3を接着剤層42まで移動させる。しかも、
放熱板3の凸点31に接着剤層42から、適量の接着剤
41を付けさせる。のちに、放熱板3を基板1のチップ
2の上方へ移動させる。
【0013】(c)図9に示すように、放熱板3を下へ
基板1およびチップ2に押す。放熱板3を接着し固定さ
せる。 (d)図10に示すように、封じ膠5で放熱板3を覆っ
て、パッケージ6を形成する。なお、上述のプロセス
(a)において、チップ2と基板1との接合方式はチッ
プ覆いという接合の方式を採用してもよい。プロセス
(d)は、封じ膠5の覆い作業において、封じ膠5から
一部分の放熱板3の表面を露出させて、局部に封じ膠5
の覆いがなくてもよい。それで、優れた放熱効果を提供
する。
基板1およびチップ2に押す。放熱板3を接着し固定さ
せる。 (d)図10に示すように、封じ膠5で放熱板3を覆っ
て、パッケージ6を形成する。なお、上述のプロセス
(a)において、チップ2と基板1との接合方式はチッ
プ覆いという接合の方式を採用してもよい。プロセス
(d)は、封じ膠5の覆い作業において、封じ膠5から
一部分の放熱板3の表面を露出させて、局部に封じ膠5
の覆いがなくてもよい。それで、優れた放熱効果を提供
する。
【図1】従来の放熱板と基板との接着ユニットを示す斜
視図である。
視図である。
【図2】従来の放熱板と基板との接着ユニットの接着の
プロセスを示す断面図である。
プロセスを示す断面図である。
【図3】従来の放熱板と基板との接着ユニットの接着の
プロセスを示す断面図である。
プロセスを示す断面図である。
【図4】従来の放熱板と基板との接着ユニットの接着の
プロセスを示す断面図である。
プロセスを示す断面図である。
【図5】本発明の一実施例による放熱板と基板とのパッ
ケージの接着プロセスを示す断面図である。
ケージの接着プロセスを示す断面図である。
【図6】本発明の一実施例による放熱板と基板とのパッ
ケージの接着プロセスを示す断面図である。
ケージの接着プロセスを示す断面図である。
【図7】本発明の一実施例による放熱板と基板とのパッ
ケージの接着プロセスを示す断面図である。
ケージの接着プロセスを示す断面図である。
【図8】図7の要部の拡大図である。
【図9】本発明の一実施例による放熱板と基板とのパッ
ケージの接着プロセスを示す断面図である。
ケージの接着プロセスを示す断面図である。
【図10】本発明の一実施例による放熱板と基板とのパ
ッケージの接着プロセスを示す断面図である。
ッケージの接着プロセスを示す断面図である。
1 基板
2 チップ
3 放熱板
5 封じ膠
31 凸点
32 アブソーバー
41 接着剤
42 接着剤層
43 平板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ヒュー チンイー
タイワン カオシュン シティ, ナン
ツー ディストリクト, ショウ ミン
ロード, ランク 99, ナンバー16
Fターム(参考) 5F036 AA01 BA04 BA23 BB01 BC05
BC33
Claims (4)
- 【請求項1】 放熱板と基板とのパッケージにおいて、 基板には、セミコンダクターチップを接合する位置が設
けられ、 少なくとも一枚のチップを前記基板に接合し、電気導通
するように接続させ、 網板印刷の方式で接着剤を適当な厚さの接着剤層へこそ
ぎ取り、 放熱板は殻体薄片であり、チップを覆い、前記放熱板の
底面に凸点が設置され、前記基板に膠で粘着し、 封じ膠は前記チップおよび前記放熱板を覆い、 (a)前記チップを前記基板に接合し、網板印刷の技術
でこそぎ取る板を利用し、前記接着剤は平板では均一か
つ適当な厚さの前記接着剤層までこそぎ取られ、 (b)アブソーバーで前記放熱板を前記接着剤層まで移
動させ、前記放熱板の前記凸点に前記接着剤層から適量
の接着剤が付けられ、 (c)前記放熱板を前記基板の前記チップの上方へ移動
させたあとで、前記放熱板を下へ前記基板およびチップ
に押し付け、前記放熱板が接着し固定され、 (d)前記封じ膠で前記放熱板を覆ってパッケージが形
成されることを特徴とする放熱板と基板とのパッケー
ジ。 - 【請求項2】 前記(a)では前記チップをワイヤリン
グ接合技術により、リードワイヤで前記基板に接合させ
ることを特徴とする請求項1記載の放熱板と基板とのパ
ッケージ。 - 【請求項3】 前記(a)では前記チップをチップの覆
いという接合技術で、前記基板に接合してもよいことを
特徴とする請求項1記載の放熱板と基板とのパッケー
ジ。 - 【請求項4】 前記(d)では前記放熱板の部分表面に
前記封じ膠を覆わなくてもよいことを特徴とする請求項
1記載の放熱板と基板とのパッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW090129769 | 2001-11-29 | ||
TW090129769A TW517365B (en) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | Heat dissipation plate and its bonding process with substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003168756A true JP2003168756A (ja) | 2003-06-13 |
Family
ID=21679852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002193558A Pending JP2003168756A (ja) | 2001-11-29 | 2002-07-02 | 放熱板と基板とのパッケージ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6677185B2 (ja) |
JP (1) | JP2003168756A (ja) |
TW (1) | TW517365B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007165486A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 放熱板及び半導体装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4666337B2 (ja) * | 2001-05-24 | 2011-04-06 | フライズ メタルズ インコーポレイテッド | 熱界面材およびヒートシンク配置 |
US6921974B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-07-26 | United Test & Assembly Center Ltd. | Packaged device with thermal enhancement and method of packaging |
US8672281B2 (en) | 2003-10-16 | 2014-03-18 | Illinois Tool Works Inc. | Rod hanger for securing a rod to a substrate |
TWI292612B (en) * | 2006-02-27 | 2008-01-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package and fabrication method thereof |
US8022512B2 (en) * | 2006-02-28 | 2011-09-20 | Unisem (Mauritus) Holdings Limited | No lead package with heat spreader |
US20070215997A1 (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-20 | Martin Standing | Chip-scale package |
US20100327421A1 (en) * | 2009-06-30 | 2010-12-30 | Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. | Ic package design with stress relief feature |
CN112670192A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-16 | 苏州科阳半导体有限公司 | 一种晶圆级封装工艺及晶圆级封装结构 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5486720A (en) * | 1994-05-26 | 1996-01-23 | Analog Devices, Inc. | EMF shielding of an integrated circuit package |
TW400631B (en) * | 1999-01-06 | 2000-08-01 | Walsin Advanced Electronics | Chip package structure |
-
2001
- 2001-11-29 TW TW090129769A patent/TW517365B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-06-03 US US10/159,030 patent/US6677185B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-02 JP JP2002193558A patent/JP2003168756A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007165486A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 放熱板及び半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW517365B (en) | 2003-01-11 |
US20030100147A1 (en) | 2003-05-29 |
US6677185B2 (en) | 2004-01-13 |
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Legal Events
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060501 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060929 |