JP3608536B2 - 電子部品実装方法 - Google Patents
電子部品実装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3608536B2 JP3608536B2 JP2001240817A JP2001240817A JP3608536B2 JP 3608536 B2 JP3608536 B2 JP 3608536B2 JP 2001240817 A JP2001240817 A JP 2001240817A JP 2001240817 A JP2001240817 A JP 2001240817A JP 3608536 B2 JP3608536 B2 JP 3608536B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- electronic component
- bump
- bumps
- mounting method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/1356—Disposition
- H01L2224/13562—On the entire exposed surface of the core
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/1357—Single coating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/27001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
- H01L2224/27003—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the layer preform
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/2901—Shape
- H01L2224/29016—Shape in side view
- H01L2224/29018—Shape in side view comprising protrusions or indentations
- H01L2224/29019—Shape in side view comprising protrusions or indentations at the bonding interface of the layer connector, i.e. on the surface of the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/731—Location prior to the connecting process
- H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
- H01L2224/73103—Bump and layer connectors
- H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/81395—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body having an external coating, e.g. protective bond-through coating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フリップチップなどのバンプを有する電子部品を基板に実装する電子部品実装方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電子部品の種類として、フリップチップなど半導体素子に突出電極であるバンプを設け、このバンプを基板に接合することによって実装されるものが用いられている。このようなバンプを有する電子部品の実装においては、電子部品と基板の間に補強樹脂部を形成し、バンプと基板との接合部を包み込んで補強することが行われる。この補強樹脂部の形成の方法として、従来より予め粘性液体状の樹脂を基板に供給しておき、この樹脂の上に電子部品を搭載する方法が知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来の方法においては、基板への樹脂の供給量に起因して、以下のような不具合が発生していた。バンプによる電子部品の実装構造においては、使用時のヒートサイクルによって接合部に生じる応力は、電子部品下面のバンプの根本部に集中して発生する傾向があり、補強樹脂部はこの根本部分を完全に覆って形成することが望まれる。
【0004】
ところが、上記を満たすために樹脂の供給量を増やすと、電子部品と基板との隙間が樹脂によって完全に充填されることから、バンプを電極と半田接合するリフローにおいて、脱ガス不良に起因する不具合が生じやすい。すなわち、リフローにおける加熱時には、基板や樹脂内部に含まれている水分や有機物が加熱により気化するが、このとき体積が急膨張して樹脂内部にボイドを生じる現象が生じる。そしてこの現象がバンプの接合部近辺で発生すると、接合部が剥離して電子部品の接続不良につながる場合がある。
【0005】
このように従来のバンプを有する電子部品の実装構造においては、補強樹脂部形成のための樹脂供給量に起因して、接合部の信頼性を確保しながら十分な補強効果を得ることが困難であるという問題があった。
【0006】
そこで本発明は、実装後の接合部の信頼性を確保しながら十分な補強効果を得ることができる電子部品実装方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の電子部品実装方法は、下面にバンプが突設された電子部品を基板に実装する電子部品実装方法であって、前記電子部品の下面及びこの下面における前記バンプの根本部の周囲を含むバンプの表面に粘性液体状の樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、表面に樹脂が塗布された前記バンプを基板の電極に搭載する工程と、リフロー工程によりバンプと基板の電極を接合する工程とを含み、前記樹脂塗布工程において前記電子部品の下面に塗布されて隣接するバンプ間で相互に連結して形成される連続樹脂膜の膜厚を、前記バンプの高さ寸法よりも小さくすることにより、リフロー時における連続樹脂膜の下方にガス成分の脱気孔としての空隙部を形成する。
【0011】
請求項2記載の電子部品実装方法は、請求項1記載の電子部品実装方法であって、前記樹脂塗布工程において、前記樹脂が膜状に塗布された可撓性部材の前記樹脂塗布面に対して前記電子部品を押圧してバンプを前記可撓性部材に埋入させることにより、前記電子部品の下面及びこの下面におけるバンプの根本部の周囲に樹脂を塗布するとともに、下端部を含むバンプの表面を樹脂で覆う。
【0012】
請求項3記載の電子部品実装方法は、請求項1記載の電子部品実装方法であって、前記樹脂塗布工程において、表面に前記粘性液体状の樹脂が膜状に塗布された可撓性部材の前記樹脂塗布面に対して前記電子部品を押圧してバンプを前記可撓性部材に埋入させることにより、前記電子部品の下面及びこの下面におけるバンプの根本部の周囲に樹脂を塗布する第1塗布動作と、第1塗布動作後にバンプの下端部に樹脂を追加塗布する第2塗布動作とを行う。
【0013】
請求項4記載の電子部品実装方法は、請求項1記載の電子部品実装方法であって、前記樹脂塗布工程において、電子部品を粘性液体状の樹脂に浸漬することにより前記電子部品の下面及びこの下面におけるバンプの根本部の周囲を含むバンプの表面に樹脂を付着させる樹脂付着動作と、この樹脂付着動作後にバンプの下端部に付着した樹脂の量を減少させる樹脂除去動作とを行う。
【0014】
請求項5記載の電子部品実装方法は、請求項2乃至4記載の電子部品実装方法であって、前記バンプの材質が半田であり、バンプを加熱により溶融させて前記電極に接合する。
【0015】
請求項6記載の電子部品実装方法は、請求項2乃至4記載の電子部品実装方法であって、前記電極の表面に前記バンプを接合するための半田を備え、この半田を加熱により溶融させて前記バンプを接合する。
【0016】
請求項7記載の電子部品実装方法は、請求項5又は6記載の電子部品実装方法であって、前記樹脂が加熱によって半田表面の酸化膜を除去する機能を有する。
【0017】
本発明によれば、電子部品の下面にバンプの根本部の周囲を覆って形成された第1樹脂部と、基板の上面にバンプと電極との接合部を覆って形成された第2樹脂部とを備え、第1樹脂部が隣接するバンプの第1樹脂部と電子部品の下面において相互に連結して連続樹脂膜を形成し、この連続樹脂膜の下方に樹脂が存在しない空隙部を形成することにより、バンプの根本部を有効に補強するとともに、リフロー時の脱ガスを確保して、実装後の接合部の信頼性を確保しながら十分な補強効果を得ることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施の形態の電子部品実装構造の側断面図、図2,図3,図4,図5は本発明の一実施の形態の電子部品実装方法の工程説明図、図6は本発明の一実施の形態の電子部品実装構造の平断面図である。
【0019】
まず図1を参照して電子部品実装構造を説明する。この電子部品実装構造は、下面に外部接続用のバンプが形成された電子部品を基板に実装したものである。図1において、基板1の上面には電極2が形成されている。電極2には電子部品3の下面に半田によって突設されたバンプ4が半田接合されている。
【0020】
バンプ4は、以下に説明するように根本部(電子部品3の下面との結合部)及び下部(電極2との接合部)をエポキシ樹脂などの樹脂5(5A,5B,5C)によって補強されている。電子部品3の下面には、バンプ4の根本部の周囲を覆って電子部品3とバンプ4との結合部を補強する第1樹脂部5Aが形成され、また基板1の上面には、バンプ4と電極2との半田接合部を覆ってこの半田接合部を補強する第2樹脂部5Bが形成されている。ここで第1樹脂部5Aの断面積は、第2樹脂部5Bの断面積よりも大きくなっている。
【0021】
バンプ4の周囲に形成された第1樹脂部5Aは、隣接するバンプ4の第1樹脂部5Aと電子部品3の下面において相互に連結し、面状の広がりを有する連続樹脂膜5Cを形成している。この連続樹脂膜5Cにより、ヒートサイクル時の応力が最も集中して作用するバンプ4の根本部が有効に補強されることから、実装後の信頼性を確保することが可能となっている。
【0022】
またここで連続樹脂膜5Cは、基板1の上面の第2樹脂部5Bとは一体に連結しておらず、連続樹脂膜5Cの下方には樹脂が存在しない空隙部6が形成されている。この空隙部6は、後述するようにリフロー過程で基板1や樹脂から排出されるガス成分を外部に導く脱気孔として機能する。
【0023】
次に電子部品実装方法について、図2,図3を参照して説明する。この電子部品実装方法は、下面にバンプ4が突設された電子部品3を基板1に実装することにより、前記実装構造を実現するものである。図2(a)において、スタンプ台7の上面には、粘性液体状の樹脂5が膜状に塗布されている。スタンプ台7は、スポンジやゴムなど可撓性に富む材質で製作されており、樹脂5の塗布はスタンプ台7の上面で樹脂5をスキージ8によって掻き寄せることにより行われる。
【0024】
樹脂5は、熱硬化性のエポキシ樹脂に有機酸などの活性作用を有するフラックス成分を混入したものであり、加熱によって所定温度以上に昇温することによりフラックス成分が活性化し、半田表面の酸化膜を除去するフラックスとして機能する特性を有している。
【0025】
次に図2(b)に示すように、下面にバンプ4が突設された電子部品3をスタンプ台7に対して下降させる。そして図2(c)に示すように、電子部品3をスタンプ台7の樹脂塗布面に対して押圧してバンプ4を可撓性のスタンプ台7に埋入させる。これにより、スタンプ台7表面の樹脂5は、バンプ4の根本部の周囲の電子部品3の下面に転写により塗布される。また下端部を含むバンプ4の表面は、膜状の樹脂5が押し広げられた表面樹脂膜5bによって覆われる。
【0026】
そして、電子部品3をスタンプ台7から上昇させることにより、図3(a)に示すように電子部品3の下面においては、バンプ4の根本部の周囲の樹脂が隣接するバンプ4間で相互に連結した未硬化連続樹脂膜5aを形成する。そしてこの未硬化連続樹脂膜5aの膜厚Tはバンプ4の高さ寸法よりも小さく、バンプ4の下端部には到達しない。これにより、バンプ4の下端部は膜厚の薄い表面樹脂膜5bのみによって覆われた状態となる。
【0027】
次に、樹脂5が塗布された電子部品3は図3(b)に示すように、電極2が形成された基板1に搭載される。基板1上には、予め樹脂5が電極2を覆って薄く塗布されており、電子部品3の搭載後には、バンプ4の表面樹脂膜5bと電極2上の樹脂5とが一体化する。なお電極2を樹脂5で覆うことなく搭載してもよい。そしてこの状態で、基板1をリフロー工程に送り加熱することにより、バンプ4が電極2に半田接合される。このとき樹脂5は、活性作用を有するフラックス成分を含んでいるため、この加熱に伴ってバンプ4や電極2の表面の酸化膜が除去され、良好な半田接合が行われる。
【0028】
この加熱によって、電子部品3の下面においては、未硬化連続樹脂膜5aが熱硬化して連続樹脂膜5Cが形成される。この連続樹脂膜5Cは、バンプ4の根本部の周囲を覆って補強する第1樹脂部5Aがバンプ4間で連続した形態となっている。また基板1の上面においては、表面樹脂膜5bと電極2上の樹脂5とが一体化して電極2とバンプ4との半田接合部を覆って熱硬化した第2樹脂部5Bが形成される。もちろん第2樹脂部5Bが基板1の上面で相互に連結して、連続樹脂膜を形成するようにしてもよい。
【0029】
そしてバンプ4の下端部を覆う表面樹脂膜5bは、膜厚が薄く樹脂量が少ないことから、第2樹脂部5Bが第1樹脂部5Aと完全に一体化することはなく、連続樹脂膜5Cの下方には、樹脂5が存在しない空隙部6が形成される。これにより、リフロー過程において基板1や樹脂5に含まれる有機不純物や水分などが加熱によって気化して発生するガスが、樹脂内部に閉じこめられることなく外部に排出される。したがって、樹脂硬化後に樹脂内部に気泡が残留するボイドや、このボイドに起因する半田接合部の剥離などの不具合を有効に防止することができる。
【0030】
上記電子部品実装方法は、電子部品3の下面におけるバンプ4の根本部の周囲を含むバンプ4の表面に粘性液体状の樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、表面に樹脂が塗布されたバンプ4を基板1の電極2に搭載して接合する工程とを含んだ形態となっている。そしてこの樹脂塗布工程においては、バンプ4の根本部の周囲に塗布された樹脂同士が隣接するバンプ4間で相互に連結して形成された連続樹脂膜5Cの膜厚が、バンプ4の高さ寸法よりも小さくなるような塗布方法が用いられている。
【0031】
なお、上記電子部品実装方法における樹脂塗布工程において、以下に説明するような方法を用いてもよい。図4は、バンプ4の下端部における樹脂量を増やしたい場合の方法を示している。図4(a)は、図2に示すスタンプ台7を用いた転写による樹脂塗布後の電子部品3を示しており、電子部品3の下面には未硬化連続樹脂膜5aが、またバンプ4の表面には表面樹脂膜5bが形成されている。
【0032】
ここで、バンプ4の下端部における樹脂量を増やしたい場合には、樹脂5が膜状に塗布された転写台8の樹脂塗布面に対して電子部品3を下降させ、バンプ4の下端部を樹脂5に接触させる。そして電子部品3を上昇させることにより、図4(b)に示すようにバンプ4の下端部には樹脂5dが追加塗布される。すなわち上記方法は、樹脂塗布工程において、図2に示すようにスタンプ台7を用いた転写による第1塗布動作と、第1塗布動作後にバンプ4の下端部に樹脂5を追加塗布する第2塗布動作とを行う形態となっている。
【0033】
また図5は、樹脂塗布を転写によらず浸漬によって行う例を示している。図5(a)において、容器9には粘性液体状の樹脂5が収容されている。この樹脂液面に対して下面にバンプ4が突設された電子部品3を下降させ、図5(b)に示すように、電子部品3の下面が樹脂液面に接触するまで、バンプ4を樹脂液面に浸漬する。そしてこの後電子部品3を上昇させると、電子部品3の下面には隣接するバンプ4間の隙間を充填した形で粘性の高い樹脂5が多量に付着する。
【0034】
ここで付着樹脂量が過多である場合には、図5(d)に示すように、樹脂5が付着した電子部品3を樹脂除去部10に対して下降させ、バンプ4の下端部に付着した樹脂5をスポンジなどの樹脂吸引面10aに接触させる。このとき必要であれば電子部品3を樹脂吸引面10aに対して相対的に平行移動させる。これにより、バンプ4の下端部に付着した樹脂5は樹脂吸引面10aによって吸引除去され、付着樹脂量が減少する。
【0035】
そして、付着した樹脂5のうち適量が除去された後には、図5(e)に示すように、電子部品3の下面にバンプ4の高さ寸法よりも小さい膜厚の未硬化連続樹脂膜5aが、またバンプ4の表面には表面樹脂膜5bが形成される(図3(a)参照)。すなわち上記方法は、樹脂塗布工程において、電子部品3を樹脂5に浸漬することにより電子部品3の下面におけるバンプ4の根本部の周囲を含むバンプ4の表面に樹脂5を付着させる樹脂付着動作と、この樹脂付着動作後にバンプ4の下端部に付着した樹脂5の量を減少させる樹脂除去動作とを行う形態となっている。
【0036】
なお上記実施の形態では、半田によって形成されたバンプ4を加熱により電極2に半田接合する例を示したが、バンプ4の材質として半田以外の金や銅などの導電性の金属を用いてもよい。この場合には、電極2として、表面に半田プリコートや印刷などの方法によって予め供給された半田を備えたものを用いる。そして樹脂5が塗布された電子部品3を電極2に搭載し、リフローによって加熱することにより、電極2上の半田が溶融してバンプ4が電極2に半田接合される。この場合においても、バンプ4と電極2との半田接合部は、同様に第2樹脂部5Bによって覆われて補強される。
【0037】
図6は、多数のバンプ4が形成された電子部品3’における樹脂補強範囲を示している。上記実施の形態では電子部品3のバンプ4の根本部全てを連続樹脂膜5Cによって補強する例を示したが、図6のように電子部品3’のコーナ部に位置する複数のバンプ4を含むバンプ補強範囲Rのみを対象として、連続樹脂膜5Cおよび第2樹脂部5B(図1参照)を形成するようにしてもよい。これにより、電子部品3’のバンプ4のうち、実装後の使用状態での応力分布において高い応力が集中しやすいコーナ部を選択的に補強することができるとともに、電子部品3’の内部における空隙部6の範囲が大きくなり、リフロー時の脱ガス効果を確保することができる。
【0038】
【発明の効果】
本発明によれば、電子部品の下面にバンプの根本部の周囲を覆って形成された第1樹脂部と、基板の上面にバンプと電極との接合部を覆って形成された第2樹脂部とを備え、第1樹脂部が隣接するバンプの第1樹脂部と電子部品の下面において相互に連結して連続樹脂膜を形成し、この連続樹脂膜の下方に樹脂が存在しない空隙部を形成するようにしたので、バンプの根本部を有効に補強するとともに、リフロー時の脱ガスを確保して、実装後の接合部の信頼性を確保しながら十分な補強効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の電子部品実装構造の側断面図
【図2】本発明の一実施の形態の電子部品実装方法の工程説明図
【図3】本発明の一実施の形態の電子部品実装方法の工程説明図
【図4】本発明の一実施の形態の電子部品実装方法の工程説明図
【図5】本発明の一実施の形態の電子部品実装方法の工程説明図
【図6】本発明の一実施の形態の電子部品実装構造の平断面図
【符号の説明】
1 基板
2 電極
3 電子部品
4 バンプ
5 樹脂
5A 第1樹脂部
5B 第2樹脂部
5a 未硬化連続樹脂膜
5b 表面樹脂膜
5C 連続樹脂膜
6 空隙部
7 スタンプ台
Claims (7)
- 下面にバンプが突設された電子部品を基板に実装する電子部品実装方法であって、前記電子部品の下面及びこの下面における前記バンプの根本部の周囲を含むバンプの表面に粘性液体状の樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、表面に樹脂が塗布された前記バンプを基板の電極に搭載する工程と、リフロー工程によりバンプと基板の電極を接合する工程とを含み、前記樹脂塗布工程において前記電子部品の下面に塗布されて隣接するバンプ間で相互に連結して形成される連続樹脂膜の膜厚を前記バンプの高さ寸法よりも小さくすることにより、リフロー時における連続樹脂膜の下方にガス成分の脱気孔としての空隙部を形成することを特徴とする電子部品実装方法。
- 前記樹脂塗布工程において、前記樹脂が膜状に塗布された可撓性部材の前記樹脂塗布面に対して前記電子部品を押圧してバンプを前記可撓性部材に埋入させることにより、前記電子部品の下面及びこの下面におけるバンプの根本部の周囲に樹脂を塗布するとともに、下端部を含むバンプの表面を樹脂で覆うことを特徴とする請求項1記載の電子部品実装方法。
- 前記樹脂塗布工程において、表面に前記粘性液体状の樹脂が膜状に塗布された可撓性部材の前記樹脂塗布面に対して前記電子部品を押圧してバンプを前記可撓性部材に埋入させることにより、前記電子部品の下面及びこの下面におけるバンプの根本部の周囲に樹脂を塗布する第1塗布動作と、第1塗布動作後にバンプの下端部に樹脂を追加塗布する第2塗布動作とを行うことを特徴とする請求項1記載の電子部品実装方法。
- 前記樹脂塗布工程において、電子部品を粘性液体状の樹脂に浸漬することにより前記電子部品の下面及びこの下面におけるバンプの根本部の周囲を含むバンプの表面に樹脂を付着させる樹脂付着動作と、この樹脂付着動作後にバンプの下端部に付着した樹脂の量を減少させる樹脂除去動作とを行うことを特徴とする請求項1記載の電子部品実装方法。
- 前記バンプの材質が半田であり、バンプを加熱により溶融させて前記電極に接合することを特徴とする請求項2乃至4記載の電子部品実装方法。
- 前記電極の表面に前記バンプを接合するための半田を備え、この半田を加熱により溶融させて前記バンプを接合することを特徴とする請求項2乃至4記載の電子部品実装方法。
- 前記樹脂が加熱によって半田表面の酸化膜を除去する機能を有することを特徴とする請求項5又は6記載の電子部品実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001240817A JP3608536B2 (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 電子部品実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001240817A JP3608536B2 (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 電子部品実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003059970A JP2003059970A (ja) | 2003-02-28 |
JP3608536B2 true JP3608536B2 (ja) | 2005-01-12 |
Family
ID=19071371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001240817A Expired - Fee Related JP3608536B2 (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 電子部品実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3608536B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220208671A1 (en) * | 2017-01-17 | 2022-06-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor-mounted product |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7047633B2 (en) * | 2003-05-23 | 2006-05-23 | National Starch And Chemical Investment Holding, Corporation | Method of using pre-applied underfill encapsulant |
KR100611394B1 (ko) * | 2003-11-20 | 2006-08-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의패턴 형성 방법 |
JP4747865B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2011-08-17 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2010087047A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ、電子機器、およびプリント回路基板の製造方法 |
US8450859B2 (en) * | 2008-10-27 | 2013-05-28 | Panasonic Corporation | Semiconductor device mounted structure and its manufacturing method |
US8451620B2 (en) | 2009-11-30 | 2013-05-28 | Micron Technology, Inc. | Package including an underfill material in a portion of an area between the package and a substrate or another package |
FR2954588B1 (fr) * | 2009-12-23 | 2014-07-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'assemblage d'au moins une puce avec un element filaire, puce electronique a element de liaison deformable, procede de fabrication d'une pluralite de puces, et assemblage d'au moins une puce avec un element filaire |
CN101894772B (zh) * | 2010-06-28 | 2012-05-23 | 华为终端有限公司 | 增强芯片焊点可靠性的方法、印刷电路板及电子设备 |
JP5463328B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2014-04-09 | 株式会社タムラ製作所 | パッケージ部品の接合方法およびその方法に用いる熱硬化性樹脂組成物 |
JP5967489B2 (ja) * | 2011-04-04 | 2016-08-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 実装構造体 |
TWI460796B (zh) * | 2011-07-25 | 2014-11-11 | Advanced Semiconductor Eng | 具有保護層的半導體封裝及其製作方法 |
KR101607790B1 (ko) | 2012-01-17 | 2016-03-30 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조 방법 및 반도체 장치 |
JP5869911B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2016-02-24 | 株式会社タムラ製作所 | 熱硬化性樹脂組成物 |
TWI627226B (zh) * | 2013-08-02 | 2018-06-21 | 美商阿爾發金屬化工公司 | 用於密封之雙側強化助焊劑 |
JP2018056234A (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | キヤノン株式会社 | プリント回路板、電子機器及びプリント回路板の製造方法 |
-
2001
- 2001-08-08 JP JP2001240817A patent/JP3608536B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220208671A1 (en) * | 2017-01-17 | 2022-06-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor-mounted product |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003059970A (ja) | 2003-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3608536B2 (ja) | 電子部品実装方法 | |
US6981317B1 (en) | Method and device for mounting electronic component on circuit board | |
US6661104B2 (en) | Microelectronic assembly with pre-disposed fill material and associated method of manufacture | |
JP2861965B2 (ja) | 突起電極の形成方法 | |
US8418358B2 (en) | Wiring board with built-in component and method for manufacturing wiring board with built-in component | |
JP2000058709A (ja) | 突起電極構造および突起電極形成方法 | |
WO2001086716A1 (en) | Semiconductor device mounting circuit board, method of producing the same, and method of producing mounting structure using the same | |
US20080206587A1 (en) | Method of manufacturing an electronic component and an electronic device | |
JP2012079876A (ja) | 電子装置の製造方法及び電子装置 | |
JP2001015551A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US6998293B2 (en) | Flip-chip bonding method | |
JP5036397B2 (ja) | チップ内蔵基板の製造方法 | |
JP2005340448A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP3972209B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP4129837B2 (ja) | 実装構造体の製造方法 | |
JP3570229B2 (ja) | 半田接合方法および半田接合用の熱硬化性樹脂 | |
JP3726782B2 (ja) | 電子装置の実装方法 | |
JP3708478B2 (ja) | 電子部品の実装方法 | |
JP2010153670A (ja) | フリップチップ実装方法と半導体装置 | |
JPH0831871A (ja) | 電子部品を表面実装する際に使用する界面封止用フィルム、及び電子部品の表面実装構造 | |
JP3923248B2 (ja) | 回路基板への電子部品の実装方法及び回路基板 | |
KR100746365B1 (ko) | 플립칩 실장용 기판의 제조방법 | |
JP2000100868A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4633895B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000174039A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040622 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040823 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040921 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041004 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071022 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081022 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101022 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111022 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121022 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |