JP2003167551A - 画素回路の駆動方法、画素回路及びこれを用いたｅｌ表示装置並びに駆動制御装置 - Google Patents

画素回路の駆動方法、画素回路及びこれを用いたｅｌ表示装置並びに駆動制御装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドライビングＴＦＴへの供給電圧を保持する
コンデンサの容量を増大することなく、スイッチングＴ
ＦＴの寄生容量に基づくキックバック電圧を減少させる
ことにより、ＯＬＥＤ表示装置における正しい階調表示
を可能とする。 【解決手段】 スイッチングＴＦＴ１３にて充電され、
ＯＬＥＤ１１を駆動するドライビングＴＦＴ１２のオン
オフの状態を維持するコンデンサ１４は、走査順で１つ
前のスイッチングＴＦＴ１３を駆動する走査線２２に接
続される。そして、このコンデンサ１４は、スイッチン
グＴＦＴ１３にて充電された後、この走査線２２からの
信号により、このスイッチングＴＦＴ１３の寄生容量に
よるドライビングＴＦＴ１２のゲート電圧の降下に対抗
するための電位をさらに与えられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（Electr
o Luminescence：電界発光）ディスプレイにおけるＯＬ
ＥＤ画素回路の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータ装置の表示装置やテレビモ
ニタに用いられるフラットパネルディスプレイとして、
有機ＥＬ（Electro Luminescence：電界発光）ディスプ
レイが期待されている。この有機ＥＬディスプレイの駆
動方式としては、クロストークをなくした高画質の表示
を実現できるアクティブマトリクス駆動方式を採ること
が好ましい。
【０００３】このアクティブマトリクス駆動方式では、
有機ＥＬを用いたＥＬ素子であるＯＬＥＤ（Organic Li
ght Emitting Diode：有機発光ダイオード）のスイッチ
ング素子として、一般にＴＦＴ（Thin Film Transisto
r）が用いられる。図７は、ＴＦＴにて駆動されるＯＬ
ＥＤ画素回路の一般的な構成を示す図である。図７を参
照すると、従来のＯＬＥＤ画素回路は、発光素子である
ＯＬＥＤ７１１と、ＯＬＥＤ７１１を駆動するためのド
ライビングＴＦＴ７１２、スイッチングＴＦＴ７１３
と、コンデンサ７１４とを備える。
【０００４】ドライビングＴＦＴ７１２は、ゲート電極
がスイッチングＴＦＴ７１３及びコンデンサ７１４に接
続されており、当該ゲート電極に電圧が印加されると、
電源供給線（Supply line）７２１の駆動電流をＯＬＥ
Ｄ７１１に供給し、ＯＬＥＤ７１１を発光させる。スイ
ッチングＴＦＴ７１３は、ゲート電極が走査線（Scan l
ine）７２２に接続されており、この走査線７２２の駆
動電圧によって、ドライビングＴＦＴ７１３のゲート電
極へ、信号線（Signal line）７２３から得られる電圧
を印加する。コンデンサ７１４は、スイッチングＴＦＴ
７１３に接続すると共に、コンデンサ用の定電圧線（Ca
pacitor line）７２４に接続されており、スイッチング
ＴＦＴ７１３にて充電され、ドライビングＴＦＴ７１２
のゲート電極に印加されるべき電圧を保持する。この定
電圧線７２４は、回路構成により、接地線としたり、電
源供給線７２１にて兼用したりすることができる。
【０００５】ところで、ＴＦＴには、電極、絶縁層、半
導体層などの積層構造のために寄生容量が生じるが、ス
イッチングＴＦＴ７１３においては、走査線７２２の信
号波形（走査パルス）がゲート／ソース間の寄生容量Ｃ
ｇｓを経由してコンデンサ７１４に保持されている電位
を変化させる。このコンデンサ７１４の電位を変化させ
る電圧をキックバック電圧（Kick Back Voltage）と呼
ぶ。コンデンサ７１４における電位の変化は、ＯＬＥＤ
７１１を駆動するドライビングＴＦＴ７１２のゲート電
位そのものである。このため、コンデンサ７１４の電位
が下がると、ＯＬＥＤ７１１に供給される駆動電流を減
少させ、ＯＬＥＤ７１１の発光輝度を低下させることと
なる。
【０００６】図８は、走査線７２２の信号波形と、コン
デンサ７１４の電位と、ＯＬＥＤ７１１の発光輝度との
関係を示す図である。図示のように、走査線７２２の信
号波形には、スイッチングＴＦＴ７１３がオンとなるア
ドレッシング区間と、オフとなるドライビング区間とが
ある。図８において、走査線７２２の信号がアドレッシ
ング区間からドライビング区間に切り替わったタイミン
グで、コンデンサ７１４の電位がキックバック電圧分だ
け下がり、ＯＬＥＤ７１１の発光輝度が下がっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、有機Ｅ
Ｌディスプレイの駆動方式としてＴＦＴを用いたアクテ
ィブマトリックス駆動方式を用いた場合、各ＯＬＥＤ画
素回路において、スイッチングＴＦＴに生じる寄生容量
を原因として発生するキックバック電圧により、ＯＬＥ
Ｄの発光輝度を低下させていた。キックバック電圧によ
るゲート電圧の変動は、ＯＬＥＤの駆動電圧−電流−発
光特性におけるリニア領域で生じるため、ＯＬＥＤの駆
動電流の変化に拡大して反映されることとなる。
【０００８】さらに、ＯＬＥＤの発光特性は、駆動電圧
に対して非常に急峻な依存性を有する。そのため、キッ
クバック電圧によるドライビングＴＦＴのゲート電圧の
変化は、ＯＬＥＤの発光輝度を大きく変化させることに
なり、正しい階調表示ができなくなってしまう。また、
有機ＥＬディスプレイ全体として表示ムラが発生してし
まう。
【０００９】図９は、ＯＬＥＤにおける駆動電圧−電流
−発光特性の例を示す図である。図９を参照すると、キ
ックバック電圧の生じるΔVkbの範囲では、わずかな電
圧変化でＯＬＥＤの発光輝度が大きく変化することがわ
かる。
【００１０】このキックバック電圧によるドライビング
ＴＦＴのゲート電圧の変化を小さくする手段としては、
コンデンサの容量を大きくしてキックバック電圧の影響
を相対的に小さくすることが考えられる。しかし、実際
のＯＬＥＤ画素回路において、コンデンサは走査線上に
生成されるため、コンデンサの容量を大きくするために
は走査線の配線幅を太くすることが必要となる。このた
め、ＯＬＥＤ画素回路における発光寄与面積の減少を招
いてしまう。
【００１１】また、発光寄与面積の減少による発光効率
の低下に対処するため、ＯＬＥＤに供給する電流を増大
させることが考えられる。しかし、ＯＬＥＤ（有機Ｅ
Ｌ）は供給される電流の電流密度が増大すると劣化が進
み、寿命の短縮を招くこととなるため、好適な手段とは
言えない。
【００１２】そこで本発明は、スイッチングＴＦＴの寄
生容量に基づくキックバック電圧を減少させることによ
り、ＯＬＥＤ表示装置における正しい階調表示を可能と
することを目的とする。また、本発明は、ドライビング
ＴＦＴへの供給電圧を保持するコンデンサの容量を増大
することなく、スイッチングＴＦＴの寄生容量に基づく
キックバック電圧を減少させることのできるＯＬＥＤ画
素回路及びその駆動方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明は、ＥＬ素子を用いた画素回路の駆動方法として実
現される。この駆動方法は、スイッチングＴＦＴをオン
にして、ＥＬ素子を駆動するドライビングＴＦＴのゲー
ト電極に対して電圧を印加するコンデンサを充電するス
テップと、スイッチングＴＦＴをオフにすると共に、こ
のスイッチングＴＦＴの寄生容量によるドライビングＴ
ＦＴのゲート電圧の降下を補償するための電位を前記コ
ンデンサに与えるステップとを含むことを特徴とする。
【００１４】また、本発明による他の駆動方法は、スイ
ッチングＴＦＴと所定の信号線とに接続されたコンデン
サをこのスイッチングＴＦＴの制御により充電するステ
ップと、充電されたコンデンサに対し、この信号線を介
して、スイッチングＴＦＴのオンオフのタイミングに合
わせてコンデンサへの書き込み電圧を変化させる信号を
供給するステップと、この信号を供給されたコンデンサ
にてドライビングＴＦＴのゲート電圧を調整するステッ
プとを含むことを特徴とする。ここで詳細には、この信
号は、スイッチングＴＦＴがオフになった際に、このス
イッチングＴＦＴの寄生容量に基づくドライビングＴＦ
Ｔのゲート電圧の降下を補償するように電圧が上昇す
る。
【００１５】本発明によるさらに他の駆動方法は、スイ
ッチングＴＦＴのゲート電極と隣接する画素回路のＥＬ
素子を駆動するドライビングＴＦＴのゲート電圧を維持
するためのコンデンサとが接続された走査線に対し、ス
イッチングＴＦＴをオフにするドライビング区間の開始
時から一定の期間、通常のドライビング区間における電
圧よりもさらに低い電圧となるような走査信号を送出す
るステップと、この走査信号により、スイッチングＴＦ
Ｔのオンオフを制御すると共に、コンデンサの電位を調
整するステップとを含むことを特徴とする。ここで詳細
には、この走査信号は、スイッチングＴＦＴをオンにす
るアドレッシング区間に相当する期間、スイッチングＴ
ＦＴの寄生容量に基づく所定値だけ、通常の電圧よりも
電圧が下がる。
【００１６】また、本発明は、次のように構成されたこ
とを特徴とする画素回路として実現することができる。
すなわち、この画素回路は、ＥＬ素子と、このＥＬ素子
に駆動電流を供給するドライビングＴＦＴと、このドラ
イビングＴＦＴのオンオフを制御するスイッチングＴＦ
Ｔと、このスイッチングＴＦＴにて充電され、ドライビ
ングＴＦＴのオンオフの状態を維持するコンデンサとを
備える。そして、このコンデンサは、充電された後、ス
イッチングＴＦＴの寄生容量によるドライビングＴＦＴ
のゲート電圧の降下を補償するための電位をさらに与え
られることを特徴とする。ここで、より好ましくは、こ
のコンデンサは、走査順で１つ前のスイッチングＴＦＴ
を駆動する走査線に接続され、この走査線に供給される
走査信号にて、ドライビングＴＦＴのゲート電圧の降下
を補償するための電位を与えられる。
【００１７】また、本発明の他の画素回路は、上記と同
様に構成された画素回路において、上記のコンデンサ
は、走査順で１つ前のスイッチングＴＦＴを駆動する走
査線に接続され、この走査線に供給される走査信号にて
電位を制御されることを特徴とする。ここで、このコン
デンサは、スイッチングＴＦＴをオフにするドライビン
グ区間の開始時から一定の期間経過後に、スイッチング
ＴＦＴの寄生容量に基づく所定値だけ電圧が上がる走査
信号を供給される。
【００１８】さらにまた、本発明における他の画素回路
は、ＥＬ素子と、このＥＬ素子に駆動電流を供給するド
ライビングＴＦＴと、このドライビングＴＦＴのオンオ
フを制御するスイッチングＴＦＴと、このスイッチング
ＴＦＴにて充電され、このドライビングＴＦＴのオンオ
フの状態を維持するコンデンサと、ドライビングＴＦＴ
に対して描画タイミングを指示する走査信号を供給する
と共に、走査順で１つ後の画素回路におけるコンデンサ
に対してこのコンデンサの電位を制御する制御信号を供
給する走査線とを備えたことを特徴とする。
【００１９】また、本発明は、上記のように構成された
画素回路を縦横に並べたアレイと、この画素回路のアレ
イ間に平行に複数本設けられ、この画素回路に走査信号
を供給する走査線とを備えたＥＬ表示装置としても実現
される。
【００２０】さらに本発明は、そのようなＥＬ表示装置
の駆動を制御する駆動制御装置としても実現される。こ
の駆動制御装置は、スイッチングＴＦＴをオンにするア
ドレッシング区間とオフにするドライビング区間とを有
し、ドライビング区間の開始時からアドレッシング区間
と同じ期間、通常のドライビング区間における電圧より
もさらに低い電圧となるような走査信号を生成する走査
信号生成手段と、この走査信号生成手段にて生成された
走査信号を走査線に送出する送出手段とを備えたことを
特徴とする。
【００２１】また、本発明の他の駆動制御装置は、スイ
ッチングＴＦＴのオンオフのタイミングに合わせてコン
デンサへの書き込み電圧を、このスイッチングＴＦＴの
寄生容量によるドライビングＴＦＴのゲート電圧の降下
をうち消すように変化させる信号を生成する信号生成手
段と、この信号生成手段にて生成された信号を、コンデ
ンサに接続された信号線に送出する送出手段とを備えた
ことを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に示す実施の形態
に基づいて、この発明を詳細に説明する。本実施の形態
のＯＬＥＤ画素回路は、ＴＦＴをスイッチング素子とす
るアクティブマトリクス駆動方式にて駆動する。図１
は、本実施の形態によるＯＬＥＤ画素回路の構成を示す
図である。図１を参照すると、本実施の形態のＯＬＥＤ
画素回路は、格子状に配設された電源供給線（Supply l
ine）２１、走査線（Scan line）２２、信号線（Signal
line）２３に囲まれた空間に、発光素子であるＯＬＥ
Ｄ１１と、ＯＬＥＤ１１を駆動するためのドライビング
ＴＦＴ１２、スイッチングＴＦＴ１３と、コンデンサ１
４とを備えて構成される。そして、このＯＬＥＤ画素回
路を縦横に並べた画素アレイにより、有機ＥＬディスプ
レイの表示パネルが形成される。
【００２３】図２は、図１に示したＯＬＥＤ画素回路に
て有機ＥＬディスプレイの表示パネルが形成されている
様子を概略的に示す図である。図２において、駆動制御
部３０は、表示パネルに画像を表示する際の描画タイミ
ングを指示する走査パルスを生成する走査パルス生成手
段と、当該走査パルスを各ＯＬＥＤ画素回路に供給する
ために走査線２２へ出力する出力手段とを備える。図示
の表示パネルにおいて、駆動制御部３０から送信された
走査パルスにより、図示された矢印の走査順で、各走査
線２２の駆動電圧（信号波形のアドレッシング区間とド
ライビング区間）が切り替わるものとする。なお、図２
は本実施の形態における特徴的な構成のみを記載してい
る。特に図示しないが、有機ＥＬディスプレイは、実際
には電源供給線２１に電力を供給する電源や、信号線２
３に画像データに基づく描画信号を供給する描画制御手
段が設けられることは言うまでもない。
【００２４】図１において、ＯＬＥＤ１１は、ドライビ
ングＴＦＴ１２を介して接続された電源供給線（Supply
line）２１から駆動電流を供給されて発光する。ドラ
イビングＴＦＴ１２は、ゲート電極がスイッチングＴＦ
Ｔ１３及びコンデンサ１４に接続されており、当該ゲー
ト電極に電圧が印加されると、電源供給線２１の駆動電
流をＯＬＥＤ１１に供給し、ＯＬＥＤ１１を発光させ
る。スイッチングＴＦＴ１３は、ゲート電極が走査線
（Scan line）２２に接続されており、この走査線２２
を介して走査パルスによる駆動電圧によって、ドライビ
ングＴＦＴ１２のゲート電極へ、信号線（Signal lin
e）２３から得られる電圧を印加する。コンデンサ１４
は、スイッチングＴＦＴ１３に接続すると共に、走査順
で１本前の走査線２２に接続されており（図２を併せて
参照）、スイッチングＴＦＴ１３にて充電され、ドライ
ビングＴＦＴ１２のゲート電極に印加されるべき電圧を
保持する。コンデンサ１４を走査線２２に接続したた
め、図７に示したようなコンデンサ７１４用の定電圧線
は設けられていない。
【００２５】本実施の形態では、上記のように構成され
たＯＬＥＤ画素回路において、走査線２２の走査パルス
における信号波形を工夫することにより、スイッチング
ＴＦＴ１３の寄生容量によるキックバック電圧を減少さ
せる。図３は、本実施の形態における走査線２２の走査
パルスの信号波形を示す図である。図３に示すように、
本実施の形態における走査線２２の走査パルスの信号波
形は、スイッチングＴＦＴ１３がオフとなるドライビン
グ区間における電圧として、２段階の電圧が設定されて
いる。このうち、値の低い方の電圧を調整電圧、高い方
の電圧を通常電圧と呼ぶことにする。
【００２６】ドライビング区間における調整電圧と通常
電圧との電位差は、スイッチングＴＦＴ１３の寄生容量
に寄って生ずるキックバックによる電圧低下を補償する
ものである。キックバック電圧ΔVkbは、次の数１式で
計算される。なお、ΔＶｇはドライビングＴＦＴ１２の
ゲート電極に印加される電圧、ＣｇｓはスイッチングＴ
ＦＴ１３の寄生容量、Ｃｓはコンデンサ１４の容量であ
る。
【数１】
【００２７】所定の走査線２２ａにおいて、アドレッシ
ング区間が終了し、ドライビング区間に切り替わると、
まず調整電圧まで電圧が下がる。この調整電圧は、次に
アドレッシング区間となった走査線２２ｂ（すなわち走
査順が１本後の走査線２２）におけるアドレッシング区
間の間継続し、当該走査線２２ｂがドライビング区間に
切り替わると、走査線２２ａは通常電圧となる。このと
き、ドライビング区間に切り替わった走査線２２ｂで
は、調整電圧となっている。
【００２８】すなわち、所定のＯＬＥＤ画素回路におい
て、走査線２２がアドレッシング区間にある場合、コン
デンサ１４が接続されている１本前の走査線２２ではド
ライビング区間における調整電圧となっている。そし
て、当該ＯＬＥＤ画素回路の走査線２２がアドレッシン
グ区間からドライビング区間に切り替わったとき、同じ
タイミングで１本前の走査線２２における電圧が調整電
圧から通常電圧へ切り替わる。これにより、コンデンサ
１４において、スイッチングＴＦＴ１３の寄生容量によ
るキックバック電圧分の電圧が補完され、ドライビング
ＴＦＴ１２のゲート電圧に印加される電圧が低下するこ
とを防ぐことができる。なお、所定のＯＬＥＤ画素回路
において、走査線２２がアドレッシング区間となる直前
では、１本前の走査線２２がアドレッシング区間である
ことにより、コンデンサ１４に電荷が蓄積されることと
なる。しかしながら、走査線２２における走査タイミン
グと有機ＥＬディスプレイにおける走査線方向のＯＬＥ
Ｄ画素回路の数とを考慮すれば、走査線２２がアドレッ
シング区間である時間はきわめて短いことから、実際の
表示画面への画像表示において、この影響は無視するこ
とができる。
【００２９】図４は、本実施の形態における走査線２２
の信号波形と、コンデンサ１４の電位と、ＯＬＥＤ１１
の発光輝度との関係を示す図である。図４に示すよう
に、本実施の形態によれば、走査線２２の走査パルスが
アドレッシング区間からドライビング区間に切り替わっ
ても、コンデンサ１４においてキックバックによる電位
の低下が起こっておらず、ＯＬＥＤ１１の発光輝度が保
持されている。
【００３０】上記のように本実施の形態では、キックバ
ック電圧が発生するタイミングでコンデンサ１４への印
加電圧を変化させることにより、スイッチングＴＦＴ１
３におけるキックバックの作用を相殺している。したが
って、ＯＬＥＤ画素回路あるいは画素アレイにおいて、
キックバック電圧を低減するためのハードウェア的な措
置を行う必要がない。すなわち、キックバック電圧の影
響を小さくするために、走査線２２の配線幅を太くして
コンデンサ１４の容量を大きくする必要がないため、Ｏ
ＬＥＤ画素回路における発光寄与面積を減少させること
がない。
【００３１】そして、発光寄与面積が減少しないことに
より、ＯＬＥＤ画素回路の発光効率を上げるためにＯＬ
ＥＤ１１に供給する電流を増大させる必要も生じないた
め、ＯＬＥＤ１１の寿命を不必要に短縮してしまうこと
もない。
【００３２】また、ディスプレイ装置の大型化や高精細
化が進むと、走査線２２における走査タイミングが短く
なるが、従来のようにコンデンサ１４の容量を大きくし
てキックバック電圧を抑制しようとすると、走査タイミ
ングに合わせて高速にコンデンサ１４を充電しなければ
ならないため、スイッチングＴＦＴ１３を大きくしたり
信号線２３の配線幅を太くして電流量を増加したりする
ことが必要となる。この場合、スイッチングＴＦＴ１３
を大きくすることによって寄生容量も増加するため、キ
ックバック電圧を抑制するために、コンデンサ１４の容
量を大きくしなければならず、走査線２２の配線幅をさ
らに大きく取らなければならず、ＯＬＥＤ画素回路にお
けるさらなる発光寄与面積の減少を招いてしまう。さら
に、信号線２３の配線幅を太くすることによってもＯＬ
ＥＤ画素回路の発光寄与面積が減少することとなる。こ
れに対して本実施の形態は、上記のようにコンデンサ１
４の容量を大きくすることなく、コンデンサ１４への書
き込み電圧を変化させることのみによってキックバック
電圧を抑制するため、コンデンサ１４を高速充電する必
要があるとしても、スイッチングＴＦＴ１３を大きくし
たり信号線２３の配線幅を太くしたりする度合いを最低
限に留めることができ、ディスプレイの大型化や高精細
化に寄与することができる。
【００３３】なお、上記の例では、コンデンサ１４を走
査順における１本前の走査線２２に接続し、走査線２２
の信号波形によってコンデンサ１４における書き込み電
圧を調整したが、別個の信号線を配線してコンデンサ１
４に接続し、図３及び図４に示した調整電圧及び通常電
圧に相当するような信号を発信することによっても、コ
ンデンサ１４の書き込み電圧を調整してキックバックに
よる電圧の低下を抑制することが可能である。この場
合、有機ＥＬディスプレイの表示パネルに当該別個の信
号線が配線されるため、その分だけ各ＯＬＥＤ画素回路
の発光寄与面積が減少することとなる。したがって必要
であれば、ＯＬＥＤ１１に供給する電流を増加するなど
のハードウェア的な手段を適用することとなる。また、
走査パルスとは別個に信号を生成して供給するため、有
機ＥＬディスプレイにおいて、当該別個の信号線に信号
を供給するための制御手段が設けられることとなる。
【００３４】ところで、１本の走査線２２上に設けられ
た複数のＯＬＥＤ画素回路について考えると、走査線２
２における伝播遅延のため、走査線２２の給電端と終端
では信号波形（走査パルス）に鈍りが生じる。このた
め、実効的なスイッチングＴＦＴ１３のオン時間が短く
なり、コンデンサ１４への書き込み低下（充電不足）が
生じる。
【００３５】図５は、有機ＥＬディスプレイにおける所
定の走査線２２における給電端付近（位置Ａ）、中央付
近（位置Ｂ）、終端付近（位置Ｃ）の各地点を示し、図
６は、これらの各地点における走査線２２の信号波形と
スイッチングＴＦＴ１３を介して得られるコンデンサ１
４の電位（書き込み電圧）との対応を示す図である。図
６を参照すると、位置Ａにおいて、走査線２２の信号波
形は、アドレッシング区間とドライビング区間との境界
が鋭く立ち上がり（または立ち下がり）、方形をなして
いる。これに対し、位置Ｂ、位置Ｃと進むにつれて、ア
ドレッシング区間とドライビング区間との境界における
立ち上がり（または立ち下がり）が鈍り、三角波に近い
形状となっている。このため、アドレッシング区間にお
けるコンデンサ１４の書き込み電圧が、位置Ａから位置
Ｃへ向かうにつれて低下していることがわかる。
【００３６】ここで、図４に示したように、自己発光素
子であるＯＬＥＤ１１を用いたＯＬＥＤ画素回路におい
ては、キックバックによって変化した後のコンデンサ１
４の電位がＯＬＥＤ１１の発光輝度が決定される。した
がって、キックバック電圧分だけ下がった時点でのコン
デンサ１４の電位によるＯＬＥＤ１１の発光輝度を当該
ＯＬＥＤ画素回路（あるいは有機ＥＬディスプレイ）に
おける目的の輝度として設定することにより、有機ＥＬ
ディスプレイにおける輝度均一性を達成することが可能
となる。言い換えれば、伝播遅延を予め見越して、コン
デンサ１４の書き込み不足分を補う書き込み電圧の増加
とキックバック電圧の減少とが互いにうち消し合うよう
にすることによって、ドライビングＴＦＴ１２のゲート
電極への印加電圧を、走査線２２上の位置によらず一定
となるようにする。
【００３７】これは、コンデンサ１４の容量、走査線２
２の配線抵抗と配線容量、スイッチングＴＦＴ１３のＷ
／Ｌを変数として適当なシミュレータを用いたシミュレ
ーションにより定めることができる。このような設計を
行うことにより、図５の位置Ａから位置Ｃへ向かうにつ
れてコンデンサ１４への書き込み電圧が低下し、図６に
示すように位置Ｃではキックバックによる電圧の低下が
ほとんど現れなくなる。
【００３８】なお、このように設計されたＯＬＥＤ画素
回路の画素アレイでは、位置Ａなどの給電端付近では走
査線２２のアドレッシング区間におけるコンデンサ１４
への書き込みは、ＯＬＥＤ１１において目的とする発光
輝度を得るための電圧よりも高い電圧をドライビングＴ
ＦＴ１２に対して印加することとなる。しかしながら、
走査線２２における走査タイミングと有機ＥＬディスプ
レイにおける走査線方向のＯＬＥＤ画素回路の数とを考
慮すれば、走査線２２がアドレッシング区間である時間
はきわめて短いことから、実際の表示画面への画像表示
において、この影響は無視することができる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スイッチングＴＦＴの寄生容量に基づくキックバック電
圧を減少させることにより、ＯＬＥＤ表示装置における
正しい階調表示が可能となる。また、本発明は、ドライ
ビングＴＦＴへの供給電圧を保持するコンデンサの容量
を増大することなく、スイッチングＴＦＴの寄生容量に
基づくキックバック電圧を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本実施の形態によるＯＬＥＤ画素回路の構成
を示す図である。
【図２】 図１に示したＯＬＥＤ画素回路にて有機ＥＬ
ディスプレイを構成する画素アレイが形成されている様
子を概略的に示す図である。
【図３】 本実施の形態における走査線の信号波形を示
す図である。
【図４】 本実施の形態における走査線の信号波形と、
コンデンサの電位と、ＯＬＥＤの発光輝度との関係を示
す図である。
【図５】 有機ＥＬディスプレイにおける所定の走査線
における給電端付近（位置Ａ）、中央付近（位置Ｂ）、
終端付近（位置Ｃ）の各地点を示す図である。
【図６】 図５に示された各地点における走査線の信号
波形とコンデンサの書き込み電圧との対応を示す図であ
る。
【図７】 ＴＦＴにて駆動されるＯＬＥＤ画素回路の一
般的な構成を示す図である。
【図８】 従来における走査線の信号波形と、コンデン
サの電位と、ＯＬＥＤの発光輝度との関係を示す図であ
る。
【図９】 従来のＯＬＥＤにおける駆動電圧−電流−発
光特性の例を示す図である。
【符号の説明】
１１…ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）、１
２…ドライビングＴＦＴ １２…スイッチングＴＦＴ、１４…コンデンサ、２１…
電源供給線、２２…走査線、２３…信号線、３０…駆動
制御部
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ｄ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ (72)発明者 鈴木 浩 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内 Ｆターム(参考） 3K007 AB01 AB17 DB03 GA04 5C080 AA06 BB05 DD05 EE29 FF11 JJ03 JJ04 JJ05

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用
    いた画素回路の駆動方法において、 スイッチングＴＦＴ（Thin Film Transistor）をオンに
    して、前記ＥＬ素子を駆動するドライビングＴＦＴのゲ
    ート電極に対して電圧を印加するコンデンサを充電する
    ステップと、 前記スイッチングＴＦＴをオフにすると共に、当該スイ
    ッチングＴＦＴの寄生容量による前記ドライビングＴＦ
    Ｔのゲート電圧の降下を補償するための電位を前記コン
    デンサに与えるステップとを含むことを特徴とする画素
    回路の駆動方法。
  2. 【請求項２】 ＥＬ（Electro Luminescence）素子と当
    該ＥＬ素子を駆動するドライビングＴＦＴ（Thin Film
    Transistor）と当該ドライビングＴＦＴのゲート電極に
    電圧を印加するコンデンサとを備えた画素回路の駆動方
    法において、 スイッチングＴＦＴと所定の信号線とに接続された前記
    コンデンサを当該スイッチングＴＦＴの制御により充電
    するステップと、 充電された前記コンデンサに対し、前記信号線を介し
    て、前記スイッチングＴＦＴのオンオフのタイミングに
    合わせて前記コンデンサへの書き込み電圧を変化させる
    信号を供給するステップと、 前記信号を供給された前記コンデンサにて前記ドライビ
    ングＴＦＴのゲート電圧を調整するステップとを含むこ
    とを特徴とする画素回路の駆動方法。
  3. 【請求項３】 前記信号線を介して前記コンデンサに供
    給される信号は、前記スイッチングＴＦＴがオフになっ
    た際に、当該スイッチングＴＦＴの寄生容量に基づく前
    記ドライビングＴＦＴのゲート電圧の降下を補償するよ
    うに電圧が上昇することを特徴とする請求項２に記載の
    画素回路の駆動方法。
  4. 【請求項４】 ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用
    いた画素回路の駆動方法において、 スイッチングＴＦＴ（Thin Film Transistor）のゲート
    電極と隣接する画素回路の前記ＥＬ素子を駆動するドラ
    イビングＴＦＴのゲート電圧を維持するためのコンデン
    サとが接続された走査線に対し、当該スイッチングＴＦ
    Ｔをオフにするドライビング区間の開始時から一定の期
    間、通常のドライビング区間における電圧よりもさらに
    低い電圧となるような走査信号を送出するステップと、 前記走査信号により、前記スイッチングＴＦＴのオンオ
    フを制御すると共に、前記コンデンサの電位を調整する
    ステップとを含むことを特徴とする画素回路の駆動方
    法。
  5. 【請求項５】 前記走査信号は、前記スイッチングＴＦ
    Ｔをオンにするアドレッシング区間に相当する期間、通
    常の電圧よりも電圧が下がることを特徴とする請求項４
    に記載の画素回路の駆動方法。
  6. 【請求項６】 前記走査信号は、前記一定の期間、前記
    スイッチングＴＦＴの寄生容量に基づく所定値だけ、通
    常の電圧よりも電圧が下がることを特徴とする請求項４
    に記載の画素回路の駆動方法。
  7. 【請求項７】 ＥＬ（Electro Luminescence）素子と、 前記ＥＬ素子に駆動電流を供給するドライビングＴＦＴ
    （Thin Film Transistor）と、 前記ドライビングＴＦＴのオンオフを制御するスイッチ
    ングＴＦＴと、 前記スイッチングＴＦＴにて充電され、前記ドライビン
    グＴＦＴのオンオフの状態を維持するコンデンサとを備
    え、 前記コンデンサは、充電された後、前記スイッチングＴ
    ＦＴの寄生容量による前記ドライビングＴＦＴのゲート
    電圧の降下を補償するための電位をさらに与えられるこ
    とを特徴とする画素回路。
  8. 【請求項８】 前記コンデンサは、走査順で１つ前のス
    イッチングＴＦＴを駆動する走査線に接続され、当該走
    査線に供給される走査信号にて、前記ドライビングＴＦ
    Ｔのゲート電圧の降下を補償するための電位を与えられ
    ることを特徴とする請求項７に記載の画素回路。
  9. 【請求項９】 ＥＬ（Electro Luminescence）素子と、 前記ＥＬ素子に駆動電流を供給するドライビングＴＦＴ
    （Thin Film Transistor）と、 前記ドライビングＴＦＴのオンオフを制御するスイッチ
    ングＴＦＴと、 前記スイッチングＴＦＴにて充電され、前記ドライビン
    グＴＦＴのオンオフの状態を維持するコンデンサとを備
    え、 前記コンデンサは、走査順で１つ前のスイッチングＴＦ
    Ｔを駆動する走査線に接続され、当該走査線に供給され
    る走査信号にて電位を制御されることを特徴とする画素
    回路。
  10. 【請求項１０】 前記コンデンサは、前記スイッチング
    ＴＦＴをオフにするドライビング区間の開始時から一定
    の期間経過後に、前記スイッチングＴＦＴの寄生容量に
    基づく所定値だけ電圧が上がる走査信号を供給されるこ
    とを特徴とする請求項９に記載の画素回路。
  11. 【請求項１１】 ＥＬ（Electro Luminescence）素子
    と、 前記ＥＬ素子に駆動電流を供給するドライビングＴＦＴ
    （Thin Film Transistor）と、 前記ドライビングＴＦＴのオンオフを制御するスイッチ
    ングＴＦＴと、 前記スイッチングＴＦＴにて充電され、前記ドライビン
    グＴＦＴのオンオフの状態を維持するコンデンサと、 前記ドライビングＴＦＴに対して描画タイミングを指示
    する走査信号を供給すると共に、走査順で１つ後の画素
    回路における前記コンデンサに対して当該コンデンサの
    電位を制御する制御信号を供給する走査線とを備えたこ
    とを特徴とする画素回路。
  12. 【請求項１２】 ＥＬ（Electro Luminescence）素子を
    用いた画素回路を縦横に並べたアレイと、 前記画素回路のアレイ間に平行に複数本設けられ、前記
    画素回路に描画タイミングを指示する走査信号を供給す
    る走査線とを備え、 前記画素回路は、 前記ＥＬ素子に駆動電流を供給するドライビングＴＦＴ
    （Thin Film Transistor）と、 前記ドライビングＴＦＴのオンオフを制御するスイッチ
    ングＴＦＴと、 前記スイッチングＴＦＴにて充電され、前記ドライビン
    グＴＦＴのオンオフの状態を維持するコンデンサとを備
    え、 前記走査線は、前記走査信号と共に、前記コンデンサの
    電位を制御する制御信号を供給することを特徴とするＥ
    Ｌ表示装置。
  13. 【請求項１３】 前記走査線は、前記スイッチングＴＦ
    Ｔと、走査順で１つ後の前記画素回路における前記コン
    デンサとに接続され、当該コンデンサの電位を制御する
    制御信号を供給することを特徴とする請求項１２に記載
    のＥＬ表示装置。
  14. 【請求項１４】 前記走査線を介して供給される走査信
    号は、前記スイッチングＴＦＴをオフにするドライビン
    グ区間の開始時から、当該スイッチングＴＦＴをオンに
    するアドレッシング区間と同じ期間、前記スイッチング
    ＴＦＴをオフにするドライビング区間における通常の電
    圧よりも低い電圧となることを特徴とする請求項１３に
    記載のＥＬ表示装置。
  15. 【請求項１５】 ＥＬ（Electro Luminescence）素子を
    用いた画素回路を縦横に並べたアレイと、 前記画素回路のアレイ間に平行に複数本設けられ、前記
    画素回路に描画タイミングを指示する走査信号を供給す
    る走査線とを備え、 前記画素回路は、 前記ＥＬ素子に駆動電流を供給するドライビングＴＦＴ
    （Thin Film Transistor）と、 前記ドライビングＴＦＴのオンオフを制御するスイッチ
    ングＴＦＴと、 前記スイッチングＴＦＴと走査順で１つ前の走査線とに
    接続され、当該スイッチングＴＦＴにて充電されて前記
    ドライビングＴＦＴのゲート電極に電圧を印加するコン
    デンサとを備え、 前記コンデンサは、充電された後、前記走査線を介して
    前記スイッチングＴＦＴの寄生容量による前記ドライビ
    ングＴＦＴのゲート電圧の降下を補償するための電位を
    さらに与えられることを特徴とするＥＬ表示装置。
  16. 【請求項１６】 ＥＬ（Electro Luminescence）素子を
    用いた画素回路を縦横に並べたアレイと、前記画素回路
    に描画タイミングを指示する走査信号を供給する走査線
    とを備えたＥＬ表示装置の駆動を制御する駆動制御装置
    において、 スイッチングＴＦＴをオンにするアドレッシング区間と
    オフにするドライビング区間とを有し、当該ドライビン
    グ区間の開始時から当該アドレッシング区間と同じ期
    間、通常のドライビング区間における電圧よりもさらに
    低い電圧となるような走査信号を生成する走査信号生成
    手段と、 前記走査信号生成手段にて生成された走査信号を前記走
    査線に送出する送出手段とを備えたことを特徴とする駆
    動制御装置。
  17. 【請求項１７】 ＥＬ（Electro Luminescence）素子を
    用いた画素回路を縦横に並べたアレイを備えたＥＬ表示
    装置の駆動を制御する駆動制御装置において、 スイッチングＴＦＴのオンオフのタイミングに合わせて
    コンデンサへの書き込み電圧を、当該スイッチングＴＦ
    Ｔの寄生容量によるドライビングＴＦＴのゲート電圧の
    降下をうち消すように変化させる信号を生成する信号生
    成手段と、 前記信号生成手段にて生成された信号を、前記コンデン
    サに接続された信号線に送出する送出手段とを備えたこ
    とを特徴とする駆動制御装置。
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