KR101102021B1

KR101102021B1 - 일렉트로 루미네센스 표시소자

Info

Publication number: KR101102021B1
Application number: KR1020040079539A
Authority: KR
Inventors: 오두환
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2004-10-06
Filing date: 2004-10-06
Publication date: 2012-01-04
Also published as: CN100421135C; CN1758302A; GB0513328D0; US20060071883A1; GB2419020A; US7573443B2; KR20060030682A; GB2419020B

Abstract

본 발명은 전류구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자에 관한 것이다.

본 발명의 실시 예에 따른 전류구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자는 다수의 컬럼라인과; 상기 다수의 컬럼라인과 교차하고 제1 스캔신호가 공급되는 다수의 제1 로우라인과; 상기 다수의 컬럼라인과 교차하고 상기 제1 스캔신호보다 늦은 제2 스캔신호가 공급되는 다수의 제2 로우라인과; 상기 컬럼라인과 상기 제1 및 제2의 로우라인에 의해 정의되는 화소영역에 형성되는 유기발광소자와; 게이트가 상기 제1 로우라인에 접속되고, 드레인이 상기 컬럼라인에 접속되는 제1 스위치와; 게이트가 상기 제1 로우라인에 접속되고, 드레인이 상기 제1 스위치의 소스에 접속되는 제2 스위치와; 게이트가 상기 제2 로우라인에 접속되고, 드레인이 상기 제2 스위치의 소오스에 접속되는 제3 스위치와; 고전위 전압과 상기 제3 스위치의 소오스 사이에 접속되는 스토리지 캐패시터와; 게이트가 상기 제3 스위치의 소오스에 접속되고, 소오스가 상기 고전위 전압에 접속되며, 드레인이 상기 제1 스위치의 소오스와 상기 제2 스위치의 드레인 사이에 접속되는 구동 트랜지스터와; 게이트가 상기 제2 로우라인에 접속되고, 소오스가 상기 구동 트랜지스터의 드레인에 접속되며, 드레인이 상기 유기발광소자에 접속되는 제4 스위치를 구비하고; 상기 제3 스위치는 상기 제1 및 제2 스위치와 상보적으로 동작하여 상기 제1 로우라인의 전압변동시 발생되는 킥백전압을 보상하도록, 상기 제3 스위치의 소오스 단자와 드레인 단자는 서로 쇼트되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

일렉트로 루미네센스 표시소자{Electro-Luminescence Display Device}

도 1은 종래의 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자의 화소영역을 나타낸 도면이다.

도 2는 도 1의 구동 파형을 나타낸 도면이다.

도 3은 도 1의 기생 캐패시터를 나타낸 도면이다.

도 4는 도 3에 의한 전압 변화를 나타낸 도면이다.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자를 나타낸 도면이다.

도 6a 및 도 6b는 도 5의 화소구조를 상세히 나타낸 도면이다.

도 7은 제1 스캔라인에 의한 도 6a의 신호 흐름도를 나타낸 도면이다.

도 8은 제2 스캔라인에 의한 도 6a의 신호 흐름도를 나타낸 도면이다.

도 9는 도 6a의 기생 캐패시터를 나타낸 도면이다.

도 10은 도 9에 따른 전압 변화량을 나타낸 도면이다.

< 도면의 주요부분에 대한 설명>

10, 80 : 구동 스위치 Scan1 : 제1 스캔라인

Scan2 : 제2 스캔라인 DATA : 데이터 라인

S/W : 스위치 D-TFT : 구동 트랜지스터

본 발명은 전류구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자에 관한 것으로, 특히 화질 불균일을 개선할 수 있는 전류구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자에 관한 것이다.

최근 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시 장치들이 대두되고 있다. 이러한 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel), 일렉트로-루미네센스(Electro-Luminescence : 이하, EL이라 함) 표시 장치, 유기 EL(Organic Light Emitting Display : 이하 "OLED"라 함) 등이 있다.

이러한 OLED는 박막트랜지스터의 유무에 따라 PM(Passive Matrix) 와 AM(Active Matrix)로 나뉘어 질 수 있으며 특히, 대면적 고해상도를 위해서는 박막 트랜지스터를 포함하는 엑티브 메트릭스 타입의 일렉트로 루미네센스 표시소자(Active Matrics Organic Light Emitting Display : 이하 "AMOLED"라 함)가 유리하 다. OLED는 형광성 유기화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 자발광형 디스플레이로 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형 등의 장점을 있다. 또한, 광시야각, 빠른 응답속도 등이 매우 우수하여 차세대 디스플레이 후보로서 각광 받고 있으며, 현재 핸드폰, 카네비게이션, Hand PC 등 다양한 분야에 응용 발전하고 있다.

도 1은 종래의 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자의 화소구조를 상세히 나타낸 도면이다.

도 1을 참조하면, 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자는 전류의 세기에 따라 화소를 구현하는 EL과, EL에 공급되는 전류를 제어하는 스위치부(10)와, 스위치부(10)에 신호를 공급하는 데이터라인(DATA)과 제1 및 제2 스캔라인(Scan1, Scan2)을 구비한다. 이를 상세히 설명하면, 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자는 드레인이 데이터라인(DATA)에 접속되고 게이트가 제1 스캔라인(Scan1)에 접속되는 제1 스위치(S/W1)와, 게이트가 제1 스캔라인(Scan1)에 접속되고 드레인이 제1 스위치(S/W1)의 소오스에 접속되는 제2 스위치(S/W2)와, 고전위 전압(VDD)과 제2 스위치(S/W2)의 소오스 사이에 배치되는 스토리지 캐패시터(Cstg)와, 게이트가 스토리지 캐패시터(Cstg)와 제2 스위치(S/W2)의 소오스 사이에 접속되고 소오스가 고전위 전압(VDD)에 접속되는 구동 트랜지스터(D-TFT)와, 게이트가 제2 스캔라인(Scan2)에 접속되고 소오스가 구동 트랜지스터(D-TFT)의 드레인에 접속되는 제3 스위치(S/W3)와, 제3 스위치(S/W3)의 드레인과 접지(GND) 사이에 접속되는 EL을 구비한다.

이와 같은 구조를 가지는 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자의 구동 방법에 관하여 도 2의 구동파형을 도 1과 대비하여 상세히 살펴보기로 하자.

먼저, 도 2의 A기간에서 로우 전압이 제1 스캔라인(Scan1)으로 흐르게 된다. 이에 따라, 제1 및 제2 스위치(S/W1, S/W2)가 턴-온 되면 구동 트랜지스터(D-TFT)는 다이오드 연결이 형성됨으로써, 전류가 구동 트랜지스터(D-TFT)를 통하여 데이터 라인(DATA)으로 싱크(Sink)된다.

다음 B 기간에서는 제1 및 제2 스위치(S/W1, S/W2)가 턴-오프 되고 스토리지 캐패시터(Cstg)에 의하여 구동 트랜지스터(D-TFT)가 턴-온됨과 아울러, 제2 스캔라인(Scan2)에 공급되는 로우 전압에 의하여 제3 스위치(S/W3)가 턴-온 되어 지정된 데이터 값에 해당되는 전류가 한 프레임동안 EL로 흐르게 된다.

그러나, 이러한 구조를 가지는 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자는 도 3에 도시된 바와 같이 제2 스위치(S/W2)의 게이트와 소오스 사이에 형성되는 제1 기생 캐패시터(C1)와, 제2 스위치(S/W2)의 소오스와 제3 스위치(S/W3)의 소오스 사이에 형성되는 제2 기생 캐패시터(C2)와, 제3 스위치(S/W3)의 게이트와 소오스 사이에 형성되는 제3 기생 캐패시터(C3)를 가지게 된다. 이러한, 기생 캐패시터(C1,C2,C3)의 영향으로 인하여 제1 및 제2 스위치(S/W1, S/W2)가 턴-오프 될 때, 킥 백(Kick Back) 현상이 발생하게 된다. 이를 구체적으로 설명하면, 제1 및 제2 스위치(S/W1, S/W2)가 턴-오프 되고 제3 스위치(S/W3)가 턴-온 될 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 기생 캐패시터(C1)는 구동 트랜지스터(D-TFT)의 게이트 전압을 증가시키는 방향으로 수학식 1에 의해 계산되는 △Vp1 전압만큼 킥 백 현상이 발생하고, 제3 기생 캐패시터(C3)는 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 감소시키는 방향 으로 수학식 2에 의해 계산되는 △Vp2 전압만큼 킥 백 현상이 발생하여 "D" 만큼의 전압 차이를 발생하게 된다.

여기서, △Vgs1은 제1 스위치(S/W1)의 게이트 소오스 간 문턱전압의 변화량이고, △Vgs3은 제3 스위치(S/W3)의 게이트 소오스 간 문턱전압의 변화량이다.

이와 같이 종래의 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자의 특성에 따라 다르게 나타나는 킥 백 현상으로 인하여 화질 불균일이 발생한다.

따라서, 본 발명의 목적은 화질 불균일을 방지할 수 있는 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자를 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 전류구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자는 다수의 컬럼라인과; 상기 다수의 컬럼라인과 교차하고 제1 스캔신호가 공급되는 다수의 제1 로우라인과; 상기 다수의 컬럼라인과 교차하고 상기 제1 스캔신호보다 늦은 제2 스캔신호가 공급되는 다수의 제2 로우라인과; 상기 컬럼라인과 상기 제1 및 제2의 로우라인에 의해 정의되는 화소영역에 형성되는 유기발광소자와; 게이트가 상기 제1 로우라인에 접속되고, 드레인이 상기 컬럼라인에 접속되는 제1 스위치와; 게이트가 상기 제1 로우라인에 접속되고, 드레인이 상기 제1 스위치의 소스에 접속되는 제2 스위치와; 게이트가 상기 제2 로우라인에 접속되고, 드레인이 상기 제2 스위치의 소오스에 접속되는 제3 스위치와; 고전위 전압과 상기 제3 스위치의 소오스 사이에 접속되는 스토리지 캐패시터와; 게이트가 상기 제3 스위치의 소오스에 접속되고, 소오스가 상기 고전위 전압에 접속되며, 드레인이 상기 제1 스위치의 소오스와 상기 제2 스위치의 드레인 사이에 접속되는 구동 트랜지스터와; 게이트가 상기 제2 로우라인에 접속되고, 소오스가 상기 구동 트랜지스터의 드레인에 접속되며, 드레인이 상기 유기발광소자에 접속되는 제4 스위치를 구비하고; 상기 제3 스위치는 상기 제1 및 제2 스위치와 상보적으로 동작하여 상기 제1 로우라인의 전압변동시 발생되는 킥백전압을 보상하도록, 상기 제3 스위치의 소오스 단자와 드레인 단자는 서로 쇼트되어 있는 것을 특징으로 한다.

삭제

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부한 도면들을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.

이하, 도 5 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자는 m 개의 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)과 각각 n 개의 제1 및 제2 스캔 라인들(SL11 내지 SL1n, SL21 내지 SL2n) 사이의 화소영역에 매트릭스 타입으로 배치된 m×n 개의 화소들과, 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)에 데이터를 공급하는 데이터 구동부(72)와, 제1 및 제2 스캔 라인들(SL11 내지 SL1n, SL21 내지 SL2n)에 스캔 신호를 순차적으로 공급하는 스캔 구동부(73)를 구비한다.

이와 같은 구조를 가지는 본 발명의 실시 예에 따른 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자의 화소구조에 대하여 도 6a 및 도 6b를 참조하여 상세히 살펴보기로 하자.

도 6a를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자의 화소구조는 데이터 라인(DL)과 제1 및 제2 스캔라인(SL1, SL2)과, 화소들을 구동하기 위한 구동 스위치(80)와, 구동 스위치(80)에 접속된 스토리지 캐패시터(Cstg)를 구비한다.

구동 스위치(80)는 드레인이 데이터라인(DL)에 접속되고 게이트가 제1 스캔라인(SL1)에 접속되는 제1 스위치(S/W1)와, 게이트가 제1 스캔라인(SL1)에 접속되고 드레인이 제1 스위치(S/W1)의 소오스에 접속되는 제2 스위치(S/W12)와, 게이트가 제2 스캔라인(SL2)에 접속되고 드레인이 제2 스위치(S/W2)의 소오스에 접속되는 제3 스위치(S/W3)와, 고전위 전압(VDD)과 제3 스위치(S/W3)의 소오스 사이에 배치되는 스토리지 캐패시터(Cstg)와, 게이트가 스토리지 캐패시터(Cstg)와 제3 스위치(S/W3)의 소오스 사이에 접속되고 소오스가 고전위 전압(VDD)에 접속되는 구동 트랜지스터(D-TFT)와, 게이트가 제2 스캔라인(SL2)에 접속되고 소오스가 구동 트랜지스터(D-TFT)의 드레인에 접속됨과 아울러 제2 스위치(S/W2)의 드레인에 접속되는 제4 스위치(S/W4)와, 제4 스위치(S/W4)의 드레인과 접지 사이에 접속되는 EL을 구비한다. 여기서 제3 스위치(S/W3)의 소오스와 드레인은 서로 접속되어 도 6b와 같이 캐패시터와 같은 등가형태로 도시될 수 있다.

구동 트랜지스터(D-TFT)는 게이트와 소오스 사이에 스토리지 캐패시터(Cstg)가 접속되어 전압을 스스로 보상하는 자기보상 방식으로 구동된다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자는 이웃하는 화소의 구동 트랜지스터 소자 특성 변화와 관계없이 지정된 데이터 값에 해당되는 전류는 각 EL에 동일하게 흐르게 된다. 또한, 스토리지 캐패시터(Cstg)에 데이터 전압을 충전하여 제1 및 제2 스위치(S/W1, S/W2)가 턴-오프 된 이 후 1 프레임(frame) 동안 데이터 값을 유지하게 된다.

이와 같은 구조를 가지는 본 발명의 실시 예에 따른 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자의 구동방법에 대하여 도 2의 구동파형과 도 6a 내지 도 8을 참조하여 살펴보기로 하자.

먼저, 도 2에 도시된 바와 같이 A기간에서 고전위 전압(VDD)이 제1 스캔라인(SL1)으로 흐르게 된다. 이에 따라, 도 7에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 스위치(S/W1, S/W2)가 턴-온 되게 된다. 이 때, 스토리지 캐패시터(Cstg)에 충전된 고전위 전압(VDD)은 제1 및 제2 스위치(S/W1, S/W2)를 통하여 흐르게 된다. 여기서, 스토리지 캐패시터(Cstg)에 남겨진 전압과 고전위 전압(VDD)간의 전위차 만큼이 구동 트랜지스터(D-TFT)를 거쳐 제1 스위치(S/W1)를 통하여 데이터 라인으로 싱크되게 된다. 예를 들면, 스토리지 캐패시터(Cstg)에 충전된 전하가 2V이고, 고전위 전압이 10V인 경우에 구동 트랜지스터(D-TFT)에는 8V가 흐르게 되고, 이 전압이 제1 스위치(S/W1)를 통하여 데이터 라인으로 싱크된다.

B기간에서는 도 8에 도시된 바와 같이 고전위 전압(VDD)이 제4 스위치(S/W4)를 통하여 EL에 흐르게 되고 이때, 지정된 전류가 EL을 활성화 시켜 화소를 표현하게 된다. 이를 구체적으로 설명하면, 제1 스캔라인(SL1)에 공급되는 전압이 로우 전압에서 하이전압으로 천이되는 동안에 제2 스캔라인(SL2)에 공급되는 전압은 하이 전압에서 로우 전압으로 천이된다. 이에 따라, 제1 및 제2 스위치(S/W1, S/W2)는 턴-오프되게 되고, 제3 및 제4 스위치(S/W3, S/W4)는 턴-온 되게 된다. 이후, 고전위 전압(VDD)은 구동 트랜지스터(D-TFT)를 통하여 제4 스위치(S/W4)를 거쳐서 한 프레임에서 A기간을 제외한 기간동안 EL에 공급되게 된다. 이 고전위 전압(VDD)에 의하여 EL에는 지정된 전류가 흐르게 된다.

이와 같은 구조를 가지는 본 발명의 실시 예에 따른 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자의 기생 캐패시터들은 도 9와 같이 도시될 수 있다.

도 9를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자의 기생 캐패시터들은 제2 스위치(S/W2)의 게이트와 소오스 사이에 형성되는 제1 기생 캐패시터(C1)와, 제2 스위치(S/W2)의 소오스와 제4 스위치(S/W4)의 소오스 사이에 형성되는 제2 기생 캐패시터(C2)와, 제4 스위치(S/W4)의 게이트와 소오스 사이에 형성되는 제3 기생 캐패시터(C3)와, 제3 스위치(S/W3)의 소오스와 제2 스캔라인(SL2)사이에 형성되는 제4 기생 캐패시터(C4)를 포함한다. 여기서, 본 발명의 실시 예에 따른 전류 구동형 일렉트로 루미네센스 표시소자에서 발생하는 킥 백 현상에 대하여 살펴보기로 하자.

먼저, 제1 및 제2 스위치(S/W1, S/W2)가 턴-오프 될 경우에, 제1 기생 캐패시터(C1)에 의해 구동 트랜지스터(D-TFT)의 게이트 전압이 증가하는 방향으로 발생하는 킥 백 현상은 제3 기생 캐패시터(C3) 및 제4 기생 캐패시터(C4)에 의하여 구동 트랜지스터(D-TFT)의 게이트 전압이 감소하는 방향으로 킥 백 현상과 전체적으 로 서로 상쇄되게 된다. 이를 구체적으로 설명하면, 제1 기생 캐패시터(C1)에서는 구동 트랜지스터(D-TFT)의 게이트 전압을 증가시키는 방향으로 수학식 3에 의해 계산되는 △Vp1 전압만큼 킥 백 현상이 발생한다. 이때, 제3 기생 캐패시터(C3)에서는 구동 트랜지스터(D-TFT)의 게이트 전압을 감소시키는 방향으로 수학식 4에 의해 계산되는 △Vp3 전압만큼 킥 백 현상이 발생하며, 제4 기생 캐패시터(C4)도 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 감소시키는 방향으로 수학식 5에 의해 계산되는 △Vp4 전압만큼 킥 백이 발생하여 전체적으로 도 10에 도시된 바와 같이 서로 상쇄되게 된다. 여기서, 제3 스위치(S/W4)의 면적은 제1 및 제2 스위치(S/W1, S/W2)에 의해 발생하는 킥 백을 적절하게 상쇄시킬 수 있는 값으로 실험적으로 설정할 수 있다.

여기서, △Vgs1은 제1 스위치(S/W1)의 게이트 소오스 간 문턱전압의 변화량 이고, △Vgs3은 제3 스위치(S/W3)의 게이트 소오스 간 문턱전압의 변화량이고, △Vgs4는 제4 스위치(S/W4)의 게이트 소오스 간 문턱전압의 변화량이다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 전류 구동형 OLED는 소자 특성에 의하여 발생하는 다양한 크기의 킥 백 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라, EL에 공급되는 전류를 균일하게 유지할 수 있어 전체적으로 화질불량을 억제하여 화질을 개선할 수 있습니다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims

다수의 컬럼라인과;

상기 다수의 컬럼라인과 교차하고 제1 스캔신호가 공급되는 다수의 제1 로우라인과;

상기 다수의 컬럼라인과 교차하고 상기 제1 스캔신호보다 늦은 제2 스캔신호가 공급되는 다수의 제2 로우라인과;

상기 컬럼라인과 상기 제1 및 제2의 로우라인에 의해 정의되는 화소영역에 형성되는 유기발광소자와;

게이트가 상기 제1 로우라인에 접속되고, 드레인이 상기 컬럼라인에 접속되는 제1 스위치와;

게이트가 상기 제1 로우라인에 접속되고, 드레인이 상기 제1 스위치의 소스에 접속되는 제2 스위치와;

게이트가 상기 제2 로우라인에 접속되고, 드레인이 상기 제2 스위치의 소오스에 접속되는 제3 스위치와;

고전위 전압과 상기 제3 스위치의 소오스 사이에 접속되는 스토리지 캐패시터와;

게이트가 상기 제3 스위치의 소오스에 접속되고, 소오스가 상기 고전위 전압에 접속되며, 드레인이 상기 제1 스위치의 소오스와 상기 제2 스위치의 드레인 사이에 접속되는 구동 트랜지스터와;

게이트가 상기 제2 로우라인에 접속되고, 소오스가 상기 구동 트랜지스터의 드레인에 접속되며, 드레인이 상기 유기발광소자에 접속되는 제4 스위치를 구비하고;

상기 제3 스위치는 상기 제1 및 제2 스위치와 상보적으로 동작하여 상기 제1 로우라인의 전압변동시 발생되는 킥백전압을 보상하도록, 상기 제3 스위치의 소오스 단자와 드레인 단자는 서로 쇼트되어 있는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시소자.
제 1 항에 있어서,

상기 제1 및 제2 스위치는 상기 제1 로우라인으로부터 공급된 신호에 의하여 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터로부터의 전압을 상기 컬럼라인으로 싱크시키고;

상기 제4 스위치는 상기 제2 로우라인으로부터 공급된 신호에 의하여 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터로부터의 전압을 상기 유기발광소자에 공급하는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시소자.
제 1 항에 있어서,

상기 제3 스위치는,

상기 제1 및 제2 스위치에 공급되는 상기 제1 스캔신호의 변화에 대응하여 발생하는 킥백전압을 보상하는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시소자.
삭제
제 1 항에 있어서,

상기 킥백전압은 상기 제2 스위치의 게이트와 소오스 사이에 형성되는 제1 기생 캐패시터에 의해 발생되고;

상기 제3 스위치는 자신의 소오스와 상기 제2 로우라인 사이에 제4 기생 캐패시터를 형성하며;

상기 제4 기생 캐패시터는 상기 제4 스위치의 게이트와 소오스 사이에 형성되는 제3 기생 캐패시터와 함께 상기 킥백전압을 상쇄시키는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시소자.
삭제