KR101073355B1 - 유기전계발광소자 및 그 구동방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기전계발광소자 관한 것으로, 특히 전류 구동형 유기전계발광소자에서 화질을 개선하는 유기전계발광소자 및 구동방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자는 자기 보상이 가능한 전류 구동 보상 화소 구조를 제안하며, 데이터 라인을 통해 인가되는 작은 전류값에도 구동 소자의 게이트 전압을 제어하여 낮은 그레이 레벨을 용이하게 표시할 수 있으므로 화질을 개선할 수 있다.
그레이 레벨, 펄스, 트랜지스터, 전류 구동형

Description

유기전계발광소자 및 그 구동방법{Organic Light Emitting Device and the operating method thereof}
도 1은 TFT를 이용하여 유기전계발광소자를 구동하기 위한 종래의 픽셀회로도.
도 2는 일반적인 유기전계발광소자를 구동하기 위한 회로에서 주사선과 평행한 구동전압(Vdd)의 구성을 나타낸 도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 회로도.
도 4는 도 3의 회로를 구동하기 위한 구동 타이밍도.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 회로도.
도 6은 도 5의 회로를 구동하기 위한 타이밍도.
도 7은 본 발명의 제 3 실시에에 따른 유기전계발광소자의 회로도.
도 8은 도 7의 회로를 구동하기 위한 타이밍도.
도 9는 본 발명에 따른 제 4 실시예로서, 유기전계발광소자의 회로도.
도 10은 도 9의 회로를 구동하기 위한 구동 타이밍도.
본 발명은 유기전계발광소자 관한 것으로, 특히 전류 구동형 유기전계발광소자에서 화질을 개선하는 유기전계발광소자 및 구동방법에 관한 것이다.
최근 들어 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판표시장치들이 개발되고 있다.
이러한 평판표시장치들로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 PDP) 및 유기 전계발광(Electro-Luminescence : 이하 EL)소자 등이 있으며, 이와 같은 상기 평판표시장치에 대해서 표시 품질을 높이고, 대화면화를 시도하는 연구들이 활발히 진행되고 있다.
상기 평판표시장치 중 유기전계발광소자는 스스로 발광하는 자발광소자로, 전자 및 정공 등의 캐리어를 이용하여 형광물질을 여기 시킴으로써, 화상 또는 영상을 표시하게 되며, 직류 저전압으로 구동이 가능하고 응답속도가 빠른 장점이 있다.
도 1은 TFT를 이용하여 유기EL 소자를 구동하기 위한 종래의 픽셀회로로서, N ×M 개의 픽셀 중 하나를 대표적으로 도시한 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 유기EL 소자(OLED)에 전류구동형 트랜지스터(M2)가 연결되어 발광을 위한 전류를 공급한다. 전류구동형 트랜지스터(M2)의 전류량은 스위칭 트랜지스터(M1)를 통해 인가되는 데이터 전압에 의해 제어되도록 되어 있다.
이때, 인가된 전압을 일정기간 유지하기 위한 캐패시터(Cst)가 트랜지스터 (M2)의 소스와 게이트 사이에 연결되어 있다. 트랜지스터(M1)의 게이트에는 선택신호선(Select)이 연결되어 있으며, 소스 측에는 데이터선(Vdata)이 연결되어있다.
이와 같은 구조의 픽셀의 동작을 살펴보면, 스위칭 트랜지스터(M1)의 게이트에 인가되는 선택신호(Select)에 의해 트랜지스터(M1)가 온 되면, 데이터선을 통해 데이터 전압(Vdata)이 구동용 트랜지스터(M2)의 게이트에 인가된다.
그리고, 게이트에 인가되는 데이터 전압(Vdata)에 대응하여 트랜지스터(M2)를 통해 유기EL 소자(OLED)에 전류가 흘러 발광이 이루어진다. 이때, 유기 EL 소자에 흐르는 전류는 다음의 수학식 1과 같다.
Figure 112004063240283-pat00001
여기서, IOLED 는 유기EL 소자에 흐르는 전류, Vgs는 트랜지스터(M2)의 소스와 게이트 사이의 전압, Vth는 트랜지스터(M2)의 문턱전압, Vdata는 데이터 전압, β는 상수 값을 나타낸다.
수학식 1에 나타낸 바와 같이, 도 1에 도시한 픽셀 회로에 의하면 인가되는 데이터 전압(Vdata)에 대응하는 전류가 유기EL 소자(OLED)에 공급되고, 공급된 전류에 대응하여 유기EL 소자가 발광하게 된다.
한편, 일반적으로 회로 구동전압(Vdd)은 수평라인으로 구성되거나, 수직라인으로 구성되어 각 셀의 구동용 트랜지스터에 전원을 공급한다. 그런데, 회로구동전 압(Vdd)이 도 2와 같이 수평라인으로 구성될 경우, 분기되어 나온 각 Vdd라인에 걸린 각 셀의 구동용 트랜지스터 중 턴 온된 트랜지스터가 많으면 해당 Vdd 라인에 많은 전류가 흐르게 되고, 이에 따라 라인의 왼쪽과 오른쪽의 전압 차이가 커지게 된다.
이러한 Vdd 라인의 전압강하는 전류량에 비례하는데, 전류량은 해당 라인에 걸린 픽셀 중 턴 온된 픽셀의 개수에 따라 달라지기 때문에, 이에 따라 전압강하량도 달라진다.
따라서, 도 2에서 라인의 오른쪽 픽셀에 인가되는 구동전압(Vdd)이 왼쪽 픽셀에 인가되는 구동전압(Vdd)보다 낮아지고, 오른쪽 픽셀에 위치한 구동용 트랜지스터에 걸리는 전압(Vgs)이 왼쪽 픽셀에 위치한 구동용 트랜지스터에 걸리는 전압(Vgs)보다 낮아지며, 이에 따라 트랜지스터에 흐르는 전류량이 달라져서 휘도 차이가 발생한다.
한편, 전압(Vgs)이 같더라도 제조공정의 불균일성에 의해 TFT의 문턱전압(Vth)에 편차가 발생함으로 인해 유기EL소자(OLED)에 공급되는 전류의 양이 달라져서 발광 휘도가 달라지는 문제점이 있다.
또한, 상기와 같은 구조의 단위 픽셀이 패널의 전영역에 형성되기때문에 픽셀의 위치에 따라 제 2 트랜지스터의 특성이 변화하여 각 픽셀간 휘도차를 유발하며, 그레이 레벨(gray level)을 구현하는 데 한계가 있다.
한편, 이와 같은 전류 구동 화소구조는 소자의 특성변화와 Vdd라인의 전압 강하를 보상할 수 있는 장점을 가지고 있으나 데이터 라인 저항과 캐패시턴스 값이 증가하게 되면 데이터 라인의 충, 방전 문제로 인하여 낮은 그레이 레벨 표시가 어려운 문제가 있다.
본 발명은 자기 보상이 가능한 전류 구동 보상 화소 구조를 제안하며, 데이터 라인을 통해 인가되는 작은 전류값에도 낮은 그레이 레벨을 표시하여 화질을 개선할 수 있는 유기전계발광소자 및 그 구동 방법을 제공하는 데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 유기전계발광소자는, 게이트가 제 1 노드에 연결되고 드레인이 공급전압라인과 연결된 제 1 트랜지스터와; 게이트가 상기 제1 선택신호에 연결되고, 드레인이 유기발광다이오드에 연결된 제 2 트랜지스터와; 게이트가 제 2 선택신호에 연결되고, 드레인이 상기 제 1 노드에 연결된 제 3 트랜지스터와; 게이트가 상기 제 2 선택신호에 연결되고, 드레인이 상기 제 1 트랜지스터와 제 2 트랜지스터 사이로 연결되고 소스는 데이터 전류신호와 연결된 제 4 트랜지스터와; 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 펄스공급선과; 상기 제 1 트랜지스터와 상기 펄스공급선 사이에서 충전되는 캐패시터를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 내지 제 4 트랜지스터는 동일 전도 타입의 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 노드 전압은 상기 펄스에 의해 제어되는 것을 특징으로 한다.
상기 캐패시터에는 데이터 전류값만큼의 전압이 충전되는 것을 특징으로 한 다.
상기 제 1 선택신호와 제 2 선택신호는 동일한 선택신호선에서 발생되는 것을 특징으로 한다.
상기 데이터 전류값과 구동 전류값이 다른 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법은, 다수의 데이터 라인 및 상기 데이터 라인에 교차되게 배열되는 다수의 게이트 라인과, 상기 데이터 라인 및 게이트 라인의 교차부에 발광소자 및 상기 발광소자를 구동시키기 위한 구동 트랜지스터, 캐패시터 및 다수의 스위치 소자가 구비된 각 픽셀이 매트릭스 형태로 형성되는 유기전계발광 소자의 구동방법에 있어서, 제 3, 4 트랜지스터가 턴-온되고 제 2 트랜지스터가 턴-오프됨에 따라, 데이터 라인으로부터 인가되는 데이터 전류값(I_data)에 해당하는 전압 값이 캐패시터에 충전되는 단계와; 상기 제 3, 4 트랜지스터가 소자가 턴-오프되고, 제 3스위치 소자가 턴온되고 펄스신호가 제 1 구동 트랜지스터의 게이트로 입력되는 단계와; 상기 펄스신호가 입력되어 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전압이 증가하여 상기 데이터 전류값(I_data)보다 작은 전류가 구동 전류가 되는 단계를 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명의 다양한 실시예에 따른 유기전계발광소자 및 구동 방법에 대해서 설명한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 회로도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 유기전계발광소자의 한 화소 내에 구동회로로 4개의 TFT(T1, T2, T3, T4)가 구성되어 있으며, 이는 기저전위원(GND)에 접속되어진 EL 셀(OLED)과, 상기 EL 셀(OLED)과 접속되는 EL 셀 구동회로를 구비한다.
여기서, 제 1 PMOS TFT(T1)는 구동 TFT소자이고, 제 2, 3, 4 PMOS TFT(T2, T3, T4)는 스위칭 TFT소자로 구동된다.
상기 EL 셀 구동회로는 EL 셀(OLED)과 접속되어진 제 2 PMOS TFT(T2)와, 상기 제 2 PMOS TFT(T2) 및 공급전압라인(VDD)에 접속되어진 제 1 PMOS TFT(T1)와, 선택 신호선(SEL_N)과 게이트가 연결된 제 3 및 제 4 PMOS TFT(T3, T4)로 구성되어 있으며, 상기 제 4 PMOS TFT(T4)는 데이터 라인으로부터 데이터 전류값(I_data)을 인가받고, 제 2 PMOS TFT(T2)의 게이트는 화소 선택 신호선(EM_N)과 연결된다.
그리고, 상기 제1 PMOS TFT(T1)의 게이트 전극과 펄스공급선(PULSE) 사이에 접속되어진 캐패시터(CST)를 구비한다.
이의 동작을 살펴보면, 도 4에서와 같이 선택신호선(SEL_N)에 로우(LOW) 입력신호가 입력되면 제3 PMOS TFT(T3)와 제4 PMOS TFT(T4)이 턴-온 된다.
그리고, 상기 제3 PMOS TFT(T3)와 제4 PMOS TFT(T4)가 턴-온 되면 데이터 라인으로부터 데이터 전류값인 I_data는 제1 PMOS TFT(T1)와 제2 PMOS TFT(T2) 사이에 흐르게 된다.
상기 제 1 PMOS TFT(T1)의 게이트에 위치하는 A노드(node) 전압은 데이터 라인으로부터의 데이터 전류값인 I_data에 해당하는 전압 값으로 캐패시터 Cst에 충전되고, 이때 화소 선택 신호선에서 하이(HIGH)신호가 입력되어 제 2 PMOS TFT(T2)는 턴-오프되므로 EL 셀(OLED)의 출력 전류는 O이 된다.
상기 캐패시터 Cst는 제1 PMOS TFT(T1)의 게이트 전극과 펄스공급선(PULSE)에 접속되어 펄스공급선(PULSE)의 로우(LOW)입력 시간동안 충전된다.
여기서, 상기 펄스공급선(PULSE)의 펄스 폭은 회로의 구성, 데이터 라인의 로드에 따라 다르게 설계될 수 있다.
이어서, 상기 선택신호선(SEL_N)에서 하이(HIGH)입력이 되면 스위칭 트랜지스터 소자인 제3 PMOS TFT(T3)와 제4 PMOS TFT(T4)가 턴-오프된다.
그리고, 상기 데이터 라인(DL)으로부터 데이터 전류값인 I_data는 제 4 PMOS TFT(T4)에 의해 입력이 차단된다.
이때, 상기 화소선택신호선(EM_N)에서 로우(LOW)입력되면 상기 제 2 PMOS TFT(T2)가 턴-온되므로 제 1 PMOS TFT(T1)의 게이트에 위치하는 A노드 전압값을 유지하고 EL 셀(OLED)의 출력 전류는 I_data 전류와 거의 동일한 값을 가지게 된다.
그런데, OLED 구동시 펄스(PULSE) 신호가 변화하게 되면 제 1 PMOS TFT(T1)의 게이트 A노드에서의 전압은 펄스 신호의 펄스 폭만큼 증가하게 되므로 실제 EL 셀(OLED)의 출력 전류는 I_data보다 작은 전류값이 된다. 따라서 낮은 그레이 레벨(gray level)의 표시가 용이해 진다.
여기서, 상기 펄스공급선(PULSE)의 펄스 폭은 회로의 구성, 데이터 라인의 로드에 따라 다르게 설계될 수 있다.
본 화소 구조는 프로그램된 데이터 전류와 구동 전류의 값을 다르게 하여 구동할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 회로도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 유기전계발광소자의 한 화소 내에 구동회로로 4개의 TFT(T1, T2, T3, T4)가 구성되어 있으며, 이는 기저전위원(GND)에 접속되어진 EL 셀(OLED)과, 상기 EL 셀과 접속되는 EL 셀 구동회로를 구비한다.
여기서, 제 1 PMOS TFT(T1)는 구동 TFT소자이고, 제 2, 3, 4 PMOS TFT(T2, T3, T4)는 스위칭 TFT소자로 구동된다.
상기 EL 셀 구동회로는 EL 셀(OLED)과 접속되어진 제 2 PMOS TFT(T2)와, 상기 제 2 PMOS TFT(T2) 및 공급전압라인(VDD)에 접속되어진 제 1 PMOS TFT(T1)와, 선택 신호선(SEL_N)과 게이트가 연결된 제 3 및 제 4 PMOS TFT(T3, T4)로 구성되어 있으며, 상기 제 3 PMOS TFT(T3)는 데이터 라인으로부터 데이터 전류값을 인가받고, 제 2 PMOS TFT(T2)의 게이트는 제 2 PMOS TFT(T2)의 게이트와 연결된다.
이때, 상기 선택신호에 의해 제 4 PMOS TFT(T4)와 제 3 PMOS TFT(T3)가 턴-온되면 구동 트랜지스터 소자인 제 1 PMOS TFT(T1)는 순방향 다이오드가 되고 제 2 PMOS TFT(T2)는 역방향 다이오드가 되어 동작하지 않게 된다.
따라서, 상기 선택신호선(SEL_N)을 이용하여 제 1 PMOS TFT(T1)뿐만 아니라 제 2 PMOS TFT(T2)도 제어할 수 있으므로 별도의 화소 선택 신호선을 구비할 필요가 없다.
또한, 상기 제 1 PMOS TFT(T1) 및 제 2 PMOS TFT(T2)의 소자 크기 비를 이용하여 데이터 라인으로부터 인가되는 데이터 전류 I_data와 EL 셀의 IOLED의 전류 비를 조절할 수 있다.
이의 동작을 살펴보면, 도 6에서와 같이, 선택신호선에 로우(LOW) 입력신호가 입력되면 제3 PMOS TFT(T3)와 제4 PMOS TFT(T4)이 턴-온 된다.
그리고, 상기 제3 PMOS TFT(T3)와 제4 PMOS TFT(T4)가 턴-온 되면 데이터 라인(DL)으로부터 데이터 전류값인 I_data는 제 1 PMOS TFT(T1)와 제2 PMOS TFT(T2) 사이에 흐르고, 상기 제 1 PMOS TFT(T1)의 게이트에 위치하는 A노드 전압은 데이터 라인으로부터의 데이터 전류값인 I_data에 해당하는 전압 값으로 캐패시터 Cst에 충전된다.
이때, 상기 선택신호에 의해 제 4 PMOS TFT(T4)와 제 3 PMOS TFT(T3)가 턴-온되면 구동 트랜지스터 소자인 제 1 PMOS TFT(T1)는 순방향 다이오드가 되고 제 2 PMOS TFT(T2)는 역방향 다이오드가 되어 동작하지 않게 된다.
따라서, 상기 제 2 PMOS TFT(T2)는 턴-오프되므로 EL 셀(OLED)의 출력 전류는 O이 된다.
상기 캐패시터 Cst는 제1 PMOS TFT(T1)의 게이트 전극과 펄스공급선에 접속되어 펄스공급선의 로우(LOW)입력 시간동안 충전된다.
여기서, 상기 펄스공급선의 펄스 폭은 회로의 구성, 데이터 라인의 로드에 따라 다르게 설계될 수 있다.
이어서, 상기 선택신호선(SEL_N)에서 하이(HIGH)입력이 되면 스위칭 트랜지스터 소자인 제3 PMOS TFT(T3)와 제4 PMOS TFT(T4)가 턴-오프된다.
그리고, 상기 데이터 라인으로부터 데이터 전류값인 I_data는 제 3 PMOS TFT(T3)에 의해 입력이 차단된다.
이때, 상기 선택신호에 의해 제 4 PMOS TFT(T4)와 제 3 PMOS TFT(T3)가 턴-오프되면 제 2 PMOS TFT(T2)는 순방향 다이오드가 되어 동작한다.
따라서, 상기 제 2 PMOS TFT(T2)가 턴-온되므로 제 1 PMOS TFT(T1)의 게이트에 위치하는 A노드 전압값을 유지하고 EL 셀(OLED)의 출력 전류는 I_data 전류와 거의 동일한 값을 가지게 된다.
그런데, OLED 구동시 펄스(PULSE) 신호가 변화하게 되면 제 1 PMOS TFT(T1)의 게이트 A노드에서의 전압은 펄스 신호의 펄스 폭만큼 증가하게 되므로 실제 EL 셀(OLED)의 출력 전류는 I_data보다 작은 전류값이 된다. 따라서 낮은 그레이 레벨(gray level)의 표시가 용이해 진다.
여기서, 상기 펄스공급선(PULSE)의 펄스 폭은 회로의 구성, 데이터 라인의 로드에 따라 다르게 설계될 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 제 3 실시예로서, 유기전계발광소자의 회로도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 유기전계발광소자의 한 화소 내에 구동회로로 4개의 TFT(T1, T2, T3, T4)가 구성되어 있으며, 이는 기저전위원(GND)에 접속되어진 EL 셀(OLED)과, 상기 EL 셀과 접속되는 EL 셀 구동회로를 구비한다.
여기서, 상기 유기전계발광소자는 전압과 전류를 동시에 사용하는 하이브리드 구조이다. 이때, 구동회로 프로그램 동작시 구동 트랜지스터 소자의 게이트 전압을 정전류(I_constant)값으로 한다.
그러므로, 소자의 문턱 전압(Vth) 보상이 가능하며, 정전류에 의한 프로그램 후 데이터 라인에 유효 데이터 전압이 인가되어 EL셀의 전류값 IOLED을 결정하게 된다.
여기서, 상기 제 1 PMOS TFT는 구동 TFT소자이고, 제 2, 3, 4 PMOS TFT는 스위칭 TFT소자로 구동된다.
상기 EL 셀 구동회로는 EL 셀(OLED)과 접속되어진 제 2 PMOS TFT(T2)와, 상기 제 2 PMOS TFT 및 공급전압라인(VDD)에 접속되어진 제 1 PMOS TFT(T1)와, 선택 신호선과 게이트가 연결된 제 3 및 제 4 PMOS TFT로 구성되어 있으며, 상기 제 4 PMOS TFT는 데이터 라인으로부터 데이터 전류값을 인가받고, 제 2 PMOS TFT의 게이트는 화소 선택 신호선과 연결된다.
그리고, 상기 제1 PMOS TFT(T1)의 게이트 전극과 펄스공급선(PULSE) 사이에 접속되어진 캐패시터(CST)를 구비한다.
그리고, 상기 펄스공급선과 구동전압선(Vdd)과의 사이에 캐패시터(C1)를 더 구비한다.
이의 동작을 살펴보면, 도 8에서와 같이 선택신호선에 로우(LOW) 입력신호가 입력되면 제3 PMOS TFT(T3)와 제4 PMOS TFT(T4)이 턴-온 된다.
그리고, 상기 제3 PMOS TFT(T3)와 제4 PMOS TFT(T4)가 턴-온 되면 데이터 라인(DL)으로부터 정전류값인 I_constant는 제1 PMOS TFT(T1)와 제2 PMOS TFT(T2) 사이에 흐르게 된다.
상기 제 1 PMOS TFT(T1)의 게이트에 위치하는 A노드 전압은 데이터 라인으로 부터의 데이터 정전류값인 I_constant에 해당하는 전압 값으로 캐패시터 Cst에 충전되고, 이때 화소 선택 신호선에서 하이(HIGH)신호가 입력되어 제 2 PMOS TFT는 턴-오프되므로 EL 셀(OLED)의 출력 전류는 O이 된다.
또한, 데이터 라인의 전압(Vdata)은 초기 전압으로 충전된다.
이어서, 상기 선택신호선에서 하이(HIGH)입력이 되면 스위칭 트랜지스터 소자인 제3 PMOS TFT(T3)와 제4 PMOS TFT(T4)가 턴-오프되고 화소 선택 신호에 의해 제 2 PMOS TFT(T2)가 턴-온되면 A노드 전압은 충전된 값을 유지하고 EL 셀(OLED) 출력 전류 IOLED는 I_constant와 거의 동일한 값을 가지게 된다.
그러나, EL 셀(OLED)구동시 데이터 라인의 전압(Vcom)이 유효(effective) 전압값으로 변화하여 구동 소자의 게이트 A노드 전압은 데이터 전압과 초기 데이터 라인 전압 신호의 차이만큼 증가하게 되므로 실제 화소 전류는 데이터 전압에 의해 결정되게 된다.
상기 데이터 라인 초기 전압(pre_charging voltage)과 유효 데이터 전압(effective data voltage), 그리고 화소 프로그램 전류(I_constant)는 화소 구조, 데이터 라인 로드(load)에 따라 변화하여 설계할 수 있다.
도 9는 본 발명에 따른 제 4 실시예로서, 유기전계발광소자의 회로도이고 도 10은 도 9의 회로를 구동하기 위한 구동 타이밍도 이다.
앞서 설명한 실시예와 구조 및 구동이 일치하는 부분에 대해서는 구체적인 설명을 생략한다.
상기 선택신호(SEL_N)에 의해 제 4 PMOS TFT(T4)와 제 3 PMOS TFT(T3)가 턴-온되면 구동 트랜지스터 소자인 제 1 PMOS TFT(T1)는 순방향 다이오드가 되고 제 2 PMOS TFT(T2)는 역방향 다이오드가 되어 동작하지 않게 된다.
따라서, 상기 선택신호선(SEL_N)을 이용하여 제 1 PMOS TFT(T1)뿐만 아니라 제 2 PMOS TFT(T2)도 제어할 수 있으므로 별도의 화소 선택 신호선을 구비할 필요가 없다.
이상 전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계발광소자 및 그 구동방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명은 전류 구동형 유기전계발광소자에서 구동 트랜지스터의 게이트 전압 레벨을 제어할 수 있어 작은 전류값에서도 낮은 그레이 레벨 표시가 용이해 화질을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 게이트가 제 1 노드에 연결되고 소스가 공급전압라인과 연결되고 드레인이 제2 노드에 연결된 제 1 트랜지스터와;
    게이트가 제1 선택신호선에 연결되고, 드레인이 유기발광다이오드에 연결되고 소스가 상기 제2 노드에 연결된 제 2 트랜지스터와;
    게이트가 제 2 선택신호선에 연결되고, 드레인이 상기 제 1 노드에 연결되고 소스가 제2 노드에 연결된 제 3 트랜지스터와;
    게이트가 상기 제 2 선택신호선에 연결되고, 드레인이 상기 제2 노드로 연결되고 소스는 데이터 전류신호와 연결된 제 4 트랜지스터와;
    상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 펄스공급선과;
    상기 제 1 트랜지스터와 상기 펄스공급선 사이에서 충전되는 캐패시터를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 4 트랜지스터는 동일 전도 타입의 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 노드 전압은 상기 펄스에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 캐패시터에는 데이터 전류값만큼의 전압이 충전되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 선택신호선과 제 2 선택신호선은 서로 다른 신호를 발생하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 데이터 전류값과 구동 전류값이 다른 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 선택신호선과 제 2 선택신호선은 동일한 신호를 발생하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
  8. 다수의 데이터 라인 및 상기 데이터 라인에 교차되게 배열되는 다수의 게이트 라인과, 상기 데이터 라인 및 게이트 라인의 교차부에 발광소자 및 상기 발광소자를 구동시키기 위한 제1 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 연결된 캐패시터 및 스위치 소자로 사용되는 제2 내지 제4 트랜지스터가 구비된 각 픽셀이 매트릭스 형태로 형성되는 유기전계발광 소자의 구동방법에 있어서,
    상기 제 3, 4 트랜지스터가 턴-온되고 상기 제 2 트랜지스터가 턴-오프됨에 따라, 상기 데이터 라인으로부터 인가되는 데이터 전류값(I_data)에 해당하는 전압 값이 제4 및 제3 트랜지스터를 통해 상기 캐패시터에 충전되는 단계와;
    상기 제 3, 4 트랜지스터가 소자가 턴-오프되고, 상기 제2 트랜지스터가 턴온되고 펄스신호가 제 1 구동 트랜지스터의 게이트로 입력되는 단계와;
    상기 펄스신호가 입력되어 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전압이 증가하여 턴온된 상기 제2 트랜지스터를 통해 상기 데이터 전류값(I_data)보다 작은 전류가 상기 발광소자를 구동하기 위한 구동 전류가 되는 단계를 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 구동방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 4 트랜지스터는 동일 전도 타입의 트랜지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터와 상기 펄스공급선 사이에 연결된 제2 커패시터를 더 포함하는 유기전계발광소자.
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