JP2003163133A

JP2003163133A - 磁器コンデンサ

Info

Publication number: JP2003163133A
Application number: JP2002268509A
Authority: JP
Inventors: Mitsuaki Kimoto; 光昭木本; Masanori Fujimura; 正紀藤村; Tokuji Nishino; 徳次西野; Masuhiro Yamamoto; 益裕山本
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-09-14
Filing date: 2002-09-13
Publication date: 2003-06-06
Anticipated expiration: 2022-09-13
Also published as: JP4804701B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、高電圧の使用条件下においても自
己発熱温度を抑制し、低損失である磁器コンデンサを提
供することを目的としている。【解決手段】本発明は、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−Ｔ
ｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−Ｓ
ｒＴｉＯ₃を主成分とする誘電体磁器と、誘電体磁器の
対向表面に形成されたＺｎを主体とする電極とを備えた
構成としたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶バックライト
インバーターのバラスト回路、スイッチング電源の１
次、２次スナバー回路、テレビ・ＣＲＴディスプレイな
どの水平共振回路、インバーター蛍光灯、電子機器の高
圧・パルス回路、通信用モデムの対サージ回路等として
広く使用される磁器コンデンサに関し、特に、高周波
数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制
し、低損失である磁器コンデンサに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＣＲＴディスプレイの大型化、高
画質化、液晶ディスプレイの大型化、高画質化、更に
は、スイッチング電源回路の小型軽量化の傾向が強まっ
ており、これに伴って、使用される重要な受動部品の１
つである磁器コンデンサの使用条件も高周波数化、高電
圧化の傾向にある。

【０００３】更に、これら高周波数化、高電圧化と言う
従来に比して厳しい使用条件に加え、スイッチング電源
回路やＤＣ−ＤＣコンバータ回路の小型化軽量化が進
み、磁器コンデンサの小型化が要求されている。

【０００４】また、これら磁器コンデンサの一例とし
て、円板型の誘電体磁器の両主表面に電極を形成し、こ
の電極にそれぞれリード線を接合し、これらを外装材で
埋設した形態の磁器コンデンサがあげられるが、磁器コ
ンデンサの電極としては、従来からＡｇ（銀）が使用さ
れてきた。しかし、Ａｇ（銀）電極は自己発熱温度が高
い上、エレクトロマイグレーションを発生すると言う問
題がある。

【０００５】近年、磁器コンデンサの電極に、Ａｇ
（銀）に換わって、安価なＣｕ（銅）やＮｉ（ニッケ
ル）等の卑金属電極が使用されるようになった。

【０００６】銅等の卑金属電極の形成には、酸化防止の
ため中性又は還元雰囲気中で焼付を要する。そこで、誘
電体磁器自体が還元雰囲気によって還元されないように
するため、焼き付け方法を改良したり、誘電体磁器組成
物に特別な複合添加物を添加する等の改良がなされてい
る。

【０００７】例えば、（特許文献１）に開示されている
ように、ＳｒＴｉＯ₃を３０．０〜７０．０重量％、Ｐ
ｂＴｉＯ₃を０．０〜４０．０重量％、Ｂｉ₂Ｏ₃を８．
０〜４０．０重量％、ＴｉＯ₂を３．０〜２０．０重量
％、ＭｇＯを１．０〜１０．０重量％配合してなる組成
１００部に対して添加物ＣｕＯを０．０５〜０．７０重
量％、ＣｏＯ、ＣｅＯ₂を各々０．０５〜３．００重量
％添加配合した磁器誘電体組成物の対向表面にＣｕを主
体とする焼付電極を形成した低損失磁器コンデンサが知
られている。これら従来のＣｕ（銅）などの卑金属電極
を用いた磁器コンデンサは、電極形成に酸化防止のため
中性又は還元雰囲気中で焼付を要するため、中性又は還
元雰囲気の厳密な管理が必要となり、生産性が悪いと言
う問題がある。更に、Ｃｕ（銅）などの卑金属電極の酸
化が発生した場合には、単に歩留まりが低下するという
だけでなく、非破壊検査による選別は困難であり、著し
い生産性の低下を来すと言う問題があった。また、誘電
体磁器組成物に特別な複合添加物を添加する必要もあ
り、誘電体磁器組成物の組成比の管理を要する上、コス
トが高くなると言う問題もある。

【０００８】そこで、大気中での電極形成方法も知られ
ており、例えば、Ｚｎ（亜鉛）ペーストを塗布して、大
気中で焼き付けを行う方法が（特許文献２）に開示され
ている。

【０００９】

【特許文献１】特公平６−７０９４４号公報

【特許文献２】特開昭６３−２３６７８５号公報

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このように、誘電体磁
器に種々の電極を形成した磁器コンデンサが知られてい
る。

【００１１】しかしながら、これら従来の磁器コンデン
サは、自己発熱温度が高いと言う課題を有しているが、
安価で有効な対策は未だなされていない。

【００１２】そこで本発明は以上の様な課題を解決し、
高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制し、
低損失である磁器コンデンサを提供することを目的とし
ている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴ
ｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を主成分とす
る誘電体磁器と、誘電体磁器の対向表面に形成されたＺ
ｎを主体とする電極とを備えた構成としたものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴ
ｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を主成分とす
る誘電体磁器と、誘電体磁器の対向表面に形成されたＺ
ｎを主体とする電極とを備えたことを特徴とする磁器コ
ンデンサであって、高周波数、高電圧の使用条件下にお
いても自己発熱温度を抑制することができる。

【００１５】請求項２に記載の発明は、ＣａＴｉＯ₃−
Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−
ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を主成分とする誘電体磁器と、誘
電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体とする第１
層の電極と、第１層の電極上に形成されたＣｕ，Ｎｉ，
Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属を
主体とする第２層の電極を備えたことを特徴とする磁器
コンデンサであって、高周波数、高電圧の使用条件下に
おいても自己発熱温度を抑制することができると共に、
第１層電極のＺｎとの密着性が良好であり、リード線、
或いは、リード端子との半田接合強度を向上させること
ができる。

【００１６】請求項３に記載の発明は、ＣａＴｉＯ₃−
Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−
ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を主成分とする誘電体磁器基板
と、誘電体磁器基板の両主表面に形成されたＺｎを主体
とする第１層の電極と、第１層の電極上に形成されたＣ
ｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一
つの金属を主体とする第２層の電極と、第２層の電極に
接続されたリード線と、誘電体磁器基板、第１層及び第
２層の電極、リード線の一部を埋設する外装材とを備え
たことを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波
数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制
することができると共に、第１層電極のＺｎとの密着性
が良好であり、リード線との半田接合強度を向上させる
ことができる。

【００１７】請求項４に記載の発明は、ＣａＴｉＯ₃−
Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−
ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を主成分とする誘電体磁器基板
と、誘電体磁器基板の両主表面に形成されたＺｎを主体
とする第１層の電極と、第１層の電極上に形成されたＣ
ｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一
つの金属を主体とする第２層の電極と、第２層の電極に
接続され、互いに異なる方向に配設されたリード端子
と、誘電体磁器基板、第１層及び第２層の電極、リード
端子の一部を埋設する外装材と、外装材の側面から外部
に突き出されたリード端子の外部端子形成部とを備えた
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、
高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制する
ことができると共に、第１層電極のＺｎとの密着性が良
好であり、リード端子との半田接合強度を向上させるこ
とができる。

【００１８】請求項５に記載の発明は、両端に端子部
と、端子部よりも外周に亘って凹んだ軸芯部とを備え、
ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ
₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を主成分とする誘
電体磁器で構成された基体と、基体の表面に形成された
Ｚｎを主体とする導電膜と、軸芯部で導電膜を分離する
間隙とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサであっ
て、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱
温度を抑制することができると共に、気泡の発生を抑制
して外装材を充填することができる。

【００１９】請求項６に記載の発明は、両端に端子部
と、端子部よりも外周に亘って凹んだ軸芯部とを備え、
ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ
₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を主成分とする誘
電体磁器で構成された基体と、軸芯部の対向する一対の
面に形成され、一対の面で互いに異なる端子部と間隙を
介し、一対の面で互いに異なる端子部に引き出されたＺ
ｎを主体とする導電膜とを備えたことを特徴とする磁器
コンデンサであって、高周波数、高電圧の使用条件下に
おいても自己発熱温度を抑制することができると共に、
大きな静電容量を得ることができる。

【００２０】請求項７に記載の発明は、請求項５，６に
おいて、軸芯部と端子部の間に傾斜部を備えたことを特
徴とする磁器コンデンサであって、気泡の発生を抑制し
て外装材を充填することができる。

【００２１】請求項８に記載の発明は、請求項７におい
て、軸芯部と傾斜部のなす角度が、９０度〜１５０度で
あることを特徴とする磁器コンデンサであって、気泡の
発生を確実に抑制して外装材を充填することができる。

【００２２】請求項９に記載の発明は、請求項５〜８に
おいて、基体の端子部の高さと軸芯部の高さの比が、
１：０．５〜０．８５であることを特徴とする磁器コン
デンサであって、基体の強度を確保できる。

【００２３】請求項１０に記載の発明は、請求項５〜９
において、両端の端子部間に、軸芯部を覆う外装材を備
えたことを特徴とする磁器コンデンサであって、耐湿性
及び耐電圧特性を向上させることができる。

【００２４】請求項１１に記載の発明は、請求項１０に
おいて、外装材と両端の端子部が、略面一であることを
特徴とする磁器コンデンサであって、確実に基板に接合
することができ、実装性に優れる。

【００２５】請求項１２に記載の発明は、請求項５〜１
１において、端子部の導電膜の上に、端子電極を備えた
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、導電膜を保
護することができると共に、基板への接合が容易であ
る。

【００２６】請求項１３に記載の発明は、両端に端子部
を備え、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、Ｃ
ａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を主成分
とする誘電体磁器で構成された略直方体の基体と、基体
の対向する一対の側面にそれぞれ形成された凹部と、対
向する凹部にそれぞれ形成され、対向する凹部で互いに
異なる端子部と間隙を介し、対向する凹部で互いに異な
る端子部に引き出されたＺｎを主体とする導電膜とを備
えたことを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波
数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制
することができると共に、大きな静電容量を得ることが
でき、機械的強度を維持することができる。

【００２７】請求項１４に記載の発明は、請求項１３に
おいて、対向するそれぞれの凹部に、外装材を充填した
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、耐湿性及び
耐電圧特性を向上させることができる。

【００２８】請求項１５に記載の発明は、請求項１３，
１４において、端面の導電膜の上に、端子電極を備えた
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、導電膜を保
護することができると共に、基板への接合が容易であ
る。

【００２９】請求項１６に記載の発明は、ＣａＴｉＯ₃
−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃
−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を主成分とする誘電体磁器で構
成された基体と、基体の表面に形成されたＺｎを主体と
する導電膜と、導電膜を分離する間隙とを備えたことを
特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、高電圧
の使用条件下においても自己発熱温度を抑制することが
できる。

【００３０】請求項１７に記載の発明は、ＣａＴｉＯ₃
−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃
−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を主成分とする誘電体磁器で構
成された略直方体の基体と、基体の対向する一対の側面
に形成され、一対の側面で互いに異なる端面と間隙を介
し、一対の側面で互いに異なる端面に引き出されたＺｎ
を主体とする導電膜とを備えたことを特徴とする磁器コ
ンデンサであって、高周波数、高電圧の使用条件下にお
いても自己発熱温度を抑制することができると共に、大
きな静電容量を得ることができる。

【００３１】まず、本発明の磁器コンデンサを構成する
誘電体磁器について説明する。

【００３２】誘電体磁器は、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−
ＴｉＯ₂系、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂
−ＳｒＴｉＯ₃系の誘電体組成物が使用される。

【００３３】具体的には、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−Ｔ
ｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−Ｓ
ｒＴｉＯ₃粉末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分で
あるＭｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍ
ｇ₂ＴｉＯ₄の中から選ばれた少なくとも１つ以上を添加
して、焼成することによって得ることができる。

【００３４】なお、これら誘電体組成物の好ましい組成
比（モル比）は次の通りである。

【００３５】ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂ ＣａＴｉＯ₃ ０．０５〜０．９５Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂ ０．０５〜０．８０ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃ ＣａＴｉＯ₃ ０．０５〜０．９５Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂ ０．０５〜０．９０ＳｒＴｉＯ₃ ０．０５〜０．２０更に、及びのＬａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂においては、Ｔｉ
Ｏ₂１モルに対して、Ｌａ₂Ｏ₃は１／３モルの関係にあ
ることがより好ましい。

【００３６】また、添加剤兼焼結助剤成分は、Ｍｎ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ₂Ｔｉ
Ｏ₄の中から選ばれた少なくとも１つ以上を、主成分で
あるＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、Ｃ
ａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃に対し
て、それぞれ０．０１〜１．０重量％の範囲で変化させ
て添加する。

【００３７】また、この誘電体磁器の対向電極として形
成される第１層の電極は、Ｚｎ（亜鉛）を主体とする。
なお、Ｚｎを主体とするとは、以下のように不純物を含
んだり、合金であってもよく、そのＺｎ含量は構成によ
り変化することを意味する。

【００３８】この第１層電極に用いられるＺｎは、微量
のガラス成分あるいは不純物を含んでいてもよく、純度
９５％以上であることが好ましい。更に、Ｚｎ合金であ
ってもよく、Ｚｎの含有量として９０％以上であること
が好ましい。

【００３９】そして、第１層電極として用いられるＺｎ
は、上述の誘電体磁器との協調によって自己発熱温度を
抑制するものである。

【００４０】更に、第１層電極の上に形成される第２層
の電極は、Ｃｕ（銅），Ｎｉ（ニッケル），Ａｇ
（銀），Ｐｄ（パラジウム），Ａｌ（アルミニウム）か
ら選ばれる少なくとも一つの金属を主体とする。

【００４１】第２層電極に用いられるＣｕ，Ｎｉ，Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ａｌは、それぞれ、微量の不純物を含んでい
てもよく、純度８０％以上であることが好ましい。更
に、合金であってもよく、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｐｄ，Ａ
ｌそれぞれの含有量として８０％以上であることが好ま
しい。

【００４２】そして、第２層電極として用いられるＣ
ｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一
つの金属は、第１層電極のＺｎとの密着性が良好である
と共に、リード線、或いは、リード端子との半田接合強
度を向上させるものである。

【００４３】以下、本発明の磁器コンデンサについて、
図面を参照して更に詳しく説明する。

【００４４】（実施の形態１）図１（ａ）は本発明の実
施の形態１における磁器コンデンサを示す透視側面図で
あり、図１（ｂ）は本発明の実施の形態１における磁器
コンデンサを示す透視正面図である。そして、図１
（ａ），（ｂ）において、１は誘電体磁器基板、２は第
１層電極、３は第２層電極、４，５はリード線、６は外
装材である。また、１００は磁器コンデンサを示してい
る。

【００４５】図１（ａ），（ｂ）に示すように、磁器コ
ンデンサ１００は、円板型の誘電体磁器基板１の両主表
面に、それぞれ第１層電極２、第２層電極３が形成さ
れ、更に、第２層電極３に、それぞれ一対のリード線
４，５が半田接合された構成である。

【００４６】そして、リード線４，５の一部と、誘電体
磁器基板１及び第１層電極２、第２層電極３を埋設する
外装材６が形成される。

【００４７】誘電体磁器基板１としては、上述したＣａ
ＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系、または、ＣａＴｉＯ₃
−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃系の誘電体組成物を
主成分とする誘電体磁器が用いられる。

【００４８】そして、同様に、第１層電極２としてＺｎ
が用いられ、第２層電極３としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐ
ｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属が用いられ
る。

【００４９】更に、リード線４，５としては、例えば、
ＪＩＳＣ３１０２で規定される電気用軟銅線を原料と
し、これに電気メッキ、又は、溶融半田を施した線材を
使用することができる。

【００５０】また、外装材６としては、絶縁性を有する
材料が用いられ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることが
できる。この中でも、絶縁性樹脂が加工適正、低価格で
あり好ましく、熱硬化性樹脂が加工適正に優れより好ま
しく、更に、熱硬化型のエポキシ樹脂が強度、耐湿性に
優れているので特に好ましい。そして、オルトクレゾー
ルノボラック系，ビフェニール系，ペンタジエン系等の
エポキシ樹脂があげられる。

【００５１】また、図１（ａ）に示すように、誘電体磁
器基板１の両主表面の第２層電極３に接合された一対の
リード線４，５は、誘電体磁器基板１を間に挟んで離間
し平行に延設されるが、折り曲げられて、最終的には、
誘電体磁器基板１の厚み方向で重なるように引き出され
ている。そして、一対のリード線４，５は、離間距離の
略半分の位置、即ち、誘電体磁器基板１の厚みを略半分
にする位置で重なっている。

【００５２】更に、図１（ｂ）に示すように、一対のリ
ード線４，５は、誘電体磁器基板１の表裏面でクロスす
るように第２層電極３にそれぞれ接合され、折り曲げら
れて、略平行になるように互いに離間して延設され、更
に折り曲げられて、双方の離間距離を狭めた状態で略平
行に延設されている。

【００５３】そして、磁器コンデンサ１００の一対のリ
ード線４，５は、回路基板のスルーホールに挿入され
て、回路基板の裏面で半田接合され実装されるが、図１
（ｂ）に示すように、一対のリード線４，５が離間する
距離をスルーホールへの挿入部分で狭くすることによっ
て、外装材６から突出したリード線４，５の全ての部分
がスルーホールに入り込むこともない。

【００５４】また、実装される磁器コンデンサ１００の
外装材６の最下部と回路基板の間にはリード線４，５の
一部が必ず介在するので、半田接合時の熱の影響を受け
にくい上、半田フラックスも確実に排出できる。そし
て、半田接合時の熱の影響を受けにくいので、半田付け
温度の高いＰｂ（鉛）フリー半田が使用可能となる。

【００５５】次に、本発明の実施の形態１における磁器
コンデンサの製造方法について説明する。

【００５６】まず、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂ＣＯ₃−Ｔｉ
Ｏ₂、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−Ｓｒ
ＴｉＯ₃粉末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であ
るＭｎＯ ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ
₂ＴｉＯ₄の中から選ばれる少なくとも１つ以上を配合
し、通常の窯業的手法によって、湿式混合或いは造粒を
行い、円板型の形状に加圧成形した後、これを焼成す
る。

【００５７】そして、得られた誘電体磁器１の両主表面
に、第１層電極２としてＺｎ電極を印刷法によって形成
する。具体的には、亜鉛ペーストをスクリーン印刷法に
よって誘電体磁器の両主表面に形成した後、約６００℃
で焼き付けを行う。この焼き付けは、中性又は還元雰囲
気中で行う必要はなく、大気雰囲気下で行うことができ
る。なお、Ｚｎ電極のその他の形成方法としては、導電
ペーストに浸積して塗布するいわゆるディップ塗装や、
電着法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用いることがで
きる。

【００５８】更に、第１層電極２であるＺｎ電極表面の
活性化処理を行う。この表面活性化処理は、Ｚｎ電極表
面の酸化物を除去するものである。これにより、積層さ
れる第２層電極３のＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから
選ばれる少なくとも一つの金属を主体とする電極との密
着性を向上させ、Ｚｎ電極と例えばＣｕ電極との間に不
安定な金属化合物を発生させることもない。Ｚｎ電極表
面活性化処理としては、化学的エッチングを用いること
ができ、酸を利用することによって行われる。具体的に
は、ｐＨ３程度の例えばりんご酸を用いて行う。他の方
法としては、表面を物理的に粗す等の物理的エッチング
によっても良い。

【００５９】次に、第１層電極２であるＺｎ電極の上
に、第２層電極３として、例えばＣｕ電極を形成する。
第２層電極３であるＣｕ電極の形成は、メッキ法によっ
て行う。このメッキは電解メッキ、或いは、無電解メッ
キのいずれの方法であってもよいが、無電解メッキがセ
ラミック素子特性を劣化させないと言う理由で好まし
い。

【００６０】そして、第２層電極３であるＣｕ電極の上
にリード線４，５を半田付けし、リード線４，５の一部
を除いて、絶縁性樹脂等でコーティングし、外装材６を
形成する。

【００６１】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２におけるモールド型磁器コンデンサを示す断面図で
あり、図２において、７，８はリード端子であり、２０
０はモールド型磁器コンデンサを示している。なお、実
施の形態１で説明したものと同様の部分には、同じ符号
を付している。

【００６２】図２に示すように、モールド型磁器コンデ
ンサ２００は、円板状の誘電体磁器基板１の両主表面
に、それぞれ第１層電極２、第２層電極３が形成され、
更に、第２層電極３に、それぞれ一対のリード端子７，
８が半田接合された構成である。

【００６３】そして、外装材６によって、誘電体磁器基
板１、第１層及び第２層の電極２，３、リード端子７，
８の一部が埋設される。

【００６４】また、リード端子７，８の外装材６から突
出した部分は、外部端子形成部を構成するものであり、
このリード端子７，８の外部端子形成部を介して回路基
板に表面実装できるようになっている。

【００６５】誘電体磁器基板１としては、実施の形態１
で説明したように、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ
₂系、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−Ｓｒ
ＴｉＯ₃系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が
用いられ、同様に、第１層電極２としてＺｎが用いら
れ、第２層電極３としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌ
から選ばれる少なくとも一つの金属が用いられる。

【００６６】また、外装材６としても、実施の形態１で
説明したものと同様であり、絶縁性を有する材料を用い
られ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることができ、絶縁
性樹脂が加工適正、低価格であり好ましく、熱硬化性樹
脂が加工適正に優れより好ましく、更に、オルトクレゾ
ールノボラック系，ビフェニール系，ペンタジエン系等
のエポキシ樹脂等に代表される熱硬化型のエポキシ樹脂
が強度、耐湿性に優れているので特に好ましい。

【００６７】リード端子７，８としては、導電材料を用
いることができるが、Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも一
つから選ばれるものが好適に選択される金属材料が好適
に用いられ、電気的特性や加工性の面で有利である。

【００６８】次に、本発明の実施の形態２におけるモー
ルド型磁器コンデンサの製造方法は、実施の形態１で説
明したものと同様であるが、リード線４，５ではなく、
第２層電極３の上にリード端子７，８が半田付けされ、
リード端子７，８の一部を除いて、誘電体磁器基板１、
第１層電極２、第２層電極３を絶縁性樹脂等でコーティ
ングし、外装材６を形成し、モールド型磁器コンデンサ
２００を得ることができる。

【００６９】（実施の形態３）図３は、本発明の実施の
形態３におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視
図であり、図４は本発明の実施の形態３におけるチップ
型磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図４は図
３のＡ−Ａ線断面図である。

【００７０】図３，４において、１ａは誘電体磁器で構
成された基体、２ａは導電膜、６は外装材、９は端子電
極である。更に、１０は間隙、１１は軸芯部、１２は端
子部、１３は傾斜部であり、３００はチップ型磁器コン
デンサを示している。なお、図４において、ｈ１は端子
部１２の高さ、ｈ２は軸芯部１１の高さであり、θは軸
芯部１１と傾斜部１３とがなす角度である。また、実施
の形態１，２で説明したものと同様の部分には、同じ符
号を付している。

【００７１】図３，４に示すように、チップ型磁器コン
デンサ３００は、端子部１２間に外装材６が充填され、
外形が略直方体である。

【００７２】更に、基体１ａは、その両端に端子部１
２、中央に軸芯部１１を備えた構成であり、軸芯部１１
は端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる。そして、
この凹んだ部分に外装材６が充填される。

【００７３】そして、基体１ａは、その機械的強度、諸
特性を維持するために、端子部１２の高さｈ１と、軸芯
部１１の高さｈ２との寸法比は、ｈ２／ｈ１＝０．５〜
０．８５であること、即ち、端子部９の高さｈ１と、軸
芯部８の高さｈ２の比が、ｈ１：ｈ２＝１：０．５〜
０．８５の範囲にあることが好ましい。この値が０．５
未満であると、機械的強度が不足して、コンデンサ製品
として品質を維持することができない。また、この値が
０．８５を超えると、充填される外装材６の厚みが不足
し、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。

【００７４】更に、基体１ａにおいて、軸芯部１１と、
両端の端子部１２との間には、それぞれ傾斜部１３が形
成されることが好ましい。この傾斜部１３を備えること
によって、外装材６が確実かつ安定して充填でき、チッ
プ型磁器コンデンサ３００は、外装材６と基体１ａの間
には、気泡の抱き込みがほとんどない。また、この軸芯
部１１と傾斜部１３とがなす角度θは、９０度〜１５０
度であることが好ましい。９０度以下であると、気泡が
発生し、安定した外装材６の充填が困難である。また、
１５０度を超えると充填される外装材６が薄くなってし
まい、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。

【００７５】以上のような構成を有する基体１ａの表面
には、導電膜２ａが形成され、更に、軸芯部１１におい
て導電膜２ａは間隙１０によって分離されている。そし
て、間隙１０、軸芯部１１及び傾斜部１３に形成された
導電膜２ａを覆うように外装材６が形成されている。

【００７６】また、外装材６で被覆されていない端子部
１２の導電膜２ａの上には、導電膜２ａを覆うように端
子電極９が形成されている。なお、端子電極９を設けず
に、端子部１２で露出している導電膜２ａをそのまま電
極として用いても良い。

【００７７】また、外装材６と端子部１２は略面一であ
り、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての
実装性に優れるものである。また、チップ型磁器コンデ
ンサ３００の外形は略直方体であることが実装性に優れ
るので好ましいが、チップコンデンサとしての実装性を
阻害しない範囲で、円柱状、多角形状であってもよい。

【００７８】更に、チップ型磁器コンデンサ３００の各
構成について詳しく説明する。

【００７９】まず、基体１ａは、実施の形態１，２で説
明したように、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系、ま
たは、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃
系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられ
る。そして、導電膜２ａはＺｎを主体とするものであ
る。

【００８０】また、外装材６としても、実施の形態１、
２で説明したものと同様である。

【００８１】また、端子電極９は、実装時の半田付け性
を向上させ、導電膜２ａを保護することができる。この
端子電極９としては、Ｎｉ，Ｓｎ，半田の中から選ばれ
る少なくとも１種以上の材料を用いることができる。こ
の中でも、Ｎｉ層上にＳｎまたは半田を形成した電極
は、半田付性および耐熱性が向上すると言う理由で特に
好ましい。

【００８２】また、導電膜２ａと端子電極９との間に、
実施の形態１、２における第２層の電極として説明した
Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも
一つの金属を用いてもよい。

【００８３】次に、本発明の実施の形態３におけるチッ
プ型磁器コンデンサの製造方法について説明する。

【００８４】まず、実施の形態１，２と同様に、ＣａＴ
ｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌ
ａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃粉末を主成分とし、添加
剤兼焼結助剤成分であるＭｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、
ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ₂ＴｉＯ₄の中から選ばれた少なく
とも１つ以上を配合して、これら誘電体材料を金型に装
填し加圧成形した後焼成する。

【００８５】そして、焼成された略直方体のベース基体
１ａの中央を外周に亘って削ることによって、両端の端
子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形
成する。なお、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹
んでいる軸芯部１１を備えるように予め金型を形成し、
この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成して基
体１ａを形成してもよい。このように形成することで、
基体１ａを削る工程を無くすことができる。

【００８６】次に、この基体１ａに感光性樹脂を塗布
し、露光及び現像を行って、所定幅の間隙１０に相当す
る導電膜２ａを形成しない部分を基体１ａの外周に亘っ
てマスクする。

【００８７】そして、このマスク部分以外の基体１ａ表
面にＺｎを主体とする導電膜２ａを形成する。導電膜２
ａの形成方法としては、導電ペーストに浸積して塗布す
るいわゆるディップ塗装や、印刷法、電着法、鍍金法、
蒸着法等の成膜方法を用いることができる。

【００８８】次に、所定幅の間隙１０に相当する導電膜
２ａを形成しない部分にマスクされた感光性樹脂を除去
し、所望の形状にパターニングされ、間隙１０によって
分離された導電膜２ａを得ることができる。

【００８９】基体１ａに間隙１０によって分離された導
電膜２ａを形成する方法としては、所定幅の間隙１０に
相当する導電膜２ａを形成しない部分を除いて、導電膜
２ａを基体１ａに直接塗布形成することもできる。

【００９０】更に、種々の成膜方法によって、一旦導電
膜２ａを基体１ａの表面全面に形成した後、所定幅の間
隙１０に相当する導電膜２ａを形成しない部分のみを研
磨、レーザートリミング、物理的或いは化学的エッチン
グ等の方法によって除去してもよい。この中でも、レー
ザートリミングは高精度であり好ましい。

【００９１】更に、レーザートリミングにより導電膜２
ａの不要な部分を除去する場合において、まず、レーザ
ートリミングで不要部分の導電膜２ａの所定厚み分を除
去する。次に、不要部分及びその他の部分を含め全体を
一律にエッチングする。このエッチングは不要部分の導
電膜２ａの膜厚が完全に除去されるまで行う。これによ
って、不要部分以外の導電膜２ａは残留し、所望の形状
にパターニングされた導電膜２ａを得ることができる。
この方法によれば、レーザートリミングによって、基体
１ａの表面に形成された導電膜２ａを除去する際に、レ
ーザーの熱が基体１ａに達することがないので、基体１
ａの材料を熱変性させ、特性を劣化させることがなく、
レーザーの熱による基体１ａの特性劣化を防ぐことがで
きる。

【００９２】次に、軸芯部１１に形成された導電膜２ａ
を覆うように、上述した絶縁性を有する材料を用いて外
装材６を充填する。

【００９３】次に、端子部１２の導電膜２ａに対して、
導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。

【００９４】そして、本発明の実施の形態３におけるチ
ップ型磁器コンデンサ３００は、外形が略直方体とな
り、チップコンデンサとしての実装性に優れる。

【００９５】なお、本発明の実施の形態３において、実
装性や外装材６の充填性を必要としない場合には、両端
の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１
を形成せずに、単に略直方体、或いは角柱状、円柱状の
基体１ａの表面に導電膜２ａを形成し、導電膜２ａを分
離する間隙１０を備えた単純な構成としてもよい。

【００９６】（実施の形態４）図５は本発明の実施の形
態４におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視図
であり、図６は本発明の実施の形態４におけるチップ型
磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図６は図５
のＡ−Ａ線断面図である。

【００９７】図５，６において、１ａは誘電体磁器で構
成された基体、２ａは導電膜、６は外装材、９は端子電
極である。更に、１０ａ，１０ｂは間隙、１１は軸芯
部、１２は端子部、１３は傾斜部であり、４００はチッ
プ型磁器コンデンサを示している。

【００９８】なお、図６において、ｈ１は端子部１２の
高さ、ｈ２は軸芯部１１の高さであり、θは軸芯部１１
と傾斜部１３とがなす角度である。また、実施の形態３
で説明したものと同様の部分には、同じ符号を付してい
る。

【００９９】図５，６に示すように、チップ型磁器コン
デンサ４００は、端子部１２間に外装材６が充填され、
外形が略直方体である。

【０１００】更に、基体１ａは、その両端に端子部１
２、中央に軸芯部１１を備えた構成であり、軸芯部１１
は端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる。そして、
この凹んだ部分に外装材６が充填される。

【０１０１】そして、基体１ａは、その機械的強度、諸
特性を維持するために、端子部１２の高さｈ１と、軸芯
部１１の高さｈ２との寸法比は、ｈ２／ｈ１＝０．５〜
０．８５であること、即ち、端子部９の高さｈ１と、軸
芯部８の高さｈ２の比が、ｈ１：ｈ２＝１：０．５〜
０．８５の範囲にあることが好ましい。この値が０．５
未満であると、機械的強度が不足して、コンデンサ製品
として品質を維持することができない。また、この値が
０．８５を超えると、充填される外装材６の厚みが不足
し、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。

【０１０２】更に、基体１ａにおいて、軸芯部１１と、
両端の端子部１２との間には、それぞれ傾斜部１３が形
成されることが好ましい。この傾斜部１３を備えること
によって、外装材６が確実かつ安定して充填でき、チッ
プ型磁器コンデンサ３００は、外装材６と基体１ａの間
には、気泡の抱き込みがほとんどない。また、この軸芯
部１１と傾斜部１３とがなす角度θは、９０度〜１５０
度であることが好ましい。９０度以下であると、気泡が
発生し、安定した外装材６の充填が困難である。また、
１５０度を超えると充填される外装材６が薄くなってし
まい、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。

【０１０３】以上のような構成を有する基体１ａの表面
には、導電膜２ａが形成され、更に、軸芯部１１におい
て導電膜２ａは間隙１０ａ，１０ｂによって分離されて
いる。

【０１０４】そして、図５，６に示すように、軸芯部１
１の対向する一対の側面及び端子部１２には導電膜２ａ
が形成され、この導電膜２ａは、対向する一対の側面で
互いに異なる端子部１２と間隙１０ａ，１０ｂを介し、
対向する一対の側面で互いに異なる端子部１２に引き出
されている。

【０１０５】即ち、チップ型磁器コンデンサ４００に
は、基体１ａの軸芯部１１の表裏で、互いに異なる方向
に引き出された導電膜２ａが形成され、基体１ａの表裏
でそれぞれ間隙１０ａ，１０ｂによって分離されてい
る。そして、互いに異なる方向に引き出された導電膜２
ａのそれぞれが端子部１２を覆う構成であり、互いに対
向する端子部１２間において、基体１ａの表裏に形成さ
れ、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０ｂとは
点対称の関係にある。なお、端子部１２における導電膜
２ａは、側面にのみ設け端面には設けなくてもよい。

【０１０６】そして、本発明の実施の形態４におけるチ
ップ型磁器コンデンサ４００は、対向する端子部１２間
において、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０
ｂによって静電容量を得ることができる。更に、軸芯部
１１を介して互いに対向する導電膜２ａが形成され、基
体１ａの軸芯部１１の厚み（高さｈ２）によって、静電
容量を得ることができる。また、基体１ａの軸芯部１１
の厚みを変更することによって、所望の静電容量を得る
ことができる。

【０１０７】また、外装材６と端子部１２は略面一であ
り、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての
実装性に優れるものである。また、チップ型磁器コンデ
ンサ４００の外形は略直方体であることが実装性に優れ
るので好ましいが、チップコンデンサとしての実装性を
阻害しない範囲で、円柱状、多角形状であってもよい。

【０１０８】更に、チップ型磁器コンデンサ４００の各
構成について詳しく説明する。

【０１０９】まず、基体１は、実施の形態１〜３で説明
したように、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ ₃−ＴｉＯ₂系、また
は、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃系
の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられ
る。そして、導電膜２ａはＺｎを主体とするものであ
る。

【０１１０】また、外装材６としても、実施の形態１〜
３で説明したものと同様である。

【０１１１】また、実施の形態３と同様に、端子電極９
は、実装時の半田付け性を向上させ、導電膜２ａを保護
することができる。この端子電極９としては、Ｎｉ，Ｓ
ｎ，半田の中から選ばれる少なくとも１種以上の材料を
用いることができる。この中でも、Ｎｉ層上にＳｎまた
は半田を形成した電極は、半田付性および耐熱性が向上
すると言う理由で特に好ましい。また、導電膜２ａと端
子電極９との間に、実施の形態１、２における第２層の
電極として説明したＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから
選ばれる少なくとも一つの金属を用いてもよい。

【０１１２】次に、本発明の実施の形態４におけるチッ
プ型磁器コンデンサの製造方法について説明する。

【０１１３】まず、実施の形態１〜３と同様に、ＣａＴ
ｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌ
ａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃粉末を主成分とし、添加
剤兼焼結助剤成分であるＭｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、
ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ₂ＴｉＯ₄の中から選ばれた少なく
とも１つ以上を配合して、これら誘電体材料を金型に装
填し加圧成形した後焼成する。

【０１１４】そして、焼成された略直方体のベース基体
１ａの中央を外周に亘って削ることによって、両端の端
子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形
成する。なお、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹
んでいる軸芯部１１を備えるように予め金型を形成し、
この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成して基
体１ａを形成してもよい。このように形成することで、
基体１ａを削る工程を無くすことができる。

【０１１５】次に、この基体１ａに感光性樹脂を塗布
し、露光及び現像を行って、所定幅の間隙１０ａ，１０
ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部分を基体１ａの
表裏でそれぞれマスクする。

【０１１６】そして、このマスク部分以外の基体１ａ表
面にＺｎを主体とする導電膜２ａを形成する。導電膜２
ａの形成方法としては、導電ペーストに浸積して塗布す
るいわゆるディップ塗装や、印刷法、電着法、鍍金法、
蒸着法等の成膜方法を用いることができる。

【０１１７】次に、所定幅の間隙１０ａ，１０ｂに相当
する導電膜２ａを形成しない部分にマスクされた感光性
樹脂を除去し、所望の形状にパターニングされ、間隙１
０ａ，１０ｂによって分離された導電膜２ａを得ること
ができる。

【０１１８】基体１ａに間隙１０ａ，１０ｂによって分
離された導電膜２ａを形成する方法としては、所定幅の
間隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２を形成しない部
分を除いて、導電膜２ａを基体１ａに直接塗布形成する
こともできる。

【０１１９】更に、種々の成膜方法によって、一旦導電
膜２ａを基体１ａの表面全面に形成した後、所定幅の間
隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部
分のみを研磨、レーザートリミング、物理的或いは化学
的エッチング等の方法によって除去してもよい。この中
でも、レーザートリミングは高精度であり好ましい。

【０１２０】更に、レーザートリミングにより導電膜２
ａの不要な部分を除去する場合において、まず、レーザ
ートリミングで不要部分の導電膜２ａの所定厚み分を除
去する。次に、不要部分及びその他の部分を含め全体を
一律にエッチングする。このエッチングは不要部分の導
電膜２ａの膜厚が完全に除去されるまで行う。これによ
って、不要部分以外の導電膜２ａは残留し、所望の形状
にパターニングされた導電膜２ａを得ることができる。
この方法によれば、レーザートリミングによって、基体
１ａの表面に形成された導電膜２ａを除去する際に、レ
ーザーの熱が基体１ａに達することがないので、基体１
ａの材料を熱変性させ、特性を劣化させることがなく、
レーザーの熱による基体１ａの特性劣化を防ぐことがで
きる。

【０１２１】次に、軸芯部１１に形成された導電膜２ａ
を覆うように、上述した絶縁性を有する材料を用いて外
装材６を充填する。

【０１２２】次に、端子部１２の導電膜２ａに対して、
導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。

【０１２３】そして、本発明の実施の形態４におけるチ
ップ型磁器コンデンサ４００は、外形が略直方体とな
り、チップコンデンサとしての実装性に優れる。

【０１２４】なお、本発明の実施の形態４において、実
装性や外装材６の充填性を必要としない場合には、両端
の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１
を形成せずに、単に、基体１ａを略直方体とし、略直方
体の基体１ａの対向する一対の側面で互いに異なる端面
と間隙１０ａ，１０ｂを介して、一対の側面で互いに異
なる端面に引き出された導電膜２ａを備えた単純な構成
としてもよい。

【０１２５】（実施の形態５）図７は、本発明の実施の
形態５におけるチップ型磁器コンデンサを示す斜視図で
あり、図８は本発明の実施の形態５におけるチップ型磁
器コンデンサを示す断面図である。なお、図８（ａ）は
図７のＡ−Ａ線断面図、図８（ｂ）は図７のＢ−Ｂ線断
面図、図８（ｃ）は図７のＣ−Ｃ線断面図である。

【０１２６】図７，８において、１１ａは中央対向部で
ある。また、５００はチップ型磁器コンデンサを示して
いる。また、Ｌは凹部に挟まれた中央対向部１１ａの基
体１ａの厚みである。なお、本実施の形態５において
は、実施の形態４で説明した部分と同じものには同じ符
号を付している。

【０１２７】そして、本実施の形態５においては、チッ
プ型磁器コンデンサ５００を構成する各部は、実施の形
態４で説明したものと同様であり、詳しい説明は一部省
略する。

【０１２８】図７に示すように、チップ型磁器コンデン
サ５００は、基体１ａの両端部に端子電極９を備え、端
子電極９間の凹部に外装材６が充填され、外形が略直方
体である。

【０１２９】更に、図８（ａ）に示すように、チップ型
磁器コンデンサ５００は、略直方体である基体１ａの対
向する一対の面に凹部がそれぞれ形成されている。この
対向する凹部の深さは任意であり、対向する凹部の深さ
によって、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬが決定
される。対向する凹部は、中央対向部１１ａを挟み対称
形状であり、体積も同一である事が好ましいが、互いに
異なっていてもよい。

【０１３０】また、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）に示す
ように、基体１ａの表面には、対向する凹部で、即ち、
基体１ａの中央対向部１１ａの表裏で、互いに異なる端
面に引き出された導電膜２ａが形成されている。更に、
導電膜２ａは、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏でそ
れぞれ間隙１０ａ，１０ｂによって分離されている。

【０１３１】そして、互いに異なる端面に引き出された
導電膜２ａのそれぞれが基体１ａの端子部１２を覆う構
成であり、互いに対向する端子部１２間において、基体
１ａの中央対向部１１ａの表裏に形成され、導電膜２ａ
を分離する間隙１０ａと間隙１０ｂとは点対称の関係に
ある。

【０１３２】更に、対向する凹部には、それぞれ外装材
６が充填され、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏の導
電膜２ａ及び間隙１０ａ，１０ｂを覆う構成となってい
る。

【０１３３】また、端子部１２の導電膜２ａに対して、
導電膜２ａを覆うように端子電極９が形成されている。
なお、端子電極９を設けずに、端子部１２で露出してい
る導電膜２ａをそのまま電極として用いても良い。

【０１３４】また、外装材６を端子部１２と略面一に充
填することで、外形が略直方体となり、チップコンデン
サとしての実装性に優れるものである。

【０１３５】そして、本発明の実施の形態５におけるチ
ップ型磁器コンデンサ５００は、対向する端子部１２間
において、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０
ｂによって静電容量を得ることができると共に、更に、
中央対向部１１ａを介して互いに対向する導電膜２ａが
形成され、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬによっ
て、静電容量を得ることができる。また、基体１ａの中
央対向部１１ａの厚みＬを変更することによって、所望
の静電容量を得ることができる。

【０１３６】特に、大きな静電容量を得るために、基体
１ａの中央対向部１１ａの厚みＬを小さくしても、中央
対向部１１ａを取り囲む基体１ａの存在によって、チッ
プ型磁器コンデンサ５０の機械的強度を維持することが
可能である。

【０１３７】基体１は、実施の形態１〜４で説明したよ
うに、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系、または、Ｃ
ａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃系の誘電
体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられる。そし
て、導電膜２ａはＺｎを主体とするものである。

【０１３８】また、外装材６としても、実施の形態１〜
４で説明したものと同様である。

【０１３９】また、端子電極９も、実施の形態３，４で
説明したものと同様である。

【０１４０】次に、チップ型磁器コンデンサ５００の製
造方法について説明する。

【０１４１】この基体１ａの形成方法としては、まず、
金型に上記した誘電体材料を装填し加圧成形後これを焼
成する。そして、焼成されたこの略直方体のベース基体
１ａの対向する一対の面の中央を削ることによって、凹
部を形成する。また、基体１ａの対向する一対の面の中
央にそれぞれ凹部を備えるように予め金型を形成し、こ
の金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成してもよ
い。このように形成することで、基体１ａを削る工程を
無くすことができる。

【０１４２】次に、基体１ａの表裏に導電膜２ａが形成
される。一方の凹部において導電膜２ａは間隙１０ａを
備えるように形成され、他方の凹部において導電膜２ａ
は間隙１０ｂを備えるように形成される。

【０１４３】導電膜２ａの形成方法としては、実施の形
態４で説明した方法と同様である。

【０１４４】そして、凹部に上記した絶縁性を有する材
料を用いて外装材６を充填する。なお、外装材６は端子
部１２と略面一に形成することが好ましい。

【０１４５】更に、端子部１２の導電膜２ａに対して、
導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。

【０１４６】そして、本発明の実施の形態５におけるチ
ップ型磁器コンデンサ５００は、外形が略直方体とな
り、チップコンデンサとしての実装性に優れる。

【０１４７】以上実施の形態１〜５で説明したように、
本発明の磁器コンデンサは、様々な形態を取ることが可
能である。そして、いずれの形態であっても、本発明の
磁器コンデンサは、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、
または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ
₃を主成分とする誘電体磁器と、誘電体磁器の対向表面
に形成されたＺｎを主体とする電極とを備えることによ
り、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱
温度を抑制することができるものである。

【０１４８】

【実施例】実施例により本発明を詳細に説明する。な
お、本発明は以下の実施例等により何ら限定されるもの
ではない。

【０１４９】（実施例１）まず、主成分であるＣａＴｉ
Ｏ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＣａＴｉＯ₃
０．９５０、Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂ ０．０５０）と、
この粉末１００部に対して、添加剤兼焼結助剤成分とし
てＭｇＯを０．２部、ＳｉＯ₂を０．２部、それぞれ電
子天秤で秤量し、５ｍｍφのＺｒＯ₂質ボールが入った
モノマロン製ポットミル中に投入した。

【０１５０】次に、１００ｒｐｍの回転速度で２００時
間混合した後、混合物を１５０メッシュのシルクスクリ
ーンで濾過して、テフロン（登録商標）シートを敷いた
ステンレスバット中に投入し、１２００℃の温度で乾燥
した。乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した後、
造粒した。

【０１５１】この造粒物を円板型の形状に加圧成形した
後、約１３５０℃で焼成し、誘電体磁器基板を得た。誘
電体磁器基板の形状は、直径約１０．０ｍｍ、厚さ約
１．０ｍｍである。

【０１５２】次に、得られた誘電体磁器基板の両主表面
に、印刷法によって第１層電極としてのＺｎ電極を直径
８．０ｍｍで形成し、６４０℃で焼き付けを行った。

【０１５３】更に、このＺｎ電極表面に約ｐＨ３のりん
ご酸を用いて化学的エッチングを行い、Ｚｎ電極表面の
酸化物を除去した。

【０１５４】次に、Ｚｎ電極の上に、第２層電極として
Ｃｕ電極を無電解メッキ法によって形成した。

【０１５５】そして、誘電体磁器の両主表面のＣｕ電極
上に、それぞれリード線を半田付けした。

【０１５６】更に、リード線の一部を除いて、エポキシ
樹脂をコーティングし、Ｚｎ及びＣｕ電極が積層された
誘電体磁器を被覆して外装材を形成し、図１に示した磁
器コンデンサを得た。

【０１５７】次に、得られた実施例１の磁器コンデンサ
の静電容量（Ｃａｐ）、誘電体損失（Ｑ値＝１／ｔａｎ
δ）、直流抵抗（ＩＲ）、誘電体形状（φ／ｔ）、誘電
率（ε）、温度特性（ＴＣ）、自己発熱特性（δｔ）を
測定した。

【０１５８】静電容量（Ｃａｐ）と誘電体損失（Ｑ値）
はＹＨＰ製Ｃメーター４２７８Ａを使用して１Ｖ／１Ｍ
Ｈｚの信号電圧下で測定した。直流抵抗（ＩＲ）はアド
バンテスト社製絶縁抵抗計Ｒ８３４００Ａを使用して５
００ＶＤＣを１分間印加して測定した。誘電体形状（φ
／ｔ）はマイクロメーターで測定し、誘電率（ε）は以
下の計算で求めた。温度特性（ＴＣ）は温度毎の静電容
量をＹＨＰ製Ｃメーター４２７８Ａで測定した。

【０１５９】Ｃ＝ε・φ²／１４４ｔＣ：静電容量 ε：誘電率 φ：誘電体電極径ｔ：誘電体厚み自己発熱特性（δｔ）は、実施例１の磁器コンデンサ
に、ＡＣ５．０ｋＶｐ−ｐ、周波数１００ｋＨｚを印加
し、φ０．１ｍｍの熱電対（クロメルアルメル）を実施
例１の磁器コンデンサのエポキシ樹脂からなる外装材に
密着させ、温度上昇が安定した時の外装材の表面温度を
測定し、この外装材の表面温度と、そのときの雰囲気温
度との差を自己発熱特性（δｔ）とした。

【０１６０】この測定結果を（表１）に示した。

【０１６１】

【表１】

【０１６２】（実施例２〜１０）主成分であるＣａＴｉ
Ｏ₃−ＬａＣＯ₃−ＴｉＯ₂系粉末の組成比（モル比）を
変更し、或いは、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−Ｓ
ｒＴｉＯ₃系粉末を主成分として、その組成比（モル
比）を変更し、その他は実施例１と同様にして、実施例
２〜１０の磁器コンデンサを得た。実施例２〜１０の磁
器コンデンサについても、実施例１と同様の測定を行っ
た。

【０１６３】この測定結果と実施例２〜１０のＣａＴｉ
Ｏ₃−ＬａＣＯ₃−ＴｉＯ₂系粉末の組成比、或いは、Ｃ
ａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃系粉末の
組成比（モル比）を合わせて（表１）に示している。

【０１６４】また、実施例１０については、自己発熱特
性（δｔ）は、印可する電圧をＡＣ０ｋＶｐ−ｐ〜５．
０ｋＶｐ−ｐの範囲で行い測定した。この結果を図９に
示す。なお、図９は自己発熱温度特性と印加電圧の関係
を示すグラフである。

【０１６５】（比較例１）実施例１と同様に、主成分で
あるＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂粉末（モル比で、
ＣａＴｉＯ₃ ０．９５０、Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂ ０．０
５０）と、この粉末１００部に対して、添加剤であるＭ
ｇＯを０．２部、ＳｉＯ₂焼結助剤成分を０．２部、電
子天秤で秤量し、５ｍｍφのＺｒＯ₂質ボールが入った
モノマロン製ポットミル中に投入し、１００ｒｐｍの回
転速度で２００時間混合した後、混合物を１５０メッシ
ュのシルクスクリーンで濾過して、テフロンシートを敷
いたステンレスバット中に投入し、１２００℃の温度で
乾燥した。乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した
後造粒した。

【０１６６】この造粒物を円板型の形状に加圧成形した
後、約１３５０℃で焼成し、誘電体磁器基板を得た。誘
電体磁器基板の形状は、直径約１０．０ｍｍ、厚さ約
１．０ｍｍである。

【０１６７】次に、得られた誘電体磁器基板の両主表面
に、印刷法によってＡｇ（銀）電極を直径８．０ｍｍで
形成し、８００℃で焼き付けを行った。

【０１６８】そして、誘電体磁器の両主表面のＡｇ電極
上に、それぞれリード線を半田付けした。更に、リード
線の一部を除いて、エポキシ樹脂をコーティングし、Ａ
ｇ電極が形成された誘電体磁器を被覆して外装材を形成
し、図１に示した磁器コンデンサを得た。

【０１６９】次に、実施例１と同様に、得られた比較例
１の磁器コンデンサの静電容量（Ｃａｐ）、誘電体損失
（Ｑ値＝１／ｔａｎδ）、直流抵抗（ＩＲ）、誘電体形
状（φ／ｔ）、誘電率（ε）、温度特性（ＴＣ）、自己
発熱特性（δｔ）を測定した。

【０１７０】この測定結果を（表２）に示している。

【０１７１】

【表２】

【０１７２】（比較例２〜１０）主成分であるＣａＴｉ
Ｏ₃−ＬａＣＯ₃−ＴｉＯ₂系粉末の組成比（モル比）を
変更し、或いは、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−Ｓ
ｒＴｉＯ₃系粉末を主成分として、その組成比（モル
比）を変更し、その他は比較例１と同様にして、比較例
２〜１０の磁器コンデンサを得た。比較例２〜１０の磁
器コンデンサについても、比較例１と同様の測定を行っ
た。

【０１７３】この測定結果と比較例２〜１０のＣａＴｉ
Ｏ₃−ＬａＣＯ₃−ＴｉＯ₂系粉末の組成比、或いは、Ｃ
ａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃系粉末の
組成比（モル比）を合わせて（表２）に示している。

【０１７４】また、比較例１０については、自己発熱特
性（δｔ）は、印可する電圧をＡＣ０ｋＶｐ−ｐ〜５．
０ｋＶｐ−ｐの範囲で行い測定した。この結果は上述し
た実施例１０の結果とともに図９に示している。

【０１７５】（表１）、（表２）、図９の結果から明ら
かなように、本発明の組成の誘電体磁器と、これに用い
る電極として、本発明の第１層電極のＺｎ（亜鉛）電極
及び第２層電極のＣｕ（銅）電極を用いた磁器コンデン
サは、Ａｇ（銀）電極を用いたものに比べて、明らかに
自己発熱温度特性が優れていた。

【０１７６】（比較例１１）比較例１１の磁器コンデン
サは以下のようにして作製した。まず、主成分であるＢ
ａＴｉＯ₃粉末１００部に対して、添加剤兼焼結助剤成
分として、Ｂｉ₂Ｏ₃を３部、ＳｎＯ₂を２部、Ａｌ₂Ｏ₃
を１部、Ｌａ₂Ｏ₃を１部、ＺｒＯ₂を１部、ＳｉＯ₂を
０．５部、ＭｎＯ₂を０．２部それぞれ電子天秤で秤量
し、以下、実施例１と同様にして誘電体磁器基板を得
た。誘電体磁器基板の形状は、直径約１０．０ｍｍ、厚
さ約１．０ｍｍである。

【０１７７】次に実施例１と同様に、第１層電極として
Ｚｎ電極、第２層電極としてＣｕ電極を形成し、リード
線を半田付けし、エポキシ樹脂をコーティングして外装
材を形成した。

【０１７８】（比較例１２）誘電体磁器基板の両主表面
に、印刷法によってＡｇ電極を直径８．０ｍｍで形成
し、８００℃で焼き付けを行う以外は比較例１１と同様
の方法にて比較例１２の磁器コンデンサを作製した。

【０１７９】次に、これらの磁器コンデンサの諸特性を
測定した。

【０１８０】この測定結果は次の通りである。

【０１８１】比較例１１：静電容量（Ｃａｐ）＝９８
２．６４（ｐＦ）、ｔａｎδ＝１．３７０（％）、直流
抵抗（ＩＲ）＝０．８Ｅ＋１２（Ω）、誘電体形状（φ
／ｔ）＝８．０／１．３５（ｍｍ/ｍｍ）、誘電率
（ε）＝３０００比較例１２：静電容量（Ｃａｐ）＝９
８０．５６（ｐＦ）、ｔａｎδ＝１．３６３（％）、直
流抵抗（ＩＲ）＝０．８Ｅ＋１２（Ω）、誘電体形状
（φ／ｔ）＝８．０／１．３５（ｍｍ/ｍｍ）、誘電率
（ε）＝３０００また、比較例１１，１２について、自
己発熱特性（δｔ）を、印可する電圧をＡＣ０ｋＶｐ−
ｐ〜３．０ｋＶｐ−ｐの範囲で測定し、その結果の自己
発熱温度特性と印加電圧の関係を図１０に示す。なお、
図１０は自己発熱温度特性と印加電圧の関係を示すグラ
フである。

【０１８２】図１０の結果から明らかなように、本発明
以外の組成の誘電体磁器と、Ｚｎ（亜鉛）からなる第１
層電極とＣｕ（銅）からなる第２層電極を用いた場合、
或いは、Ａｇ（銀）電極を用いた場合のいずれの磁器コ
ンデンサであっても、自己発熱を抑制することができな
かった。

【０１８３】このように本発明の組成からなる誘電体磁
器とＺｎ（亜鉛）からなる第１の電極とを組み合わせる
ことではじめて自己発熱が抑制される。

【０１８４】

【発明の効果】以上の様に本発明によれば、高電圧の使
用条件下においても自己発熱温度を抑制し、低損失であ
る磁器コンデンサを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における磁器コン
デンサを示す透視側面図（ｂ）本発明の実施の形態１における磁器コンデンサを
示す透視正面図

【図２】本発明の実施の形態２におけるモールド型磁器
コンデンサを示す断面図

【図３】本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す透視斜視図

【図４】本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す断面図

【図５】本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す透視斜視図

【図６】本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す断面図

【図７】本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す斜視図

【図８】本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す断面図

【図９】自己発熱温度特性と印加電圧の関係を示すグラ
フ

【図１０】自己発熱温度特性と印加電圧の関係を示すグ
ラフ

【符号の説明】

１誘電体磁器基板１ａ基体２第１層電極２ａ導電膜３第２層電極４，５リード線６外装材７，８リード端子９端子電極１０，１０ａ，１０ｂ間隙１１軸芯部１１ａ中央対向部１２端子部１３傾斜部１００磁器コンデンサ２００モールド型磁器コンデンサ３００，４００，５００チップ型磁器コンデンサ

フロントページの続き (72)発明者西野徳次大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者山本益裕大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5E001 AB01 AC04 AC09 AC10 AD01 AD05 AE00 AE01 AE03 AF01 AF02 AG01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、また
は、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を
主成分とする誘電体磁器と、前記誘電体磁器の対向表面
に形成されたＺｎを主体とする電極とを備えたことを特
徴とする磁器コンデンサ。
【請求項２】ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、また
は、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を
主成分とする誘電体磁器と、前記誘電体磁器の対向表面
に形成されたＺｎを主体とする第１層の電極と、前記第
１層の電極上に形成されたＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａ
ｌから選ばれる少なくとも一つの金属を主体とする第２
層の電極を備えたことを特徴とする磁器コンデンサ。
【請求項３】ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、また
は、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を
主成分とする誘電体磁器基板と、前記誘電体磁器基板の
両主表面に形成されたＺｎを主体とする第１層の電極
と、前記第１層の電極上に形成されたＣｕ，Ｎｉ，Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属を主
体とする第２層の電極と、前記第２層の電極に接続され
たリード線と、前記誘電体磁器基板、前記第１層及び第
２層の電極、前記リード線の一部を埋設する外装材とを
備えたことを特徴とする磁器コンデンサ。
【請求項４】ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、また
は、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を
主成分とする誘電体磁器基板と、前記誘電体磁器基板の
両主表面に形成されたＺｎを主体とする第１層の電極
と、前記第１層の電極上に形成されたＣｕ，Ｎｉ，Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属を主
体とする第２層の電極と、前記第２層の電極に接続さ
れ、互いに異なる方向に配設されたリード端子と、前記
誘電体磁器基板、前記第１層及び第２層の電極、前記リ
ード端子の一部を埋設する外装材と、前記外装材の側面
から外部に突き出された前記リード端子の外部端子形成
部とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサ。
【請求項５】両端に端子部と、前記端子部よりも外周に
亘って凹んだ軸芯部とを備え、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃
−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂
−ＳｒＴｉＯ₃を主成分とする誘電体磁器で構成された
基体と、前記基体の表面に形成されたＺｎを主体とする
導電膜と、前記軸芯部で前記導電膜を分離する間隙とを
備えたことを特徴とする磁器コンデンサ。
【請求項６】両端に端子部と、前記端子部よりも外周に
亘って凹んだ軸芯部とを備え、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃
−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂
−ＳｒＴｉＯ₃を主成分とする誘電体磁器で構成された
基体と、前記軸芯部の対向する一対の面に形成され、前
記一対の面で互いに異なる前記端子部と間隙を介し、前
記一対の面で互いに異なる前記端子部に引き出されたＺ
ｎを主体とする導電膜とを備えたことを特徴とする磁器
コンデンサ。
【請求項７】前記軸芯部と端子部の間に傾斜部を備えた
ことを特徴とする請求項５，６いずれか１記載の磁器コ
ンデンサ。
【請求項８】前記軸芯部と前記傾斜部のなす角度が、９
０度〜１５０度であることを特徴とする請求項７記載の
磁器コンデンサ。
【請求項９】前記基体の前記端子部の高さと前記軸芯部
の高さの比が、１：０．５〜０．８５であることを特徴
とする請求項５〜８いずれか１記載の磁器コンデンサ。
【請求項１０】前記両端の端子部間に、前記軸芯部を覆
う外装材を備えたことを特徴とする請求項５〜９いずれ
か１記載の磁器コンデンサ。
【請求項１１】前記外装材と前記両端の端子部が、略面
一であることを特徴とする請求項１０記載の磁器コンデ
ンサ。
【請求項１２】前記端子部の導電膜の上に、端子電極を
備えたことを特徴とする請求項５〜１１いずれか１記載
の磁器コンデンサ。
【請求項１３】両端に端子部を備え、ＣａＴｉＯ₃−Ｌ
ａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、または、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−Ｔ
ｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を主成分とする誘電体磁器で構成さ
れた略直方体の基体と、前記基体の対向する一対の側面
にそれぞれ形成された凹部と、前記対向する凹部にそれ
ぞれ形成され、前記対向する凹部で互いに異なる前記端
子部と間隙を介し、前記対向する凹部で互いに異なる前
記端子部に引き出されたＺｎを主体とする導電膜とを備
えたことを特徴とする磁器コンデンサ。
【請求項１４】前記対向するそれぞれの凹部に、外装材
を充填したことを特徴とする請求項１３記載の磁器コン
デンサ。
【請求項１５】前記端面の導電膜の上に、端子電極を備
えたことを特徴とする請求項１３，１４いずれか１記載
の磁器コンデンサ。
【請求項１６】ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、また
は、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を
主成分とする誘電体磁器で構成された基体と、前記基体
の表面に形成されたＺｎを主体とする導電膜と、前記導
電膜を分離する間隙とを備えたことを特徴とする磁器コ
ンデンサ。
【請求項１７】ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、また
は、ＣａＴｉＯ₃−Ｌａ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂−ＳｒＴｉＯ₃を
主成分とする誘電体磁器で構成された略直方体の基体
と、前記基体の対向する一対の側面に形成され、前記一
対の側面で互いに異なる端面と間隙を介し、前記一対の
側面で互いに異なる端面に引き出されたＺｎを主体とす
る導電膜とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサ。