JP2003162922A - 導電性ペースト並びにそれを用いた配線基板及びその製造方法 - Google Patents
導電性ペースト並びにそれを用いた配線基板及びその製造方法Info
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- JP2003162922A JP2003162922A JP2001362549A JP2001362549A JP2003162922A JP 2003162922 A JP2003162922 A JP 2003162922A JP 2001362549 A JP2001362549 A JP 2001362549A JP 2001362549 A JP2001362549 A JP 2001362549A JP 2003162922 A JP2003162922 A JP 2003162922A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 モバイル機器等の小型化、多機能化、高性能
化等に好適な導電性ペースト、配線基板及びその製造方
法の提供。 【解決手段】 Ａｕ含有量が０質量％超１０質量％以下
及び９５質量％以上１００質量％未満のいずれかであ
り、中心粒子径が１００μｍ以下であるＡｇ−Ａｕ合金
から実質的になる導電性材料を導電性成分として含有導
電性ペースト。Ａｇ−Ａｕ合金が、Ａｇ粉末とＡｕ粉末
とをガスアトマイズ法により融点以上に加熱することに
よりＡｇとＡｕとの溶融微粒子として得られた態様が好
ましい。Ａｇ粉末とＡｕ粉末とを導電性成分として含有
してなり、加熱されてＡｇ粉末とＡｕ粉末とが溶融して
Ａｇ−Ａｕ合金が形成される導電性ペースト。該導電性
ペーストを用いた配線基板、１ＧＨｚ以上の高周波電波
用の回路モジュールとして用いられる態様が好ましい。
未焼結基板の表面に前記導電性ペーストを付与して焼結
する配線基板の製造方法。
化等に好適な導電性ペースト、配線基板及びその製造方
法の提供。 【解決手段】 Ａｕ含有量が０質量％超１０質量％以下
及び９５質量％以上１００質量％未満のいずれかであ
り、中心粒子径が１００μｍ以下であるＡｇ−Ａｕ合金
から実質的になる導電性材料を導電性成分として含有導
電性ペースト。Ａｇ−Ａｕ合金が、Ａｇ粉末とＡｕ粉末
とをガスアトマイズ法により融点以上に加熱することに
よりＡｇとＡｕとの溶融微粒子として得られた態様が好
ましい。Ａｇ粉末とＡｕ粉末とを導電性成分として含有
してなり、加熱されてＡｇ粉末とＡｕ粉末とが溶融して
Ａｇ−Ａｕ合金が形成される導電性ペースト。該導電性
ペーストを用いた配線基板、１ＧＨｚ以上の高周波電波
用の回路モジュールとして用いられる態様が好ましい。
未焼結基板の表面に前記導電性ペーストを付与して焼結
する配線基板の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、モバイル機器等の
小型化、多機能化、高性能化等に好適な導電性ペース
ト、並びに、それを用いた配線基板及びその製造方法に
関する。
小型化、多機能化、高性能化等に好適な導電性ペース
ト、並びに、それを用いた配線基板及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、その他
のモバイル機器における無線情報通信、無線、ＬＡＮ等
においては、音声、画像、データなど大容量の信号をよ
り高速に伝送することが望まれており、これを実現する
ため、モバイル機器の小型化、多機能化、高性能化に関
する研究開発が盛んに行われてきている。多機能、高性
能のモバイル機器を小型化するためには、実装技術のよ
り一層の高密度化、高周波回路中の受動部品（アンテ
ナ、フィルター等）の一体モジュール化などが必要とな
る。この一体モジュール化の技術としては、例えば、Ｌ
ＴＣＣ（低温焼成セラミックス）技術を用いてアンテナ
層、フィルター層、コンデンサ層等をモジュール中に組
み込む技術が、比較的安価で実施できるために主流にな
りつつあり、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ等の無線モジュールに
応用され始めている。
のモバイル機器における無線情報通信、無線、ＬＡＮ等
においては、音声、画像、データなど大容量の信号をよ
り高速に伝送することが望まれており、これを実現する
ため、モバイル機器の小型化、多機能化、高性能化に関
する研究開発が盛んに行われてきている。多機能、高性
能のモバイル機器を小型化するためには、実装技術のよ
り一層の高密度化、高周波回路中の受動部品（アンテ
ナ、フィルター等）の一体モジュール化などが必要とな
る。この一体モジュール化の技術としては、例えば、Ｌ
ＴＣＣ（低温焼成セラミックス）技術を用いてアンテナ
層、フィルター層、コンデンサ層等をモジュール中に組
み込む技術が、比較的安価で実施できるために主流にな
りつつあり、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ等の無線モジュールに
応用され始めている。
【０００３】ところで、モジュール中の回路配線には、
高周波での伝送損失を低減可能な低電気抵抗の導電性材
料を用いる必要があるが、この導電性材料には、更に、
耐マイグレーション特性に優れること、焼結開始温度に
おけるセラミックスとのマッチング性が良好であること
等の諸特性に優れ、安価であることが求められる。従来
から前記導電性材料として用いられているＡｕ、Ａｇ及
びＣｕについては、表１に示すように、Ａｕは、前記諸
特性には優れるものの極めて高価であるので汎用性に乏
しく、Ａｇは、安価であるものの前記マイグレーション
特性に劣り、Ｃｕは、高温で酸化し易いため、還元雰囲
気での焼結が必要でありプロセスコストが高価であり、
誘電体を内蔵するため還元雰囲気で同時焼結すると該誘
電体中に酸素欠陥が生じ半導体化してしまい、コンデン
サ層、フィルター層等の導入が難しく、それぞれメリッ
トとデメリットとを併せ持っている。
高周波での伝送損失を低減可能な低電気抵抗の導電性材
料を用いる必要があるが、この導電性材料には、更に、
耐マイグレーション特性に優れること、焼結開始温度に
おけるセラミックスとのマッチング性が良好であること
等の諸特性に優れ、安価であることが求められる。従来
から前記導電性材料として用いられているＡｕ、Ａｇ及
びＣｕについては、表１に示すように、Ａｕは、前記諸
特性には優れるものの極めて高価であるので汎用性に乏
しく、Ａｇは、安価であるものの前記マイグレーション
特性に劣り、Ｃｕは、高温で酸化し易いため、還元雰囲
気での焼結が必要でありプロセスコストが高価であり、
誘電体を内蔵するため還元雰囲気で同時焼結すると該誘
電体中に酸素欠陥が生じ半導体化してしまい、コンデン
サ層、フィルター層等の導入が難しく、それぞれメリッ
トとデメリットとを併せ持っている。
【０００４】
【表１】
【０００５】そこで、これらの導電性材料におけるデメ
リットを改善する目的で、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｐｔ
合金などの導電性材料も研究開発されてきている。しか
しながら、これらの合金に用いられるＰｄ、Ｐｔ等は、
高価であるのでやはり汎用性に乏しいという問題があ
る。このため、高周波での伝送損失を低減可能な低電気
抵抗であり、耐マイグレーション特性に優れ、焼結開始
温度におけるセラミックスとのマッチング性が良好であ
り、しかも安価な導電性材料を含有する導電性ペースト
は未だ提供されていないのが現状であり、かかる導電性
材料を含有する導電性ペーストの開発が強く望まれてい
る。
リットを改善する目的で、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｐｔ
合金などの導電性材料も研究開発されてきている。しか
しながら、これらの合金に用いられるＰｄ、Ｐｔ等は、
高価であるのでやはり汎用性に乏しいという問題があ
る。このため、高周波での伝送損失を低減可能な低電気
抵抗であり、耐マイグレーション特性に優れ、焼結開始
温度におけるセラミックスとのマッチング性が良好であ
り、しかも安価な導電性材料を含有する導電性ペースト
は未だ提供されていないのが現状であり、かかる導電性
材料を含有する導電性ペーストの開発が強く望まれてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる要望
に応え、従来における前記問題を解決し、以下の目的を
達成することを課題とする。即ち、本発明は、高周波で
の伝送損失を低減可能な低電気抵抗であり、耐マイグレ
ーション特性に優れ、焼結開始温度におけるセラミック
スとのマッチング性が良好であり、しかも安価であり、
モバイル機器等の小型化、多機能化、高性能化等に好適
な導電性ペーストを提供することを目的とする。また、
本発明は、該導電性ペーストを用い、小型化、多機能
化、高性能化等が可能な配線基板、及び該配線基板を効
率的に製造可能な配線基板の製造方法を提供することを
目的とする。
に応え、従来における前記問題を解決し、以下の目的を
達成することを課題とする。即ち、本発明は、高周波で
の伝送損失を低減可能な低電気抵抗であり、耐マイグレ
ーション特性に優れ、焼結開始温度におけるセラミック
スとのマッチング性が良好であり、しかも安価であり、
モバイル機器等の小型化、多機能化、高性能化等に好適
な導電性ペーストを提供することを目的とする。また、
本発明は、該導電性ペーストを用い、小型化、多機能
化、高性能化等が可能な配線基板、及び該配線基板を効
率的に製造可能な配線基板の製造方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の手段は、後述の（付記１）〜（付記２４）として記載
した通りである。前記付記１に記載の導電性材料は、低
電気抵抗、耐マイグレーション特性、焼結開始温度にお
けるセラミックスとのマッチング性等のバランスに優
れ、しかも安価であり、モバイル機器等の小型化、多機
能化、高性能化等に好適である。前記付記２又は３に記
載の導電性材料は、抵抗値が３μΩ・ｃｍ以下であるの
で更に低電気抵抗に優れ、高周波での伝送損失が低減さ
れ、導体の断線・ショート等が生じ難く、１ＧＨｚ以上
の高周波電波用の回路モジュールとして特に好適であ
る。前記付記４又は５に記載の導電性材料は、微細パタ
ーン等のスクリーン印刷等にも好適に使用される。前記
付記６に記載の導電性材料は、溶融微粒子で全率固溶系
であるので物性が安定である。前記付記７に記載の導電
性材料は、導電性ペーストに好適に用いられる。
の手段は、後述の（付記１）〜（付記２４）として記載
した通りである。前記付記１に記載の導電性材料は、低
電気抵抗、耐マイグレーション特性、焼結開始温度にお
けるセラミックスとのマッチング性等のバランスに優
れ、しかも安価であり、モバイル機器等の小型化、多機
能化、高性能化等に好適である。前記付記２又は３に記
載の導電性材料は、抵抗値が３μΩ・ｃｍ以下であるの
で更に低電気抵抗に優れ、高周波での伝送損失が低減さ
れ、導体の断線・ショート等が生じ難く、１ＧＨｚ以上
の高周波電波用の回路モジュールとして特に好適であ
る。前記付記４又は５に記載の導電性材料は、微細パタ
ーン等のスクリーン印刷等にも好適に使用される。前記
付記６に記載の導電性材料は、溶融微粒子で全率固溶系
であるので物性が安定である。前記付記７に記載の導電
性材料は、導電性ペーストに好適に用いられる。
【０００８】前記付記８から１１のいずれかに記載の導
電性ペーストは、低電気抵抗、耐マイグレーション特
性、焼結開始温度におけるセラミックスとのマッチング
性等のバランスに優れ、しかも安価であり、モバイル機
器等の小型化、多機能化、高性能化等に好適である。前
記付記８又は９に記載の導電性ペーストは、加熱前の導
電性成分が溶融微粒子であるのに対し、前記付記１０又
は１１に記載の導電性ペーストは、加熱前の導電性成分
がＡｇ粉末及びＡｕ粉末であり、加熱後に前記溶融微粒
子が形成される。前記付記１２に記載の導電性ペースト
は、配線基板に好適に用いられる。
電性ペーストは、低電気抵抗、耐マイグレーション特
性、焼結開始温度におけるセラミックスとのマッチング
性等のバランスに優れ、しかも安価であり、モバイル機
器等の小型化、多機能化、高性能化等に好適である。前
記付記８又は９に記載の導電性ペーストは、加熱前の導
電性成分が溶融微粒子であるのに対し、前記付記１０又
は１１に記載の導電性ペーストは、加熱前の導電性成分
がＡｇ粉末及びＡｕ粉末であり、加熱後に前記溶融微粒
子が形成される。前記付記１２に記載の導電性ペースト
は、配線基板に好適に用いられる。
【０００９】前記付記１３から１５のいずれかに記載の
配線基板は、モバイル機器等の小型化、多機能化、高性
能化等に好適である。前記付記１６に記載の配線基板
は、抵抗値が３μΩ・ｃｍ以下であるので更に低電気抵
抗に優れ、高周波での伝送損失が低減され、導体の断線
・ショート・マイグレーション等が生じ難く、１ＧＨｚ
以上の高周波電波用の回路モジュールとして好適であ
る。前記付記１７又は１８に記載の配線基板は、集積モ
ジュールに好適に使用される。前記付記１９又は２０に
記載の配線基板は、導電性材料と基板との密着性・一体
性に優れる。前記付記２１に記載の配線基板は、１ＧＨ
ｚ以上の高周波電波用の回路モジュールとして好適に使
用でき、導体の断線・ショート等の問題がない。前記付
記２２に記載の配線基板の製造方法では、小型化、多機
能化、高性能化等を図ったモバイル機器等が効率良く製
造される。前記付記２３又は２４に記載の配線基板の製
造方法では、効率良く集積モジュールが製造される。
配線基板は、モバイル機器等の小型化、多機能化、高性
能化等に好適である。前記付記１６に記載の配線基板
は、抵抗値が３μΩ・ｃｍ以下であるので更に低電気抵
抗に優れ、高周波での伝送損失が低減され、導体の断線
・ショート・マイグレーション等が生じ難く、１ＧＨｚ
以上の高周波電波用の回路モジュールとして好適であ
る。前記付記１７又は１８に記載の配線基板は、集積モ
ジュールに好適に使用される。前記付記１９又は２０に
記載の配線基板は、導電性材料と基板との密着性・一体
性に優れる。前記付記２１に記載の配線基板は、１ＧＨ
ｚ以上の高周波電波用の回路モジュールとして好適に使
用でき、導体の断線・ショート等の問題がない。前記付
記２２に記載の配線基板の製造方法では、小型化、多機
能化、高性能化等を図ったモバイル機器等が効率良く製
造される。前記付記２３又は２４に記載の配線基板の製
造方法では、効率良く集積モジュールが製造される。
【００１０】
【発明の実施の形態】（導電性材料）本発明において用
いる導電性材料は、Ａｇ−Ａｕ合金から実質的になる。
ここで「実質的に」とは、本発明の効果を害しない範囲
内であれば該導電性材料は他の成分を含んでいてもよい
ことを意味する。
いる導電性材料は、Ａｇ−Ａｕ合金から実質的になる。
ここで「実質的に」とは、本発明の効果を害しない範囲
内であれば該導電性材料は他の成分を含んでいてもよい
ことを意味する。
【００１１】前記Ａｇ−Ａｕ合金におけるＡｕ含有量と
しては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択すること
ができるが、図１に示すように、該Ａｇ−Ａｕ合金の抵
抗値を３μΩ・ｃｍ以下の低電気抵抗にでき、耐マイグ
レーション特性に優れ、焼結開始温度におけるセラミッ
クスとのマッチング性等のバランスに優れ、しかも安価
である点で、０質量％超１０質量％以下及び９５質量％
以上１００質量％未満のいずれかであるのが好ましく、
０質量％超５質量％以下であるのがより好ましい。
しては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択すること
ができるが、図１に示すように、該Ａｇ−Ａｕ合金の抵
抗値を３μΩ・ｃｍ以下の低電気抵抗にでき、耐マイグ
レーション特性に優れ、焼結開始温度におけるセラミッ
クスとのマッチング性等のバランスに優れ、しかも安価
である点で、０質量％超１０質量％以下及び９５質量％
以上１００質量％未満のいずれかであるのが好ましく、
０質量％超５質量％以下であるのがより好ましい。
【００１２】前記Ａｇ−Ａｕ合金の抵抗値としては、特
に制限はなく目的に応じて適宜選択することができる
が、高周波での伝送損失を低減し導体の断線・ショート
等が生じさせず、１ＧＨｚ以上の高周波電波用の回路モ
ジュールとして好適に用いる観点からは、３μΩ・ｃｍ
以下であるのが好ましく、２．５μΩ・ｃｍ以下である
のがより好ましい。
に制限はなく目的に応じて適宜選択することができる
が、高周波での伝送損失を低減し導体の断線・ショート
等が生じさせず、１ＧＨｚ以上の高周波電波用の回路モ
ジュールとして好適に用いる観点からは、３μΩ・ｃｍ
以下であるのが好ましく、２．５μΩ・ｃｍ以下である
のがより好ましい。
【００１３】前記Ａｇ−Ａｕ合金の中心粒子径として
は、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することがで
きるが、スクリーン印刷等により微細パターンを印刷塗
布する観点からは、１００μｍ以下の粉末であるのが好
ましく、１〜５０μｍの粉末であるのがより好ましい。
なお、前記中心粒子径は、例えば、遠心沈降式、レーザ
回折式等の粒度分布測定装置を用いて測定することがで
きる。
は、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することがで
きるが、スクリーン印刷等により微細パターンを印刷塗
布する観点からは、１００μｍ以下の粉末であるのが好
ましく、１〜５０μｍの粉末であるのがより好ましい。
なお、前記中心粒子径は、例えば、遠心沈降式、レーザ
回折式等の粒度分布測定装置を用いて測定することがで
きる。
【００１４】前記Ａｇ−Ａｕ合金においては、ＡｇとＡ
ｕとが互いに固溶しているので、Ａｇが有するマイグレ
ーション特性を効果的に抑制することができ、また、全
率固溶系であるので、該Ａｇ−Ａｕ合金の融点はＡｕ含
有量の増加と共に連続的に変化する（具体的には９６０
℃から１０６３℃）。
ｕとが互いに固溶しているので、Ａｇが有するマイグレ
ーション特性を効果的に抑制することができ、また、全
率固溶系であるので、該Ａｇ−Ａｕ合金の融点はＡｕ含
有量の増加と共に連続的に変化する（具体的には９６０
℃から１０６３℃）。
【００１５】前記Ａｇ−Ａｕ合金の製造方法としては、
特に制限はなく目的に応じて公知の方法の中から適宜選
択することができるが、例えば、Ａｇ粉末とＡｕ粉末と
をガスアトマイズ法により融点以上に加熱することによ
りＡｇとＡｕとの溶融微粒子として得る方法などが好適
に挙げられる。
特に制限はなく目的に応じて公知の方法の中から適宜選
択することができるが、例えば、Ａｇ粉末とＡｕ粉末と
をガスアトマイズ法により融点以上に加熱することによ
りＡｇとＡｕとの溶融微粒子として得る方法などが好適
に挙げられる。
【００１６】本発明において用いる導電性材料は、高周
波での伝送損失を低減可能な低電気抵抗であり、耐マイ
グレーション特性に優れ、焼結開始温度におけるセラミ
ックスとのマッチング性が良好であり、しかも安価であ
るので、各種モバイル機器等の小型化、多機能化、高性
能化等に好適に使用することができる。
波での伝送損失を低減可能な低電気抵抗であり、耐マイ
グレーション特性に優れ、焼結開始温度におけるセラミ
ックスとのマッチング性が良好であり、しかも安価であ
るので、各種モバイル機器等の小型化、多機能化、高性
能化等に好適に使用することができる。
【００１７】（導電性ペースト）本発明の導電性ペース
トは、以下の第一の態様及び第二の態様が好適に挙げら
れる。
トは、以下の第一の態様及び第二の態様が好適に挙げら
れる。
【００１８】前記導電性ペーストの前記第一の態様は、
前記導電性材料を導電性成分として用いてなり、本発明
の効果を害しない範囲内において他の成分を含んでいて
もよい。
前記導電性材料を導電性成分として用いてなり、本発明
の効果を害しない範囲内において他の成分を含んでいて
もよい。
【００１９】前記導電性ペーストの前記第二の態様は、
Ａｇ粉末とＡｕ粉末とを導電性成分として含有してな
り、本発明の効果を害しない範囲内において他の成分を
含んでいてもよい。該第二の態様においては、前記導電
性ペーストが加熱されると、Ａｇ粉末とＡｕ粉末とが溶
融してＡｇ−Ａｕ合金が形成される。該Ａｇ−Ａｕ合金
におけるＡｕ含有量としては、特に制限はなく目的に応
じて適宜選択することができるが、図１に示すように、
該Ａｇ−Ａｕ合金の抵抗値を３μΩ・ｃｍ以下にし、高
周波での伝送損失を低減し導体の断線・ショート等が生
じさせず、１ＧＨｚ以上の高周波電波用の回路モジュー
ルとして好適に用いる観点からは、０質量％超１０質量
％以下及び９５質量％以上１００質量％未満のいずれか
であるのが好ましく、０質量％超５質量％以下であるの
がより好ましい。
Ａｇ粉末とＡｕ粉末とを導電性成分として含有してな
り、本発明の効果を害しない範囲内において他の成分を
含んでいてもよい。該第二の態様においては、前記導電
性ペーストが加熱されると、Ａｇ粉末とＡｕ粉末とが溶
融してＡｇ−Ａｕ合金が形成される。該Ａｇ−Ａｕ合金
におけるＡｕ含有量としては、特に制限はなく目的に応
じて適宜選択することができるが、図１に示すように、
該Ａｇ−Ａｕ合金の抵抗値を３μΩ・ｃｍ以下にし、高
周波での伝送損失を低減し導体の断線・ショート等が生
じさせず、１ＧＨｚ以上の高周波電波用の回路モジュー
ルとして好適に用いる観点からは、０質量％超１０質量
％以下及び９５質量％以上１００質量％未満のいずれか
であるのが好ましく、０質量％超５質量％以下であるの
がより好ましい。
【００２０】なお、前記第一の態様及び前記第二の態様
における、前記導電性材料に含まれる前記導電性成分以
外の成分としては、特に制限はなく目的に応じて公知の
もののの中から適宜選択することができるが、例えば、
溶剤、バインダー樹脂などが挙げられる。
における、前記導電性材料に含まれる前記導電性成分以
外の成分としては、特に制限はなく目的に応じて公知の
もののの中から適宜選択することができるが、例えば、
溶剤、バインダー樹脂などが挙げられる。
【００２１】前記第一の態様における、前記導電性材料
の前記導電性成分における含有量としては、また、前記
第二の態様における、前記Ａｇ粉末と前記Ａｕ粉末との
前記導電性成分における含有量としては、特に制限はな
く目的に応じて適宜選択することができるが、多い程好
ましく、９５質量％以上であるのが好ましく、１００質
量％であるのがより好ましい。
の前記導電性成分における含有量としては、また、前記
第二の態様における、前記Ａｇ粉末と前記Ａｕ粉末との
前記導電性成分における含有量としては、特に制限はな
く目的に応じて適宜選択することができるが、多い程好
ましく、９５質量％以上であるのが好ましく、１００質
量％であるのがより好ましい。
【００２２】本発明の導電性ペーストは、高周波での伝
送損失を低減可能な低電気抵抗であり、耐マイグレーシ
ョン特性に優れ、焼結開始温度におけるセラミックスと
のマッチング性が良好であり、しかも安価であるので、
各種モバイル機器等の小型化、多機能化、高性能化等に
好適に使用することができるが、以下の本発明の配線基
板及びその製造方法に特に好適に使用することができ
る。
送損失を低減可能な低電気抵抗であり、耐マイグレーシ
ョン特性に優れ、焼結開始温度におけるセラミックスと
のマッチング性が良好であり、しかも安価であるので、
各種モバイル機器等の小型化、多機能化、高性能化等に
好適に使用することができるが、以下の本発明の配線基
板及びその製造方法に特に好適に使用することができ
る。
【００２３】（配線基板）本発明の配線基板は、本発明
の前記導電性ペーストを用いてなること以外は、特に制
限はなくその形状、構造、大きさ等については、目的に
応じて適宜選択することができるが、導電性部材を有し
てなり、該導電性部材が前記導電性ペーストで形成され
てなるのが好ましい。
の前記導電性ペーストを用いてなること以外は、特に制
限はなくその形状、構造、大きさ等については、目的に
応じて適宜選択することができるが、導電性部材を有し
てなり、該導電性部材が前記導電性ペーストで形成され
てなるのが好ましい。
【００２４】前記導電性部材としては、特に制限はなく
目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、配
線パターン及びビアから選択することができる。なお、
前記配線基板が積層構造である場合には、前記ビアによ
り隣接する層どうしを導通させることができる。
目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、配
線パターン及びビアから選択することができる。なお、
前記配線基板が積層構造である場合には、前記ビアによ
り隣接する層どうしを導通させることができる。
【００２５】前記導電性部材の抵抗値としては、特に制
限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、高
周波での伝送損失を低減し導体の断線・ショート等が生
じさせず、１ＧＨｚ以上の高周波電波用の回路モジュー
ルとして好適に用いる観点からは、３μΩ・ｃｍ以下で
あるのが好ましく、２．５μΩ・ｃｍ以下であるのがよ
り好ましい。
限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、高
周波での伝送損失を低減し導体の断線・ショート等が生
じさせず、１ＧＨｚ以上の高周波電波用の回路モジュー
ルとして好適に用いる観点からは、３μΩ・ｃｍ以下で
あるのが好ましく、２．５μΩ・ｃｍ以下であるのがよ
り好ましい。
【００２６】前記配線基板は、単層回路基板（単層プリ
ント配線基板）であってもよいし、多層回路基板（多層
プリント配線基板）であってもよい。後者の場合、前記
配線基板は、積層構造体となるが、該積層構造体として
は、異なる機能を有する基板を２以上有してなり、２以
上の機能を有する多機能モジュールであるのが特に好ま
しい。
ント配線基板）であってもよいし、多層回路基板（多層
プリント配線基板）であってもよい。後者の場合、前記
配線基板は、積層構造体となるが、該積層構造体として
は、異なる機能を有する基板を２以上有してなり、２以
上の機能を有する多機能モジュールであるのが特に好ま
しい。
【００２７】前記積層構造体における基板としては、特
に制限はなく目的に応じて適宜選択することができる
が、例えば、アンテナ用基板、ローパスフィルター用基
板、ハイパスフィルター用基板、バンドパスフィルター
用基板、キャパシタ用基板、伝送線路回路用基板などが
好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよ
いし、２種以上を併用してもよい。
に制限はなく目的に応じて適宜選択することができる
が、例えば、アンテナ用基板、ローパスフィルター用基
板、ハイパスフィルター用基板、バンドパスフィルター
用基板、キャパシタ用基板、伝送線路回路用基板などが
好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよ
いし、２種以上を併用してもよい。
【００２８】本発明においては、前記積層構造体におけ
る各基板が、酸化物ガラスを焼結助剤として用いたセラ
ミック基板であるのが好ましく、同系の酸化物ガラスを
焼結助剤として用いたセラミック基板であるのがより好
ましい。この場合、該セラミックス基板の収縮曲線を各
層において近くなるように設計することができ、収縮の
ミスマッチにおける層間剥離、導体の断線・ショート等
が生じ難い点で好ましい。
る各基板が、酸化物ガラスを焼結助剤として用いたセラ
ミック基板であるのが好ましく、同系の酸化物ガラスを
焼結助剤として用いたセラミック基板であるのがより好
ましい。この場合、該セラミックス基板の収縮曲線を各
層において近くなるように設計することができ、収縮の
ミスマッチにおける層間剥離、導体の断線・ショート等
が生じ難い点で好ましい。
【００２９】前記酸化物ガラスとしては、特に制限はな
く目的に応じて適宜選択することができるが、鉛成分を
含有せず、軟化点が４００〜９００℃であるものが好ま
しい。この場合、該セラミックス基板の収縮開始温度の
制御が容易であり、一時に前記多層構造体の焼成を行う
ことができ、該セラミックス基板の収縮曲線を各層にお
いて近くなるように設計することができ、収縮のミスマ
ッチにおける層間剥離、導体の断線・ショート等が生じ
難い点で有利である。
く目的に応じて適宜選択することができるが、鉛成分を
含有せず、軟化点が４００〜９００℃であるものが好ま
しい。この場合、該セラミックス基板の収縮開始温度の
制御が容易であり、一時に前記多層構造体の焼成を行う
ことができ、該セラミックス基板の収縮曲線を各層にお
いて近くなるように設計することができ、収縮のミスマ
ッチにおける層間剥離、導体の断線・ショート等が生じ
難い点で有利である。
【００３０】本発明の配線基板は、各種分野において好
適に使用することができるが、本発明の導電性ペースト
を用いてなるので、モバイル機器等の小型化、多機能
化、高性能化等に好適であり、高周波での伝送損失が低
減され、導体の断線・ショート等が生じ難いため、１Ｇ
Ｈｚ以上の高周波電波用の回路モジュールとして特に好
適に使用される。本発明の配線基板は、以下の本発明に
おける配線基板の製造方法により好適に製造することが
できる。
適に使用することができるが、本発明の導電性ペースト
を用いてなるので、モバイル機器等の小型化、多機能
化、高性能化等に好適であり、高周波での伝送損失が低
減され、導体の断線・ショート等が生じ難いため、１Ｇ
Ｈｚ以上の高周波電波用の回路モジュールとして特に好
適に使用される。本発明の配線基板は、以下の本発明に
おける配線基板の製造方法により好適に製造することが
できる。
【００３１】（配線基板の製造方法）本発明の配線基板
の製造方法においては、未焼結基板の表面に前記導電性
ペーストを付与して焼結させるが、表面に導電性ペース
トを配線パターン状に塗布する塗布処理及び表面に形成
したビア孔に導電性ペーストを充填する充填処理の少な
くともいずれかの処理がなされた未焼結基板を焼結させ
るのがより好ましい。この場合、該未焼結基板の焼結
と、該導電性ペーストにおける導電性材料による配線パ
ターン及び／又はビアとを一時に行うことができる点で
有利である。
の製造方法においては、未焼結基板の表面に前記導電性
ペーストを付与して焼結させるが、表面に導電性ペース
トを配線パターン状に塗布する塗布処理及び表面に形成
したビア孔に導電性ペーストを充填する充填処理の少な
くともいずれかの処理がなされた未焼結基板を焼結させ
るのがより好ましい。この場合、該未焼結基板の焼結
と、該導電性ペーストにおける導電性材料による配線パ
ターン及び／又はビアとを一時に行うことができる点で
有利である。
【００３２】前記未焼結基板としては、特に制限はなく
目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前
記セラミックス基板の未焼結体（「グリーン体」と称す
ることがある）などが好適に挙げられる。前記未焼結基
板は、例えば、セラミック粉末と、酸化ガラス等の焼結
助剤と、バインダー樹脂と、可塑剤とを公知の溶剤中に
分散させて調製したスラリーをシート状に成形すること
により得ることができる。
目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前
記セラミックス基板の未焼結体（「グリーン体」と称す
ることがある）などが好適に挙げられる。前記未焼結基
板は、例えば、セラミック粉末と、酸化ガラス等の焼結
助剤と、バインダー樹脂と、可塑剤とを公知の溶剤中に
分散させて調製したスラリーをシート状に成形すること
により得ることができる。
【００３３】前記塗布処理の方法としては、特に制限は
なく、公知の方法の中から適宜選択することができる
が、例えば、スクリーン印刷法等の印刷法などが好適に
挙げられる。前記充填処理の方法としては、特に制限は
なく。公知の方法の中から適宜選択することができる。
前記焼結の条件、方法等については、特に制限はなく、
公知の方法の中から適宜選択することができるが、前記
未焼結基板として前記セラミックス基板の未焼結体を用
いる場合には、低温焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）にお
ける焼成の条件等を好適に採用することができ、具体的
には８００〜１２００℃程度であり、９００〜１１００
℃が好ましく、１〜３００分程度であり、１０〜１２０
分が好ましい。また、前記焼結の前に付与された前記導
電性ペーストを乾燥させることが好ましく、該乾燥の条
件としては特に制限はないが、例えば、５０〜１００℃
程度で１０〜６０分程度である。
なく、公知の方法の中から適宜選択することができる
が、例えば、スクリーン印刷法等の印刷法などが好適に
挙げられる。前記充填処理の方法としては、特に制限は
なく。公知の方法の中から適宜選択することができる。
前記焼結の条件、方法等については、特に制限はなく、
公知の方法の中から適宜選択することができるが、前記
未焼結基板として前記セラミックス基板の未焼結体を用
いる場合には、低温焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）にお
ける焼成の条件等を好適に採用することができ、具体的
には８００〜１２００℃程度であり、９００〜１１００
℃が好ましく、１〜３００分程度であり、１０〜１２０
分が好ましい。また、前記焼結の前に付与された前記導
電性ペーストを乾燥させることが好ましく、該乾燥の条
件としては特に制限はないが、例えば、５０〜１００℃
程度で１０〜６０分程度である。
【００３４】なお、該配線基板を多層構造体とする場合
には、前記未焼結基板を２以上積層した状態で焼結させ
るのが好ましい。この場合、一時に多層構造体である前
記配線基板を効率的に製造することができる点で有利で
ある。前記未焼結基板を２以上積層する際には、各層を
プレスすることが好ましく、該プレスの条件としては特
に制限はないが、例えば、５０〜１００℃程度で１０〜
６０分程度である。
には、前記未焼結基板を２以上積層した状態で焼結させ
るのが好ましい。この場合、一時に多層構造体である前
記配線基板を効率的に製造することができる点で有利で
ある。前記未焼結基板を２以上積層する際には、各層を
プレスすることが好ましく、該プレスの条件としては特
に制限はないが、例えば、５０〜１００℃程度で１０〜
６０分程度である。
【００３５】本発明の配線基板の製造方法は、高周波で
の伝送損失が低減され、導体の断線・ショート等が生じ
難いため、１ＧＨｚ以上の高周波電波用の回路モジュー
ルとして高周波信号伝送用途に特に好適に使用すること
ができる、本発明の前記配線基板を効率的に製造するこ
とができる。
の伝送損失が低減され、導体の断線・ショート等が生じ
難いため、１ＧＨｚ以上の高周波電波用の回路モジュー
ルとして高周波信号伝送用途に特に好適に使用すること
ができる、本発明の前記配線基板を効率的に製造するこ
とができる。
【００３６】
【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものでは
ない。
が、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものでは
ない。
【００３７】−導電性材料−
表２に示す９種類の導電性材料を用意した。即ち、第一
の導電性材料は「Ａｇ粉末」そのものである（表２にお
いて「Ａｇ」と表記した）。第二の導電性材料は「Ａｕ
粉末」そのものである（表２において「Ａｕ」と表記し
た）。第三の導電性材料は「Ａｇ粉末９５質量部とＰｄ
粉末５質量部とをガスアトマイズ法により固溶させて得
られたＡｇ−Ｐｄ合金（Ｐｄ含有量＝５質量％）」であ
る（表２において「Ａｇ−５Ｐｄ」と表記した）。第四
の導電性材料は「Ａｇ粉末７０質量部とＰｄ粉末３０質
量部とをガスアトマイズ法により固溶させて得られたＡ
ｇ−Ｐｄ合金（Ｐｄ含有量＝３０質量％）」である（表
２において「Ａｇ−３０Ｐｄ」と表記した）。第五の導
電性材料は「Ａｇ粉末９８質量部とＰｔ粉末２質量部と
をガスアトマイズ法により固溶させて得られたＡｇ−Ｐ
ｔ合金（Ｐｔ含有量＝２質量％）」である（表２におい
て「Ａｇ−２Ｐｔ」と表記した）。第六の導電性材料は
「Ａｇ粉末７０質量部とＡｕ粉末３０質量部とをガスア
トマイズ法により固溶させて溶融微粒子として得られた
Ａｇ−Ａｕ合金（Ａｕ含有量＝３０量％）」である（表
２において「Ａｇ−３０Ａｕ」と表記した）。第七の導
電性材料は「Ａｇ粉末３０質量部とＡｕ粉末７０質量部
とをガスアトマイズ法により固溶させて溶融微粒子とし
て得られたＡｇ−Ａｕ合金（Ａｕ含有量＝７０量％）」
である（表２において「Ａｇ−７０Ａｕ」と表記し
た）。第八の導電性材料は「Ａｇ粉末５質量部とＡｕ粉
末９５質量部とをガスアトマイズ法により固溶させて溶
融微粒子として得られたＡｇ−Ａｕ合金（Ａｕ含有量＝
９５量％）」である（表２において「Ａｇ−９５Ａｕ」
と表記した）。第九の導電性材料は「Ａｇ９５質量部と
Ａｕ５質量部とをガスアトマイズ法により固溶させて溶
融微粒子として得られたＡｇ−Ａｕ合金（Ａｕ含有量＝
５量％）」である（表２において「Ａｇ−５Ａｕ」と表
記した）。なお、Ａｇ粉末の中心粒子径は３μｍであ
り、Ａｕ粉末の中心粒子径は５μｍであった。
の導電性材料は「Ａｇ粉末」そのものである（表２にお
いて「Ａｇ」と表記した）。第二の導電性材料は「Ａｕ
粉末」そのものである（表２において「Ａｕ」と表記し
た）。第三の導電性材料は「Ａｇ粉末９５質量部とＰｄ
粉末５質量部とをガスアトマイズ法により固溶させて得
られたＡｇ−Ｐｄ合金（Ｐｄ含有量＝５質量％）」であ
る（表２において「Ａｇ−５Ｐｄ」と表記した）。第四
の導電性材料は「Ａｇ粉末７０質量部とＰｄ粉末３０質
量部とをガスアトマイズ法により固溶させて得られたＡ
ｇ−Ｐｄ合金（Ｐｄ含有量＝３０質量％）」である（表
２において「Ａｇ−３０Ｐｄ」と表記した）。第五の導
電性材料は「Ａｇ粉末９８質量部とＰｔ粉末２質量部と
をガスアトマイズ法により固溶させて得られたＡｇ−Ｐ
ｔ合金（Ｐｔ含有量＝２質量％）」である（表２におい
て「Ａｇ−２Ｐｔ」と表記した）。第六の導電性材料は
「Ａｇ粉末７０質量部とＡｕ粉末３０質量部とをガスア
トマイズ法により固溶させて溶融微粒子として得られた
Ａｇ−Ａｕ合金（Ａｕ含有量＝３０量％）」である（表
２において「Ａｇ−３０Ａｕ」と表記した）。第七の導
電性材料は「Ａｇ粉末３０質量部とＡｕ粉末７０質量部
とをガスアトマイズ法により固溶させて溶融微粒子とし
て得られたＡｇ−Ａｕ合金（Ａｕ含有量＝７０量％）」
である（表２において「Ａｇ−７０Ａｕ」と表記し
た）。第八の導電性材料は「Ａｇ粉末５質量部とＡｕ粉
末９５質量部とをガスアトマイズ法により固溶させて溶
融微粒子として得られたＡｇ−Ａｕ合金（Ａｕ含有量＝
９５量％）」である（表２において「Ａｇ−９５Ａｕ」
と表記した）。第九の導電性材料は「Ａｇ９５質量部と
Ａｕ５質量部とをガスアトマイズ法により固溶させて溶
融微粒子として得られたＡｇ−Ａｕ合金（Ａｕ含有量＝
５量％）」である（表２において「Ａｇ−５Ａｕ」と表
記した）。なお、Ａｇ粉末の中心粒子径は３μｍであ
り、Ａｕ粉末の中心粒子径は５μｍであった。
【００３８】−導電性ペースト−
前記９種類の導電性材料のそれぞれを、ビヒクル（バイ
ンダー樹脂、溶剤、可塑剤）に添加し、遠心混合器及び
三本ロールミルを用いて混練することにより９種類の導
電性ペーストを製造した。なお、前記第一の導電性材料
を用いた導電性ペーストを「第一の導電性ペースト（比
較例）」とし、前記第二の導電性材料を用いた導電性ペ
ーストを「第二の導電性ペースト（比較例）」とし、前
記第三の導電性材料を用いた導電性ペーストを「第三の
導電性ペースト（比較例）」とし、前記第四の導電性材
料を用いた導電性ペーストを「第四の導電性ペースト
（比較例）」とし、前記第五の導電性材料を用いた導電
性ペーストを「第五の導電性ペースト（比較例）」と
し、前記第六の導電性材料を用いた導電性ペーストを
「第六の導電性ペースト（実施例）」とし、前記第七の
導電性材料を用いた導電性ペーストを「第七の導電性ペ
ースト（実施例）」とし、前記第八の導電性材料を用い
た導電性ペーストを「第八の導電性ペースト（実施
例）」とし、前記第九の導電性材料を用いた導電性ペー
ストを「第九の導電性ペースト（実施例）」とした。以
上により製造された９種類の導電性ペーストについて、
電気抵抗値（μΩ・ｃｍ）、マイグレーション特性（抵
抗値変化）、最適焼成温度（℃）及びペースト価格をそ
れぞれ表２に示した。
ンダー樹脂、溶剤、可塑剤）に添加し、遠心混合器及び
三本ロールミルを用いて混練することにより９種類の導
電性ペーストを製造した。なお、前記第一の導電性材料
を用いた導電性ペーストを「第一の導電性ペースト（比
較例）」とし、前記第二の導電性材料を用いた導電性ペ
ーストを「第二の導電性ペースト（比較例）」とし、前
記第三の導電性材料を用いた導電性ペーストを「第三の
導電性ペースト（比較例）」とし、前記第四の導電性材
料を用いた導電性ペーストを「第四の導電性ペースト
（比較例）」とし、前記第五の導電性材料を用いた導電
性ペーストを「第五の導電性ペースト（比較例）」と
し、前記第六の導電性材料を用いた導電性ペーストを
「第六の導電性ペースト（実施例）」とし、前記第七の
導電性材料を用いた導電性ペーストを「第七の導電性ペ
ースト（実施例）」とし、前記第八の導電性材料を用い
た導電性ペーストを「第八の導電性ペースト（実施
例）」とし、前記第九の導電性材料を用いた導電性ペー
ストを「第九の導電性ペースト（実施例）」とした。以
上により製造された９種類の導電性ペーストについて、
電気抵抗値（μΩ・ｃｍ）、マイグレーション特性（抵
抗値変化）、最適焼成温度（℃）及びペースト価格をそ
れぞれ表２に示した。
【００３９】
【表２】
【００４０】表２において、「電気抵抗（μΩ・ｃ
ｍ）」は、４端子法により測定した。「マイグレーショ
ン特性（抵抗値変化）」は、電極間距離１０ｍｍ、電位
差３０Ｖ、相対密度９０％の環境下で５時間維持するこ
とにより電極間における抵抗値の変化と短絡の有無とを
測定した。「最適焼成温度（℃）」は、Ｋタイプ熱電対
により測定した。なお、ここで参考までに地金の価格
（￥／ｇ）を示すと、Ｃｕ（銅）＝１２０、Ａｇ（銀）
＝２０、Ａｕ（金）＝１，２００、Ｐｔ（白金）＝１，
８００、Ｐｄ（パラジウム）＝１，４００、である。
ｍ）」は、４端子法により測定した。「マイグレーショ
ン特性（抵抗値変化）」は、電極間距離１０ｍｍ、電位
差３０Ｖ、相対密度９０％の環境下で５時間維持するこ
とにより電極間における抵抗値の変化と短絡の有無とを
測定した。「最適焼成温度（℃）」は、Ｋタイプ熱電対
により測定した。なお、ここで参考までに地金の価格
（￥／ｇ）を示すと、Ｃｕ（銅）＝１２０、Ａｇ（銀）
＝２０、Ａｕ（金）＝１，２００、Ｐｔ（白金）＝１，
８００、Ｐｄ（パラジウム）＝１，４００、である。
【００４１】表２に示すように、本発明の導電性ペース
トは、Ａｇ−Ａｕ合金を導電性材料として用いたことに
より、マイグレーション特性（抵抗値変化）に優れ、最
適焼成温度が９２０〜１０２０℃であり酸化ガラスを焼
結助剤として用いたセラミック基板との焼結開始温度に
おけるマッチングに優れ、電気抵抗（μΩ・ｃｍ）が低
く導体損失を小さくすることができ、高性能であり、し
かも安価であることが判る。その上、「Ａｇ・９５Ａ
ｕ」の導電性材料、「Ａｇ・５Ａｕ」の導電性材料をそ
れぞれ用いた「第八の導電性ペースト」、「第九の導電
性ペースト」については、更に電気抵抗値が３．０（μ
Ω・ｃｍ）以下であるので、高周波での伝送損失を低減
することができ、導体の断線・ショート等を生ずること
なく１ＧＨｚ以上の高周波電波用の回路モジュールとし
て好適であることが判る。
トは、Ａｇ−Ａｕ合金を導電性材料として用いたことに
より、マイグレーション特性（抵抗値変化）に優れ、最
適焼成温度が９２０〜１０２０℃であり酸化ガラスを焼
結助剤として用いたセラミック基板との焼結開始温度に
おけるマッチングに優れ、電気抵抗（μΩ・ｃｍ）が低
く導体損失を小さくすることができ、高性能であり、し
かも安価であることが判る。その上、「Ａｇ・９５Ａ
ｕ」の導電性材料、「Ａｇ・５Ａｕ」の導電性材料をそ
れぞれ用いた「第八の導電性ペースト」、「第九の導電
性ペースト」については、更に電気抵抗値が３．０（μ
Ω・ｃｍ）以下であるので、高周波での伝送損失を低減
することができ、導体の断線・ショート等を生ずること
なく１ＧＨｚ以上の高周波電波用の回路モジュールとし
て好適であることが判る。
【００４２】−未焼結体（グリーン体）の作製−
平均粒径が５μｍであるＴｉＯ２粉末２０容量％と、平
均粒径が３μｍである、ＮｄＴｉＯ３結晶が析出した硼
珪酸系ガラス粉末８０容量％とを調合し、さらにこれら
の粉末に対してポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂８
質量％と、可塑剤としてジブチルフタレート３質量％と
を添加し、その後、アセトンを溶媒として加えて、ボー
ルミルで２０時間混合してスラリーを調製した。次に、
このスラリーをドクターブレードを用いて厚みが２００
μｍであるシート状の未焼結体（グリーン体）を作製し
た。
均粒径が３μｍである、ＮｄＴｉＯ３結晶が析出した硼
珪酸系ガラス粉末８０容量％とを調合し、さらにこれら
の粉末に対してポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂８
質量％と、可塑剤としてジブチルフタレート３質量％と
を添加し、その後、アセトンを溶媒として加えて、ボー
ルミルで２０時間混合してスラリーを調製した。次に、
このスラリーをドクターブレードを用いて厚みが２００
μｍであるシート状の未焼結体（グリーン体）を作製し
た。
【００４３】−塗布処理及び充填処理−
次に、前記グリーン体を定型に切断・打ち抜き、このグ
リーン体にパンチを用いて直径が８０μｍであるビア孔
を形成した。このビア孔に、先に製造した導電性ペース
トを埋め込んだ。その後、これを８０℃で３０分間恒温
槽中で乾燥させた。更に、このグリーン体の表面に先に
製造した導電性ペーストを用いてスクリーン印刷を行う
ことにより回路パターンを形成した。
リーン体にパンチを用いて直径が８０μｍであるビア孔
を形成した。このビア孔に、先に製造した導電性ペース
トを埋め込んだ。その後、これを８０℃で３０分間恒温
槽中で乾燥させた。更に、このグリーン体の表面に先に
製造した導電性ペーストを用いてスクリーン印刷を行う
ことにより回路パターンを形成した。
【００４４】−配線基板の製造−
これら導電性ペーストが付与されたグリーン体を複数枚
用意し、互いに位置合わせを行った後、重ね合わせて
（導電性ペーストが同じ材料を用いたものどうしを重ね
合わせて）、８０℃で３０分間プレスすることにより積
層した。これを大気中で９００℃で２時間焼成すること
により多層構造体である配線基板を９種類（先に製造し
た第一〜第九の各導電性ペーストそれぞれを用いた９種
類の配線基板を）製造した。
用意し、互いに位置合わせを行った後、重ね合わせて
（導電性ペーストが同じ材料を用いたものどうしを重ね
合わせて）、８０℃で３０分間プレスすることにより積
層した。これを大気中で９００℃で２時間焼成すること
により多層構造体である配線基板を９種類（先に製造し
た第一〜第九の各導電性ペーストそれぞれを用いた９種
類の配線基板を）製造した。
【００４５】実施例の配線基板は、本発明の導電性ペー
ストを用いているので、モバイル機器等の小型化、多機
能化、高性能化等に好適であり、特に第八の導電性ペー
スト、第九の導電性ペーストをそれぞれ用いた場合に
は、高周波での伝送損失が低減され、導体の断線・ショ
ート等が生じ難いため、１ＧＨｚ以上の高周波電波用の
回路モジュールとして特に好適に使用可能である。ま
た、実施例の配線基板は、本発明の配線基板の製造方法
により製造しているので、極めて効率的に多層構造体で
ある集積モジュールとしての配線基板を製造することが
できた。
ストを用いているので、モバイル機器等の小型化、多機
能化、高性能化等に好適であり、特に第八の導電性ペー
スト、第九の導電性ペーストをそれぞれ用いた場合に
は、高周波での伝送損失が低減され、導体の断線・ショ
ート等が生じ難いため、１ＧＨｚ以上の高周波電波用の
回路モジュールとして特に好適に使用可能である。ま
た、実施例の配線基板は、本発明の配線基板の製造方法
により製造しているので、極めて効率的に多層構造体で
ある集積モジュールとしての配線基板を製造することが
できた。
【００４６】ここで、本発明の好ましい態様を付記する
と、以下の通りである。 （付記１） Ａｇ−Ａｕ合金から実質的になることを特
徴とする導電性材料。 （付記２） Ａｇ−Ａｕ合金におけるＡｕ含有量が、０
質量％超１０質量％以下、及び、９５質量％以上１００
質量％未満のいずれかである付記１に記載の導電性材
料。 （付記３） 抵抗値が３μΩ・ｃｍ以下である付記１又
は２に記載の導電性材料。 （付記４） 中心粒子径が１００μｍ以下の粉末である
付記１から３のいずれかに記載の導電性材料。 （付記５） 中心粒子径が１〜５０μｍの粉末である付
記１から３のいずれかに記載の導電性材料。 （付記６） Ａｇ粉末とＡｕ粉末とをガスアトマイズ法
により融点以上に加熱することによりＡｇとＡｕとの溶
融微粒子として得られる付記１から５のいずれかに記載
の導電性材料。 （付記７） 導電性ペーストに用いられる付記１から６
のいずれかに記載の導電性材料。 （付記８） 付記１から７のいずれかに記載の導電性材
料を導電性成分として用いたことを特徴とする導電性ペ
ースト。 （付記９） 導電性材料の導電性成分における含有量が
９５質量％以上である付記８に記載の導電性ペースト。 （付記１０） Ａｇ粉末とＡｕ粉末とを導電性成分とし
て含有してなり、加熱されてＡｇ粉末とＡｕ粉末とが溶
融してＡｇ−Ａｕ合金が形成されることを特徴とする導
電性ペースト。 （付記１１） Ａｇ−Ａｕ合金におけるＡｕ含有量が、
０質量％超１０質量％以下、及び、９５質量％以上１０
０質量％未満のいずれかである付記１０に記載の導電性
ペースト。 （付記１２） Ａｇ粉末とＡｕ粉末との導電性成分にお
ける含有量が９５質量％以上である付記１０又は１１に
記載の導電性ペースト。 （付記１３） 配線基板に用いられる付記８から１２の
いずれかに記載の導電性ペースト。 （付記１４） 付記８から１３のいずれかに記載の導電
性ペーストを用いたことを特徴とする配線基板。 （付記１５） 配線基板における導電性部材が導電性ペ
ーストで形成された付記１４に記載の配線基板。 （付記１６） 導電性部材が配線パターン及びビアから
選択される付記１５に記載の配線基板。 （付記１７） 導電性部材の抵抗値が３μΩ・ｃｍ以下
である付記１５又は１６に記載の配線基板。 （付記１８） 配線基板が、異なる機能を有する基板を
２以上有してなる積層構造体であり、２以上の機能を有
する多機能モジュールである付記１４から１７のいずれ
かに記載の配線基板。 （付記１９） 積層構造体における基板が、アンテナ用
基板、ローパスフィルター用基板、ハイパスフィルター
用基板、バンドパスフィルター用基板、キャパシタ用基
板及び伝送線路回路用基板から選択される付記１８に記
載の配線基板。 （付記２０） 積層構造体における各基板が、酸化物ガ
ラスを焼結助剤として用いたセラミック基板である付記
１８又は１９に記載の配線基板。 （付記２１） 酸化物ガラスが、鉛成分を含有せず、軟
化点が４００〜９００℃である付記２０に記載の配線基
板。 （付記２２） 配線基板が、１ＧＨｚ以上の高周波電波
用の回路モジュールとして用いられる付記１４から２１
のいずれかに記載の配線基板。 （付記２３） 未焼結基板の表面に付記８から１３のい
ずれかに記載の導電性ペーストを付与して焼結させるこ
とを特徴とする配線基板の製造方法。 （付記２４） 表面に導電性ペーストを配線パターン状
に塗布する塗布処理及び表面に形成したビア孔に導電性
ペーストを充填する充填処理の少なくともいずれかの処
理がなされた未焼結基板を焼結させる付記２３に記載の
配線基板の製造方法。 （付記２５） 未焼結基板を２以上積層した状態で焼結
させる付記２３又は２４に記載の配線基板の製造方法。
と、以下の通りである。 （付記１） Ａｇ−Ａｕ合金から実質的になることを特
徴とする導電性材料。 （付記２） Ａｇ−Ａｕ合金におけるＡｕ含有量が、０
質量％超１０質量％以下、及び、９５質量％以上１００
質量％未満のいずれかである付記１に記載の導電性材
料。 （付記３） 抵抗値が３μΩ・ｃｍ以下である付記１又
は２に記載の導電性材料。 （付記４） 中心粒子径が１００μｍ以下の粉末である
付記１から３のいずれかに記載の導電性材料。 （付記５） 中心粒子径が１〜５０μｍの粉末である付
記１から３のいずれかに記載の導電性材料。 （付記６） Ａｇ粉末とＡｕ粉末とをガスアトマイズ法
により融点以上に加熱することによりＡｇとＡｕとの溶
融微粒子として得られる付記１から５のいずれかに記載
の導電性材料。 （付記７） 導電性ペーストに用いられる付記１から６
のいずれかに記載の導電性材料。 （付記８） 付記１から７のいずれかに記載の導電性材
料を導電性成分として用いたことを特徴とする導電性ペ
ースト。 （付記９） 導電性材料の導電性成分における含有量が
９５質量％以上である付記８に記載の導電性ペースト。 （付記１０） Ａｇ粉末とＡｕ粉末とを導電性成分とし
て含有してなり、加熱されてＡｇ粉末とＡｕ粉末とが溶
融してＡｇ−Ａｕ合金が形成されることを特徴とする導
電性ペースト。 （付記１１） Ａｇ−Ａｕ合金におけるＡｕ含有量が、
０質量％超１０質量％以下、及び、９５質量％以上１０
０質量％未満のいずれかである付記１０に記載の導電性
ペースト。 （付記１２） Ａｇ粉末とＡｕ粉末との導電性成分にお
ける含有量が９５質量％以上である付記１０又は１１に
記載の導電性ペースト。 （付記１３） 配線基板に用いられる付記８から１２の
いずれかに記載の導電性ペースト。 （付記１４） 付記８から１３のいずれかに記載の導電
性ペーストを用いたことを特徴とする配線基板。 （付記１５） 配線基板における導電性部材が導電性ペ
ーストで形成された付記１４に記載の配線基板。 （付記１６） 導電性部材が配線パターン及びビアから
選択される付記１５に記載の配線基板。 （付記１７） 導電性部材の抵抗値が３μΩ・ｃｍ以下
である付記１５又は１６に記載の配線基板。 （付記１８） 配線基板が、異なる機能を有する基板を
２以上有してなる積層構造体であり、２以上の機能を有
する多機能モジュールである付記１４から１７のいずれ
かに記載の配線基板。 （付記１９） 積層構造体における基板が、アンテナ用
基板、ローパスフィルター用基板、ハイパスフィルター
用基板、バンドパスフィルター用基板、キャパシタ用基
板及び伝送線路回路用基板から選択される付記１８に記
載の配線基板。 （付記２０） 積層構造体における各基板が、酸化物ガ
ラスを焼結助剤として用いたセラミック基板である付記
１８又は１９に記載の配線基板。 （付記２１） 酸化物ガラスが、鉛成分を含有せず、軟
化点が４００〜９００℃である付記２０に記載の配線基
板。 （付記２２） 配線基板が、１ＧＨｚ以上の高周波電波
用の回路モジュールとして用いられる付記１４から２１
のいずれかに記載の配線基板。 （付記２３） 未焼結基板の表面に付記８から１３のい
ずれかに記載の導電性ペーストを付与して焼結させるこ
とを特徴とする配線基板の製造方法。 （付記２４） 表面に導電性ペーストを配線パターン状
に塗布する塗布処理及び表面に形成したビア孔に導電性
ペーストを充填する充填処理の少なくともいずれかの処
理がなされた未焼結基板を焼結させる付記２３に記載の
配線基板の製造方法。 （付記２５） 未焼結基板を２以上積層した状態で焼結
させる付記２３又は２４に記載の配線基板の製造方法。
【００４７】
【発明の効果】本発明によると、前記要望に応え、従来
における前記問題を解決することができる。また、本発
明によると、高周波での伝送損失を低減可能な低電気抵
抗であり、耐マイグレーション特性に優れ、焼結開始温
度におけるセラミックスとのマッチング性が良好であ
り、しかも安価であり、モバイル機器等の小型化、多機
能化、高性能化等に好適な導電性ペーストを提供するこ
とができる。また、本発明によると、該導電性ペースト
を用い、小型化、多機能化、高性能化等が可能な配線基
板、及び該配線基板を効率的に製造可能な配線基板の製
造方法を提供することができる。
における前記問題を解決することができる。また、本発
明によると、高周波での伝送損失を低減可能な低電気抵
抗であり、耐マイグレーション特性に優れ、焼結開始温
度におけるセラミックスとのマッチング性が良好であ
り、しかも安価であり、モバイル機器等の小型化、多機
能化、高性能化等に好適な導電性ペーストを提供するこ
とができる。また、本発明によると、該導電性ペースト
を用い、小型化、多機能化、高性能化等が可能な配線基
板、及び該配線基板を効率的に製造可能な配線基板の製
造方法を提供することができる。
【図１】図１は、Ａｇ−Ａｕ合金中のＡｕ含有量（質量
％）と電気抵抗値（μΩ・ｃｍ）との関係を示すグラフ
である。
％）と電気抵抗値（μΩ・ｃｍ）との関係を示すグラフ
である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｑ
Ｓ
Ｔ
Ｆターム(参考） 4E351 AA07 BB01 BB24 BB26 BB31
CC12 CC22 DD05 DD06 DD52
EE02 EE03 GG12
4G059 AA08 AC11 DA01 DA02 DB09
5E346 AA12 AA13 AA15 AA38 AA43
BB01 BB20 CC18 CC38 CC39
DD02 DD34 EE24 FF18 GG02
GG06 HH01 HH07
5G301 DA03 DA05 DD01 DE10
Claims (10)
- 【請求項１】 Ａｕ含有量が０質量％超１０質量％以下
及び９５質量％以上１００質量％未満のいずれかであ
り、中心粒子径が１００μｍ以下であるＡｇ−Ａｕ合金
から実質的になる導電性材料を導電性成分として含有す
ることを特徴とする導電性ペースト。 - 【請求項２】 Ａｇ−Ａｕ合金が、Ａｇ粉末とＡｕ粉末
とをガスアトマイズ法により融点以上に加熱することに
よりＡｇとＡｕとの溶融微粒子として得られた請求項１
に記載の導電性ペースト。 - 【請求項３】 Ａｇ粉末とＡｕ粉末とを導電性成分とし
て含有してなり、加熱されてＡｇ粉末とＡｕ粉末とが溶
融してＡｇ−Ａｕ合金が形成されることを特徴とする導
電性ペースト。 - 【請求項４】 Ａｇ粉末及びＡｕ粉末の導電性成分にお
ける含有量が９５質量％以上である請求項３に記載の導
電性ペースト。 - 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載の導電
性ペーストを用いたことを特徴とする配線基板。 - 【請求項６】 配線パターン及びビアから選択される導
電性部材を有してなり、導電性部材が導電性ペーストで
形成された請求項５に記載の配線基板。 - 【請求項７】 配線基板が、異なる機能を有する基板を
２以上有してなる積層構造体であり、２以上の機能を有
する多機能モジュールである請求項５又は６に記載の配
線基板。 - 【請求項８】 積層構造体における基板が、アンテナ用
基板、ローパスフィルター用基板、ハイパスフィルター
用基板、バンドパスフィルター用基板、キャパシタ用基
板及び伝送線路回路用基板から選択される請求項７に記
載の配線基板。 - 【請求項９】 積層構造体における各基板が、酸化物ガ
ラスを焼結助剤として用いたセラミック基板である請求
項７又は８に記載の配線基板。 - 【請求項１０】 酸化物ガラスが、鉛成分を含有せず、
軟化点が４００〜９００℃である請求項９に記載の配線
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001362549A JP4074087B2 (ja) | 2001-11-28 | 2001-11-28 | 導電性ペースト並びにそれを用いた配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2001362549A JP4074087B2 (ja) | 2001-11-28 | 2001-11-28 | 導電性ペースト並びにそれを用いた配線基板及びその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003162922A true JP2003162922A (ja) | 2003-06-06 |
| JP2003162922A5 JP2003162922A5 (ja) | 2005-07-07 |
| JP4074087B2 JP4074087B2 (ja) | 2008-04-09 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP4074087B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006344582A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-12-21 | E I Du Pont De Nemours & Co | マイクロ波用途におけるｌｔｃｃテープ用厚膜導体ペースト組成物 |
| WO2007083811A1 (ja) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Hitachi Metals, Ltd. | 導体ペースト、多層セラミック基板及び多層セラミック基板の製造方法 |
| JP2010135729A (ja) * | 2008-05-21 | 2010-06-17 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
| WO2019064738A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、ガラス物品、及びガラス物品の製造方法 |
-
2001
- 2001-11-28 JP JP2001362549A patent/JP4074087B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| WO2007083811A1 (ja) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Hitachi Metals, Ltd. | 導体ペースト、多層セラミック基板及び多層セラミック基板の製造方法 |
| US8501299B2 (en) | 2006-01-23 | 2013-08-06 | Hitachi Metals, Ltd. | Conductive paste, multilayer ceramic substrate and its production method |
| JP2010135729A (ja) * | 2008-05-21 | 2010-06-17 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
| WO2019064738A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、ガラス物品、及びガラス物品の製造方法 |
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