JP2003158439A - 圧電デバイスとその封止方法及び圧電デバイスを利用した携帯電話装置ならびに圧電デバイスを利用した電子機器 - Google Patents

圧電デバイスとその封止方法及び圧電デバイスを利用した携帯電話装置ならびに圧電デバイスを利用した電子機器

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JP2003158439A
JP2003158439A JP2001354724A JP2001354724A JP2003158439A JP 2003158439 A JP2003158439 A JP 2003158439A JP 2001354724 A JP2001354724 A JP 2001354724A JP 2001354724 A JP2001354724 A JP 2001354724A JP 2003158439 A JP2003158439 A JP 2003158439A
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Osamu Kawauchi
修 川内
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Abstract

(57)【要約】 【課題】圧電デバイスのパッケージ封止において、鉛フ
リーを実現しつつ、加熱により容易に気密状態がリーク
されないようにした封止性能に優れた圧電デバイスと、
その封止方法、及びこの圧電デバイスを利用した携帯電
話装置及び電子機器を提供すること。 【解決手段】圧電振動片32の一部を支持固定したパッ
ケージ36に、蓋体39を固定した圧電デバイスの封止
方法であって、前記パッケージの底部に形成された貫通
孔37に対して、球形に形成した金ゲルマニウム合金
(Au/Ge)の封止材38を配置し、前記封止材に対
して、レーザ光L3を照射して溶融することにより、前
記貫通孔37を塞ぐようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電振動片をパッ
ケージに内蔵した圧電デバイスとそのパッケージの封止
方法の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】HDD(ハード・ディスク・ドライ
ブ)、モバイルコンピュータ、あるいはICカード等の
小型の情報機器や、携帯電話、自動車電話、またはペー
ジングシステム等の移動体通信機器において、近年、装
置の小型薄型化がめざましく、それらに用いられる圧電
デバイスも小型薄型化が要求されている。また、それと
ともに、装置の回路基板に表面実装が可能な表面実装タ
イプの圧電デバイスが求められている。図11及び図1
2は、このような圧電デバイスの構成例を示す概略図で
あり、図11は、圧電デバイスの構成を示す概略平面
図、図12は、図11の圧電デバイスのA−A線概略断
面図である。
【0003】図11及び図12において、従来の圧電デ
バイス1は、パッケージ6の内部に、圧電振動片2を収
容している。この圧電振動片2は、例えば水晶基板を利
用して形成されている。この圧電振動片2は、パッケー
ジ6の電極部に接合される基部11と、この基部11か
ら平行に延びる一対の振動腕4,5を有する音叉型に形
成され、その表面に図示しない駆動用の金属電極が形成
されている。
【0004】パッケージ6は、セラミック製の複数の基
板を積層して内側に所定の内部空間Sを形成するように
されている。この内部空間Sにおいて、パッケージ6の
内側の底部には、導電性の接着剤7等を介して、上述し
た圧電振動片2の基部11が電極部3,3上に接合固定
されており、圧電振動片2の先端部は自由端とされてい
る。そして、パッケージ6の開放された上端には、低融
点ガラス等のロウ材8を介して、ガラス等の光を透過す
る材料,すなわち光透過性の材料で形成された蓋体9が
接合されることにより、封止されている。また、図12
に示されているように、パッケージ6の底面には、パッ
ケージ6内に貫通する貫通孔6aが形成されており、こ
の貫通孔6aに充填された半田金属等の封止材13によ
り塞がれている。
【0005】圧電デバイス1は、以上のように構成され
ており、外部からの駆動電圧が、電極部3及び導電性接
着剤7を介して、圧電振動片2に伝えられると、圧電振
動片2の図示しない励振電極からの電圧が圧電材料に伝
えられることで、一対の振動腕4,5が屈曲振動を生
じ、所定の周波数で振動する。この振動周波数を外部に
取り出すことによって、所定の周波数の出力を得ること
ができるようになっている。
【0006】図13は、このような圧電デバイス1の封
止工程を示している。図13(a)において、パッケー
ジ6内の電極部3上に導電性接着剤7を塗布し、圧電振
動片2の基部11に設けられている引出し電極(図示せ
ず)の箇所を載せ、軽く荷重をかけて位置決めし、導電
性接着剤7を硬化させることにより、圧電振動片2をパ
ッケージ6内にマウントする。そして、パッケージ6の
上端面には、ロウ材8が塗布される。次に、図13
(b)に示すように、内部を加熱可能なチャンバー15
内において、支持台16上のトレー17に、蓋体9を載
置し、その上に上述したロウ材8が蓋体9と接触するよ
うにパッケージ6を逆さにして載置し、上から錘14に
より荷重をかけながら、チャンバー15内を加熱する。
これにより、ロウ材8を溶融させて、蓋体9をパッケー
ジ6と接合する。この工程の場合、チャンバー15内を
加熱することで、パッケージ6内の例えば、導電性接着
剤7等から、揮発するガス成分を予め外へ追い出す。
【0007】続いて、図13(c)に示すように、チャ
ンバー15内を真空状態として、パッケージ6底部の貫
通孔6aに半田等の封止材13を置き、レーザ光L1を
照射して、封止材13を溶融することで、貫通孔6aに
充填する。これにより、圧電振動片2は、パッケージ6
内に気密状態で密封される。その後、図12に示すよう
に、透明な蓋体9を透過するように、レーザ光L2を照
射して、圧電振動片2上に予め形成されている金属被覆
部を部分的に蒸散させることで、質量削減方式による周
波数調整を行い、検査工程へ送る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の図1
3(c)の製造工程において、封止材13として半田材
料を用いると、含有される鉛成分が環境を汚染する問題
がある。このため、鉛を含有しない封止材の材料とし
て、例えば、金すず(Au/Sn)合金を使用すること
が考えられる。
【0009】図14は、横軸に金すず合金の組成を重量
パーセントで示し、縦軸に溶融温度を示したグラフであ
る。図14に示されているように、金すず合金の融点
は、摂氏280度(以下、温度は全て「摂氏」で表示す
る。)である。このため、封止材13として鉛フリー金
すず合金を用いて封止を行うと、圧電デバイス1の実装
工程において、封止材13が軟化して、真空封止が破壊
されるおそれがある。
【0010】具体的には、製品としての圧電デバイス1
を、実装基板に実装するための実装するリフロー工程に
おいて、やはり鉛フリーを目的として、鉛を含有しない
従来と異なる半田材料が用いられるようになった。この
ため、圧電デバイス1の実装工程においては、従来より
も高い温度でのリフロー工程が行われ、従来240度程
度であったものが、260度を越える温度で行われる場
合がある。このため、封止材13として鉛フリー金すず
合金を用いて圧電デバイス1の封止を行うと、リフロー
工程の熱のために封止材13が一部溶融して、リークし
てしまうおそれがある。
【0011】本発明の目的は、圧電デバイスのパッケー
ジ封止において、鉛フリーを実現しつつ、加熱により容
易に気密状態がリークされないようにした封止性能に優
れた圧電デバイスと、その封止方法、及びこの圧電デバ
イスを利用した携帯電話装置及び電子機器を提供するこ
とを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上述の目的は、請求項1
の発明によれば、圧電振動片の一部を支持固定して収容
する内部空間を備えたパッケージと、このパッケージに
固定された光透過性の材料でなる蓋体と、前記パッケー
ジの底部に設けた貫通孔に充填され、前記内部空間を気
密状態で封止するための封止材とを備えており、前記封
止材が金ゲルマニウム合金(Au/Ge)により形成さ
れている、圧電デバイスにより、達成される。請求項1
の構成によれば、圧電デバイスのパッケージが金ゲルマ
ニウム合金(Au/Ge)により封止されている。この
ため、封止後の製品を実装する工程において、熱が加え
られた場合に、金ゲルマニウム合金は融点が高く、容易
に溶融しないことから、パッケージ内部の真空状態が封
止材の一部溶融によりリークさせることが有効に防止さ
れる。しかも、封止材に鉛を含有していないことから、
鉛を原因とする環境汚染を回避することができる。
【0013】請求項2の発明は、請求項1の構成におい
て、前記貫通孔は、所定の内径を備える内側の第1の貫
通孔と、この第1の貫通孔と連続して設けられると共
に、前記第1の貫通孔よりも大きな内径を備えて外側に
開口した第2の貫通孔とを有することを特徴とする。請
求項2の構成によれば、前記貫通孔が、内径の異なる第
1及び第2の貫通孔を有していることから、封止工程に
おいて、外部から封止材を貫通孔に挿入し、第1及び第
2の貫通孔の内径の違いによりできる段部に載置するこ
とができ、封止作業が容易で、封止材がパッケージ内部
に進入しにくい。
【0014】請求項3の発明は、請求項1または2のい
ずれかの構成において、前記第1の貫通孔と前記第2の
貫通孔とは段部を介して連続しており、この段部と、前
記第1の貫通孔の内面には、前記封止材との濡れ性に優
れた金属被覆が設けられていることを特徴とする。請求
項3の構成によれば、前記段部と、前記第1の貫通孔の
内面には、前記封止材との濡れ性に優れた金属被覆が設
けられているので、溶融させた封止材が、前記段部と、
前記第1の貫通孔の内面に付着しやすく、それ以上パッ
ケージ内部に進入しにくい構造とすることができる。
【0015】また、上述の目的は、請求項4の発明によ
れば、圧電振動片の一部を支持固定したパッケージに、
蓋体を固定した圧電デバイスの封止方法であって、前記
パッケージの底部に形成された貫通孔に対して、球形に
形成した金ゲルマニウム合金(Au/Ge)の封止材を
配置し、前記封止材に対して、レーザ光を照射して溶融
することにより、前記貫通孔を塞ぐようにした、圧電デ
バイスの封止方法により、達成される。請求項4の構成
によれば、パッケージの底部に形成された貫通孔に対し
て、球形に形成した金ゲルマニウム合金(Au/Ge)
の封止材を配置して、溶融するようにしている。この金
ゲルマニウム合金(Au/Ge)は、融点が高いが、酸
化されやすく、表面に酸化膜が形成されやすい。酸化膜
が存在すると、加熱により流れにくくなり、封止作業が
その分困難となるという問題がある。ところが、金ゲル
マニウム合金(Au/Ge)を球形にして、前記貫通孔
に配置し、レーザ光を照射すると、酸化膜のために、光
が吸収されやすく、容易に溶融され、酸化膜は貫通孔の
外側に向かって表面に押し出される。これにより、封止
材の合金成分が貫通孔内に適切に流れて充填されること
になる。
【0016】請求項5の発明は、請求項4の構成におい
て、前記圧電デバイスは、真空雰囲気内で加熱された状
態で、前記封止材に前記レーザ光を照射することを特徴
とする。請求項5の構成によれば、封止材としての金ゲ
ルマニウム合金(Au/Ge)の高い融点に合わせて加
熱した場合に、パッケージ内の接着剤成分等からガスが
発生しやすくなるが、この場合には、真空中で加熱しつ
つ封止を行うことで、発生したガスをパッケージ内から
排出することができる。
【0017】請求項6の発明は、請求項5の構成におい
て、前記封止材に対する前記レーザ光の照射が、高真空
下で行われることを特徴とする。請求項6の構成によれ
ば、封止環境として、高真空下で行うようにすること
で、封止材としての金ゲルマニウム合金(Au/Ge)
の表面に酸化膜が形成されにくくすることができる。
【0018】また、上述の目的は、請求項7の発明によ
れば、圧電振動片の一部を支持固定して内部に収容する
ようにしたパッケージとこのパッケージに固定される蓋
体とを有する圧電デバイスを利用した携帯電話装置であ
って、圧電振動片の一部を支持固定して収容する内部空
間を備えたパッケージと、このパッケージに固定された
光透過性の材料でなる蓋体と、前記パッケージの底部に
設けた貫通孔に充填され、前記内部空間を気密状態で封
止するための封止材とを備えており、前記封止材が金ゲ
ルマニウム合金(Au/Ge)により形成されている圧
電デバイスにより、制御用のクロック信号を得るように
した、携帯電話装置により、達成される。
【0019】また、上述の目的は、請求項8の発明によ
れば、圧電振動片の一部を支持固定して内部に収容する
ようにしたパッケージとこのパッケージに固定される蓋
体とを有する圧電デバイスを利用した電子機器であっ
て、圧電振動片の一部を支持固定して収容する内部空間
を備えたパッケージと、このパッケージに固定された光
透過性の材料でなる蓋体と、前記パッケージの底部に設
けた貫通孔に充填され、前記内部空間を気密状態で封止
するための封止材とを備えており、前記封止材が金ゲル
マニウム合金(Au/Ge)により形成されている圧電
デバイスにより、制御用のクロック信号を得るようにし
た、電子機器により、達成される。
【0020】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の圧電デバイスの
第1の実施の形態を示しており、図1はその概略平面
図、図2は図1のB−B線概略断面図、図3は図1の底
面図である。これらの図において、圧電デバイス30
は、圧電振動子を構成した例を示しており、圧電デバイ
ス30は、パッケージ36内に圧電振動片32を収容し
ている。パッケージ36は、例えば、セラミックグリー
ンシートを積層して焼結した酸化アルミニウム質焼結体
等の基板で形成されている。複数の各基板は、その内側
に所定の孔を形成することで、積層した場合に内側に所
定の内部空間Sを形成するようにされている。すなわ
ち、図2に示すように、本実施形態のパッケージ36
は、例えば、下から第1の積層基板52と、その上に重
ねられる第2の積層基板53と、その上に重ねられる第
3の積層基板54から形成されている。
【0021】パッケージ36の内部空間S内の図におい
て左端部付近において、内部空間Sに露出して底部を構
成するベースとなる第2の積層基板53には、Au及び
Niメッキが施された電極部31,31が設けられてい
る。この電極部31,31は、外部と接続されて、駆動
電圧を供給するものである。この各電極部31,31の
上に導電性接着剤43,43が塗布され、この導電性接
着剤43,43の上に圧電振動片32の基部51が載置
されて、導電性接着剤43,43が硬化されるようにな
っている。
【0022】圧電振動片32の基端部51の導電性接着
剤43,43と触れる部分には、駆動電圧を伝えるため
の引出電極(図示せず)が形成されており、これによ
り、圧電振動片32は、駆動用電極がパッケージ36側
の電極部31,31と導電性接着剤43,43を介し
て、電気的に接続されている。
【0023】圧電振動片32は、例えば水晶で形成され
ており、水晶以外にもタンタル酸リチウム,ニオブ酸リ
チウム等の圧電材料を利用することができる。本実施形
態の場合、圧電振動片32は、パッケージ36側と固定
される基部51と、この基部51から、図において右方
に向けて、二股に別れて平行に延びる一対の振動腕3
4,35を備えており、全体が音叉のような形状とされ
た、所謂、音叉型圧電振動片が利用されている。
【0024】パッケージ36の開放された上端には、低
融点ガラス等のロウ材33を介して、蓋体39が接合さ
れることにより、封止されている。蓋体39は、後述す
る周波数調整を行うために、光を透過する材料,例え
ば、ガラスで形成されている。
【0025】また、パッケージ36の底面のほぼ中央付
近には、パッケージ36を構成する2枚の積層基板5
2,53に連続する貫通孔37a,37bを形成するこ
とにより、貫通孔としての開口37が設けられている。
この開口37を構成する2つの貫通孔のうち、パッケー
ジ内部に開口する第1の孔37aに対して、第2の孔で
ある外側の貫通孔37bは、より大きな内径を備えるよ
うにされている。これにより、開口37は段部55を有
する開口とされており、好ましくは、第2の孔である貫
通孔37bの段部と、貫通孔37aの孔内周面には後述
する封止材である金ゲルマニウム合金(Au/Ge)に
対して、濡れ性のよい金属、例えば、金メッキ等が、所
定の下地層の上に形成されてることにより、被覆されて
いる。
【0026】すなわち、パッケージ36内に圧電振動片
32を固定した後で、開口37には、金属製封止材38
が充填されることにより、パッケージ36内を気密状態
に封止する。その後、透明な蓋体39を介して、外部か
らレーザ光L4を圧電振動片32の図示しない金属被膜
に照射し、その一部を蒸散させることにより、質量削減
方式による周波数調整を行うことができるようにされて
いる。
【0027】ここで、開口37に充填される金属製封止
材38としては、後述する封止工程で詳しく説明するよ
うに、特に金ゲルマニウム合金(Au/Ge)が用いら
れている。
【0028】さらに、この実施形態では、パッケージ3
6を構成する第2の積層基板53には、図において右端
部付近に孔を形成することにより、この積層基板53の
厚みに対応した凹部42が形成されている。この凹部4
2は、圧電振動片32の自由端32bの下方に位置して
いる。これにより、本実施形態では、パッケージ36に
外部から衝撃が加わった場合に、圧電振動片32の自由
端32bが、矢印D方向に変位して振れた場合において
も、パッケージ36の内側底面と当接されることを有効
に防止されるようになっている。
【0029】本実施形態は以上のように構成されてお
り、圧電デバイス30のパッケージ36が金ゲルマニウ
ム合金(Au/Ge)でなる封止材38により封止され
ている。このため、封止後の圧電デバイス30を実装す
る工程において、熱が加えられた場合に、金ゲルマニウ
ム合金は融点が高く、容易に溶融しないことから、パッ
ケージ36内部の真空状態が封止材の一部溶融によりリ
ークされることが有効に防止される。しかも、封止材3
8に鉛を含有していないことから、鉛を原因とする環境
汚染を回避することができる。
【0030】次に、圧電デバイス30の封止方法に関す
る実施形態について説明する。図4(a)において、予
め封止ガラス等のロウ材33が塗布されたパッケージ3
6内の電極部31上に導電性接着剤43を塗布し、圧電
振動片32の基部51に設けられている引出し電極(図
示せず)の箇所を載せ、軽く荷重をかけて位置決めし、
導電性接着剤43を硬化させることにより、圧電振動片
32をパッケージ36内にマウントする。次に、図4
(b)に示すように、例えば、窒素雰囲気を形成するた
めのチャンバー61内において、支持台63上のトレー
64に、蓋体39を載置し、その上に上述したロウ材3
3が蓋体39と接触するようにパッケージ36を逆さに
して載置し、上から錘62により荷重をかけながら、チ
ャンバー61内を加熱する。これにより、ロウ材33を
溶融して、硬化させることにより、蓋体39を接合す
る。尚、この工程は、チャンバー61に代えて、窒素雰
囲気が管理されたベルト炉に圧電デバイス30を通して
行うようにしてもよい。
【0031】次に、図5(c)に示すように、蓋体39
を接合した状態のパッケージ36を、真空チャンバー6
1a内に配置して、パッケージ36の開口37を金ゲル
マニウム合金(Au/Ge)で封止する封止工程を行
う。図6は、この封止工程における温度プロファイルの
一例を示しており、図5(c)の状態において、真空チ
ャンバー61a内を図示しない真空排気手段により真空
引きし、好ましくは、高真空状態とする。すなわち、真
空チャンバー61a内を例えば、10-3Pa(パスカ
ル)程度の高真空とする。そして、図6のT1時間(例
えば、20分)の間、250度ないし300度、好まし
くは、260度以上にまで加熱する。この温度をT2時
間(例えば、30分)維持して、パッケージ36内の例
えば導電性接着剤43等から生成される気体成分をパッ
ケージ36外に排出する。
【0032】続いて、真空チャンバー61a内の温度と
気圧を保持したまま、真空封止工程のT3時間(例え
ば、20分)行う。この場合、図5(c)に示すよう
に、パッケージ36の底部に形成された貫通孔37に対
して、好ましくは、球形に形成した金ゲルマニウム合金
(Au/Ge)の封止材38を配置する。この時、周囲
の温度が高くても、金ゲルマニウム合金(Au/Ge)
の封止材38の融点は高いので、溶融されることなく、
従来260度程度であった加熱温度を280度程度まで
上げて、効果的に上記気体成分の追い出しを行うことが
できる。そして、レーザ照射手段65から、封止材38
に向けてレーザ光L3を照射して、封止材38を溶融す
ることにより、貫通孔37を塞ぐ。
【0033】図5(c)の工程をさらに詳しく説明す
る。図5(c)の一部を拡大して示す図5(d)に表さ
れているように、球形の金ゲルマニウム合金(Au/G
e)合金の封止材38が配置される開口もしくは貫通孔
37は、所定の内径n1を備える内側の第1の孔37a
と、この第1の孔37aと連通して設けられると共に、
前記第1の孔37aよりも大きな内径n2を備えて外側
に開口した第2の孔37bとを備えている。球形の金ゲ
ルマニウム合金(Au/Ge)合金の封止材38の直径
n3は、第1の孔37aの内径n1よりも大きく、第2
の孔37bの内径n2よりも僅かに小さく形成されてい
る。
【0034】このため、球形の金ゲルマニウム合金の封
止材(Au/Ge)合金38は、図示されているよう
に、第1の孔37aの内周縁のエッジeの稜線上に接触
して保持されている。この球形の金ゲルマニウム合金
(Au/Ge)合金の封止材38に、図示のように、レ
ーザ光L3を照射する。このレーザ光L3は、金ゲルマ
ニウム合金(Au/Ge)合金の封止材38の融点が、
図7に示すよう360度程度であるにもかかわらず、本
実施形態の封止材38は光を吸収しやすい性質をもつた
め、金すずの場合とほぼ同じ条件で照射することで、球
形の金ゲルマニウム合金(Au/Ge)合金38を適切
に溶融することができる。
【0035】図8は、封止材を球形として、異なる材質
で形成した場合のレーザビーム形成条件と溶融特性につ
いて、実験により確認した表である。図示されているよ
うに、本実施形態で使用する球形の金ゲルマニウム合金
(Au/Ge)合金の封止材38の場合、金ゲルマニウ
ム合金の融点は高いにもかからず、光を吸収する性質が
強いので、従来と比べて、ごく僅かに出力を増加させる
だけでも、十分に溶融させることができる。しかも、形
状を球形としたことにより、表面の酸化膜が、図5
(d)の矢印で示すように、図において上面側に押し出
されることが確認されている。これにより、酸化膜はパ
ッケージ36の表面側に残り、かつ封止材38材料は溶
融されて図5(c)において、下方へ流れ、貫通孔37
内に流れ込む。ここで、溶融された封止材38の溶融し
た材料は、段部55と、第1の孔37aの内周に形成さ
れた金属被覆部と濡れ馴染んで、それ以上パッケージ3
6内には進入せず、図2に示すように、貫通孔37内に
確実に隙間なく充填される。
【0036】その後、図2に示されているように、好ま
しくは、図5(c)のレーザ光照射手段65を利用し
て、蓋体39を透過するように、レーザ光L4を照射し
て、圧電振動片32上に予め形成されている金属被覆部
を部分的に蒸散させることで、質量削減方式による周波
数調整を行い、検査工程へ送られる。
【0037】このように、本実施形態の方法では、パッ
ケージ36の底部に形成された貫通孔37に対して、球
形に形成した金ゲルマニウム合金(Au/Ge)の封止
材38を配置して、溶融するようにしている。この金ゲ
ルマニウム合金(Au/Ge)の封止材38は、融点が
高いが、酸化されやすく、表面に酸化膜が形成されやす
く、酸化膜が存在すると、加熱により流れにくくなり、
封止作業がその分困難になる。ところが、金ゲルマニウ
ム合金(Au/Ge)を球形にして、レーザ光L4を照
射すると、酸化膜のために、光を吸収しやすく、容易に
溶融され、酸化膜が貫通孔37の外側に向かって表面に
押し出される。これにより、封止材38の合金成分を貫
通孔37内に適切に流すことで、貫通孔37を完全に塞
ぐことができる。このため、封止後の圧電デバイス30
を実装する工程において、熱が加えられた場合に、金ゲ
ルマニウム合金の封止材38は融点が高く、容易に溶融
しないことから、パッケージ36内部の真空状態が封止
材の一部溶融によりリークすることが有効に防止され
る。しかも、封止材38に鉛を含有していないことか
ら、鉛を原因とする環境汚染を回避することができる。
【0038】図9(a)は、本発明の圧電デバイスの異
なる実施の形態の構成を示す概略平面図である。図にお
いて、圧電デバイス100は、圧電振動片32を用い
て、圧電発振器を形成した例を示しており、第1の実施
の形態と同一の符号を付した箇所は共通する構成である
から、重複した説明は省略し、相違点を中心に説明す
る。
【0039】図9(b)は、図9(a)のC−C線概略
断面図であり、パッケージ101は、その製造の際に、
第1の実施形態のパッケージ36よりも多くのセラミッ
クシートの積層基板を用いて製造されている。これによ
り、パッケージ101には、図9に示すように、増えた
分の積層基板を利用して中央付近に凹部102が形成さ
れており、その内側底部には、図示しない電極が設けら
れている。この電極上には、集積回路103が実装され
ている。集積回路103は、所定の分周回路等を構成し
ていて、圧電振動片32の駆動電極と電気的に接続さ
れ、集積回路103から出力された駆動電圧が圧電振動
片32に与えられるようになっている。
【0040】パッケージ101の貫通孔37に充填され
ている封止材38は、第1の実施形態で説明したものと
同じであり、同一の封止工程で封止されたものである。
したがって、本実施形態も第1の実施形態と同様の作用
効果を発揮することができる。このように、本発明は、
圧電振動子に限らず、図9のような圧電発振器やフィル
タ等、その名称にかかわらず、パッケージ内に圧電振動
片を収容して、蓋体により封止する構成のあらゆる圧電
デバイスに適用できる。
【0041】図10は、本発明の上述した実施形態に係
る圧電デバイスを利用した電子機器の一例としてのデジ
タル式携帯電話装置の概略構成を示す図である。図にお
いて、送信者の音声を受信するマイクロフォン308及
び受信内容を音声出力とするためのスピーカ309を備
えており、さらに、送受信信号の変調及び復調部に接続
された制御部としての集積回路等でなるコントローラ3
01を備えている。コントローラ301は、送受信信号
の変調及び復調の他に画像表示部としてのLCDや情報
入力のための操作キー等でなる情報の入出力部302
や、RAM,ROM等でなる情報記憶手段303の制御
を行うようになっている。このため、コントローラ30
1には、圧電デバイス30が取り付けられて、その出力
周波数をコントローラ301に内蔵された所定の分周回
路(図示せず)等により、制御内容に適合したクロック
信号として利用するようにされている。このコントロー
ラ301に取付けられる圧電デバイス30は、圧電デバ
イス30単体でなくても、圧電デバイス30と、所定の
分周回路等とを組み合わせた発振器である図9のような
圧電デバイス100であってもよい。
【0042】コントローラ301は、さらに、温度補償
水晶発振器(TCXO)305と接続され、温度補償水
晶発振器305は、送信部307と受信部306に接続
されている。これにより、コントローラ301からの基
本クロックが、環境温度が変化した場合に変動しても、
温度補償水晶発振器305により修正されて、送信部3
07及び受信部306に与えられるようになっている。
【0043】このように、制御部を備えた携帯電話装置
300のような電子機器に、上述した実施形態に係る圧
電デバイスを利用することにより、製造工程において、
パッケージ内に正しく位置決めされた圧電振動片を備え
る圧電デバイスを使用していることによって、正確なク
ロック信号を生成することができる。
【0044】本発明は上述の実施形態に限定されない。
各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省
略し、図示しない他の構成と組み合わせることができ
る。
【0045】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、圧
電デバイスのパッケージ封止において、鉛フリーを実現
しつつ、加熱により容易に気密状態がリークされないよ
うにした封止性能に優れた圧電デバイスと、その封止方
法、及びこの圧電デバイスを利用した携帯電話装置及び
電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の圧電デバイスの第1の実施形態を示
す概略平面図。
【図2】 図1のB−B線概略断面図。
【図3】 図1の圧電デバイスの底面図。
【図4】 図1の圧電デバイスの製造工程の一部を示
し、(a)は図1の圧電デバイスの圧電振動片をマウン
トする工程の概略断面図、(b)は図1の圧電デバイス
のパッケージに蓋体を接合する工程の概略断面図。
【図5】 図1の圧電デバイスのパッケージの貫通孔を
封止材で封止する工程を示し、(c)はその全体を示す
概略断面図、(d)はその一部を拡大して示す概略断面
図。
【図6】 図1の圧電デバイスのパッケージの封止工程
の温度プロファイルの一例を示すグラフ。
【図7】 図1の圧電デバイスのパッケージの貫通孔を
封止する封止材の組成と融点の関係を示すグラフ。
【図8】 図1の圧電デバイスのパッケージの貫通孔を
封止する封止材を球形として、異なる材質で形成した場
合のレーザビーム形成条件と溶融特性について、実験に
より確認した表。
【図9】 本発明の圧電デバイスの他の実施形態を示
し、(a)はその概略平面図、(b)は図9(a)のC
−C線概略断面図。
【図10】 本発明の各実施形態に係る圧電デバイスを
利用した電子機器の一例としてのデジタル式携帯電話装
置の概略構成を示す図。
【図11】 従来の圧電デバイスの一例を示す概略平面
図。
【図12】 図11の圧電デバイスのA−A線概略断面
図。
【図13】 図11の圧電デバイスの製造工程の一部を
示し、(a)は図11の圧電デバイスの圧電振動片をマ
ウントする工程の概略断面図、(b)は図11の圧電デ
バイスのパッケージに蓋体を接合する工程の概略断面
図、(c)は図11の圧電デバイスのパッケージの貫通
孔を封止材で封止する工程の概略断面図。
【図14】 図11の圧電デバイスのパッケージの貫通
孔を封止する封止材の組成と融点の関係を示すグラフ。
【符号の説明】
30,100・・・圧電デバイス、32・・・圧電振動
片、36,101・・・パッケージ、37・・・開口、
38・・・封止材、39・・・蓋体、42・・・凹部、
51・・・基部。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧電振動片の一部を支持固定して収容す
    る内部空間を備えたパッケージと、 このパッケージに固定された光透過性の材料でなる蓋体
    と、 前記パッケージの底部に設けた貫通孔に充填され、前記
    内部空間を気密状態で封止するための封止材とを備えて
    おり、 前記封止材が金ゲルマニウム合金(Au/Ge)により
    形成されていることを特徴とする、圧電デバイス。
  2. 【請求項2】 前記貫通孔は、所定の内径を備える内側
    の第1の貫通孔と、この第1の貫通孔と連続して設けら
    れると共に、前記第1の貫通孔よりも大きな内径を備え
    て外側に開口した第2の貫通孔とを有することを特徴と
    する、請求項1に記載の圧電デバイス。
  3. 【請求項3】 前記第1の貫通孔と前記第2の貫通孔と
    は段部を介して連続しており、この段部と、前記第1の
    貫通孔の内面には、前記封止材との濡れ性に優れた金属
    被覆が設けられていることを特徴とする、請求項1また
    は2のいずれかに記載の圧電デバイス。
  4. 【請求項4】 圧電振動片の一部を支持固定したパッケ
    ージに、蓋体を固定した圧電デバイスの封止方法であっ
    て、 前記パッケージの底部に形成された貫通孔に対して、球
    形に形成した金ゲルマニウム合金(Au/Ge)の封止
    材を配置し、 前記封止材に対して、レーザ光を照射して溶融すること
    により、前記貫通孔を塞ぐようにしたことを特徴とす
    る、圧電デバイスの封止方法。
  5. 【請求項5】 前記圧電デバイスは、真空雰囲気内で加
    熱された状態で、前記封止材に前記レーザ光を照射する
    ことを特徴とする、請求項4に記載の圧電デバイスの封
    止方法。
  6. 【請求項6】 前記封止材に対する前記レーザ光の照射
    が、高真空下で行われることを特徴とする、請求項5に
    記載の圧電デバイスの封止方法。
  7. 【請求項7】 圧電振動片の一部を支持固定して内部に
    収 容するようにしたパッケージとこのパッケージに固
    定される蓋体とを有する圧電デバイスを利用した携帯電
    話装置であって、 圧電振動片の一部を支持固定して収容する内部空間を備
    えたパッケージと、 このパッケージに固定された光透過性の材料でなる蓋体
    と、 前記パッケージの底部に設けた貫通孔に充填され、前記
    内部空間を気密状態で封止するための封止材とを備えて
    おり、 前記封止材が金ゲルマニウム合金(Au/Ge)により
    形成されている圧電デバイスにより、制御用のクロック
    信号を得るようにしたことを特徴とする、携帯電話装
    置。
  8. 【請求項8】 圧電振動片の一部を支持固定して内部に
    収容するようにしたパッケージとこのパッケージに固定
    される蓋体とを有する圧電デバイスを利用した電子機器
    であって、 圧電振動片の一部を支持固定して収容する内部空間を備
    えたパッケージと、 このパッケージに固定された光透過性の材料でなる蓋体
    と、 前記パッケージの底部に設けた貫通孔に充填され、前記
    内部空間を気密状態で封止するための封止材とを備えて
    おり、 前記封止材が金ゲルマニウム合金(Au/Ge)により
    形成されている圧電デバイスにより、制御用のクロック
    信号を得るようにしたことを特徴とする、電子機器。
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