JP2003152129A - 気密端子及びその製造方法 - Google Patents
気密端子及びその製造方法Info
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- JP2003152129A JP2003152129A JP2001347807A JP2001347807A JP2003152129A JP 2003152129 A JP2003152129 A JP 2003152129A JP 2001347807 A JP2001347807 A JP 2001347807A JP 2001347807 A JP2001347807 A JP 2001347807A JP 2003152129 A JP2003152129 A JP 2003152129A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来、電子機器等の用いる気密端子の仕上げめ
っき処理において、ＳｎＰｂ半田に代わるＳｎＣｕはん
だを使用するにあたっては、ウィスカ−が発生する問題
があり、本発明は、このウィスカ−発生を防止する技術
を提案する。 【解決手段】円筒状ケ−スの開口部に、ガラスを介して
リ−ドを挿通させたハトメよりなるプラグを押し込んで
上記プラグのハトメ側壁の軟金属と、上記ケ−スの開口
部内壁の軟金属とを圧着させることにより形成する気密
端子において、上記プラグとケ−スに施す軟金属に、Ｓ
ｎＣｕ半田膜を用いる際に、半田液中の銅濃度と、めっ
き処理膜を設定し、また、半田液中の銅濃度を３ｗｔ％
以上でめっき膜厚を１μｍ以下、および半田液中の銅濃
度を１ｗｔ％以上でめっき膜厚を１０μｍ以上に設定
し、さらに、めっき膜厚を形成後、温度を７５℃〜１５
０℃とし、処理時間を０．５時間〜６時間として熱処理
を行うことにより、ウィスカ−発生を防止する
っき処理において、ＳｎＰｂ半田に代わるＳｎＣｕはん
だを使用するにあたっては、ウィスカ−が発生する問題
があり、本発明は、このウィスカ−発生を防止する技術
を提案する。 【解決手段】円筒状ケ−スの開口部に、ガラスを介して
リ−ドを挿通させたハトメよりなるプラグを押し込んで
上記プラグのハトメ側壁の軟金属と、上記ケ−スの開口
部内壁の軟金属とを圧着させることにより形成する気密
端子において、上記プラグとケ−スに施す軟金属に、Ｓ
ｎＣｕ半田膜を用いる際に、半田液中の銅濃度と、めっ
き処理膜を設定し、また、半田液中の銅濃度を３ｗｔ％
以上でめっき膜厚を１μｍ以下、および半田液中の銅濃
度を１ｗｔ％以上でめっき膜厚を１０μｍ以上に設定
し、さらに、めっき膜厚を形成後、温度を７５℃〜１５
０℃とし、処理時間を０．５時間〜６時間として熱処理
を行うことにより、ウィスカ−発生を防止する
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気密端子の仕上げ
めっき処理におけるめっき皮膜のウィスカーの発生防止
に関する。
めっき処理におけるめっき皮膜のウィスカーの発生防止
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から気密端子の仕上げめっきとして
ＳｎＰｂ半田が使用されている。中でも図５に示すよう
な円筒状ケース２の開口部２eに、リード３をガラス４
を介して挿通させたハトメ５よりなるプラグ１を押し込
んで、プラグ１のハトメ５側壁の軟金属６とケース２の
開口部内壁の軟金属７とを圧着させることで気密性を確
保する、いわゆるシリンダータイプの気密端子において
は、圧入によってプラグ１と円筒状ケース２の少なくと
もどちらか一方に施されためっき膜を圧着させることに
より気密性を確保させる為に、プラグ１もしくは円筒状
ケース２の圧入面の少なくともどちらか一方に軟金属の
被膜形成を必要としていた。従来は圧着作業性を向上さ
せるために軟金属であるＳｎＰｂ半田が用いられてき
た。
ＳｎＰｂ半田が使用されている。中でも図５に示すよう
な円筒状ケース２の開口部２eに、リード３をガラス４
を介して挿通させたハトメ５よりなるプラグ１を押し込
んで、プラグ１のハトメ５側壁の軟金属６とケース２の
開口部内壁の軟金属７とを圧着させることで気密性を確
保する、いわゆるシリンダータイプの気密端子において
は、圧入によってプラグ１と円筒状ケース２の少なくと
もどちらか一方に施されためっき膜を圧着させることに
より気密性を確保させる為に、プラグ１もしくは円筒状
ケース２の圧入面の少なくともどちらか一方に軟金属の
被膜形成を必要としていた。従来は圧着作業性を向上さ
せるために軟金属であるＳｎＰｂ半田が用いられてき
た。
【０００３】これらの気密端子が使用される電子機器が
廃棄放置されたり、地中に埋設処分されると、酸性雨等
により電子機器中のＳｎＰｂ半田が溶けだし、人体に有
害なＰｂの毒性が問題になっている。仕上げめっきにＳ
ｎＰｂ半田を使用する気密端子の場合も例外ではない。
そこで、ＳｎＰｂ半田からＰｂを含まないＳｎＣｕ半田
・ＳｎＡｇ半田・ＳｎＢｉ半田等のいわゆるＰｂフリー
半田めっきの開発がされてきたが、様々な検討を行った
結果、比較的安価な軟金属であるＳｎＣｕ半田を使用す
ることで、従来と同等の特性が得られることが確認され
つつある。
廃棄放置されたり、地中に埋設処分されると、酸性雨等
により電子機器中のＳｎＰｂ半田が溶けだし、人体に有
害なＰｂの毒性が問題になっている。仕上げめっきにＳ
ｎＰｂ半田を使用する気密端子の場合も例外ではない。
そこで、ＳｎＰｂ半田からＰｂを含まないＳｎＣｕ半田
・ＳｎＡｇ半田・ＳｎＢｉ半田等のいわゆるＰｂフリー
半田めっきの開発がされてきたが、様々な検討を行った
結果、比較的安価な軟金属であるＳｎＣｕ半田を使用す
ることで、従来と同等の特性が得られることが確認され
つつある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のＳｎＣｕ半田使
用の際に、従来より解決すべき問題としてウィスカーの
発生がある。このウィスカー発生のメカニズムは今なお
判明していないが、Ｓｎ合金のウィスカーは、Ｓｎ合金
に含まれる第２金属濃度が大きい程発生を制御すること
ができ、特にＰｂはその抑制効果が大きいことが知られ
ている。
用の際に、従来より解決すべき問題としてウィスカーの
発生がある。このウィスカー発生のメカニズムは今なお
判明していないが、Ｓｎ合金のウィスカーは、Ｓｎ合金
に含まれる第２金属濃度が大きい程発生を制御すること
ができ、特にＰｂはその抑制効果が大きいことが知られ
ている。
【０００５】しかしながら、ＳｎＣｕ半田の共晶温度は
図６に共晶点Ｐで示すように２００℃以上で、従来使用
してきた図７に共晶点Ｑで示す約１８３℃のＳｎＰｂ半
田と比較して高く、また液相線Ｌ１の共晶点Ｐからの立
ち上がりも液相線Ｌ２、Ｌ３より急激であり、加えてシ
リンダータイプの気密端子内に収納する素子である水晶
振動子は約４５０℃以上の熱負荷によりその特性を発揮
出来ないため、プラグのリード部の半田を溶かすことに
よりロウ材として水晶振動子と接合している水晶振動子
メーカーにとっては第２金属であるＣｕ濃度を極端に大
きくすることが出来ないと言う問題が残存している。
図６に共晶点Ｐで示すように２００℃以上で、従来使用
してきた図７に共晶点Ｑで示す約１８３℃のＳｎＰｂ半
田と比較して高く、また液相線Ｌ１の共晶点Ｐからの立
ち上がりも液相線Ｌ２、Ｌ３より急激であり、加えてシ
リンダータイプの気密端子内に収納する素子である水晶
振動子は約４５０℃以上の熱負荷によりその特性を発揮
出来ないため、プラグのリード部の半田を溶かすことに
よりロウ材として水晶振動子と接合している水晶振動子
メーカーにとっては第２金属であるＣｕ濃度を極端に大
きくすることが出来ないと言う問題が残存している。
【０００６】上記の理由により、ＳｎＣｕ半田を使用す
る場合プラグ１の第２金属濃度を具体的に判明している
事項として、７wt％以上大きくすることができないの
で、ＳｎＣｕ半田はめっき後のウィスカーの発生が著し
く、早いものではめっき処理後１〜２週間でウィスカー
の発生が見られる。
る場合プラグ１の第２金属濃度を具体的に判明している
事項として、７wt％以上大きくすることができないの
で、ＳｎＣｕ半田はめっき後のウィスカーの発生が著し
く、早いものではめっき処理後１〜２週間でウィスカー
の発生が見られる。
【０００７】特に図５に示したシリンダータイプの気密
端子は、水晶振動子のパッケージとして用いられ、ウィ
スカーの発生は内部に電極を施した水晶片の電極のショ
ート等を引き起こす原因となり致命的な欠陥である。
端子は、水晶振動子のパッケージとして用いられ、ウィ
スカーの発生は内部に電極を施した水晶片の電極のショ
ート等を引き起こす原因となり致命的な欠陥である。
【０００８】そこで本発明の目的は、従来のＳｎＰｂ半
田の濃度以下で施したＳｎＣｕ半田膜のウィスカーの発
生率が、従来のＳｎＰｂ半田レベルよりも十分低い気密
端子を提供することにある。
田の濃度以下で施したＳｎＣｕ半田膜のウィスカーの発
生率が、従来のＳｎＰｂ半田レベルよりも十分低い気密
端子を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願の発明は、上述の課
題を解決するために、ＳｎＣｕ半田のめっき条件を以下
に示すように設定する。
題を解決するために、ＳｎＣｕ半田のめっき条件を以下
に示すように設定する。
【００１０】本願発明は、プラグとケースに施したＳｎ
Ｃｕ半田の膜中銅濃度とめっき厚を設定する。具体的に
はプラグの半田膜中銅濃度が１〜７wt％、めっき膜厚が
１０μm以上、及びケース内面のめっき膜中銅濃度が３
〜７wt％、めっき厚が１μm以下とすることを特徴とし
ている。
Ｃｕ半田の膜中銅濃度とめっき厚を設定する。具体的に
はプラグの半田膜中銅濃度が１〜７wt％、めっき膜厚が
１０μm以上、及びケース内面のめっき膜中銅濃度が３
〜７wt％、めっき厚が１μm以下とすることを特徴とし
ている。
【０１１】ＳｎＣｕ半田の場合、そのウィスカーの発生
要因から、いくつかのウィスカーの制御因子を組み合わ
せて適用する必要がある。特にシリンダータイプの気密
端子は圧入による気密性の確保が必要であるため、プラ
グ及びケースの圧入面にある程度の軟金属の半田被膜を
設ける必要がある。
要因から、いくつかのウィスカーの制御因子を組み合わ
せて適用する必要がある。特にシリンダータイプの気密
端子は圧入による気密性の確保が必要であるため、プラ
グ及びケースの圧入面にある程度の軟金属の半田被膜を
設ける必要がある。
【００１２】本願発明においては、まずめっき処理につ
いて、圧入面の１つであるケースの内面に厚いめっき膜
を施すことが困難であるために、ケース内面は１μm以
下の極端に薄い半田厚とし、逆にプラグ側の半田厚を十
分厚くすることにより、圧入に必要な半田量を確保し
た。また、この場合ケース側のめっき材質は、Ｎｉ等の
軟金属以外のものを用いても良い。
いて、圧入面の１つであるケースの内面に厚いめっき膜
を施すことが困難であるために、ケース内面は１μm以
下の極端に薄い半田厚とし、逆にプラグ側の半田厚を十
分厚くすることにより、圧入に必要な半田量を確保し
た。また、この場合ケース側のめっき材質は、Ｎｉ等の
軟金属以外のものを用いても良い。
【００１３】尚、ウィスカーはめっき時の残留応力や半
田膜と下地金属との拡散による応力によって発生するた
め、半田厚を十分に厚くすると、半田被膜と下地金属と
の界面での応力が半田被膜表面へ影響を与えにくく、ま
た、半田厚を十分薄くするとウィスカーへと供給する十
分な金属とは成らず、ウィスカー発生が抑制される。
田膜と下地金属との拡散による応力によって発生するた
め、半田厚を十分に厚くすると、半田被膜と下地金属と
の界面での応力が半田被膜表面へ影響を与えにくく、ま
た、半田厚を十分薄くするとウィスカーへと供給する十
分な金属とは成らず、ウィスカー発生が抑制される。
【００１４】つぎに本願発明においては、ウィスカー発
生の制御因子である熱負荷を半田被膜に与えることによ
り、より確実にウィスカーの発生を防止できることを特
徴とする。
生の制御因子である熱負荷を半田被膜に与えることによ
り、より確実にウィスカーの発生を防止できることを特
徴とする。
【００１５】上記熱負荷は、７５℃以上でウィスカー制
御の効果が見られるが、１５０℃で０．５Ｈｒ以上の熱
負荷を実施する事によりウィスカー制御に対して顕著な
効果が得られることを本願の発明者は確認できた。
御の効果が見られるが、１５０℃で０．５Ｈｒ以上の熱
負荷を実施する事によりウィスカー制御に対して顕著な
効果が得られることを本願の発明者は確認できた。
【００１６】上記、１５０℃で０．５Ｈｒ以上の熱負荷
を実施した場合、その効果は著しく、本願発明のＳｎＣ
ｕ半田の膜中銅濃度は１wt％以上、めっき膜厚はウィス
カーの制御に対しては無管理で作成することが可能であ
る。
を実施した場合、その効果は著しく、本願発明のＳｎＣ
ｕ半田の膜中銅濃度は１wt％以上、めっき膜厚はウィス
カーの制御に対しては無管理で作成することが可能であ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１８】図１はＳｎＣｕ半田の膜中銅濃度とめっき
膜厚に対するウィスカーの発生状況を示したものであ
る。図中の評価記号は、◎がウィスカーの発生が無く非
常に良好である、○が極微細なウィスカーの発生がある
が実用上差し支えない、×がウィスカーの発生が有り実
用上問題有り、を示している。
膜厚に対するウィスカーの発生状況を示したものであ
る。図中の評価記号は、◎がウィスカーの発生が無く非
常に良好である、○が極微細なウィスカーの発生がある
が実用上差し支えない、×がウィスカーの発生が有り実
用上問題有り、を示している。
【００１９】各評価用サンプルは、予め下地に銅めっき
を施したシリンダータイプのプラグないしはケースの圧
入面で、ＳｎＣｕ半田膜中銅濃度とめっき厚が図１から
読みとれるそれぞれの値が得られるように作成した。
を施したシリンダータイプのプラグないしはケースの圧
入面で、ＳｎＣｕ半田膜中銅濃度とめっき厚が図１から
読みとれるそれぞれの値が得られるように作成した。
【００２０】図１の評価結果は、各評価用サンプルを低
温側５５℃で３０分、高温側１２５℃で３０分を１サイ
クルとする温度サイクルにして、１０００サイクル投入
する加速試験を実施した後にウィスカーの発生状況を確
認して得られた結果である。
温側５５℃で３０分、高温側１２５℃で３０分を１サイ
クルとする温度サイクルにして、１０００サイクル投入
する加速試験を実施した後にウィスカーの発生状況を確
認して得られた結果である。
【００２１】尚、上記温度サイクルに投入し熱収縮を繰
り返すことで、内部応力を加速させてウィスカーを出や
すくして、評価することができる。
り返すことで、内部応力を加速させてウィスカーを出や
すくして、評価することができる。
【００２２】図１から明らかなように、膜中銅濃度３wt
％以上めっき厚１μm以下及び膜中銅濃度１wt％以上め
っき厚１０μm以上の領域において、ウィスカーの発生
防止が可能である。
％以上めっき厚１μm以下及び膜中銅濃度１wt％以上め
っき厚１０μm以上の領域において、ウィスカーの発生
防止が可能である。
【００２３】また、シリンダータイプの場合プラグ側に
圧入による気密性を確保できるだけの半田量つまり半田
めっき厚を施せば、ケース側のめっき処理には、Ｎｉ等
の軟金属以外を用いても良い。
圧入による気密性を確保できるだけの半田量つまり半田
めっき厚を施せば、ケース側のめっき処理には、Ｎｉ等
の軟金属以外を用いても良い。
【００２４】図２はＳｎＣｕ半田のめっき後に１５０℃
で０．５Ｈｒの熱負荷を実施した場合のＳｎＣｕ半田の
膜中銅濃度とめっき厚に対するウィスカーの発生状況を
示したものである。図中の評価記号は図１の評価結果と
同様、◎がウィスカーの発生が無く非常に良好である、
○が極微細なウィスカーの発生があるが実用上差し支え
ない、×がウィスカーの発生が有り実用上問題有り、を
示している。
で０．５Ｈｒの熱負荷を実施した場合のＳｎＣｕ半田の
膜中銅濃度とめっき厚に対するウィスカーの発生状況を
示したものである。図中の評価記号は図１の評価結果と
同様、◎がウィスカーの発生が無く非常に良好である、
○が極微細なウィスカーの発生があるが実用上差し支え
ない、×がウィスカーの発生が有り実用上問題有り、を
示している。
【００２５】図２の評価結果は、図１の評価結果と、同
様各評価用サンプルを低温側５５℃で３０分、高温側１
２５℃で３０分を１サイクルとする温度サイクルにし
て、１０００サイクル投入する加速試験を実施した後に
ウィスカーの発生状況を確認して得られた結果である。
様各評価用サンプルを低温側５５℃で３０分、高温側１
２５℃で３０分を１サイクルとする温度サイクルにし
て、１０００サイクル投入する加速試験を実施した後に
ウィスカーの発生状況を確認して得られた結果である。
【００２６】図２の評価結果から明らかなように、めっ
き処理後に１５０℃で０．５Ｈｒの熱付加を実施するこ
とで膜中銅濃度が１wt％以上であれば、めっき膜厚に関
係なくウィスカーの発生防止が可能である。
き処理後に１５０℃で０．５Ｈｒの熱付加を実施するこ
とで膜中銅濃度が１wt％以上であれば、めっき膜厚に関
係なくウィスカーの発生防止が可能である。
【００２７】図３の評価結果は、ＳｎＣｕ半田のめっき
後の熱付加温度及び時間とウィスカーの発生状況を示
す。ここで使用したサンプルはＳｎＣｕ半田の膜中銅濃
度を１wt％とし、めっき厚を３μmとしたウィスカーの
発生しやすい条件を選択した。図中の評価記号は図１の
評価結果と同様、◎がウィスカーの発生が無く非常に良
好である、○が極微細なウィスカーの発生があるが実用
上差し支えない、×がウィスカーの発生が有り実用上問
題有り、を示している。
後の熱付加温度及び時間とウィスカーの発生状況を示
す。ここで使用したサンプルはＳｎＣｕ半田の膜中銅濃
度を１wt％とし、めっき厚を３μmとしたウィスカーの
発生しやすい条件を選択した。図中の評価記号は図１の
評価結果と同様、◎がウィスカーの発生が無く非常に良
好である、○が極微細なウィスカーの発生があるが実用
上差し支えない、×がウィスカーの発生が有り実用上問
題有り、を示している。
【００２８】図３の結果は、図１同様各評価用サンプル
を低温側５５℃で３０分、高温側１２５℃で３０分を１
サイクルとする温度サイクルとし、１０００サイクル投
入する加速試験を実施した後にウィスカーの発生状況を
確認して得られた結果である。
を低温側５５℃で３０分、高温側１２５℃で３０分を１
サイクルとする温度サイクルとし、１０００サイクル投
入する加速試験を実施した後にウィスカーの発生状況を
確認して得られた結果である。
【００２９】図３の評価結果より明らかなように、ウィ
スカー対策熱負荷領域１０においてウィスカー発生防止
に顕著な効果が得られる。尚、変色領域２０において
は、ウィスカー発生防止効果があるものの、ＳｎＣｕ半
田皮膜に変色が発生し製品外観不良となる問題が生じ
る。
スカー対策熱負荷領域１０においてウィスカー発生防止
に顕著な効果が得られる。尚、変色領域２０において
は、ウィスカー発生防止効果があるものの、ＳｎＣｕ半
田皮膜に変色が発生し製品外観不良となる問題が生じ
る。
【００３０】図４はＳｎＣｕ半田のめっき処理後の熱負
荷温度及び時間とウィスカーの発生状況を示した実施例
である。
荷温度及び時間とウィスカーの発生状況を示した実施例
である。
【００３１】図４の実施例では、前述の図３の中から代
表的なサンプルを、低温側５５℃で３０分、高温側１２
５℃で３０分を１サイクルとする温度サイクルに投入
し、１００、３００、５００、１０００各サイクルでウ
ィスカーの発生率を確認した。
表的なサンプルを、低温側５５℃で３０分、高温側１２
５℃で３０分を１サイクルとする温度サイクルに投入
し、１００、３００、５００、１０００各サイクルでウ
ィスカーの発生率を確認した。
【００３２】この図４に示した結果から、ウィスカーの
発生防止に対して７５℃以上の温度負荷で効果が有り、
１５０℃で０．５時間以上の熱負荷で顕著な効果が見ら
れることがわかる。
発生防止に対して７５℃以上の温度負荷で効果が有り、
１５０℃で０．５時間以上の熱負荷で顕著な効果が見ら
れることがわかる。
【００３３】以上のように本発明によれば、気密端子と
りわけシリンダータイプの気密端子の仕上げめっき処理
として施されたＳｎＣｕ半田の膜中銅濃度及びめっき厚
の範囲を制限して作成し、さらにめっき膜中銅濃度を制
限して作成したＳｎＣｕ半田めっき処理後に熱負荷を与
えることにより、膜中銅濃度の低いＳｎＣｕ半田膜にお
いてもウィスカーの発生を防止することができ、これに
より最終製品である水晶振動子において、従来のＳｎＰ
ｂ半田めっき同等以上の信頼性が得られ、人体に有害な
Ｐｂを除去した、いわゆるＰｂフリー半田であるＳｎＣ
ｕ半田の採用が可能になる。
りわけシリンダータイプの気密端子の仕上げめっき処理
として施されたＳｎＣｕ半田の膜中銅濃度及びめっき厚
の範囲を制限して作成し、さらにめっき膜中銅濃度を制
限して作成したＳｎＣｕ半田めっき処理後に熱負荷を与
えることにより、膜中銅濃度の低いＳｎＣｕ半田膜にお
いてもウィスカーの発生を防止することができ、これに
より最終製品である水晶振動子において、従来のＳｎＰ
ｂ半田めっき同等以上の信頼性が得られ、人体に有害な
Ｐｂを除去した、いわゆるＰｂフリー半田であるＳｎＣ
ｕ半田の採用が可能になる。
【図１】 本発明の実施形態を説明するめっき厚
−膜中銅濃度特性図
−膜中銅濃度特性図
【図２】 本発明の実施形態を説明するめっき厚
−膜中銅濃度特性図
−膜中銅濃度特性図
【図３】 本発明の実施形態を説明する熱負荷温
度−熱負荷時間特性図
度−熱負荷時間特性図
【図４】 本発明の一実施例を示す熱処理結果を
示す特性図
示す特性図
【図５】 従来より現在に至り使用され本発明に
も係るシリンダータイプの気密端子の断面図。
も係るシリンダータイプの気密端子の断面図。
【図６】 本発明の気密端子及びその製造方法に
係るＳｎＣｕ半田膜のＳｎ−Ｃｕ状態図
係るＳｎＣｕ半田膜のＳｎ−Ｃｕ状態図
【図７】 従来のＰｂＳｎ半田のＰｂ−Ｓｎ状態
図
図
１ プラグ
２ ケ−ス
２ｅ 開口部
３ リ−ド
４ ガラス
５ ハトメ
６ 軟金属（ＳｎＣｕ半田膜）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K027 AA07 AA15 AB01 AB22 AB50
AC72 AE03 AE23
Claims (4)
- 【請求項１】円筒状ケ−スの開口部に、ガラスを介して
リ−ドを挿通させたハトメよりなるプラグを押し込んで
上記プラグのハトメ側壁の軟金属と、上記ケ−スの開口
部内壁の軟金属とを圧着させることにより形成する気密
端子において、上記プラグとケ−スに施す軟金属に、Ｓ
ｎＣｕ半田膜を用いることを特徴とする気密端子。 - 【請求項２】請求項１に記載の気密端子について、Ｓｎ
Ｃｕ半田膜を形成する半田液中の銅濃度と、めっき処理
膜を設定することにより形成することを特徴とする気密
端子の製造方法。 - 【請求項３】請求項２に記載の気密端子の製造方法にお
いて、上記半田液中の銅濃度を３ｗｔ％以上でめっき膜
厚を１μｍ以下、および半田液中の銅濃度を１ｗｔ％以
上でめっき膜厚を１０μｍ以上に設定することを特徴と
する気密端子の製造方法。 - 【請求項４】請求項２に記載の気密端子の製造方法にお
いて、めっき膜厚を形成後、温度を７５℃〜１５０℃、
処理時間を０．５時間〜６時間として熱処理を行うこと
を特徴とする気密端子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001347807A JP2003152129A (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 気密端子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001347807A JP2003152129A (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 気密端子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003152129A true JP2003152129A (ja) | 2003-05-23 |
Family
ID=19160751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001347807A Pending JP2003152129A (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 気密端子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003152129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056767A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス装置 |
-
2001
- 2001-11-13 JP JP2001347807A patent/JP2003152129A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056767A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス装置 |
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