JP2003149219A - カラム充填剤及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
極めて少ないカラム充填剤及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】シラノール基を有するシリカゲルと、該シ
ラノール基に結合する第一化学修飾基と、該シリカゲル
表面を被覆するシリコーンポリマーと、該シリコーンポ
リマー上のシラノール基及び/又は該シリカゲル上のシ
ラノール基に結合するトリメチルシリル基と、を有する
カラム充填剤。前記カラム充填剤において、該シリコー
ンポリマー上の残存ヒドロシリル基に結合する第二化学
修飾基を有することが好適である。
Description
の製造方法、特にその耐久性の改善に関する。
修飾基を有するシラン化合物でシリカゲル112をシリ
ル化することにより、シリカゲル表面のシラノール基1
14(Si−OH基)に化学修飾基116を導入したも
のが汎用されている(図4)。代表的なシラン化合物
としては、オクタデシルクロロシラン化合物、オクチル
クロロシラン化合物、ブチルクロロシラン化合物、シア
ノプロピルクロロシラン化合物、フェニルクロロシラン
化合物等が存在し、中でもオクタデシルクロロシラン化
合物を用いてオクタデシル基を導入したオクタデシルシ
リカゲル充填剤(ODS)が最も広範に使用されてい
る。
る反面、基材のシリカゲル112表面に残存するシラノ
ール基114の影響が問題となっている。即ち、残存シ
ラノール基114は極性溶質、特に塩基性溶質と強く相
互作用し、塩基性溶質を吸着し、ピークのテーリング現
象を起こすことにより、クロマトグラムの忠実な再現性
を得られない等の問題があった。
響を減少させる手段として、化学修飾基116を導入し
たシリカゲル112をトルエン等の溶媒中でトリメチル
クロロシラン等のエンドキャップ剤によって再度シリル
化し、残存シラノール基114に短鎖アルキル基122
等を化学結合させるエンドキャッピングが行なわれてい
るが、このエンドキャッピングを行なってもシラノール
基114は依然として相当量残存していた(図4)。
ノール基114の影響が極めて少ないカラム充填剤を得
るために、シリカゲルとエンドキャップ剤との反応を従
来のように溶媒中で行わずに、気相中において行う方法
が提案されている(特許第2611545号)。
填剤は、残存シラノール基114減少の点ではかなり改
善されるものの、化学修飾基116や短鎖アルキル基1
22等が単独でシリカゲル表面に結合しているため、そ
れらの付着性が悪く、さらにシリカゲル112の親水性
面が全面的に露出しており、耐久性の面で欠点があっ
た。
ル基の影響が極めて少ないカラム充填剤、及びその製造
方法を提供することを目的とする。
者が鋭意検討した結果、化学修飾基導入シリカゲルの表
面をシリコーンポリマーでコーティングし、残存シラノ
ール基をエンドキャップした充填剤が上記目的を達成で
きることを見出し本発明を完成した。
ル基を有するシリカゲルと、該シラノール基に結合する
第一化学修飾基と、該シリカゲル表面を被覆するシリコ
ーンポリマーと、該シリコーンポリマー上のシラノール
基及び/又は該シリカゲル上のシラノール基に結合する
トリメチルシリル基と、を有するカラム充填剤である。
を有するシリカゲルと、該シラノール基に結合する第一
化学修飾基と、1分子中に2つ以上のヒドロシリル基を
有するシリコーン化合物よりなり、分子同士が互いに架
橋し、該シリカゲルの実質的全表面を網目状に被覆する
シリコーンポリマーと、該シリコーンポリマー上の残存
ヒドロシリル基から生じたシラノール基に結合するトリ
メチルシリル基と、を有することが好適である。前記カ
ラム充填剤において、該シリコーンポリマー上の残存ヒ
ドロシリル基に結合する第二化学修飾基を有することが
好適である。
基が、炭素数1〜30の直鎖炭化水素基、分岐炭化水素
基、環状炭化水素基、又はシアノ基、水酸基、カルボキ
シル基、酸アミド基、イミド基、スルホン基、アミノ基
又はグリセロイル基に置換された置換炭化水素基である
ことが好適である。前記カラム充填剤において、第一化
学修飾基がオクタデシル基、オクチル基、フェニル基、
シアノ基、メチル基、又はエポキシ基であることが好適
である。前記カラム充填剤において、シリコーン化合物
が、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサンであ
ることが好適である。
基が、イオン交換基であることが好適である。前記カラ
ム充填剤において、第二化学修飾基が、スルホン基、カ
ルボキシル基、又はアミノ基であることが好適である。
(C)工程を含むことを特徴とするカラム充填剤の製造
方法である。 (A) シリカゲルに第一化学修飾基を有するシランカ
ップリング剤を反応させることにより、シリカゲル表面
のシラノール基に該第一化学修飾基を導入する工程。 (B) (A)工程後、シリコーン化合物の1種又は2
種以上を、シリカゲル表面上で重合させ、該シリカゲル
の表面上にシリコーンポリマー被膜を形成する工程。 (C) (B)工程後、該シリコーンポリマー上のシラ
ノール基及び/又は該シリカゲル上のシラノール基をエ
ンドキャップ剤でトリメチルシリル化する工程。
ことを特徴とするカラム充填剤の製造方法である。 (A’) シリカゲルに第一化学修飾基を有するシラン
カップリング剤を反応させることにより、シリカゲル表
面のシラノール基に該第一化学修飾基を導入する工程。 (B’) (A’)工程後、1分子中に2つ以上のヒド
ロシリル基を有するシリコーン化合物の1種又は2種以
上を、シリカゲル表面上で重合させ、該シリカゲルの実
質的全表面に網目状にシリコーンポリマー被膜を形成す
る工程。 (C’) (B’)工程後、第二化学修飾基を有するビ
ニル化合物を反応させることにより、シリコーンポリマ
ー上に該第二化学修飾基を導入する工程。 (D’) (C’)工程後、該シリコーンポリマー上の
残存ヒドロシリル基から生じたシラノール基をエンドキ
ャップ剤でトリメチルシリル化する工程。
マー上の残存ヒドロシリル基を架橋する工程を含むこと
が好適である。
ゲルがシリコーンポリマーにより被覆されているため、
シリカゲル上のシラノール基等の影響を受けず、耐久性
に優れている。本発明のカラム充填剤は、図1に示すよ
うに、シラノール基14を有するシリカゲル12と、該
シラノール基14に結合する第一化学修飾基16と、1
分子中に2つ以上のヒドロシリル基を有するシリコーン
化合物よりなり、分子同士が互いに架橋し、該シリカゲ
ルの実質的全表面を網目状に被覆するシリコーンポリマ
ー18と、該シリコーンポリマー18上の残存ヒドロシ
リル基から生じたシラノール基14に結合するトリメチ
ルシリル基24とを有することを特徴とする。
造方法について説明する。 (1)第一実施形態(A)工程 本発明のカラム充填剤の第一実施形態においては、初め
にシリカゲル12に化学修飾基16を有するシランカッ
プリング剤を反応させることにより、シリカゲル表面の
シラノール基14に該化学修飾基16を導入する(図2
)。
に制限されないが、平均粒子径1〜200μm、より好
ましくは3〜50μm、細孔径1〜100nm、より好
ましくは4〜50nm、比表面積50〜800m2/
g、より好ましくは100〜600m2/gの球形ある
いは破砕型のシリカゲルが好適に使用できる。
シル基、オクチル基、n−ブチル基等の炭素数1〜30
のアルキル基、フェニル基等の炭素数6〜30のアリー
ル基、更に炭素数1〜30のアルキル基の水素原子の1
又は2以上がシアノ基、水酸基、カルボキシル基、酸ア
ミド基、イミド基、スルホン基、アミノ基又はグリセロ
イル基に置換された置換アルキル基から選ばれる基を化
学修飾基として1〜3個有するクロロシランやアルコキ
シシラン、又は上記化学修飾基を複数個、例えば6〜1
00個有するシクロシロキサンやポリシロキサンが使用
される。なお、上記アルコキシシランのアルコキシ基と
してはメトキシ基等の炭素数1〜3の低級アルコキシ基
が好適である。また、シクロシロキサンとしてはケイ素
原子3〜50が酸素原子を介してリングを形成したもの
が好ましい。ポリシロキサンはケイ素原子を2〜50有
するものが好ましい。
タデシル基を持つものとしてはジメチルオクタデシルク
ロロシラン、メチルオクタデシルメトキシシラン、メチ
ルオクタデシルジクロロシラン、メチルオクタデシルジ
メトキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、オク
タデシルトリメトキシシラン、1,3,5,7-テトラオクタデ
シル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、
オクチル基を持つものとしてはジメチルオクチルクロロ
シラン、メチルオクチルジクロロシラン、オクチルトリ
クロロシラン、1,3,5,7-テトラオクチル-1,3,5,7-テト
ラメチルシクロテトラシロキサン、n-ブチル基を持つも
のとしてはn-ブチルジメチルクロロシラン、n-ブチルメ
チルジクロロシラン、n-ブチルトリクロロシラン、1,3,
5,7-テトラ-n-ブチル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテト
ラシロキサン、フェニル基を持つものとしてはトリフェ
ニルクロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、ジ
メチルフェニルクロロシラン、ジフェニルジクロロシラ
ン、メチルフェニルジクロロシラン、フェニルトリクロ
ロシラン、ベンジルトリクロロシラン、1,3,5,7-テトラ
フェニル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサ
ン、シアノプロピル基を持つものとしては3-シアノプロ
ピルジメチルクロロシラン、3-シアノプロピルメチルク
ロロシラン、3-シアノプロピルトリクロロシラン等が具
体的に挙げられる。
にメチルオクタデシルジクロロシラン等のジクロロシラ
ン化合物、オクタデシルトリクロロシラン等のトリクロ
ロシラン化合物、メチルオクタデシルジメトキシシラン
等のジアルコキシシラン化合物、オクタデシルトリメト
キシシラン等のトリアルコキシシラン化合物又は1,
3,5,7−テトラオクタデシル−1,3,5,7−テ
トラメチルシクロテトラシロキサン等のシクロシロキサ
ン化合物、ポリシロキサン化合物を用いることが好まし
い。これらを用いると、(B)工程のシリコーンポリマ
ー被覆時における化学修飾基の脱離をより良好に防止で
きる。
の反応は、公知の方法、条件を採用することができ、例
えば溶媒の存在下において50〜300℃、気相あるい
は液相で2時間以上接触させることにより行うことがで
きる。触媒としては、金属触媒すなわちルテニウム、ロ
ジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金
の化合物が適合している。特にパラジウム化合物及び白
金化合物が良好である。
つ以上のヒドロシリル基(Si−H基)20を有するシ
リコーン化合物を接触し、表面重合させ、シリカゲル表
面にシリコーンポリマー18被膜を形成する(図2
)。本発明において使用されるシリコーン化合物は、
下記一般式(I)の1種又は2種以上であり、1分子中
に2つ以上のヒドロシリル基を有することを特徴とす
る。
原子少なくとも1個で置換されている炭素数1〜10の
炭化水素基であるが、R1、R2及びR3が同時に水素原子で
あることはない。a、bは相互に独立に0又は1以上の
整数であり、cは0又は2であり、aとbとcとの和は
3以上の整数であるものとする)
しくは分岐、環状アルキル基特には炭素数1〜4の低級
アルキル基例えばメチル基、エチル基、n−プロピル
基、n−ブチル基;シクロアルキル基例えばシクロヘキ
シル基;シクロアルケニル基例えばシクロヘキセニル
基;アリール基例えばフェニル基、ナフチル基;アリー
ル置換アルキル基例えばフェニルメチル基、フェニルエ
チル基;アルキル置換アリール基例えばメチルフェニル
基等を意味する。
合物は2種の群からなる。第1の群は、前記一般式
(I)においてc=0の場合に相当し、下記一般式(I
I)で表されるヒドロシリル基を有する環状シリコーン
化合物である。
はそれぞれa及びbと同様であり、a1とb1との和は3
以上の整数であるものとする)
いて、R1、R2及びR3が相互に独立に低級アルキル基特に
メチル基、エチル基、n−プロピル基もしくはn−ブチ
ル基、またはアリール基にフェニル基であり、a1とb1
との和が3〜100である環状シリコーン化合物を使用
するのが好適である。R1、R2及びR3は異なる基であるこ
ともできるが、同じ基であることがさらに好適である。
一般式(II)においてb1=0の場合に相当し、下記一
般式(III)で表される化合物である。
ある) 例えば、テトラヒドロテトラメチルシクロテトラシロキ
サン、テトラヒドロテトラエチルシクロテトラシロキサ
ン、テトラヒドロテトラフェニルシクロテトラシロキサ
ン、テトラヒドロドデカメチルシクロオクタンシロキサ
ン、テトラヒドロテトラオクチルシクロテトラシロキサ
ン等を挙げることができる。
エチル基であり、a2が3〜100である化合物が好適
であり、さらにR1がメチル基であり、a2が4である1,
3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサンが最適であ
る。
一般式(I)においてc=2の場合に相当し、下記一般式
(IV)で表されるヒドロシリル基を有する直鎖状シリコー
ン化合物である。
ぞれa及びbと同じ意味であるが、但しa3+b3が1以
上の整数であるものとする)
て、R1〜R6が相互に独立に低級アルキル基特にメチル
基、エチル基、n−プロピル基もしくはn−ブチル基、
またはアリール基特にフェニル基であり、a3とb3との
和が3〜100である直鎖状シリコーン化合物を使用す
るのが好適である。R1〜R6は異なる基であることもでき
るが、同じ基であることがさらに好適である。
例えば、1,1,1,2,3,4,4,4−オクタメチルテトラシロキ
サン、1,1,1,2,3,4,5,5,5−ノナメチルペンタシロキサ
ン、及び1,1,1,2,3,4,5,6,6,6−デカメチルヘキサシロ
キサンを挙げることができる。更に、本発明において
は、前記シリコーン化合物を単独で用いることも、2種
以上の混合物を使用することも可能である。
合物は、気相状態または液相状態でシリカゲルと接触さ
せる。気相状態での接触(気相処理)は、例えば密閉容
器を用い、300℃以下の温度下で、前記シリコーン化
合物の蒸気を分子状態でシリカゲル表面上に接触させる
方法、あるいは300℃以下の温度下で前記シリコーン
化合物とキャリヤーガスとの混同ガスをシリカゲルと接
触させる方法等により行うことができる。
例えば前記シリコーン化合物を溶解することができる揮
発性溶媒であるベンゼン、ジクロロメタン、またはクロ
ロホルム等、特にヘキサンに溶解した1〜50質量%シ
リコーン化合物溶液をシリカゲル1質量部に対してシリ
コーン化合物0.01〜1質量部になるように添加すれ
ば良い。この場合、撹拌下に添加することが好適であ
る。
表面重合は前記接触処理後のシリカゲルを温度50〜3
00℃で2時間以上放置あるいは撹拌することによって
行うことができる。この表面重合は、シリカゲル自体の
表面活性点の作用により促進されるので、特に触媒を加
える必要はない。ここで、「活性点」とはシロキサン結
合(Si−O−Si)またはヒドロシリル基を持つシリ
コーン化合物の重合を触媒することのできる部位であ
り、例えば酸点、塩基点、酸化点、又は還元点を意味す
る。表面重合は、シリカゲル表面の活性点がシリコーン
ポリマーで実質的に全部被覆されてしまうまで行われ
る。
は、前記接触処理前又は後のシリカゲルにアルカリ触媒
例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチ
ウム、水酸化アンモニウムもしくは水酸化カルシウム等
を適宜添加した後に重合させても良い。
は液相で接触させて加熱している段階におけるシリカゲ
ル表面上のシリコーン化合物の重合様式は2種類ある。
1つは、ヒドロシリル基同志の架橋重合であり、シリカ
ゲル表面上に網目構造を形成するものである。すなわ
ち、
する。
切断と再結合との繰返しによる環状シリコーン化合物の
大環状化及び直鎖状シリコーン化合物の大直鎖状化であ
る。これらの重合様式は例えば以下の反応式
の和であり、m′はmより大きい整数である)で表すこ
とができる。
により促進される。以上の2つの異なる重合は、シリカ
ゲルの種類や反応条件(温度、触媒等)によって、それ
ぞれ単独に進行する場合と、両方の型の重合が同時に進
行する場合とがある。そして、重合の程度も様々であ
る。
成されたシリコーンポリマーの平均分子量は1.5×1
05以上である。シリコーン化合物の場合、重合により
高分子化するにつれ、水や有機溶媒に溶けにくくなって
しまい、ポリマーを抽出して分子量を測定することはで
きず、また、シリカゲル表面上にコートされている状態
でのポリマーの分子量を測定することも不可能である。
クロロホルム抽出し、ポリスチレン換算でポリマーの分
子量を求めたところ、最大1.5×105のポリマーが
存在することが確認された。従って、クロロホルムに抽
出されない状態のままで十分に重合させたポリマーの分
子量は、1.5×105以上であるということができる
が、より詳しく分子量を確認することは困難である。
化合物の量は、シリカゲルの質量に対して、1〜50質
量%であることが好適である。50質量%を越えると、
充分に重合せずにシリカゲル表面上に又は第一化学修飾
基上に単に付着した状態のシリコーン化合物の量が増え
るので充填剤としては好ましくない。1質量%未満の場
合にはシリカゲルの全表面をシリコーンポリマーの皮膜
で覆うことができず、本発明の効果を充分に発揮するこ
とができず好ましくない。
シリコーンポリマー上にヒドロシリル基20が残存して
いる。ヒドロシリル基を含む充填剤は、アセトニトリル
等のヒドロシリル基に対して不活性な溶媒を使用する場
合には安定に使用することができるが、アルコール系の
移動相溶媒を用いる場合には、水素を発生しカラムの劣
化が起きることがある。そこで残存ヒドロシリル基20
を触媒存在下で架橋させることによって、アルコール系
の移動相溶媒を使用した場合においても安定に使用する
ことができるようになる(図2)。
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、
水酸化アンモニウム、水酸化リチウム、若しくは炭酸ナ
トリウム、アルキル金属触媒例えばジブチル錫、又はア
ルキルアミン触媒例えばトリブチルアミン等を使用する
ことができる。これら触媒0.01〜10質量%を含む
水溶液、アルコール溶液又はその他の有機溶媒溶液中で
1〜40時間、室温若しくは加熱下で放置するかあるい
は加熱還流すると、残存ヒドロシリル基は以下の反応式
のように架橋する。
低いシリコーン化合物をシリカゲルと接触させるので、
シリコーン化合物がシリカゲルの細孔内部にまで侵入し
てシリカゲルの実質的に全表面上に付着して重合するの
で、シリコーンポリマーの極めて薄い皮膜がシリカゲル
表面上に形成されるため、シリカゲルや化学修飾基の性
質が維持されたまま耐久性が改善される。
行った後も未だヒドロシリル基20が残存している。そ
こで、残存ヒドロシリル基20から生じたシラノール基
14をさらにトリメチルシリル化して封鎖することによ
り、シラノール基14の影響の非常に少ないカラム充填
剤を得ることができる(図2)。
ー被覆シリカゲルと、エンドキャップ剤とを気相状態ま
たは液相状態で接触させることによって実施する。例え
ば、トルエン1〜20質量部とトリメチルクロロシラン
0.5〜3質量部、ヘキサメチルジシラザン1〜6質量
部、ピリジン1〜8.5質量部との混合液中で前記シリ
カゲルを、2〜24時間、撹拌下で還流加熱する、ある
いは密閉容器内でトリメチルクロロシラン、ヘキサメチ
ルジシラザン、トリメチルメトキシシランまたはトリメ
チルエトキシシランをそれぞれ単独で、前記シリカゲル
と共に40℃〜150℃に加熱することで可能となる。
つ(A)工程における第一化学修飾基16と、(B)工
程における前記一般式(I)で表されるシリコーン化合
物の置換基R1〜R6の組合せにより、従来の化学結合型充
填剤では得られない幅広い保持力をもつカラム充填剤を
得ることができる。
リマー上に化学修飾基を導入したものである。(A’)工程・(B’)工程 第二実施形態の(A’)工程及び(B’)工程は、第一
実施形態の(A)工程及び(B)工程と同様に行うこと
ができる(図2、)。
ロシリル基に、さらにビニル化合物を用いて化学修飾基
26を導入する(図2)。ビニル化合物としては、エ
チレン、α−オレフィン化合物、対称形ビニル化合物、
あるいは非対称形ビニル化合物のいずれであっても良
い。
一般式(V)、
子1〜40個のアルキル基、炭素原子4〜8個のシクロ
アルキル基もしくはシクロアルケニル基、または炭素原
子1〜20個のアルキル基で置換されていることのある
アリール基であり、前記のアルキル基、シクロアルキル
基、シクロアルケニル基、アルキル置換アリール基また
はアリール基はハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボ
キシル基、アミノ基、シアノ基、アルコキシカルボニル
基、アリールオキシカルボニル基、スルホン酸基によっ
て置換されていることもできる)で表される化合物を使
用することができる。
物は、R7及びR8が共に水素原子であるエチレン、R7又は
R8の一方が水素原子であって他方が水素原子以外の置換
基であるビニル化合物例えばα−オレフィン化合物、R7
及びR8が共に水素原子以外の同じ置換基である対称形ビ
ニル化合物、あるいはR7及びR8が水素原子以外の異なる
置換基である非対称形ビニル化合物のいずれであっても
よい。
(V)においてR7及びR8が相互に独立に、水素原子;炭
素原子4〜20個のアルキル基例えば1−ヘキシル基、1
−オクチル基、1−デシル基、1−ドデシル基、1−ヘ
キサデシル基、または1−オクタデシル基;シクロヘキ
シル基またはシクロヘキセニル基;フェニル基またはナ
フチル基;または炭素原子1〜6個の低級アルキル基で
置換されているフェニル基またはナフチル基であるビニ
ル化合物である。
(V)において、R7及びR8の少なくとも一方が官能性基
(ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ア
ミノ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アリール
オキシカルボニル基、スルホン酸基)で置換されている
水素原子以外の基である化合物である。以上のように、
ビニル化合物を適宜選択することによって充填剤の特性
を自由に設計し制御することができる。
リマー被覆粉体との反応は、それ自体公知のヒドロシリ
ル化を利用して行なうことができる。前記の反応は、例
えば、溶媒の存在下において、50〜300℃で、気相ある
いは液相で、2時間以上接触させることにより行なうこ
とができる。
ム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムま
たは白金の化合物が適している。特にパラジウム化合物
及び白金化合物が良好である。パラジウム系触媒として
は、例えば塩化パラジウム(II)、塩化テトラアンミン
パラジウム(II)酸アンモニウム、酸化パラジウム(I
I)、水酸化パラジウム(II)等を挙げることができ
る。白金系触媒としては、例えば塩化白金(II)、テト
ラクロロ白金酸(II)、塩化白金(IV)、ヘキサクロロ
白金酸(IV)、ヘキサクロロ白金酸(IV)アンモニウ
ム、酸化白金(II)、水酸化白金(II)、二酸化白金
(IV)、酸化白金(IV)、二硫化白金(IV)、硫化白金
(IV)、ヘキサクロロ白金(IV)酸カリウム等を挙げる
ことができる。
ンポリマーは、立体障害のために、シリコーンポリマー
中にヒドロシリル基を残存させる。ヒドロシリル基が存
在すると、前述のようにアルコール系の移動相溶媒を使
用した場合に水素を発生してカラムが劣化することがあ
る。そこで、残存ヒドロシリル基を架橋させるのが好ま
しい。この架橋処理は第一実施形態と同様に実施するこ
とができる(図2)。
することがあるので、残存ヒドロシリル基20から生じ
たシラノール基14をトリメチルシリル化することが好
ましい。このトリメチルシリル化は第一実施形態におけ
る(C)工程と同様に実施することができる(図2
)。
つ(A’)工程における第一化学修飾基16と、
(B’)工程における前記一般式(I)で表されるシリ
コーン化合物の置換基R1〜R6に加えて(C’)工程にお
ける前記一般式(V)で表わされるビニル化合物の置換
基R7及びR8を有するため、第一実施形態よりもさらに幅
広い保持力をもつカラム充填剤を得ることができる。
基材シリカゲル由来の残存シラノール基の影響により、
塩基性化合物等のピークにテーリングが顕著に生じる場
合があった。しかし、本発明のカラム充填剤は、シリコ
ーンポリマー上の残存ヒドロシリル基から生じたシラノ
ール基のトリメチルシリル化を行うことによって、シラ
ノール基の影響が極めて少ないものとなった。また、従
来のシリカゲルを基材とする充填剤は、シリカゲル表面
が全面的に露出しており、化学修飾基の付着性が悪く、
耐久性の面で問題があった。しかし、本発明のカラム充
填剤は、緻密なシリコーンポリマーコーティングを行う
ことで、耐久性のあるものとなった。
詳しく説明する。なお、本発明はこれにより限定される
ものではない。
え、トルエン80mL、ピリジン3.164g(0.0
4mol)で分散する。冷却管を取り付け、攪拌しなが
ら加熱還流する。n−オクタデシルトリクロロシラン1
5.516g(0.04mol)を滴下ロートから滴下
し、滴下終了後、16時間加熱還流を続ける。その後ガ
ラスロートで反応液を濾過する。続いてトルエン200
mL、及びアセトニトリル200mLで洗浄後、アセト
ニトリル:水=6:4の溶液100mLで3時間室温攪
拌後、メタノール200mLで洗浄濾過する。さらに1
20℃で6時間減圧乾燥する(化学修飾基付加)。 続いて、上記化学修飾基付加シリカゲル5gを耐圧容
器に入れ、10mLのスクリュー管に入れた1,3,5,7-テ
トラメチルシクロテトラシロキサン2gを耐圧容器内に
置き、窒素ガスを封入する。密栓後、250℃で16時
間反応させる。その後クロロホルム200mL、メタノ
ール200mLで洗浄し、60℃で4時間減圧乾燥する
(シリコーン被覆)。 上記シリコーン被覆シリカゲルを2.4Lのデシケー
ター内に置き、5%アンモニア水100mLをデシケー
ター下部に加える。60℃で16時間反応後、クロロホ
ルム100mL、アセトン100mLで洗浄し、120
℃で4時間減圧乾燥する(ヒドロシリル基の架橋)。 上記アルカリ処理シリカゲルとトリメチルクロロシラ
ン0.9mL、ヘキサメチルジシラザン1.6mL、ピ
リジン1.5mL、トルエン15mLを混合し、加熱還
流し5時間反応させる。トルエン200mL、クロロホ
ルム200mL、メタノール200mLで洗浄後、60
℃で2時間減圧乾燥する(トリメチルシリル化)。
較例1,2のカラム充填剤を充填したカラムの耐久性比
較について詳しく説明する。耐久性試験条件 移動相:A:2%トリフルオロ酢酸水溶液(pH=1.0) B:2%トリフルオロ酢酸アセトニトリル溶液 Bの比率:65%(0〜20min)→0%(20〜80min)→ 98%(80〜85min)→65%(85〜90min) 温度:60℃ 流速:1mL/min(Total) 検出:UV254nm 試料:ウラシル、プロピルベンゼン、ブチルベンゼン、アミルベンゼン、安息 香酸プロピル(各1000ppm、65%アセトニトリル溶解混合品) 注入量:7μL カラムサイズ:直径4.6mm、長さ150mm
ンカップリング剤(オクタデシル基)を結合し、ヒドロ
シリル基を含まないシリコーン化合物で被覆した後、ト
リメチルシリル化したカラム(ポリメリック充填剤) 比較例2:シリカゲルに直接一官能性シランカップリン
グ剤(オクタデシル基)を結合した後、トリメチルシリ
ル化したカラム(モノメリック充填剤)
ルを15回連続して行う。試料は各サイクル前半の65
%段階で注入する。耐久性は初回のアミルベンゼン保持
比と各回の保持比との比較にて評価する。
に、ヒドロシリル基を含むシリコーン化合物でシリカゲ
ルを被覆した実施例1のカラム充填剤を充填したカラム
は、ヒドロシリル基を含まないシリコーン化合物で被覆
した比較例1のカラム充填剤、及びポリマー被覆しない
比較例2のカラム充填剤を充填したカラムと比較して耐
久性に優れていることが確認された。これは、実施例1
のカラム充填剤はシリカゲルの実質的全表面がシリコー
ンポリマーで網目状に被覆されているからであると考え
られる。
ム充填剤によれば、化学修飾基導入シリカゲルの表面を
シリコーンポリマーでコーティングし、残存シラノール
基をトリメチルシリル化することで、耐久性に優れ、且
つ残存シラノール基の影響が極めて少ないカラム充填剤
を得ることができる。
図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 シラノール基を有するシリカゲルと、 該シラノール基に結合する第一化学修飾基と、 該シリカゲル表面を被覆するシリコーンポリマーと、 該シリコーンポリマー上のシラノール基及び/又は該シ
リカゲル上のシラノール基に結合するトリメチルシリル
基と、 を有するカラム充填剤。 - 【請求項2】 請求項1記載のカラム充填剤において、
シラノール基を有するシリカゲルと、 該シラノール基に結合する第一化学修飾基と、 1分子中に2つ以上のヒドロシリル基を有するシリコー
ン化合物よりなり、分子同士が互いに架橋し、該シリカ
ゲルの実質的全表面を網目状に被覆するシリコーンポリ
マーと、 該シリコーンポリマー上の残存ヒドロシリル基から生じ
たシラノール基に結合するトリメチルシリル基と、 を有するカラム充填剤。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載のカラム充填剤に
おいて、該シリコーンポリマー上の残存ヒドロシリル基
に結合する第二化学修飾基を有することを特徴とするカ
ラム充填剤。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載のカラム
充填剤において、第一化学修飾基が炭素数1〜30の直
鎖炭化水素基、分岐炭化水素基、環状炭化水素基、又は
シアノ基、水酸基、カルボキシル基、酸アミド基、イミ
ド基、スルホン基、アミノ基又はグリセロイル基に置換
された置換炭化水素基であることを特徴とするカラム充
填剤。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載のカラム
充填剤において、第一化学修飾基がオクタデシル基、オ
クチル基、フェニル基、シアノ基、メチル基、又はエポ
キシ基であることを特徴とするカラム充填剤。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載のカラム
充填剤において、シリコーン化合物が、1,3,5,7-テトラ
メチルシクロテトラシロキサンであることを特徴とする
カラム充填剤。 - 【請求項7】 請求項3〜6に記載のカラム充填剤にお
いて、第二化学修飾基が、イオン交換基であることを特
徴とするカラム充填剤。 - 【請求項8】 請求項3〜6に記載のカラム充填剤にお
いて、第二化学修飾基が、スルホン基、カルボキシル
基、又はアミノ基であることを特徴とするカラム充填
剤。 - 【請求項9】 下記(A)〜(C)工程を含むことを特
徴とするカラム充填剤の製造方法。 (A) シリカゲルに第一化学修飾基を有するシランカ
ップリング剤を反応させることにより、シリカゲル表面
のシラノール基に該第一化学修飾基を導入する工程。 (B) (A)工程後、シリコーン化合物の1種又は2
種以上を、シリカゲル表面上で重合させ、該シリカゲル
の表面上にシリコーンポリマー被膜を形成する工程。 (C) (B)工程後、該シリコーンポリマー上のシラ
ノール基及び/又は該シリカゲル上のシラノール基をエ
ンドキャップ剤でトリメチルシリル化する工程。 - 【請求項10】 下記(A’)〜(D’)工程を含むこ
とを特徴とするカラム充填剤の製造方法。 (A’) シリカゲルに第一化学修飾基を有するシラン
カップリング剤を反応させることにより、シリカゲル表
面のシラノール基に該第一化学修飾基を導入する工程。 (B’) (A’)工程後、1分子中に2つ以上のヒド
ロシリル基を有するシリコーン化合物の1種又は2種以
上を、シリカゲル表面上で重合させ、該シリカゲルの実
質的全表面に網目状にシリコーンポリマー被膜を形成す
る工程。 (C’) (B’)工程後、第二化学修飾基を有するビ
ニル化合物を反応させることにより、シリコーンポリマ
ー上に該第二化学修飾基を導入する工程。 (D’) (C’)工程後、該シリコーンポリマー上の
残存ヒドロシリル基から生じたシラノール基をエンドキ
ャップ剤でトリメチルシリル化する工程。 - 【請求項11】 請求項9〜10に記載のカラム充填
剤の製造方法において、該シリコーンポリマー上の残存
ヒドロシリル基を架橋する工程を含むことを特徴とする
カラム充填剤の製造方法。
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