JP2003146741A - 誘電体セラミック組成物 - Google Patents

誘電体セラミック組成物

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JP2003146741A
JP2003146741A JP2002104373A JP2002104373A JP2003146741A JP 2003146741 A JP2003146741 A JP 2003146741A JP 2002104373 A JP2002104373 A JP 2002104373A JP 2002104373 A JP2002104373 A JP 2002104373A JP 2003146741 A JP2003146741 A JP 2003146741A
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dielectric
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俊 煕 金
Koken Kyo
康 憲 許
Jong Han Kim
鍾 翰 金
Woo Sup Kim
佑 燮 金
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、各種電気、電子機器部品に用いる
誘電体セラミック組成物に関するものであって、高誘電
率および低損失を有し低温同時焼成を可能にする誘電体
セラミック組成物を提供することに、その目的がある。 【解決手段】 本発明は、下記化学式１のように組成さ
れる誘電体セラミック組成物に関するものである。 (化学式１) ａ ｗｔ．％{ｘＢａＯ−ｙ1Ｎｄ2Ｏ3−ｙ2Ｓｍ2Ｏ3−
ｗＢｉ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2}＋ｂ ｗｔ．％ (ＺｎＯ−Ｂ2
Ｏ3−ＳｉＯ2−ＰｂＯ系ガラスフリット)＋ｃ ｗｔ．
％ＣｕＯ (前記式において、１０.０ｍｏｌ％≦ｘ≦２０.０ｍｏ
ｌ％;７.０ｍｏｌ％ ≦ｙ 1＋ｙ2≦２０.０ｍｏｌ％;０.
５ｍｏｌ％≦ｗ≦５.０ｍｏｌ％;６０.０ｍｏｌ％≦ｚ
≦８０.０ｍｏｌ％;ｘ＋ｙ1＋ｙ2＋ｗ＋ｚ＝１００;８
０.０ｗｔ．％≦ａ≦９８.０ｗｔ．％;１.０ｗｔ．％≦
ｂ≦１０.０ｗｔ．％;１.０ｗｔ．％≦ｃ≦１０.０ｗ
ｔ．％)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電気、電子機
器部品に用いる誘電体セラミック組成物に関するもので
あって、より詳細には誘電体と電極を同時に焼成するこ
とのできる５０以上の誘電率を有す低温焼成用誘電体セ
ラミック組成物に関するものである。
【０００２】低温焼成用誘電体組成物(材料)とは、一般
に１３００℃以上の高温で焼成されるセラミック誘電体
とは異なって、銀(Ａｇ)や銅(Ｃｕ)の融点より低い８０
０〜９５０℃内外の温度範囲において焼成が可能な材料
のことをいう。
【０００３】電気、電子機器の小型化、軽量化、高機能
化に伴い、回路基板上の構成素子のサイズおよび個数を
減らしつつより優れた性能を示させるように部品および
基板の作製の際、これを多層化し誘電体と電極を同時焼
成して作製する試みが広まってきている。しかし従来の
誘電体材料は、焼結温度が高いので、基板および素子部
品を多層化して同時焼成するためには、内部電極パター
ンに用いる金属もＭｏやＷのように融点の高い金属を使
用するしかない。
【０００４】前記のようにＭｏやＷを内部電極パターン
に用いる場合には、ＭｏやＷも高価であり、何より高周
波化されながら現れる表面効果(ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃ
ｔ)により、導体として用いる金属の抵抗が低いほど損
失を減らすことができるので、ＡｇやＣｕのように相対
的に安価で高電気伝導度を有す金属を使用せざるを得な
くなった。
【０００５】前記のように内部電極パターンにＡｇやＣ
ｕを用いる場合には、ＡｇやＣｕがかなり低い融点(Ａ
ｇ:９６０℃、Ｃｕ:１０８３℃)を有すので、それより
低い温度範囲において焼結可能な誘電体材料を探すこと
が大変重要な研究課題となる。
【０００６】こうした低温焼成誘電体を作製するための
典型的な方法としては、従来の高誘電率および低損失と
いう特性を有す高温焼成材料に、融点の低い物質である
ガラスパウダー(ｇｌａｓｓ ｐｏｗｄｅｒ)やＣｕＯ、
ＰｂＯおよびＢｉ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5等の添加剤を少量混ぜ液
相焼結を誘導する方法と、ガラスにセラミックスを充填
材として混合したガラスセラミック(ｇｌａｓｓ ｃｅ
ｒａｍｉｃｓ)誘電体材料を製造して焼結する方法とが
ある。
【０００７】前記後者の方法により誘電体基板を製造す
る場合には、ガラスが主になるので一般に１０以下の低
誘電率材料になる。前記１０以下の低誘電率材料は、既
存のＬＴＣＣ(Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ
ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ)材料として多く使われ
ているが、これは信号処理の高速化と伝送特性向上のた
めには誘電率が低いほど有利であるためである。
【０００８】一方、応用回路によって低損失の「中間(ｍ
ｅｄｉｕｍ)」誘電率(１５〜１００)を有す誘電体を基板
に用いる場合、信号遅れの問題が無く、設計と機能にお
いてはるかに有利になることがある。さらに、従来より
高い誘電率を有す誘電体を用いる場合、管内波長(Ｇｕ
ｉｄｅｄ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ)が短くなり回路のサ
イズを小さくでき、電子素子のサイズが重要になる応用
でとても有利であり、回路によって挿入損失特性（Ｉｎ
ｓｅｒｔｉｏｎ Ｌｏｓｓ）や周波数の偏差を減らす等
の利点もある。さらに、誘電率が増加するほど伝送線路
の幅(ｗ)と誘電体の厚さ(ｔ)との比(ｔ/ｗ)を縮減でき
るので、回路設計者がずっと良い積層構造の回路を設計
できる機会を得ることになる。
【０００９】誘電率が約７０以上のＢａＯ−Ｒｅ2Ｏ3−
ＴｉＯ2(Ｒｅ＝希土類系元素)系元素にＢ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系ガラスフリット(ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ)を添加して焼
成温度を下げた誘電体セラミック組成物が大韓民国特許
公開第１９９９−６２９９７号に開示されている。
【００１０】しかし、前記公開特許に開示されている誘
電体セラミック組成物の場合には、その焼結温度が１０
００℃以上と高く、Ａｇ電極と同時焼成するには高すぎ
る焼結温度であるため、それ自体では低温同時焼成材料
に活用し難いとの問題を抱えている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高誘電率お
よび低損失を有し低温同時焼成を可能にする誘電体セラ
ミック組成物を提供することにその目的がある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】以下、本発明について説
明する。本発明は、下記化学式１のように組成される誘
電体セラミック組成物に関するものである。
【００１３】（化学式１） ａ ｗｔ．％{ｘＢａＯ−ｙ1Ｎｄ2Ｏ3−ｙ2Ｓｍ2Ｏ3−
ｗＢｉ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2}＋ｂ ｗｔ．％ (ＺｎＯ−Ｂ2
Ｏ3−ＳｉＯ2−ＰｂＯ系ガラスフリット)＋ｃ ｗｔ．
％ＣｕＯ (前記式において、１０.０ｍｏｌ％≦ｘ≦２０.０ｍｏ
ｌ％;７.０ｍｏｌ％≦ｙ1＋ｙ2≦２０.０ｍｏｌ％;０.
５ｍｏｌ％≦ｗ≦５.０ｍｏｌ％;６０.０ｍｏｌ％≦ｚ
≦８０.０ｍｏｌ％;ｘ＋ｙ1＋ｙ2＋ｗ＋ｚ＝１００;８
０.０ｗｔ．％≦ａ≦９８.０ｗｔ．％;１.０ｗｔ．％≦
ｂ≦１０.０ｗｔ．％;１.０ｗｔ．％≦ｃ≦１０.０ｗ
ｔ．％)
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。誘電体基盤組成に用いられる前記ＢａＯ−Ｎｄ2
Ｏ3−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系組成は、焼結温度
が１３５０℃ 以上と高く融点が９６１℃である銀Ａｇ
電極と同時焼成し難い。本発明においては、こうしたこ
とを解決すべく低温で液相を形成できるガラスフリット
とＣｕＯを添加剤として液相焼結を誘導し、銀Ａｇ電極
と同時焼成を施すようにした。低温焼成のための液相焼
結の緻密化における駆動力は、微細な固相粒子の間に作
用する液相の毛細管圧力であり、次のような条件が必要
である。
【００１５】まず、液相の量が、誘電体基盤組成におけ
る一次粒子を完全に覆えるほど存在すべきであり、誘電
体基盤組成が液相に対してある程度溶解度を有すべきで
ある。最後に、誘電体基盤組成が液相に対して濡れ性が
良くなくてはならない。ここで、いったん液相が形成さ
れなければならないので、添加剤が誘電体基盤組成と反
応し液相を形成すべきで、添加されるガラスフリットの
Ｔｓ(軟化温度)が適当に低く、さらに生成された液相の
粘度が低くなくては、容易に流れ込み誘電体基盤組成を
浸すことができない。そして、パウダーの一次粒子を小
さくするほど毛細管圧力が高まるので粒子が小さいほど
緻密化する駆動力が強くなると言うことができる。さら
に、緻密化のため一次粒子の間に液相がどれだけ均一に
分布しているかが重要なので、誘電体基盤組成とガラス
フリットおよび添加剤を混合した後、ガラスフリットの
Ｔｓよりやや高い温度で熱処理を施すことにより液相を
誘電体基盤組成に均一に分布させてから焼成を行うと、
はるかに優れた焼結性を確保することができる。従っ
て、誘電体基盤組成の選択が何よりも重要であり、さら
に誘電体基盤組成とで液相を形成できる添加剤であるＣ
ｕＯの添加量と、ガラスフリットの組成および添加量が
大変重要であるといえる。
【００１６】本発明において好ましい誘電体基盤組成
は、ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2
系組成であり、前記ＢａＯの含量は１０.０〜２０.０ｍ
ｏｌ％、Ｎｄ2Ｏ3とＳｍ2Ｏ3の量は７.０〜２０.０ｍｏ
ｌ％、Ｂｉ2Ｏ3の含量は０.５〜５.０ｍｏｌ％、ＴｉＯ
2の含量は６０.０〜８０.０ｍｏｌ％で選定することが
好ましく、これら成分のｍｏｌ％の合計は１００になる
べきである。
【００１７】前記誘電体基盤組成の組成範囲を外れる場
合には、誘電体基盤組成の誘電率が低かったり、共振周
波数の温度係数が高すぎて実際使用するのに困難を伴う
ことになる。
【００１８】本発明の誘電体基盤組成においてＢａＯの
量が１０.０ｍｏｌ％未満の場合には、ＴｉＯ2 などが
あったり誘電率の低いＮｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2化合物が存在
し共振周波数の温度係数が高かったり誘電率が低くな
り、２０ｍｏｌ％を超過する場合には、誘電率が低いＢ
ａＯ−ＴｉＯ2系の化合物が生成され誘電率が低下する
ので、前記ＢａＯの含量は１０〜２０ｍｏｌ％に選定す
るのが好ましい。さらに、本発明の誘電体基盤組成にお
いて、Ｎｄ2Ｏ3(Ｓｍ2Ｏ3)とＴｉＯ2の量もまたＢａＯ
の量と連関して前記組成範囲でなければ、高誘電率およ
び安定した共振周波数の温度係数ＴＣＦを示す組成にな
ることができない。
【００１９】前記Ｎｄ2Ｏ3とＳｍ2Ｏ3を合わせた量が２
０ｍｏｌ％を超過する場合には、誘電率の低いＮｄ2Ｏ3
(Ｓｍ2Ｏ3)−ＴｉＯ2相が多数存在し、誘電率およびＱ
値の低下を招くことになる。さらに、前記Ｂｉ2Ｏ3は誘
電率を高く保ちながら共振周波数の温度係数を調節する
役目を果たし、特に相を安定化する作用を働くので必ず
含有すべき成分であり、その含量が５.０ｍｏｌ％を超
過する場合にはＱ値が急激に減少し高周波誘電体材料と
して使用し難くなる。さらに、前記ガラスフリットには
ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＰｂＯ系を用いることが好
ましく、その添加量は１.０〜１０.０ｗｔ．％に設定す
るのが好ましい。
【００２０】前記ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＰｂＯ系
ガラスフリットは、ＺｎＯ:３０〜７０ｗｔ．％、Ｂ2Ｏ
3:５〜３０ｗｔ．％、ＳｉＯ2:５〜４０ｗｔ．％および
ＰｂＯ:２〜４０ｗｔ．％から成ることが好ましい。
【００２１】前記ガラスフリットに含まれたＢ2Ｏ3はガ
ラス粘度を低下させ、誘電体組成の焼結を加速化させ
る。前記Ｂ2Ｏ3の含量が５ｗｔ．％未満の場合には９０
０℃以下で焼結しない恐れがあり、３０ｗｔ．％を超過
する場合には耐湿性に問題が起こる恐れがあるので、そ
の含量は５〜３０ｗｔ．％に制限することが好ましい。
【００２２】さらに、前記ＳｉＯ2の量が４０ｗｔ．％
を超過すると、ガラスフリットの軟化点Ｔｓが高まり焼
結助剤の役目を果たせなくなり、その添加効果を得るた
めには５ｗｔ．％以上含まれるべきであり、その含量は
５〜４０ｗｔ．％に制限することが好ましい。
【００２３】さらに、前記ＰｂＯの含量が２ｗｔ．％未
満の場合にはＴｓが高く焼結性に問題があり、４０ｗ
ｔ．％を超過する場合にはＴｓが低くなり焼結性は向上
するが、微量添加の際にもＱ値が低下するとの問題が発
生するので、その含量は２〜４０ｗｔ．％に制限するこ
とが好ましい。
【００２４】前記ＺｎＯの含量は、３０〜７０ｗｔ．％
に制限することが好ましく、多過ぎる場合はガラスフリ
ットの軟化点が上昇し低温焼成が不可能になる。
【００２５】一方、前記ＣｕＯは、焼結性向上および誘
電特性調節用に添加するものであって、その添加量は
１.０〜１０.０ｗｔ．％に制限することが好ましい。
【００２６】本発明の誘電体セラミック組成物において
は、液相焼結を誘導する際にＣｕＯが主な役目を果た
し、ガラスフリットが添加されることによって焼結が完
全に進むよう助ける作用を示す。前記ガラスフリットお
よびＣｕＯの添加量を満たす領域において９００℃以下
の焼結が可能で、誘電率５０以上、高いＱ値、共振周波
数の温度係数が±２０ｐｐｍ/℃以下の数値を実現する
ことができる。
【００２７】本発明の誘電体セラミック組成物を製造す
る好ましい方法の一例について説明する。誘電体基盤組
成の出発物として高純度(９９.０％以上)のＢａＣＯ3、
Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、およびＴｉＯ2を、目
標組成にしたがって、ｘＢａＯ−ｙ1Ｎｄ2Ｏ3−ｙ2Ｓｍ
2Ｏ3−ｗＢｉ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2に合うよう秤量した後、
湿式混合する。前記湿式混合は、３φジルコニアボール
と蒸留水を入れてロッドミル(ｒｏｄ ｍｉｌｌ)で１６
時間以上施すことが好ましい。
【００２８】前記のように混合されたスラリー(ｓｌｕ
ｒｒｙ)を乾燥させか焼する。前記か焼は５℃/ｍｉｎの
昇温速度で昇温させ１１００〜１１５０℃において２〜
３時間ほど施すことが好ましい。
【００２９】この際、か焼温度が低すぎる場合には、相
合成が完全に進まないことから中間相の量が多く収縮率
が高まって最終特性にも悪影響を与えることになり、あ
まり高すぎる場合には粒子が成長し過ぎて粉砕し難くな
る。
【００３０】誘電体に添加するガラスフリットは、目的
の組成比になるよう各成分元素を秤量し、１２００℃〜
１４００℃の間の温度で溶融し水で急冷させた後、乾式
粉砕を経てエチルアルコールにより粉砕することが好ま
しい。
【００３１】前記ガラスフリットの粒度が大きすぎると
混合不均一性を招くことになるので、その粒度は０.５
〜１.０μｍになるよう粉砕することが好ましい。
【００３２】前記のようにか焼した誘電体基盤組成を粗
粉砕した後、この誘電体基盤組成にガラスフリットおよ
びＣｕＯを適正量添加してバッチ(ｂａｔｃｈ)した後、
混合する。前記混合時間は１６時間以上行うことが好ま
しい。前記のように混合した粉末を乾燥させた後６００
〜７００℃で熱処理する。前記熱処理時間は２〜３時
間程度が好ましい。前記熱処理は、ガラスフリットのＴ
ｓ(軟化点)よりやや高い温度で施すことで、ガラスの液
相が形成され誘電体基盤組成に均一にコーティングされ
るようになることから、反応性および均一性が向上し焼
結性を増大させるようになる。
【００３３】熱処理されたパウダーは目的の粒度に粉砕
し、粉砕したパウダーはバインダーを混合した後、ディ
スクなどのように目的の形状に成形する。
【００３４】前記熱処理されたパウダーは、その粒度が
０.３〜０.４μｍになるよう粉砕することが好ましく、
粉砕したパウダーはバインダーを混合した後ディスクや
シート(ｓｈｅｅｔ)のように目的の形状に成形する。前
記のように成形された成形体に内部電極を形成した後、
９００℃以下において同時焼成することによって目的の
素子が製造される。
【００３５】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をより具体的
に説明する。 実施例１ 誘電体基盤組成の出発物として高純度(９９.０％以上)
のＢａＣＯ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、および
ＴｉＯ2を、下記表１の組成を得るためにｘＢａＯ−ｙ1
Ｎｄ2Ｏ3−ｙ2Ｓｍ2Ｏ3−ｗＢｉ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2に合わ
せて秤量した後、３φジルコニアボールと蒸留水を入れ
てロッドミルで１６時間湿式混合を行った。前記のよう
に混合されたスラリーを乾燥させ乳鉢で粗粉砕した後、
５℃/ｍｉｎの昇温速度で昇温し１１５０℃で２時間か
焼した。
【００３６】前記のようにか焼されたパウダーは、乳鉢
で粉砕し処理速度２００ｒｐｍのプラネタリーミル(ｐ
ｌａｎｅｔａｒｙ ｍｉｌｌ)で８０分間粉砕した。
粉砕したパウダーはバインダーを混合した後、１４ｍｍ
φの型（ｍｏｌｄ）を用いて約２.０ｔｏｎ/ｃｍ2の圧
力で一軸成形しディスクを作製した。成形された試片を
１３５０℃で３時間焼結し、誘電率(Ｋ)、Ｑ値、および
ＴＣＦを調べ、その結果を下記表１に示した。
【００３７】下記表１の高周波誘電特性中誘電率(Ｋ)と
Ｑ値はＨａｋｋｉ ＆ Ｃｏｌｅｍａｎ法を行い、共振
周波数の温度係数(ＴＣＦ)はｃａｖｉｔｙ法で行った。
共振周波数の温度係数は２０℃から８５℃の間で測定
し、２０℃で３０分間保った後その共振周波数を測定
し、８５℃に昇温して３０分間保った後共振周波数を測
定して共振周波数の温度係数を測定した。
【００３８】
【表１】
【００３９】前記表１に示したように、本発明に符合す
る誘電体基盤組成(基盤組成６〜１０)の場合には、６０
以上の誘電率、高いＱ値および適正なＴＣＦ値を示して
いることがわかる。
【００４０】本発明において低温焼成のために添加する
ガラスフリットは、ほぼ誘電率が１０以下と低く、ガラ
スフリットを添加することによって誘電体基盤組成の誘
電率およびＱ値の減少を招くことになる。そして、９０
０℃以下の低温で焼成する際、誘電体基盤組成のか焼相
が高温焼結相まで至らず誘電率の低下が予想されるの
で、誘電率５０以上の低温焼成用材料を開発するために
は誘電体基盤組成の誘電率が６０以上の値を有さなけれ
ばならない。さらに、誘電体基盤組成にガラスフリット
およびＣｕＯを添加する場合、ＴＣＦがマイナス方向へ
移動する傾向があるので、誘電体基盤組成のＴＣＦが０
ｐｐｍ/℃以上の組成を選択すべきである。前記表１の
実験結果から、誘電体基盤組成(６〜１０)の場合が誘電
率５０以上の低温同時焼成用誘電体を実現するのに適し
た誘電体基盤組成であることがわかる。
【００４１】実施例２ 前記実施例１におけるように、か焼された前記表１の誘
電体基盤組成(７)および(８)を、それぞれ乳鉢で粗粉砕
した後、これら各誘電体基盤組成３０ｇに下記表３に示
したようにガラスフリットを４.０〜１２.０ｗｔ．％
添加し、ＣｕＯを０〜１２.０ｗｔ．％添加してバッチ
(ｂａｔｃｈ)した後１６時間以上混合した。
【００４２】前記ガラスフリットは、表２に示した組成
比になるよう各成分元素を秤量し、１２００〜１４００
℃の温度で溶融し、水で急冷した後、乾式粉砕を経て、
エチルアルコールにより粒度が０.５〜１.０μｍになる
よう粉砕して製造したものである。
【００４３】前記のように混合した粉末を乾燥させた後
６００〜７００℃で２時間熱処理を施した。前記のよう
に熱処理されたパウダーは、乳鉢で粗粉砕した後プラネ
タリーミルで２００ｒｐｍに８０分間粉砕して粒子の大
きさを０.３〜０.４μｍに調節した。粉砕したパウダー
は、バインダーを混合した後、１４ｍｍφの型（ｍｏｌ
ｄ）を用いて約２.０ｔｏｎ/ｃｍ2の圧力で一軸成形し
ディスクを作製した。成形された試片を９００℃または
１１５０℃で３時間焼結した後、誘電率(Ｋ)とＱ値およ
び共振周波数の温度係数(ＴＣＦ)を測定し、その結果を
下記表３に示した。
【００４４】下記表３において、比較材(３)は比較材
(２)を１１５０℃で焼成したものである。
【００４５】さらに、下記表３には焼結状態を調べ、そ
の結果を示した。
【００４６】前記誘電率(Ｋ)とＱ値および共振周波数の
温度係数(ＴＣＦ)は実施例１のような方法で求めた。
【００４７】
【表２】
【００４８】
【表３】
【００４９】前記表３に示したように、本発明に符合す
る発明材(１-１５)は、９００℃での低温焼成が可能な
ばかりでなく５３.５以上の誘電率、１９００以上のＱ
値、±６.０ｐｐｍ/℃のＴＣＦ値を示すことがわかる。
【００５０】一方、本発明の範囲を外れる比較材(１-１
８)の場合には９００℃での焼成の際、焼結ができなか
ったり、焼結が不十分であったり、もしくは焼成が可能
な場合にもその特性が劣化することがわかる。すなわ
ち、ＣｕＯを添加せずにガラスフリットのみ添加した場
合には、ガラスフリットの組成とは関係なしに全く焼結
が成り立たず、さらにガラスフリットを添加せずにＣｕ
Ｏのみ添加した場合にも不十分な焼結が成されることが
わかる。従って、本発明においてはガラスフリットとＣ
ｕＯとが同時に添加されなくては完全な焼結相を得られ
ないということがわかる。
【００５１】さらに、前記表３に示したように、ガラス
フリットのみ４ｗｔ．％ 添加した組成では焼結が全く
行われないが、ガラスフリット４ｗｔ．％にＣｕＯが１
ｗｔ．％だけ添加されても焼結が増加し誘電率５０以上
を実現できることがわかる。さらに、ガラスフリットの
量を固定させＣｕＯの量を増加させると、焼結性がより
高くなり焼成温度による安定した誘電特性が得られるこ
とがわかる。しかし、ＣｕＯの量が１０ｗｔ．％を超過
するようになるとＱ値が低下するようになり、非抵抗も
また低下する。さらに、本発明に符合するＺｎＯ-Ｂ2Ｏ
3−ＳｉＯ2−ＰｂＯ系ガラスフリットの組成範囲内で
は、添加されるガラスフリットの組成(発明G1およびG2)
に従っては誘電特性がそれほど変わらないことがわか
る。
【００５２】
【発明の効果】上述したように、本発明は、従来の高温
焼成(１３００℃以上)誘電体材料にガラスフリットとＣ
ｕＯを同時に添加することによって、９００℃以下の低
い温度で銀(Ａｇ)電極と同時焼成が可能なばかりでな
く、ガラスフリットの添加量とＣｕＯの添加量を調節し
て誘電率５０以上、Ｑ１、０００以上(ａｔ １ＧＨ
ｚ)、ＴＣＦ±２０.０ｐｐｍ/℃以下を実現することか
ら、積層チップＬＣフィルターを製造するのに適した誘
電体セラミック組成物を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 鍾 翰 大韓民国京畿道水原市長安区錬武洞263− ２ (72)発明者 金 佑 燮 大韓民国京畿道城南市盆唐区亭子洞林光ア パート408洞404号 Ｆターム(参考） 4G031 AA06 AA07 AA11 AA25 AA26 AA28 AA30 AA32 AA35 BA09 GA01 GA11 5G303 AA05 AB06 AB15 BA12 CA03 CB03 CB05 CB11 CB22 CB35 CB41

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記化学式１のように組成される誘電体
    セラミック組成物。 (化学式１) ａ ｗｔ．％{ｘＢａＯ−ｙ1Ｎｄ2Ｏ3−ｙ2Ｓｍ2Ｏ3−
    ｗＢｉ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2}＋ｂ ｗｔ．％(ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ
    3−ＳｉＯ2−ＰｂＯ系ガラスフリット)＋ｃ ｗｔ．％
    ＣｕＯ (前記式において、１０.０ｍｏｌ％≦ｘ≦２０.０ｍｏ
    ｌ％;７.０ｍｏｌ％≦ｙ1＋ｙ2≦２０.０ｍｏｌ％;０.
    ５ｍｏｌ％≦ｗ≦５.０ｍｏｌ％;６０.０ｍｏｌ％≦ｚ
    ≦８０.０ｍｏｌ％;ｘ＋ｙ1＋ｙ2＋ｗ＋ｚ＝１００;８
    ０.０ｗｔ．％≦ａ≦９８.０ｗｔ．％;１.０ｗｔ．％
    ≦ｂ≦１０.０ｗｔ．％;１.０ｗｔ．％ ≦ｃ≦１０.０
    ｗｔ．％)
  2. 【請求項２】 ガラスフリットがＺｎＯ:３０〜７０ｗ
    ｔ．％、Ｂ2Ｏ3:５〜３０ｗｔ．％、ＳｉＯ2:５〜４０
    ｗｔ．％およびＰｂＯ:２〜４０ｗｔ．％から成るＺｎ
    Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＰｂＯ系ガラスフリットである
    ことを特徴とする請求項１に記載の誘電体セラミック組
    成物。
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