JP2003133483A - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置およびその製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 71
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 4
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 4
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 4
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 14
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 12
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003916 acid precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010169 landfilling Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8-tetrachloro-dibenzo-p-dioxin Chemical compound O1C2=CC(Cl)=C(Cl)C=C2OC2=C1C=C(Cl)C(Cl)=C2 HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16237—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】サブストレートのコア基材と、アンダーフィル
用接着材と、ソルダーレジストと、封止樹脂のリサイク
ルを可能とする構成の半導体集積回路装置と製造方法を
提供する。 【解決手段】半導体集積回路装置の製造において、サブ
ストレートに使用するコア基材１と、アンダーフィル用
接着材１２と、ソルダーレジスト材８と、封止樹脂材１
３が同一組成の樹脂より形成する半導体集積回路装置
で、該同一組成の樹脂が熱可塑性樹脂フィルムであり、
該熱可塑性樹脂フィルムを用いて製造する方法を提供
し、該半導体集積回路装置を熱可塑性樹脂が樹脂の溶解
温度まで加熱することで、配線パターン金属１５，１６
と、半田１４と、半導体チップ１１等金属類から分離可
能にした。
用接着材と、ソルダーレジストと、封止樹脂のリサイク
ルを可能とする構成の半導体集積回路装置と製造方法を
提供する。 【解決手段】半導体集積回路装置の製造において、サブ
ストレートに使用するコア基材１と、アンダーフィル用
接着材１２と、ソルダーレジスト材８と、封止樹脂材１
３が同一組成の樹脂より形成する半導体集積回路装置
で、該同一組成の樹脂が熱可塑性樹脂フィルムであり、
該熱可塑性樹脂フィルムを用いて製造する方法を提供
し、該半導体集積回路装置を熱可塑性樹脂が樹脂の溶解
温度まで加熱することで、配線パターン金属１５，１６
と、半田１４と、半導体チップ１１等金属類から分離可
能にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置およびその製造方法に関する。
置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板は、テレビ、携帯電話、
ゲーム機、音響機器、ＶＴＲ等の民生用電子機器や、
車、産業ロボット、電子計算機、ＯＡ機器、電子応用機
器、電気計測器、通信機等の産業用機器に使用されてい
る。近年、ロボット玩具、パーソナルコンピュータ等に
代表されるように、これら電子機器はより高性能でコン
パクト化の要求が高まっている。これら要求を充たすた
め、プリント配線板上に直接半導体チップを搭載・実装
するサブストレートのコア基材、接着材と封止材として
絶縁耐熱樹脂が使用されている。このような電子機器の
小型化、高密度化、高性能化に対応できるフィルムキャ
リアとして、配線の細線化、導通孔の小型化、ランドや
パッドの小径化、基材のフレキシブル化、多層化及びフ
ァイン化が急速に進んでいる。また、環境に対する関心
が高くなり、鉛フリー対策や家電製品のリサイクルが問
題視されるようになり、絶縁材や封止材に対してもハロ
ゲンフリー対策が行われている。更に近年、二酸化炭素
の排出や酸性雨の問題も重要な関心事となっているが、
サブストレートのコア基材、接着材と封止材に対するリ
サイクル対応は遅れている。
ゲーム機、音響機器、ＶＴＲ等の民生用電子機器や、
車、産業ロボット、電子計算機、ＯＡ機器、電子応用機
器、電気計測器、通信機等の産業用機器に使用されてい
る。近年、ロボット玩具、パーソナルコンピュータ等に
代表されるように、これら電子機器はより高性能でコン
パクト化の要求が高まっている。これら要求を充たすた
め、プリント配線板上に直接半導体チップを搭載・実装
するサブストレートのコア基材、接着材と封止材として
絶縁耐熱樹脂が使用されている。このような電子機器の
小型化、高密度化、高性能化に対応できるフィルムキャ
リアとして、配線の細線化、導通孔の小型化、ランドや
パッドの小径化、基材のフレキシブル化、多層化及びフ
ァイン化が急速に進んでいる。また、環境に対する関心
が高くなり、鉛フリー対策や家電製品のリサイクルが問
題視されるようになり、絶縁材や封止材に対してもハロ
ゲンフリー対策が行われている。更に近年、二酸化炭素
の排出や酸性雨の問題も重要な関心事となっているが、
サブストレートのコア基材、接着材と封止材に対するリ
サイクル対応は遅れている。
【０００３】次に図４に示す工程図によって、従来の両
面配線フィルムキャリア構成、及び半導体集積回路装置
及び製造法について説明する。図４（ａ）〜（ｆ）にフ
ィルムキャリア及び半導体集積回路装置の製造方法の一
例を示す。
面配線フィルムキャリア構成、及び半導体集積回路装置
及び製造法について説明する。図４（ａ）〜（ｆ）にフ
ィルムキャリア及び半導体集積回路装置の製造方法の一
例を示す。
【０００４】先ず図４（ａ）に示す、絶縁性フィルム１
の両面に接着剤と銅箔等を貼り合わせて導体層２及び導
体層３を形成する。次に（ｂ）に示す、絶縁性フィルム
１の両側にパンチプレス等によりスプロケットホール４
を形成する。次に、導体層２の所定位置に導通孔用開口
部５を形成する。次に（ｃ）に示す、開口部を形成した
導体層３をマスクにしてレーザー孔明け加工機を用いて
レーザービームを照射し、導通孔用孔６を形成する。次
に（ｄ）に示す、導体層２、３をカソード電極にして、
電解銅めっきにて導通孔用孔６内に銅めっきを施して、
両面の導体層２、３を電気的に接続する導通孔７を形成
する。次に（ｅ）に示す、両面の導体層２、３のパター
ニング処理を行って、所望の配線層１５、１６を形成、
更に、フォトソルダーレジスト層８を形成して、配線パ
ターン層と、露出金属部の全面にニッケルめっきや、金
めっきや、錫めっきや、その他所望の金属めっきを施
し、フィルムキャリア１０を得る。
の両面に接着剤と銅箔等を貼り合わせて導体層２及び導
体層３を形成する。次に（ｂ）に示す、絶縁性フィルム
１の両側にパンチプレス等によりスプロケットホール４
を形成する。次に、導体層２の所定位置に導通孔用開口
部５を形成する。次に（ｃ）に示す、開口部を形成した
導体層３をマスクにしてレーザー孔明け加工機を用いて
レーザービームを照射し、導通孔用孔６を形成する。次
に（ｄ）に示す、導体層２、３をカソード電極にして、
電解銅めっきにて導通孔用孔６内に銅めっきを施して、
両面の導体層２、３を電気的に接続する導通孔７を形成
する。次に（ｅ）に示す、両面の導体層２、３のパター
ニング処理を行って、所望の配線層１５、１６を形成、
更に、フォトソルダーレジスト層８を形成して、配線パ
ターン層と、露出金属部の全面にニッケルめっきや、金
めっきや、錫めっきや、その他所望の金属めっきを施
し、フィルムキャリア１０を得る。
【０００５】次に（ｆ）に示す、フィルムキャリア１０
上に半導体チップ１１を実装した後、絶縁接着層として
フィルムキャリア１０と半導体チップ１１間にアンダー
フィルレジスト樹脂１２を注入し硬化し、更に半導体チ
ップ１１全体を絶縁するために封止樹脂１３を印刷し硬
化し、更に、半田ボール１４をマウントしてすることで
半導体集積回路装置９を得る。
上に半導体チップ１１を実装した後、絶縁接着層として
フィルムキャリア１０と半導体チップ１１間にアンダー
フィルレジスト樹脂１２を注入し硬化し、更に半導体チ
ップ１１全体を絶縁するために封止樹脂１３を印刷し硬
化し、更に、半田ボール１４をマウントしてすることで
半導体集積回路装置９を得る。
【０００６】次に、従来のフィルムキャリア１０及び半
導体の材料構成について説明する。上記絶縁フィルム１
はポリイミド樹脂等に代表される耐熱性熱硬化型フィル
ム樹脂であり、接着剤層１７は絶縁性、耐熱性と密着性
を重視したエポキシ樹脂或いはポリイミド等を主成分と
する熱硬化型液状樹脂が採用されている。また、前記の
樹脂はフィルムキャリア１のコア絶縁材として、例えば
ガラスクロス等にエポキシ樹脂或いはポリイミド樹脂を
含侵した絶縁材や、熱硬化型ポリイミドフイルム等使用
され、ソルダーレジスト樹脂８の主成分も感光性エポキ
シ熱硬化ポリイミド樹脂である。又封止樹脂、又はその
他接着剤用の材料の樹脂は、例えば同じエポキシ系であ
っても、用途に合わせた組成になっており、全ての有機
物質が異なった組成である。
導体の材料構成について説明する。上記絶縁フィルム１
はポリイミド樹脂等に代表される耐熱性熱硬化型フィル
ム樹脂であり、接着剤層１７は絶縁性、耐熱性と密着性
を重視したエポキシ樹脂或いはポリイミド等を主成分と
する熱硬化型液状樹脂が採用されている。また、前記の
樹脂はフィルムキャリア１のコア絶縁材として、例えば
ガラスクロス等にエポキシ樹脂或いはポリイミド樹脂を
含侵した絶縁材や、熱硬化型ポリイミドフイルム等使用
され、ソルダーレジスト樹脂８の主成分も感光性エポキ
シ熱硬化ポリイミド樹脂である。又封止樹脂、又はその
他接着剤用の材料の樹脂は、例えば同じエポキシ系であ
っても、用途に合わせた組成になっており、全ての有機
物質が異なった組成である。
【０００７】上記に示すように、半導体集積回路装置９
に使われる有機系樹脂素材は主成分が多種類にわたるた
め、使用済み半導体集積回路装置９の廃棄処分の方法と
しては、現状、埋め立て或いは焼却等が主に行われる。
何れの廃棄方法も地球の環境保全のコンセプトには対応
していない。埋め立てでは、使用している金属やその他
薬品の土壌汚染が考えられる。また、焼却では、地球温
暖化へ最大の影響があるといわれている二酸化炭素とオ
ゾン層破壊物質であるハロゲン化物の放出が考えられ、
更に、ダイオキシンや酸性雨の原因物質の放出も懸念さ
れる。現在を含め今後、半導体の使用量は増大し、埋め
立てや焼却を前提とした樹脂の設計及び使用は環境破壊
につながる問題となる。
に使われる有機系樹脂素材は主成分が多種類にわたるた
め、使用済み半導体集積回路装置９の廃棄処分の方法と
しては、現状、埋め立て或いは焼却等が主に行われる。
何れの廃棄方法も地球の環境保全のコンセプトには対応
していない。埋め立てでは、使用している金属やその他
薬品の土壌汚染が考えられる。また、焼却では、地球温
暖化へ最大の影響があるといわれている二酸化炭素とオ
ゾン層破壊物質であるハロゲン化物の放出が考えられ、
更に、ダイオキシンや酸性雨の原因物質の放出も懸念さ
れる。現在を含め今後、半導体の使用量は増大し、埋め
立てや焼却を前提とした樹脂の設計及び使用は環境破壊
につながる問題となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のサブ
ストレートのコア基材１と、アンダーフィル用接着材１
７と、ソルダーレジスト８と、封止樹脂１３と、ポティ
ング樹脂１２に新機能としてのリサイクルを可能とする
構成と製造方法を提供する。
ストレートのコア基材１と、アンダーフィル用接着材１
７と、ソルダーレジスト８と、封止樹脂１３と、ポティ
ング樹脂１２に新機能としてのリサイクルを可能とする
構成と製造方法を提供する。
【０００９】又環境保全を考えた軽薄短小に対応する高
性能なフィルムキャリアと、半導体集積回路装置と、そ
の製造方法を提供することを課題とした。
性能なフィルムキャリアと、半導体集積回路装置と、そ
の製造方法を提供することを課題とした。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
発明は、プリント配線板上に接続される少なくとも半導
体チップと、半田ボールと、サブストレートと、アンダ
ーフィル用接着材と、ソルダーレジスト材と、封止樹脂
材と、ポッティング樹脂から構成される半導体集積回路
装置において、サブストレートに使用するコア基材と、
アンダーフィル用接着材と、ソルダーレジスト材と、封
止樹脂材が同一組成の樹脂より形成されることを特徴と
する半導体集積回路装置である。
発明は、プリント配線板上に接続される少なくとも半導
体チップと、半田ボールと、サブストレートと、アンダ
ーフィル用接着材と、ソルダーレジスト材と、封止樹脂
材と、ポッティング樹脂から構成される半導体集積回路
装置において、サブストレートに使用するコア基材と、
アンダーフィル用接着材と、ソルダーレジスト材と、封
止樹脂材が同一組成の樹脂より形成されることを特徴と
する半導体集積回路装置である。
【００１１】また、本発明の請求項２に係る発明は、該
同一組成の樹脂フィルムが熱硬化性樹脂で形成された樹
脂フィルムであることを特徴とする請求項１記載の半導
体集積回路装置である。
同一組成の樹脂フィルムが熱硬化性樹脂で形成された樹
脂フィルムであることを特徴とする請求項１記載の半導
体集積回路装置である。
【００１２】また、本発明の請求項３に係る発明は、該
同一組成の樹脂フィルムが熱可塑性樹脂で形成された樹
脂フィルムであることを特徴とする請求項１記載の半導
体集積回路装置である。
同一組成の樹脂フィルムが熱可塑性樹脂で形成された樹
脂フィルムであることを特徴とする請求項１記載の半導
体集積回路装置である。
【００１３】また、本発明の請求項４に係る発明は、請
求項３記載の同一組成の熱可塑性樹脂フィルムが樹脂の
溶解温度まで加熱することで、配線パターン金属と、半
田と、半導体チップ等金属類から分離可能にしたことを
特徴とする請求項３記載の半導体集積回路装置である。
求項３記載の同一組成の熱可塑性樹脂フィルムが樹脂の
溶解温度まで加熱することで、配線パターン金属と、半
田と、半導体チップ等金属類から分離可能にしたことを
特徴とする請求項３記載の半導体集積回路装置である。
【００１４】また、本発明の請求項５に係る発明は、以
下の工程を少なくとも有する、請求項１乃至請求項４の
いずれか１項記載の半導体集積回路装置を製造する半導
体集積回路装置の製造方法において、（ａ）長尺状の耐
熱樹脂フィルムに搬送用スプロケットホールと、片面或
いは両面に配線パターンが形成されたサブストレート両
面に、同じ組成を有する樹脂のアンダーフィル用接着剤
フィルムとソルダーレジスト用樹脂フィルムをその樹脂
のガラス転移温度Ｔｇ以上に加熱しながらラミネートす
る工程と、（ｂ）ラミネートしたアンダーフィル用接着
剤フィルムと、ソルダーレジスト用フィルムの所望する
場所に、レーザー孔明け加工機により所望の径でビアを
形成する工程と、（ｃ）バンプ付き半導体チップのバン
プをビアの位置に合わせてマウントする工程と、マウン
トしたバンプ付き半導体チップと配線を接合する工程
と、（ｄ）半導体集積回路装置の半導体チップに封止樹
脂シートをラミネートする工程と、（ｅ）半導体集積回
路装置のビアの位置に合わせて半田ボールをマウント
し、マウントした半田をリフローする工程と、からなる
ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法であ
る。
下の工程を少なくとも有する、請求項１乃至請求項４の
いずれか１項記載の半導体集積回路装置を製造する半導
体集積回路装置の製造方法において、（ａ）長尺状の耐
熱樹脂フィルムに搬送用スプロケットホールと、片面或
いは両面に配線パターンが形成されたサブストレート両
面に、同じ組成を有する樹脂のアンダーフィル用接着剤
フィルムとソルダーレジスト用樹脂フィルムをその樹脂
のガラス転移温度Ｔｇ以上に加熱しながらラミネートす
る工程と、（ｂ）ラミネートしたアンダーフィル用接着
剤フィルムと、ソルダーレジスト用フィルムの所望する
場所に、レーザー孔明け加工機により所望の径でビアを
形成する工程と、（ｃ）バンプ付き半導体チップのバン
プをビアの位置に合わせてマウントする工程と、マウン
トしたバンプ付き半導体チップと配線を接合する工程
と、（ｄ）半導体集積回路装置の半導体チップに封止樹
脂シートをラミネートする工程と、（ｅ）半導体集積回
路装置のビアの位置に合わせて半田ボールをマウント
し、マウントした半田をリフローする工程と、からなる
ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法であ
る。
【００１５】
【作用】従って、請求項１、と、請求項３、４に対応す
る発明は以上のような手段を講じたことにより、半導体
装置に使用されるコア基材、アンダーフィル用接着材
と、ソルダーレジスト材と、封止樹脂材が同じ組成の熱
可塑樹脂となり、有機樹脂素材が全て同じ樹脂組成の半
導体集積回路装置となる。
る発明は以上のような手段を講じたことにより、半導体
装置に使用されるコア基材、アンダーフィル用接着材
と、ソルダーレジスト材と、封止樹脂材が同じ組成の熱
可塑樹脂となり、有機樹脂素材が全て同じ樹脂組成の半
導体集積回路装置となる。
【００１６】このため、従来、数種類の組成の耐熱性熱
硬化樹脂を使用する半導体装置であったため、埋め立て
や焼却処分としていた廃棄方法を、組成を統一した熱可
塑樹脂を使用したことで、半導体チップ本体と、金属類
と、樹脂を分離し回収して、再利用出来る半導体集積回
路装置を形成できる。
硬化樹脂を使用する半導体装置であったため、埋め立て
や焼却処分としていた廃棄方法を、組成を統一した熱可
塑樹脂を使用したことで、半導体チップ本体と、金属類
と、樹脂を分離し回収して、再利用出来る半導体集積回
路装置を形成できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を用いて説明する。図１は本発明の一実施形態
に係る半導体集積回路装置の構成を示す断面模式図であ
り、この半導体集積回路装置は、巻き取り自由な耐熱性
熱可塑絶縁性樹脂コアフィルム１の両面に銅箔層２と銅
箔３を有し、コアフィルム１両端の長手方向に沿ってス
プロケットホール４が形成され、両端のスプロケットホ
ール４間には、フィルム１の両面の導体層２，３に互い
に導通孔７を介した電気的に接続された配線パターン用
銅箔１５、１６を備えた構造となっている。
いて図面を用いて説明する。図１は本発明の一実施形態
に係る半導体集積回路装置の構成を示す断面模式図であ
り、この半導体集積回路装置は、巻き取り自由な耐熱性
熱可塑絶縁性樹脂コアフィルム１の両面に銅箔層２と銅
箔３を有し、コアフィルム１両端の長手方向に沿ってス
プロケットホール４が形成され、両端のスプロケットホ
ール４間には、フィルム１の両面の導体層２，３に互い
に導通孔７を介した電気的に接続された配線パターン用
銅箔１５、１６を備えた構造となっている。
【００１８】次に図２は本発明の半導体集積回路装置の
製造方法を示す工程図である。（ａ）に示す、両面の配
線パターン用銅箔２と３が接続される導通孔用孔６に
は、従来工法と同様に電解銅めっきによる導通層７を形
成して導通処理が施される。
製造方法を示す工程図である。（ａ）に示す、両面の配
線パターン用銅箔２と３が接続される導通孔用孔６に
は、従来工法と同様に電解銅めっきによる導通層７を形
成して導通処理が施される。
【００１９】次に（ｂ）に示す、従来工法と同様に両面
の銅箔層２と３をエッチングにて配線パターン１５と１
６を形成し、フォトソルダーレジストを印刷、硬化、露
光、現像の工程を経て、所望の絶縁層８を形成し、半導
体サブストレート（フイルムキャリア）１０とする。
の銅箔層２と３をエッチングにて配線パターン１５と１
６を形成し、フォトソルダーレジストを印刷、硬化、露
光、現像の工程を経て、所望の絶縁層８を形成し、半導
体サブストレート（フイルムキャリア）１０とする。
【００２０】次に（ｃ）に示す、半導体サブストレート
１０上の半導体チップ１１を実装する側に、巻き取り自
由な耐熱性熱可塑絶縁性樹脂フィルム１と同組成のフィ
ルムを真空ラミネートしアンダーフィル層１２を形成
し、また、半田ボール１４をマウントする側に巻き取り
自由な耐熱性熱可塑絶縁性樹脂フィルム１と同組成のフ
ィルムを真空ラミネートしソルダーレジスト層８を形成
し、所望する位置にレーザー等を照射して所望の径で半
導体チップ実装用ビア１９と半田ボールマウントホール
１８を形成し、更に、プラズマ洗浄機等を用いてレーザ
ー加工の際に発生したスミアの除去を行う。
１０上の半導体チップ１１を実装する側に、巻き取り自
由な耐熱性熱可塑絶縁性樹脂フィルム１と同組成のフィ
ルムを真空ラミネートしアンダーフィル層１２を形成
し、また、半田ボール１４をマウントする側に巻き取り
自由な耐熱性熱可塑絶縁性樹脂フィルム１と同組成のフ
ィルムを真空ラミネートしソルダーレジスト層８を形成
し、所望する位置にレーザー等を照射して所望の径で半
導体チップ実装用ビア１９と半田ボールマウントホール
１８を形成し、更に、プラズマ洗浄機等を用いてレーザ
ー加工の際に発生したスミアの除去を行う。
【００２１】次に（ｄ）に示す、半導体チップ２１をマ
ウントし、実装することで半導体集積回路装置を形成す
る。次に半導体チップを絶縁する目的で巻き取り自由な
耐熱性熱可塑絶縁性樹脂フィルム１と同組成のフィルム
を真空ラミネートし封止樹脂層１３を形成し、（ｅ）に
示す、更に半田ボール１４を他方の配線パターン上にマ
ウントして半導体集積回路装置を完成させる。
ウントし、実装することで半導体集積回路装置を形成す
る。次に半導体チップを絶縁する目的で巻き取り自由な
耐熱性熱可塑絶縁性樹脂フィルム１と同組成のフィルム
を真空ラミネートし封止樹脂層１３を形成し、（ｅ）に
示す、更に半田ボール１４を他方の配線パターン上にマ
ウントして半導体集積回路装置を完成させる。
【００２２】尚、上記巻き取り自由な耐熱性熱可塑絶縁
性樹脂フィルムに使用される樹脂組成としては、液晶ポ
リマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサ
ルフォン、ポリエーテルイミド、ポリサルフォン、ポリ
フェニレンサルファイド等の高耐熱性熱可塑樹脂が挙げ
られる。ガラス転移温度Ｔｇが１７５℃〜以上の樹脂を
選択した。
性樹脂フィルムに使用される樹脂組成としては、液晶ポ
リマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサ
ルフォン、ポリエーテルイミド、ポリサルフォン、ポリ
フェニレンサルファイド等の高耐熱性熱可塑樹脂が挙げ
られる。ガラス転移温度Ｔｇが１７５℃〜以上の樹脂を
選択した。
【００２３】また、使用するレーザー孔明け加工装置は
炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザーやエキシマレーザー
等が挙げられる。
炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザーやエキシマレーザー
等が挙げられる。
【００２４】このようにして、サブストレートの基材、
接着剤、ソルダーレジストと封止樹脂が同一組成耐熱性
熱可塑樹脂フィルムより形成されることで、有機樹脂材
料のリサイクルが可能となる半導体集積回路装置を形成
することが可能となる。本発明はその要旨を逸脱しない
範囲で種々変形して実施できる。また、両面銅張板及び
片面銅張板の何れにも実施できる。
接着剤、ソルダーレジストと封止樹脂が同一組成耐熱性
熱可塑樹脂フィルムより形成されることで、有機樹脂材
料のリサイクルが可能となる半導体集積回路装置を形成
することが可能となる。本発明はその要旨を逸脱しない
範囲で種々変形して実施できる。また、両面銅張板及び
片面銅張板の何れにも実施できる。
【００２５】
【実施例】<実施例１>次に、本発明の具体的実施例を図
３（ａ）〜（ｅ）により説明する。
３（ａ）〜（ｅ）により説明する。
【００２６】まず（ａ）に示す、５０μｍの厚みを有す
る耐熱性熱可塑絶縁性液晶ポリマーフィルム１の両面に
１２μｍの厚みを有する電解銅箔２、３がラミネートさ
れた両面銅張積層板にスプロケットホール４が打抜き形
成した。
る耐熱性熱可塑絶縁性液晶ポリマーフィルム１の両面に
１２μｍの厚みを有する電解銅箔２、３がラミネートさ
れた両面銅張積層板にスプロケットホール４が打抜き形
成した。
【００２７】次に図３（ｂ）に示すように、両面銅張積
層板の両面にドライフィルムレジストをラミネート、露
光、現像、エッチングと剥離を施し銅箔の所定位置に８
０μｍφの開口部５が形成した。次に、開口部５が形成
された銅箔３をマスクにしてＵＶ−ＹＡＧレーザーを照
射し、フィルムにレーザー孔明け加工を行い導通孔６を
形成した。
層板の両面にドライフィルムレジストをラミネート、露
光、現像、エッチングと剥離を施し銅箔の所定位置に８
０μｍφの開口部５が形成した。次に、開口部５が形成
された銅箔３をマスクにしてＵＶ−ＹＡＧレーザーを照
射し、フィルムにレーザー孔明け加工を行い導通孔６を
形成した。
【００２８】次に（ｃ）に示す、上記導通孔にデスミア
とダイレクトプレーティング等の銅めっき前処理を施し
た後、電解銅めっきで所望のめっきを施した。引き続い
て、めっきを施した両面銅張積層板の両面にドライフィ
ルムレジストをラミネート、露光、現像、エッチングと
剥離を行って、所望の配線パターニングを形成し、イン
ターポーザーとした。
とダイレクトプレーティング等の銅めっき前処理を施し
た後、電解銅めっきで所望のめっきを施した。引き続い
て、めっきを施した両面銅張積層板の両面にドライフィ
ルムレジストをラミネート、露光、現像、エッチングと
剥離を行って、所望の配線パターニングを形成し、イン
ターポーザーとした。
【００２９】次に（ｄ）に示す、上記インターポーザー
上の半導体チップを実装する側に、巻き取り自由な耐熱
性熱可塑絶縁性液晶ポリマーフィルム１と同組成のフィ
ルムを所望の厚みに３４０℃で真空ラミネートし、アン
ダーフィル層１２を形成し、また、半田ボールをマウン
トする側に巻き取り自由な耐熱性熱可塑絶縁性樹脂フィ
ルム１と同組成のフィルムを所望の膜厚に３４０℃で真
空ラミネートし、ソルダーレジスト層８を形成し、所望
する位置にレーザー等を照射して所望の径で半導体チッ
プ実装用ビア１９と半田ボールマウントホール１８を形
成し、更に、プラズマ洗浄機等を用いてレーザー加工の
際に発生したスミアを除去した。
上の半導体チップを実装する側に、巻き取り自由な耐熱
性熱可塑絶縁性液晶ポリマーフィルム１と同組成のフィ
ルムを所望の厚みに３４０℃で真空ラミネートし、アン
ダーフィル層１２を形成し、また、半田ボールをマウン
トする側に巻き取り自由な耐熱性熱可塑絶縁性樹脂フィ
ルム１と同組成のフィルムを所望の膜厚に３４０℃で真
空ラミネートし、ソルダーレジスト層８を形成し、所望
する位置にレーザー等を照射して所望の径で半導体チッ
プ実装用ビア１９と半田ボールマウントホール１８を形
成し、更に、プラズマ洗浄機等を用いてレーザー加工の
際に発生したスミアを除去した。
【００３０】次に（ｅ）に示す、上記インターポーザー
の半導体チップ１１を実装する側にチップを実装し、次
にそのチップの上から巻き取り自由な耐熱性熱可塑絶縁
性液晶ポリマーフィルム１と同組成のフィルムを所望の
厚みに３４０℃で真空ラミネートし、封止樹脂層１３を
形成した。
の半導体チップ１１を実装する側にチップを実装し、次
にそのチップの上から巻き取り自由な耐熱性熱可塑絶縁
性液晶ポリマーフィルム１と同組成のフィルムを所望の
厚みに３４０℃で真空ラミネートし、封止樹脂層１３を
形成した。
【００３１】上記封止樹脂層を形成した半導体集積回路
装置に半田ボール１４をマウント、リフローと裁断して
半導体集積回路装置９を完成した。
装置に半田ボール１４をマウント、リフローと裁断して
半導体集積回路装置９を完成した。
【００３２】上記半導体集積回路装置を巻き取り自由な
耐熱性熱可塑絶縁性樹脂フィルムの融点より高温、３５
０度付近より流動しはじめ徐々に加熱して樹脂を溶解
し、樹脂をチップと金属配線より分離した。
耐熱性熱可塑絶縁性樹脂フィルムの融点より高温、３５
０度付近より流動しはじめ徐々に加熱して樹脂を溶解
し、樹脂をチップと金属配線より分離した。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、サ
ブストレートに使用するコアフィルム、アンダーフィル
用接着材と、ソルダーレジスト材と、封止樹脂材に、同
一の組成の熱可塑絶縁性樹脂フィルムを使用することで
リサイクル可能な半導体集積回路装置を提供できる。
ブストレートに使用するコアフィルム、アンダーフィル
用接着材と、ソルダーレジスト材と、封止樹脂材に、同
一の組成の熱可塑絶縁性樹脂フィルムを使用することで
リサイクル可能な半導体集積回路装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施形態に係るフイルムキャリアを
用いた半導体集積回路装置の構成を示す側断面模式図。
用いた半導体集積回路装置の構成を示す側断面模式図。
【図２】本発明のフイルムキャリアを用いた半導体回路
装置の製造工程図。
装置の製造工程図。
【図３】本発明のフイルムキャリアを用いた半導体回路
装置の一実施例を説明する製造工程図。
装置の一実施例を説明する製造工程図。
【図４】従来のフイルムキャリアを用いた半導体回路装
置の製造工程図。
置の製造工程図。
１…熱可塑絶縁性コアフィルム
２…銅箔（導体）層
３…銅箔（導体）層
４…スプロケット穴
５…導通孔用開口部
６…導通孔用孔
７…銅めっき（による導通孔）層
８…可塑絶縁性ソルダーレジスト用フィルム
９…半導体集積回路装置
１０…半導体用サブストレート（フイルムキャリア）
１１…半導体チップ
１２…熱可塑絶縁性アンダーフィル樹脂用（ポッテイン
グ樹脂） １３…熱可塑絶縁性封止樹脂 １４…半田ボール １５…配線パターン １６…配線パターン １７…接着剤 １８…半田ボールマウントホール １９…半導体チップ実装用ビア
グ樹脂） １３…熱可塑絶縁性封止樹脂 １４…半田ボール １５…配線パターン １６…配線パターン １７…接着剤 １８…半田ボールマウントホール １９…半導体チップ実装用ビア
Claims (5)
- 【請求項１】プリント配線板上に接続される、少なくと
も半導体チップと、半田ボールと、サブストレートと、
アンダーフィル用接着材と、ソルダーレジスト材と、封
止樹脂材と、ポッティング樹脂から構成される半導体集
積回路装置において、サブストレートに使用するコア基
材と、アンダーフィル用接着材と、ソルダーレジスト材
と、封止樹脂材が同一組成の樹脂より形成されることを
特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項２】該同一組成の樹脂フィルムが熱硬化性樹脂
で形成された樹脂フィルムであることを特徴とする請求
項１記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項３】該同一組成の樹脂フィルムが熱可塑性樹脂
で形成された樹脂フィルムであることを特徴とする請求
項１記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項４】請求項３記載の同一組成の熱可塑性樹脂フ
ィルムが樹脂の溶解温度まで加熱することで、配線パタ
ーン金属と、半田と、半導体チップ等金属類から分離可
能にしたことを特徴とする請求項３記載の半導体集積回
路装置。 - 【請求項５】以下の工程を少なくとも有する、請求項１
乃至請求項４のいずれか１項記載の半導体集積回路装置
を製造する半導体集積回路装置の製造方法において、
（ａ）長尺状の樹脂フィルムに搬送用スプロケットホー
ルと、片面或いは両面に配線パターンが形成されたサブ
ストレート両面に、同じ組成を有する樹脂のアンダーフ
ィル用接着剤フィルムとソルダーレジスト用樹脂フィル
ムをその樹脂のガラス転移温度Ｔｇ以上に加熱しながら
ラミネートする工程と、（ｂ）ラミネートしたアンダー
フィル用接着剤フィルムと、ソルダーレジスト用フィル
ムの所望する場所に、レーザー孔明け加工機により所望
の径でビアを形成する工程と、（ｃ）バンプ付き半導体
チップのバンプをビアの位置に合わせてマウントする工
程と、マウントしたバンプ付き半導体チップと配線を接
合する工程と、（ｄ）半導体集積回路装置の半導体チッ
プに封止樹脂シートをラミネートする工程と、（ｅ）半
導体集積回路装置のビアの位置に合わせて半田ボールを
マウントし、マウントした半田をリフローする工程と、
からなることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327716A JP3818124B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327716A JP3818124B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133483A true JP2003133483A (ja) | 2003-05-09 |
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ID=19143902
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP3818124B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009259924A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012134500A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | General Electric Co <Ge> | 半導体デバイスパッケージを製作するための方法 |
| KR20190039613A (ko) * | 2016-09-08 | 2019-04-12 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
-
2001
- 2001-10-25 JP JP2001327716A patent/JP3818124B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009259924A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012134500A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | General Electric Co <Ge> | 半導体デバイスパッケージを製作するための方法 |
| EP2469591A3 (en) * | 2010-12-22 | 2018-01-31 | General Electric Company | Method for fabricating a semiconductor device package |
| KR20190039613A (ko) * | 2016-09-08 | 2019-04-12 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR102028870B1 (ko) | 2016-09-08 | 2019-10-04 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP3818124B2 (ja) | 2006-09-06 |
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