JP2009259924A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 225
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 405
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 405
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 115
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 80
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 20
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 62
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 22
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910007637 SnAg Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008433 SnCU Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
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- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29109—Indium [In] as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/14—Integrated circuits
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/1579—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】基板本体21の上面21Aに、基板本体21の上面21A、パッド22、及びはんだ23との間に隙間が形成されないように半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂31を貼り付け、次いで、フィルム状アンダーフィル樹脂31の上面31Aを平坦化し、その後、上面31Aが平坦化されたフィルム状アンダーフィル樹脂31に半導体チップ12を押圧して、パッド22に半導体チップ12をフリップチップ接続した。
【選択図】図13
Description
図10は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図10において、Aは配線基板11にフリップチップ接続された半導体チップ12と基板本体21との隙間(以下、「隙間A」とする)、Bはアンダーフィル樹脂13が形成される領域(以下、「アンダーフィル樹脂形成領域B」とする)をそれぞれ示している。
11 配線基板
12 半導体チップ
12A,12B 面
13 アンダーフィル樹脂
14 バンプ
21 基板本体
21A,22A,31A,41A,43A,46A 上面
21B 下面
22 パッド
23 はんだ
24 ソルダーレジスト層
27 電極パッド
31,43,45 フィルム状アンダーフィル樹脂
32 ダイアフラム
35 板体
35A 平坦な面
38 液状アンダーフィル樹脂
41,46 アンダーフィル樹脂母材
A 隙間
B アンダーフィル樹脂形成領域
C フィルム状アンダーフィル樹脂形成領域
Claims (11)
- 半導体チップと、
基板本体と、前記基板本体の一方の面に設けられ、前記半導体チップとフリップチップ接続されるパッドとを有する配線基板と、
前記半導体チップと前記配線基板との間を封止するアンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記基板本体の一方の面に、前記基板本体の一方の面及び前記パッドとの間に隙間が形成されないように半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂を貼り付けるフィルム状アンダーフィル樹脂貼付工程と、
前記フィルム状アンダーフィル樹脂の上面を平坦化する平坦化工程と、
前記平坦化工程後に、前記フィルム状アンダーフィル樹脂の上面側から前記半導体チップを押圧して、前記パッドに前記半導体チップをフリップチップ接続するチップ接続工程と、
前記フィルム状アンダーフィル樹脂を硬化させて、前記半導体チップと前記配線基板との間に前記アンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記フィルム状アンダーフィル樹脂貼付工程では、真空雰囲気下において、ダイアフラム式ラミネート装置を用いて前記フィルム状アンダーフィル樹脂を貼り付けることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップは、前記パッドと電気的に接続される電極パッドを有し、
前記アンダーフィル樹脂形成工程では、前記電極パッドが設けられた面とは反対側に位置する前記半導体チップの面を押圧しながら、前記フィルム状アンダーフィル樹脂を硬化させることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記アンダーフィル樹脂形成工程では、真空雰囲気下において、前記フィルム状アンダーフィル樹脂を硬化させることを特徴とする請求項1ないし3のうち、いずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体チップと、
基板本体と、前記基板本体の一方の面に設けられ、前記半導体チップとフリップチップ接続されるパッドとを有する配線基板と、
前記半導体チップと前記配線基板との間を封止するアンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記基板本体の一方の面に、前記基板本体の一方の面及び前記パッドとの間に隙間が形成されないように半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂を貼り付けるフィルム状アンダーフィル樹脂貼付工程と、
前記フィルム状アンダーフィル樹脂の上面を平坦化する平坦化工程と、
前記平坦化工程後に、前記フィルム状アンダーフィル樹脂の上面に、半硬化状態とされた他のフィルム状アンダーフィル樹脂又は液状アンダーフィル樹脂を形成して、前記フィルム状アンダーフィル樹脂及び前記他のフィルム状アンダーフィル樹脂、又は前記フィルム状アンダーフィル樹脂及び前記液状アンダーフィル樹脂からなるアンダーフィル樹脂母材を形成するアンダーフィル樹脂母材形成工程と、
前記アンダーフィル樹脂母材の上面側から前記半導体チップを押圧して、前記パッドに前記半導体チップをフリップチップ接続するチップ接続工程と、
前記アンダーフィル樹脂母材を硬化させて、前記半導体チップと前記配線基板との間に前記アンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体チップと、
基板本体と、前記基板本体の一方の面に設けられ、前記半導体チップとフリップチップ接続されるパッドとを有する配線基板と、
前記半導体チップと前記配線基板との間を封止するアンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記基板本体の一方の面に、前記基板本体の一方の面及び前記パッドとの間に隙間が形成されないように半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂を貼り付けるフィルム状アンダーフィル樹脂貼付工程と、
前記フィルム状アンダーフィル樹脂貼付工程後に、前記フィルム状アンダーフィル樹脂の上面に、半硬化状態とされた他のフィルム状アンダーフィル樹脂又は液状アンダーフィル樹脂を形成して、前記フィルム状アンダーフィル樹脂及び前記他のフィルム状アンダーフィル樹脂、又は前記フィルム状アンダーフィル樹脂及び前記液状アンダーフィル樹脂からなるアンダーフィル樹脂母材を形成するアンダーフィル樹脂母材形成工程と、
前記アンダーフィル樹脂母材の上面側から前記半導体チップを押圧して、前記パッドに前記半導体チップをフリップチップ接続するチップ接続工程と、
前記アンダーフィル樹脂母材を硬化させて、前記半導体チップと前記配線基板との間に前記アンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記アンダーフィル樹脂母材形成工程と前記チップ接続工程との間に、前記アンダーフィル樹脂母材の上面を平坦化する平坦化工程を設けたことを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フィルム状アンダーフィル樹脂貼付工程では、真空雰囲気下において、ダイアフラム式ラミネート装置を用いて前記フィルム状アンダーフィル樹脂を貼り付けることを特徴とする請求項5ないし7のうち、いずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップは、前記パッドと電気的に接続される電極パッドを有し、
前記アンダーフィル樹脂形成工程では、前記電極パッドが設けられていない側の前記半導体チップの面を押圧しながら、前記アンダーフィル樹脂母材を硬化させることを特徴とする請求項5ないし8のうち、いずれか1項記載の半導体装置の製造方法。 - 前記アンダーフィル樹脂形成工程では、真空雰囲気下において、前記アンダーフィル樹脂母材を硬化させることを特徴とする請求項5ないし9のうち、いずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記チップ接続工程と前記アンダーフィル樹脂形成工程とを同時に行うことを特徴とする請求項1ないし10のうち、いずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008105314A JP5064288B2 (ja) | 2008-04-15 | 2008-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
US12/418,637 US8138018B2 (en) | 2008-04-15 | 2009-04-06 | Manufacturing method of semiconductor device having underfill resin formed without void between semiconductor chip and wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008105314A JP5064288B2 (ja) | 2008-04-15 | 2008-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012150328A Division JP2012186511A (ja) | 2012-07-04 | 2012-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009259924A true JP2009259924A (ja) | 2009-11-05 |
JP2009259924A5 JP2009259924A5 (ja) | 2011-05-12 |
JP5064288B2 JP5064288B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=41164329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008105314A Active JP5064288B2 (ja) | 2008-04-15 | 2008-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8138018B2 (ja) |
JP (1) | JP5064288B2 (ja) |
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JP5064288B2 (ja) | 2012-10-31 |
US20090258460A1 (en) | 2009-10-15 |
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