JP2003128625A - 高純度ナフタレンジカルボン酸の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 粗ナフタレンジカルボン酸を原料として使用
し、既設のテレフタル酸精製用の設備を有効利用して、
安価且つ効率的に、所望の高純度テレフタル酸・ナフタ
レンジカルボン酸の混合物を製造可能にすること。 【解決手段】 粗ナフタレンジカルボン酸を精製して高
純度ナフタレンジカルボン酸を製造するに当たり、粗テ
レフタル酸に対し、粗ナフタレンジカルボン酸含量が
０．１〜１０質量％の範囲となる様に調合された原料を
使用し、少なくとも下記[Ｉ]、［II］の工程を実施す
る。 [I]原料混合物を高温高圧水に溶解し、触媒の存在下で
水素と接触させる工程、[II]上記工程[I]で得た反応物
を、圧力・温度を減じながら、多段階で晶析と固液分離
を行い、ナフタレンジカルボン酸とテレフタル酸濃度に
富む酸混合物を得る工程。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高純度ナフタレン
ジカルボン酸を安価に効率よく製造する方法に関するも
のであり、この方法によって得られる高純度ナフタレン
ジカルボン酸は、高性能ポリエステル樹脂であるポリエ
チレンナフタレート（以下、ＰＥＮと略記する）やポリ
ブチレンナフタレフタレート（以下、ＰＢＮと略記す
る）等の製造原料として有効に活用できる他、本発明に
よって得ることのできるテレフタル酸と共にナフタレン
ジカルボン酸を０．５〜１０質量％含有する混合二塩基
酸酸成分として使用し、ポリエチレンテレフタレート
（以下、ＰＥＴと略記する）／ＰＥＮ共重合体とするこ
とで、ＰＥＴホモポリマーに比べてガスバリア性や紫外
線遮蔽性に優れた共重合ポリエステルを得る技術として
有効に活用できる。

【０００２】

【従来の技術】周知の通りＰＥＮは、強度特性や耐熱
性、ガスバリア性などにおいて優れた特性を有している
ことから、例えば、長時間録画用ビデオフィルム、新写
真システム、ＡＰＳ、更には耐熱容器やタイヤコードな
ど、フィルム素材やボトル素材などとして多くの用途が
期待されている。

【０００３】また、最近期待されているＰＢＮの主な用
途として、電気絶縁体や自動車部品なども挙げられる。
また、ＰＥＴに対しＰＥＮを０．５〜１０質量％程度含
有せしめた共重合体は、ＰＥＴホモポリマーに対してガ
スバリア性や紫外線遮蔽性を大幅に向上させ得ることが
確認されており、こうした特性はボトルやフィルム等の
用途で大きな期待が寄せられている。

【０００４】上記のＰＥＮ，ＰＢＮ，ＰＥＴ／ＰＥＮ共
重合体は、その原料となる高純度ナフタレンジカルボン
酸を安価で効率良く製造する方法が確立されておらず非
常に高価であることから、前述の如く優れた特性を有し
ているにも関わらず、工業的規模での汎用化の隘路とな
っている。

【０００５】ナフタレンジカルボン酸は、例えば、ジメ
チルナフタレン等のジアルキルナフタレン類をＣｏ，Ｍ
ｎ，Ｂｒ等の触媒の存在下で、分子状酸素により酸化す
ることによって製造し得ることは良く知られている。し
かし、これらの方法によって得られる粗ナフタレンジカ
ルボン酸は、例えば図１に示す如く、トリメリット酸
（ＴＭＡ）や、モノカルボン酸であるフォルミルナフト
エ酸（ＦＮＡ）、メチルナフトエ酸（ＭＮＡ）、ナフト
エ酸（ＮＡ）、臭化ナフタレンジカルボン酸（Ｂｒ−Ｎ
ＤＡ）等の不純物を含んでおり、このままでは、ポリエ
ステル、即ちＰＥＮやＰＢＮあるいはＰＥＴ／ＰＥＮ共
重合物等の物性を大幅に低下させるばかりでなく、着色
成分となって製品ポリエステルの着色による品質低下の
原因となる。

【０００６】こうした問題は、ＰＥＴの原料である高純
度テレフタル酸の製法と比較すると理解し易い。即ちテ
レフタル酸は、パラキシレンを酢酸溶媒下で酸化するこ
とによって得られるが、この方法によって得られる粗テ
レフタル酸には、先に挙げたＦＮＡに相当する４−カル
ボキシベンゼンアルデヒド（４−ＣＢＮ）等の不純物が
含まれている。

【０００７】この４−ＣＢＡもＰＥＴの物性に大きな悪
影響をもたらすが、テレフタル酸から固液分離法で分離
しようとしても、同じ固相側に含まれるため分離できな
い。そのため、粗テレフタル酸を通常８０気圧、２９０
℃程度の高温高圧水に溶解し、Ｐｄ／Ｃの如き触媒の存
在下で水添処理することで、４−ＣＢＡを液相に可溶な
ｐ−トルイック酸に還元してから分離除去する方法が採
用されている。

【０００８】一方、この様な方法を粗ナフタレンジカル
ボン酸の精製にそのまま当てはめようとした場合、上記
高温高圧条件下で、ナフタレンジカルボン酸は極わずか
しか溶解せず、また他にナフタレンジカルボン酸を溶か
す実用可能な溶媒がないため、精製は極めて難しい。

【０００９】こうした問題を解決するため、粗ナフタレ
ンジカルボン酸の精製法について幾つかの方法が提案さ
れている。

【００１０】例えば特開平１０−５３５５７号公報に
は、粗ナフタレンジカルボン酸を水・アセトン・アミン
類の混合溶媒と反応させることによってナフタレンジカ
ルボン酸のアミン塩を形成し、それらを晶析・分離した
後、水の存在下で加熱することによってアミンを留出さ
せ、高純度ナフタレンジカルボン酸を得る方法が開示さ
れている。

【００１１】また特開平７−３０４７０５号公報には、
含酸素有機溶剤（アルコール類、ケトン類、エーテル類
など）等のエントレーナを加えた超臨界または亜臨界の
水に溶解し、冷却して結晶を析出させることにより、高
純度のナフタレンジカルボン酸を結晶として得る方法を
開示している。

【００１２】更に、米国特許５，２５６，８１７号に
は、酢酸と水（９０：１０程度）の混合溶媒を使用し、
Ｐｄ／Ｃを触媒として水添精製することにより、高純度
ナフタレンジカルボン酸を得る方法を開示している。

【００１３】しかしこれら何れの方法も、高価で一般的
でない混合溶媒を使用しなければならないこと、溶媒の
回収に多大な労力を要すること、等の理由から、必ずし
も安価で工業的に効率的な高純度ナフタレンジカルボン
酸の製法とは言い難い。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の様な事
情に着目してなされたものであって、その目的は、粗ナ
フタレンジカルボン酸を原料として使用し、既設のテレ
フタル酸精製用の設備を有効利用して、膨大な設備投資
を要することなく、安価且つ効率的に、所望の高純度テ
レフタル酸・ナフタレンジカルボン酸の混合物を製造し
得ると共に、高純度のナフタレンジカルボン酸を効率よ
く製造することのできる方法を確立することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決すること
のできた本発明の製法とは、粗ナフタレンジカルボン酸
を精製して高純度ナフタレンジカルボン酸を製造するに
当たり、粗テレフタル酸に対し、粗ナフタレンジカルボ
ン酸含量が０．１〜１０質量％の範囲となる様に調合さ
れた原料を使用し、少なくとも下記[Ｉ]、［II］の工程
を実施するところに要旨が存在する。

【００１６】[I]原料混合物を高温高圧水に溶解し、触
媒の存在下で水素と接触させる工程、[II]上記工程[I]
で得た反応物を、圧力・温度を減じながら、多段階で晶
析と固液分離を行い、ナフタレンジカルボン酸とテレフ
タル酸濃度に富む酸混合物を得る工程。

【００１７】この方法をうまく活用すれば、上記[II]の
工程で、ナフタレンジカルボン酸濃度に富む成分のみを
分離・精製し、高純度ナフタレンジカルボン酸を製造す
ることができるし、該工程[II]で回収したナフタレンジ
カルボン酸に富む成分を、更にアルコール系溶媒で洗浄
すれば、純度を更に高めることができる。

【００１８】上記洗浄に使用する好ましいアルコール系
溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピル
アルコールが挙げられ、これらは単独で使用し得る他、
必要により２種以上の混合溶剤として使用できる。

【００１９】また上記[I]の工程を実施する際の温度・
圧力条件は、原料中に含まれる粗ナフタレンジカルボン
酸や粗テレフタル酸の純度やそれらの含有割合、更には
得られるナフタレンジカルボン酸の目標含量などによっ
ても異なるが、好ましくは温度２５０〜３２０℃、圧力
４０〜１３０気圧の範囲で行われる。

【００２０】また該工程[I]の水素化処理（水添反応）
を行う際の好ましい水素の使用量は、原料中のテレフタ
ル酸とナフタレンジカルボン酸の合計モル数に対し１〜
１０モル％の範囲であり、この際に使用される水素化触
媒としては、VIII族金属から選択される少なくとも1種
の金属、より好ましくはＰｄ及び／又はＲｕを使用し、
これらを炭素に担持させたものが最適である。また、該
金属の炭素に対する好ましい担持量は０．０３〜５．０
質量％の範囲である。

【００２１】そして本発明の方法は、原料として、上記
の如く粗テレフタル酸に対し適量の粗ナフタレンジカル
ボン酸を含有せしめたものを使用できる他、それらの原
料となるｐ−キシレンと２，６-ジメチルナフタレンの
混合物を同時に酸化して得られる粗テレフタル酸と粗ナ
フタレンジカルボン酸の混合物を原料として使用するこ
とも可能である。

【００２２】

【発明の実施の形態および実施例】本発明では、上記の
如く粗ナフタレンジカルボン酸を精製して高純度ナフタ
レンジカルボン酸を製造するに際に、粗テレフタル酸に
対し、粗ナフタレンジカルボン酸を０．１〜１０質量％
の範囲となる様に調合された原料を使用し、少なくとも
下記[Ｉ]、［II］の工程を実施することによって高純度
ナフタレンジカルボン酸の製造を行う。

【００２３】[I]原料混合物を高温高圧水に溶解し、触
媒の存在下で水素と接触させる工程、[II]上記工程[I]
で得た反応物を、圧力・温度を減じながら、多段階で晶
析と固液分離を行い、ナフタレンジカルボン酸とテレフ
タル酸濃度に富む酸混合物を得る工程。

【００２４】先に説明した如く、高純度テレフタル酸の
製造設備は世界中に数多く存在し、典型的なプラント当
たりの生産能力は年間200,000〜350,000トンにも及ぶ。
該テレフタル酸製造設備の概要は下記の通りである。

【００２５】即ち、パラキシレンの酸化によって製造さ
れる粗テレフタル酸には、前述の如く微量の４−ＣＢＡ
が含まれており、これはテレフタル酸を原料として得ら
れるポリエステルの物性を著しく劣化させるので可及的
に除去しなければならない。ところが、４−ＣＢＡを固
液分離法により分離除去しようとしても、テレフタル酸
と同じ固相側に存在するため分離できない。

【００２６】そこで、粗テレフタル酸を通常８０気圧・
２９０℃程度の高温・高圧水に溶解し、Ｐｄ／Ｃなどの
触媒を用いて水素化処理することで、４−ＣＢＡを液相
に可溶性のｐ−トルイック酸に還元し、水添後、通常5
〜6段の晶析で降圧、降温をしながら固液分離すること
で、高純度テレフタル酸スラリーを得、次いで高圧下の
遠心分離、常圧での遠心分離および乾燥工程を経て高純
度テレフタル酸を得ている。

【００２７】ところで図２は、水に対するナフタレンジ
カルボン酸の溶解度曲線（８０気圧）を示しており、上
記のテレフタル酸溶解時の温度・圧力条件下の水に対
し、ナフタレンジカルボン酸は1〜5質量％程度溶解す
る。従って、粗テレフタル酸を前記方法で精製する際
に、該粗テレフタル酸中に粗ナフタレンジカルボン酸を
１〜５質量％程度混入させておくだけで、先に説明した
如く、ＰＥＴ／ＰＥＮの紫外線遮蔽性能を大幅に引き上
げる共重合体中のＰＥＮ濃度に相当するナフタレンジカ
ルボン酸が、精製によって得られる高純度テレフタル酸
中に混入することになり、これをポリエステル製造原料
として使用することによって、紫外線遮蔽性能などに卓
越したポリエステル共重合体を得ることが可能となる。

【００２８】以下、実施例図面を参照しつつ本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例に
よって制限を受けるものではなく、前後記の趣旨に適合
し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能で
あり、それらは何れも本発明の技術的範囲に包含され
る。

【００２９】図３は、本発明の一実施例を示す概略フロ
ー図であり、通常の粗テレフタル酸の精製設備を利用
し、粗テレフタル酸の精製と粗ナフタレンジカルボン酸
の精製を同時に行う。即ち、通常の粗テレフタル酸精製
設備の上流側に、粗ナフタレンジカルボン酸製造ライン
を接続し、製造された粗ナフタレンジカルボン酸を引き
続いて粗テレフタル酸精製設備へ導入し、粗テレフタル
酸と粗ナフタレンジカルボン酸の精製を並行して行う。

【００３０】即ち図示する如く、ナフタレンジカルボン
酸の原料となる２，６−ジメチルナフタレン（２，６−
ＤＭＮ）を酸化し、生成するナフタレンジカルボン酸に
晶析と溶剤洗浄を施し、更に溶剤を乾燥除去することに
よって、未反応物や副生物の大部分を除去して粗ナフタ
レンジカルボン酸を製造し、これを本発明における出発
原料の１つとして使用する。

【００３１】該粗ナフタレンジカルボン酸中には、前記
図１に示した如く多数の不純物が含まれており、これら
のうち分離除去が困難で且つポリエステル原料として顕
著な悪影響を及ぼすのは、前述した如く一部がアルデヒ
ドのままで残ったフォルミルナフトエ酸である。他方、
粗テレフタル酸中にも前述の如く一部がアルデヒドのま
まで残った４−ＣＢＡが含まれており、これもポリエス
テルの原料として顕著な悪影響を及ぼす。

【００３２】そこで、該粗テレフタル酸の水添精製ライ
ンに、粗テレフタル酸と共に適量の粗ナフタレンジカル
ボン酸を供給し、適量の水と共に多段ヒーター等を用い
てスラリーを調製する。次いで該スラリーを水添反応器
へ導入し、高圧・高温条件下で水添することにより、一
部がアルデヒドのままで残った前記フォルミルナフトエ
酸と４−ＣＢＡをメチルナフトエ酸と４−カルボキシト
ルエンに還元する。

【００３３】これら４−カルボキシトルエンとメチルナ
フトエ酸は、テレフタル酸やナフタレンジカルボン酸に
比べて水への溶解度が高く、よってこれを水溶媒中で多
段晶析すると、４−カルボキシトルエンとメチルナフト
エ酸は水系溶剤に溶解すると共に、溶解度の低いテレフ
タル酸とナフタレンジカルボン酸は結晶として析出す
る。よってこの結晶を遠心分離などによって液相から分
離し乾燥すると、フォルミルナフトエ酸や４−ＣＢＡを
実質的に含まない高純度のテレフタル酸（例えば９０〜
９７質量％）と高純度のナフタレンジカルボン酸（例え
ば３〜１０質量％）の混合二塩基酸からなるポリエステ
ル原料を得ることができる。

【００３４】上記において、原料として使用する粗テレ
フタル酸と粗ナフタレンジカルボン酸の比率は特に制限
されないが、前記溶解度差を利用して好適ナフタレンジ
カルボン酸含量のポリエステル原料を得るには、粗テレ
フタル酸中の粗ナフタレンジカルボン酸含量が０．１質
量％以上、１０質量％以下となる様に調合しなければな
らない。

【００３５】しかして、原料中の粗ナフタレンジカルボ
ン酸濃度が０．１質量％未満では、従来から知られた粗
テレフタル酸の精製法と実質的に変わらなくなり、粗ナ
フタレンジカルボン酸との混合状態で精製を行う本発明
本来の目的が有効に活かせなくなるばかりでなく、得ら
れる生成物中の高濃度ナフタレンジカルボン酸量も当然
に少なくなり、前述の如く該ナフタレンジカルボン酸を
共重合成分として使用することでポリエステルの紫外線
遮蔽性能等を高めるといった目的も達成できなくなる。

【００３６】逆に原料中の粗ナフタレンジカルボン酸の
量が１０質量％を超えると、本発明で意図する水添精製
効率が著しく低下し、副生物分離除去の目的が果たせな
くなる。

【００３７】本発明の目的である粗テレフタル酸と粗ナ
フタレンジカルボン酸の同時精製と高純度テレフタル酸
と高純度ナフタレンジカルボン酸の適量混合二塩基酸混
合物取得の目的を有効に活かす上でより好ましい原料中
の粗ナフタレンジカルボン酸量は、０．１質量％以上、
１０質量％以下、更に好ましくは０．２質量％以上、
５．０質量％以下である。

【００３８】本発明では、上記の様に粗テレフタル酸と
粗ナフタレンジカルボン酸の混合物から、夫々の酸の製
造工程で混入してくる副生物を分離除去し、高濃度テレ
フタル酸と高濃度ナフタレンジカルボン酸との混合二塩
基酸として得るところに特徴を有しているが、図３に示
したフロー図における水添反応後の多段晶析工程では、
最初の高温・高圧晶析工程で溶解度の低いナフタレンジ
カルボン酸の高濃度結晶が晶析してくる。よってこうし
た晶析速度の差をうまく活用すれば、図３に破線で示し
た如く、該多段晶析段階でナフタレンジカルボン酸のみ
を高純度物として単独で取得することも可能となる。

【００３９】また、該多段晶析時の温度と圧力をコント
ロールしてナフタレンジカルボン酸の析出量を適正に制
御すれば、該多段晶析時に晶析する結晶中のナフタレン
ジカルボン酸の含有率を調整することもでき、更には、
温度と圧力を段階的に降下させる複数段晶析を行うこと
で、一段毎に析出する晶析物中のナフタレンジカルボン
酸の濃度を必要に応じて変化させることも可能である。

【００４０】すなわち該多段晶析工程では、例えば圧力
を２〜９０気圧、温度３００〜１４００℃程度の範囲で
適切に制御することで、晶析物中に混入してくるナフタ
レンジカルボン酸の量を適宜にコントロールすることが
できる。従って、この方法を活用すれば、得られる高純
度二塩基酸混合物をポリエステル製造用原料として使用
することで期待される紫外線遮蔽性能等に応じて、適切
な量のナフタレンジカルボン酸を含むテレフタル酸を効
率よく得ることが可能となる。

【００４１】尚、図３において、多段晶析の初期段階で
晶析するナフタレンジカルボン酸リッチの結晶は、その
後必要に応じて更に追加精製（アルコール洗浄などを含
む）を行って精製し、高純度のナフタレンジカルボン酸
を結晶として得ることができる。同様に、多段晶析後遠
心分離・乾燥工程を経て得られる高純度テレフタル酸と
高純度ナフタレンジカルボン酸の混合二塩基酸について
も、同様に必要に応じて溶剤精製を行って更に二塩基酸
混合物としての純度を高めることも有効である。

【００４２】ここで溶剤精製に用いられる好ましい溶剤
として好ましいのはアルコール系溶剤であり、中でも特
に好ましいのはメタノール、エタノール、イソプロパノ
ールであり、これらは単独で使用し得る他、必要により
２種以上の混合溶媒として有効に利用できる。

【００４３】前記図３に示したフロー図における水添精
製工程は、先に説明した如く粗テレフタル酸及び粗ナフ
タレンジカルボン酸の製造工程で混入してくる有害副生
物である主としてフォルミルナフトエ酸と４−ＣＢＡ
を、水系溶剤に易溶性のメチルナフトエ酸と４−カルボ
キシトルエンと還元し、その後の多段晶析工程で液相に
分離除去するための処理として行われるが、この時の水
添条件が厳し過ぎると、目的物であるテレフタル酸やナ
フタレンジカルボン酸の一部が還元されて、収率低下の
原因となる。よって、該水添精製工程では、テレフタル
酸やナフタレンジカルボン酸の還元ロスを極力抑制しつ
つ、有害なフォルミルナフトエ酸と４−ＣＢＡを、メチ
ルナフトエ酸と４−カルボキシトルエンに効率よく還元
することのできる条件を採用することが望ましい。

【００４４】こうした観点から、該水添精製工程で採用
される好ましい条件としては、温度が２５０℃以上、よ
り好ましくは２８０℃以上、３２０℃以下、圧力が４０
気圧以上、より好ましくは７０気圧以上、１３０気圧以
下である。また該水添精製工程で供給される好ましい水
素量は、原料中の粗テレフタル酸と粗ナフタレンジカル
ボン酸の合計モル数に対して１モル％以上、１０モル％
以下であり、水素供給量が多過ぎたり温度、圧力条件が
緩和に過ぎると、前記有害副生物に対して還元不足とな
ってその除去効率が低下し、逆に水素供給量が多過ぎた
り温度、圧力条件が厳し過ぎると、テレフタル酸やナフ
タレンジカルボン酸の還元ロスが増大し、目的物の収率
を下げる原因になる。

【００４５】該水添精製工程で用いられる水素化触媒と
しては、VIII族金属が有効であり、その中から選択され
る１種または２種以上の金属を好ましくは炭素に担持さ
せたものが使用される。VIII族金属の中でも特に好まし
いのはPｄ及び／又はＲｕであり、これらの金属を炭素
担体に対し０．０３質量％以上、５．０質量％以下、よ
り好ましくは３．０質量％以下の範囲で担持させた触媒
は、テレフタル酸やナフタレンジカルボン酸の酸化ロス
を抑えつつ有害副生物の還元を効率よく進める上で特に
有効である。

【００４６】以上説明したように本発明によれば、従来
の粗テレフタル酸水添精製設備を利用し、原料として粗
テレフタル酸と共に適量の粗ナフタレンジカルボン酸を
含む混合物を使用することで、粗テレフタル酸と粗ナフ
タレンジカルボン酸中に含まれる有害不純物を同時に除
去し、高純度のテレフタル酸と高純度のナフタレンジカ
ルボン酸の混合二塩基酸を製造可能にし、或いは高純度
のナフタレンジカルボン酸を単独で取得可能にしたとこ
ろに特徴を有しており、原料となる粗テレフタル酸と粗
ナフタレンジカルボン酸は通常の方法によって製造した
ものが全て使用可能である。

【００４７】しかし、図３に示した如く本発明に係る水
添精製→多段晶析を含む精製（有害不純物除去）ライン
の上流側に粗ナフタレンジカルボン酸製造ラインを接続
し、該製造ラインで製造した粗ナフタレンジカルボン酸
を引き続いて粗テレフタル酸精製ラインに導入する連続
ラインを組めば、粗ナフタレンジカルボン酸（および粗
テレフタル酸）の製造から精製を一連の設備で連続的に
行うことができるので好ましい。この際、必要によりラ
インの途中に粗ナフタレンジカルボン酸貯槽をバッファ
ーとして設け、目的とする混合二塩基酸中のナフタレン
ジカルボン酸含量に応じて、粗ナフタレンジカルボン酸
の供給量を増減し得るようにすることも勿論可能であ
る。

【００４８】

【発明の効果】本発明は以上の様に構成されており、既
設の粗テレフタル酸精製設備を利用したのでは到底実施
することのできない粗ナフタレンジカルボン酸の精製
を、粗テレフタル酸との混合状態で水添精製→多段晶析
するといった新規な発想を活用することで、既存の粗テ
レフタル酸精製設備をそのまま利用して効率よく実施し
得ることになった。しかもこの方法によって得られる高
純度テレフタル酸と高純度ナフタレンジカルボン酸との
混合二塩基酸は、該ナフタレンジカルボン酸がそのまま
ガスバリア性や紫外線遮蔽性向上のための二塩基酸とし
て作用するので、該混合二塩基酸をポリエステル製造用
の混合二塩基酸として利用することにより、ガスバリア
性や紫外線遮蔽性能に優れた共重合ポリエステルを得る
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】粗ナフタレンジカルボン酸中に混入してくる副
生物（不純物）を示す。

【図２】水へのナフタレンジカルボン酸の溶解度と温度
の関係を示すグラフである。

【図３】本発明の製法を実施する際の一例を示すフロー
図である。

フロントページの続き (72)発明者 植村 朋紀 大阪市中央区備後町４丁目１番３号 株式 会社神戸製鋼所大阪支社内 Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC46 AD15 AD17 AD31 BA17 BA23 BA25 BA55 BB14 BB31 BC31 BC51 BC52 BD10 BE20 BJ50 BS30

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 粗ナフタレンジカルボン酸を精製して高
   純度ナフタレンジカルボン酸を製造するに当たり、粗テ
   レフタル酸に対し、粗ナフタレンジカルボン酸含量が
   ０．１〜１０質量％の範囲となる様に調合された原料を
   使用し、少なくとも下記[Ｉ]、［II］の工程を実施する
   ことを特徴とする高純度ナフタレンジカルボン酸の製
   法。 [I]原料混合物を高温高圧水に溶解し、触媒の存在下で
   水素と接触させる工程、 [II]上記工程[I]で得た反応物を、圧力・温度を減じな
   がら、多段階で晶析と固液分離を行い、ナフタレンジカ
   ルボン酸とテレフタル酸濃度に富む酸混合物を得る工
   程。
2. 【請求項２】 上記工程[II]において、ナフタレンジカ
   ルボン酸濃度に富む成分のみを分離し、高純度ナフタレ
   ンジカルボン酸を得る請求項１に記載の製法。
3. 【請求項３】 上記工程[II]で回収したナフタレンジカ
   ルボン酸に富む成分をアルコール系溶媒で洗浄する請求
   項２に記載の製法。
4. 【請求項４】 前記アルコール系溶媒として、メタノー
   ル、エタノールおよびイソプロピルアルコールよりなる
   群から選択される1種、またはそれらの２種以上の混合
   物を使用する請求項３に記載の製法。
5. 【請求項５】 前記工程[I]を、温度２５０〜３２０
   ℃、圧力４０〜１３０気圧の範囲で行う請求項1〜４の
   いずれかに記載の製法。
6. 【請求項６】 前記工程[I]において、原料中のテレフ
   タル酸とナフタレンジカルボン酸の合計モル数に対し１
   〜１０モル％の水素を使用する請求項１〜５のいずれか
   に記載の製法。
7. 【請求項７】 前記工程[I]において、VIII族金属から
   選択される少なくとも1種の金属を炭素に担持させたも
   のを触媒として使用する請求項1〜６のいずれかに記載
   の製法。
8. 【請求項８】 前記VIII族の金属として、Ｐｄ及び／又
   はＲｕを使用する請求項７に記載の製法。
9. 【請求項９】 担体に対し前記金属を０．０３〜５．０
   質量％担持させた触媒を使用する請求項７または８に記
   載の製法。
10. 【請求項１０】 ｐ−キシレンと２，６-ジメチルナフ
    タレンの混合物を同時に酸化して得られる、粗テレフタ
    ル酸と粗ナフタレンジカルボン酸の混合物を原料として
    使用する請求項1〜9のいずれかに記載の製法。