KR20030033958A - 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법 - Google Patents

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가부시키가이샤 고베 세이코쇼
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Abstract

본 발명은 (i) 조(組) 나프탈렌디카복실산 함량이 조 테레프탈산 함량의 0.1 내지 10질량%인 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산의 원료 혼합물을 고온 고압의 물에 용해시켜 2염기산 용액을 형성하고, 형성된 2염기산 용액을 촉매의 존재하에서 수소와 접촉시키는 단계; 및 (ii) 상기 2염기산 용액 중의 생성물을 각 단의 온도 및 압력을 강하시키면서 다단 결정화시키고, 고액 분리하여 나프탈렌디카복실산 풍부 산 혼합물 또는 테레프탈산 풍부 산 혼합물을 수득하는 단계를 포함하는 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법에 관한 것이다.

Description

고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법{METHOD FOR MAKING HIGH-PURITY NAPHTHALENEDICARBOXYLIC ACID}
본 발명은 고순도 나프탈렌디카복실산을 저비용 고효율로 제조하는 방법에 관한 것이다. 생성된 고순도 나프탈렌디카복실산은 고성능 폴리에스테르 수지, 즉 폴리에틸렌 나프탈레이트(이하, PEN으로 언급됨) 및 폴리부틸렌 나프탈레이트(이하, PBN으로 언급됨)의 원료로서 유용하다. 더욱이, 테레프탈산 및 0.5 내지 10질량%의 나프탈렌디카복실산을 함유하는 2염기산 혼합물은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(이하, PET로 언급됨) 단독중합체보다 가스 차단성 및 자외선 흡수성이 뛰어난 PET와 PEN의 공중합폴리에스테르의 제조에 사용된다.
널리 공지되어 있는 바와 같이, PEN은 기계적 강도, 내열성 및 가스 차단성이 뛰어난 특성을 갖고 있어, 장시간 녹화용 비디오테이프 및 비디오 필름, 신사진시스템(advanced photo system; APS), 내열용기, 타이어 코드, 필름 및 병과 같은 많은 실제 가능한 용도를 갖는다.
또한, 최근 기대되고 있는 PBN의 용도는 전기절연체 및 자동차 부품이다. PET 및 0.5 내지 10질량%의 PEN을 함유하는 공중합체는 PET 단독중합체보다 상당히 뛰어난 가스 차단성 및 자외선 흡수성을 나타낸다. 이러한 특성은 병 및 필름의 용도로 적합하다.
원료로서 고순도 나프탈렌디카복실산을 저비용 고효율로 제조하는 방법이 아직 확립되지 않아 PEN, PBN 및 PET/PEN 공중합체의 가격이 매우 비싸다. 따라서, 이러한 단점으로 인해 전술한 이점에도 불구하고 상기 공중합체의 상업적 생산이 곤란하다.
널리 공지된 나프탈렌디카복실산의 제조방법으로는 디메틸나프탈렌과 같은 디알킬나프탈렌을 촉매, 예를 들어 Co, Mn 또는 Br의 존재하에서 분자상 산소를 사용하여 산화시키는 방법이 있다. 그러나, 이와 같은 방법에 의해 제조된 조 나프탈렌디카복실산은 도 1에 도시한 바와 같은 트리카복실산, 즉 트리멜리트산(TMA); 디카복실산, 즉 브로모나프탈렌디카복실산(Br-NDA); 및 모노카복실산, 즉 포밀나프토산(FNA), 메틸나프토산(MNA) 및 나프토산 등의 많은 불순물을 함유한다. 이러한불순물은 PEN, PBN 및 PET/PEN 공중합체의 물성을 상당히 손상시키고, 폴리에스테르 제품의 착색을 유발한다.
이러한 문제점은 고순도 테레프탈산의 제조방법과 비교하면 쉽게 이해될 수 있다. 테레프탈산은 아세트산 용매 중의 p-크실렌의 산화에 의해 제조된다. 이러한 방법에 의해 제조된 조 테레프탈산은 조 나프탈렌디카복실산 중의 FNA에 상응하는 불순물 4-카복시벤즈알데히드(4-CBA)를 함유한다.
또한, 4-CBA는 PET의 물성에 악영향을 끼치며, 고액 분리 공정에 의해 테레프탈산으로부터 제거하려해도 이들 물질이 둘다 고상에 함유되어 있어 제거가 쉽지 않다. 따라서, 4-CBA는, 조 테레프탈산을 고온 고압, 전형적으로 80atm의 압력 및 290℃의 온도의 물에 용해시키고, Pd/C 촉매의 존재하에서 액상에 가용성인 p-톨루산으로 환원시킴으로써 제거된다.
그러나, 이러한 방법은 나프탈렌디카복실산이 고온 고압의 물에 실질적으로 용해되지 않으므로 조 나프탈렌디카복실산의 정제에 적용될 수 있다. 더욱이, 나프탈렌디카복실산을 용해시킬 수 있는 다른 통상의 용매는 존재하지 않는다. 따라서, 조 나프탈렌디카복실산을 정제하는 것은 매우 곤란하다.
이러한 문제를 해결하기 위해 조 나프탈렌디카복실산을 정제하는 여러 방법이 개시되었다.
예를 들어, 일본 미심사 특허 공개공보 제 98-53557 호에는 조 나프탈렌디카복실산을 물, 아세톤 및 아민을 함유하는 혼합 용매 중의 아민과 반응시켜 나프탈렌디카복실산의 아민 염을 형성하고, 생성물을 결정화 및 분리하고, 결정화된 생성물을 물의 존재하에서 가열 증발시켜 아민을 제거하는 것을 포함하는 상응하는 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법이 개시되어 있다.
일본 미심사 특허 공개공보 제 95-304705 호에는 산소 함유 유기 용매, 즉 알콜, 케톤 및 에테르와 같은 하나의 공비첨가제를 함유하는 초임계 수 또는 아임계 수에 조 나프탈렌디카복실산을 용해시키고, 상기 용액을 냉각시켜 목표 화합물을 결정화하는 것을 포함하는 상응하는 결정화된 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법이 개시되어 있다.
미국 특허 제 5,256,817 호에는 아세트산 및 물(약 90:10)의 혼합 용매에서 Pd/C 촉매의 존재하에 수소화시켜 고순도 나프탈렌디카복실산을 제조하는 방법이 개시되어 있다.
그러나, 이러한 방법은 각각 값비싼 혼합 용매를 필요로 하고 상기 용매를 회수하는데 많은 시간이 걸리므로, 고순도 나프탈렌디카복실산의 상업적 생산에 적합하지 않다.
본 발명의 목적은 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산의 원료 혼합물로부터, 테레프탈산용으로 공지된 정제 설비를 사용하여 고효율 저생산비용으로 고순도 테레프탈산 및 고순도 나프탈렌디카복실산의 혼합물을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 설비를 사용하여 고효율로 고순도 나프탈렌디카복실산을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 조(組) 나프탈렌디카복실산 중의 부산물(불순물)을 예시한 화학식이다.
도 2는 물에 대한 나프탈렌디카복실산의 용해도와 온도와의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명에 따른 방법을 예시한 공정도이다.
본 발명에 따른 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법은 (i) 조 나프탈렌디카복실산 함량이 조 테레프탈산 함량의 0.1 내지 10질량%인 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산의 원료 혼합물을 고온 고압의 물에 용해시켜 2염기산 용액을 형성하고, 형성된 2염기산 용액을 촉매의 존재하에서 수소와 접촉시키는 단계; 및 (ii) 상기 2염기산 용액 중의 생성물을 각 단의 온도 및 압력을 강하시키면서 다단 결정화시키고, 고액 분리하여 나프탈렌디카복실산 풍부 산 혼합물 또는 테레프탈산 풍부 산 혼합물을 수득하는 단계를 포함한다.
상기 방법에서, 나프탈렌디카복실산 풍부 산 혼합물만이 단계 (ii)에서 분리될 수 있다. 생성된 나프탈렌디카복실산의 순도는 단계 (ii)에서 분리된 나프탈렌디카복실산 풍부 산 혼합물을 알콜계 용매로 세척함으로써 추가로 향상될 수 있다.
바람직하게는, 알콜계 용매는 메틸 알콜, 에틸 알콜 및 이소프로필 알콜로 이루어진 군으로부터 선택된 것중 하나 이상을 포함한다. 이러한 알콜은 단독으로 또는 조합물로 사용될 수 있다.
단계 (i)에서의 온도 및 압력은 조 나프탈렌디카복실산의 순도, 조 테레프탈산의 순도, 혼합물에서 이들의 비율 및 정제된 혼합물에서 나프탈렌디카복실산의 목표 함량에 따라 달라진다. 바람직하게는, 2염기산 용액은 단계 (i)에서 250 내지 320℃의 온도 및 40 내지 130atm의 압력에서 수소와 접촉된다.
바람직하게는, 단계 (i)에서 수소화 동안 공급된 수소의 양은 원료 혼합물 중의 테레프탈산 및 나프탈렌디카복실산의 몰합량의 1 내지 10몰%의 범위이다. 수소화에서, 촉매는 바람직하게는 탄소 지지체상에 지지된 하나 이상의 VIII족 금속을 포함한다. 바람직하게는, VIII족 금속은 Pd 및 Ru로부터 선택된다. 바람직하게는, VIII족 금속의 양은 탄소 지지체의 0.03 내지 5.0질량%이다.
상기 방법에서, 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산의 원료 혼합물은 p-크실렌 및 2,6-디메틸나프탈렌을 동시에 산화시킴으로써 제조될 수 있다.
본 발명에서, 조 나프탈렌디카복실산은 조 나프탈렌디카복실산 및 조 테레프탈산의 혼합물을 수소화시키고, 조 테레프탈산용으로 공지된 정제 설비를 사용하여 생성물을 다단 결정화시킴으로써 정제될 수 있다. 이러한 나프탈렌디카복실산을 사용하여 중합된 폴리에스테르 공중합체는 개선된 가스 차단성 및 자외선 흡수성을 나타내므로, 상기 방법에 의해 제조된 테레프탈산 및 나프탈렌디카복실산의 정제된 혼합물은 가스 차단성 및 자외선 흡수성이 뛰어난 폴리에스테르 공중합체를 형성하기 위한 2염기산 혼합물로서 사용될 수 있다.
본 발명에서, 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법은 (i) 조 테레프탈산 및 0.1 내지 10질량%의 상응하는 조 나프탈렌디카복실산의 혼합물을 고온 고압의 물에 용해시키고, 형성된 용액을 촉매의 존재하에서 수소와 접촉시키는 단계; 및 (ii) 생성물을 온도 및 압력을 강하시키면서 다단 결정화시키고, 고액 분리하여 나프탈렌디카복실산 및 테레프탈산 풍부 산 혼합물을 수득하는 단계를 포함한다.
전술한 바와 같이, 고순도 테레프탈산을 제조하기 위한 많은 플랜트가 존재하며, 전형적인 플랜트는 200,000 내지 350,000ton/year의 생산 능력을 갖는다. 테레프탈산을 제조하는 플랜트의 개요는 다음과 같다:
p-크실렌의 산화에 의해 제조된 조 테레프탈산은 전술한 바와 같이 미량의 4-CBA를 함유한다. 이러한 불순물은 테레프탈산을 사용하여 제조된 폴리에스테르의 물성을 상당히 열화시키므로, 이는 가능한 많이 제거되어야 한다. 그러나, 4-CBA는 고상에서 테레프탈산과 함께 존재하므로 고액 분리에 의해 제거될 수 없다.
따라서, 4-CBA는 다음과 같이 제거된다: 조 테레프탈산을 고온 고압, 전형적으로 80atm의 압력 및 290℃의 온도의 물에 용해시키고, Pd/C 촉매의 존재하에서 액상에 가용성인 p-톨루산으로 환원시킨다. 수소화 후, 압력 및 온도를 강하시키면서 5 내지 6개 단을 포함하는 고액 분리에 의해 고순도 테레프탈산 슬러리가 제조된다. 고순도 테레프탈산은 고압 원심 분리, 정상압력 원심 분리 및 건조 단계에 의해 회수된다.
도 2는 80atm의 압력에서 물에 대한 나프탈렌디카복실산의 용해도 곡선을 나타낸다. 그래프에 따르면, 1 내지 5질량%의 나프탈렌디카복실산은 테레프탈산을 용해시키기 위한 상기 고온 고압 조건하에서 물에 용해될 수 있다. 1 내지 5질량%의 조 나프탈렌디카복실산이 조 테레프탈산에 예비 첨가되는 경우, 생성된 고순도 테레프탈산은 또한 고순도 나프탈렌디카복실산을 1 내지 5질량% 함유한다. 고순도 나프탈렌디카복실산을 함유하는 고순도 테레프탈산을 사용함으로써 제조된 PET/PEN 공중합체는 상응하는 PEN 성분을 함유하고, 뛰어난 자외선 흡수성을 나타낸다.
본 발명의 바람직한 양태는 첨부된 도면을 참조로 하여 보다 상세히 기술될것이다. 그러나, 본 발명은 특정한 양태로 제한되지 않으며 본 발명의 취지 및 범주에서 벗어남이 없이 변경될 수 있음을 이해해야 한다.
도 3은 조 테레프탈산용으로 공지된 정제 플랜트를 사용하여 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산을 동시에 정제하는 공정도의 개요이다. 조 나프탈렌디카복실산의 생산 라인은 조 테레프탈산용 정제 플랜트의 업스트림측에 접속되어, 조 나프탈렌디카복실산이 조 테레프탈산용 정제 플랜트에 도입된다. 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산은 정제 플랜트에서 동시에 정제된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 2,6-디메틸나프탈렌(2,6-DMN)을 산화시키고, 생성된 나프탈렌디카복실산을 결정화시키고, 용매로 세척하고, 건조시켜 대부분의 미반응 성분 및 부산물을 제거한다. 그 결과, 조 나프탈렌디카복실산이 제조된다. 이러한 조 나프탈렌디카복실산은 본 발명에서 출발 물질로서 사용된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 조 나프탈렌디카복실산은 많은 불순물을 함유한다. 이들중에서, 카보닐 기를 갖는 포밀나프토산은 쉽게 제거될 수 없으며, 최종 폴리에스테르 생성물의 물성에 악영향을 끼친다. 또한, 조 테레프탈산에 함유된 카보닐 기를 갖는 4-CBA는 최종 폴리에스테르 생성물의 물성에 악영향을 끼친다.
따라서, 조 테레프탈산 및 적정량의 조 나프탈렌디카복실산은 조 테레프탈산용 수소화 정제 라인에 공급되고, 적정량의 물 및 다단 가열기를 사용하여 조 혼합물의 슬러리가 형성된다. 상기 슬러리는 수소화 반응기에 공급되어 고온 고압 조건하에서 조 혼합물 중의 포밀나프토산 및 4-CBA를 수소화시킨다. 이러한 바람직하지 않은 불순물은 메틸나프토산 및 4-카복시톨루엔으로 환원된다.
메틸나프토산 및 4-카복시톨루엔은 둘다 테레프탈산 및 나프탈렌디카복실산보다 물에 대한 용해도가 높다. 수성 용매를 사용한 다단 결정화 도중, 메틸나프토산 및 4-카복시톨루엔은 수성 용매에 용해되고, 물에 대한 용해도가 낮은 테레프탈산 및 나프탈렌디카복실산은 결정화된다. 결정화된 생성물을 액상으로부터 분리하고, 건조시켜 실질적으로 포밀나프토산 및 4-CBA를 함유하지 않는 테레프탈산(예를 들어, 90 내지 97질량%) 및 나프탈렌디카복실산(예를 들어, 3 내지 10질량%)의 고순도 2염기산 혼합물을 형성한다. 고순도 2염기산 혼합물은 폴리에스테르용 원료에 적합하다.
상기 공정에서, 조 테레프탈산 대 조 나프탈렌디카복실산의 비는 본 발명에서 제한되지 않는다. 바람직하게는, 용해도 차이에 의해 적정량의 나프탈렌디카복실산을 함유하는 폴리에스테르용 원료를 제조하기 위해 조 테레프탈산 중의 조 나프탈렌디카복실산 함량은 0.1 내지 10질량%이다.
원료 중의 조 나프탈렌디카복실산 함량이 0.1질량% 미만인 경우, 이러한 공정은 조 테레프탈산용으로 공지된 정제 공정과 실질적으로 동일하다. 이러한 원료는 본 발명의 목적, 즉 조 나프탈렌디카복실산의 존재하에서 조 테레프탈산의 정제에 부합하지 않는다. 더욱이, 생성물 중의 나프탈렌디카복실산 함량이 너무 적어 자외선 흡수성이 뛰어난 폴리에스테르를 제조할 수 없다.
원료 중의 조 나프탈렌디카복실산 함량이 10질량%를 초과하는 경우, 수소화 정제 효율이 현저히 감소하여, 부산물이 충분히 제거될 수 없다.
본 발명에서, 원료 중의 조 나프탈렌디카복실산 함량은 보다 바람직하게는0.1 내지 10질량%, 가장 바람직하게는 0.2 내지 5.0질량%이다. 이러한 나프탈렌디카복실산 함량에서, 본 발명의 목적이 보다 효율적으로 성취된다. 즉, 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산은 동일한 공정에서 보다 용이하게 정제될 수 있고, 생성된 2염기산 혼합물은 탁월한 특성을 갖는 폴리에스테르를 수득하기에 바람직한 조성을 갖는다.
본 발명은 목표 디카복실산의 제조 공정에서 불가피하게 형성되는 부산물을 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산의 혼합물로부터 제거하여 고순도 테레프탈산 및 고순도 나프탈렌디카복실산의 2염기산 혼합물을 제조하는 것을 특징으로 한다. 도 3에 도시된 공정도에서 수소화 후 다단 결정화 단계에서, 용해도가 낮은 나프탈렌디카복실산이 우선적으로 제 1 고온 고압 결정화 단계에서 결정화된다. 용해도 차이를 이용함으로써 도 3에 점선으로 나타낸 바와 같이 고순도 나프탈렌디카복실산만이 다단 정제 단계의 제 1 단에서 제조될 수 있다.
다단 정제 단계의 각 단에서 온도 및 압력을 조정함으로써 나프탈렌디카복실산의 결정화를 적정 수준으로 제어하는 경우, 결정 중의 나프탈렌디카복실산 함량을 목적하는 수준으로 제어할 수 있다. 온도 및 압력을 다단 정제 단계의 매 단마다 점차 감소시키는 경우, 결정 중의 나프탈렌디카복실산 함량이 매 단마다 변할 것이다.
예를 들어, 생성된 결정 중의 나프탈렌디카복실산 함량을 결정하기 위해, 다단 정제 단계에서 압력은 2 내지 90atm 범위로 제어되고, 온도는 300 내지 1,400℃ 범위로 제어된다. 결과적으로, 이러한 공정은 폴리에스테르용 원료로서, 자외선흡수능과 같이 요구되는 특성에 따른 목적하는 양의 나프탈렌디카복실산 및 테레프탈산의 2염기산 혼합물을 생성할 수 있다.
도 3에서, 다단 정제 단계의 제 1 단에서 제조된 나프탈렌디카복실산 풍부 결정을 경우에 따라 예를 들어 알콜 세척에 의해 추가로 정제하여, 고순도 나프탈렌디카복실산 결정을 수득할 수 있다. 유사하게, 다단 정제, 원심분리 및 건조 단계에 의해 제조된 고순도 테레프탈산 및 고순도 나프탈렌디카복실산을 함유하는 2염기산 혼합물을 경우에 따라 추가로 정제하여 보다 고순도의 2염기산 혼합물을 수득할 수 있다.
정제 단계에 사용되는 바람직한 용매의 예는 알콜을 포함한다. 메틸 알콜, 에틸 알콜 및 이소프로필 알콜이 보다 바람직하다. 이러한 알콜은 단독으로 또는 조합물로 사용될 수 있다.
전술한 바와 같이, 도 3에 도시된 수소화 단계에서, 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산의 제조 공정에서 형성되는 바람직하지 않은 부산물인 포밀나프토산 및 4-CBA는 수용성 메틸나프토산 및 4-카복시톨루엔으로 환원된다. 이러한 수소화 단계가 엄격한 조건하에서 수행되는 경우, 테레프탈산 및 나프탈렌디카복실산이 또한 부분적으로 환원되어, 목표 물질의 수율이 저하된다. 따라서, 수소화 조건은 바람직하게는 테레프탈산 및 나프탈렌디카복실산을 가능한 고수율로 유지하고 바람직하지 않은 포밀나프토산 및 4-CBA를 보다 효율적으로 메틸나프토산 및 4-카복시톨루엔으로 환원시키도록 결정된다.
수소화 단계에서 바람직한 조건으로, 온도는 250 내지 320℃, 보다 바람직하게는 280 내지 320℃이고, 압력은 40 내지 130atm, 보다 바람직하게는 70 내지 130atm이다. 수소화 단계에서 공급되는 수소의 양은 바람직하게는 공급된 성분 중의 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산의 몰합량의 1 내지 10몰% 범위이다. 이보다 적은 양의 수소 또는 저온 또는 저압은 불충분한 환원 및 바람직하지 않은 성분의 불충분한 제거를 유발한다. 이보다 많은 양의 수소 또는 고온 또는 고압은 바람직하지 않은 환원을 유발하고, 따라서 테레프탈산 및 나프탈렌디카복실산의 수율을 저하시킨다.
수소화 단계에서 사용되는 효과적인 수소화 촉매는 VIII족 금속이다. 바람직하게는, 하나 이상의 VIII족 금속이 탄소상에 지지된다. 보다 바람직한 VIII족 금속은 Pd 및 Ru이다. 탄소상에 지지된 VIII족 금속의 양은 테레프탈산 및 나프탈렌디카복실산의 산화를 방지하고 바람직하지 않은 부산물의 환원을 촉진시키기 위해 바람직하게는 탄소 지지체의 0.03 내지 5.0질량%, 보다 바람직하게는 0.03 내지 3.0질량%이다.
본 발명에서, 전술한 바와 같이 바람직하지 않은 부산물은 공급된 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산의 혼합물로부터 동시에 제거되고, 고순도 테레프탈산 및 고순도 나프탈렌디카복실산의 2염기산 혼합물은 조 테레프탈산용으로 공지된 정제 플랜트를 사용하여 제조된다. 다르게는, 고순도 나프탈렌디카복실산은 조 혼합물로부터 단리된다. 따라서, 공지된 공정에 의해 제조되는 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산은 본 발명에서 사용될 수 있다.
그러나, 도 3에 도시된 바와 같이, 조 나프탈렌디카복실산의 생산 라인은 조테레프탈산용 정제 플랜트의 업스트림측에 접속된다. 생산 라인에서 제조된 조 나프탈렌디카복실산은 조 테레프탈산용 정제 라인에 공급되므로, 조 테레프탈산 또는 조 나프탈렌디카복실산의 제조로부터 정제로의 단계가 이러한 조합된 설비에서 연속 수행될 수 있다. 조 나프탈렌디카복실산용 완충 저장기를 생산 라인에 제공하여 공급되는 조 나프탈렌디카복실산의 양을 조정할 수 있다.
본 발명에 따라 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산의 원료 혼합물로부터, 공지된 테레프탈산 정제 설비를 사용하여 고효율 저생산비용으로 고순도 테레프탈산 및 고순도 나프탈렌디카복실산의 혼합물을 제조할 수 있다. 또한, 상기 설비를 사용하여 고효율로 고순도 나프탈렌디카복실산을 제조할 수 있다.

Claims (10)

  1. (i) 조(組) 나프탈렌디카복실산 함량이 조 테레프탈산 함량의 0.1 내지 10질량%인 조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산의 원료 혼합물을 고온 고압의 물에 용해시켜 2염기산 용액을 형성하고, 형성된 2염기산 용액을 촉매의 존재하에서 수소와 접촉시키는 단계; 및
    (ii) 상기 2염기산 용액 중의 생성물을 각 단의 온도 및 압력을 강하시키면서 다단 결정화시키고, 고액 분리하여 나프탈렌디카복실산 풍부 산 혼합물 및/또는 테레프탈산 풍부 산 혼합물을 수득하는 단계를 포함하는
    고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    나프탈렌디카복실산 풍부 산 혼합물만이 단계 (ii)에서 분리되는 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    단계 (ii)에서 분리된 나프탈렌디카복실산 풍부 산 혼합물을 알콜계 용매로 세척하는 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    알콜계 용매가 메틸 알콜, 에틸 알콜 및 이소프로필 알콜로 이루어진 군으로부터 선택된 것중 하나 이상을 포함하는 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    2염기산 용액을, 단계 (i)에서 250 내지 320℃의 온도 및 40 내지 130atm의 압력에서 수소와 접촉시키는 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    단계 (i)에서 수소의 양이 원료 혼합물 중의 테레프탈산 및 나프탈렌디카복실산의 몰합량의 1 내지 10몰%인 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    촉매가 탄소 지지체상에 지지된 하나 이상의 VIII족 금속을 포함하는 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    하나 이상의 VIII족 금속이 Pd 및 Ru로부터 선택되는 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    하나 이상의 VIII족 금속의 양이 탄소 지지체의 0.03 내지 5.0질량%인 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    조 테레프탈산 및 조 나프탈렌디카복실산의 원료 혼합물이 p-크실렌 및 2,6-디메틸나프탈렌을 동시에 산화시킴으로써 제조되는 고순도 나프탈렌디카복실산의 제조방법.
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