JP2003126647A - 特殊ガスの除害方法及び装置 - Google Patents

特殊ガスの除害方法及び装置

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JP2003126647A JP2001323236A JP2001323236A JP2003126647A JP 2003126647 A JP2003126647 A JP 2003126647A JP 2001323236 A JP2001323236 A JP 2001323236A JP 2001323236 A JP2001323236 A JP 2001323236A JP 2003126647 A JP2003126647 A JP 2003126647A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体製造工場、液晶製造工場等から排出さ
れる排ガス中の特殊ガスを効率よく除害処理することが
でき、かつ、除害剤の性能向上を図りつつ、暴走反応を
抑制することができる特殊ガスの除害方法及び装置を提
供する。 【解決手段】 特殊ガスを含む排ガスを、水酸化第二銅
中の不純物の成分毎濃度がそれぞれ0.5重量%以下で
ある高純度水酸化第二銅を主成分とする第1除害剤14
に接触させた後、必要に応じて脱水剤と接触させてか
ら、金属酸化物、金属酸化水酸化物、金属炭酸塩、塩基
性金属炭酸塩のうち少なくとも1つの化合物を主成分と
する第2除害剤15に接触させることにより、排ガス中
に含まれるシラン、ホスフィン等の半導体製造工場で使
用される特殊ガスを除害する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、特殊ガスの除害方
法及び装置に関し、詳しくは、半導体製造工場、液晶製
造工場等から排出される特殊ガスを含有する排ガスを無
害化するための方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程において使用されるガス
には、シラン、アルシン、ホスフィン等の金属水素化物
やジクロルシラン、三フッ化ホウ素等の金属ハロゲン化
物のように人体に対して有毒なガスや空気中で自然発火
する性質を持つガス等、空気中にそのまま排出すると安
全上、重大な危険をもたらす特殊ガスが多く使用されて
いる。したがって、これらの特殊ガスを使用した後は、
安全に処理して許容濃度未満まで除害してから廃棄する
必要がある。
【0003】これらの特殊ガスを処理する方法は、いく
つか実用化されているが、近年最も多用されているの
は、除害剤と呼ばれる固形物を使用して特殊ガスを除去
する方法であり、これは乾式法との別称がある。最近、
この除害剤として、金属水酸化物系の除害剤、特に水酸
化第二銅(水酸化銅(II))、中でも結晶性水酸化第二銅
を主成分とする除害剤が、従来の金属酸化物系の除害剤
に比べて反応熱が小さく、除害反応時の発熱が低いこ
と、剤の処理能力が大きいこと、水素還元し難いことな
どを理由に着目されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、一般的に市販
されている工業用の水酸化第二銅は、不純物を数%、例
えば5%以上含んでおり、このような不純物を多量に含
む水酸化第二銅をそのまま前記除害剤として用いると、
含有する不純物の種類によっては、除害反応時の発熱が
高くなったり、嵩密度が小さくて単位体積当たりの除害
剤の充填量が小さくなるなどの不都合が一部に発生する
ときがあった。さらに、不純物、特に、リン酸、硫酸、
塩酸等の鉱酸成分及びリチウム、ナトリウム、カリウム
等のアルカリ金属成分を多く含んでいる水酸化第二銅
は、高温になると化学的に不安定となり、経時的に劣化
してしまうことがある。
【0005】また、半導体製造工程から排出される排ガ
スには様々な成分が混在しており、成分や流量が変化す
るのが一般的である。前記水酸化第二銅を除害剤として
使用した場合、設計値に対して排ガス中の特殊ガス濃度
が高くなったり、空塔速度が速くなったりすると、特殊
ガスに対する除害能力が若干低下するなどの不都合が発
生してしまうことがある。
【0006】そこで本発明は、半導体製造工場、液晶製
造工場等から排出される排ガス中の特殊ガスを効率よく
除害処理することができ、かつ、除害剤の性能向上を図
りつつ、暴走反応(除害剤が被処理ガス中の水素と反応
して高温の発熱を起こす反応)を抑制することができる
特殊ガスの除害方法及び装置を提供することを目的とし
ている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の特殊ガスの除害方法は、特殊ガスを含む排
ガスを、水酸化第二銅中の不純物の成分毎濃度がそれぞ
れ0.5重量%以下である高純度水酸化第二銅を主成分
とする第1除害剤に接触させた後、金属酸化物、金属酸
化水酸化物、金属炭酸塩、塩基性金属炭酸塩のうち少な
くとも1つの化合物を主成分とする第2除害剤に接触さ
せることを特徴としている。
【0008】本発明で除害対象となる特殊ガスは、前述
の通り、半導体製造工場、液晶製造工場等から排出され
る排ガス中に含まれている特殊ガスであって、例えば化
合物半導体製造工程やMOCVD装置、液晶製造装置で
使用され、排ガスとして排出される特殊ガスである。具
体的には、揮発性無機水素化物,揮発性無機ハロゲン化
物,有機金属化合物等であって、前記揮発性無機水素化
物としては、シラン,ジシラン,アルシン,ホスフィ
ン,ジボラン,ゲルマン,アンモニア,硫化水素,セレ
ン化水素等を挙げることができ、また、揮発性無機ハロ
ゲン化物としては、三フッ化ホウ素,三塩化ホウ素,四
フッ化ケイ素,ジクロルシラン,トリクロルシラン,四
塩化ケイ素,トリクロルアルシン,六フッ化タングステ
ン,四フッ化ゲルマン,三フッ化リン,四塩化チタン,
フッ素,塩素,フッ化水素,塩化水素,臭化水素,ヨウ
化水素等、ハロゲンガスも含む各種ガスを挙げることが
できる。
【0009】さらに、有機金属化合物としては、アルキ
ル基を含むものとして、ジメチル亜鉛,ジメチルカドミ
ウム,ジメチルテルル,ジエチル亜鉛,トリメチルアル
ミニウム,トリメチルガリウム,トリメチルインジウ
ム,トリメチルアルシン,トリメチルボロン,トリエチ
ルボロン,トリエチルアルミニウム,トリエチルガリウ
ム,トリエチルインジウム,トリエチルアルシン,テト
ラメチル錫,テトラエチル錫,ターシャリーブチルホス
フィン,ターシャリーブチルアルシン等を、アルコキシ
ド基を含むものとして、ジメトキシ亜鉛,トリブトキシ
ガリウム,トリメトキシボロン,トリエトキシボロン,
テトラメトキシシラン,テトラエトキシシラン,テトラ
メトキシゲルマン,テトラエトキシゲルマン,テトラタ
ーシャリーブトキシ錫,トリメトキシホスフィン,トリ
エトキシホスフィン,トリメトキシアルシン,トリエト
キシアルシン,テトラエトキシセレン,テトラメトキシ
チタン,テトラエトキシチタン,テトライソプロポキシ
チタン,テトライソプロポキシジルコニウム,テトラタ
ーシャリーブトキシジルコニウム,ペンタメトキシタン
タル,ペンタエトキシタンタル等をそれぞれ挙げること
ができる。
【0010】これらの有害な特殊ガスを除害するための
第1除害剤として、本発明では、不純物の成分毎濃度が
それぞれ0.5重量%以下の高純度水酸化第二銅であっ
て、好ましくは不純物の総量が5重量%以下、特に好ま
しくは、除害性能や水酸化第二銅の安定性に大きな影響
を与えるリン酸、硫酸、塩酸等の鉱酸成分及びナトリウ
ム、カリウム等のアルカリ金属成分の各成分含有量を、
それぞれ0.2重量%以下にした高純度水酸化第二銅を
使用する。
【0011】このように、不純物含有量が少ない高純度
水酸化第二銅を第1除害剤の主成分とすることにより、
例えばシランを除害処理する場合は、一般的な工業用水
酸化第二銅に比べて処理能力を6倍程度にまで高めるこ
とができる。また、ホスフィンを除害処理する場合には
発熱温度を低くすることができる。なお、不純物を低減
するための水酸化第二銅の精製処理は、任意の方法で行
うことができ、特に限定されるものではない。
【0012】さらに、高純度水酸化第二銅として、結晶
性の水酸化第二銅を使用することにより、非晶質のもの
に比べて温度に対する安定性を高めることができるの
で、有害成分の濃度が高く、反応熱が高い場合にも安定
的に使用できる。これにより、除害処理を行うカラム等
に特別な冷却構造を採用しなくても、安定した除害処理
を行うことができる。
【0013】また、このように不純物を少なくした高純
度水酸化第二銅は、銅含有量が60%以上と、水酸化第
二銅の一般品(銅含有量55〜58%程度)に比べて高
く、タップ密度も一般品の0.4〜0.5程度から0.
8以上と高くなっている。これにより、除害剤として使
用したときの単位量当たりの水酸化第二銅量が十%程度
増大し、充填密度が20〜30%向上し、圧壊強度も数
十%向上する。したがって、除害剤としての処理性能向
上が図れるとともに、取扱性も向上する。
【0014】一方、前記第2除害剤は、前述の通り、金
属酸化物、金属酸化水酸化物、金属炭酸塩、塩基性金属
炭酸塩のいずれか少なくとも一つの化合物を主成分とし
ている。金属酸化物としては、酸化第一銅、酸化第二
銅、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、二酸化チタ
ン、酸化クロム、二酸化マンガン、三酸化二マンガン、
酸化第一鉄、酸化ニッケル、酸化亜鉛、酸化アルミニウ
ム、二酸化ケイ素、酸化ルテニウム、酸化銀、酸化セリ
ウム、酸化オスミウム等の多くの金属酸化物が使用でき
る。また、金属酸化水酸化物としては、酸化水酸化マン
ガン、酸化水酸化鉄、酸化水酸化鉛、酸化水酸化モリブ
デン等を上げることができ、塩基性金属炭酸塩として
は、炭酸二水酸化二銅(塩基性炭酸銅)、塩基性炭酸
鉛、塩基性炭酸ニッケル、塩基性炭酸ベリリウム、炭酸
マンガン等を挙げることができる。
【0015】これらの金属酸化物、金属酸化水酸化物、
金属炭酸塩、塩基性金属炭酸塩は、それぞれ単独で使用
することもできるし、混合して使用することもでき、さ
らに、複数の層に積層して使用することもできる。例え
ば、三酸化二マンガンや塩基性炭酸銅と二酸化マンガン
や酸化第二銅とを混合したり、三酸化二マンガンや塩基
性炭酸銅の充填層の下流側に酸化第二銅や二酸化マンガ
ンの充填層を配置したりすることができる。
【0016】前記第1除害剤や第2除害剤は、これらを
粉末のまま、あるいは適当な形状に成形してそのまま用
いることもできるが、適宜な担体、例えば、シリカゲ
ル,アルミナ,珪藻土等の担体に担持させて使用するこ
とが好ましい。なお、塩基性金属炭酸塩は、排ガス中に
水素が大量に含まれている場合であっても還元されにく
いので、水素含有排ガスを処理する場合の第2除害剤と
して非常に有効である。特に、塩基性炭酸銅が最適であ
る。
【0017】このように、高純度水酸化第二銅を主成分
とする第1除害剤に接触させた後、続いて金属酸化物、
金属酸化水酸化物、金属炭酸塩、塩基性金属炭酸塩を主
成分とする第2除害剤に接触させることにより、排ガス
中の特殊ガスに対する除害処理能力が格段に向上すると
ともに、両剤の劣化を抑制することができ、長時間にわ
たって効率の良い除害処理が可能となる。
【0018】このようにして排ガスの除害処理を行う際
に、特殊ガスの種類や第2除害剤の種類によっては、上
流側の第1除害剤と排ガス(特殊ガス)とが接触反応し
て発生した水分により、下流側の第2除害剤が劣化する
ことがある。特に、特殊ガスを使用する最近のプロセス
では、特殊ガスを大量に、しかも長時間流すケースが増
えてきているので、第1除害剤と特殊ガスとの反応で発
生する水分は常時発生していることになり、下流側の第
2除害剤の表面が水分を多量に吸着して反応効率を損な
うことがある。
【0019】このような場合、第1除害剤との接触によ
り発生した水分を、シリカゲル、アルミナ、ゼオライト
等の脱水剤に接触させて除去してから第2除害剤に接触
させることにより、水分によって第2除害剤が劣化する
ことを防止でき、より安定した状態の除害処理を効率よ
く長時間継続させることができる。このとき、前記第1
除害剤に接触した後の排ガスを脱水剤に接触させてから
第2除害剤に接触させるようにしてもよく、脱水剤を第
1除害剤や第2除害剤に添加混合して共存状態にした
り、高純度水酸化第二銅等の除害剤成分の担体として使
用したりすることもできる。
【0020】さらに、前記高純度水酸化第二銅を、ベリ
リウム、マグネシウム、バナジウム、モリブデン、コバ
ルト、ニッケル、銅、亜鉛、ホウ素、アルミニウム、ケ
イ素、鉛、アンチモン、ビスマスの元素の群より選ばれ
た少なくとも1種の単体、または該元素の酸化物、水酸
化物(水酸化銅を除く)、炭酸塩、炭酸水素塩、塩基性
炭酸塩、酸化水酸化物、過酸化物、カルボン酸塩、オキ
シ酸塩の少なくとも一種からなる安定化剤、具体的に
は、マグネシウム、酸化マグネシウム、水酸化マグネシ
ウム、塩基性炭酸マグネシウム、アルミニウム、ケイ
素、水酸化ニッケル、亜鉛、一酸化鉛、酸化アンチモ
ン、酸化ビスマス、炭酸コバルト、酸化ホウ素、ホウ酸
等の安定化剤と共存させることにより、高純度水酸化第
二銅の劣化や熱分解反応を抑制して初期性能を長時間維
持することができ、安定した除害処理を行うことができ
る。
【0021】高純度水酸化第二銅への安定化剤の添加量
は、安定化剤の種類によって多少異なるが、通常は、高
純度水酸化第二銅に対して0.01〜10重量%程度が
適当であり、添加量が多すぎると水酸化第二銅の除害能
力を損なうことがあり、少なすぎると十分な安定化効果
を得ることができなくなる。なお、この安定化剤は、前
記脱水剤と共に高純度水酸化第二銅中に共存していても
よい。
【0022】
【発明の実施の形態】図1乃至図3は、本発明装置の各
形態例を示す概略系統図である。まず、図1に示す第1
形態例は、特殊ガスを含む排ガスが導入されるガス導入
口11と、処理ガスが導出されるガス導出口12とを有
するカラム13内に、前記導入口側に前記高純度水酸化
第二銅を主成分とする前記第1除害剤14を充填すると
ともに、前記導出口側に前記第2除害剤15を充填した
ものである。
【0023】図2に示す第2形態例は、前記カラム13
における第1除害剤14と第2除害剤15との間に脱水
剤16を充填したものである。また、図3に示す第3形
態例は、前記カラム13における前記導入口側に前記高
純度水酸化第二銅を主成分とする第1除害剤と脱水剤と
を共存させた処理剤17を充填したものである。
【0024】前記第1除害剤は、前述のように、高純度
水酸化第二銅と安定化剤とが共存しているものであって
もよく、高純度水酸化第二銅と脱水剤及び安定化剤とが
共存しているものであってもよい。また、各形態例で
は、一つのカラムに第1除害剤や第2除害剤を層状に充
填したが、第1除害剤と第2除害剤、あるいは、第1除
害剤と脱水剤と第2除害剤とを別のカラムに充填して配
管で接続するようにしてもよい。
【0025】このように形成した特殊ガスの除害装置
は、前記導入口11からカラム13内に特殊ガスを含む
排ガスを導入することにより、排ガス中の特殊ガスを上
流側の高純度水酸化第二銅を主成分とする第1除害剤で
処理した後、下流側の第2除害剤で仕上げ処理を行うの
で、特殊ガスを十分に処理したガスを前記導出口12か
ら導出することができる。
【0026】
【実施例】実施例1 まず、第1除害剤、第2除害剤、脱水剤及び特殊ガスと
して下記のものを用意した。なお、成形品とは、転動造
粒機で直径3mmの大きさに造粒したものである。ま
た、処理後のガス中に含まれる特殊ガス量が各ガスの許
容濃度に達するまでの試験ガスの導入量から剤1kg当
たりの特殊ガス処理量[L/kg]を算出し、これを処
理能力とした。
【0027】前記第1除害剤としては、比較として市販
の水酸化第二銅の成型品(A)、不純物の成分毎濃度が
それぞれ0.5重量%以下になるように精製した高純度
結晶性水酸化第二銅の成形品(B)、第2除害剤として
酸化第二銅の成形品(C)、脱水剤としてシリカゲル
(S)をそれぞれ用意した。また、特殊ガスには、シラ
ン(許容濃度5ppm)、アルシン(許容濃度0.05
ppm)、ホスフィン(許容濃度0.3ppm)及びタ
ーシャリーブチルアルシン(TBA:許容濃度0.02
5ppm(含有する砒素の許容濃度からの換算値))を
それぞれ用意した。
【0028】除害処理を行うときの試験ガスとしては、
窒素ベースで前記特殊ガス成分濃度1%、流量1リット
ル/分とした第1試験ガス(G1)と、窒素ベースで前
記特殊ガス成分濃度5%、流量5リットル/分とした第
2試験ガス(G2)とを調製した。また、第1除害剤等
を充填するカラムには内径43mmのものを用意した。
【0029】カラム内に、市販の水酸化第二銅(A)
(充填高さ250mm)と酸化第二銅(C)(充填高さ
50mm)とを層状に充填したもの(図1参照)、高純
度結晶性水酸化第二銅(B)(充填高さ250mm)と
酸化第二銅(C)(充填高さ50mm)とを層状に充填
したもの(図1参照)、高純度結晶性水酸化第二銅
(B)(充填高さ215mm)と脱水剤(S)(充填高
さ42.5mm)と酸化第二銅(C)(充填高さ42.
5mm)とを層状に充填したもの(図2参照)の3種に
ついて、両試験ガスを用いて各特殊ガスに対する処理能
力を測定した。その結果を表1に示す。
【0030】
【表1】
【0031】実施例2 実施例1と同様にして第1除害剤(B)を高さ250m
mで充填したカラムの下流側に、表2に示すように、金
属酸化物、金属酸化水酸化物、金属炭酸塩、塩基性金属
炭酸塩等の第2除害剤を高さ50mmで充填し、ここに
第2試験ガス(G2)の条件でシランを含むガスを導入
し、各処理能力を測定した。その結果を表2に示す。
【0032】
【表2】
【0033】実施例3 高純度結晶性水酸化第二銅(B)に、表3に示す各種物
質と水とを加えてよく混合した後、転動造粒機にて直径
3mmの大きさに造粒し、高純度結晶性水酸化第二銅と
各種物質とが共存した状態の第1除害剤を作成した。な
お、特記した以外の各物質の添加量は0.5重量%であ
る。得られた各第1除害剤を100℃に保持して青色か
ら黒色への変色状態を調べた。なお、水酸化第二銅自体
は青色であるが、高温下では徐々に酸化銅に変化して黒
色となる。変色時間の測定結果を表3に示す。
【0034】
【表3】
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、あらか
じめ高純度な水酸化第二銅を主成分とする第1除害剤に
特殊ガスを含む排ガスを接触させて前処理的に特殊ガス
の除害処理を行い、ある程度特殊ガス成分が低減したガ
スを、金属酸化物、金属酸化水酸化物、金属炭酸塩、塩
基性金属炭酸塩を主成分とする第2除害剤に接触させて
仕上げ処理を行うようにしたので、単独でこれらの剤を
使用する場合と比較して長時間使用することが可能とな
る。そして使用条件によって第1除害剤で十分に除害処
理を行うことができなかった場合でも、下流側の第2除
害剤によって確実に特殊ガス成分を極微量にまで処理す
ることができる。したがって、特殊ガス成分を含む排ガ
ス、特に半導体製造工場から排出されるアルシン、ホス
フィン、シラン、ジクロルシラン、ターシャリーブチル
アルシン等の特殊ガス成分を含む排ガスを効率よく除害
処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の特殊ガス除害装置の第1形態例を示
す概略系統図である。
【図2】 本発明の特殊ガス除害装置の第2形態例を示
す概略系統図である。
【図3】 本発明の特殊ガス除害装置の第3形態例を示
す概略系統図である。
【符号の説明】
11…ガス導入口、12…ガス導出口、13…カラム、
14…第1除害剤、15…第2除害剤、16…脱水剤、
17…処理剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新田 昭彦 東京都港区西新橋1−16−7 日本酸素株 式会社内 (72)発明者 小関 修一 東京都港区西新橋1−16−7 日本酸素株 式会社内 (72)発明者 万行 大貴 東京都港区西新橋1−16−7 日本酸素株 式会社内 (72)発明者 小野 宏之 東京都港区西新橋1−16−7 日本酸素株 式会社内 (72)発明者 増崎 宏 東京都港区西新橋1−16−7 日本酸素株 式会社内 Fターム(参考) 4D002 AA22 AA26 AA27 AA31 AC10 BA05 BA06 BA12 CA07 DA06 DA11 DA12 DA14 DA16 DA19 DA21 DA23 DA46 GA01 GB08

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 特殊ガスを含む排ガスを、水酸化第二銅
    中の不純物の成分毎濃度がそれぞれ0.5重量%以下で
    ある高純度水酸化第二銅を主成分とする第1除害剤に接
    触させた後、金属酸化物、金属酸化水酸化物、金属炭酸
    塩、塩基性金属炭酸塩のうち少なくとも1つの化合物を
    主成分とする第2除害剤に接触させることを特徴とする
    特殊ガスの除害方法。
  2. 【請求項2】 前記排ガスを、第1除害剤に接触させた
    後、脱水剤に接触させてから前記第2除害剤に接触させ
    ることを特徴とする請求項1記載の特殊ガスの除害方
    法。
  3. 【請求項3】 前記第1除害剤は、前記高純度水酸化第
    二銅と、ベリリウム、マグネシウム、バナジウム、モリ
    ブデン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ホウ素、アル
    ミニウム、ケイ素、鉛、アンチモン、ビスマスの元素の
    群より選ばれた少なくとも1種の単体、または該元素の
    酸化物、水酸化物(水酸化銅を除く)、炭酸塩、炭酸水
    素塩、塩基性炭酸塩、酸化水酸化物、過酸化物、カルボ
    ン酸塩、オキシ酸塩の少なくとも一種からなる安定化剤
    とが共存していることを特徴とする請求項1記載の特殊
    ガスの除害方法。
  4. 【請求項4】 前記第1除害剤は、前記高純度水酸化第
    二銅と脱水剤とが共存していることを特徴とする請求項
    1記載の特殊ガスの除害方法。
  5. 【請求項5】 前記不純物が、リン酸、硫酸、塩酸等の
    鉱酸成分及びリチウム、ナトリウム、カリウム等のアル
    カリ金属成分であることを特徴とする請求項1記載の特
    殊ガスの除害方法。
  6. 【請求項6】 前記不純物の総量が、5重量%以下であ
    ることを特徴とする請求項1記載の特殊ガスの除害方
    法。
  7. 【請求項7】 前記高純度水酸化第二銅は、結晶性の水
    酸化第二銅であることを特徴とする請求項1記載の特殊
    ガスの除害方法。
  8. 【請求項8】 特殊ガスを含む排ガスが導入される導入
    口と、処理ガスが導出される導出口とを有するカラム内
    に、前記導入口側に水酸化第二銅中の不純物の成分毎濃
    度がそれぞれ0.5重量%以下である高純度水酸化第二
    銅を主成分とする第1除害剤を充填するとともに、前記
    導出口側に金属酸化物、金属酸化水酸化物、金属炭酸
    塩、塩基性金属炭酸塩のうち少なくとも1つの化合物を
    主成分とする第2除害剤を充填したことを特徴とする特
    殊ガスの除害装置。
  9. 【請求項9】 前記第1除害剤と前記第2除害剤との間
    に、脱水剤が充填されていることを特徴とする請求項8
    記載の特殊ガスの除害装置。
  10. 【請求項10】 前記第1除害剤は、前記高純度水酸化
    第二銅と、ベリリウム、マグネシウム、バナジウム、モ
    リブデン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ホウ素、ア
    ルミニウム、ケイ素、鉛、アンチモン、ビスマスの元素
    の群より選ばれた少なくとも1種の単体、または該元素
    の酸化物、水酸化物(水酸化銅を除く)、炭酸塩、炭酸
    水素塩、塩基性炭酸塩、酸化水酸化物、過酸化物、カル
    ボン酸塩、オキシ酸塩の少なくとも一種からなる安定化
    剤とが共存していることを特徴とする請求項8記載の特
    殊ガスの除害装置。
  11. 【請求項11】 前記第1除害剤は、前記高純度水酸化
    第二銅と脱水剤とが共存していることを特徴とする請求
    項8記載の特殊ガスの除害装置。
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