JP2003107118A

JP2003107118A - コンデンサの良否判定方法

Info

Publication number: JP2003107118A
Application number: JP2001304806A
Authority: JP
Inventors: Osami Yamada; 修身山田; Kiyoshi Nakagawa; 潔中川
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-10-01
Filing date: 2001-10-01
Publication date: 2003-04-09
Anticipated expiration: 2021-10-01
Also published as: JP3925136B2

Abstract

(57)【要約】【課題】迅速でかつ信頼性の高い、コンデンサの良否
判定方法を提供する。【解決手段】予備充電工程１１において、測定電圧印
加工程１３における測定用直流電圧より高い予備充電用
直流電圧をコンデンサに印加して予備充電し、次いで、
放電工程１２において、放電するが、過充電の状態を維
持したまま、測定電圧印加工程１３において、測定用直
流電圧を印加しながら、コンデンサに流れる電流挙動を
評価する電流挙動評価工程１４を実施する。この電流挙
動評価工程１４では、予備充電工程１１において充電さ
れた電荷による電流と測定用直流電圧による電流との差
し引きによって、コンデンサが良品の場合には、電流が
ほとんど流れないか、測定用直流電圧に対して負の電流
が流れ、コンデンサが不良品の場合には、測定用直流電
圧に対して正の電流が流れることに基づいて、コンデン
サの良否を判定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、コンデンサの良
否判定方法に関するもので、特に、良否判定の能率化お
よび信頼性の向上を図るための改良に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】たとえば積層セラミックコンデンサは、
その製造過程において、空隙や内部電極とセラミック層
との剥がれなどの欠陥が生じるという問題に遭遇するこ
とがある。これらの欠陥の大部分は、得られた積層セラ
ミックコンデンサの絶縁抵抗を測定することによって検
出することができ、したがって、このような絶縁抵抗の
評価に基づいて、良品となるべき積層セラミックコンデ
ンサを選別することが可能である。

【０００３】一般に、コンデンサの絶縁抵抗についての
良否を判定するため、図９に示すような手順が採用され
ている。

【０００４】図９を参照して、まず、コンデンサに所定
の測定用直流電圧を印加する測定電圧印加工程１が実施
される。ついで、測定電圧印加工程１において十分に充
電された後のコンデンサの漏れ電流を測定することによ
って、コンデンサの絶縁抵抗を測定する絶縁抵抗測定工
程２が実施される。この絶縁抵抗の測定方法としては、
ＪＩＳ−Ｃ５１０２で規定されている方法が知られてい
る。

【０００５】しかしながら、図９に示した方法では、測
定電圧印加工程１において、コンデンサを十分な充電状
態とするため、比較的長い時間が必要であり、そのた
め、絶縁抵抗測定工程２を終えるまでの時間が比較的長
くなるという問題がある。

【０００６】上記の充電時間についてより詳細に検討す
ると、コンデンサの等価回路は、良品では、図６に示す
ように、静電容量の主成分Ｃ₀、内部抵抗ｒ、絶縁抵抗
Ｒ₀および誘電吸収成分Ｄをもって構成される。誘電吸
収成分Ｄは、静電容量Ｃ₁および抵抗ｒ₁から構成され
る。

【０００７】コンデンサに備える誘電体として強誘電体
を用い、さらに誘電吸収成分Ｄが大きい場合には、測定
電圧印加工程１において十分な充電状態を得るには、た
とえば２分間以上の長い時間を必要とする。

【０００８】この問題を解決するのに有効な方法が、特
開平１０−２４６７４６号公報に記載されている。この
公報に記載された方法が、図１０に示されている。

【０００９】この方法では、図１０に示すように、予備
充電工程３、放電工程４、測定電圧印加工程５および絶
縁抵抗測定工程６が順次実施される。

【００１０】予備充電工程３では、後の測定電圧印加工
程５において印加される測定用直流電圧より高い予備充
電用直流電圧がコンデンサに印加される。これによっ
て、図６に示した誘電吸収成分Ｄに対する充電を短時間
のうちに達成し、それによって、測定電圧印加工程５に
おいて十分な充電状態を得るための時間の短縮を図って
いる。

【００１１】図１０に示した方法では、予備充電工程３
と測定電圧印加工程５との間に放電工程４を設けること
が、充電の高速化にとって重要であり、このことが、特
開平１０−２４６７４６号公報において提案された発明
の主要な特徴的構成となっている。このことを、図４を
参照して説明する。

【００１２】図４は、簡単に言えば、放電工程４を実施
する放電時間をパラメータとして、測定電圧印加工程を
開始してからの時間に対する、コンデンサに流れる電流
の変化を示したものである。

【００１３】図４において、「予備充電なし」は、図９
に示した方法に対応している。この場合には、図４に示
した範囲から右側に外れた領域で明確に現れるものであ
るが、この外れた領域で平坦となり、十分な充電状態が
達成され、この平坦な部分で絶縁抵抗測定工程２が実施
されることになる。

【００１４】他方、図４において、たとえば「放電１
秒」は、図１０に示した放電工程４が１秒間実施された
ことを示しており、この場合には、上述した「予備充電
なし」に比べて、より早く平坦になり、より早く十分な
充電状態が達成されていることがわかる。したがって、
絶縁抵抗測定工程６をより早い時点で実施することがで
きる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上述した図１０に示し
た方法のように、予備充電工程３を実施し、測定電圧印
加工程５における測定用直流電圧より高い予備充電用直
流電圧を印加して、コンデンサの誘電吸収成分Ｄでの予
備充電を行なうと、測定電圧印加工程５において、誘電
吸収成分Ｄに測定用直流電圧より高い電圧が残っている
と、絶縁抵抗測定工程６において、真の電流値より小さ
い電流値を測定してしまうことになり、不良品を良品と
間違える可能性が高くなる。これを避けるためには、放
電工程４において、放電を十分に行なう必要がある。

【００１６】しかしながら、誘電吸収成分Ｄの時定数が
比較的大きいため、放電回路のインピーダンスを低く設
定しても、放電にはある程度の時間を要し、したがっ
て、測定電圧印加工程５に入るまでに比較的長い時間待
たなければならない。このようなことから、結局、予備
充電工程３において、誘電吸収成分Ｄへの過充電が生じ
ない条件を選ばなければならないことになり、絶縁抵抗
の測定時間の短縮化に対する制約となっている。

【００１７】また、絶縁抵抗測定工程６においては、微
小な電流値を測定しなければならない。特に、対象とな
るコンデンサが積層セラミックコンデンサの場合、近年
の積層セラミックコンデンサの大容量化に伴って、セラ
ミック層の厚みが数μｍ、たとえば３μｍというように
薄層化され、それに従って、定格電圧が低くなり、その
ため、測定電圧印加工程５における測定用直流電圧も低
くしなければならず、この理由によっても、検出される
べき電流値が小さくなってきている。

【００１８】なお、低い定格電圧にかかわらず、高い電
圧値で絶縁抵抗を測定することも考えられるが、測定用
直流電圧が高くなると、セラミック層の厚みが薄いため
に電界強度も高くなり、良品のコンデンサであっても、
破壊に至ることがある。

【００１９】このようなことから、測定用直流電圧をそ
れほど高くすることができず、したがって、微小な電流
値を測定しなければならないため、良品と不良品との間
での絶縁抵抗値の差が小さくなり、その結果、良品と不
良品との判別が困難になっている。

【００２０】上述の問題は、図１０に示した方法に限ら
ず、図９に示した方法においても遭遇する。

【００２１】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る、コンデンサの良否判定方法を提供
しようとすることである。

【００２２】

【課題を解決するための手段】この発明は、コンデンサ
に所定の測定用直流電圧を印加する測定電圧印加工程
と、測定電圧印加工程において、コンデンサに流れる電
流を評価することによって、コンデンサの絶縁抵抗につ
いての良否を判定する、電流挙動評価工程とを備える、
コンデンサの良否判定方法に向けられるものであって、
次のような構成を備えることを特徴としている。

【００２３】この発明に係るコンデンサの良否判定方法
では、上述した測定電圧印加工程の前に、測定用直流電
圧より高い予備充電用直流電圧をコンデンサに印加する
予備充電工程と、次いで、コンデンサを放電する放電工
程とが実施され、放電工程における放電度合いが次のよ
うに設定される。

【００２４】すなわち、測定電圧印加工程において測定
用直流電圧を印加したとき、予備充電工程において充電
された電荷による電流と測定用直流電圧による電流との
差し引きによって、コンデンサが良品の場合には、電流
がほとんど流れないか、測定用直流電圧に対して負の電
流が流れ、コンデンサが不良品の場合には、測定用直流
電圧に対して正の電流が流れるように、放電工程におけ
る放電度合いが設定される。

【００２５】この発明において、電流挙動評価工程で
は、コンデンサに流れる電流の方向を判別することによ
って、測定用直流電圧に対して負の電流が流れていると
き、良品と判定し、測定用直流電圧に対して正の電流が
流れているとき、不良品と判定したり、あるいは、コン
デンサに流れる電流値を測定することによって、不良品
における電流値の１／１０以下であるものを良品と判定
したりすることができる。

【００２６】上述した放電工程における放電度合いは、
好ましくは、放電時間によって制御される。

【００２７】また、この発明にかかるコンデンサの良否
判定方法は、積層セラミックコンデンサの良否判定方法
において特に有利に適用される。

【００２８】

【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態に
よるコンデンサの良否判定方法に備える工程を示す、図
９または図１０に相当する図である。

【００２９】この実施形態による良否判定方法は、図１
に示すように、予備充電工程１１、放電工程１２、測定
電圧印加工程１３および電流挙動評価工程１４を備えて
いる。

【００３０】図２は、この実施形態において印加される
電圧と時間との関係を示している。図２において、Ｅｐ
は予備充電用直流電圧を示し、Ｅｍは測定用直流電圧を
示している。また、Ｔｐは、予備充電工程１１を実施す
る予備充電時間を示し、Ｔｄは、放電工程１２を実施す
る放電時間を示し、Ｔｍは、測定電圧印加工程１３を実
施する測定電圧印加時間を示している。

【００３１】図１および図２に示すような良否判定方法
を実施するため、たとえば、図３に示すような電流測定
装置１５が用いられる。この電流測定装置１５は、本件
特許出願人が特願平７−２９３４４２号（特開平９−１
１３５４５号）において提案したものである。

【００３２】電流特定装置１５は、直流測定電源１６お
よび１７、スイッチ１８、測定されるべきコンデンサ１
９、制限抵抗２０、対数増幅器２１、計測用増幅器２
２、Ａ／Ｄ変換器２３および２４、ならびに演算処理装
置（ＣＰＵ）２５を備えている。

【００３３】充電初期においては、計測用増幅器２２に
よって電流値を計測し、所定のしきい値に達すると、対
数増幅器２１に切り替え、それ以後は、対数増幅器２１
によって電流値を計測する。

【００３４】この電流測定装置１５は、コンデンサ１９
の充電電流が幅広いレンジで変化しても、正確に電流値
を測定することができるので、充電初期から充電終期ま
での電流値を連続的に計測することができる。

【００３５】スイッチ１８は、ＣＰＵ２５によって切り
替えられ、コンデンサ１９には、直流測定電源１６およ
び１７のいずれか一方からの直流電圧が印加される。こ
こで、直流測定電源１６からの電圧は、予備充電用直流
電圧Ｅｐに設定され、直流測定電源１７からの電圧は、
測定用直流電圧Ｅｍに設定される。

【００３６】また、スイッチ１８は、放電工程１２を実
施するときには、アースに接続された接点に導通するよ
うに切り替えられる。

【００３７】なお、図１および図２に示した方法を実施
するため、図３に示した電流測定装置１５以外の電流測
定装置を用いることもできる。すなわち、互いに異なる
少なくとも２つの直流電圧をコンデンサに印加するため
の回路とコンデンサを放電するための回路とを備えるも
のであれば、どのような電流測定装置であって、これを
用いることができる。

【００３８】この実施形態では、図１および図２に示す
ように、まず、測定電圧印加工程１３において印加され
る測定用直流電圧Ｅｍより高い予備充電用直流電圧Ｅｐ
をコンデンサに印加する予備充電工程１１が実施され
る。これによって、図６に示した誘電吸収成分Ｄが意図
的に過充電の状態にされる。

【００３９】次に、放電工程１２が実施される。この放
電工程１２では、放電時間Ｔｄを制御することにより、
次の測定電圧印加工程１３においても、上述の過充電の
状態を維持するようにされる。

【００４０】次に、測定電圧印加工程１３において、コ
ンデンサに測定用直流電圧Ｅｍが印加され、この測定電
圧印加工程１３の途中の適当な段階で、電流挙動評価工
程１４が実施される。

【００４１】電流挙動評価工程１４では、誘電吸収成分
Ｄの過充電状態を利用して、コンデンサに流れる電流が
評価される。すなわち、コンデンサの誘電吸収成分Ｄに
おいて充電された電荷による電流は、測定用直流電圧Ｅ
ｍに対して負の電流であり、そのため、予備充電工程１
１において充電された電荷による電流と測定用直流電圧
Ｅｍによる電流との差し引きによって、測定電圧印加工
程１３では、コンデンサに電流がほとんど流れないか、
測定用直流電圧Ｅｍに対して負の電流が流れる状態が得
られる。

【００４２】上述のことは、コンデンサが良品である場
合に当てはまるものが、コンデンサが不良品の場合に
は、図７に示すように、不良部分による抵抗Ｒ_dが並列
に挿入された等価回路が構成される。したがって、不良
品の場合には、不良部分による抵抗Ｒ_dを流れる電流が
大きくなるため、測定電圧印加工程１３において、コン
デンサには、測定用直流電圧Ｅｍに対して正の電流が流
れる。

【００４３】このようなことから、測定電圧印加工程１
３において、コンデンサが良品の場合に測定用直流電圧
Ｅｍに対して負の電流が流れる場合には、電流挙動評価
工程１４において、コンデンサに流れる電流の方向を判
定するようにすれば、測定用直流電圧Ｅｍに対して負の
電流が流れているとき、良品と判定し、測定用直流電圧
Ｅｍに対して正の電流が流れているとき、不良品と判定
することができる。

【００４４】他方、測定電圧印加工程１３において、コ
ンデンサが良品の場合に、測定用直流電圧Ｅｍに対して
負の電流が流れるだけでなく、正の電流がわずかに流れ
ることがある状況の下では、電流挙動評価工程１４にお
いて、コンデンサに流れる電流値を測定し、この測定結
果から、たとえば、不良品における電流値の１／１０以
下であるものを良品と判定すればよい。

【００４５】上述したいずれの判定方法によっても、判
定の感度を上げることが容易であり、誤り率の低い判定
が可能である。

【００４６】図１および図２に示した各工程において、
好ましい特定的な実施例では、予備充電用直流電圧Ｅｐ
は、測定用直流電圧Ｅｍの２倍以上かつ１０倍以下とさ
れ、放電時間Ｔｄは予備充電時間Ｔｐの５０％以下とさ
れ、かつ１０秒間以下とされ、また、測定用直流電圧Ｅ
ｍは２０Ｖ以下とされる。

【００４７】前述した図４を再び参照する。図４は、Ｅ
ｐ＝４０ＶＤＣ、Ｔｐ＝１．０秒、Ｅｍ＝６．３ＶＤＣ
とした条件下で、放電時間Ｔｄをパラメータとして、測
定電圧印加時間Ｔｍに対する、測定電圧印加工程１３に
おけるコンデンサに流れる電流Ｉｍの変化を示したもの
である。ここで用いたコンデンサは、ニッケルを主成分
とする内部電極を備え、ＪＩＳによる温度特性Ｂの積層
セラミックコンデンサであって、静電容量が１０μＦの
ものである。

【００４８】図４を参照して、前述したように、「予備
充電なし」は図９に示した方法に対応し、「放電１秒」
は、図１０に示した方法に対応している。

【００４９】これに対して、放電時間Ｔｄを、「放電
０．５秒」、「放電０．２秒」、「放電０．１秒」とい
うように、より短くしていくと、電流Ｉｍはより急激に
低下していることがわかる。図４において、縦軸の電流
Ｉｍは、対数目盛で示しているが、「放電０．５秒」以
下の場合、実際には、測定用直流電圧Ｅｍとは逆方向の
負の電流が現れている。

【００５０】図６を再び参照して、静電容量の主成分Ｃ
₀を有するコンデンサの充電時間は、この等価回路のイ
ンピーダンスによって決まる。通常、コンデンサの充電
は５０ｍＡの電流に制限されるので、これを基準に適当
な回路インピーダンスを設定すると、時定数は数ｍ秒程
度となる。他方、Ｃ₁−ｒ₁成分すなわち誘電吸収成分
Ｄは、前述したように、強誘電体特有のものであり、時
定数は十数秒から数十秒に達し、充電するのに非常に長
い時間を要する。

【００５１】図４において「放電０．５秒」以下のパラ
メータにおいて、電流Ｉｍが急激な減少を示している理
由は、図６の誘電吸収成分Ｄが、測定用直流電圧Ｅｍよ
り高い予備充電用直流電圧Ｅｐで充電され、その後の放
電工程１２において、測定用直流電圧Ｅｍと同レベルに
なる前に放電が終了されたためである。

【００５２】図５は、積層セラミックコンデンサの特定
のセラミック層に欠陥を有する不良品と良品とについ
て、図４と同様の方法で測定電圧印加時間Ｔｍとコンデ
ンサに流れる電流Ｉｍとの関係を示したものである。図
５に示したデータは、Ｅｐ＝４０ＶＤＣ、Ｔｄ＝０．２
５秒、Ｅｍ＝６．３ＶＤＣの条件の下で求められたもの
である。

【００５３】図５からわかるように、良品と不良品とを
比較すれば、約１秒以降において大きな差が現れてい
る。したがって、このように現れた大きな差を利用すれ
ば、良品と不良品とを誤ることなく判別することができ
る。

【００５４】たとえば図５において、良品は約１秒を越
えたところで電流が下降して消えているが、この後、一
旦、０より下のところで平坦になり、負の電流がなくな
ったところで、正の電流位置に回復して、そこで再び平
坦になる。この０より下のところで平坦になった時点で
電流Ｉｍを測定すれば、良品では負の電流が流れている
ことから、正の電流が流れている不良品との判別をより
確実に行なうことができる。

【００５５】不良品において、誘電吸収成分Ｄでの十分
な放電を行なわなくても、ほぼ正しい絶縁抵抗の評価が
可能である理由を説明する。

【００５６】不良品は、前述したように、図７に示すよ
うな等価回路で表される。誘電吸収成分Ｄでの放電が測
定用直流電圧Ｅｍに達しない条件で、測定電圧印加工程
１３において測定用直流電圧Ｅｍを印加しながら、電流
挙動評価工程１４において電流を評価しても、不良部分
に流れる電流値が誘電吸収成分Ｄにおける負の電流値よ
り十分大きければ、不良品を判別することが可能であ
る。

【００５７】すなわち、図２に示した予備充電用直流電
圧Ｅｐ、予備充電時間Ｔｐ、放電時間Ｔｄおよび測定用
直流電圧Ｅｍを、上述のように、不良品の絶縁抵抗の評
価に影響しない範囲であって、良品に対してのみ誘電吸
収成分Ｄにおける負の電流が影響する範囲で設定するこ
とにより、図５に示すように、良品と不良品との間での
特性差を拡大することができる。

【００５８】上述した予備充電用直流電圧Ｅｐ、予備充
電時間Ｔｐ、放電時間Ｔｄおよび測定用直流電圧Ｅｍの
各々の好ましい条件は、実験によって求めることがで
き、図８には、その一例が示されている。

【００５９】図８は、良品に対してのみ誘電吸収成分Ｄ
における負の電流が影響し得る範囲を示すもので、より
具体的には、測定用直流電圧Ｅｍをパラメータとし、予
備充電用電圧Ｅｐに対する、好ましい放電時間Ｔｄの上
限値を示している。この図８に示したデータを得るため
の実験において、予備充電時間Ｔｐは１．０秒間とし
た。

【００６０】図８に示すような上限値を超える放電時間
Ｔｄを採用すると、図１０を参照して説明した特開平１
０−２４６７４６号公報に記載されたように、測定電圧
印加工程５を時間短縮しながら、絶縁抵抗測定工程６を
実施することができる。

【００６１】逆に、図８に示した上限値以下の放電時間
Ｔｄを採用すれば、この発明に係る良否判定方法を実施
でき、良品と不良品とを、より短時間で、かつより正確
に判別することができる。

【００６２】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、測定
電圧印加工程の前に測定用直流電圧より高い予備充電用
直流電圧をコンデンサに印加する予備充電工程と、次い
で、コンデンサを放電する放電工程とを実施しながら、
測定電圧印加工程において測定用直流電圧を印加したと
き、予備充電工程において充電された電荷による電流と
測定用直流電圧による電流との差し引きによって、コン
デンサが良品の場合には、電流がほとんど流れないか、
測定用直流電圧に対して負の電流が流れ、コンデンサが
不良品の場合には、測定用直流電圧に対して正の電流が
流れるように、放電工程における放電度合いが設定され
るので、微小な電流値を測定して絶縁抵抗値を求めるの
ではなく、測定電圧印加工程における負の電流による電
流の挙動の差によって、良品と不良品との判別を行なう
ことができ、したがって、誤りなく確実にコンデンサの
良否判定を行なうことができる。

【００６３】また、絶縁抵抗値の測定の場合には、測定
電圧印加工程において充電が十分に進むまで、絶縁抵抗
値の測定を待たなければならないが、この発明によれ
ば、充電が十分に進なくても、電流の挙動差を生じさせ
ることができるので、早い段階で良否判定を行なうこと
ができる。

【００６４】電流挙動評価工程において、コンデンサに
流れる電流の方向を判定するようにし、測定用直流電圧
に対して負の電流が流れているとき、良品と判定し、測
定用直流電圧に対して正の電流が流れているとき、不良
品と判定するようにすれば、微小な電流値を高精度に測
定する必要がないので、たとえば、電流増幅回路やＳ／
Ｎ比の向上のためのフィルタ回路等を必要とせず、簡単
なコンパレータ回路等によって、誤りなく正確に良否を
判定することが可能となる。

【００６５】他方、電流挙動評価工程において、コンデ
ンサに流れる電流値を測定し、不良品における電流値の
１／１０以下であるものを良品と判定するようにした場
合であっても、良品と不良品との差が大きいため、微小
な電流値を高精度に測定する必要がなく、上述の場合と
同様、簡単なコンパレータ回路等を用いて、誤りなく正
確に良否判定を行なうことができる。

【００６６】この発明において、放電工程における放電
度合いを制御するため、放電時間を制御するようにすれ
ば、放電度合いの制御を簡易にかつ高い信頼性をもって
行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態によるコンデンサの良否
判定方法に備える工程を順次示す図である。

【図２】図１に示した予備充電工程１１、放電工程１２
および測定電圧印加工程１３の各々においてコンデンサ
に印加される電圧と時間との関係を説明するための図で
ある。

【図３】この発明において用いられる電流測定装置の一
例を示す回路図である。

【図４】図２に示した放電時間Ｔｄをパラメータとし
て、測定電圧印加時間Ｔｍに対する、コンデンサに流れ
る電流Ｉｍの変化を示す図である。

【図５】図４に相当する図であって、特定の放電時間Ｔ
ｄを採用したときの測定電圧印加時間Ｔｍに対する、コ
ンデンサに流れる電流Ｉｍの変化を示す図である。

【図６】良品としてのコンデンサの等価回路図である。

【図７】不良品としてのコンデンサの等価回路図であ
る。

【図８】測定用直流電圧Ｅｍをパラメータとして、この
発明において採用される予備充電用電圧Ｅｐと放電時間
Ｔｄの上限値との関係を示す図である。

【図９】この発明にとって興味ある第１の従来技術によ
るコンデンサの良否判定方法に備える工程を示す図であ
る。

【図１０】この発明にとって興味ある第２の従来技術に
よるコンデンサの良否判定方法に備える工程を示す図で
ある。

【符号の説明】

１１予備充電工程１２放電工程１３測定電圧印加工程１４電流挙動評価工程Ｅｐ予備充電用直流電圧Ｅｍ測定用直流電圧Ｔｐ予備充電時間Ｔｄ放電時間Ｔｍ測定電圧印加時間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2G028 AA01 BB06 CG03 DH03 FK08 JP03 LR02 2G035 AA12 AB02 AC02 AC12 AC16 AD10 AD20 AD28 AD44 AD56 AD65 2G036 AA27 BB02 CA10 5E082 AB03 EE04 EE35 FF05 FG26 MM31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】コンデンサに所定の測定用直流電圧を印
加する測定電圧印加工程と、測定電圧印加工程におい
て、コンデンサに流れる電流を評価することによって、
コンデンサの絶縁抵抗についての良否を判定する、電流
挙動評価工程とを備える、コンデンサの良否判定方法で
あって、測定電圧印加工程の前に、測定用直流電圧より高い予備
充電用直流電圧をコンデンサに印加する予備充電工程
と、次いで、コンデンサを放電する放電工程とをさらに
備え、測定電圧印加工程において測定用直流電圧を印加したと
き、予備充電工程において充電された電荷による電流と
測定用直流電圧による電流との差し引きによって、コン
デンサが良品の場合には、電流がほとんど流れないか、
測定用直流電圧に対して負の電流が流れ、コンデンサが
不良品の場合には、測定用直流電圧に対して正の電流が
流れるように、放電工程における放電度合いが設定され
る、コンデンサの良否判定方法。
【請求項２】電流挙動評価工程は、コンデンサに流れ
る電流の方向を判定する工程を備え、測定用直流電圧に
対して負の電流が流れているとき、良品と判定し、測定
用直流電圧に対して正の電流が流れているとき、不良品
と判定する、請求項１に記載のコンデンサの良否判定方
法。
【請求項３】電流挙動評価工程は、コンデンサに流れ
る電流値を測定する工程を備え、不良品における電流値
の１／１０以下であるものを良品と判定する、請求項１
に記載のコンデンサ良否判定方法。
【請求項４】放電工程における放電度合いは、放電時
間によって制御される、請求項１ないし３のいずれかに
記載のコンデンサの良否判定方法。
【請求項５】コンデンサは積層セラミックコンデンサ
である、請求項１ないし４のいずれかに記載のコンデン
サの良否判定方法。