JP4244791B2 - コンデンサの良否判定方法および良否判定装置 - Google Patents

コンデンサの良否判定方法および良否判定装置 Download PDF

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本発明はコンデンサの良否判定方法および良否判定装置、特にコンデンサの良否を短時間で判定する方法および装置に関する。
一般に、コンデンサの良否を判定するため、測定用の直流電圧をコンデンサに印加し、十分に充電された後のコンデンサの漏れ電流(充電電流)を測定することにより、コンデンサの絶縁抵抗(IR)を測定する方法が知られている。当然ながら、良品は漏れ電流が少ない(絶縁抵抗が大きい)。
従来、この種の充電電流測定方法としては、JIS C 5101で規定された測定方式が知られている。この方式は、コンデンサに十分に充電された状態の電流値を測定する必要があるため、長い測定時間が必要である。例えば、電子機器に広く使用されている積層セラミックコンデンサの充電時間は、60±5秒を要する。特に、市場の拡大傾向にある大容量コンデンサでは、この充電時間が一層長くなる傾向にある。しかし、電子機器のコストダウン、信頼性向上の要求に伴い、コンデンサなどの電子部品もその生産能力向上と品質向上とが求められている。そのため、従来の測定方法では、測定時間の短縮が大きな課題となっていた。
そこで、コンデンサに電圧印加を開始した直後の短い時間内において、コンデンサの誘電分極成分の充電領域の電流値を測定し、その電流値を用いて充電終了時の電流値を予測し、その予測電流値を用いてコンデンサの良否を判定する方法が提案されている(特許文献1)。
この方法を用いれば、十分な充電状態に達する前の状態で最終的な充電結果を算出することができるので、前記従来の測定方法で必要な充電時間よりも短い時間で良否判定を行うことができるという利点がある。しかし、この方法は、高価な測定装置を必要とするとともに、予測計算式の多数のパラメータを求める必要があるため、必ずしも簡便な良否判定方法とは言えない。
特許文献2には、被測定コンデンサにDC電圧およびAC電圧を重畳印加してリップル電流を流し、その時のコンデンサの電気特性を測定することで、潜在的な不良品まで選別できる良否判別方法が開示されている。
しかし、この良否判別方法は、コンデンサの電気的特性を含むパラメータをできるだけ多く測定し、利用することにより、良否判定の精度と処理効率の向上を図るものである。そのため、コンデンサの絶縁抵抗(IR)そのものを測定するのであれば、従来と同様の長時間を必要とする。つまり、絶縁抵抗を基準にしてコンデンサの良否を短時間で判別するという目的を達成するものではない。
特許第3175674号公報 特開2003−130902号公報
そこで、本発明の目的は、短時間でかつ正確にコンデンサの良否を判定できるコンデンサの良否判定方法および良否判定装置を提供することにある。
前記目的を達成するため、請求項1に係る発明は、被測定コンデンサと同種のコンデンサに対して、DC電圧およびAC電圧を重畳印加したときのAC信号によって測定される電気特性とIR値との相関に基づき、良否選別基準となるIR値に対応した電気特性を閾値として設定するステップと、被測定コンデンサに対してDC電圧およびAC電圧を重畳印加するステップと、前記DC電圧およびAC電圧を重畳印加した状態で、AC信号によって被測定コンデンサの電気特性を測定するステップと、前記測定された電気特性を前記閾値と比較することによって、被測定コンデンサの良否を判定するステップと、を備えることを特徴とするコンデンサの良否判定方法を提供する。
請求項4に係る発明は、被測定コンデンサにDC電圧を印加するためのDC電源と、被測定コンデンサに前記DC電圧と重畳してAC電圧を印加するためのAC電源と、AC信号によって被測定コンデンサの電気特性を測定する特性測定手段と、被測定コンデンサと同種のコンデンサに対して、DC電圧およびAC電圧を重畳印加したときのAC信号によって測定される電気特性とIR値との相関に基づき、良否選別基準となるIR値に対応した電気特性を閾値として記憶する記憶手段と、前記閾値と前記特性測定手段により測定された被測定コンデンサの電気特性の実測値とを比較し、被測定コンデンサの良否を判定する良否判定手段と、を備えることを特徴とするコンデンサの良否判定装置を提供する。
コンデンサの特性測定の中には、AC信号を印加して測定するインピーダンス測定がある。本発明者は、このインピーダンス測定時にDC電圧をバイアス印加すると、AC信号によって測定される電気特性、即ち直列抵抗、静電容量、誘電損失などの各値と、十分に充電された後の絶縁抵抗(IR)との間に相関関係があることを見いだした。例えばIR値が小さくなると、直列抵抗の値は大きくなる。
そこで、被測定コンデンサと同種のコンデンサに対して、DC電圧およびAC電圧を重畳印加したときのAC信号によって測定される電気特性とIR値との相関に基づき、良否選別基準となるIR値に対応した電気特性の値を求めておき、この値を閾値として設定する。そして、被測定コンデンサにDC電圧およびAC電圧を重畳印加したときのAC信号によって測定される前記電気特性の実測値と閾値とを比較することによって、被測定コンデンサのIR値が良否選別基準となるIR値に比べて大きいかどうかを推定することができる。
IR値の測定では、コンデンサ内部の誘電分極成分の時定数が大きいため、数秒〜数十秒という充電時間が必要であるが、直列抵抗Rs’の測定では、信号周波数にもよるが、数十ミリ秒〜数百ミリ秒程度の時間で測定を行うことができる。そのため、コンデンサの良否判定に要する時間を従来に比べて大幅に短縮できる。
閾値の設定方法としては、種々の方法が考えられる。例えば、異なるIR値を持つ複数のコンデンサを準備し、これらコンデンサに対してDC電圧およびAC電圧を重畳印加したときのAC信号による電気特性を実測し、その実測値を基準にして閾値を設定してもよいし、良否選別基準となるIR値を予め決定し、このIR値から相関する電気特性値を計算で求め、この計算値に対して所定のばらつきを危険率として考慮することで、閾値を設定してもよい。
次に、本発明の測定原理を式を用いて説明する。
図1の(a)はコンデンサの等価回路モデルであり、静電容量Csと直列抵抗Rsとの直列回路に、絶縁抵抗IRを並列接続したものである。
一方、図1の(b)はインピーダンス測定器内で電気特性の測定および出力に当たって仮定されたコンデンサの回路モデルであり、容量Cs’と直列抵抗Rs’との直列回路で構成される。ここで、コンデンサのIR値は十分大きいものとされ、等価回路の仮定に当たっては無視される。
しかしながら、実際には無視できないIR値を有し、図1(a)に近いコンデンサの電気特性を、図1(b)で仮定するインピーダンス測定器で測定すると、直列抵抗Rs’、容量Cs’、誘電損失DF’は次式で表すことができる。
Figure 0004244791
Figure 0004244791
Figure 0004244791
但し、ω=2πf(f:AC信号の周波数)である。
Rs/IR≪1であるから、(1)式は次のように変形できる。
Figure 0004244791
1≪ω2 Cs2 IR2 のとき、(4)式は次式で近似できる。
Figure 0004244791
すなわち、Rs’はAC信号の周波数(ω)と、コンデンサの容量Cs、絶縁抵抗IR、および直列抵抗Rsにより決まる。ただし、RsはIRの良否には無関係である。容量Csは、DC電圧をバイアス印加すると、例えば1/10〜1/20程度に減少する。その結果、DC電圧をバイアス印加すると、(5)式の第1項が相対的に大きくなり、IR値の良否が顕在化してRs’値に現れる。
DCバイアス電圧を高くする方が、容量Csを低くできるので望ましいが、DC電圧を高くし過ぎると、コンデンサ自体を破壊する恐れが生じる。したがって、請求項3のように、バイアス印加されるDC電圧と積層セラミックコンデンサの誘電体厚みとの比を電界強度E(V/μm)とすると、Eが10≦E≦80の範囲内にあるようにDCバイアス電圧を設定することが好ましい。その際、DCバイアス電圧は誘電体厚みに応じて適宜設定される。
(5)式から明らかなように、AC信号の周波数f(ω)を小さくすれば、それだけ(5)式の第1項が相対的に大きくなるので、IR値の良否をRs’値に反映させることができる。実験によると、周波数fが10kHz以上では、Rs’値とIR値との相関関係が悪化するのに対し、1kHz以下であれば、良好な相関関係が得られた。したがって、AC信号の周波数fを1kHz以下にすれば、IR値の良否をRs’値で判定できる。
請求項2のように、DC電圧およびAC電圧を重畳印加した状態で、AC信号によって測定されるコンデンサの電気特性としては、直列抵抗Rs’のほかに、誘電損失DF’や容量Cs’でもよい。
DF’は前記(1)〜(3)式により、次式で表すことができる。
DF’=ωCs’Rs’ …(6)
この場合も、Rs’はコンデンサの良否によって大きく変化するので、DF’によってコンデンサの良否を判定することが可能である。
なお、容量Cs’の場合は、IR値との相関関係があまり高くないので、IRの良否が幾分正確に反映し難いという懸念を有するものの、有効である。
請求項1に係る発明によれば、DC電圧とAC電圧とを重畳印加した状態で、AC信号により測定される電気特性によってコンデンサの良否を判定するようにしたので、従来のIR測定では数秒〜数十秒という長時間を必要としていたのに対し、数十ミリ秒〜数百ミリ秒程度の短時間で測定を行うことができ、コンデンサの良否判定の大幅な時間短縮を実現できる。
また、DC電圧とAC電圧を重畳印加し、AC信号による電気特性を測定するだけであるから、既存のインピーダンス測定用機器を使用すればよく、コスト上昇を抑制できる。
以下に、本発明の実施の形態を、実施例を参照して説明する。
図2は本発明にかかる良否判定装置の一例の回路図である。
この良否判定装置は、AC電源1とトランス2の入力側コイル2aとで構成される交流回路CIR1と、DC電源3とトランス2の出力側コイル2bと被測定コンデンサDUTと直流阻止用コンデンサ4と交流検出用電流計5とで構成される直流回路CIR2とで構成されている。被測定コンデンサDUTの両端には、直流阻止用コンデンサ6,7を介して交流検出用電圧計8が接続されている。
交流検出用電流計5および交流検出用電圧計8は良否選別装置9に接続されている。良否選別装置9には、良否判定基準となる閾値を記憶するメモリ9aと、前記閾値と電流計5および電圧計8により測定された被測定コンデンサDUTの実測値から所定の電気特性(Rs’,Cs’,DF’など)を計算し、この電気特性と閾値とを比較し、被測定コンデンサDUTの良否を判定する良否判定手段9bとが設けられている。
前記のように被測定コンデンサDUTには、DC電源3からDC電圧と、AC電源1からトランス2を介してAC電圧が重畳して印加される。つまり、DC電圧をバイアス印加した状態で、AC信号によって被測定コンデンサDUTの電気特性を測定する。
前記回路により検出した電圧Vと電流Iとにより、被測定コンデンサDUTのインピーダンスZを以下の式で計算する。
Figure 0004244791
上式よりRs’,Cs’を計算により導出でき、DF’も(6)式から求めることができる。
図3は、本発明にかかるコンデンサの良否判定方法の一例を示すフローチャートである。以下、このフローに則り、良否判定方法について説明する。
まず、IR値が既知で、被測定コンデンサと同種のコンデンサを複数個準備し、これらコンデンサにDC電圧とAC電圧を重畳印加した状態で(ステップS1)、AC信号によってコンデンサの電気特性(Rs’,Cs’,DF’など)を測定する(ステップS2)。この測定した電気特性とIR値との相関に基づき、良否選別基準となるIR値に対応した電気特性を閾値を設定し(ステップS3)、この閾値をメモリに記憶する(ステップS4)。
次に、被測定コンデンサDUTについて、上記コンデンサと同様に、DC電圧とAC電圧を重畳印加し(ステップS5)、AC信号によって被測定コンデンサDUTの電気特性(Rs’,Cs’,DF’など)を測定する(ステップS6)。この測定した電気特性をメモリに記憶されている閾値と比較し(ステップS7)、良否を判別する(ステップS8)。以後、新たな被測定コンデンサDUTについてステップS5〜S8の操作を繰り返す。
次に、本発明における良否判定方法の効果を確かめるため、下記3種類の試料A〜Cについて、充電状態の絶縁抵抗IRと、DCバイアス電圧(40V)を印加しAC電源の信号周波数を変化させたときの直列抵抗Rs’との相関係数(R2 値)を図4に示す。
A:B特性10nF
B:B特性100nF
C:B特性1μF
ここで、B特性とは容量温度特性コードであり、−25〜85℃の温度範囲で容量変化率が±10%以内をいう。
図4から明らかなように、A〜Cの試料(1μF以下のコンデンサ)では、信号周波数が100Hz〜1kHzで相関係数が0.7以上あり、高い相関関係があることがわかる。したがって、1μF以下のコンデンサに100Hz〜1kHzの周波数のAC信号を印加した場合に、直列抵抗Rs’と絶縁抵抗IRとの相関関係が高いことがわかる。
なお、100Hz以下であっても高い相関関係があると考えられ、この周波数領域での選別を行った場合も有効ではあるが、周波数が低くなると測定時間が長くなり、短時間でかつ正確にコンデンサの良否を判定するためには、100Hz〜1kHzでの選別が望ましい。
図5は、試料C(1μFのコンデンサ)を用いて、充電状態におけるIR値と、AC電源の信号周波数を一定(1kHz)にしDCバイアス電圧を変化させたときの直列抵抗Rs’,静電容量Cs’,誘電損失DF’を累乗近似した値との相関係数(R2 値)を求めたものである。
図から明らかなように、Rs’およびDF’においてはDCバイアス電圧を20V以上とすれば、相関係数が0.8以上となり、高い相関関係があることがわかる。一方、Cs’については、DCバイアス電圧を高くすればそれだけ相関係数が高くなるが、40Vでも相関係数が0.6以下であり、Rs’およびDF’に比べると低い相関関係しか得られない。その理由は、DCバイアス電圧によって静電容量が低くなるためである。
図6は、試料C(1μFのコンデンサ)を用いて、充電状態におけるIR値と、DCバイアス電圧を印加した状態でのAC信号によるRs’値との関係をプロットしたものである。なお、DCバイアス電圧を40V、AC電源の信号周波数を1kHzとし、試料数は29個とした。
試料Cの場合、IR値の選別閾値は1GΩであり、1GΩより大きなIR値を持つコンデンサは良品と呼ぶことができる。これをRs’値で選別する場合には、例えば閾値を40Ωに設定することで、IR不良品をDCバイアス印加時のRs’値で選別できる。
図7は、試料C(1μFのコンデンサ)を用いて、充電状態におけるIR値と、DCバイアス電圧を印加した状態でのAC信号によるDF’値との関係をプロットしたものである。なお、この場合もDCバイアス電圧を40V、AC電源の信号周波数を1kHzとし、試料数は29個とした。
試料Cでは、IR値の選別閾値は前記のように1GΩであるが、DF’値の選別閾値を0.025と設定することで、IR不良品をDCバイアス印加時のDF’値で選別できる。
図8は、試料C(1μFのコンデンサ)を用いて、充電状態におけるIR値と、DCバイアス電圧を印加した状態でのAC信号によるCs’値との関係をプロットしたものである。なお、この場合も図6,図7と同様にDCバイアス電圧を40V、AC電源の信号周波数を1kHzとし、試料数は29個とした。
図8から明らかなように、試料Cの場合、Cs’の選別閾値を48nFに設定することで、選別できる。なお、Cs’の場合、IR不良品もCs’=48nF付近に存在するため、他の特性であるRs’やDF’を用いた選別に比べて、幾分選別精度が劣るという懸念を有する。
図6〜図8では、Rs’、DF’およびCs’の閾値を実測データから求めたが、前述の(4)式または(5)式からRs’の閾値を計算で求めてもよいし、(6)式からDF’の閾値を計算で求めてもよい。
図2では、本発明にかかる良否判別方法を実施するための測定回路の一例を示したが、これに限定されるものではない。
例えば、特許文献2の図1〜図3に示される回路を用いてDCバイアス印加時におけるAC信号による電気特性を測定してもよい。
絶縁抵抗を考慮したコンデンサの等価回路図、および測定器が出力するコンデンサの等価回路図である。 本発明にかかる良否判別方法を実施するための測定装置の一例の回路図である。 本発明にかかる良否判別方法の一例のフローチャート図である。 複数種類の試料について、絶縁抵抗IRと直列抵抗Rs’との相関係数と、AC信号周波数との関係を示す図である。 1μFのコンデンサについて、絶縁抵抗IRと静電容量Cs’、直列抵抗Rs’、誘電損失DF’との相関係数と、DCバイアス電圧との関係を示す図である。 1μFのコンデンサについて、IR値とRs’値との関係をプロットした図である。 1μFのコンデンサについて、IR値とDF’値との関係をプロットした図である。 1μFのコンデンサについて、IR値とCs’値との関係をプロットした図である。
符号の説明
1 AC電源
2 トランス
3 DC電源
5 交流検出用電流計
8 交流検出用電圧計
9 良否選別装置
DUT 被測定コンデンサ

Claims (4)

  1. 被測定コンデンサと同種のコンデンサに対して、DC電圧およびAC電圧を重畳印加したときのAC信号によって測定される電気特性とIR値との相関に基づき、良否選別基準となるIR値に対応した電気特性を閾値として設定するステップと、
    被測定コンデンサに対してDC電圧およびAC電圧を重畳印加するステップと、
    前記DC電圧およびAC電圧を重畳印加した状態で、AC信号によって被測定コンデンサの電気特性を測定するステップと、
    前記測定された電気特性を前記閾値と比較することによって、被測定コンデンサの良否を判定するステップと、を備え
    前記電気特性は、コンデンサの直列抵抗、誘電損失、容量の少なくとも1つであることを特徴とするコンデンサの良否判定方法。
  2. 印加されるDC電圧と前記コンデンサの誘電体厚みとの比を電界強度Eとすると、電界強度Eが10≦E≦80(V/μm)の範囲内となるようにDC電圧が設定されていることを特徴とする請求項に記載のコンデンサの良否判定方法。
  3. 被測定コンデンサにDC電圧を印加するためのDC電源と、
    被測定コンデンサに前記DC電圧と重畳してAC電圧を印加するためのAC電源と、
    AC信号によって被測定コンデンサの電気特性を測定する特性測定手段と、
    被測定コンデンサと同種のコンデンサに対して、DC電圧およびAC電圧を重畳印加したときのAC信号によって測定される電気特性とIR値との相関に基づき、良否選別基準となるIR値に対応した電気特性を閾値として記憶する記憶手段と、
    前記閾値と前記特性測定手段により測定された被測定コンデンサの電気特性の実測値とを比較し、被測定コンデンサの良否を判定する良否判定手段と、を備え
    前記電気特性は、コンデンサの直列抵抗、誘電損失、容量の少なくとも1つであることを特徴とするコンデンサの良否判定装置。
  4. 印加されるDC電圧と前記コンデンサの誘電体厚みとの比を電界強度Eとすると、電界強度Eが10≦E≦80(V/μm)の範囲内となるようにDC電圧が設定されていることを特徴とする請求項に記載のコンデンサの良否判定装置。
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