JP3137060B2 - コンデンサの良否判別方法 - Google Patents
コンデンサの良否判別方法Info
- Publication number
- JP3137060B2 JP3137060B2 JP09333576A JP33357697A JP3137060B2 JP 3137060 B2 JP3137060 B2 JP 3137060B2 JP 09333576 A JP09333576 A JP 09333576A JP 33357697 A JP33357697 A JP 33357697A JP 3137060 B2 JP3137060 B2 JP 3137060B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- value
- current value
- quality
- determining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 22
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 28
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012850 discrimination method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/01—Subjecting similar articles in turn to test, e.g. "go/no-go" tests in mass production; Testing objects at points as they pass through a testing station
- G01R31/013—Testing passive components
- G01R31/016—Testing of capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンデンサの良否判
別方法、特にコンデンサに直流電圧を印加した時の充電
特性から、コンデンサの良否を判別する方法に関するも
のである。
別方法、特にコンデンサに直流電圧を印加した時の充電
特性から、コンデンサの良否を判別する方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、コンデンサの良否を判定するた
め、測定用の直流電圧をコンデンサに印加し、十分に充
電された後のコンデンサの漏れ電流（充電電流）を測定
することにより、コンデンサの絶縁抵抗を測定する方法
が知られている。当然ながら、良品は漏れ電流が少な
い。
め、測定用の直流電圧をコンデンサに印加し、十分に充
電された後のコンデンサの漏れ電流（充電電流）を測定
することにより、コンデンサの絶縁抵抗を測定する方法
が知られている。当然ながら、良品は漏れ電流が少な
い。
【０００３】従来、この種の充電電流測定方法として
は、ＪＩＳ−Ｃ５１０２で規定された測定方式が知られ
ている。この方式は、コンデンサに十分に充電された状
態の電流値を測定する必要があるため、約６０秒の測定
時間が必要であった。しかし、電子機器のコストダウ
ン、信頼性向上の要求に伴い、コンデンサなどの電子部
品もその生産能力向上と品質向上とが求められており、
コンデンサ１個当たりこのような長い測定時間を要する
従来の測定方法では、到底このような要求に応えること
ができない。
は、ＪＩＳ−Ｃ５１０２で規定された測定方式が知られ
ている。この方式は、コンデンサに十分に充電された状
態の電流値を測定する必要があるため、約６０秒の測定
時間が必要であった。しかし、電子機器のコストダウ
ン、信頼性向上の要求に伴い、コンデンサなどの電子部
品もその生産能力向上と品質向上とが求められており、
コンデンサ１個当たりこのような長い測定時間を要する
従来の測定方法では、到底このような要求に応えること
ができない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そのため、従来では簡
易な良否判別方法として、コンデンサに電圧を印加した
後、数秒後の電流値を測定し、その測定電流値を所定の
しきい値と比較することにより、コンデンサの良否を判
定していた。しかしながら、このようなポイントデータ
による良否判別方法では、測定時のデータは良品と同等
であったとしても、その後の変化が良品の特性を持つと
は限らないので、必ずしも正確で安定した良否判別が行
なえない。
易な良否判別方法として、コンデンサに電圧を印加した
後、数秒後の電流値を測定し、その測定電流値を所定の
しきい値と比較することにより、コンデンサの良否を判
定していた。しかしながら、このようなポイントデータ
による良否判別方法では、測定時のデータは良品と同等
であったとしても、その後の変化が良品の特性を持つと
は限らないので、必ずしも正確で安定した良否判別が行
なえない。
【０００５】そこで、本発明の目的は、コンデンサの良
否を正確でかつ安定して判別できるコンデンサの良否判
別方法を提供することにある。
否を正確でかつ安定して判別できるコンデンサの良否判
別方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、コンデンサに直流電圧を印加した時の充
電特性から、コンデンサの良否を判別する方法におい
て、コンデンサの誘電分極成分の規格選別値充電特性を
決定する工程と、コンデンサの誘電分極成分の実測電流
値特性と上記規格選別値充電特性とを比較することによ
ってコンデンサの良否を判別する工程と、を有するもの
である。
め、本発明は、コンデンサに直流電圧を印加した時の充
電特性から、コンデンサの良否を判別する方法におい
て、コンデンサの誘電分極成分の規格選別値充電特性を
決定する工程と、コンデンサの誘電分極成分の実測電流
値特性と上記規格選別値充電特性とを比較することによ
ってコンデンサの良否を判別する工程と、を有するもの
である。
【０００７】ここで、本発明を完成するに至った経緯を
説明する。本発明者は、セラミックコンデンサについ
て、充電時における電流値の変化を正確に測定し、その
電流値と時間とを対数電流−対数時間の座標にプロット
したところ、図１に実線で示すような特性があることを
発見した。つまり、充電初期の微小期間はほぼ一定の
大きな電流が流れるが、それに続く遷移期間で急激に
電流値が低下し、その後、ある傾きを持った線形の充電
特性で電流が低下した。この線形の充電特性は、充
電開始から１分〜２分後まで持続していた。
説明する。本発明者は、セラミックコンデンサについ
て、充電時における電流値の変化を正確に測定し、その
電流値と時間とを対数電流−対数時間の座標にプロット
したところ、図１に実線で示すような特性があることを
発見した。つまり、充電初期の微小期間はほぼ一定の
大きな電流が流れるが、それに続く遷移期間で急激に
電流値が低下し、その後、ある傾きを持った線形の充電
特性で電流が低下した。この線形の充電特性は、充
電開始から１分〜２分後まで持続していた。
【０００８】上記特性についてさらに検討してみると、
次のような事実が判明した。すなわち、コンデンサの等
価回路は、図２のように容量Ｃ0 、内部抵抗ｒ、絶縁抵
抗Ｒ0 および誘電分極成分Ｄで構成されるが、初期の充
電特性は容量Ｃ0 の充電領域であるのに対し、線形の
充電特性は誘電分極成分Ｄの充電領域であるというこ
とである。
次のような事実が判明した。すなわち、コンデンサの等
価回路は、図２のように容量Ｃ0 、内部抵抗ｒ、絶縁抵
抗Ｒ0 および誘電分極成分Ｄで構成されるが、初期の充
電特性は容量Ｃ0 の充電領域であるのに対し、線形の
充電特性は誘電分極成分Ｄの充電領域であるというこ
とである。
【０００９】良品のコンデンサの場合には、当然ながら
充電特性が図１の線形の充電特性にほぼ沿った特性を
有する。これに対し、不良品のコンデンサの場合には、
図１に破線で示すように充電初期には線形の充電特性
にほぼ沿っているが、時間経過とともに電流値の低下速
度が小さくなる。一般に、良品と不良品の差異が明確に
現れるのは、電圧印加して数秒を経過した後である。し
かし、その予兆は電圧印加から数十ｍ秒の時点で既に現
れている。すなわち、不良品の実測電流値と良品の実測
電流値との差を取ると、時間経過とともに徐々に正の方
向に拡大する傾向を示す。
充電特性が図１の線形の充電特性にほぼ沿った特性を
有する。これに対し、不良品のコンデンサの場合には、
図１に破線で示すように充電初期には線形の充電特性
にほぼ沿っているが、時間経過とともに電流値の低下速
度が小さくなる。一般に、良品と不良品の差異が明確に
現れるのは、電圧印加して数秒を経過した後である。し
かし、その予兆は電圧印加から数十ｍ秒の時点で既に現
れている。すなわち、不良品の実測電流値と良品の実測
電流値との差を取ると、時間経過とともに徐々に正の方
向に拡大する傾向を示す。
【００１０】そこで、本発明では図１に二点鎖線で示す
ように、例えば良品コンデンサ（実線）と不良品コンデ
ンサ（破線）との中間的な領域に規格選別値充電特性を
設定しておき、被測定用コンデンサの誘電分極成分の実
測電流値特性と上記規格選別値充電特性とを比較するこ
とによってコンデンサの良否を判別するようにしたもの
である。つまり、従来では所定時間におけるしきい値よ
り上か下かで判別するポイントデータ比較であるのに対
し、本発明では誘電分極成分の連続データによって判別
している。
ように、例えば良品コンデンサ（実線）と不良品コンデ
ンサ（破線）との中間的な領域に規格選別値充電特性を
設定しておき、被測定用コンデンサの誘電分極成分の実
測電流値特性と上記規格選別値充電特性とを比較するこ
とによってコンデンサの良否を判別するようにしたもの
である。つまり、従来では所定時間におけるしきい値よ
り上か下かで判別するポイントデータ比較であるのに対
し、本発明では誘電分極成分の連続データによって判別
している。
【００１１】コンデンサの良否判別の具体的方法として
は、次のような評価関数ｎ（ｔ）を定義し、この評価関
数ｎ（ｔ）を２次曲線近似し、２次曲線近似式の２次係
数の正負によって良否を判別するのが簡単である。すな
わち、コンデンサの実測電流値をｍ（ｔ）、上記規格選
別値充電特性から求めた計算電流値をｊ（ｔ）とする
と、評価関数ｎ（ｔ）は例えば次のようなものが考えら
れる。 ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）−log ｊ（ｔ） ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）／log ｊ（ｔ） ｎ（ｔ）＝ｍ（ｔ）／ｊ（ｔ） ｎ（ｔ）＝ｍ（ｔ）−ｊ（ｔ） いずれ場合も、２次曲線近似式の２次係数の正負によっ
てコンデンサの良否を判別することができる。
は、次のような評価関数ｎ（ｔ）を定義し、この評価関
数ｎ（ｔ）を２次曲線近似し、２次曲線近似式の２次係
数の正負によって良否を判別するのが簡単である。すな
わち、コンデンサの実測電流値をｍ（ｔ）、上記規格選
別値充電特性から求めた計算電流値をｊ（ｔ）とする
と、評価関数ｎ（ｔ）は例えば次のようなものが考えら
れる。 ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）−log ｊ（ｔ） ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）／log ｊ（ｔ） ｎ（ｔ）＝ｍ（ｔ）／ｊ（ｔ） ｎ（ｔ）＝ｍ（ｔ）−ｊ（ｔ） いずれ場合も、２次曲線近似式の２次係数の正負によっ
てコンデンサの良否を判別することができる。
【００１２】図３はｎ（ｔ）の時間変化を表したもので
あり、２次係数ｄの正負によってコンデンサの充電特性
を明瞭に判別できることがわかる。すなわち、２次係数
ｄが正の場合は、２次曲線近似式が下に凸の曲線を描く
こと、換言すれば時間が経過するに従い実測電流値の低
下速度が規格選別値充電特性より小さくなることを意味
するので、不良品と判定し、逆に２次係数ｄが負の場合
は良品と判定する。このような判別方法を用いれば、良
品と不良品との差が明確に現れる前の段階、つまり電圧
印加から数十ｍ秒程度の非常に短い期間で確実に良否判
別ができるという特長がある。また、２次曲線近似法を
用いることにより、たとえノイズなどによってｎ（ｔ）
の値が一時的に変動しても、全体的な傾向を把握するこ
とができるので、安定した良品判別を行うことができ
る。
あり、２次係数ｄの正負によってコンデンサの充電特性
を明瞭に判別できることがわかる。すなわち、２次係数
ｄが正の場合は、２次曲線近似式が下に凸の曲線を描く
こと、換言すれば時間が経過するに従い実測電流値の低
下速度が規格選別値充電特性より小さくなることを意味
するので、不良品と判定し、逆に２次係数ｄが負の場合
は良品と判定する。このような判別方法を用いれば、良
品と不良品との差が明確に現れる前の段階、つまり電圧
印加から数十ｍ秒程度の非常に短い期間で確実に良否判
別ができるという特長がある。また、２次曲線近似法を
用いることにより、たとえノイズなどによってｎ（ｔ）
の値が一時的に変動しても、全体的な傾向を把握するこ
とができるので、安定した良品判別を行うことができ
る。
【００１３】上記規格選別値充電特性を決定する方法と
して、予め所定の特性曲線に設定しておいてもよいが、
これでは実際のコンデンサの誘電分極成分の特性に合致
しているとは限らない。そこで、コンデンサの等価回路
を用いて誘電分極成分の電流計算式を初期設定し、コン
デンサの実測電流値ｍ（ｔ）と、上記電流計算式から求
めた計算電流値ｊ（ｔ）とが一致するように、等価回路
の誘電分極成分である容量Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃn と抵抗
Ｒ1 ，Ｒ2 ・・・Ｒn とを決定して電流計算式を修正す
るようにしてもよい。この方法を用いれば、個々のコン
デンサについて、それぞれ誘電分極成分に合致した規格
選別値充電特性を決定できるので、精度のよい良品判別
が可能となる。
して、予め所定の特性曲線に設定しておいてもよいが、
これでは実際のコンデンサの誘電分極成分の特性に合致
しているとは限らない。そこで、コンデンサの等価回路
を用いて誘電分極成分の電流計算式を初期設定し、コン
デンサの実測電流値ｍ（ｔ）と、上記電流計算式から求
めた計算電流値ｊ（ｔ）とが一致するように、等価回路
の誘電分極成分である容量Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃn と抵抗
Ｒ1 ，Ｒ2 ・・・Ｒn とを決定して電流計算式を修正す
るようにしてもよい。この方法を用いれば、個々のコン
デンサについて、それぞれ誘電分極成分に合致した規格
選別値充電特性を決定できるので、精度のよい良品判別
が可能となる。
【００１４】上記容量Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃn と抵抗
Ｒ1 ，Ｒ2 ・・・Ｒn を決定する場合、それらが所定の
関係式で表されれば、決定が簡単になる。そこで、容量
と抵抗をそれぞれ等比数列の関係におき、それぞれの初
項Ｃ1 ，Ｒ1 と公比ｐ，ｑを求めれば、容量Ｃ1 ，Ｃ2
・・・Ｃn と抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ・・・Ｒn とを容易に決定
することができる。
Ｒ1 ，Ｒ2 ・・・Ｒn を決定する場合、それらが所定の
関係式で表されれば、決定が簡単になる。そこで、容量
と抵抗をそれぞれ等比数列の関係におき、それぞれの初
項Ｃ1 ，Ｒ1 と公比ｐ，ｑを求めれば、容量Ｃ1 ，Ｃ2
・・・Ｃn と抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ・・・Ｒn とを容易に決定
することができる。
【００１５】さらに、コンデンサの実測電流値ｍ（ｔ）
と計算電流値ｊ（ｔ）との一致度を評価するため、次の
ような評価関数ｎ（ｔ）を定義し、この評価関数ｎ
（ｔ）を直線近似するようにすれば、電流計算式を容易
に修正できる。この場合も、２次曲線近似と同様に、評
価関数ｎ（ｔ）は例えば次のようなものが考えられる。 ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）−log ｊ（ｔ） ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）／log ｊ（ｔ） ｎ（ｔ）＝ｍ（ｔ）／ｊ（ｔ） ｎ（ｔ）＝ｍ（ｔ）−ｊ（ｔ） なお、本発明において用いられる対数（log ）は、常用
対数や自然対数の他、任意の対数を用いることができ
る。
と計算電流値ｊ（ｔ）との一致度を評価するため、次の
ような評価関数ｎ（ｔ）を定義し、この評価関数ｎ
（ｔ）を直線近似するようにすれば、電流計算式を容易
に修正できる。この場合も、２次曲線近似と同様に、評
価関数ｎ（ｔ）は例えば次のようなものが考えられる。 ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）−log ｊ（ｔ） ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）／log ｊ（ｔ） ｎ（ｔ）＝ｍ（ｔ）／ｊ（ｔ） ｎ（ｔ）＝ｍ（ｔ）−ｊ（ｔ） なお、本発明において用いられる対数（log ）は、常用
対数や自然対数の他、任意の対数を用いることができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】図４は本発明方法を実施するため
の電流測定装置の一例を示す。この測定装置は、本願出
願人が特願平７−２９３４４２号で提案したものであ
る。この測定装置は、直流測定電源１０、スイッチ１
１、被測定物であるコンデンサ１２、制限抵抗１３、対
数増幅器１４、計測用アンプ１５、Ａ／Ｄ変換器１６，
１８、演算処理回路（ＣＰＵ）１７を備えている。充電
初期は計測用アンプ１５で電流値を計測し、所定の閾値
で対数増幅器１４に切り換え、それ以後は対数増幅器１
４で電流値を計測する。この測定装置は、コンデンサ１
２の充電電流が幅広いレンジで変化しても正確に測定す
ることができるので、従来の測定装置では計測困難であ
った充電初期から充電終期までの電流値を連続的に計測
できるという特徴がある。なお、本発明方法は図４に示
された測定装置を用いる必要はなく、他の公知の測定装
置を用いてもよい。
の電流測定装置の一例を示す。この測定装置は、本願出
願人が特願平７−２９３４４２号で提案したものであ
る。この測定装置は、直流測定電源１０、スイッチ１
１、被測定物であるコンデンサ１２、制限抵抗１３、対
数増幅器１４、計測用アンプ１５、Ａ／Ｄ変換器１６，
１８、演算処理回路（ＣＰＵ）１７を備えている。充電
初期は計測用アンプ１５で電流値を計測し、所定の閾値
で対数増幅器１４に切り換え、それ以後は対数増幅器１
４で電流値を計測する。この測定装置は、コンデンサ１
２の充電電流が幅広いレンジで変化しても正確に測定す
ることができるので、従来の測定装置では計測困難であ
った充電初期から充電終期までの電流値を連続的に計測
できるという特徴がある。なお、本発明方法は図４に示
された測定装置を用いる必要はなく、他の公知の測定装
置を用いてもよい。
【００１７】ここで、本発明にかかる良否判別方法の一
例を以下に説明する。まず、コンデンサの等価回路が図
２で表されることは既に述べた。ここで、図２に示した
等価回路の誘電分極成分である容量Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃ
n と抵抗Ｒ1，Ｒ2 ・・・Ｒn を、以下に示すように等
比数列の関係におく。 Ｃk ＝ｐk-1 Ｃ1 ， Ｒk ＝ｑk-1 Ｒ1 但し、ｋ＝１，２・・・ｎ、Ｃ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑは定数
である。等価回路に流れる電流式は以下のとおりであ
る。
例を以下に説明する。まず、コンデンサの等価回路が図
２で表されることは既に述べた。ここで、図２に示した
等価回路の誘電分極成分である容量Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃ
n と抵抗Ｒ1，Ｒ2 ・・・Ｒn を、以下に示すように等
比数列の関係におく。 Ｃk ＝ｐk-1 Ｃ1 ， Ｒk ＝ｑk-1 Ｒ1 但し、ｋ＝１，２・・・ｎ、Ｃ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑは定数
である。等価回路に流れる電流式は以下のとおりであ
る。
【００１８】
【数１】 但し、Ｅはコンデンサへの印加電圧、ｔは時間、Ｒ0 は
絶縁抵抗である。（１）式において、第１項は絶縁抵抗
Ｒ0 を流れる電流、第２項は誘電分極成分Ｄを流れる電
流である。なお、充電初期には容量Ｃ0 と内部抵抗ｒと
の直列回路にも電流が流れるが、これは本発明における
電流計算式に直接関係がないので、省略した。上記のよ
うに設定した計算電流値ｊ（ｔ）と図４の電流測定装置
で実測された実測電流値ｍ（ｔ）とがほぼ一致するよう
に、パラメータＣ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを決定する。なお、
Ｒ0 は初期に設定した後、修正は行わない。
絶縁抵抗である。（１）式において、第１項は絶縁抵抗
Ｒ0 を流れる電流、第２項は誘電分極成分Ｄを流れる電
流である。なお、充電初期には容量Ｃ0 と内部抵抗ｒと
の直列回路にも電流が流れるが、これは本発明における
電流計算式に直接関係がないので、省略した。上記のよ
うに設定した計算電流値ｊ（ｔ）と図４の電流測定装置
で実測された実測電流値ｍ（ｔ）とがほぼ一致するよう
に、パラメータＣ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを決定する。なお、
Ｒ0 は初期に設定した後、修正は行わない。
【００１９】個々のコンデンサによって、パラメータＣ
1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑの値は異なるので、次のようにして電
流計算式（１）を修正する。そのため、計算電流値ｊ
（ｔ）と実測電流値ｍ（ｔ）との一致度を以下のように
して評価する。まず、評価関数ｎ（ｔ）を次のように設
定する。 ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）−log ｊ（ｔ） 上式で求めた評価関数ｎ（ｔ）を直線近似する。近似式
は一次式ｙ＝ａｘ＋ｂで表されるが、この式の傾きａと
切片ｂとが０に近い程、一致度が高いと判断する。この
とき、傾きａと切片ｂを０に近づけておくと、次の２次
曲線近似での精度が上がる。なお、評価時刻ｔは図１の
誘電分極成分Ｄの充電領域の初期（例えば数ｍ秒〜数
十ｍ秒）とする。この期間は、一致度の評価を高速で行
なうことを目的とするか、あるいは高精度で行なうこと
を目的とするかによって異なり、その目的に応じて任意
に選択できる。
1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑの値は異なるので、次のようにして電
流計算式（１）を修正する。そのため、計算電流値ｊ
（ｔ）と実測電流値ｍ（ｔ）との一致度を以下のように
して評価する。まず、評価関数ｎ（ｔ）を次のように設
定する。 ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）−log ｊ（ｔ） 上式で求めた評価関数ｎ（ｔ）を直線近似する。近似式
は一次式ｙ＝ａｘ＋ｂで表されるが、この式の傾きａと
切片ｂとが０に近い程、一致度が高いと判断する。この
とき、傾きａと切片ｂを０に近づけておくと、次の２次
曲線近似での精度が上がる。なお、評価時刻ｔは図１の
誘電分極成分Ｄの充電領域の初期（例えば数ｍ秒〜数
十ｍ秒）とする。この期間は、一致度の評価を高速で行
なうことを目的とするか、あるいは高精度で行なうこと
を目的とするかによって異なり、その目的に応じて任意
に選択できる。
【００２０】図５は直線近似法を用いてパラメータ
Ｃ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを修正する一例を示す。まず、パラ
メータＣ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを初期設定する（ステップＳ
１）。次に、初期設定されたパラメータを用いて、計算
式（１）により、誘電分極成分の充電領域（例えば充
電開始後１０ｍ秒付近）における計算電流値ｊ（ｔ）を
求める（ステップＳ２）。続いて、同時点における実測
値ｍ（ｔ）を測定し、実測値ｍ（ｔ）と計算値ｊ（ｔ）
との対数値の差により評価関数ｎ（ｔ）を求める（ステ
ップＳ３）。次に、評価関数ｎ（ｔ）を直線近似する
（ステップＳ４）。次に、直線近似式ｙ＝ａｘ＋ｂの切
片ｂの絶対値が所定値β（例えば、β＝０．０１）より
小さいか否かを判定する（ステップＳ５）。このステッ
プは、切片ｂが０に近いかどうかを判定するものであ
る。ステップＳ５で、｜ｂ｜≧βの場合には、近似計算
回数が所定回数Ｎ1 以内であるか否かを判定する（ステ
ップＳ６）。これは、無限ループを回避するための処理
である。近似計算回数がＮ1 回以下であれば、ｂの正負
によってＣ1 を一定値だけ増加もしくは減少させる（ス
テップＳ７）。近似計算回数がＮ1 回以上になれば、Ｃ
1 の修正では切片ｂが０に近づかないことを意味するの
で、ｑおよび／またはＲ1 をｂの正負によって一定値だ
け増加もしくは減少させる（ステップＳ８）。ステップ
Ｓ７またはＳ８で、Ｃ1 またはｑ，Ｒ1 を修正した後、
ステップＳ２〜Ｓ３〜Ｓ４〜Ｓ５を繰り返す。ステップ
Ｓ５で｜ｂ｜＜βとなった場合は、続いて近似式の傾き
ａの絶対値が所定値α（例えば、α＝０．０５）より小
さいか否かを判定する（ステップＳ９）。ステップＳ９
で、｜ａ｜≧αの場合には、近似計算回数が所定回数Ｎ
2 以内であるか否かを判定する（ステップＳ１０）。こ
れも、無限ループを回避するための処理である。近似計
算回数がＮ2 回以下であれば、ａの正負によってｐを一
定値だけ増加もしくは減少させる（ステップＳ１１）。
近似計算回数がＮ2 回以上になれば、ｐの修正では傾き
ａが０に近づかないことを意味するので、ｑおよび／ま
たはＲ1 をａの正負によって一定値だけ増加もしくは減
少させる（ステップＳ１２）。ステップＳ１１またはＳ
１２で、ｐまたはｑおよび／またはＲ1 を修正した後、
ステップＳ２〜Ｓ３〜Ｓ４〜Ｓ５〜Ｓ９を繰り返し、｜
ｂ｜＜βでかつ｜ａ｜＜αとなった場合に、一致が完了
したと判断する（ステップＳ１３）。つまり、パラメー
タＣ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを最終的に決定する。
Ｃ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを修正する一例を示す。まず、パラ
メータＣ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを初期設定する（ステップＳ
１）。次に、初期設定されたパラメータを用いて、計算
式（１）により、誘電分極成分の充電領域（例えば充
電開始後１０ｍ秒付近）における計算電流値ｊ（ｔ）を
求める（ステップＳ２）。続いて、同時点における実測
値ｍ（ｔ）を測定し、実測値ｍ（ｔ）と計算値ｊ（ｔ）
との対数値の差により評価関数ｎ（ｔ）を求める（ステ
ップＳ３）。次に、評価関数ｎ（ｔ）を直線近似する
（ステップＳ４）。次に、直線近似式ｙ＝ａｘ＋ｂの切
片ｂの絶対値が所定値β（例えば、β＝０．０１）より
小さいか否かを判定する（ステップＳ５）。このステッ
プは、切片ｂが０に近いかどうかを判定するものであ
る。ステップＳ５で、｜ｂ｜≧βの場合には、近似計算
回数が所定回数Ｎ1 以内であるか否かを判定する（ステ
ップＳ６）。これは、無限ループを回避するための処理
である。近似計算回数がＮ1 回以下であれば、ｂの正負
によってＣ1 を一定値だけ増加もしくは減少させる（ス
テップＳ７）。近似計算回数がＮ1 回以上になれば、Ｃ
1 の修正では切片ｂが０に近づかないことを意味するの
で、ｑおよび／またはＲ1 をｂの正負によって一定値だ
け増加もしくは減少させる（ステップＳ８）。ステップ
Ｓ７またはＳ８で、Ｃ1 またはｑ，Ｒ1 を修正した後、
ステップＳ２〜Ｓ３〜Ｓ４〜Ｓ５を繰り返す。ステップ
Ｓ５で｜ｂ｜＜βとなった場合は、続いて近似式の傾き
ａの絶対値が所定値α（例えば、α＝０．０５）より小
さいか否かを判定する（ステップＳ９）。ステップＳ９
で、｜ａ｜≧αの場合には、近似計算回数が所定回数Ｎ
2 以内であるか否かを判定する（ステップＳ１０）。こ
れも、無限ループを回避するための処理である。近似計
算回数がＮ2 回以下であれば、ａの正負によってｐを一
定値だけ増加もしくは減少させる（ステップＳ１１）。
近似計算回数がＮ2 回以上になれば、ｐの修正では傾き
ａが０に近づかないことを意味するので、ｑおよび／ま
たはＲ1 をａの正負によって一定値だけ増加もしくは減
少させる（ステップＳ１２）。ステップＳ１１またはＳ
１２で、ｐまたはｑおよび／またはＲ1 を修正した後、
ステップＳ２〜Ｓ３〜Ｓ４〜Ｓ５〜Ｓ９を繰り返し、｜
ｂ｜＜βでかつ｜ａ｜＜αとなった場合に、一致が完了
したと判断する（ステップＳ１３）。つまり、パラメー
タＣ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを最終的に決定する。
【００２１】上記のように直線近似法によってパラメー
タＣ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを決定する、つまり規格選別値充
電特性を規定する電流計算式（１）を決定した後、実測
電流値ｍ（ｔ）と計算電流値ｊ（ｔ）とのそれぞれの対
数値の差ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）−log ｊ（ｔ）を公知
の２次曲線近似法で近似する。すなわち、評価関数ｎ
（ｔ）の近似式をｙ＝ｄｘ2 ＋ｅｘ＋ｆとし、２次係数
ｄの正負によってコンデンサの良否を判別する。２次係
数ｄが正の場合は、時間が経過するに従い実測電流値ｍ
（ｔ）の低下が規格選別値に比べて小さくなることを意
味するので、不良品と判定し、逆に２次係数ｄが負の場
合は良品と判定する。
タＣ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを決定する、つまり規格選別値充
電特性を規定する電流計算式（１）を決定した後、実測
電流値ｍ（ｔ）と計算電流値ｊ（ｔ）とのそれぞれの対
数値の差ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）−log ｊ（ｔ）を公知
の２次曲線近似法で近似する。すなわち、評価関数ｎ
（ｔ）の近似式をｙ＝ｄｘ2 ＋ｅｘ＋ｆとし、２次係数
ｄの正負によってコンデンサの良否を判別する。２次係
数ｄが正の場合は、時間が経過するに従い実測電流値ｍ
（ｔ）の低下が規格選別値に比べて小さくなることを意
味するので、不良品と判定し、逆に２次係数ｄが負の場
合は良品と判定する。
【００２２】図６（ａ）は不良品における実測データと
規格選別値充電特性とを表したものである。すなわち、
不良品であっても初期の特性は良品の場合と殆ど差異が
ないが、１秒〜１０秒経過すると、規格選別値充電特性
より電流値の低下が小さくなることがわかる。図６
（ｂ）は評価関数ｎ（ｔ）を直線近似した結果を示し、
破線は近似直線を示す。近似式は以下の通り傾きａと切
片ｂとが共に０に近く、一致度が高い。 ｙ＝−０．０２５９ｘ−０．００６３ 図６（ｃ）は、上記のように直線近似を行って規格選別
値充電特性の電流計算式（１）を修正した後、ｎ（ｔ）
を２次曲線近似した結果である。図６（ｃ）から明らか
なように、近似２次曲線は下に凸の曲線、つまり２次係
数ｄが正であり、このような場合に不良品であることが
わかる。なお、図６（ｃ）から明らかなように、１０ｍ
秒付近でノイズによってｎ（ｔ）の値が大きく変動して
いるが、本発明の２次曲線近似法を用いることにより、
ｎ（ｔ）の全体の傾向を把握できるので、ノイズに影響
されない安定した良否判別が可能である。
規格選別値充電特性とを表したものである。すなわち、
不良品であっても初期の特性は良品の場合と殆ど差異が
ないが、１秒〜１０秒経過すると、規格選別値充電特性
より電流値の低下が小さくなることがわかる。図６
（ｂ）は評価関数ｎ（ｔ）を直線近似した結果を示し、
破線は近似直線を示す。近似式は以下の通り傾きａと切
片ｂとが共に０に近く、一致度が高い。 ｙ＝−０．０２５９ｘ−０．００６３ 図６（ｃ）は、上記のように直線近似を行って規格選別
値充電特性の電流計算式（１）を修正した後、ｎ（ｔ）
を２次曲線近似した結果である。図６（ｃ）から明らか
なように、近似２次曲線は下に凸の曲線、つまり２次係
数ｄが正であり、このような場合に不良品であることが
わかる。なお、図６（ｃ）から明らかなように、１０ｍ
秒付近でノイズによってｎ（ｔ）の値が大きく変動して
いるが、本発明の２次曲線近似法を用いることにより、
ｎ（ｔ）の全体の傾向を把握できるので、ノイズに影響
されない安定した良否判別が可能である。
【００２３】図７（ａ）は良品における実測データと規
格選別値充電特性とを表したものである。すなわち、良
品の場合も初期の特性は不良品の場合と殆ど差異がない
が、１秒〜１０秒経過すると、規格選別値充電特性より
電流値の低下が大きくなっている。図７（ｂ）は評価関
数ｎ（ｔ）を直線近似した結果を示し、破線は近似直線
を示す。近似式は以下の通り傾きａと切片ｂとが共に０
に近く、一致度が高い。ｙ＝−０．０２０５ｘ＋０．０
０６４図７（ｃ）は、上記のように直線近似を行って規
格選別値充電特性の電流計算式（１）を修正した後、ｎ
（ｔ）を２次曲線近似した結果である。図７（ｃ）から
明らかなように、近似２次曲線は上に凸の曲線、つまり
２次係数ｄが負であり、良品であることがわかる。以上
の良否の判別を、電圧印加から数十ｍ秒の間に行うこと
ができた。
格選別値充電特性とを表したものである。すなわち、良
品の場合も初期の特性は不良品の場合と殆ど差異がない
が、１秒〜１０秒経過すると、規格選別値充電特性より
電流値の低下が大きくなっている。図７（ｂ）は評価関
数ｎ（ｔ）を直線近似した結果を示し、破線は近似直線
を示す。近似式は以下の通り傾きａと切片ｂとが共に０
に近く、一致度が高い。ｙ＝−０．０２０５ｘ＋０．０
０６４図７（ｃ）は、上記のように直線近似を行って規
格選別値充電特性の電流計算式（１）を修正した後、ｎ
（ｔ）を２次曲線近似した結果である。図７（ｃ）から
明らかなように、近似２次曲線は上に凸の曲線、つまり
２次係数ｄが負であり、良品であることがわかる。以上
の良否の判別を、電圧印加から数十ｍ秒の間に行うこと
ができた。
【００２４】ここで、本発明の良否判別方法の全体の流
れを図８にしたがって説明する。まず、予め絶縁抵抗Ｒ
0 をコンデンサの品種により所定の値（例えば５００Ｍ
Ωや１ＧΩなど）に決定しておく（ステップＳ１４）。
次に、充電初期（例えば５〜２０ｍ秒）における電流値
ｍ（ｔ）を測定する（ステップＳ１５）。次に、パタメ
ータＣ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを決定する（ステップＳ１
６）。これらパラメータの初期値は図５と同様に経験的
に知られた値とすればよい。次に、決定されたパラメー
タを用いて電流計算式（１）により計算電流値ｊ（ｔ）
を求める（ステップＳ１７）。次に、実測した電流値ｍ
（ｔ）と計算で求めた計算電流値ｊ（ｔ）との対数値の
差により評価関数ｎ（ｔ）を求める（ステップＳ１
８）。次に、評価関数ｎ（ｔ）を直線近似する（ステッ
プＳ１９）。次に、直線近似による一致度が高いか否か
を判定する（ステップＳ２０）。判定方法は、傾きａと
切片ｂが共に０に近いかどうかで判定する。一致度が低
い場合は、パタメータＣ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを修正し、ス
テップＳ１６以下の処理を繰り返す。なお、ステップＳ
１６〜Ｓ２０の処理は、図５と同様である。直線近似の
一致度が高い場合には、続いて評価関数ｎ（ｔ）を２次
曲線近似する（ステップＳ２１）。そして、２次曲線近
似式の２次係数ｄが正か負かを判別する（ステップＳ２
２）。ｄが正の場合には不良品と判定し（ステップ２
３）、ｄが負の値の場合には良品と判定する（ステップ
２４）。
れを図８にしたがって説明する。まず、予め絶縁抵抗Ｒ
0 をコンデンサの品種により所定の値（例えば５００Ｍ
Ωや１ＧΩなど）に決定しておく（ステップＳ１４）。
次に、充電初期（例えば５〜２０ｍ秒）における電流値
ｍ（ｔ）を測定する（ステップＳ１５）。次に、パタメ
ータＣ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを決定する（ステップＳ１
６）。これらパラメータの初期値は図５と同様に経験的
に知られた値とすればよい。次に、決定されたパラメー
タを用いて電流計算式（１）により計算電流値ｊ（ｔ）
を求める（ステップＳ１７）。次に、実測した電流値ｍ
（ｔ）と計算で求めた計算電流値ｊ（ｔ）との対数値の
差により評価関数ｎ（ｔ）を求める（ステップＳ１
８）。次に、評価関数ｎ（ｔ）を直線近似する（ステッ
プＳ１９）。次に、直線近似による一致度が高いか否か
を判定する（ステップＳ２０）。判定方法は、傾きａと
切片ｂが共に０に近いかどうかで判定する。一致度が低
い場合は、パタメータＣ1 ，Ｒ1 ，ｐ，ｑを修正し、ス
テップＳ１６以下の処理を繰り返す。なお、ステップＳ
１６〜Ｓ２０の処理は、図５と同様である。直線近似の
一致度が高い場合には、続いて評価関数ｎ（ｔ）を２次
曲線近似する（ステップＳ２１）。そして、２次曲線近
似式の２次係数ｄが正か負かを判別する（ステップＳ２
２）。ｄが正の場合には不良品と判定し（ステップ２
３）、ｄが負の値の場合には良品と判定する（ステップ
２４）。
【００２５】上記実施例では、評価関数ｎ（ｔ）を実測
値ｍ（ｔ）と計算値ｊ（ｔ）との対数値の差で定義した
が、これに限るものではなく、実測値ｍ（ｔ）と計算値
ｊ（ｔ）との対数値の比、実測値ｍ（ｔ）と計算値ｊ
（ｔ）との比、あるいは実測値ｍ（ｔ）と計算値ｊ
（ｔ）との差で定義し、２次曲線近似することも可能で
ある。すなわち、 ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）／log ｊ（ｔ） または ｎ（ｔ）＝ｍ（ｔ）／ｊ（ｔ） または ｎ（ｔ）＝ｍ（ｔ）−ｊ（ｔ） さらに、上記評価関数ｎ（ｔ）を用いて直線近似するこ
とも可能である。但し、評価関数ｎ（ｔ）をlog ｍ
（ｔ）−log ｊ（ｔ）またはｍ（ｔ）−ｊ（ｔ）で定義
した場合には、直線近似式ｙ＝ａｘ＋ｂの傾きａが０に
近く、かつ切片ｂが０に近いか否かで直線近似の一致度
を評価できるのに対し、log ｍ（ｔ）／logｊ（ｔ）ま
たはｍ（ｔ）／ｊ（ｔ）で定義した場合には、傾きａが
０に近くかつ切片ｂが１に近いか否かで直線近似の一致
度を評価できる。
値ｍ（ｔ）と計算値ｊ（ｔ）との対数値の差で定義した
が、これに限るものではなく、実測値ｍ（ｔ）と計算値
ｊ（ｔ）との対数値の比、実測値ｍ（ｔ）と計算値ｊ
（ｔ）との比、あるいは実測値ｍ（ｔ）と計算値ｊ
（ｔ）との差で定義し、２次曲線近似することも可能で
ある。すなわち、 ｎ（ｔ）＝log ｍ（ｔ）／log ｊ（ｔ） または ｎ（ｔ）＝ｍ（ｔ）／ｊ（ｔ） または ｎ（ｔ）＝ｍ（ｔ）−ｊ（ｔ） さらに、上記評価関数ｎ（ｔ）を用いて直線近似するこ
とも可能である。但し、評価関数ｎ（ｔ）をlog ｍ
（ｔ）−log ｊ（ｔ）またはｍ（ｔ）−ｊ（ｔ）で定義
した場合には、直線近似式ｙ＝ａｘ＋ｂの傾きａが０に
近く、かつ切片ｂが０に近いか否かで直線近似の一致度
を評価できるのに対し、log ｍ（ｔ）／logｊ（ｔ）ま
たはｍ（ｔ）／ｊ（ｔ）で定義した場合には、傾きａが
０に近くかつ切片ｂが１に近いか否かで直線近似の一致
度を評価できる。
【００２６】上記実施例では、誘電分極成分の規格選別
値充電特性を決定する方法として、コンデンサの等価回
路を用いて誘電分極成分の電流計算式を初期設定した
後、実測電流値ｍ（ｔ）と計算電流値ｊ（ｔ）とが一致
するように、容量Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃn と抵抗Ｒ1 ，Ｒ
2 ・・・Ｒn とを修正して電流計算式を修正したが、規
格選別値充電特性が予め既知である場合には、このよう
な修正処理を行う必要はない。また、等価回路の誘電分
極成分である容量Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃn と抵抗Ｒ1 ，Ｒ
2 ・・・Ｒn を等比数列の関係に設定したが、等比数列
以外の関係に設定してもよい。いずれにしても、実測電
流値ｍ（ｔ）と計算電流値ｊ（ｔ）の一致度から、容量
Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃn と抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ・・・Ｒn を決
定できる方法であればよい。
値充電特性を決定する方法として、コンデンサの等価回
路を用いて誘電分極成分の電流計算式を初期設定した
後、実測電流値ｍ（ｔ）と計算電流値ｊ（ｔ）とが一致
するように、容量Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃn と抵抗Ｒ1 ，Ｒ
2 ・・・Ｒn とを修正して電流計算式を修正したが、規
格選別値充電特性が予め既知である場合には、このよう
な修正処理を行う必要はない。また、等価回路の誘電分
極成分である容量Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃn と抵抗Ｒ1 ，Ｒ
2 ・・・Ｒn を等比数列の関係に設定したが、等比数列
以外の関係に設定してもよい。いずれにしても、実測電
流値ｍ（ｔ）と計算電流値ｊ（ｔ）の一致度から、容量
Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃn と抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ・・・Ｒn を決
定できる方法であればよい。
【００２７】なお、本発明はセラミックコンデンサに限
らず、電解コンデンサやフィルムコンデンサなど、誘電
分極成分を有するコンデンサであれば、如何なるコンデ
ンサであっても適用可能である。
らず、電解コンデンサやフィルムコンデンサなど、誘電
分極成分を有するコンデンサであれば、如何なるコンデ
ンサであっても適用可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、コンデンサの誘電分極成分の実測電流値特性と
規格選別値充電特性との連続データを比較することによ
って、コンデンサの良否を判別するようにしたので、従
来のようなポイントデータによる比較に比べて正確で安
定した良否判別を行なうことができる。また、請求項２
のように電圧印加時におけるコンデンサの実測電流値と
規格選別値充電特性から求めた計算電流値との比、その
差、それぞれの対数値の差、それぞれの対数値の比のい
ずれかを２次曲線近似し、２次曲線近似式の２次係数の
正負によってコンデンサの良否を判別するようにすれ
ば、電圧印加から数秒待たずに、数十ｍ秒程度の非常に
短い期間で良否判別ができる。しかも、２次曲線近似法
を用いれば、全体的な傾向を知ることができるので、一
時的なノイズによって判別結果が左右されず、安定した
良品判別を行うことができる。さらに、請求項３のよう
にコンデンサの等価回路から電流計算式を求め、電圧の
印加初期における誘電分極成分の充電領域の実測電流値
と計算電流値との比較によって計算式を修正し、この修
正計算式で求めた計算電流値を用いて２次曲線近似を行
えば、個々のコンデンサの特性にばらつきがあっても、
正確に良品判別を行うことが可能である。
よれば、コンデンサの誘電分極成分の実測電流値特性と
規格選別値充電特性との連続データを比較することによ
って、コンデンサの良否を判別するようにしたので、従
来のようなポイントデータによる比較に比べて正確で安
定した良否判別を行なうことができる。また、請求項２
のように電圧印加時におけるコンデンサの実測電流値と
規格選別値充電特性から求めた計算電流値との比、その
差、それぞれの対数値の差、それぞれの対数値の比のい
ずれかを２次曲線近似し、２次曲線近似式の２次係数の
正負によってコンデンサの良否を判別するようにすれ
ば、電圧印加から数秒待たずに、数十ｍ秒程度の非常に
短い期間で良否判別ができる。しかも、２次曲線近似法
を用いれば、全体的な傾向を知ることができるので、一
時的なノイズによって判別結果が左右されず、安定した
良品判別を行うことができる。さらに、請求項３のよう
にコンデンサの等価回路から電流計算式を求め、電圧の
印加初期における誘電分極成分の充電領域の実測電流値
と計算電流値との比較によって計算式を修正し、この修
正計算式で求めた計算電流値を用いて２次曲線近似を行
えば、個々のコンデンサの特性にばらつきがあっても、
正確に良品判別を行うことが可能である。
【図１】良品コンデンサと不良品コンデンサにおける充
電電流の変化を示す図である。
電電流の変化を示す図である。
【図２】コンデンサの等価回路を示す回路図である。
【図３】良品と不良品のｎ（ｔ）の時間変化を示す図で
ある。
ある。
【図４】電流測定装置の一例の回路図である。
【図５】直線近似法を用いてパラメータを決定する方法
を示すフローチャート図である。
を示すフローチャート図である。
【図６】不良品コンデンサにおける特性図である。
【図７】良品コンデンサにおける特性図である。
【図８】良否判別方法の全体の流れを示すフローチャー
ト図である。
ト図である。
【符号の説明】 １０ 直流測定電源 １２ コンデンサ １３ 抵抗 １４ 対数増幅器 １５ 計測用アンプ １６，１８ Ａ／Ｄ変換器 １７ ＣＰＵ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 31/00 G01R 27/00 - 27/32 H01G 13/00
Claims (5)
- 【請求項１】コンデンサに直流電圧を印加した時の充電
特性から、コンデンサの良否を判別する方法において、 コンデンサの誘電分極成分の規格選別値充電特性を決定
する工程と、 コンデンサの誘電分極成分の実測電流値特性と上記規格
選別値充電特性とを比較することによってコンデンサの
良否を判別する工程と、を有するコンデンサの良否判別
方法。 - 【請求項２】上記コンデンサの良否を判別する工程は、 コンデンサの実測電流値ｍ（ｔ）と上記規格選別値充電
特性から求めた計算電流値ｊ（ｔ）との比、その差、そ
れぞれの対数値の差、それぞれの対数値の比のいずれか
を２次曲線近似する工程と、 ２次曲線近似式の２次係数の正負によってコンデンサの
良否を判別する工程と、を有する請求項１に記載のコン
デンサの良否判別方法。 - 【請求項３】上記規格選別値充電特性を決定する工程
は、 コンデンサの等価回路を用いて、誘電分極成分の規格選
別値充電特性を規定する電流計算式を初期設定する工程
と、 誘電分極成分の初期の充電期間における実測電流値ｍ
（ｔ）と、上記電流計算式から求めた計算電流値ｊ
（ｔ）とが一致するように、等価回路の誘電分極成分で
ある容量Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃn と抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ・・・
Ｒn とを決定して電流計算式を修正する工程と、を含む
請求項１または２に記載のコンデンサの良否判別方法。 - 【請求項４】上記電流計算式を修正する工程は、 等価回路の誘電分極成分である容量Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃ
n と抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ・・・Ｒn とをそれぞれ等比数列の
関係におき、それぞれの初項Ｃ1 ，Ｒ1 と公比ｐ，ｑを
修正することにより、容量Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃn と抵抗
Ｒ1 ，Ｒ2 ・・・Ｒn とを決定する工程を含む請求項３
に記載のコンデンサの良否判別方法。 - 【請求項５】上記コンデンサの実測電流値ｍ（ｔ）と計
算電流値ｊ（ｔ）との一致度を評価するため、その比、
その差、それぞれの対数値の差、それぞれの対数値の比
のいずれかを直線近似することを特徴とする請求項３ま
たは４に記載のコンデンサの良否判別方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09333576A JP3137060B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-11-17 | コンデンサの良否判別方法 |
| MYPI98000166A MY116702A (en) | 1997-01-20 | 1998-01-15 | Quality discrimination method for screening inspection of capacitors manufactured |
| KR1019980001605A KR100268531B1 (ko) | 1997-01-20 | 1998-01-20 | 제조된 커패시터들의 선별용 정밀검사를 위한품질 판별법 |
| US09/009,431 US5936409A (en) | 1997-01-20 | 1998-01-20 | Quality discrimination method for screening inspection of capacitors manufactured |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-22138 | 1997-01-20 | ||
| JP2213897 | 1997-01-20 | ||
| JP9-215809 | 1997-07-25 | ||
| JP21580997 | 1997-07-25 | ||
| JP09333576A JP3137060B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-11-17 | コンデンサの良否判別方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1194892A JPH1194892A (ja) | 1999-04-09 |
| JP3137060B2 true JP3137060B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=27283726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09333576A Expired - Fee Related JP3137060B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-11-17 | コンデンサの良否判別方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5936409A (ja) |
| JP (1) | JP3137060B2 (ja) |
| KR (1) | KR100268531B1 (ja) |
| MY (1) | MY116702A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3173483B2 (ja) * | 1998-12-04 | 2001-06-04 | 株式会社村田製作所 | コンデンサの良否判別方法 |
| TW460701B (en) * | 2000-01-20 | 2001-10-21 | Winbond Electronics Corp | Improved test circuit of TDDB |
| JP3890951B2 (ja) * | 2001-10-18 | 2007-03-07 | 株式会社村田製作所 | コンデンサの良否判定方法 |
| US7148697B2 (en) * | 2004-06-04 | 2006-12-12 | Doljack Frank A | System and method for measuring electrical characteristics of a capacitor |
| US7173432B2 (en) * | 2004-11-22 | 2007-02-06 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and machine for repetitive testing of an electrical component |
| US8441265B2 (en) * | 2006-12-18 | 2013-05-14 | Kemet Electronics Corporation | Apparatus and method for screening electrolytic capacitors |
| US7671603B2 (en) * | 2006-12-18 | 2010-03-02 | Kemet Electronics Corporation | Screening of electrolytic capacitors |
| JP5042731B2 (ja) * | 2007-07-09 | 2012-10-03 | 富士重工業株式会社 | 車両用電源装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3125720A (en) * | 1964-03-17 | Capacitor fault indicator including resistance voltage divider | ||
| US3657602A (en) * | 1971-04-05 | 1972-04-18 | Inductotherm Corp | Method and means for detecting incipient capacitor failure |
| US4216424A (en) * | 1978-10-30 | 1980-08-05 | Vette Carl W | Method and apparatus for testing electrolytic capacitors |
| US4425541A (en) * | 1981-09-14 | 1984-01-10 | Commonwealth Edison Co. | Apparatus for identifying defective electric power distribution capacitors |
| US5497095A (en) * | 1993-11-08 | 1996-03-05 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for inspecting electric component for inverter circuit |
| US5677634A (en) * | 1995-11-16 | 1997-10-14 | Electro Scientific Industries, Inc. | Apparatus for stress testing capacitive components |
| US5828222A (en) * | 1997-06-05 | 1998-10-27 | Extech Electronics Co., Ltd. | Quick DC compressive strength test method and the related apparatus |
-
1997
- 1997-11-17 JP JP09333576A patent/JP3137060B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-01-15 MY MYPI98000166A patent/MY116702A/en unknown
- 1998-01-20 KR KR1019980001605A patent/KR100268531B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-01-20 US US09/009,431 patent/US5936409A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980070644A (ko) | 1998-10-26 |
| JPH1194892A (ja) | 1999-04-09 |
| MY116702A (en) | 2004-03-31 |
| US5936409A (en) | 1999-08-10 |
| KR100268531B1 (ko) | 2000-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6556019B2 (en) | Electronic battery tester | |
| JP6409721B2 (ja) | 電池状態推定装置 | |
| US6043665A (en) | Capacitor charging current measurement method | |
| JP3137060B2 (ja) | コンデンサの良否判別方法 | |
| JP2006284431A (ja) | 二次電池の充電率推定装置 | |
| JP3173483B2 (ja) | コンデンサの良否判別方法 | |
| JPH0798367A (ja) | 電池の残容量推定方法 | |
| JP3461937B2 (ja) | 絶縁抵抗の測定方法 | |
| KR100459812B1 (ko) | 커패시터의 양부 판정 방법 | |
| JP3925136B2 (ja) | コンデンサの良否判定方法 | |
| KR102054050B1 (ko) | 배터리의 충전 상태를 추정하는 방법 및 배터리 관리 장치 | |
| US5830595A (en) | Battery capacity prediction method and apparatus using natural logarithm | |
| JP3293541B2 (ja) | コンデンサの絶縁抵抗測定方法 | |
| JP3175654B2 (ja) | コンデンサの測定端子接触検出方法 | |
| JP4062764B2 (ja) | コンデンサの良否判別方法 | |
| US7111210B2 (en) | Accelerated test method for ferroelectric memory device | |
| US7298160B2 (en) | Method of measuring gate capacitance by correcting dissipation factor error | |
| JPH1144715A (ja) | 電子部品の絶縁抵抗測定方法 | |
| JP3175674B2 (ja) | コンデンサの良否判定方法 | |
| US20210356528A1 (en) | Method for evaluating state of health of battery | |
| JP3307305B2 (ja) | コンデンサの良否判定方法 | |
| JPH08250160A (ja) | トリクル用Ｎｉ−Ｃｄ電池の容量推定回帰式導出方法 | |
| US20020144197A1 (en) | Method of and apparatus for measuring the correctness of and correcting an automatic test arrangement | |
| JPH03255644A (ja) | 絶縁膜の信頼性評価方法 | |
| JPH06118126A (ja) | 温度係数測定方法および測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071208 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081208 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081208 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091208 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |