JP2003105548A

JP2003105548A - 薄膜形成方法、基材、光学フィルム及び画像表示素子

Info

Publication number: JP2003105548A
Application number: JP2001296651A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Fukuda; 和浩福田; Kiyoshi Oishi; 清大石; Yoshikazu Kondo; 慶和近藤; Yoshiro Toda; 義朗戸田; Toshio Tsuji; 稔夫辻
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2001-09-27
Filing date: 2001-09-27
Publication date: 2003-04-09

Abstract

(57)【要約】【課題】高機能性の薄膜を形成する薄膜形成方法、該
薄膜を有する基材、該基材を有する光学フィルムおよび
該光学フィルムを有する画像表示素子を提供する。【解決手段】大気圧又は大気圧近傍の圧力下におい
て、対向する電極間に反応ガス及び不活性ガスを含有す
る気体を存在させて高周波電圧を印加することにより放
電プラズマを発生させ、基材を前記放電プラズマに晒す
ことによって前記基材上に薄膜を形成する薄膜形成方法
において、前記放電プラズマに晒されている間の前記基
材の表面温度の最高温度が１００〜４００℃であること
を特徴とする薄膜形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高機能な各種薄膜
を形成する薄膜形成方法、該薄膜を有する基材および光
学フィルムに関し、更に詳しくは、大気圧または大気圧
近傍の圧力下において反応性ガスをプラズマ状態にし、
基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによ
り、前記基材上に薄膜を形成する薄膜形成方法、該薄膜
を有する基材、該基材を有する光学フィルムおよび該光
学フィルムを有する画像表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】一例に過ぎないが、ＬＳＩ、半導体、表
示デバイス、磁気記録デバイス、光電変換デバイス、ジ
ョセフソンデバイス、太陽電池、光熱変換デバイス等の
各種製品には、基材上に高機能性の薄膜を設けた材料が
多数用いられている。

【０００３】これら高機能性の薄膜とは、例えば、電極
膜、誘電体保護膜、半導体膜、透明導電膜、エレクトロ
クロミック膜、蛍光膜、超伝導膜、誘電体膜、太陽電池
膜、反射防止膜、耐摩耗性膜、光学干渉膜、反射膜、帯
電防止膜、導電膜、防汚膜、ハードコート膜、下引き
膜、バリア膜、電磁波遮蔽膜、赤外線遮蔽膜、紫外線吸
収膜、潤滑膜、形状記憶膜、磁気記録膜、発光素子膜、
生体適合膜、耐食性膜、触媒膜、ガスセンサ膜、装飾膜
等のことである。

【０００４】従来、このような高機能性の薄膜は、塗布
に代表される湿式製膜法か、あるいは、スパッタリング
法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の真空を用
いた乾式製膜法によって、形成されている。

【０００５】塗布は、生産性が高い点で有用であるが、
薄膜を構成する材料を溶媒に溶解あるいは分散した塗布
液としなければならないため、当該溶媒が薄膜中に残存
したり、膜厚の均一性を保つことが難しい等、あまり高
機能の薄膜形成には向いているとは言えない。また、塗
布後の乾燥工程において、塗布液から蒸発した有機溶剤
等の溶媒が環境に負荷を与えるという問題も含んでい
る。

【０００６】一方、上記真空を用いた乾式製膜法は、高
精度の薄膜が形成出来るため、高性能の薄膜を形成する
には好ましい方法である。しかし、乾式製膜法に用いる
真空装置は、被処理基材が大きくなると、装置が非常に
大型化し、値段も高額になる他、真空排気にも膨大な時
間を費やし、生産性が上げられないデメリットが大き
い。

【０００７】上記、塗布による高機能な薄膜が得にくい
デメリット、および、真空装置を用いることによる低生
産性のデメリットを克服する方法として、大気圧または
大気圧近傍の圧力下で放電し、反応性ガスをプラズマ励
起し、基材上に薄膜を形成する方法（以下、大気圧プラ
ズマ法とも称する）が特開平１１−１３３２０５号、特
開２０００−１８５３６２号、特開平１１−６１４０６
号、特開２０００−１４７２０９号、同２０００−１２
１８０４号等に記載されている。これら公報に開示され
る大気圧プラズマ法は、対向する電極間に、高周波電圧
を印加し、放電プラズマを発生させるというものであ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に開示される大気圧プラズマ法を適用しても、微少面
積への薄膜形成は可能であるが、大面積への均一製膜は
困難であることがわかった。また、高機能性の薄膜に要
求される性能を十分に満たしているとは言えないことが
わかった。そこで、上記記載のような種々の薄膜形成に
関する問題点の解決が要望されていた。

【０００９】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、高機
能性の薄膜を形成する薄膜形成方法、該薄膜を有する基
材、該基材を有する光学フィルム及び該光学フィルムを
有する画像表示素子を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的は、技術手段
（１）〜（１８）項のいずれか１項により達成される。

【００１１】（１）大気圧又は大気圧近傍の圧力下に
おいて、対向する電極間に反応ガス及び不活性ガスを含
有する気体を存在させて高周波電圧を印加することによ
り放電プラズマを発生させ、基材を前記放電プラズマに
晒すことによって前記基材上に薄膜を形成する薄膜形成
方法において、前記放電プラズマに晒されている間の前
記基材の表面温度の最高温度が１００〜４００℃である
ことを特徴とする薄膜形成方法。

【００１２】（２）大気圧又は大気圧近傍の圧力下に
おいて、対向する電極間に反応ガス及び不活性ガスを含
有する気体を存在させて高周波電圧を印加することによ
り放電プラズマを発生させ、基材を前記放電プラズマに
晒すことによって前記基材上に薄膜を形成することを特
徴とする薄膜形成方法において、前記放電プラズマに晒
されている間の前記基材の表面温度が１００〜４００℃
の範囲内であることを特徴とする薄膜形成方法。

【００１３】（３）前記対向する電極の少なくとも一
方の電極が無機物の誘電体で被覆されていることを特徴
とする（１）又は（２）に記載の薄膜形成方法。

【００１４】（４）前記高周波電圧が１００ｋＨｚ〜
１５０ＭＨｚの周波数を有する電圧であることを特徴と
する（１）〜（３）のいずれか１項に記載の薄膜形成方
法。

【００１５】（５）前記高周波電圧の放電出力が１Ｗ
／ｃｍ²〜５０Ｗ／ｃｍ²であることを特徴とする（１）
〜（４）のいずれか１項に記載の薄膜形成方法。

【００１６】（６）前記基材は放電プラズマに晒す前
に１００〜４００℃に加熱されていることを特徴とする
（１）〜（５）のいずれか１項に記載の薄膜形成方法。

【００１７】（７）前記基材は放電プラズマに晒す前
に基材が変質しない温度以下で加熱されていることを特
徴とする（１）〜（５）のいずれか１項に記載の薄膜形
成方法。

【００１８】（８）前記不活性ガスは前記気体中に９
０〜９９．９体積％含まれることを特徴とする（１）〜
（７）のいずれか１項に記載の薄膜形成方法。

【００１９】（９）前記不活性ガスはＨｅガス又はＡ
ｒガスであることを特徴とする（１）〜（８）のいずれ
か１項に記載の薄膜形成方法。

【００２０】（１０）前記反応ガスは前記気体中に
０．０１〜１０体積％含まれることを特徴とする（１）
〜（９）のいずれか１項に記載の薄膜形成方法。

【００２１】（１１）前記反応ガスは、フッ素化合
物、ケイ素化合物、チタン化合物、錫化合物、亜鉛化合
物、インジウム化合物、アルミ化合物、銅化合物、銀化
合物から選ばれる化合物であることを特徴とする（１）
〜（１０）のいずれか１項に記載の薄膜形成方法。

【００２２】（１２）前記フッ素化合物はフッ化炭素
ガス又はフッ化炭化水素ガスであることを特徴とする
（１１）に記載の薄膜形成方法。

【００２３】（１３）前記ケイ素化合物、前記チタン
化合物、前記錫化合物、前記亜鉛化合物、前記インジウ
ム化合物、前記アルミ化合物、前記銅化合物、前記銀化
合物は、有機金属化合物、金属水素化合物、ハロゲン化
金属化合物、金属アルコキシド化合物のいずれかである
ことを特徴とする（１２）に記載の薄膜形成方法。

【００２４】（１４）（１）〜（１３）のいずれか１
項に記載の方法により形成された薄膜を有する基材。

【００２５】（１５）（１）〜（１３）のいずれか１
項に記載の方法を複数回行って形成された複数の薄膜を
有する基材。

【００２６】（１６）（１４）に記載の基材を有する
光学フィルム。（１７）（１５）に記載の基材を有す
る光学フィルム。

【００２７】（１８）（１６）又は（１７）に記載の
光学フィルムを有する画像表示素子。

【００２８】以下に本発明を詳細に説明する。本発明者
らは、基材の表面に薄膜を形成させる薄膜形成方法にお
いて、放電プラズマに基材を晒している間の、基材の表
面温度の最高温度を１００〜４００℃の範囲内にするこ
とにより、基材に形成される薄膜が、緻密で強力な接着
力を有する薄膜となり、これにより高機能性の薄膜とな
ることを見出した。このときに、放電プラズマに基材を
晒している間中、ずっと基材の表面温度を１００〜４０
０℃とすることで、特に高機能性の薄膜を形成すること
ができることも見出した。

【００２９】本発明において、大気圧近傍の圧力下と
は、２０ｋＰａ〜１１０ｋＰａの圧力下であり、好まし
くは９３ｋＰａ〜１０４ｋＰａの範囲である。

【００３０】本発明において薄膜形成方法は、基材に薄
膜を形成する方法のことをいい、薄膜を有する基材と
は、薄膜形成方法により、基材上に薄膜を形成した基材
のことを言う。複数の薄膜を有する基材とは、薄膜形成
方法を複数回行って、複数の薄膜を形成した基材のこと
を言う。

【００３１】

【発明の実施の形態】本発明の薄膜形成方法、同方法に
より形成された薄膜を有する基材、同基材を有する光学
フィルム、同光学フィルムを有する画像表示素子につい
て、以下にその実施の形態を図を用いて説明するが、本
発明はこれらに限定されない。また、以下の説明には用
語等に対する断定的な表現があるが、本発明の好ましい
例を示すもので、本発明の用語の意義や技術的な範囲を
限定するものではない。

【００３２】図１は本発明の薄膜形成方法に用いること
ができる大気圧プラズマ処理装置の断面図である。本発
明の薄膜形成方法はこの大気圧プラズマ処理装置を用い
て行うことができる。

【００３３】１は基材である。本発明に用いることがで
きる基材としては、フィルム状のもの、レンズ状等の立
体形状のもの等、薄膜をその表面に形成できるものであ
れば特に限定はない。基材が電極間に載置できるもので
あれば、電極間に載置することによって、基材が電極間
に載置できないものであれば、発生したプラズマを当該
基材に吹き付けることによって薄膜を形成すればよい。

【００３４】基材を構成する材料も特に限定はないが、
大気圧または大気圧近傍の圧力下であることと、低温の
グロー放電であることから、樹脂を好ましく用いること
ができる。

【００３５】例えば、本発明に係る薄膜が反射防止膜で
ある場合、基材として好ましくはフィルム状のセルロー
ストリアセテート等のセルロースエステル、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリスチレン、更にこれらの上
にゼラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、アクリ
ル樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂等を塗設
したもの等を使用することが出来る。また、これら基材
は、支持体上に防眩層やクリアハードコート層を塗設し
たり、バックコート層、帯電防止層を塗設したものを用
いることが出来る。

【００３６】上記の支持体（基材としても用いられる）
としては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、
ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、セロ
ファン、セルロースジアセテートフィルム、セルロース
アセテートブチレートフィルム、セルロースアセテート
プロピオネートフィルム、セルロースアセテートフタレ
ートフィルム、セルローストリアセテート、セルロース
ナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの
誘導体からなるフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィル
ム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルア
ルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレン
系フィルム、ポリカーボネートフィルム、ノルボルネン
樹脂系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエ
ーテルケトンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエー
テルスルホンフィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリ
エーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、
フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメ
タクリレートフィルム、アクリルフィルムあるいはポリ
アリレート系フィルム等を挙げることができる。

【００３７】これらの素材は単独であるいは適宜混合さ
れて使用することもできる。中でもゼオネックス（日本
ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム（株）
製）などの市販品を好ましく使用することができる。更
に、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルフォ
ン及びポリエーテルスルフォンなどの固有複屈折率の大
きい素材であっても、溶液流延、溶融押し出し等の条
件、更には縦、横方向に延伸条件等を適宜設定すること
により、得ることが出来る。また、本発明に係る支持体
は、上記の記載に限定されない。膜厚としては１０μｍ
〜１０００μｍのフィルムが好ましく用いられる。

【００３８】本発明において、基材上に設ける薄膜が、
反射防止膜である場合には、本発明に用いる基材として
は、中でもセルロースエステルフィルムを用いることが
低い反射率の積層体が得られる為、好ましい。本発明に
記載の効果を好ましく得る観点から、セルロースエステ
ルとしてはセルロースアセテート、セルロースアセテー
トブチレート、セルロースアセテートプロピオネートが
好ましく、中でもセルロースアセテートブチレート、セ
ルロースアセテートプロピオネートが好ましく用いられ
る。

【００３９】本発明において、反射防止膜を有する基材
として上記セルロースエステルフィルムを用いる場合、
このセルロースエステルフィルムには可塑剤を含有する
のが好ましい。

【００４０】可塑剤としては特に限定はないが、リン酸
エステル系可塑剤、フタル酸エステル系可塑剤、トリメ
リット酸エステル系可塑剤、ピロメリット酸系可塑剤、
グリコレート系可塑剤、クエン酸エステル系可塑剤、ポ
リエステル系可塑剤などを好ましく用いることが出来
る。リン酸エステル系では、トリフェニルホスフェー
ト、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニルホ
スフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ジフェ
ニルビフェニルホスフェート、トリオクチルホスフェー
ト、トリブチルホスフェート等、フタル酸エステル系で
は、ジエチルフタレート、ジメトキシエチルフタレー
ト、ジメチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジブ
チルフタレート、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、
ブチルベンジルフタレート等、トリメリット酸系可塑剤
として、トリブチルトリメリテート、トリフェニルトリ
メリテート、トリエチルトリメリテート等、ピロメリッ
ト酸エステル系可塑剤として、テトラブチルピロメリテ
ート、テトラフェニルピロメリテート、テトラエチルピ
ロメリテート等、グリコール酸エステル系では、トリア
セチン、トリブチリン、エチルフタリルエチルグリコレ
ート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタ
リルブチルグリコレート等、クエン酸エステル系可塑剤
として、トリエチルシトレート、トリ−ｎ−ブチルシト
レート、アセチルトリエチルシトレート、アセチルトリ
−ｎ−ブチルシトレート、アセチルトリ−ｎ−（２−エ
チルヘキシル）シトレート等を好ましく用いることがで
きる。

【００４１】その他のカルボン酸エステルの例には、オ
レイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシ
ン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが含まれ
る。

【００４２】ポリエステル系可塑剤として脂肪族二塩基
酸、脂環式二塩基酸、芳香族二塩基酸等の二塩基酸とグ
リコールの共重合体を用いることが出来る。脂肪族二塩
基酸としては特に限定されないが、アジピン酸、セバシ
ン酸、フタル酸、テレフタル酸、１，４−シクロヘキシ
ルジカルボン酸などを用いることが出来る。グリコール
としては、エチレングリコール、ジエチレングリコー
ル、１，３−プロピレングリコール、１，２−プロピレ
ングリコール、１，４−ブチレングリコール、１，３−
ブチレングリコール、１，２−ブチレングリコールなど
を用いることが出来る。これらの二塩基酸及びグリコー
ルはそれぞれ単独で用いても良いし、二種以上混合して
用いても良い。

【００４３】これらの可塑剤の使用量は、フィルム性
能、加工性等の点で、セルロースエステルに対して１〜
２０質量％であることが好ましい。

【００４４】本発明において、薄膜が反射防止膜である
場合、基材（支持体単独の場合もある）としては、液晶
等の劣化防止の観点から、紫外線吸収剤が好ましく用い
られる。

【００４５】紫外線吸収剤としては、波長３７０ｎｍ以
下の紫外線の吸収能に優れ、かつ良好な液晶表示性の観
点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないも
のが好ましく用いられる。好ましく用いられる紫外線吸
収剤の具体例としては、例えばオキシベンゾフェノン系
化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エス
テル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリ
レート系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられ
るが、これらに限定されない。又、特開平６−１４８４
３０号記載の高分子紫外線吸収剤も好ましく用いられ
る。

【００４６】又、本発明の支持体に用いることのできる
紫外線吸収剤は特願平１１−２９５２０９号に記載され
ている分配係数が９．２以上の紫外線吸収剤を含むこと
が、プラズマ処理工程の汚染が少なく、また、各種塗布
層の塗布性にも優れる為好ましく、特に分配係数が１
０．１以上の紫外線吸収剤を用いることが好ましい。

【００４７】可塑剤や紫外線吸収剤吸収剤を含むセルロ
ースエステルフィルムを基材として用いた場合、これら
がブリードアウトするなどによって、プラズマ処理部に
付着するなどして工程を汚染し、これがフィルムに付着
する可能性が考えられる。この問題を解決するために
は、支持体がセルロースエステルと可塑剤を有し、８０
℃、９０％ＲＨで時間処理した前後の質量変化が±２質
量％未満である支持体を用いることが好ましい（保留
性）。このようなセルロースエステルフィルムは特願２
０００−３３８８８３号記載のセルロースエステルフィ
ルム等が好ましく用いられる。又、この目的のために特
開平６−１４８４３０号、特願２０００−１５６０３９
号記載の高分子紫外線吸収剤（または紫外線吸収性ポリ
マー）が好ましく用いることができる。高分子紫外線吸
収剤としては、ＰＵＶＡ−３０Ｍ（大塚化学（株）製）
などが市販されている。特開平６−１４８４３０号の一
般式（１）あるいは一般式（２）あるいは特願２０００
−１５６０３９の一般式（３）（６）（７）記載の高分
子紫外線吸収剤が特に好ましく用いられる。

【００４８】本発明において、薄膜が反射防止膜である
場合の基材の光学特性としては、面内リターデーション
Ｒ₀は０〜１０００ｎｍのものが好ましく用いられ、厚
味方向のリターデーションＲ_tは０〜３００ｎｍのもの
が用途に応じて好ましく用いられる。又、波長分散特性
としてはＲ₀（６００）／Ｒ₀（４５０）は０．７〜１．
３であることが好ましく、特に１．０〜１．３であるこ
と好ましい。

【００４９】ここで、Ｒ₀（４５０）は波長４５０ｎｍ
の光による３次元屈折率測定に基づいた面内リターデー
ション、Ｒ₀（６００）は波長６００ｎｍの光による３
次元屈折率測定に基づいた面内リターデーションを表
す。

【００５０】本発明において、薄膜が反射防止膜である
場合、基材と放電プラズマ処理により形成される薄膜と
の密着性を向上させる観点から、１種以上のエチレン性
不飽和モノマーを含む成分を重合させて形成した層に、
上記記載の放電プラズマ処理をして形成されたものであ
ることが好ましく、特に、前記エチレン性不飽和モノマ
ーを含む成分を重合させて形成した層をｐＨ１０以上の
溶液で処理した後に放電プラズマ処理することにより、
さらに密着性が改善されるため好ましい。ｐＨ１０以上
の溶液としては、０．１〜３ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリ
ウムもしくは水酸化カリウム水溶液等が好ましく用いら
れる。

【００５１】エチレン性不飽和モノマーを含む成分を重
合させて形成した樹脂層としては、活性線硬化樹脂ある
いは熱硬化樹脂を構成成分として含有する層が好ましく
用いられるが、特に好ましく用いられるのは活性線硬化
樹脂層である。

【００５２】ここで、活性線硬化樹脂層とは紫外線や電
子線のような活性線照射により架橋反応などを経て硬化
する樹脂を主たる成分とする層をいう。活性線硬化樹脂
としては紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂などが代
表的なものとして挙げられるが、紫外線や電子線以外の
活性線照射によって硬化する樹脂でもよい。紫外線硬化
性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型アクリルウレタ
ン系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹
脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線
硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、または紫外線硬
化型エポキシ樹脂等を挙げることが出来る。

【００５３】紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂は、
一般にポリエステルポリオールにイソシアネートモノマ
ー、もしくはプレポリマーを反応させて得られた生成物
に更に２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシエチルメタクリレート（以下アクリレートにはメタ
クリレートを包含するものとしてアクリレートのみを表
示する）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート等の水
酸基を有するアクリレート系のモノマーを反応させるこ
とによって容易に得ることが出来る（例えば、特開昭５
９−１５１１１０号等を参照）。

【００５４】紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系
樹脂は、一般にポリエステルポリオールに２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシアクリレート系
のモノマーを反応させることによって容易に得ることが
出来る（例えば、特開昭５９−１５１１１２号を参
照）。

【００５５】紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂
の具体例としては、エポキシアクリレートをオリゴマー
とし、これに反応性希釈剤、光反応開始剤を添加し、反
応させたものを挙げることが出来る（例えば、特開平１
−１０５７３８号）。この光反応開始剤としては、ベン
ゾイン誘導体、オキシムケトン誘導体、ベンゾフェノン
誘導体、チオキサントン誘導体等のうちから、１種もし
くは２種以上を選択して使用することが出来る。

【００５６】また、紫外線硬化型ポリオールアクリレー
ト系樹脂の具体例としては、トリメチロールプロパント
リアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアク
リレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタ
エリスリトールペンタアクリレート等を挙げることが出
来る。

【００５７】これらの樹脂は通常公知の光増感剤と共に
使用される。また上記光反応開始剤も光増感剤としても
使用出来る。具体的には、アセトフェノン、ベンゾフェ
ノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、
α−アミロキシムエステル、チオキサントン等及びこれ
らの誘導体を挙げることが出来る。また、エポキシアク
リレート系の光反応剤の使用の際、ｎ−ブチルアミン、
トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等の増
感剤を用いることが出来る。塗布乾燥後に揮発する溶媒
成分を除いた紫外線硬化性樹脂組成物に含まれる光反応
開始剤又光増感剤は該組成物の２．５〜６質量％である
ことが好ましい。

【００５８】樹脂モノマーとしては、例えば、不飽和二
重結合が一つのモノマーとして、メチルアクリレート、
エチルアクリレート、ブチルアクリレート、酢酸ビニ
ル、ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレー
ト、スチレン等の一般的なモノマーを挙げることが出来
る。また不飽和二重結合を二つ以上持つモノマーとし
て、エチレングリコールジアクリレート、プロピレング
リコールジアクリレート、ジビニルベンゼン、１，４−
シクロヘキサンジアクリレート、１，４−シクロヘキシ
ルジメチルアジアクリレート、前出のトリメチロールプ
ロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
アクリルエステル等を挙げることができる。

【００５９】例えば、紫外線硬化樹脂としては、アデカ
オプトマーＫＲ・ＢＹシリーズ：ＫＲ−４００、ＫＲ−
４１０、ＫＲ−５５０、ＫＲ−５６６、ＫＲ−５６７、
ＢＹ−３２０Ｂ（以上、旭電化工業株式会社製）、ある
いはコーエイハードＡ−１０１−ＫＫ、Ａ−１０１−Ｗ
Ｓ、Ｃ−３０２、Ｃ−４０１−Ｎ、Ｃ−５０１、Ｍ−１
０１、Ｍ−１０２、Ｔ−１０２、Ｄ−１０２、ＮＳ−１
０１、ＦＴ−１０２Ｑ８、ＭＡＧ−１−Ｐ２０、ＡＧ−
１０６、Ｍ−１０１−Ｃ（以上、広栄化学工業株式会社
製）、あるいはセイカビームＰＨＣ２２１０（Ｓ）、Ｐ
ＨＣＸ−９（Ｋ−３）、ＰＨＣ２２１３、ＤＰ−１
０、ＤＰ−２０、ＤＰ−３０、Ｐ１０００、Ｐ１１０
０、Ｐ１２００、Ｐ１３００、Ｐ１４００、Ｐ１５０
０、Ｐ１６００、ＳＣＲ９００（以上、大日精化工業株
式会社製）、あるいはＫＲＭ７０３３、ＫＲＭ７０３
９、ＫＲＭ７１３０、ＫＲＭ７１３１、ＵＶＥＣＲＹＬ
２９２０１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０２（以上、ダイセ
ル・ユーシービー株式会社）、あるいはＲＣ−５０１
５、ＲＣ−５０１６、ＲＣ−５０２０、ＲＣ−５０３
１、ＲＣ−５１００、ＲＣ−５１０２、ＲＣ−５１２
０、ＲＣ−５１２２、ＲＣ−５１５２、ＲＣ−５１７
１、ＲＣ−５１８０、ＲＣ−５１８１（以上、大日本イ
ンキ化学工業株式会社製）、あるいはオーレックスＮ
ｏ．３４０クリヤ（中国塗料株式会社製）、あるいはサ
ンラッドＨ−６０１（三洋化成工業株式会社製）、ある
いはＳＰ−１５０９、ＳＰ−１５０７（昭和高分子株式
会社製）、あるいはＲＣＣ−１５Ｃ（グレース・ジャパ
ン株式会社製）、アロニックスＭ−６１００、Ｍ−８０
３０、Ｍ−８０６０（以上、東亞合成株式会社製）ある
いはこの他の市販のものから適宜選択して利用できる。

【００６０】本発明に用いられる活性線硬化樹脂層は公
知の方法で塗設することができる。活性線硬化性樹脂を
光硬化反応により硬化皮膜層を形成するための光源とし
ては、紫外線を発生する光源であればいずれでも使用出
来る。例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、
超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドラン
プ、キセノンランプ等を用いることが出来る。照射条件
はそれぞれのランプによって異なるが、照射光量は２０
〜１００００ｍＪ／ｃｍ²程度あればよく、好ましく
は、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ²である。近紫外線領域
〜可視光線領域にかけてはその領域に吸収極大のある増
感剤を用いることによって使用出来る。

【００６１】活性線硬化樹脂層を塗設する際の溶媒とし
て前述のバックコート層や導電性微粒子を含有する樹脂
層を塗設する溶媒、例えば、炭化水素類、アルコール
類、ケトン類、エステル類、グリコールエーテル類、そ
の他の溶媒の中から適宜選択し、あるいはこれらを混合
し利用できる。好ましくは、プロピレングリコールモノ
（炭素数１〜４のアルキル基）アルキルエーテルまたは
プロピレングリコールモノ（炭素数１〜４のアルキル
基）アルキルエーテルエステルを５質量％以上、さらに
好ましくは５〜８０質量％以上含有する溶媒が用いられ
る。

【００６２】紫外線硬化性樹脂組成物塗布液の塗布方法
としては、グラビアコーター、スピナーコーター、ワイ
ヤーバーコーター、ロールコーター、リバースコータ
ー、押し出しコーター、エアードクターコーター等公知
の方法を用いることが出来る。塗布量はウェット膜厚で
０．１〜３０μｍが適当で、好ましくは、０．５〜１５
μｍである。塗布速度は好ましくは１０〜６０ｍ／分で
行われる。

【００６３】紫外線硬化性樹脂組成物は塗布乾燥された
後、紫外線を光源より照射するが、照射時間は０．５秒
〜５分がよく、紫外線硬化性樹脂の硬化効率、作業効率
とから３秒〜２分がより好ましい。

【００６４】こうして得た硬化皮膜層に、ブロッキング
を防止するため、また対擦り傷性等を高めるために無機
あるいは有機の微粒子を加えることが好ましい。例え
ば、無機微粒子としては酸化ケイ素、酸化チタン、酸化
アルミニウム、酸化錫、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫
酸バリウム、タルク、カオリン、硫酸カルシウム等を挙
げることができ、また有機微粒子としては、ポリメタア
クリル酸メチルアクリレート樹脂粉末、アクリルスチレ
ン系樹脂粉末、ポリメチルメタクリレート樹脂粉末、シ
リコン系樹脂粉末、ポリスチレン系樹脂粉末、ポリカー
ボネート樹脂粉末、ベンゾグアナミン系樹脂粉末、メラ
ミン系樹脂粉末、ポリオレフィン系樹脂粉末、ポリエス
テル系樹脂粉末、ポリアミド系樹脂粉末、ポリイミド系
樹脂粉末、あるいはポリ弗化エチレン系樹脂粉末等を挙
げることができ、紫外線硬化性樹脂組成物に加えること
が出来る。これらの微粒子粉末の平均粒径としては、
０．００５μｍ〜１μｍが好ましく０．０１〜０．１μ
ｍであることが特に好ましい。

【００６５】紫外線硬化樹脂組成物と微粒子粉末との割
合は、樹脂組成物１００質量部に対して、０．１〜１０
質量部となるように配合することが望ましい。

【００６６】このようにして形成された紫外線硬化樹脂
を硬化させた層は中心線表面粗さＲａが１〜５０ｎｍの
クリアハードコート層であっても、Ｒａが０．１〜１μ
ｍ程度の防眩層であってもよい。本発明では、これらの
層の上にプラズマ処理することができる。特に本発明の
方法によれば、表面の凹凸のある基材上に均一な低屈折
率層あるいは高屈折率層等の光学干渉層を設けることが
出来る。特に、ＪＩＳＢ０６０１で規定される中心線
平均表面粗さ（Ｒａ）が０．１〜０．５μｍの防眩層上
に均一にプラズマ処理できるために好ましい。

【００６７】本発明においては、上記記載のような基材
面に対して本発明に係わる薄膜を設ける場合、平均膜厚
に対する膜厚偏差を±１０％になるように設けることが
好ましく、更に好ましくは±５％以内であり、特に好ま
しくは±１％以内になるように設けることが好ましい。

【００６８】本発明において反射防止膜を有する基材を
作製する場合、プラズマ処理する前にプラズマ処理面に
紫外線を照射することが形成される皮膜の密着性に優れ
るため好ましい。紫外線照射光量としては５０〜２００
０ｍＪ／ｃｍ²であることが好ましい。５０ｍＪ／ｃｍ²
未満では、効果が十分ではなく、２０００ｍＪ／ｃｍ²
を越えると基材の変形等が生じる恐れがあり好ましくな
い。紫外線照射後、１時間以内にプラズマ処理すること
が好ましく、特に紫外線照射後１０分以内にプラズマ処
理することが好ましい。プラズマ処理前の紫外線の照射
は、前述の紫外線硬化樹脂の硬化のための紫外線照射と
同時に行ってもよく、その場合、硬化のために最低限必
要な紫外線照射量よりも多くすることが好ましい。

【００６９】本発明において、反射防止膜を作製する場
合、プラズマ処理を行った後に紫外線照射することも、
形成された皮膜を早期に安定化させるために有効であ
る。

【００７０】このため、紫外線照射光量として５０〜２
０００ｍＪ／ｃｍ²をプラズマ処理後にプラズマ処理面
に照射することが好ましい。これらの処理はプラズマ処
理の後、巻き取り工程までの間に行うことが好ましい。
また、プラズマ処理後の基材は５０〜１３０℃に調整さ
れた乾燥ゾーンにおいて１〜３０分処理されることが好
ましい。

【００７１】本発明において反射防止膜を有する基材
は、両面にプラズマ処理が施されていることが処理後の
カールが少なくなるため好ましい。裏面のプラズマ処理
は別々に行ってもよいが、両面同時にプラズマ処理を行
うことが好ましく、低反射加工側の裏面側には、プラズ
マ処理による裏面加工を行うことが好ましい。例えば、
特願２０００−２７３０６６号記載の易接着加工、特願
２０００−８００４３号記載の帯電防止加工があげられ
るが、特にこれらに限定されない。

【００７２】図１において、２は平板状の電極であり、
３は角柱型の電極であり、電極３は複数配列されてい
る。角柱型の電極３は円柱型の電極に比べて、放電範囲
を広げる効果があるので、本発明の薄膜形成方法に好ま
しく用いられる。電極２と、電極３のぞれぞれは対向す
るように配置されている。

【００７３】電極２，３には、高周波電圧を印加して、
均一なグロー放電状態を保つことができる電極を大気圧
プラズマ処理装置に採用する必要がある。

【００７４】２は基材１を保持することができる構造を
しており、加熱ヒーター５を内蔵している。さらに２
は、水平方向に往復移動することが可能である。加熱ヒ
ーター５は高周波電源４’で電圧を印加して基材１の表
面温度を電極２，３間で放電プラズマに晒す前に予め加
熱することができる。

【００７５】電極の材料としては、銀、白金、ステンレ
スアルミニウム、鉄等の金属等が挙げられるが、加工の
観点からステンレスが好ましい。

【００７６】さらに、電極２，３は、誘電体を被覆した
ものであることが好ましい。少なくとも対向する印加電
極とアース電極の片側に誘電体を被覆すること、更に好
ましくは、対向する印加電極とアース電極の両方に誘電
体を被覆することである。

【００７７】誘電体としては、無機物の誘電体であるこ
とが好ましく、このような誘電体としては、アルミナ、
窒化珪素等のセラミックス、あるいは、ケイ酸塩系ガラ
ス、ホウ酸塩系ガラス等のガラスライニング材等があ
る。

【００７８】また、基材を電極間に載置あるいは電極間
を搬送してプラズマに晒す場合には、基材を片方の電極
に接して搬送出来るロール電極仕様にするだけでなく、
更に誘電体表面を研磨仕上げし、電極の表面粗さＲｍａ
ｘ（ＪＩＳＢ０６０１）を１０μｍ以下にすること
で、誘電体の厚み及び電極間のギャップを一定に保つこ
とができ、放電状態を安定化できること、更に熱収縮差
や残留応力による歪やひび割れを無くし、かつポーラス
でない高精度の無機誘電体を被覆することで大きく耐久
性を向上させることができる。更に好ましくは、表面粗
さの最大値が８μｍ以下であり、特に好ましくは、７μ
ｍ以下に調整することである。また、ＪＩＳＢ０６
０１で規定される中心線平均表面粗さ（Ｒａ）は０．５
μｍ以下が好ましく、更に好ましくは０．１μｍ以下で
ある。

【００７９】また、高温下での電極に対する誘電体被覆
による電極製作において、少なくとも基材と接する側の
誘電体を研磨仕上げすること、更に電極と誘電体間の熱
膨張の差をなるべく小さくすることが必要であり、その
ため製作方法において、電極表面に、応力を吸収出来る
層として泡混入量をコントロールして無機質の材料をラ
イニングする、特に材質としては琺瑯等で知られる溶融
法により得られるガラスであることが良く、更に電極に
接する最下層の泡混入量を２０〜３０ｖｏｌ％とし、次
層以降を５ｖｏｌ％以下とすることで、緻密でかつひび
割れ等が発生しない良好な電極が出来る。

【００８０】また、電極に誘電体を被覆する別の方法と
して、セラミックスの溶射を空隙率１０ｖｏｌ％以下ま
で緻密に行い、更にゾルゲル反応により硬化する無機質
の材料にて封孔処理を行うことであり、ここでゾルゲル
反応の促進には、熱硬化やＵＶ硬化が良く、更に封孔液
を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返す
と、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な
電極が出来る。

【００８１】上記電極間の距離は、電極に設置した固体
誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する
目的等を考慮して決定される。上記電極の一方に固体誘
電体を設置した場合の固体誘電体と電極の最短距離、上
記電極の双方に固体誘電体を設置した場合の固体誘電体
同士の距離としては、いずれの場合も均一な放電を行う
観点から０．５ｍｍ〜２０ｍｍが好ましく、特に好まし
くは１ｍｍ±０．５ｍｍである。

【００８２】４は電極２，３間に高周波電圧を印加する
ための高周波電源である。本発明に用いることができる
高周波電源としては、特に限定はないが、パール工業製
高周波電源（２００ｋＨｚ）、パール工業製高周波電源
（８００ｋＨｚ）、日本電子製高周波電源（１３．５６
ＭＨｚ）、パール工業製高周波電源（１５０ＭＨｚ）等
が使用できる。

【００８３】高周波電源４より電極２，３間に印加され
る電圧の周波数及び電力は適宜決定されるが、例えば、
電圧が０．５〜１０ｋＶ程度に調整される。ここで電源
の印加法に関しては、連続モードと呼ばれる連続サイン
波状の連続発振モードとパルスモードと呼ばれるＯＮ／
ＯＦＦを断続的に行う断続発振モードのどちらを採用し
ても良いが連続モードの方がより緻密で良質な膜が得ら
れる。

【００８４】本発明において、電極間に印加する高周波
電圧の周波数の上限値は、好ましくは１５０ＭＨｚ以下
である。

【００８５】また、高周波電圧の周波数の下限値として
は、好ましくは１００ｋＨｚ以上、さらに好ましくは８
００ｋＨｚ以上である。

【００８６】また、電極間に供給する電力の下限値は、
好ましくは１Ｗ／ｃｍ²以上であり、上限値としては、
好ましくは５０Ｗ／ｃｍ²以下、さらに好ましくは３０
Ｗ／ｃｍ²以下である。尚、電極における電圧の印加面
積（／ｃｍ²）は、放電が起こる範囲の面積のことを指
す。

【００８７】また、電極間に印加する高周波電圧は、断
続的なパルス波であっても、連続したサイン波であって
も構わないが、本発明の効果を高く得るためには、連続
したサイン波であることが好ましい。

【００８８】本発明の薄膜形成方法は、放電プラズマに
基材を晒して基材上に薄膜を形成する薄膜形成方法にお
いて、基材に放電プラズマを晒している間に基材の表面
温度の最高温度が１００〜４００℃の間となるようにす
ることにより、高機能性な薄膜を形成するものである。
従って、放電プラズマに晒されている間で基材の表面温
度の最高温度を１００〜４００℃とする必要がある。放
電プラズマに晒されている間で基材の表面温度の最高温
度を１００〜４００℃とするためには、図１の加熱ヒー
ター５のような加熱手段等により放電プラズマに晒す前
の基材１の表面を予め加熱し１００〜４００℃としてお
く手段を用いても良いし、電極２，３間で発生させる放
電プラズマの温度を高くしておき、この高温の放電プラ
ズマを基材１に晒すことで、基材１の表面温度を放電プ
ラズマに晒している間に１００〜４００℃へと上昇させ
る手段を用いても良い。さらに、前述の加熱ヒーター５
で基材１の表面温度を１００℃近辺ぐらいまで加熱して
おき、その後に高温の放電プラズマに晒すことで基材１
の表面温度を１００〜４００℃に到達させる手段等も用
いることができる。本発明では、放電プラズマに晒され
ている間のすべての期間において基材の表面温度が１０
０〜４００℃としておくことで、特に本発明の効果を発
揮することができることから、基材を加熱ヒーター５で
予め１００〜４００℃に加熱しておき、さらに１００〜
４００℃の放電プラズマに晒すという方法が好ましい。
これにより、放電プラズマに晒している間中ずっと基材
１の表面温度を１００〜４００℃の範囲内とすることが
できる。また、基材を予め加熱するには、図１のように
加熱ヒーター５で加熱する方法の他に、装置外で予め別
の手段で加熱した基材を用いるという方法もある。

【００８９】加熱ヒーター５のような加熱手段で基材１
の表面を予め加熱する場合は、基材１が変質しない温度
で加熱することが好ましい。

【００９０】図１に示す大気圧プラズマ処理装置は、電
極２，３間に不活性ガス及び反応ガスを含有する気体を
存在させ、電極２，３間に高周波電源４によって高周波
電圧を印加することで、放電プラズマを発生させる。

【００９１】本発明に用いる気体は、反応ガスと不活性
ガスを含有する気体であるが、電圧の印加により放電プ
ラズマを発生し、基材への薄膜形成が可能となるのであ
れば何でもよい。反応ガスとして、好ましくは、有機フ
ッ素化合物、金属化合物を好ましく挙げることが出来
る。

【００９２】有機フッ素化合物としては、フッ化炭素や
フッ化炭化水素等のガスが好ましく、例えば、フッ化メ
タン、フッ化エタン、テトラフルオロメタン、ヘキサフ
ルオロエタン、１，１，２，２−テトラフルオロエチレ
ン、１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパ
ン、ヘキサフルオロプロペン、６−フッ化プロピレン等
のフッ化炭素化合物；１，１−ジフルオロエチレン、
１，１，１，２−テトラフルオロエタン、１，１，２，
２，３−ペンタフルオロプロパン等のフッ化炭化水素化
合物；ジフルオロジクロロメタン、トリフルオロクロロ
メタン等のフッ化塩化炭化水素化合物；１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、１，
３−ジフルオロ−２−プロパノール、パーフルオロブタ
ノール等のフッ化アルコール；ビニルトリフルオロアセ
テート、１，１，１−トリフルオロエチルトリフルオロ
アセテート等のフッ化カルボン酸エステル；アセチルフ
ルオライド、ヘキサフルオロアセトン、１，１，１−ト
リフルオロアセトン等のフッ化ケトン等を挙げることが
出来るが、これらに限定されない。

【００９３】有機フッ素化合物がプラズマ放電処理によ
って、腐食性ガスあるいは有害ガスが発生しないような
化合物を選ぶのが好ましいが、それらが発生しない条件
を選ぶことも出来る。有機フッ素化合物を本発明に有用
な反応性ガスとして使用する場合、常温常圧で有機フッ
素化合物が気体であることが目的を遂行するのに最も適
切な反応性ガス成分としてそのまま使用でき好ましい。
これに対して常温常圧で液体または固体の有機フッ素化
合物の場合には、加熱や減圧等の気化装置などの手段に
より気化して使用すればよく、また適切な有機溶媒に溶
解して噴霧あるいは蒸発させて用いてもよい。

【００９４】金属化合物としては、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、
Ｂ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇ
ａ、Ｇｅ、Ｈｇ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎ
ａ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓ
ｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎまたはＺｒ等の金属化合物
または有機金属化合物を挙げることができ、Ａｌ、Ｇ
ｅ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎまたはＺ
ｒが金属化合物として好ましく用いられるが、特に、珪
素化合物、チタン化合物、錫化合物、亜鉛化合物、イン
ジウム化合物、アルミ化合物、銅化合物、銀化合物が好
ましい。

【００９５】これらのうち珪素化合物としては、例え
ば、ジメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラエチ
ルシラン等のアルキルシラン；テトラメトキシシラン、
テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、ジメ
チルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン等の珪素アルコキシド等の有機
珪素化合物；モノシラン、ジシラン等の珪素水素化合
物；ジクロルシラン、トリクロロシラン、テトラクロロ
シラン等のハロゲン化珪素化合物；その他オルガノシラ
ン等を挙げることが出来、何れも好ましく用いることが
出来る。また、これらは適宜組み合わせて用いることが
出来る。上記の有機珪素化合物は、取り扱い上の観点か
ら珪素アルコキシド、アルキルシラン、有機珪素水素化
合物が好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程
上の汚れなども少ないことから、特に有機珪素化合物と
して珪素アルコキシドが好ましい。

【００９６】チタン化合物、錫化合物、亜鉛化合物、イ
ンジウム化合物、アルミ化合物、銅化合物、銀化合物と
しては、有機金属化合物、ハロゲン化金属化合物、金属
水素化合物、金属アルコキシド化合物が好ましい。有機
金属化合物の有機成分としてはアルキル基、アルコキシ
ド基、アミノ基が好ましく、テトラエトキシチタン、テ
トライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テ
トラジメチルアミノチタン等を好ましく挙げることが出
来る。有機チタン化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合
物、有機インジウム化合物、有機アルミ化合物、有機銅
化合物、有機銀化合物は、中屈折率層や高屈折率層を形
成するのに非常に有用である。ハロゲン化金属化合物と
しては、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタン等
を挙げることができ、更に金属水素化合物としては、モ
ノチタン、ジチタン等を挙げることができる。本発明に
おいては、チタン系の有機金属化合物を好ましく用いる
ことができる。

【００９７】上記または上記以外の反応ガスを適宜選択
して、本発明の薄膜形成方法に使用することにより様々
な高機能性の薄膜を得ることができる。その一例を以下
に示すが、本発明はこれに限られるものではない。

【００９８】電極膜Ａｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ｔｉ，Ｔｉ，
Ｐｔ，Ｍｏ，Ｍｏ−Ｓｉ誘電体保護膜ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ａｌ
₂Ｏ₃，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃ 透明導電膜Ｉｎ₂Ｏ₃，ＳｎＯ₂ エレクトロクロミック膜ＷＯ₃，ＩｒＯ₂，ＭｏＯ₃，
Ｖ₂Ｏ₅ 蛍光膜ＺｎＳ，ＺｎＳ＋ＺｎＳｅ，ＺｎＳ＋ＣｄＳ磁気記録膜Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ，γ−Ｆｅ
₂Ｏ₃，Ｃｏ，Ｆｅ₃Ｏ₄、Ｃｒ，ＳｉＯ₂，ＡｌＯ₃ 超導電膜Ｎｂ，Ｎｂ−Ｇｅ，ＮｂＮ太陽電池膜ａ−Ｓｉ，Ｓｉ反射膜Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ選択性吸収膜ＺｒＣ−Ｚｒ選択性透過膜Ｉｎ₂Ｏ₃，ＳｎＯ₂ 反射防止膜ＳｉＯ₂，ＴｉＯ₂，ＳｎＯ₂ シャドーマスクＣｒ耐摩耗性膜Ｃｒ，Ｔａ，Ｐｔ，ＴｉＣ，ＴｉＮ耐食性膜Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ耐熱膜Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ潤滑膜ＭｏＳ₂ 装飾膜Ｃｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，ＴｉＣ，Ｃｕ本発明において反射防止膜を有する基材は、屈折率が
１．８〜２．３の酸化チタンを主成分とする高屈折率
層、屈折率が１．３〜１．５の酸化ケイ素を主成分とす
る低屈折率層を長尺フィルム状の基材表面に連続して設
けることが好ましい。これにより各層の間の密着性が良
好となる。好ましくは基材フィルム上に紫外線硬化樹脂
層を設けた後、直ちにプラズマ処理によって高屈折率層
及び低屈折率層を設けることがより好ましい。

【００９９】また、前記高屈折率層が酸化チタンを主成
分とし、屈折率が２．２以上であることが特に好まし
い。

【０１００】本発明において反射防止膜の高屈折率層及
び低屈折率層の炭素含有率は、ともに０．１〜５質量％
であることが下層との密着性と膜の柔軟性のために好ま
しい。より好ましくは炭素含有率は０．３〜３質量％で
ある。すなわち、プラズマ処理によって形成された層は
有機物（炭素原子）を含んでいるため、その範囲が膜に
柔軟性を与えるため、膜の密着性に優れ好ましい。炭素
の比率が多くなりすぎると経時で屈折率が変動しやすく
なる傾向がある。

【０１０１】本発明において、気体中に占める反応ガス
の割合は、０．０１体積％〜１０体積％であることが好
ましいが、更に好ましくは、０．１体積％〜５体積％で
ある。

【０１０２】不活性ガスとしては、Ｈｅ、Ａｒ等の希ガ
スが好ましく用いられるが、ＨｅとＡｒを混合した希ガ
スが好ましく、気体中に占める不活性ガスの割合は、９
０体積％〜９９．９体積％であることが好ましい。大気
圧プラズマを効率よく発生させるという点から不活性ガ
ス中のＡｒガス成分を多くするのも好ましいが、コスト
的な観点からもＡｒガス成分を９０体積％〜９９．９体
積％用いるのが好ましい。

【０１０３】なお、気体には水素ガスや酸素ガスを不活
性ガスに対して０．１体積％〜１０体積％混合させて使
用してもよく、このように補助的に使用することにより
薄膜の硬度を著しく向上させることが出来る。

【０１０４】次に図１に示す大気圧プラズマ処理装置を
用いた薄膜形成方法について説明する。

【０１０５】基材１は電極２に内蔵された加熱ヒーター
５により、放電プラズマに晒している最中の基材１の表
面温度の最高温度が１００〜４００℃となるように基材
１の表面温度を予め上昇させておく。電極２，３間には
反応ガス及び不活性ガスを含有する気体を存在させてお
く。反応ガス及び不活性ガスを含有する気体が存在する
電極２，３間には、高周波電源４によって高周波電圧が
印加される。これにより、電極２，３間に放電プラズマ
が発生する。電極２，３間に配置される基材１は電極
２，３間で発生した放電プラズマに晒され、これにより
基材１上に薄膜が形成される。尚、放電プラズマに晒し
ている最中の基材１の表面温度の最高温度は、加熱ヒー
ター５及び放電プラズマの有する熱との調整を行うこと
により１００〜４００℃の範囲となるようにする。好ま
しくは、基材１が放電プラズマに晒されている間中ずっ
と基材１の表面温度を１００〜４００℃の範囲となるよ
うにする。

【０１０６】基材１に形成する薄膜は、電極２によっ
て、放電プラズマに晒される空間を往復移動させること
で、基材上に形成させる薄膜を厚くすることができるこ
とから、通過させる回数を制御することにより、基材上
に形成させる薄膜の膜厚を制御することも可能となる。

【０１０７】図２は本発明の薄膜形成方法に用いられる
他の大気圧プラズマ処理装置の断面図である。尚、図２
の説明においては、図１の説明で説明された符号、用語
と同じものの説明及びそれに関連する説明について省略
されている場合があるが、特に説明がない限りは図１の
説明と同じである。

【０１０８】図２において、長尺フィルム状の基材１は
搬送方向（図中、時計回り）に回転するロール状の電極
２に巻回されながら搬送される。固定されている角柱状
の電極３は電極２に対向させて複数設置されている。

【０１０９】電極２に巻回された基材１は、ニップロー
ラ７、８で押圧され、ガイドローラ９で規制されてプラ
ズマ放電処理容器１１によって確保された放電処理空間
に搬送され、放電プラズマ処理され、次いで、ガイドロ
ーラ１０を介して次工程に搬送される。

【０１１０】尚、放電プラズマ処理に用いられる気体
（不活性ガスと、反応ガスの混合ガス）は、給気口１２
からプラズマ放電処理容器に導入され、処理後のガスは
排気口１３から排気される。

【０１１１】更に、図２の大気圧プラズマ処理装置は、
ガス発生装置１４、高周波電源４、電極冷却ユニット１
５等が装置構成として配置されている。電極冷却ユニッ
ト１５の冷却剤としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が
用いられる。

【０１１２】プラズマ放電処理容器１１はパイレックス
（Ｒ）ガラス製の処理容器等が好ましく用いられるが、
電極との絶縁がとれれば金属製を用いることも可能であ
る。例えば、アルミニウムまたは、ステンレスのフレー
ムの内面にポリイミド樹脂等を張り付けても良く、該金
属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとっても
良い。

【０１１３】図２に示す大気圧プラズマ処理装置を用い
た薄膜形成方法について説明する。プラズマ放電処理容
器１１内にロール状の電極２、固定されている電極３を
所定位置に配置し、ガス発生装置１４から気体を流量制
御して、給気口１２よりプラズマ放電処理容器１１内に
入れ、前記プラズマ放電処理容器１１内を反応ガス及び
不活性ガスを含有する気体で充填し排気口１３より排気
する。次に高周波電源４により電極２，３間に電圧を印
加し、放電プラズマを発生させる。ここでロール状の元
巻き基材１６より基材１を供給し、ガイドローラ９を介
して、プラズマ放電処理容器１１内の電極２，３間を片
面接触（ロール電極２に接触している）の状態で搬送さ
れ、基材１は搬送中に放電プラズマにより基材１上に薄
膜が形成される。基材１の表面温度は、放電プラズマの
熱により、放電プラズマに晒されている最中に１００〜
４００℃に達する。その後に基材１はガイドローラ１０
を介して、次工程に搬送される。ここで、基材１はロー
ル状の電極２に接触していない面のみ放電処理がなされ
る。

【０１１４】本発明の薄膜形成方法を実施する装置とし
ては、図１，２に示す大気圧プラズマ処理装置に限定さ
れるものではなく、グロー放電を安定に維持し、薄膜を
形成するために放電プラズマを発生させるものであれば
よい。他の方式としては、基材を電極間ではない電極近
傍に載置あるいは搬送させ、発生したプラズマを当該基
材上に吹き付けて薄膜形成を行うジェット方式等があ
る。

【０１１５】本発明の薄膜を有する基材、複数の薄膜を
有する基材は、薄膜が反射防止膜や透明導電膜等として
の機能を有する薄膜を形成することが可能であることか
ら、液晶やＣＲＴ、太陽電池等の光学フィルムとして用
いることができる。また、光学フィルムはＬＣＤ、有機
ＥＬ等の画像表示素子にも用いることができる。

【０１１６】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。

【０１１７】図１に示す大気圧プラズマ処理装置を用い
て、基材１としてパイレックス（Ｒ）ガラスプレート
（１００×１００ｍｍ、厚み０．５ｍｍ（日本板硝子
製））を用いて薄膜を形成した。

【０１１８】電極２は、加熱ヒーター５として電熱線を
内蔵したステンレス製ジャケット母材に対してセラミッ
ク溶射によりアルミナを１ｍｍ被覆し、その後、テトラ
メトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥
後、紫外線照射により硬化させ封孔処理を行い、表面を
平滑にしてＲｍａｘ５μｍとした誘電体（比誘電率１
０）を有するようにした。一方電極３としては、中空の
角形のステンレスパイプに対し、上記同様の誘電体を同
条件にて被覆した。

【０１１９】プラズマ発生に用いる高周波電源４は、神
鋼電機製高周波電源（５０ｋＨｚ）、ハイデン研究所製
インパルス高周波電源（連続モードで使用１００ｋＨ
ｚ）、パール工業製高周波電源（２００ｋＨｚ）、パー
ル工業製高周波電源（８００ｋＨｚ）、日本電子製高周
波電源（１３．５６ＭＨｚ）を使用し、放電出力は０．
１〜１００Ｗ／ｃｍ²の間で変化させた。

【０１２０】電極２，３間には、不活性ガスとしてＡｒ
ガスを９９．４体積％、反応ガスとしてジブチル錫ジア
セテート０．１体積％及び酸素０．５体積％を含有する
気体を存在させておいた。尚、ジブチル錫ジアセテート
はリンテック社製気化器にてＡｒガスに混合して気化さ
せたものを用いた。

【０１２１】試料１は、基材１を加熱ヒーター５により
表面温度が９８℃になるまで加熱し、電極２，３間には
周波数５０ｋＨｚ、放電出力１０Ｗ／ｃｍ²の電圧を印
加して放電プラズマを発生させ、基材１に該放電プラズ
マに晒して作製し、電極２を水平方向に１ｓｅｃの休止
をとりながら数十回移動を繰り返して１００ｎｍの膜厚
になるまで製膜を行って作製した。

【０１２２】高周波電源条件を表１に示すように変え、
さらに、加熱ヒーター５により基材１のプラズマ処理前
の表面温度を表１のようにした以外は試料１と同じ方法
で、試料２〜７を作製した。

【０１２３】尚、試料１〜７の放電プラズマ処理中の基
材の表面温度の最高温度は、温度パッチ（アイピー技研
社製）を基材の表面に予め貼り付けておき、処理後の温
度パッチの色変化から求め、表１に示した。基材が放電
プラズマに晒されているときに基材の表面温度が上昇し
ているのは、放電プラズマの有する熱により基材の表面
温度が暖められるためである。本実施例で用いられる電
源条件では、放電プラズマはすべて１００℃となるため
に放電プラズマに晒されている間に基材の表面温度が１
００℃以下に低下することはない。従って、例えば試料
２は、基材の表面温度が放電プラズマに晒されている最
中は、１０２〜１０９℃の範囲であったことになる。

【０１２４】作製した試料１〜７は以下の表面比抵抗価
を測定した。《表面比抵抗評価》試料１〜７は、２３℃、５５％ＲＨ
の条件にて２４時間調湿し、川口電機株式会社製テラオ
ームメーターモデルＶＥ−３０を用いて測定した。測定
に用いた電極は、２本の電極（試料と接触する部分が１
ｃｍ×５ｃｍ）を１ｃｍ間隔で平行に配置した。前記電
極に試料を接触させて測定した値を５倍した値を表面比
抵抗値（Ω／ｃｍ²）とした。結果を表１に示す。

【０１２５】

【表１】

【０１２６】表１の結果から、放電プラズマに基材を晒
している間に基材の表面温度の最高温度が、１００〜４
００℃となることで、薄膜の表面比抵抗が小さくなり高
機能性の薄膜が形成されることが判明した。特に、基材
が放電プラズマに晒されている間ずっと基材の表面温度
が１００〜４００℃であった試料２は表面比抵抗が最も
小さくなり、高機能性の薄膜が形成されることが判明し
た。

【０１２７】実施例２以下に示す方法に従って、基材であるセルロースエステ
ルフィルムを作製した。

【０１２８】《ドープＧの調製》（酸化ケイ素分散液Ｆの調製）アエロジル２００Ｖ（日本アエロジル（株）製）１ｋｇエタノール９ｋｇ上記素材をディゾルバで３０分間撹拌混合した後、マン
トンゴーリン型高圧分散装置を用いて分散を行った。

【０１２９】（添加液Ｅの調製）セルローストリアセテート（アセチル置換度：２．８８）６ｋｇメチレンクロライド１４０ｋｇ上記素材を密閉容器に投入し、加熱し、撹拌しながら、
完全に溶解、濾過した。これに１０ｋｇの上記酸化ケイ
素分散液Ｆを撹拌しながら加えて、さらに３０分間撹拌
した後、濾過し、添加液Ｅを調製した。

【０１３０】（ドープ原液Ｇの調製）メチレンクロライド４４０ｋｇエタノール３５ｋｇトリアセチルセルロース（アセチル置換度：２．８８）１００ｋｇトリフェニルフォスフェート９ｋｇエチルフタリルエチルグリコレート４ｋｇチヌビン３２６（チバスペシャルティケミカルズ社製）０．４ｋｇチヌビン１０９（チバスペシャルティケミカルズ社製）０．９ｋｇチヌビン１７１（チバスペシャルティケミカルズ社製）０．９ｋｇ溶剤を密閉容器に投入し、攪拌しながら素材を投入し、
加熱、撹拌しながら、完全に溶解、混合した。ドープを
流延する温度まで下げて一晩静置し、脱泡操作を施した
後、安積濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用し
て濾過し、ドープ原液Ｇを調製した。

【０１３１】更にドープ原液Ｇ１００ｋｇあたり添加液
Ｅを２ｋｇの割合で添加し、インラインミキサー（東レ
静止型管内混合機Ｈｉ−Ｍｉｘｅｒ、ＳＷＪ）で十分混
合し、濾過し、ドープＧを調製した。

【０１３２】《セルロースエステルの置換度の測定》Ａ
ＳＴＭ−Ｄ８１７−９６に規定の方法に準じて行った。

【０１３３】《セルロースエステルフィルムの作製》上
記で調製したドープＧを用いて下記のようにしてセルロ
ースエステルフィルム１を作製した。

【０１３４】（セルロースエステルフィルム１の作製）
ドープＧを濾過した後、ベルト流延装置を用い、ドープ
温度３５℃で３０℃のステンレスバンド支持体上に均一
に流延した。その後、剥離可能な範囲まで乾燥させた
後、ステンレスバンド支持体上からウェブを剥離した。
このときのウェブの残留溶媒量は３５％であった。

【０１３５】ステンレスバンド支持体から剥離した後、
幅方向に保持しながら１１５℃で乾燥させた後、幅保持
を解放して、ロール搬送しながら１２０℃の乾燥ゾーン
で乾燥を終了させ、フィルム両端に幅１０ｍｍ、高さ５
μｍのナーリング加工を施して、膜厚８０μｍのセルロ
ースエステルフィルム１を作製した。

【０１３６】セルロースエステルフィルム１の保留性
は、８０℃、９０％ＲＨの条件下で４８時間放置した前
後の質量変化より、５．０％であることがわかった。

【０１３７】《基材フィルム１の作製》前述の方法で作
製したセルロースエステルフィルム１の片面（ａ面：流
延製膜時にベルト支持体にドープが接していた側（ｂ
面）の反対側の面をａ面と定義する）に下記の塗布組成
物（１）をウェット膜厚で１３μｍとなるように押し出
しコートし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥さ
せ、バックコート層を塗設した。更に反対面（ｂ面：流
延製膜時にベルト支持体にドープが接していた側の面）
に下記の塗布組成物（２）をウェット膜厚で１３μｍと
なるように押し出しコートし、次いで８０℃に設定され
た乾燥部で乾燥した後、１２０ｍＪ／ｃｍ²で紫外線照
射し、乾燥膜厚で４μｍの中心線表面粗さ（Ｒａ）１５
ｎｍのクリアハードコート層を設け、基材フィルム１を
作製した。

【０１３８】塗布組成物（１）（バックコート層塗布組成物）アセトン３０質量部酢酸エチル４５質量部イソプロピルアルコール１０質量部ジアセチルセルロース０．５質量部超微粒子シリカ２％アセトン分散液（アエロジル２００Ｖ：日本アエロジル（株）製）０．１質量部塗布組成物（２）（クリアハードコート（ＣＨＣ）層塗布組成物）ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体６０質量部ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体２０質量部ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分２０質量部ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤４質量部酢酸エチル５０質量部メチルエチルケトン５０質量部イソプロピルアルコール５０質量部基材フィルム１に図２に示す大気圧プラズマ処理装置を
用いて製膜処理を行った。

【０１３９】図２の大気圧プラズマ処理装置は、保温媒
体による保温手段を有するステンレス製ジャケットロー
ル母材にセラミック溶射によりアルミナを１ｍｍ被覆
し、その後、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈
した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化させ封孔
処理を行い、表面を平滑にしてＲｍａｘ５μｍとした誘
電体（比誘電率１０）を有するロール状の電極２を用
い、アース（接地）した。一方電極３としては、中空の
角形のステンレスパイプに対し、上記同様の誘電体を同
条件にて被覆し、対向する電極２，３とした。

【０１４０】ただし、プラズマ発生に用いる使用電源
は、神鋼電機製高周波電源（５０ｋＨｚ）、ハイデン研
究所製インパルス高周波電源（連続モードで使用１００
ｋＨｚ）、パール工業製高周波電源（２００ｋＨｚ）を
使用した。放電出力は０．１〜１００Ｗ／ｃｍ²の間で
変化させた。尚、ロール電極は、ドライブにて回転させ
た。

【０１４１】基材フィルム１には中屈折層、高屈折層、
低屈折層の順で製膜を行った。各薄膜の形成において電
極間に存在させる気体に含有される不活性ガス、反応ガ
ス及びこれらのガスの気体中の含有率を以下に示す。〈中屈折層〉・不活性ガスＡｒガス（９９．３％）・反応ガス酸素ガス（０．５％）、ジブチル錫ジアセテート（０．
１％）、フッ化メタン（０．１％）尚、ジブチル錫ジアセテートはリンテック社製気化器に
てＡｒガスに混合して気化した。〈高屈折層〉・不活性ガスＡｒガス（９９．４％）・反応ガス酸素ガス（０．５％）、テトライソプロポキシチタン
（０．１％）尚、テトライソプロポキシチタンはリンテック社製気化
器にてＡｒガスに混合して気化した。〈低屈折層〉・不活性ガスＡｒガス（９８．９％）・反応ガス酸素ガス（１．０％）、テトラエトキシシラン（０．１
％）尚、テトラエトキシシランはリンテック社製気化器にて
Ａｒガスに混合して気化した。

【０１４２】基材フィルム１に、表２に示す電源条件で
中屈折層、高屈折層、低屈折層の膜を行い試料８〜１０
を作製した。

【０１４３】大気圧プラズマ処理装置の基材フィルム１
の送り速度は、中屈折層、高屈折層、低屈折層の形成に
おいて、すべて１０ｍ／ｍｉｎとした。

【０１４４】尚、本実施例では、基材フィルム１の膜癖
抑制のため、プラズマ処理前の基材の表面温度はすべて
室温の３０℃とした。試料８〜１０のプラズマ処理中の
最高温度は実施例１と同様の方法で求め、結果を表２に
示した。

【０１４５】さらに、作製した試料８〜１０について以
下の平均反射率を測定し、その結果を表２に示した。

【０１４６】《平均反射率の測定》作製した試料８〜１
０の平均反射率は分光光度計１Ｕ−４０００型（日立製
作所製）を用いて、５度正反射の条件にて反射率の測定
を行った。測定は、観察側の裏面を粗面化処理した後、
黒色のスプレーを用いて光吸収処理を行い、フィルム裏
面での光の反射を防止して、反射率（４００ｎｍ〜７０
０ｎｍの波長について）の測定を行った。この波長内に
おいて、反射率の平均値を採用した。

【０１４７】

【表２】

【０１４８】表２の結果から明らかなように、本発明の
薄膜形成方法で薄膜を形成した基材は、平均反射率は低
くなっていることから、反射防止機能に優れた薄膜が形
成されたことが判明した。

【０１４９】

【発明の効果】本発明により、基材上に高機能性の薄膜
を形成することができるようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜形成方法に用いられる大気圧プラ
ズマ処理装置の一例を示す概略図である。

【図２】本発明の薄膜形成方法に用いられる大気圧プラ
ズマ処理装置の他の例を示す概略図である。

【符号の説明】

１基材２，３電極４、４’ 高周波電源５加熱ヒーター７，８ニップローラ９，１０ガイドローラ１１プラズマ放電処理容器１２給気口１３排気口１４ガス発生装置１５電極冷却ユニット１６元巻き基材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者戸田義朗東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会社内 (72)発明者辻稔夫東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会社内Ｆターム(参考） 4G075 AA24 BC04 CA02 CA25 CA47 CA51 CA62 DA02 DA18 EC21 FB01 FC15 4K030 AA04 AA09 AA11 AA16 BA07 BA14 BA30 BA42 BA43 BA44 BA45 BA50 FA03 JA06 JA10 JA16 JA18 KA24 LA03 LA16 LA20 5F045 AA08 AB02 AB04 AB32 AB33 AB37 AC02 AC07 AC08 AC09 AC16 AC17 AD05 AD06 AD07 AD08 AE25 AE29 AF07 BB07 DP22 EB11 EE12 EH04 EH07 EH08 EH12 EH19 EK07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】大気圧又は大気圧近傍の圧力下におい
て、対向する電極間に反応ガス及び不活性ガスを含有す
る気体を存在させて高周波電圧を印加することにより放
電プラズマを発生させ、基材を前記放電プラズマに晒す
ことによって前記基材上に薄膜を形成する薄膜形成方法
において、前記放電プラズマに晒されている間の前記基
材の表面温度の最高温度が１００〜４００℃であること
を特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】大気圧又は大気圧近傍の圧力下におい
て、対向する電極間に反応ガス及び不活性ガスを含有す
る気体を存在させて高周波電圧を印加することにより放
電プラズマを発生させ、基材を前記放電プラズマに晒す
ことによって前記基材上に薄膜を形成する薄膜形成方法
において、前記放電プラズマに晒されている間の前記基
材の表面温度が１００〜４００℃の範囲内であることを
特徴とする薄膜形成方法。
【請求項３】前記対向する電極の少なくとも一方の電
極が無機物の誘電体で被覆されていることを特徴とする
請求項１又は２に記載の薄膜形成方法。
【請求項４】前記高周波電圧が１００ｋＨｚ〜１５０
ＭＨｚの周波数を有する電圧であることを特徴とする請
求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜形成方法。
【請求項５】前記高周波電圧の放電出力が１Ｗ／ｃｍ
²〜５０Ｗ／ｃｍ²であることを特徴とする請求項１〜４
のいずれか１項に記載の薄膜形成方法。
【請求項６】前記基材は放電プラズマに晒す前に１０
０〜４００℃に加熱されていることを特徴とする請求項
１〜５のいずれか１項に記載の薄膜形成方法。
【請求項７】前記基材は放電プラズマに晒す前に基材
が変質しない温度以下で加熱されていることを特徴とす
る請求項１〜５のいずれか１項に記載の薄膜形成方法。
【請求項８】前記不活性ガスは前記気体中に９０〜９
９．９体積％含まれることを特徴とする請求項１〜７の
いずれか１項に記載の薄膜形成方法。
【請求項９】前記不活性ガスはＨｅガス又はＡｒガス
であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に
記載の薄膜形成方法。
【請求項１０】前記反応ガスは前記気体中に０．０１
〜１０体積％含まれることを特徴とする請求項１〜９の
いずれか１項に記載の薄膜形成方法。
【請求項１１】前記反応ガスは、フッ素化合物、ケイ
素化合物、チタン化合物、錫化合物、亜鉛化合物、イン
ジウム化合物、アルミ化合物、銅化合物、銀化合物から
選ばれる化合物であることを特徴とする請求項１〜１０
のいずれか１項に記載の薄膜形成方法。
【請求項１２】前記フッ素化合物はフッ化炭素ガス又
はフッ化炭化水素ガスであることを特徴とする請求項１
１に記載の薄膜形成方法。
【請求項１３】前記ケイ素化合物、前記チタン化合
物、前記錫化合物、前記亜鉛化合物、前記インジウム化
合物、前記アルミ化合物、前記銅化合物、前記銀化合物
は、有機金属化合物、金属水素化合物、ハロゲン化金属
化合物、金属アルコキシド化合物のいずれかであること
を特徴とする請求項１２に記載の薄膜形成方法。
【請求項１４】請求項１〜１３のいずれか１項に記載
の方法により形成された薄膜を有する基材。
【請求項１５】請求項１〜１３のいずれか１項に記載
の方法を複数回行って形成された複数の薄膜を有する基
材。
【請求項１６】請求項１４に記載の基材を有する光学
フィルム。
【請求項１７】請求項１５に記載の基材を有する光学
フィルム。
【請求項１８】請求項１６又は請求項１７に記載の光
学フィルムを有する画像表示素子。