JP2003101175A - 半導体搭載用基板および半導体パッケージ - Google Patents
半導体搭載用基板および半導体パッケージInfo
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化、高密度化に優れ、かつ、リフローク
ラックを防止し信頼性に優れる小型の半導体パッケ−ジ
とその半導体パッケージに用いることのできる半導体搭
載用基板とそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】 絶縁基材と、導体パターンからなる半導
体搭載用基板であって、絶縁基材が硬化後の熱膨張係数
が５０×１０-6／℃以下である樹脂からなる絶縁基材で
ある半導体搭載用基板。
ラックを防止し信頼性に優れる小型の半導体パッケ−ジ
とその半導体パッケージに用いることのできる半導体搭
載用基板とそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】 絶縁基材と、導体パターンからなる半導
体搭載用基板であって、絶縁基材が硬化後の熱膨張係数
が５０×１０-6／℃以下である樹脂からなる絶縁基材で
ある半導体搭載用基板。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体搭載用基板
および半導体パッケージに関する。
および半導体パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体パッケージは、その製造法による
種類では、半導体チップと接続するインナーリードと、
インナーリードに接続したアウターリードと、半導体チ
ップを封止する封止樹脂からなるリードフレームパッケ
ージや、ポリイミドフィルムのようなキャリアテープと
その上に形成された半導体チップと接続するインナーリ
ードと、インナーリードに接続したアウターリードから
なるオートメイティッドボンディンディッド（以下、Ｔ
ＡＢという。）パッケージ、配線板の製造技術を用い
た、プラスチックリードレスパッケージ、クワッドフラ
ットパッケージ（以下、ＱＦＰという。）、接続端子に
ピンを用いたピングリッドアレイ（以下、ＰＧＡとい
う。）、接続端子にはんだボールを用いたボールグリッ
ドアレイ（以下、ＢＧＡという。）などがあり、絶縁材
料の種類としては、セラミックパッケージ、プラスチッ
クパッケージがある。
種類では、半導体チップと接続するインナーリードと、
インナーリードに接続したアウターリードと、半導体チ
ップを封止する封止樹脂からなるリードフレームパッケ
ージや、ポリイミドフィルムのようなキャリアテープと
その上に形成された半導体チップと接続するインナーリ
ードと、インナーリードに接続したアウターリードから
なるオートメイティッドボンディンディッド（以下、Ｔ
ＡＢという。）パッケージ、配線板の製造技術を用い
た、プラスチックリードレスパッケージ、クワッドフラ
ットパッケージ（以下、ＱＦＰという。）、接続端子に
ピンを用いたピングリッドアレイ（以下、ＰＧＡとい
う。）、接続端子にはんだボールを用いたボールグリッ
ドアレイ（以下、ＢＧＡという。）などがあり、絶縁材
料の種類としては、セラミックパッケージ、プラスチッ
クパッケージがある。
【０００３】また、接続端子の並び方の違いでは、パッ
ケージの周辺に一列配置するタイプと、周辺だけでなく
内部まで多列に配置するタイプがある。前者には、ＱＦ
Ｐ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）が代表的で
ある。これを多端子化する場合は、端子ピッチを縮小す
ることが必要であるが、０．５ｍｍピッチ以下の領域で
は、配線板との接続に高度な技術が必要になる。後者の
アレイタイプは比較的大きなピッチで端子配列が可能な
ため、多ピン化に適している。従来、アレイタイプは接
続ピンを有するＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）が一般的であるが、配線板との接続は挿入型とな
り、表面実装には適していない。このため、表面実装可
能なＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と称す
るパッケージが開発されている。
ケージの周辺に一列配置するタイプと、周辺だけでなく
内部まで多列に配置するタイプがある。前者には、ＱＦ
Ｐ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）が代表的で
ある。これを多端子化する場合は、端子ピッチを縮小す
ることが必要であるが、０．５ｍｍピッチ以下の領域で
は、配線板との接続に高度な技術が必要になる。後者の
アレイタイプは比較的大きなピッチで端子配列が可能な
ため、多ピン化に適している。従来、アレイタイプは接
続ピンを有するＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）が一般的であるが、配線板との接続は挿入型とな
り、表面実装には適していない。このため、表面実装可
能なＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と称す
るパッケージが開発されている。
【０００４】一方、電子機器の小型化に伴って、パッケ
ージサイズの更なる小型化の要求が強くなってきた。こ
の小型化に対応するものとして、半導体チップとほぼ同
等サイズの、いわゆるチップサイズパッケージ（ＣＳ
Ｐ； Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）が提案さ
れている。これは、半導体チップの周辺部でなく、実装
領域内に外部配線基板との接続部を有するパッケージで
ある。具体例としては、バンプ付きポリイミドフィルム
を半導体チップの表面に接着し、チップと金リード線に
より電気的接続を図った後、エポキシ樹脂などをポッテ
ィングして封止したもの（ＮＩＫＫＥＩ ＭＡＴＥＲＩ
ＡＬＳ ＆ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ９４．４、Ｎｏ．
１４０、ｐ１８−１９）や、仮基板上に半導体チップ及
び外部配線基板との接続部に相当する位置に金属バンプ
を形成し、半導体チップをフェースダウンボンディング
後、仮基板上でトランスファーモールドしたもの（Ｓｍ
ａｌｌｅｓｔ Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ−Ｌｉｋｅ Ｐａｃ
ｋａｇｅ ＣＳＰ； ＴｈｅＳｅｃｏｎｄ ＶＬＳＩ
Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｆ Ｊａｐ
ａｎ、ｐ４６−５０、１９９４）などがある。
ージサイズの更なる小型化の要求が強くなってきた。こ
の小型化に対応するものとして、半導体チップとほぼ同
等サイズの、いわゆるチップサイズパッケージ（ＣＳ
Ｐ； Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）が提案さ
れている。これは、半導体チップの周辺部でなく、実装
領域内に外部配線基板との接続部を有するパッケージで
ある。具体例としては、バンプ付きポリイミドフィルム
を半導体チップの表面に接着し、チップと金リード線に
より電気的接続を図った後、エポキシ樹脂などをポッテ
ィングして封止したもの（ＮＩＫＫＥＩ ＭＡＴＥＲＩ
ＡＬＳ ＆ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ９４．４、Ｎｏ．
１４０、ｐ１８−１９）や、仮基板上に半導体チップ及
び外部配線基板との接続部に相当する位置に金属バンプ
を形成し、半導体チップをフェースダウンボンディング
後、仮基板上でトランスファーモールドしたもの（Ｓｍ
ａｌｌｅｓｔ Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ−Ｌｉｋｅ Ｐａｃ
ｋａｇｅ ＣＳＰ； ＴｈｅＳｅｃｏｎｄ ＶＬＳＩ
Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｆ Ｊａｐ
ａｎ、ｐ４６−５０、１９９４）などがある。
【０００５】ところで、これらの半導体パッケージに共
通していることは、半導体チップとその周囲に設けた絶
縁材料との熱膨張率が異なることから発生する、リフロ
ークラックと呼ばれる絶縁材料の破壊現象である。
通していることは、半導体チップとその周囲に設けた絶
縁材料との熱膨張率が異なることから発生する、リフロ
ークラックと呼ばれる絶縁材料の破壊現象である。
【０００６】このリフローというのは、半導体パッケー
ジを、配線板に搭載するときに必ず必要となる搭載・接
続工程であり、半導体パッケージの接続端子と配線板の
接続端子とを予め位置決めし、はんだペーストを接続箇
所に塗布しておき、高温で加熱して、はんだを溶融し、
半導体チップの接続端子と配線板の接続端子の両方に溶
融はんだがなじんだところで冷却して、搭載・接続を同
時に行う工程である。
ジを、配線板に搭載するときに必ず必要となる搭載・接
続工程であり、半導体パッケージの接続端子と配線板の
接続端子とを予め位置決めし、はんだペーストを接続箇
所に塗布しておき、高温で加熱して、はんだを溶融し、
半導体チップの接続端子と配線板の接続端子の両方に溶
融はんだがなじんだところで冷却して、搭載・接続を同
時に行う工程である。
【０００７】このリフロー工程において、半導体パッケ
ージの半導体チップと絶縁材料の熱膨張率が異なるため
に、その間に亀裂を生じたり、半導体チップや絶縁材料
のどちらかが破壊してしまうようなことが発生する。
ージの半導体チップと絶縁材料の熱膨張率が異なるため
に、その間に亀裂を生じたり、半導体チップや絶縁材料
のどちらかが破壊してしまうようなことが発生する。
【０００８】このことを解決するには、半導体チップと
ほぼ同じ熱膨張率を有する絶縁材料を選択して用いる
か、あるいは、半導体チップと絶縁材料の間にエラスト
マーなどのストレス緩衝材を設けることが行われてい
る。
ほぼ同じ熱膨張率を有する絶縁材料を選択して用いる
か、あるいは、半導体チップと絶縁材料の間にエラスト
マーなどのストレス緩衝材を設けることが行われてい
る。
【０００９】前者では、絶縁材料にセラミックを用いる
ことがそれであり、後者では、例えば米国特許第５，８
５２，３２６号などのように、半導体パッケージの中
で、半導体チップの接続端子とそれを搭載する配線板の
接続端子の位置関係が移動可能な材料を介することであ
る。
ことがそれであり、後者では、例えば米国特許第５，８
５２，３２６号などのように、半導体パッケージの中
で、半導体チップの接続端子とそれを搭載する配線板の
接続端子の位置関係が移動可能な材料を介することであ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この半導体
パッケージについて、セラミックを用いることは、セラ
ミックの形成が焼結によって行われるので、先にセラミ
ックの筐体を作って、次に半導体を納めて、シーリング
するという工程が必要であり、材料が高価なことと、加
工費用がかさむことから近年では、忌避されることが多
い。
パッケージについて、セラミックを用いることは、セラ
ミックの形成が焼結によって行われるので、先にセラミ
ックの筐体を作って、次に半導体を納めて、シーリング
するという工程が必要であり、材料が高価なことと、加
工費用がかさむことから近年では、忌避されることが多
い。
【００１１】また、プラスチックの絶縁材料を用いる
と、別の意味でのリフロークラックを生じることがあ
る。それは、絶縁材料に含まれる溶剤分、あるいは、半
導体チップを搭載するための配線板の加工時に残留した
水分が、リフロー時に高温によって一挙に気化し、その
圧力でプラスチックを破壊したり、半導体チップとの間
に亀裂を生じるようになってきた。
と、別の意味でのリフロークラックを生じることがあ
る。それは、絶縁材料に含まれる溶剤分、あるいは、半
導体チップを搭載するための配線板の加工時に残留した
水分が、リフロー時に高温によって一挙に気化し、その
圧力でプラスチックを破壊したり、半導体チップとの間
に亀裂を生じるようになってきた。
【００１２】そこで、半導体チップをダイボンディング
フィルムのような接着剤で配線板に搭載するようにし
て、その近くに、少なくともダイボンディングフィルム
の一部を外部に露出するベントホールと呼ばれる小さな
排気孔が設けられるようになって、その気化した水分や
溶剤を逃がす構造が開発され、実用化している。
フィルムのような接着剤で配線板に搭載するようにし
て、その近くに、少なくともダイボンディングフィルム
の一部を外部に露出するベントホールと呼ばれる小さな
排気孔が設けられるようになって、その気化した水分や
溶剤を逃がす構造が開発され、実用化している。
【００１３】ところが、電子機器の発達に伴い、半導体
パッケージの小型化、高密度化がすすめられ、ベントホ
ールを形成する箇所を確保するのが困難になってきたと
いう課題があると共に、この従来のベントホールを有す
る半導体パッケージは、ベントホールと、その周辺部で
前記絶縁性支持基板との間に中空箇所を形成するように
構成しなければならず、そのために工程が複雑となり、
効率が低いという課題があった。
パッケージの小型化、高密度化がすすめられ、ベントホ
ールを形成する箇所を確保するのが困難になってきたと
いう課題があると共に、この従来のベントホールを有す
る半導体パッケージは、ベントホールと、その周辺部で
前記絶縁性支持基板との間に中空箇所を形成するように
構成しなければならず、そのために工程が複雑となり、
効率が低いという課題があった。
【００１４】本発明は、小型化、高密度化に優れ、か
つ、リフロークラックを防止し信頼性に優れる小型の半
導体パッケ−ジとその半導体パッケージに用いることの
できる半導体搭載用基板とそれらの製造方法を提供する
ことを目的とする。
つ、リフロークラックを防止し信頼性に優れる小型の半
導体パッケ−ジとその半導体パッケージに用いることの
できる半導体搭載用基板とそれらの製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下（１）〜
（１０）ことを特徴とする。 （１）絶縁基材と、導体パターンからなる半導体搭載用
基板であって、絶縁基材が硬化後の熱膨張係数が５０×
１０-6／℃以下である樹脂からなる絶縁基材である半導
体搭載用基板。 （２）硬化後の熱膨張係数が５０×１０-6／℃以下であ
る樹脂が無機充填剤を含有する樹脂である、（１）に記
載の半導体搭載用基板。 （３）硬化後の熱膨張係数が５０×１０-6／℃以下であ
る樹脂の、硬化後の引張り試験での伸びの値が１．０％
以上である（１）又は（２）のいずれかに記載の半導体
搭載用基板。 （４）硬化後の熱膨張係数が５０×１０-6／℃以下であ
る樹脂がシリコーン重合体を含有する樹脂である、
（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体搭載用基板。
（１０）ことを特徴とする。 （１）絶縁基材と、導体パターンからなる半導体搭載用
基板であって、絶縁基材が硬化後の熱膨張係数が５０×
１０-6／℃以下である樹脂からなる絶縁基材である半導
体搭載用基板。 （２）硬化後の熱膨張係数が５０×１０-6／℃以下であ
る樹脂が無機充填剤を含有する樹脂である、（１）に記
載の半導体搭載用基板。 （３）硬化後の熱膨張係数が５０×１０-6／℃以下であ
る樹脂の、硬化後の引張り試験での伸びの値が１．０％
以上である（１）又は（２）のいずれかに記載の半導体
搭載用基板。 （４）硬化後の熱膨張係数が５０×１０-6／℃以下であ
る樹脂がシリコーン重合体を含有する樹脂である、
（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体搭載用基板。
【００１６】（５）シリコーン重合体が、一般式（Ｉ）
【化３】Ｒ′m（Ｈ）kＳｉＸ4-(m+k) （Ｉ）
（式中Ｘは、加水分解、重縮合可能な基であり、例え
ば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、ここ
で、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のア
ルキルカルボニル基を示す。Ｒ′は、非反応性の基であ
り、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等
のアリール基を示す。ｋは１又は２、ｍは０又は１、ｍ
＋ｋは１又は２を意味する）で表されるシラン化合物３
５〜１００モル％及び一般式（ＩＩ）
ば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、ここ
で、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のア
ルキルカルボニル基を示す。Ｒ′は、非反応性の基であ
り、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等
のアリール基を示す。ｋは１又は２、ｍは０又は１、ｍ
＋ｋは１又は２を意味する）で表されるシラン化合物３
５〜１００モル％及び一般式（ＩＩ）
【化４】Ｒ′nＳｉＸ4-n （ＩＩ）
（式中Ｘは、加水分解、重縮合可能な基であり、例え
ば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、ここ
で、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のア
ルキルカルボニル基を示す。Ｒ′は、非反応性の基であ
り、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等
のアリール基を示す。ｎは０〜２の整数を意味する。）
で表されるシラン化合物６５〜０モル％を加水分解・重
縮合反応をさせ、次いでヒドロシリル化反応剤とのヒド
ロシリル化反応をさせることによって製造されるシリコ
ーン重合体であることを特徴とする（４）に記載の半導
体搭載用基板。
ば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、ここ
で、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のア
ルキルカルボニル基を示す。Ｒ′は、非反応性の基であ
り、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等
のアリール基を示す。ｎは０〜２の整数を意味する。）
で表されるシラン化合物６５〜０モル％を加水分解・重
縮合反応をさせ、次いでヒドロシリル化反応剤とのヒド
ロシリル化反応をさせることによって製造されるシリコ
ーン重合体であることを特徴とする（４）に記載の半導
体搭載用基板。
【００１７】（６）シリコーン重合体１００重量部に対
する無機充填剤の配合量が１００重量部以上である
（４）又は（５）のいずれかに記載の半導体搭載用基
板。 （７）半導体チップが搭載された（１）〜（６）のうち
いずれかに記載の半導体搭載用基板。 （８）半導体チップと導体パターンとが電気的に接続さ
れた（７）に記載の半導体搭載用基板。 （９）半導体チップの搭載が、接着剤によるものである
（７）または（８）のいずれかに記載の半導体搭載用基
板。 （１０）（７）〜（９）のうちいずれかに記載の半導体
搭載用基板に、半導体チップが封止樹脂によって封止さ
れた半導体パッケージ。
する無機充填剤の配合量が１００重量部以上である
（４）又は（５）のいずれかに記載の半導体搭載用基
板。 （７）半導体チップが搭載された（１）〜（６）のうち
いずれかに記載の半導体搭載用基板。 （８）半導体チップと導体パターンとが電気的に接続さ
れた（７）に記載の半導体搭載用基板。 （９）半導体チップの搭載が、接着剤によるものである
（７）または（８）のいずれかに記載の半導体搭載用基
板。 （１０）（７）〜（９）のうちいずれかに記載の半導体
搭載用基板に、半導体チップが封止樹脂によって封止さ
れた半導体パッケージ。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明者らは、鋭意検討の結果、
硬化後の熱膨張係数が５０×１０-6／℃以下である樹脂
を絶縁材料とすれば、半導体チップの熱膨張率と絶縁材
料の熱膨張率の差が小さいことから、リフロークラック
を防ぐことができ、また、半導体搭載用基板に用いる
と、ベントホールを用いなくても、リフロークラックを
起こさないという知見を得た。基材としての取り扱い性
を考慮すると、フィルム状に成形することが可能な樹脂
であることが好ましい。また、熱膨張係数の差に起因す
る熱応力を効果的に抑えるためには、前記樹脂として、
硬化後の引張り試験での伸びの値が１．０％以上である
樹脂を用いることが好ましい。熱膨張係数の調整は無機
充填剤を配合することによって調整することができる。
硬化後の熱膨張係数が５０×１０-6／℃以下である樹脂
を絶縁材料とすれば、半導体チップの熱膨張率と絶縁材
料の熱膨張率の差が小さいことから、リフロークラック
を防ぐことができ、また、半導体搭載用基板に用いる
と、ベントホールを用いなくても、リフロークラックを
起こさないという知見を得た。基材としての取り扱い性
を考慮すると、フィルム状に成形することが可能な樹脂
であることが好ましい。また、熱膨張係数の差に起因す
る熱応力を効果的に抑えるためには、前記樹脂として、
硬化後の引張り試験での伸びの値が１．０％以上である
樹脂を用いることが好ましい。熱膨張係数の調整は無機
充填剤を配合することによって調整することができる。
【００１９】前記樹脂の具体例としては、主要成分であ
る結合剤として、エポキシ基やアミノ基などに例示され
る熱硬化性官能基を有するシリコーン重合体（以下、熱
硬化性シリコーン重合体と記載する。）を含有する樹脂
を用いることができる。
る結合剤として、エポキシ基やアミノ基などに例示され
る熱硬化性官能基を有するシリコーン重合体（以下、熱
硬化性シリコーン重合体と記載する。）を含有する樹脂
を用いることができる。
【００２０】（熱硬化性シリコーン重合体）ここで、熱
硬化性シリコーン重合体は、一般式（Ｉ）
硬化性シリコーン重合体は、一般式（Ｉ）
【化５】Ｒ′m（Ｈ）kＳｉＸ4-(m+k) （Ｉ）
（式中Ｘは、加水分解してＯＨ基を生成する基であり、
例えば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、こ
こで、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４の
アルキルカルボニル基を示す。Ｒ′は、非反応性の基で
あり、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基
等のアリール基、ｋは１又は２、ｍは０又は１、ｍ＋ｋ
は１又は２を意味する）で表されるシラン化合物とヒド
ロシリル化反応剤とを反応させて得ることができるシリ
コーン重合体である。一般式（Ｉ）のシラン化合物は加
水分解、重縮合によってＳｉ−Ｈ基含有シリコーン重合
体とされ、ヒドロシリル化反応剤をＳｉ−Ｈ基含有シリ
コーン重合体のＳｉ−Ｈ基との間でヒドロシリル化反応
させて、熱硬化性官能基が導入された熱硬化性シリコー
ン重合体が得られる。
例えば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、こ
こで、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４の
アルキルカルボニル基を示す。Ｒ′は、非反応性の基で
あり、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基
等のアリール基、ｋは１又は２、ｍは０又は１、ｍ＋ｋ
は１又は２を意味する）で表されるシラン化合物とヒド
ロシリル化反応剤とを反応させて得ることができるシリ
コーン重合体である。一般式（Ｉ）のシラン化合物は加
水分解、重縮合によってＳｉ−Ｈ基含有シリコーン重合
体とされ、ヒドロシリル化反応剤をＳｉ−Ｈ基含有シリ
コーン重合体のＳｉ−Ｈ基との間でヒドロシリル化反応
させて、熱硬化性官能基が導入された熱硬化性シリコー
ン重合体が得られる。
【００２１】一般式（Ｉ）のＳｉ−Ｈ基含有シラン化合
物に一般式（ＩＩ）
物に一般式（ＩＩ）
【化６】Ｒ′nＳｉＸ4-n （ＩＩ）
（式中Ｒ′及びＸは一般式（Ｉ）に同じであり、ｎは０
〜２の整数を意味する。）で表されるアルコキシシラン
化合物を併用することができる。
〜２の整数を意味する。）で表されるアルコキシシラン
化合物を併用することができる。
【００２２】前記一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含
有シラン化合物は、具体的には
有シラン化合物は、具体的には
【００２３】
【化７】ＨＣＨ3Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、ＨＣ2Ｈ5Ｓｉ（Ｏ
ＣＨ3）2、Ｈ3ＣＨ7Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、ＨＣ4Ｈ9Ｓｉ
（ＯＣＨ3）2、ＨＣＨ3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、ＨＣ2Ｈ5Ｓ
ｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、ＨＣ3Ｈ7Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、ＨＣ4
Ｈ9Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、ＨＣＨ3Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、Ｈ
Ｃ2Ｈ5Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、ＨＣ3Ｈ7Ｓｉ（ＯＣ
3Ｈ7）2、ＨＣ4Ｈ9Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、ＨＣＨ3Ｓｉ
（ＯＣ4Ｈ9）2、ＨＣ2Ｈ5Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、ＨＣ3Ｈ7
Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、ＨＣ4Ｈ9Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、 等のアルキルジアルコキシシラン
ＣＨ3）2、Ｈ3ＣＨ7Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、ＨＣ4Ｈ9Ｓｉ
（ＯＣＨ3）2、ＨＣＨ3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、ＨＣ2Ｈ5Ｓ
ｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、ＨＣ3Ｈ7Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、ＨＣ4
Ｈ9Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、ＨＣＨ3Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、Ｈ
Ｃ2Ｈ5Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、ＨＣ3Ｈ7Ｓｉ（ＯＣ
3Ｈ7）2、ＨＣ4Ｈ9Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、ＨＣＨ3Ｓｉ
（ＯＣ4Ｈ9）2、ＨＣ2Ｈ5Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、ＨＣ3Ｈ7
Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、ＨＣ4Ｈ9Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、 等のアルキルジアルコキシシラン
【００２４】
【化８】
Ｈ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、
Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、
等のジアルコキシシラン
【００２５】
【化９】ＨＰｈＳｉ（ＯＣＨ3）2、ＨＰｈＳｉ（ＯＣ2
Ｈ5）2、ＨＰｈＳｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、ＨＰｈＳｉ（ＯＣ4
Ｈ9）2、 （ただし、Ｐｈはフェニル基を示す。以下同様）等のフ
ェニルジアルコキシシラン
Ｈ5）2、ＨＰｈＳｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、ＨＰｈＳｉ（ＯＣ4
Ｈ9）2、 （ただし、Ｐｈはフェニル基を示す。以下同様）等のフ
ェニルジアルコキシシラン
【００２６】
【化１０】Ｈ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）
2、Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、 等のジアルコキシシランなどの２官能性シラン化合物
（以下、シラン化合物における官能性とは、縮合反応性
の官能基を有することを意味する。）
2、Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、 等のジアルコキシシランなどの２官能性シラン化合物
（以下、シラン化合物における官能性とは、縮合反応性
の官能基を有することを意味する。）
【００２７】
【化１１】ＨＳｉ（ＯＣＨ3）3、ＨＳｉ（ＯＣ
2Ｈ5）3、ＨＳｉ（ＯＣ3Ｈ7）3、ＨＳｉ（ＯＣ
4Ｈ9）3、 等のトリアルコキシシランなどの３官能性シラン化合物
などがある。
2Ｈ5）3、ＨＳｉ（ＯＣ3Ｈ7）3、ＨＳｉ（ＯＣ
4Ｈ9）3、 等のトリアルコキシシランなどの３官能性シラン化合物
などがある。
【００２８】一般式（ＩＩ）で表されるシラン化合物
は、具体的には、
は、具体的には、
【００２９】
【化１２】Ｓｉ（ＯＣＨ3）4、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4、
Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）4、Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）4
等のテトラアルコキシシランなどの４官能性シラン化合
物、
物、
【００３０】
【化１３】
Ｈ3ＣＳｉ（ＯＣＨ3）3、Ｈ5Ｃ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、
Ｈ7Ｃ3Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、Ｈ9Ｃ4Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、
Ｈ3ＣＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、Ｈ5Ｃ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、
Ｈ7Ｃ3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、Ｈ9Ｃ4Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、
Ｈ3ＣＳｉ（ＯＣ3Ｈ7）3、Ｈ5Ｃ2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）3、
Ｈ7Ｃ3Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）3、Ｈ9Ｃ4Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）3、
Ｈ3ＣＳｉ（ＯＣ4Ｈ9）3、Ｈ5Ｃ2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）3、
Ｈ7Ｃ3Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）3、Ｈ9Ｃ4Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）3、
等のモノアルキルトリアルコキシシラン、
【００３１】
【化１４】
ＰｈＳｉ（ＯＣＨ3）3、ＰｈＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、
ＰｈＳｉ（ＯＣ3Ｈ7）3、ＰｈＳｉ（ＯＣ4Ｈ9）3
（ただし、Ｐｈはフェニル基を示す。以下同様）等のフ
ェニルトリアルコキシシラン、
ェニルトリアルコキシシラン、
【００３２】
【化１５】（Ｈ3ＣＣＯＯ）3ＳｉＣＨ3、（Ｈ3ＣＣＯ
Ｏ）3ＳｉＣ2Ｈ5、（Ｈ3ＣＣＯＯ）3ＳｉＣ3Ｈ7、（Ｈ3
ＣＣＯＯ）3ＳｉＣ4Ｈ9 等のモノアルキルトリアシルオキシシラン
Ｏ）3ＳｉＣ2Ｈ5、（Ｈ3ＣＣＯＯ）3ＳｉＣ3Ｈ7、（Ｈ3
ＣＣＯＯ）3ＳｉＣ4Ｈ9 等のモノアルキルトリアシルオキシシラン
【００３３】
【化１６】Ｃｌ3ＳｉＣＨ3、Ｃｌ3ＳｉＣ2Ｈ5、Ｃｌ3Ｓ
ｉＣ3Ｈ7、Ｃｌ3ＳｉＣ4Ｈ9Ｂｒ3ＳｉＣＨ3、Ｂｒ3Ｓｉ
Ｃ2Ｈ5、Ｂｒ3ＳｉＣ3Ｈ7、Ｂｒ3ＳｉＣ4Ｈ9 等のモノアルキルトリハロゲノシランなどの３官能性シ
ラン化合物、
ｉＣ3Ｈ7、Ｃｌ3ＳｉＣ4Ｈ9Ｂｒ3ＳｉＣＨ3、Ｂｒ3Ｓｉ
Ｃ2Ｈ5、Ｂｒ3ＳｉＣ3Ｈ7、Ｂｒ3ＳｉＣ4Ｈ9 等のモノアルキルトリハロゲノシランなどの３官能性シ
ラン化合物、
【００３４】
【化１７】（Ｈ3Ｃ）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、（Ｈ5Ｃ2）2
Ｓｉ（ＯＣＨ３）2、（Ｈ7Ｃ3）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、
（Ｈ9Ｃ4）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、（Ｈ3Ｃ）2Ｓｉ（ＯＣ2
Ｈ5）2、（Ｈ5Ｃ2）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、（Ｈ7Ｃ3）2
Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、（Ｈ9Ｃ4）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、
（Ｈ3Ｃ）2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、（Ｈ5Ｃ2）2Ｓｉ（ＯＣ
3Ｈ7）2、（Ｈ7Ｃ3）2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、（Ｈ9Ｃ4）2
Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、（Ｈ3Ｃ）2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、
（Ｈ5Ｃ2）2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、（Ｈ7Ｃ3）2Ｓｉ（Ｏ
Ｃ4Ｈ9）2、（Ｈ9Ｃ4）2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2 等のジアルキルジアルコキシシラン、
Ｓｉ（ＯＣＨ３）2、（Ｈ7Ｃ3）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、
（Ｈ9Ｃ4）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、（Ｈ3Ｃ）2Ｓｉ（ＯＣ2
Ｈ5）2、（Ｈ5Ｃ2）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、（Ｈ7Ｃ3）2
Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、（Ｈ9Ｃ4）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、
（Ｈ3Ｃ）2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、（Ｈ5Ｃ2）2Ｓｉ（ＯＣ
3Ｈ7）2、（Ｈ7Ｃ3）2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、（Ｈ9Ｃ4）2
Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、（Ｈ3Ｃ）2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、
（Ｈ5Ｃ2）2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、（Ｈ7Ｃ3）2Ｓｉ（Ｏ
Ｃ4Ｈ9）2、（Ｈ9Ｃ4）2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2 等のジアルキルジアルコキシシラン、
【００３５】
【化１８】
Ｐｈ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、Ｐｈ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2
等のジフェニルジアルコキシシラン、
【００３６】
【化１９】（Ｈ3ＣＣＯＯ）2Ｓｉ（ＣＨ3）2、（Ｈ3Ｃ
ＣＯＯ）2Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）2、（Ｈ3ＣＣＯＯ）2Ｓｉ（Ｃ
3Ｈ7）2、（Ｈ3ＣＣＯＯ）2Ｓｉ（Ｃ4Ｈ9）2 等のジアルキルジアシルオキシシラン、
ＣＯＯ）2Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）2、（Ｈ3ＣＣＯＯ）2Ｓｉ（Ｃ
3Ｈ7）2、（Ｈ3ＣＣＯＯ）2Ｓｉ（Ｃ4Ｈ9）2 等のジアルキルジアシルオキシシラン、
【００３７】
【化２０】
Ｃｌ2Ｓｉ（ＣＨ3）2、Ｃｌ2Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）2、
Ｃｌ2Ｓｉ（Ｃ3Ｈ7）3、Ｃｌ2Ｓｉ（Ｃ4Ｈ9）2、
Ｂｒ2Ｓｉ（ＣＨ3）2、Ｂｒ2Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）2、
Ｂｒ2Ｓｉ（Ｃ3Ｈ7）2、Ｂｒ2Ｓｉ（Ｃ4Ｈ9）2
等のアルキルジハロゲノシランなどの２官能性シラン化
合物がある。
合物がある。
【００３８】熱硬化性シリコーン重合体を製造する際に
は、前記一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン
化合物は必須成分として使用される。また、前記一般式
（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物と一般式
（ＩＩ）で表されるシラン化合物のうち、３官能性シラ
ン化合物又は４官能性アルコキシシラン化合物が必須成
分として用いられ、一般式（ＩＩ）で表されるシラン化
合物のうち、２官能性アルコキシシラン化合物は任意成
分とされる。特に、４官能性シラン化合物としてはテト
ラアルコキシシランが好ましく、３官能性シラン化合物
としてはモノアルキルトリアルコキシシラン又はトリア
ルコキシシランが好ましく、２官能性シラン化合物とし
てはジアルキルジアルコキシシラン又はアルキルジアル
コキシシランが好ましい。
は、前記一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン
化合物は必須成分として使用される。また、前記一般式
（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物と一般式
（ＩＩ）で表されるシラン化合物のうち、３官能性シラ
ン化合物又は４官能性アルコキシシラン化合物が必須成
分として用いられ、一般式（ＩＩ）で表されるシラン化
合物のうち、２官能性アルコキシシラン化合物は任意成
分とされる。特に、４官能性シラン化合物としてはテト
ラアルコキシシランが好ましく、３官能性シラン化合物
としてはモノアルキルトリアルコキシシラン又はトリア
ルコキシシランが好ましく、２官能性シラン化合物とし
てはジアルキルジアルコキシシラン又はアルキルジアル
コキシシランが好ましい。
【００３９】熱硬化性シリコーン重合体の製造方法はシ
ラン化合物の総量に対して、Ｓｉ−Ｈ基含有アルコキシ
シラン化合物３５モル％以上配合するものであり、シラ
ン化合物の総量に対して、一般式（Ｉ）で表されるＳｉ
−Ｈ基含有アルコキシシラン化合物３５〜１００モル％
（より好ましくは３５〜８５モル％）及び一般式（Ｉ
Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物０〜６５モル％
（１５〜６５モル％）の割合で使用されることが好まし
い。
ラン化合物の総量に対して、Ｓｉ−Ｈ基含有アルコキシ
シラン化合物３５モル％以上配合するものであり、シラ
ン化合物の総量に対して、一般式（Ｉ）で表されるＳｉ
−Ｈ基含有アルコキシシラン化合物３５〜１００モル％
（より好ましくは３５〜８５モル％）及び一般式（Ｉ
Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物０〜６５モル％
（１５〜６５モル％）の割合で使用されることが好まし
い。
【００４０】前記熱硬化性シリコーン重合体は三次元架
橋しており、一般式（ＩＩ）で表されるアルコキシシラ
ン化合物のうち１５〜１００モル％が４官能性シラン化
合物又は３官能性シラン化合物であることが好ましく、
２０〜１００モル％が４官能性シラン化合物又は３官能
性シラン化合物であることがより好ましい。すなわち一
般式（ＩＩ）で表されるアルコキシシラン化合物のうち
２官能性シラン化合物は、０〜８５モル％であることが
好ましく、より好ましくは０〜８０モル％の割合で使用
される。
橋しており、一般式（ＩＩ）で表されるアルコキシシラ
ン化合物のうち１５〜１００モル％が４官能性シラン化
合物又は３官能性シラン化合物であることが好ましく、
２０〜１００モル％が４官能性シラン化合物又は３官能
性シラン化合物であることがより好ましい。すなわち一
般式（ＩＩ）で表されるアルコキシシラン化合物のうち
２官能性シラン化合物は、０〜８５モル％であることが
好ましく、より好ましくは０〜８０モル％の割合で使用
される。
【００４１】特に好ましくは、一般式（ＩＩ）で表され
るアルコキシシラン化合物のうち４官能性シラン化合物
が１５〜１００モル％、より好ましくは２０〜１００モ
ル％、３官能性シラン化合物が０〜８５モル％、より好
ましくは０〜８０モル％及び２官能性シラン化合物が０
〜８５モル％、より好ましくは０〜８０モル％の割合で
使用される。２官能性シラン化合物が８５モル％を越え
ると、熱硬化性シリコーン重合体の鎖が長くなり、メチ
ル基等の疎水性基の配向等により無機材料表面に横向き
となる可能性が高く、リジットな層を形成しやすいた
め、低応力化の効果が小さくなる。
るアルコキシシラン化合物のうち４官能性シラン化合物
が１５〜１００モル％、より好ましくは２０〜１００モ
ル％、３官能性シラン化合物が０〜８５モル％、より好
ましくは０〜８０モル％及び２官能性シラン化合物が０
〜８５モル％、より好ましくは０〜８０モル％の割合で
使用される。２官能性シラン化合物が８５モル％を越え
ると、熱硬化性シリコーン重合体の鎖が長くなり、メチ
ル基等の疎水性基の配向等により無機材料表面に横向き
となる可能性が高く、リジットな層を形成しやすいた
め、低応力化の効果が小さくなる。
【００４２】前記熱硬化性シリコーン重合体は、前記し
た一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物
と一般式（ＩＩ）で表されるシラン化合物を加水分解・
重縮合させ、さらにヒドロシリル化反応して製造される
が、このとき、加水分解・重縮合触媒としては、塩酸、
硫酸、リン酸、硝酸、フッ酸等の無機酸、シュウ酸、マ
レイン酸、スルホン酸、ギ酸等の有機酸を使用すること
が好ましく、アンモニア、トリメチルアンモニウムなど
の塩基性触媒を用いることもできる。これら加水分解・
重縮合触媒は、一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有
シラン化合物と一般式（ＩＩ）で表されるシラン化合物
の量に応じて適当量用いられるが、好適には一般式
（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物と一般式
（ＩＩ）で表されるシラン化合物１モルに対し０．００
１〜１０モルの範囲で用いられる。ヒドロシリル化触媒
としては、白金、パラジウム、ロジウム系の遷移金属化
合物を用いることができ、特に塩化白金酸等の白金化合
物を使用することが好ましく、過酸化亜鉛、過酸化カル
シウム、過酸化水素、過酸化ジ−ｔｅｒｔ−ブチル、過
酸化ストロンチウム、過酸化ナトリウム、過酸化鉛、過
酸化バリウム等の過酸化物、また、３級アミン、ホスフ
ィンを用いることもできる。これらヒドロシリル化触媒
は、一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有アルコキシ
シラン化合物のＳｉ−Ｈ基１モルに対し、好ましくは
０．００００００１〜０．０００１モルの範囲で用いら
れる。
た一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物
と一般式（ＩＩ）で表されるシラン化合物を加水分解・
重縮合させ、さらにヒドロシリル化反応して製造される
が、このとき、加水分解・重縮合触媒としては、塩酸、
硫酸、リン酸、硝酸、フッ酸等の無機酸、シュウ酸、マ
レイン酸、スルホン酸、ギ酸等の有機酸を使用すること
が好ましく、アンモニア、トリメチルアンモニウムなど
の塩基性触媒を用いることもできる。これら加水分解・
重縮合触媒は、一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有
シラン化合物と一般式（ＩＩ）で表されるシラン化合物
の量に応じて適当量用いられるが、好適には一般式
（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物と一般式
（ＩＩ）で表されるシラン化合物１モルに対し０．００
１〜１０モルの範囲で用いられる。ヒドロシリル化触媒
としては、白金、パラジウム、ロジウム系の遷移金属化
合物を用いることができ、特に塩化白金酸等の白金化合
物を使用することが好ましく、過酸化亜鉛、過酸化カル
シウム、過酸化水素、過酸化ジ−ｔｅｒｔ−ブチル、過
酸化ストロンチウム、過酸化ナトリウム、過酸化鉛、過
酸化バリウム等の過酸化物、また、３級アミン、ホスフ
ィンを用いることもできる。これらヒドロシリル化触媒
は、一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有アルコキシ
シラン化合物のＳｉ−Ｈ基１モルに対し、好ましくは
０．００００００１〜０．０００１モルの範囲で用いら
れる。
【００４３】ヒドロシリル化反応剤は、ビニル基等のヒ
ドロシリル化反応のための二重結合と、エポキシ基やア
ミノ基等の有機化合物と反応（硬化）する際に作用する
官能基とを有しているものである。ここで、反応（硬
化）する際に作用する官能基とは、硬化剤又は架橋剤と
反応する反応性有機基、自硬化反応する反応性有機基、
無機充填剤の分散性、耐熱性向上のための有機基、水酸
基と反応する基等である。（本発明において、これら官
能基を、熱硬化性官能基と記載する。）具体例として
は、エポキシ基を有するヒドロシリル化反応剤としてア
リルグリシジルエーテル等を用いることができ、また、
アミノ基を有するヒドロシリル化反応剤としてアリルア
ミン、塩酸アリルアミン、アミノエチルアクリレート等
のアミノアルキルアクリレート、アミノエチルメタクリ
レート等のアミノアルキルメタクリレートなどを用いる
ことができる。これらヒドロシリル化反応剤は、一般式
（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有アルコキシシラン化合
物１モルに対し、０.１〜２モルの範囲とすることが好
ましく、特に０．２〜１．５モルが好ましい。
ドロシリル化反応のための二重結合と、エポキシ基やア
ミノ基等の有機化合物と反応（硬化）する際に作用する
官能基とを有しているものである。ここで、反応（硬
化）する際に作用する官能基とは、硬化剤又は架橋剤と
反応する反応性有機基、自硬化反応する反応性有機基、
無機充填剤の分散性、耐熱性向上のための有機基、水酸
基と反応する基等である。（本発明において、これら官
能基を、熱硬化性官能基と記載する。）具体例として
は、エポキシ基を有するヒドロシリル化反応剤としてア
リルグリシジルエーテル等を用いることができ、また、
アミノ基を有するヒドロシリル化反応剤としてアリルア
ミン、塩酸アリルアミン、アミノエチルアクリレート等
のアミノアルキルアクリレート、アミノエチルメタクリ
レート等のアミノアルキルメタクリレートなどを用いる
ことができる。これらヒドロシリル化反応剤は、一般式
（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有アルコキシシラン化合
物１モルに対し、０.１〜２モルの範囲とすることが好
ましく、特に０．２〜１．５モルが好ましい。
【００４４】また、上記の加水分解・重縮合、ヒドロシ
リル化反応は、メタノール、エタノールなどのアルコー
ル系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテルなど
のエーテル系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミドなどのアミド系溶剤、トルエン、キ
シレンなどの芳香族炭化水素系溶剤、酢酸エチルなどの
エステル系溶剤、ブチロニトリルなどのニトリル系溶剤
等の溶剤中で行うことが好ましい。これら溶剤は単独で
用いてもよく、数種類を併用した混合溶剤を用いること
もできる。また、この反応に際して、水が存在させられ
る。水の量も適宜決められるが、多すぎる場合には塗布
液の保存安定性が低下するなどの問題があるので、水の
量は、前記シラン化合物の総量１モルに対して０〜５モ
ルの範囲とすることが好ましく、特に、０．５〜４モル
が特に好ましい。
リル化反応は、メタノール、エタノールなどのアルコー
ル系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテルなど
のエーテル系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミドなどのアミド系溶剤、トルエン、キ
シレンなどの芳香族炭化水素系溶剤、酢酸エチルなどの
エステル系溶剤、ブチロニトリルなどのニトリル系溶剤
等の溶剤中で行うことが好ましい。これら溶剤は単独で
用いてもよく、数種類を併用した混合溶剤を用いること
もできる。また、この反応に際して、水が存在させられ
る。水の量も適宜決められるが、多すぎる場合には塗布
液の保存安定性が低下するなどの問題があるので、水の
量は、前記シラン化合物の総量１モルに対して０〜５モ
ルの範囲とすることが好ましく、特に、０．５〜４モル
が特に好ましい。
【００４５】熱硬化性シリコーン重合体の製造は、上記
の条件、配合を調整してゲル化しないように行われる。
の条件、配合を調整してゲル化しないように行われる。
【００４６】熱硬化性シリコーン重合体は、上記の反応
溶媒と同じ溶媒に溶解して使用することが作業性の点で
好ましい。このためには、上記の反応生成溶液をそのま
ま使用してもよく、反応生成溶液から熱硬化性シリコー
ン重合体を分離し、改めて上記溶媒に溶解してもよい。
溶媒と同じ溶媒に溶解して使用することが作業性の点で
好ましい。このためには、上記の反応生成溶液をそのま
ま使用してもよく、反応生成溶液から熱硬化性シリコー
ン重合体を分離し、改めて上記溶媒に溶解してもよい。
【００４７】前記熱硬化性シリコーン重合体は、完全硬
化又はゲル化していないが、３次元架橋しているもので
あり、本発明おける熱硬化性シリコーン重合体の３次元
架橋は、例えば、反応溶媒に溶解する程度に制御され
る。
化又はゲル化していないが、３次元架橋しているもので
あり、本発明おける熱硬化性シリコーン重合体の３次元
架橋は、例えば、反応溶媒に溶解する程度に制御され
る。
【００４８】このために、熱硬化性シリコーン重合体の
製造、保管及び使用に際し、温度は、常温以上２００℃
以下であることが好ましく、１５０℃以下であることが
より好ましい。
製造、保管及び使用に際し、温度は、常温以上２００℃
以下であることが好ましく、１５０℃以下であることが
より好ましい。
【００４９】前記熱硬化性シリコーン重合体は、Ｓｉ−
Ｈ基含有シリコーン重合体を中間生成物として作成する
ことができる。このＳｉ−Ｈ基含有シリコーン重合体の
Ｓｉ−Ｈ基はＳｉ−Ｈ基含有２官能性シロキサン単位
（ＨＲ′ＳｉＯ2/2）又は（Ｈ2ＳｉＯ2/2）（式中、
Ｒ′は前記の通りであり、シリコーン重合体中のＲ′基
は互いに同一であってもよいし、異なってもよい。以下
同様）又はＳｉ−Ｈ基含有３官能性シロキサン単位（Ｈ
ＳｉＯ3/2）によって導入されている。また、Ｓｉ−Ｈ
基含有シリコーン重合体は、Ｓｉ−Ｈ基含有３官能性シ
ロキサン単位（ＨＳｉＯ3/2）、３官能性シロキサン単
位（Ｒ′ＳｉＯ3/2）又は４官能性シロキサン単位（Ｓ
ｉＯ4/2）（式中、Ｒ′は有機基であり、シリコーン重
合体中のＲ基は互いに同一であってもよいし、異なって
もよい）を含有し、Ｓｉ−Ｈ基含有２官能性シロキサン
単位（ＨＲ′ＳｉＯ2/2）又は（Ｈ2ＳｉＯ2/2）及び２
官能性シロキサン単位（Ｒ′2ＳｉＯ2/2）を任意成分と
するものである。
Ｈ基含有シリコーン重合体を中間生成物として作成する
ことができる。このＳｉ−Ｈ基含有シリコーン重合体の
Ｓｉ−Ｈ基はＳｉ−Ｈ基含有２官能性シロキサン単位
（ＨＲ′ＳｉＯ2/2）又は（Ｈ2ＳｉＯ2/2）（式中、
Ｒ′は前記の通りであり、シリコーン重合体中のＲ′基
は互いに同一であってもよいし、異なってもよい。以下
同様）又はＳｉ−Ｈ基含有３官能性シロキサン単位（Ｈ
ＳｉＯ3/2）によって導入されている。また、Ｓｉ−Ｈ
基含有シリコーン重合体は、Ｓｉ−Ｈ基含有３官能性シ
ロキサン単位（ＨＳｉＯ3/2）、３官能性シロキサン単
位（Ｒ′ＳｉＯ3/2）又は４官能性シロキサン単位（Ｓ
ｉＯ4/2）（式中、Ｒ′は有機基であり、シリコーン重
合体中のＲ基は互いに同一であってもよいし、異なって
もよい）を含有し、Ｓｉ−Ｈ基含有２官能性シロキサン
単位（ＨＲ′ＳｉＯ2/2）又は（Ｈ2ＳｉＯ2/2）及び２
官能性シロキサン単位（Ｒ′2ＳｉＯ2/2）を任意成分と
するものである。
【００５０】熱硬化性シリコーン重合体は、重合度が７
０００以下で三次元架橋しているものであることが好ま
しい。さらに好ましい重合度は４０００以下であり、特
に好ましい重合度は２０００以下である。この熱硬化性
シリコーン重合体の側鎖及び末端には、Ｓｉ−Ｈ基に対
するヒドロシリル化反応によって導入された熱硬化性官
能基が存在する。ここで、熱硬化性シリコーン重合体の
重合度は、その重合体の分子量（低重合度の場合）又は
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより標準ポ
リスチレン若しくはポリエチレングリコールの検量線を
利用して測定した数平均分子量から算出したものであ
る。
０００以下で三次元架橋しているものであることが好ま
しい。さらに好ましい重合度は４０００以下であり、特
に好ましい重合度は２０００以下である。この熱硬化性
シリコーン重合体の側鎖及び末端には、Ｓｉ−Ｈ基に対
するヒドロシリル化反応によって導入された熱硬化性官
能基が存在する。ここで、熱硬化性シリコーン重合体の
重合度は、その重合体の分子量（低重合度の場合）又は
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより標準ポ
リスチレン若しくはポリエチレングリコールの検量線を
利用して測定した数平均分子量から算出したものであ
る。
【００５１】なお、熱硬化性シリコーン重合体を作製す
る際には、前記の様にＳｉ−Ｈ基含有シリコーン重合体
を製造してからヒドロシリル化反応剤を添加してヒドロ
シリル化反応を行ってもよく、また、ヒドロシリル化反
応剤を前記シラン化合物と同時に配合し、シラン化合物
の加水分解・重縮合と同時に又はその途中でヒドロシリ
ル化反応を行ってもよい。
る際には、前記の様にＳｉ−Ｈ基含有シリコーン重合体
を製造してからヒドロシリル化反応剤を添加してヒドロ
シリル化反応を行ってもよく、また、ヒドロシリル化反
応剤を前記シラン化合物と同時に配合し、シラン化合物
の加水分解・重縮合と同時に又はその途中でヒドロシリ
ル化反応を行ってもよい。
【００５２】（シリコーンオイル）本発明の絶縁材料を
形成する樹脂として、分子内にエポキシ基を有するシリ
コーンオイル（本発明において、エポキシ変性シリコー
ンオイルと記載する）を結合剤の主成分として含有する
樹脂を用いることもできる。ここで、エポキシ変性シリ
コーンオイルとは側鎖にエポキシ基を含む官能基を有す
る鎖状ポリシロキサン化合物であり、２５℃における粘
度が１０〜１０-6ｃｓの範囲にあるものである。なお、
本発明における粘度は東京計器（株）製ＥＭＤ型粘度計
を用いて、２５℃で測定した。エポキシ変性シリコーン
オイルのエポキシ当量は１５０〜５０００であることが
好ましく、３００〜１０００であることが特に好まし
い。
形成する樹脂として、分子内にエポキシ基を有するシリ
コーンオイル（本発明において、エポキシ変性シリコー
ンオイルと記載する）を結合剤の主成分として含有する
樹脂を用いることもできる。ここで、エポキシ変性シリ
コーンオイルとは側鎖にエポキシ基を含む官能基を有す
る鎖状ポリシロキサン化合物であり、２５℃における粘
度が１０〜１０-6ｃｓの範囲にあるものである。なお、
本発明における粘度は東京計器（株）製ＥＭＤ型粘度計
を用いて、２５℃で測定した。エポキシ変性シリコーン
オイルのエポキシ当量は１５０〜５０００であることが
好ましく、３００〜１０００であることが特に好まし
い。
【００５３】（無機充填剤の改質剤）エポキシ変性シリ
コーンオイルを結合剤の主成分とする場合、結合剤に無
機充填剤の改質剤を含有することが好ましい。改質剤の
配合量は、樹脂硬化物の伸びの値を考慮すると、エポキ
シ変性シリコーンオイルと改質剤の合計１００重量部に
対して３０重量部以下であることが好ましい。改質剤と
しては、シラン系、チタネート系、アルミネート系など
の各種カップリング剤や、シリコーン重合体を用いるこ
とができる。無機充填剤を高充填化する場合などは、無
機充填剤の分散性などの観点から、シリコーン重合体を
改質剤として用いることが好ましい。シリコーン重合体
としては前記熱硬化性シリコーン重合体を用いることが
でき、また、熱硬化性官能基を含まないシリコーン重合
体（本発明において、非熱硬化性シリコーン重合体と記
載する。）を使用することもできる。
コーンオイルを結合剤の主成分とする場合、結合剤に無
機充填剤の改質剤を含有することが好ましい。改質剤の
配合量は、樹脂硬化物の伸びの値を考慮すると、エポキ
シ変性シリコーンオイルと改質剤の合計１００重量部に
対して３０重量部以下であることが好ましい。改質剤と
しては、シラン系、チタネート系、アルミネート系など
の各種カップリング剤や、シリコーン重合体を用いるこ
とができる。無機充填剤を高充填化する場合などは、無
機充填剤の分散性などの観点から、シリコーン重合体を
改質剤として用いることが好ましい。シリコーン重合体
としては前記熱硬化性シリコーン重合体を用いることが
でき、また、熱硬化性官能基を含まないシリコーン重合
体（本発明において、非熱硬化性シリコーン重合体と記
載する。）を使用することもできる。
【００５４】ここで、非熱硬化性シリコーン重合体と
は、２官能性シロキサン単位（Ｒ2ＳｉＯ2/2）、３官能
性シロキサン単位（ＲＳｉＯ3/2）（式中、Ｒは有機基
であり、シリコーン重合体中のＲ基は互いに同一であっ
てもよいし、異なっていてもよい。）及び４官能性シロ
キサン単位（ＳｉＯ4/2）から選ばれる少なくとも１種
類のシロキサン単位を含有し、末端に水酸基と反応する
官能基を１個以上有するものである。重合度は２〜７０
００が好ましく、さらに好ましい重合度は２〜１００、
特に好ましい重合度は２〜７０である。前記Ｒとして
は、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等の芳香族
基などがある。水酸基と反応する官能基としては、シラ
ノール基、炭素数１〜４のアルコキシル基、炭素数１〜
４のアシルオキシ基、塩素等の臭素以外のハロゲン等が
ある。
は、２官能性シロキサン単位（Ｒ2ＳｉＯ2/2）、３官能
性シロキサン単位（ＲＳｉＯ3/2）（式中、Ｒは有機基
であり、シリコーン重合体中のＲ基は互いに同一であっ
てもよいし、異なっていてもよい。）及び４官能性シロ
キサン単位（ＳｉＯ4/2）から選ばれる少なくとも１種
類のシロキサン単位を含有し、末端に水酸基と反応する
官能基を１個以上有するものである。重合度は２〜７０
００が好ましく、さらに好ましい重合度は２〜１００、
特に好ましい重合度は２〜７０である。前記Ｒとして
は、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等の芳香族
基などがある。水酸基と反応する官能基としては、シラ
ノール基、炭素数１〜４のアルコキシル基、炭素数１〜
４のアシルオキシ基、塩素等の臭素以外のハロゲン等が
ある。
【００５５】このような非熱硬化性シリコーン重合体
は、前記一般式（ＩＩ）で表されるシラン化合物を加水
分解、重縮合させて得ることができる。非熱硬化性シリ
コーン重合体の合成に用いられる前記一般式（ＩＩ）で
表されるシラン化合物としては、４官能性シラン化合物
又は３官能性シラン化合物が必須成分として用いられ、
２官能性シラン化合物は必要に応じて適宜使用される。
特に、４官能性シラン化合物としてはテトラアルコキシ
シランが好ましく、３官能性シラン化合物としてはモノ
アルキルトリアルコキシシランが好ましく、２官能性シ
ラン化合物としてはジアルキルジアルコキシシランが好
ましい。シラン化合物の使用割合は、好ましくは、４官
能性シラン化合物又は３官能性シラン化合物１５〜１０
０モル％及び２官能性シラン化合物を０〜８５モル％が
好ましく、４官能性シラン化合物または３官能性シラン
化合物の１種以上を２０〜１００モル％及び２官能性シ
ラン化合物を０〜８０モル％がより好ましい。また、特
に、４官能性シラン化合物を１５〜１００モル％、３官
能性シラン化合物０〜８５モル％及び２官能性シラン化
合物０〜８５モル％の割合で使用することが好ましく、
４官能性シラン化合物を２０〜１００モル％、３官能性
シラン化合物を０〜８０モル％と、２官能性シラン化合
物を０〜８０モル％の割合で使用することがより好まし
い。加水分解・重縮合反応の触媒及び溶剤は熱硬化性シ
リコーン重合体を製造する際の加水分解・重縮合反応と
同様のものを適用することができる。非熱硬化性シリコ
ーン重合体の製造は条件、配合を調整してゲル化しない
ように行われる。非熱硬化性シリコーン重合体は、３次
元架橋しているが完全硬化又はゲル化していないもので
あり、３次元架橋は、例えば、反応溶媒に溶解する程度
に制御される。このために、非熱硬化性シリコーン重合
体の製造、保管及び使用に際し、温度は、常温以上２０
０℃以下であることが好ましく、１５０℃以下であるこ
とがより好ましい。
は、前記一般式（ＩＩ）で表されるシラン化合物を加水
分解、重縮合させて得ることができる。非熱硬化性シリ
コーン重合体の合成に用いられる前記一般式（ＩＩ）で
表されるシラン化合物としては、４官能性シラン化合物
又は３官能性シラン化合物が必須成分として用いられ、
２官能性シラン化合物は必要に応じて適宜使用される。
特に、４官能性シラン化合物としてはテトラアルコキシ
シランが好ましく、３官能性シラン化合物としてはモノ
アルキルトリアルコキシシランが好ましく、２官能性シ
ラン化合物としてはジアルキルジアルコキシシランが好
ましい。シラン化合物の使用割合は、好ましくは、４官
能性シラン化合物又は３官能性シラン化合物１５〜１０
０モル％及び２官能性シラン化合物を０〜８５モル％が
好ましく、４官能性シラン化合物または３官能性シラン
化合物の１種以上を２０〜１００モル％及び２官能性シ
ラン化合物を０〜８０モル％がより好ましい。また、特
に、４官能性シラン化合物を１５〜１００モル％、３官
能性シラン化合物０〜８５モル％及び２官能性シラン化
合物０〜８５モル％の割合で使用することが好ましく、
４官能性シラン化合物を２０〜１００モル％、３官能性
シラン化合物を０〜８０モル％と、２官能性シラン化合
物を０〜８０モル％の割合で使用することがより好まし
い。加水分解・重縮合反応の触媒及び溶剤は熱硬化性シ
リコーン重合体を製造する際の加水分解・重縮合反応と
同様のものを適用することができる。非熱硬化性シリコ
ーン重合体の製造は条件、配合を調整してゲル化しない
ように行われる。非熱硬化性シリコーン重合体は、３次
元架橋しているが完全硬化又はゲル化していないもので
あり、３次元架橋は、例えば、反応溶媒に溶解する程度
に制御される。このために、非熱硬化性シリコーン重合
体の製造、保管及び使用に際し、温度は、常温以上２０
０℃以下であることが好ましく、１５０℃以下であるこ
とがより好ましい。
【００５６】（熱硬化性シリコーン重合体とシリコーン
オイルの併用）結合剤として、熱硬化性シリコーン重合
体とエポキシ変性シリコーンオイルとを併用することも
できる。熱硬化性シリコーン重合体とエポキシ変性シリ
コーンオイルの配合割合は、無機充填剤の分散性の観点
から、これらの合計１００重量部に対して熱硬化性シリ
コーン重合体が０．１重量部以上含まれていることが好
ましく、熱膨張率、伸びの観点から、熱硬化性シリコー
ン重合体が１重量部以上含まれていることが特に好まし
い。また、伸びの観点から、熱硬化性シリコーン重合体
とエポキシ変性シリコーンオイルの配合の合計１００重
量部に対してエポキシ変性シリコーンオイルが５重量部
以上含まれていることが好ましく、４０重量部以上が特
に好ましい。熱硬化性シリコーン重合体とエポキシ変性
シリコーンオイルの配合比は熱膨張係数と伸びの値か
ら、目的に応じて決めることができる。すなわち、熱硬
化性シリコーン重合体の配合比が大きいほど熱膨張係数
が小さくなり、エポキシ変性シリコーンオイルの配合比
を増やすことで伸びの値を大きくすることができる。
オイルの併用）結合剤として、熱硬化性シリコーン重合
体とエポキシ変性シリコーンオイルとを併用することも
できる。熱硬化性シリコーン重合体とエポキシ変性シリ
コーンオイルの配合割合は、無機充填剤の分散性の観点
から、これらの合計１００重量部に対して熱硬化性シリ
コーン重合体が０．１重量部以上含まれていることが好
ましく、熱膨張率、伸びの観点から、熱硬化性シリコー
ン重合体が１重量部以上含まれていることが特に好まし
い。また、伸びの観点から、熱硬化性シリコーン重合体
とエポキシ変性シリコーンオイルの配合の合計１００重
量部に対してエポキシ変性シリコーンオイルが５重量部
以上含まれていることが好ましく、４０重量部以上が特
に好ましい。熱硬化性シリコーン重合体とエポキシ変性
シリコーンオイルの配合比は熱膨張係数と伸びの値か
ら、目的に応じて決めることができる。すなわち、熱硬
化性シリコーン重合体の配合比が大きいほど熱膨張係数
が小さくなり、エポキシ変性シリコーンオイルの配合比
を増やすことで伸びの値を大きくすることができる。
【００５７】（無機充填剤）熱膨張係数を小さい値に調
整するために、本発明で用いる樹脂には、無機充填剤を
多量に配合することが好ましい。無機充填剤としては、
その種類は特に制約はなく、例えば、炭酸カルシウム、
アルミナ、酸化チタン、マイカ、炭酸アルミニウム、水
酸化アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸アルミ
ニウム、シリカ、ガラス短繊維、ホウ酸アルミニウムウ
ィスカや炭化ケイ素ウィスカ等の各種ウィスカ等が用い
られる。また、これらを数種類併用しても良い。無機充
填剤の形状、粒径については特に制限はなく、通常用い
られている粒径０．００１〜５０μｍのものを本発明に
おいても用いることができ、絶縁材料の薄型化を考慮し
た場合、好ましくは０．０１〜１０μｍのものが好適に
用いられる。これら無機充填剤の配合量は、結合剤１０
０重量部に対して１００〜２０００重量部が好ましく、
３００〜１５００重量部が特に好ましい。硬化後の樹脂
の熱膨張係数は無機充填剤の配合量によって調整するこ
とができる。無機充填剤の配合量が少なすぎると熱膨張
係数が大きくなる傾向があり、無機充填剤が多すぎると
フィルム化が困難になる傾向がある。
整するために、本発明で用いる樹脂には、無機充填剤を
多量に配合することが好ましい。無機充填剤としては、
その種類は特に制約はなく、例えば、炭酸カルシウム、
アルミナ、酸化チタン、マイカ、炭酸アルミニウム、水
酸化アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸アルミ
ニウム、シリカ、ガラス短繊維、ホウ酸アルミニウムウ
ィスカや炭化ケイ素ウィスカ等の各種ウィスカ等が用い
られる。また、これらを数種類併用しても良い。無機充
填剤の形状、粒径については特に制限はなく、通常用い
られている粒径０．００１〜５０μｍのものを本発明に
おいても用いることができ、絶縁材料の薄型化を考慮し
た場合、好ましくは０．０１〜１０μｍのものが好適に
用いられる。これら無機充填剤の配合量は、結合剤１０
０重量部に対して１００〜２０００重量部が好ましく、
３００〜１５００重量部が特に好ましい。硬化後の樹脂
の熱膨張係数は無機充填剤の配合量によって調整するこ
とができる。無機充填剤の配合量が少なすぎると熱膨張
係数が大きくなる傾向があり、無機充填剤が多すぎると
フィルム化が困難になる傾向がある。
【００５８】（硬化剤）前記結合剤を含有する樹脂の硬
化剤は、結合剤の主成分が有する熱硬化性官能基と反応
（硬化）する化合物であればよく、特に制限はない。例
えば熱硬化性官能基がエポキシ基の場合には、アミン系
硬化剤やフェノール系硬化剤などの一般にエポキシ樹脂
用硬化剤として用いられるものを利用することができ
る。エポキシ樹脂用硬化剤としては多官能フェノール化
合物が好ましい。多官能フェノール化合物としては、ビ
スフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノール
Ｓ、レゾルシン、カテコール等の多価フェノールがあ
り、また、これらの多価フェノール又はフェノール、ク
レゾール等の一価のフェノール化合物とホルムアルデヒ
ドを反応させて得られるノボラック樹脂などがある。多
官能フェノール化合物は臭素等のハロゲンで置換されて
いてもよい。硬化剤の使用量は、結合剤中の熱硬化性官
能基１当量に対して、０．２〜１．５当量使用すること
が好ましく、０．５〜１．２当量使用することが特に好
ましい。硬化物と金属との接着性を向上させるためには
エポキシ樹脂用硬化剤にアミン化合物を含むことが好ま
しく、また、硬化剤が過剰に含まれていることが好まし
い。このアミン化合物は接着性補強剤として作用するも
のであり、具体例については後に記載する。耐熱性など
の他の特性と接着性とのバランスを考慮すると、アミン
化合物を含む硬化剤を結合剤中の熱硬化性官能基１当量
に対して１．０〜１．５当量用いることが好ましく、熱
硬化性官能基１当量に対して１．０〜１．２当量用いる
ことが特に好ましい。
化剤は、結合剤の主成分が有する熱硬化性官能基と反応
（硬化）する化合物であればよく、特に制限はない。例
えば熱硬化性官能基がエポキシ基の場合には、アミン系
硬化剤やフェノール系硬化剤などの一般にエポキシ樹脂
用硬化剤として用いられるものを利用することができ
る。エポキシ樹脂用硬化剤としては多官能フェノール化
合物が好ましい。多官能フェノール化合物としては、ビ
スフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノール
Ｓ、レゾルシン、カテコール等の多価フェノールがあ
り、また、これらの多価フェノール又はフェノール、ク
レゾール等の一価のフェノール化合物とホルムアルデヒ
ドを反応させて得られるノボラック樹脂などがある。多
官能フェノール化合物は臭素等のハロゲンで置換されて
いてもよい。硬化剤の使用量は、結合剤中の熱硬化性官
能基１当量に対して、０．２〜１．５当量使用すること
が好ましく、０．５〜１．２当量使用することが特に好
ましい。硬化物と金属との接着性を向上させるためには
エポキシ樹脂用硬化剤にアミン化合物を含むことが好ま
しく、また、硬化剤が過剰に含まれていることが好まし
い。このアミン化合物は接着性補強剤として作用するも
のであり、具体例については後に記載する。耐熱性など
の他の特性と接着性とのバランスを考慮すると、アミン
化合物を含む硬化剤を結合剤中の熱硬化性官能基１当量
に対して１．０〜１．５当量用いることが好ましく、熱
硬化性官能基１当量に対して１．０〜１．２当量用いる
ことが特に好ましい。
【００５９】（硬化促進剤）また、硬化剤とともに硬化
促進剤を加えてもよい。例えば熱硬化性官能基がエポキ
シ基の場合には、イミダゾール化合物などが一般に使用
されており、本発明においてもこれを用いることができ
る。硬化促進剤として用いられるイミダゾール化合物の
具体例としてはイミダゾール、２−エチルイミダゾー
ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール２−フェニル
イミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベン
ジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミ
ダゾール、４，５−ジフェニルイミダゾール、２−メチ
ルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウン
デシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、
２−イソプロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミ
ダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２
−エチルイミダゾリン、２−イソプロピルイミダゾリ
ン、２，４−ジメチルイミダゾリン、２−フェニル−４
−メチルイミダゾリン等が挙げられる。硬化促進剤の十
分な効果を得るためには、結合剤１００重量部に対して
０．０１重量部以上使用することが好ましく、熱膨張率
や伸び等の観点から１０重量部以下が好ましい。
促進剤を加えてもよい。例えば熱硬化性官能基がエポキ
シ基の場合には、イミダゾール化合物などが一般に使用
されており、本発明においてもこれを用いることができ
る。硬化促進剤として用いられるイミダゾール化合物の
具体例としてはイミダゾール、２−エチルイミダゾー
ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール２−フェニル
イミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベン
ジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミ
ダゾール、４，５−ジフェニルイミダゾール、２−メチ
ルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウン
デシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、
２−イソプロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミ
ダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２
−エチルイミダゾリン、２−イソプロピルイミダゾリ
ン、２，４−ジメチルイミダゾリン、２−フェニル−４
−メチルイミダゾリン等が挙げられる。硬化促進剤の十
分な効果を得るためには、結合剤１００重量部に対して
０．０１重量部以上使用することが好ましく、熱膨張率
や伸び等の観点から１０重量部以下が好ましい。
【００６０】本発明おける樹脂には必要に応じて両末端
シリル基変性エラストマを加えることができる。両末端
シリル基変性エラストマを加えることで樹脂のフィルム
としての取り扱い性が向上する。ここで、両末端シリル
基変性エラストマとは、重量平均分子量が３０００〜１
０万程度の長鎖状エラストマであり、主鎖の両末端にア
ルコキシシリル基を有するものである。エラストマの主
鎖については特に制限はなく、ポリイソブチレンやポリ
プロピレンなどのポリオレフィン、ポリプロピレンオキ
シドなどのポリエーテル、ブタジエンゴム又はアクリル
ゴム等の主鎖骨格を有するエラストマが利用できる。ア
ルコキシシリル基はＳｉ元素に１〜３個のアルコキシ基
が結合したものでよく、Ｓｉ元素に結合したアルコキシ
基の炭素数は１〜４であることが好ましい。両末端シリ
ル基変性エラストマとしては、例えばＳＡＴ２００（両
末端シリル基変性ポリエーテル、鐘淵化学工業株式会社
製商品名）、ＥＰ１０３Ｓ、ＥＰ３０３Ｓ（両末端シリ
ル基変性ポリイソブチレン、鐘淵化学工業株式会社製商
品名）等を用いることができる。両末端シリル基変性エ
ラストマの配合量は、結合剤１００重量部に対して０．
１〜３０重量部であることが好ましい。０．１重量部未
満では配合することによる効果が現れにくく、３０重量
部を越えると熱膨張率が大きくなる傾向がある。
シリル基変性エラストマを加えることができる。両末端
シリル基変性エラストマを加えることで樹脂のフィルム
としての取り扱い性が向上する。ここで、両末端シリル
基変性エラストマとは、重量平均分子量が３０００〜１
０万程度の長鎖状エラストマであり、主鎖の両末端にア
ルコキシシリル基を有するものである。エラストマの主
鎖については特に制限はなく、ポリイソブチレンやポリ
プロピレンなどのポリオレフィン、ポリプロピレンオキ
シドなどのポリエーテル、ブタジエンゴム又はアクリル
ゴム等の主鎖骨格を有するエラストマが利用できる。ア
ルコキシシリル基はＳｉ元素に１〜３個のアルコキシ基
が結合したものでよく、Ｓｉ元素に結合したアルコキシ
基の炭素数は１〜４であることが好ましい。両末端シリ
ル基変性エラストマとしては、例えばＳＡＴ２００（両
末端シリル基変性ポリエーテル、鐘淵化学工業株式会社
製商品名）、ＥＰ１０３Ｓ、ＥＰ３０３Ｓ（両末端シリ
ル基変性ポリイソブチレン、鐘淵化学工業株式会社製商
品名）等を用いることができる。両末端シリル基変性エ
ラストマの配合量は、結合剤１００重量部に対して０．
１〜３０重量部であることが好ましい。０．１重量部未
満では配合することによる効果が現れにくく、３０重量
部を越えると熱膨張率が大きくなる傾向がある。
【００６１】本発明における樹脂組成物には、金属箔と
の接着性を高め、樹脂硬化物と金属箔との引き剥がし強
度を高めるために、必要に応じて接着性補強材を加える
ことができる。接着性補強材としてはアミノ基や水酸基
などの反応性官能基を複数持つ化合物を用いることがで
き、反応性官能基を複数持つアミン化合物が好ましい。
反応性官能基を複数持つアミン化合物としては、例え
ば、ｍ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノベン
ズアニリド、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジメチル
ビフェニル等の分子内に複数のアミノ基を持つ化合物や
ジシアンジアミドなどの、分子内に複数の活性Ｎ−Ｈ基
を有する化合物、３−アミノ−１−プロパノール、４−
アミノフェノール等の分子内にアミノ基と水酸基を併せ
持つ化合物などを用いることができる。接着性補強材の
配合量は結合剤１００重量部に対して０．０１〜９重量
部であることが好ましく、０．１〜６重量部であること
が特に好ましい。０．０１重量部未満の場合は配合によ
る効果が現れにくく、また、９重量部を越える場合は、
硬化物の耐熱性が低下する傾向がある。また、接着性補
強材は硬化剤としても作用するため、他の硬化剤との配
合量の合計が、前述した硬化剤の配合量の好ましい範囲
内となることが好ましい。
の接着性を高め、樹脂硬化物と金属箔との引き剥がし強
度を高めるために、必要に応じて接着性補強材を加える
ことができる。接着性補強材としてはアミノ基や水酸基
などの反応性官能基を複数持つ化合物を用いることがで
き、反応性官能基を複数持つアミン化合物が好ましい。
反応性官能基を複数持つアミン化合物としては、例え
ば、ｍ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノベン
ズアニリド、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジメチル
ビフェニル等の分子内に複数のアミノ基を持つ化合物や
ジシアンジアミドなどの、分子内に複数の活性Ｎ−Ｈ基
を有する化合物、３−アミノ−１−プロパノール、４−
アミノフェノール等の分子内にアミノ基と水酸基を併せ
持つ化合物などを用いることができる。接着性補強材の
配合量は結合剤１００重量部に対して０．０１〜９重量
部であることが好ましく、０．１〜６重量部であること
が特に好ましい。０．０１重量部未満の場合は配合によ
る効果が現れにくく、また、９重量部を越える場合は、
硬化物の耐熱性が低下する傾向がある。また、接着性補
強材は硬化剤としても作用するため、他の硬化剤との配
合量の合計が、前述した硬化剤の配合量の好ましい範囲
内となることが好ましい。
【００６２】（半導体搭載用基板）以上のような樹脂か
らなる絶縁基材に、導体パターンを形成して半導体搭載
用基板とすることができ、その上に、半導体チップを搭
載して半導体パッケージとすることができる。
らなる絶縁基材に、導体パターンを形成して半導体搭載
用基板とすることができ、その上に、半導体チップを搭
載して半導体パッケージとすることができる。
【００６３】（半導体搭載用基板の製造）このような半
導体搭載用基板を製造するには、絶縁基材と金属層を有
する積層材の不要な箇所の金属層をエッチング除去して
導体パターンを形成する方法や、絶縁基材の必要な箇所
にのみ導体パターンを形成する方法によって行うことが
できる。
導体搭載用基板を製造するには、絶縁基材と金属層を有
する積層材の不要な箇所の金属層をエッチング除去して
導体パターンを形成する方法や、絶縁基材の必要な箇所
にのみ導体パターンを形成する方法によって行うことが
できる。
【００６４】絶縁基材と金属層の組み合わせは、絶縁基
材と金属箔を貼り合わせたものでもよく、金属箔に、絶
縁基材となる樹脂ワニスをキャスティングしたものでも
よく、この場合、金属箔の表面が適切な粗さを持つよう
に調整されていれば、接着剤を用いる必要がなく、経済
的である。例えば、銅箔に、絶縁ワニスとして本発明の
樹脂ワニスをキャスティングする場合、銅箔の表面粗さ
は、０．５〜２０μｍ（粗面粗さＲｚの測定方法はＪＩ
Ｓ Ｂ ０６０１に準ずる。）であることが好ましい。
そのような粗さに調整するには、一般に知られている酸
化剤による表面処理があり、亜塩素酸ナトリウム、過硫
酸アルカリ、塩素酸カリウム、過塩素酸カリウム、又は
ペルオキソ硫酸アルカリのアルカリ性水溶液等の酸化剤
を含む処理液に浸漬又はその処理液を吹き付けて行う。
この銅の酸化処理液の組成は、例えば以下のような物を
用いることができる。
材と金属箔を貼り合わせたものでもよく、金属箔に、絶
縁基材となる樹脂ワニスをキャスティングしたものでも
よく、この場合、金属箔の表面が適切な粗さを持つよう
に調整されていれば、接着剤を用いる必要がなく、経済
的である。例えば、銅箔に、絶縁ワニスとして本発明の
樹脂ワニスをキャスティングする場合、銅箔の表面粗さ
は、０．５〜２０μｍ（粗面粗さＲｚの測定方法はＪＩ
Ｓ Ｂ ０６０１に準ずる。）であることが好ましい。
そのような粗さに調整するには、一般に知られている酸
化剤による表面処理があり、亜塩素酸ナトリウム、過硫
酸アルカリ、塩素酸カリウム、過塩素酸カリウム、又は
ペルオキソ硫酸アルカリのアルカリ性水溶液等の酸化剤
を含む処理液に浸漬又はその処理液を吹き付けて行う。
この銅の酸化処理液の組成は、例えば以下のような物を
用いることができる。
【００６５】（表面処理液の組成）
ＮａＣｌＯ2；３０〜１５０ｇ／ｌ
Ｎａ3ＰＯ4・１２Ｈ2Ｏ；１０〜６０ｇ／ｌ
ＮａＯＨ；５〜３０ｇ／ｌ
また、その処理条件は、通常、液温が５５〜９５℃であ
る。さらに、酸化銅を形成するための銅表面の前処理と
して、脱脂を行い、過硫酸アンモニウム水溶液又は塩化
第二銅と塩酸とを含む水溶液等に接触させて銅表面を粗
化することが好ましい。この酸化処理によって、銅箔の
表面に０．５〜２０μｍ（粗面粗さＲｚ）の粗化表面を
形成することができる。
る。さらに、酸化銅を形成するための銅表面の前処理と
して、脱脂を行い、過硫酸アンモニウム水溶液又は塩化
第二銅と塩酸とを含む水溶液等に接触させて銅表面を粗
化することが好ましい。この酸化処理によって、銅箔の
表面に０．５〜２０μｍ（粗面粗さＲｚ）の粗化表面を
形成することができる。
【００６６】また、この後に、酸化銅を還元して凹凸を
残したまま粗化された表面を有する金属銅を得ることも
できる。
残したまま粗化された表面を有する金属銅を得ることも
できる。
【００６７】例えば、還元剤である水素化ホウ素アルカ
リを用いる方法があり、水素化ホウ素アルカリとしては
水酸化ホウ素ナトリウムや水素化ホウ素カリウム等が用
いられる。この水素化ホウ素アルカリの濃度は、酸化処
理した銅表面の電位の変化する速度と、還元後の外観の
均一性とに影響する。その濃度は、０．１ｇ／ｌ以上、
好ましくは０．２〜５ｇ／ｌで用いる。また、水素化ホ
ウ素アルカリは自然分解し易いので、抑制するために、
酢酸鉛、塩化鉛、硫酸鉛又はチオグリコール酸を添加す
ることが好ましく、また、ｐＨを１０〜１３．５に維持
することによっても可能である。
リを用いる方法があり、水素化ホウ素アルカリとしては
水酸化ホウ素ナトリウムや水素化ホウ素カリウム等が用
いられる。この水素化ホウ素アルカリの濃度は、酸化処
理した銅表面の電位の変化する速度と、還元後の外観の
均一性とに影響する。その濃度は、０．１ｇ／ｌ以上、
好ましくは０．２〜５ｇ／ｌで用いる。また、水素化ホ
ウ素アルカリは自然分解し易いので、抑制するために、
酢酸鉛、塩化鉛、硫酸鉛又はチオグリコール酸を添加す
ることが好ましく、また、ｐＨを１０〜１３．５に維持
することによっても可能である。
【００６８】酸化処理した銅表面と水素化ホウ素アルカ
リの接触時間は極めて重要である。酸化処理した銅表面
を水素化ホウ素アルカリに接触させると、酸化銅が還元
され始め、酸化処理した銅表面の電位が卑の方へ変化し
ていく。このとき、電位が−１０００ｍＶより卑になる
まで接触時間を長くすると、外観的に不均一を発生し、
接着強度が大きくならないこともある。このような問題
の発生しない範囲が、−１０００ｍＶ以上で−４００ｍ
Ｖ以下である。実際には、常に電位の監視をする必要は
なく、水素化ホウ素アルカリを含む水溶液の組成と温度
によって、望ましい接触時間が決定できる。一例とし
て、水素化ホウ素ナトリウムの場合、濃度；１ｇ／ｌ、
ｐＨ；１２．５、温度；４０℃のときの望ましい接触時
間は３〜１８０秒である。
リの接触時間は極めて重要である。酸化処理した銅表面
を水素化ホウ素アルカリに接触させると、酸化銅が還元
され始め、酸化処理した銅表面の電位が卑の方へ変化し
ていく。このとき、電位が−１０００ｍＶより卑になる
まで接触時間を長くすると、外観的に不均一を発生し、
接着強度が大きくならないこともある。このような問題
の発生しない範囲が、−１０００ｍＶ以上で−４００ｍ
Ｖ以下である。実際には、常に電位の監視をする必要は
なく、水素化ホウ素アルカリを含む水溶液の組成と温度
によって、望ましい接触時間が決定できる。一例とし
て、水素化ホウ素ナトリウムの場合、濃度；１ｇ／ｌ、
ｐＨ；１２．５、温度；４０℃のときの望ましい接触時
間は３〜１８０秒である。
【００６９】さらに続いてホルムアルデヒドと接触させ
て金属銅に還元する処理を完成することができ、ここで
用いるホルムアルデヒドの水溶液の濃度は、３６％ホル
マリンを使用した場合、０．５ｍｌ／ｌ以上で、２〜１
５ｍｌ／ｌが好ましい範囲である。また、このホルムア
ルデヒドの水溶液のｐＨは９以上、好ましくは１０．５
以上である。このｐＨを調整するには、水酸化アルカリ
等を用いる。このホルムアルデヒドの水溶液には、さら
に塩類を添加することもでき、Ｎａ2ＳＯ4、Ｋ 2ＳＯ4、
ＨＣＯＯＮａ、ＮａＣｌ、等の溶解度の高いものが使用
でき、これらを組み合わせて用いることもできる。ま
た、その添加量は、上記メタホウ酸またはその塩と合わ
せて０．０１モル／ｌ以上、好ましくは０．１モル／ｌ
以上である。このホルムアルデヒドとメタホウ酸または
その塩を含む水溶液に、酸化処理をし工程ｂの処理をし
た銅表面を接触させると、初期の銅の電位は−１０００
ｍＶ〜−４００ｍＶの範囲にあり、接触を継続すると金
属銅の電位である−１０００ｍＶより卑に変化する。こ
の接触を継続する時間は、少なくとも金属銅の電位に変
化するまでの時間が必要である。
て金属銅に還元する処理を完成することができ、ここで
用いるホルムアルデヒドの水溶液の濃度は、３６％ホル
マリンを使用した場合、０．５ｍｌ／ｌ以上で、２〜１
５ｍｌ／ｌが好ましい範囲である。また、このホルムア
ルデヒドの水溶液のｐＨは９以上、好ましくは１０．５
以上である。このｐＨを調整するには、水酸化アルカリ
等を用いる。このホルムアルデヒドの水溶液には、さら
に塩類を添加することもでき、Ｎａ2ＳＯ4、Ｋ 2ＳＯ4、
ＨＣＯＯＮａ、ＮａＣｌ、等の溶解度の高いものが使用
でき、これらを組み合わせて用いることもできる。ま
た、その添加量は、上記メタホウ酸またはその塩と合わ
せて０．０１モル／ｌ以上、好ましくは０．１モル／ｌ
以上である。このホルムアルデヒドとメタホウ酸または
その塩を含む水溶液に、酸化処理をし工程ｂの処理をし
た銅表面を接触させると、初期の銅の電位は−１０００
ｍＶ〜−４００ｍＶの範囲にあり、接触を継続すると金
属銅の電位である−１０００ｍＶより卑に変化する。こ
の接触を継続する時間は、少なくとも金属銅の電位に変
化するまでの時間が必要である。
【００７０】このようにして表面を粗化した銅箔に、本
発明の樹脂ワニスを、ナイフコータなどによりキャステ
ィングする。
発明の樹脂ワニスを、ナイフコータなどによりキャステ
ィングする。
【００７１】（蒸着による金属層の形成）また、高透湿
度の絶縁基材に、蒸着によって金属層を形成してもよ
く、例えば、樹脂フィルムの場合、銅を蒸着するには、
蒸着装置内の圧力を４．０×１０− ４Ｐａ、放電電力を
１．０Ｋｗの条件で、蒸着をして、厚み０．５μｍの銅
層を形成することができる。
度の絶縁基材に、蒸着によって金属層を形成してもよ
く、例えば、樹脂フィルムの場合、銅を蒸着するには、
蒸着装置内の圧力を４．０×１０− ４Ｐａ、放電電力を
１．０Ｋｗの条件で、蒸着をして、厚み０．５μｍの銅
層を形成することができる。
【００７２】（エッチングによる導体パターンの形成）
このようにして作製した積層材の、金属層の導体パター
ンとなる箇所にエッチングレジストを形成し、エッチン
グレジストから露出した箇所に、化学エッチング液をス
プレー噴霧して、不要な銅箔をエッチング除去し、導体
パターンを形成することができる。エッチングレジスト
は、通常のプリント配線板に用いることのできるエッチ
ングレジスト材料を用いることができ、レジストインク
をシルクスクリーン印刷して形成したり、エッチングレ
ジスト用感光性ドライフィルムを銅箔の上にラミネート
して、その上に導体パターンの形状に光を透過するフォ
トマスクを重ね、紫外線を露光し、露光しなかった箇所
を現像液で除去して形成する。化学エッチング液には、
塩化第二銅と塩酸の溶液、塩化第二鉄溶液、硫酸と過酸
化水素の溶液、過硫酸アンモニウム溶液など、通常のプ
リント配線板に用いる化学エッチング液を用いることが
できる。
このようにして作製した積層材の、金属層の導体パター
ンとなる箇所にエッチングレジストを形成し、エッチン
グレジストから露出した箇所に、化学エッチング液をス
プレー噴霧して、不要な銅箔をエッチング除去し、導体
パターンを形成することができる。エッチングレジスト
は、通常のプリント配線板に用いることのできるエッチ
ングレジスト材料を用いることができ、レジストインク
をシルクスクリーン印刷して形成したり、エッチングレ
ジスト用感光性ドライフィルムを銅箔の上にラミネート
して、その上に導体パターンの形状に光を透過するフォ
トマスクを重ね、紫外線を露光し、露光しなかった箇所
を現像液で除去して形成する。化学エッチング液には、
塩化第二銅と塩酸の溶液、塩化第二鉄溶液、硫酸と過酸
化水素の溶液、過硫酸アンモニウム溶液など、通常のプ
リント配線板に用いる化学エッチング液を用いることが
できる。
【００７３】（めっきによる導体パターンの形成）ま
た、導体パターンは、前記したように、前記の高透湿度
の絶縁基材の必要な箇所にのみ無電解めっきを行うこと
で形成することもでき、通常の無電解めっきによる導体
パターンの形成の技術を用いることができる。
た、導体パターンは、前記したように、前記の高透湿度
の絶縁基材の必要な箇所にのみ無電解めっきを行うこと
で形成することもでき、通常の無電解めっきによる導体
パターンの形成の技術を用いることができる。
【００７４】例えば、絶縁基材に無電解用めっき用触媒
を付着させた後、めっきが行われない表面部分にめっき
レジストを形成して、無電解めっき液に浸漬し、めっき
レジストに覆われていない箇所にのみ無電解めっきを行
う。その後、必要があればめっきレジストを除去して半
導体搭載用基板とする。このときの無電解めっき用触媒
は、通常パラジウムを用いることが多く、絶縁基材に無
電解用めっき用触媒を付着させるには、パラジウムを錯
体の状態で水溶液に含ませ、絶縁基材を浸漬して表面に
パラジウム錯体を付着させ、そのまま、還元剤を用い
て、金属パラジウムに還元することによって絶縁基材表
面にめっきを開始するための核を形成することができ
る。通常は、このような操作をするために、被めっき物
を、アルコールや酸で洗浄し、表面に付着した人体の指
からの脂肪分や加工機械からの油分を除去し、絶縁基材
表面にめっき用触媒を付着させやすくするクリーナ−コ
ンディショナー工程、絶縁基材表面に金属パラジウムを
付着させる増感工程、めっき金属の密着力を高めあるい
はめっきを促進する密着促進工程、めっき金属を析出さ
せる無電解めっき工程、そして、必要な場合に、中和な
どの後処理工程を行う。
を付着させた後、めっきが行われない表面部分にめっき
レジストを形成して、無電解めっき液に浸漬し、めっき
レジストに覆われていない箇所にのみ無電解めっきを行
う。その後、必要があればめっきレジストを除去して半
導体搭載用基板とする。このときの無電解めっき用触媒
は、通常パラジウムを用いることが多く、絶縁基材に無
電解用めっき用触媒を付着させるには、パラジウムを錯
体の状態で水溶液に含ませ、絶縁基材を浸漬して表面に
パラジウム錯体を付着させ、そのまま、還元剤を用い
て、金属パラジウムに還元することによって絶縁基材表
面にめっきを開始するための核を形成することができ
る。通常は、このような操作をするために、被めっき物
を、アルコールや酸で洗浄し、表面に付着した人体の指
からの脂肪分や加工機械からの油分を除去し、絶縁基材
表面にめっき用触媒を付着させやすくするクリーナ−コ
ンディショナー工程、絶縁基材表面に金属パラジウムを
付着させる増感工程、めっき金属の密着力を高めあるい
はめっきを促進する密着促進工程、めっき金属を析出さ
せる無電解めっき工程、そして、必要な場合に、中和な
どの後処理工程を行う。
【００７５】（半導体チップ搭載）この導体パターンの
上に、半導体チップを搭載することができ、この半導体
チップと導体パターンとの接着剤には、ダイボンド用接
着剤を用いることができる。ダイボンド用接着剤は、特
にどんなものを用いてもよいが、絶縁性で接着力の強い
ものであることが好ましく、例えば、ＤＦ−１００（日
立化成工業株式会社製、商品名）のような、ダイボンデ
ィングフィルムを用いるのがより好ましい。
上に、半導体チップを搭載することができ、この半導体
チップと導体パターンとの接着剤には、ダイボンド用接
着剤を用いることができる。ダイボンド用接着剤は、特
にどんなものを用いてもよいが、絶縁性で接着力の強い
ものであることが好ましく、例えば、ＤＦ−１００（日
立化成工業株式会社製、商品名）のような、ダイボンデ
ィングフィルムを用いるのがより好ましい。
【００７６】この半導体チップと導体パターンとの電気
的な接続は、ボンディングワイヤで行うことができ、そ
の場合に、半導体チップの固定には、前述のダイボンド
用接着剤を用いることができる。また、異方導電性フィ
ルムを用いて、導体パターンに対向するように半導体チ
ップを重ねて、加熱・加圧して、搭載することもでき
る。
的な接続は、ボンディングワイヤで行うことができ、そ
の場合に、半導体チップの固定には、前述のダイボンド
用接着剤を用いることができる。また、異方導電性フィ
ルムを用いて、導体パターンに対向するように半導体チ
ップを重ねて、加熱・加圧して、搭載することもでき
る。
【００７７】（半導体パッケージ）半導体チップは、封
止樹脂によって封止されていることが耐湿性の点で好ま
しく、このような封止樹脂としては、フェノール樹脂、
メラミン樹脂、エポキシ樹脂、あるいはポリエステル樹
脂などの熱硬化性樹脂を用いることができ、封止方法と
しては、半導体チップを包み込むように樹脂ワニスで固
めるポッティングやコンパウンドによるトランスファ成
型などを用いることができる。
止樹脂によって封止されていることが耐湿性の点で好ま
しく、このような封止樹脂としては、フェノール樹脂、
メラミン樹脂、エポキシ樹脂、あるいはポリエステル樹
脂などの熱硬化性樹脂を用いることができ、封止方法と
しては、半導体チップを包み込むように樹脂ワニスで固
めるポッティングやコンパウンドによるトランスファ成
型などを用いることができる。
【００７８】また、絶縁基材と、導体パターンと、半導
体チップを搭載した半導体搭載用基板の半導体チップ
を、前記結合剤と無機充填材を主成分とする封止材で封
止すれば、リードフレームパッケージを製造することも
できる。
体チップを搭載した半導体搭載用基板の半導体チップ
を、前記結合剤と無機充填材を主成分とする封止材で封
止すれば、リードフレームパッケージを製造することも
できる。
【００７９】
【実施例】参考例（熱硬化性シリコーン重合体）
撹拌装置、コンデンサ及び温度計を備えたガラスフラス
コに、テトラメトキシシラン（東京化成工業株式会社
製）を２０ｇ、ジメトキシジメチルシラン（東京化成工
業株式会社製）を６０ｇ、ジメトキシメチルシラン（東
京化成工業株式会社製）を６７ｇ、合成溶剤としてメタ
ノール（東京化成工業株式会社製）を３７ｇ配合した溶
液に、合成触媒としてマレイン酸を１.５ｇ、蒸留水を
５０ｇ配合して８０℃で２時間攪拌した後、アリルグリ
シジルエーテル（東京化成工業株式会社製）を７２ｇと
塩化白金酸塩（２重量％イソプロピルアルコール溶液）
を０.２ｇ添加し、更に４時間撹拌してエポキシ変性の
シリコーン重合体、を合成した。得られたシリコーン重
合体のシロキサン単位の重合度は６５であった（ＧＰＣ
によって標準ポリスチレンの検量線を利用して測定した
数平均分子量から換算、以下同じ）。
コに、テトラメトキシシラン（東京化成工業株式会社
製）を２０ｇ、ジメトキシジメチルシラン（東京化成工
業株式会社製）を６０ｇ、ジメトキシメチルシラン（東
京化成工業株式会社製）を６７ｇ、合成溶剤としてメタ
ノール（東京化成工業株式会社製）を３７ｇ配合した溶
液に、合成触媒としてマレイン酸を１.５ｇ、蒸留水を
５０ｇ配合して８０℃で２時間攪拌した後、アリルグリ
シジルエーテル（東京化成工業株式会社製）を７２ｇと
塩化白金酸塩（２重量％イソプロピルアルコール溶液）
を０.２ｇ添加し、更に４時間撹拌してエポキシ変性の
シリコーン重合体、を合成した。得られたシリコーン重
合体のシロキサン単位の重合度は６５であった（ＧＰＣ
によって標準ポリスチレンの検量線を利用して測定した
数平均分子量から換算、以下同じ）。
【００８０】実施例１
撹拌装置、コンデンサ及び温度計を備えたガラスフラス
コに、参考例と同様にして合成したシリコーン重合体の
固形分１００重量部に対してシリカ粉末（製品名：ＳＯ
−２５Ｒ，平均粒径：０．５μｍ，株式会社アドマテッ
クス製）４５０重量部と希釈溶剤としてメタノールを２
０２重量部配合し、８０℃で１時間攪拌した後、室温ま
で冷却し、シリコーン重合体の固形分１００重量部に対
してテトラブロモビスフェノールＡを７８重量部と２−
エチル−４−メチルイミダゾール３重量部を配合し、室
温で１時間撹拌して樹脂ワニスを調製した。この樹脂ワ
ニスの硬化後の熱膨張係数は、２２×１０−６／℃、硬
化後の伸びは３．１％であった。なお、樹脂ワニスの硬
化後の熱膨張係数、伸びの値は、樹脂ワニスを離型フィ
ルム上に塗布し、１７０℃で２時間硬化させて得られた
フィルムを用いて測定した。得られた試料の熱膨張係数
は、熱機械分析（ＴＭＡ：ＭＡＣ ＳＣＩＥＮＣＥ社製
ＴＭＡ）により引張モードで測定した。試料の伸びは、
幅 １０ｍｍ×長さ ８０ｍｍ 厚み ５０〜１００μ
ｍのフィルムを試料として用いて、引張試験機（島津製
作所オートグラフＡＧ−１００Ｃ）により、測定条件を
気温２０℃、チャック間距離：６０ｍｍ、引張速度：５
ｍｍ／ｍｉｎとして、引張試験で測定した。
コに、参考例と同様にして合成したシリコーン重合体の
固形分１００重量部に対してシリカ粉末（製品名：ＳＯ
−２５Ｒ，平均粒径：０．５μｍ，株式会社アドマテッ
クス製）４５０重量部と希釈溶剤としてメタノールを２
０２重量部配合し、８０℃で１時間攪拌した後、室温ま
で冷却し、シリコーン重合体の固形分１００重量部に対
してテトラブロモビスフェノールＡを７８重量部と２−
エチル−４−メチルイミダゾール３重量部を配合し、室
温で１時間撹拌して樹脂ワニスを調製した。この樹脂ワ
ニスの硬化後の熱膨張係数は、２２×１０−６／℃、硬
化後の伸びは３．１％であった。なお、樹脂ワニスの硬
化後の熱膨張係数、伸びの値は、樹脂ワニスを離型フィ
ルム上に塗布し、１７０℃で２時間硬化させて得られた
フィルムを用いて測定した。得られた試料の熱膨張係数
は、熱機械分析（ＴＭＡ：ＭＡＣ ＳＣＩＥＮＣＥ社製
ＴＭＡ）により引張モードで測定した。試料の伸びは、
幅 １０ｍｍ×長さ ８０ｍｍ 厚み ５０〜１００μ
ｍのフィルムを試料として用いて、引張試験機（島津製
作所オートグラフＡＧ−１００Ｃ）により、測定条件を
気温２０℃、チャック間距離：６０ｍｍ、引張速度：５
ｍｍ／ｍｉｎとして、引張試験で測定した。
【００８１】この樹脂ワニスを厚み１８μｍの銅箔に１
００μｍの厚みに塗布し、１２０℃で１０分間、加熱・
乾燥することで絶縁基材１と銅箔２の積層体として、直
径０．４ｍｍの貫通穴４を空けた厚さ０．８ｍｍのガラ
ス布基材エポキシ樹脂積層板３（日立化成工業株式会社
製，ＧＥＡ−６７９Ｎ（商品名）を複数枚積層し、一体
化して使用）に重ね、１７５℃，３ＭＰａの条件で加熱
・加圧して、６０分間保持することで積層一体化し、レ
ーザー加工によって貫通穴部分の絶縁基材を除き、つい
で不要な銅箔の箇所をエッチング除去して配線導体５を
形成した。（図１（ｃ）参照）
００μｍの厚みに塗布し、１２０℃で１０分間、加熱・
乾燥することで絶縁基材１と銅箔２の積層体として、直
径０．４ｍｍの貫通穴４を空けた厚さ０．８ｍｍのガラ
ス布基材エポキシ樹脂積層板３（日立化成工業株式会社
製，ＧＥＡ−６７９Ｎ（商品名）を複数枚積層し、一体
化して使用）に重ね、１７５℃，３ＭＰａの条件で加熱
・加圧して、６０分間保持することで積層一体化し、レ
ーザー加工によって貫通穴部分の絶縁基材を除き、つい
で不要な銅箔の箇所をエッチング除去して配線導体５を
形成した。（図１（ｃ）参照）
【００８２】このようにして製造した半導体搭載用基板
の、配線導体５の上に、図１（ｄ）に示すような、半導
体チップ６の裏面にダイボンディングフィルム７である
ＤＦ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）を貼
ったものを、図１（ｅ）に示すように、接着固定し、図
１（ｆ）に示すように、ワイヤボンダーＵＴＣ２３０
（ 株式会社新川製、商品名）で、半導体チップ上の端
子と半導体搭載用基板の配線導体５とを、直径２５μｍ
の金線６でワイヤボンディングして接続し、さらに、図
１（ｇ）に示すように、半導体チップ６を封止用樹脂９
であるＣＥＬ９２００（日立化成工業株式会社製、商品
名）を用いて、圧力１０ＭＰａでトランスファモールデ
ィングして封止し、最後に、接続端子１０であるはんだ
ボールの一部を溶融して配線導体５に融着した。
の、配線導体５の上に、図１（ｄ）に示すような、半導
体チップ６の裏面にダイボンディングフィルム７である
ＤＦ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）を貼
ったものを、図１（ｅ）に示すように、接着固定し、図
１（ｆ）に示すように、ワイヤボンダーＵＴＣ２３０
（ 株式会社新川製、商品名）で、半導体チップ上の端
子と半導体搭載用基板の配線導体５とを、直径２５μｍ
の金線６でワイヤボンディングして接続し、さらに、図
１（ｇ）に示すように、半導体チップ６を封止用樹脂９
であるＣＥＬ９２００（日立化成工業株式会社製、商品
名）を用いて、圧力１０ＭＰａでトランスファモールデ
ィングして封止し、最後に、接続端子１０であるはんだ
ボールの一部を溶融して配線導体５に融着した。
【００８３】実施例２
参考例と同様にして合成したシリコーン重合体の固形分
１００重量部に対してシリカ粉末（製品名：ＳＯ−２５
Ｒ，平均粒径：０．５μｍ，株式会社アドマテックス
製）９００重量部と希釈溶剤としてメタノールを２５０
重量部配合し、８０℃で１時間攪拌した後、室温まで冷
却し、テトラブロモビスフェノールＡをシリコーン重合
体の固形分１００重量部に対して７８重量部と２−エチ
ル−４−メチルイミダゾール３重量部を配合し、室温で
１時間撹拌して調整した樹脂ワニスを用いた以外は、実
施例１と同様にして、半導体搭載用基板を作製し、試験
を行った。結果を表１に示す。このときの絶縁基材１の
熱膨張率は、１５×１０−６／℃、硬化後の伸びは２．
２％であった。
１００重量部に対してシリカ粉末（製品名：ＳＯ−２５
Ｒ，平均粒径：０．５μｍ，株式会社アドマテックス
製）９００重量部と希釈溶剤としてメタノールを２５０
重量部配合し、８０℃で１時間攪拌した後、室温まで冷
却し、テトラブロモビスフェノールＡをシリコーン重合
体の固形分１００重量部に対して７８重量部と２−エチ
ル−４−メチルイミダゾール３重量部を配合し、室温で
１時間撹拌して調整した樹脂ワニスを用いた以外は、実
施例１と同様にして、半導体搭載用基板を作製し、試験
を行った。結果を表１に示す。このときの絶縁基材１の
熱膨張率は、１５×１０−６／℃、硬化後の伸びは２．
２％であった。
【００８４】実施例３
実施例１と同様の樹脂ワニスを，直径０．４ｍｍの貫通
穴３を空けた厚さ０．８ｍｍのガラス布基材エポキシ樹
脂積層板（日立化成工業株式会社製，ＧＥＡ−６７９Ｎ
（商品名）を複数枚積層し、一体化して使用）に塗布
し，１２０℃で１０分間、加熱・乾燥した後，厚み１８
μｍの銅箔を重ね，１７５℃で３ＭＰａの条件で加熱・
加圧して，６０分間保持することで積層一体化し，実施
例１と同様にレーザー加工、不要な銅箔の箇所のエッチ
ング除去をして、実施例１と同様にして部品を搭載し
て、半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を
表１に示す。
穴３を空けた厚さ０．８ｍｍのガラス布基材エポキシ樹
脂積層板（日立化成工業株式会社製，ＧＥＡ−６７９Ｎ
（商品名）を複数枚積層し、一体化して使用）に塗布
し，１２０℃で１０分間、加熱・乾燥した後，厚み１８
μｍの銅箔を重ね，１７５℃で３ＭＰａの条件で加熱・
加圧して，６０分間保持することで積層一体化し，実施
例１と同様にレーザー加工、不要な銅箔の箇所のエッチ
ング除去をして、実施例１と同様にして部品を搭載し
て、半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を
表１に示す。
【００８５】実施例４
実施例１と同様の樹脂ワニスを，直径０．４ｍｍの貫通
穴３を空けた厚さ０．８ｍｍのガラス布基材エポキシ樹
脂積層板（日立化成工業株式会社製，ＧＥＡ−６７９Ｎ
（商品名）を複数枚積層し、一体化して使用）に塗布
し、１７５℃で６０分間、加熱・乾燥した後，無電解め
っきで配線導体を形成した以外は，実施例１と同様にし
て、半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を
表１に示す。
穴３を空けた厚さ０．８ｍｍのガラス布基材エポキシ樹
脂積層板（日立化成工業株式会社製，ＧＥＡ−６７９Ｎ
（商品名）を複数枚積層し、一体化して使用）に塗布
し、１７５℃で６０分間、加熱・乾燥した後，無電解め
っきで配線導体を形成した以外は，実施例１と同様にし
て、半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を
表１に示す。
【００８６】実施例５
撹拌装置、コンデンサ及び温度計を備えたガラスフラス
コに、参考例と同様にして合成したシリコーン重合体の
固形分９５重量部に対してエポキシ変性シリコーンオイ
ル（商品名：ＫＦ１０１、信越化学株式会社製）５重量
部、シリカ粉末（商品名：ＳＯ−２５Ｒ，平均粒径：
０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）９００重量部
と希釈溶剤としてメタノールを２５０重量部配合し、８
０℃で１時間攪拌した後、室温まで冷却し、テトラブロ
モビスフェノールＡを７８重量部および２−エチル−４
−メチルイミダゾール３重量部を配合し、室温で１時間
撹拌して調整した樹脂ワニスを用いた以外は、実施例１
と同様にして、半導体搭載用基板を作製し、試験を行っ
た。結果を表１に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張
率は、１８×１０−６／℃、硬化後の伸びは２．５％で
あった。
コに、参考例と同様にして合成したシリコーン重合体の
固形分９５重量部に対してエポキシ変性シリコーンオイ
ル（商品名：ＫＦ１０１、信越化学株式会社製）５重量
部、シリカ粉末（商品名：ＳＯ−２５Ｒ，平均粒径：
０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）９００重量部
と希釈溶剤としてメタノールを２５０重量部配合し、８
０℃で１時間攪拌した後、室温まで冷却し、テトラブロ
モビスフェノールＡを７８重量部および２−エチル−４
−メチルイミダゾール３重量部を配合し、室温で１時間
撹拌して調整した樹脂ワニスを用いた以外は、実施例１
と同様にして、半導体搭載用基板を作製し、試験を行っ
た。結果を表１に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張
率は、１８×１０−６／℃、硬化後の伸びは２．５％で
あった。
【００８７】実施例６
配合量を、参考例と同様にして合成したシリコーン重合
体の固形分７５重量部に対してエポキシ変性シリコーン
オイル（商品名：ＫＦ１０１、信越化学株式会社製）２
５重量部、シリカ粉末（商品名：ＳＯ−２５Ｒ，平均粒
径：０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）９００重
量部、メタノール２５０重量部、テトラブロモビスフェ
ノールＡ７８重量部および２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール３重量部とした以外は実施例５と同様にして、
半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を表１
に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張率は、２５×１
０ −６／℃、硬化後の伸びは２．８％であった。
体の固形分７５重量部に対してエポキシ変性シリコーン
オイル（商品名：ＫＦ１０１、信越化学株式会社製）２
５重量部、シリカ粉末（商品名：ＳＯ−２５Ｒ，平均粒
径：０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）９００重
量部、メタノール２５０重量部、テトラブロモビスフェ
ノールＡ７８重量部および２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール３重量部とした以外は実施例５と同様にして、
半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を表１
に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張率は、２５×１
０ −６／℃、硬化後の伸びは２．８％であった。
【００８８】実施例７
配合量を、参考例と同様にして合成したシリコーン重合
体の固形分２５重量部に対してエポキシ変性シリコーン
オイル（商品名：ＫＦ１０１、信越化学株式会社製）７
５重量部、シリカ粉末（商品名：ＳＯ−２５Ｒ，平均粒
径：０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）９００重
量部、メタノール２５０重量部、テトラブロモビスフェ
ノールＡ７８重量部および２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール３重量部とした以外は実施例５と同様にして、
半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を表１
に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張率は、３８×１
０ −６／℃、硬化後の伸びは３．７％であった。
体の固形分２５重量部に対してエポキシ変性シリコーン
オイル（商品名：ＫＦ１０１、信越化学株式会社製）７
５重量部、シリカ粉末（商品名：ＳＯ−２５Ｒ，平均粒
径：０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）９００重
量部、メタノール２５０重量部、テトラブロモビスフェ
ノールＡ７８重量部および２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール３重量部とした以外は実施例５と同様にして、
半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を表１
に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張率は、３８×１
０ −６／℃、硬化後の伸びは３．７％であった。
【００８９】実施例８
配合量を、参考例と同様にして合成したシリコーン重合
体の固形分５重量部に対してエポキシ変性シリコーンオ
イル（商品名：ＫＦ１０１、信越化学株式会社製）９５
重量部、シリカ粉末（商品名：ＳＯ−２５Ｒ，平均粒
径：０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）９００重
量部、メタノール２５０重量部、テトラブロモビスフェ
ノールＡ７８重量部および２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール３重量部とした以外は実施例５と同様にして、
半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を表１
に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張率は、４３×１
０− ６／℃、硬化後の伸びは４．２％であった。
体の固形分５重量部に対してエポキシ変性シリコーンオ
イル（商品名：ＫＦ１０１、信越化学株式会社製）９５
重量部、シリカ粉末（商品名：ＳＯ−２５Ｒ，平均粒
径：０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）９００重
量部、メタノール２５０重量部、テトラブロモビスフェ
ノールＡ７８重量部および２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール３重量部とした以外は実施例５と同様にして、
半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を表１
に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張率は、４３×１
０− ６／℃、硬化後の伸びは４．２％であった。
【００９０】実施例９
配合量を、参考例と同様にして合成したシリコーン重合
体の固形分１重量部に対してエポキシ変性シリコーンオ
イル（商品名：ＫＦ１０１、信越化学株式会社製）９９
重量部、シリカ粉末（商品名：ＳＯ−２５Ｒ，平均粒
径：０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）９００重
量部、メタノール２５０重量部、テトラブロモビスフェ
ノールＡ７８重量部および２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール３重量部とした以外は実施例５と同様にして、
半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を表１
に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張率は、４５×１
０− ６／℃、硬化後の伸びは３．５％であった。
体の固形分１重量部に対してエポキシ変性シリコーンオ
イル（商品名：ＫＦ１０１、信越化学株式会社製）９９
重量部、シリカ粉末（商品名：ＳＯ−２５Ｒ，平均粒
径：０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）９００重
量部、メタノール２５０重量部、テトラブロモビスフェ
ノールＡ７８重量部および２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール３重量部とした以外は実施例５と同様にして、
半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を表１
に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張率は、４５×１
０− ６／℃、硬化後の伸びは３．５％であった。
【００９１】実施例１０
撹拌装置、コンデンサー及び温度計を備えたガラスフラ
スコ中の、ジメトキシジメチルシラン２０ｇ、テトラメ
トキシシラン２５ｇ及びメタノール１０５ｇを配合した
溶液に、酢酸０．６０ｇ及び蒸留水１７．８ｇを添加
し、５０℃で８時間撹拌して非樹脂硬化性シリコーン重
合体を合成した。こうして得られた非樹脂硬化性シリコ
ーン重合体を、参考例と同様にして合成したシリコーン
重合体に換えて用いた以外は以外は実施例９と同様にし
て、半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を
表１に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張率は、４９
×１０−６／℃、硬化後の伸びは２．０％であった。
スコ中の、ジメトキシジメチルシラン２０ｇ、テトラメ
トキシシラン２５ｇ及びメタノール１０５ｇを配合した
溶液に、酢酸０．６０ｇ及び蒸留水１７．８ｇを添加
し、５０℃で８時間撹拌して非樹脂硬化性シリコーン重
合体を合成した。こうして得られた非樹脂硬化性シリコ
ーン重合体を、参考例と同様にして合成したシリコーン
重合体に換えて用いた以外は以外は実施例９と同様にし
て、半導体搭載用基板を作製し、試験を行った。結果を
表１に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張率は、４９
×１０−６／℃、硬化後の伸びは２．０％であった。
【００９２】比較例１
ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ
当量２１０、大日本インキ化学工業株式会社製、エピク
ロンＮ８６５（商品名）を使用）１００部，ビスフェノ
ールＡノボラック樹脂（水酸基当量１１８、大日本イン
キ化学工業株式会社製、プライオーフェンＶＨ−４１７
０（商品名）を使用）６０部及びジシアンジアミド２部
をメチルエチルケトン１２０部に溶解し，室温で１時間
撹拌して調整した樹脂ワニスを用いた以外は、実施例１
と同様にして、半導体搭載用基板を作製し、試験を行っ
た。結果を表１に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張
率は、２００×１０−６／℃であった。
当量２１０、大日本インキ化学工業株式会社製、エピク
ロンＮ８６５（商品名）を使用）１００部，ビスフェノ
ールＡノボラック樹脂（水酸基当量１１８、大日本イン
キ化学工業株式会社製、プライオーフェンＶＨ−４１７
０（商品名）を使用）６０部及びジシアンジアミド２部
をメチルエチルケトン１２０部に溶解し，室温で１時間
撹拌して調整した樹脂ワニスを用いた以外は、実施例１
と同様にして、半導体搭載用基板を作製し、試験を行っ
た。結果を表１に示す。このときの絶縁基材１の熱膨張
率は、２００×１０−６／℃であった。
【００９３】比較例２
絶縁基材にアルミナセラミックスを用いた以外は、実施
例１と同様にして、半導体搭載用基板を作製し、試験を
行った。結果を表１に示す。このときの絶縁基材の熱膨
張率は、８×１０−６／℃であった。
例１と同様にして、半導体搭載用基板を作製し、試験を
行った。結果を表１に示す。このときの絶縁基材の熱膨
張率は、８×１０−６／℃であった。
【００９４】（試験結果）このようにして作製した半導
体搭載用基板を、吸湿処理を行った後、到達温度２４０
℃、長さ２ｍのリフロー炉に０．５ｍ／分の条件で流
し、それぞれのサンプル数２２をリフローし、クラック
の有無を調べた。結果を表１に示す。
体搭載用基板を、吸湿処理を行った後、到達温度２４０
℃、長さ２ｍのリフロー炉に０．５ｍ／分の条件で流
し、それぞれのサンプル数２２をリフローし、クラック
の有無を調べた。結果を表１に示す。
【００９５】
【表１】
【００９６】
【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明によっ
て、小型化、高密度化に優れ、かつ、パッケージクラッ
クを防止し信頼性に優れる小型の半導体パッケ−ジに用
いることのできる半導体搭載用基板と半導体パッケージ
並びにそれらの製造方法を提供することができる。
て、小型化、高密度化に優れ、かつ、パッケージクラッ
クを防止し信頼性に優れる小型の半導体パッケ−ジに用
いることのできる半導体搭載用基板と半導体パッケージ
並びにそれらの製造方法を提供することができる。
【図１】（ａ）〜（ｈ）は、それぞれ本発明の一実施例
を説明するための各工程における断面図である。
を説明するための各工程における断面図である。
【符号の説明】
１ 絶縁基材
２ 銅箔
３ ガラス布基材エポキシ樹脂積層板（樹脂板）
４ 貫通穴
５ 配線導体
６ 半導体チップ
７ ダイボンディングフィルム
８ 金ワイヤ
９ 封止樹脂
１０ 接続端子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 23/12 ５０１ Ｈ０１Ｌ 23/12 ５０１Ｗ
Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｌ
(72)発明者 齊藤 哲也
茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成
工業株式会社総合研究所内
Ｆターム(参考） 4J035 BA01 BA02 BA03 BA04 BA05
BA06 CA01 CA021 CA04N
CA041 CA06N CA061 CA10N
CA101 CA15N CA151 CA17N
CA171 GA01 LB20
5E336 AA04 BB01 BB16 CC31 CC58
EE07 EE20 GG05 GG30
5F047 AA17 BA21 BB03
5F061 AA01 BA04 CA04 CA21
Claims (10)
- 【請求項１】 絶縁基材と、導体パターンからなる半導
体搭載用基板であって、絶縁基材が硬化後の熱膨張係数
が５０×１０-6／℃以下である樹脂からなる絶縁基材で
ある半導体搭載用基板。 - 【請求項２】 硬化後の熱膨張係数が５０×１０-6／℃
以下である樹脂が無機充填剤を含有する樹脂である、請
求項１に記載の半導体搭載用基板。 - 【請求項３】 硬化後の熱膨張係数が５０×１０-6／℃
以下である樹脂の、硬化後の引張り試験での伸びの値が
１．０％以上である請求項１又は請求項２のいずれかに
記載の半導体搭載用基板。 - 【請求項４】 硬化後の熱膨張係数が５０×１０-6／℃
以下である樹脂がシリコーン重合体を含有する樹脂であ
る、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体搭載
用基板。 - 【請求項５】 シリコーン重合体が、一般式（Ｉ） 【化１】Ｒ′m（Ｈ）kＳｉＸ4-(m+k) （Ｉ） （式中Ｘは、加水分解、重縮合可能な基であり、例え
ば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、ここ
で、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のア
ルキルカルボニル基を示す。Ｒ′は、非反応性の基であ
り、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等
のアリール基を示す。ｋは１又は２、ｍは０又は１、ｍ
＋ｋは１又は２を意味する）で表されるシラン化合物３
５〜１００モル％及び一般式（ＩＩ） 【化２】Ｒ′nＳｉＸ4-n （ＩＩ） （式中Ｘは、加水分解、重縮合可能な基であり、例え
ば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、ここ
で、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のア
ルキルカルボニル基を示す。Ｒ′は、非反応性の基であ
り、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等
のアリール基を示す。ｎは０〜２の整数を意味する。）
で表されるシラン化合物６５〜０モル％を加水分解・重
縮合反応をさせ、次いでヒドロシリル化反応剤とのヒド
ロシリル化反応をさせることによって製造されるシリコ
ーン重合体であることを特徴とする請求項４に記載の半
導体搭載用基板。 - 【請求項６】 シリコーン重合体１００重量部に対する
無機充填剤の配合量が１００重量部以上である請求項４
又は請求項５のいずれかに記載の半導体搭載用基板。 - 【請求項７】 半導体チップが搭載された請求項１〜６
のうちいずれかに記載の半導体搭載用基板。 - 【請求項８】 半導体チップと導体パターンとが電気的
に接続された請求項７に記載の半導体搭載用基板。 - 【請求項９】 半導体チップの搭載が、接着剤によるも
のである請求項７または請求項８のいずれかに記載の半
導体搭載用基板。 - 【請求項１０】 請求項７〜９のうちいずれかに記載の
半導体搭載用基板に、半導体チップが封止樹脂によって
封止された半導体パッケージ。
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