JP2009105138A - ダイボンドペースト及び該ダイボンドペーストを用いた蛍光表示管 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ICチップ16を陽極基板11上に固着するダイボンドペースト23Aは、低融点ガラスフリットと、低温分解性樹脂を含むビークルと、セラミックスフィラー及び又は層状鉱物からなる低融点フリットガラスよりも熱膨張率が低い応力緩和材料とを主成分とする。そして、このダイボンドペースト23Aを焼成して得られる、低融点フリットガラスとセラミックスフィラー及び又は層状鉱物からなるダイボンド層23により、ICチップ16と陽極基板11とを固定する。
【選択図】図1
Description
低融点ガラスフリットと、低温分解性樹脂を含むビークルと、前記低融点フリットガラスよりも熱膨張率が低いセラミックスフィラー及び又は層状鉱物からなる群より選択された1種以上の応力緩和材料とを主成分とすることを特徴とする。
前記真空外囲器内に前記ICチップを固定するための蛍光表示管用のダイボンド層は、低融点ガラスフリットと、前記低融点フリットガラスよりも熱膨張率が低いセラミックスフィラー及び又は層状鉱物からなる群より選択された1種以上の応力緩和材料とを主成分とすることを特徴とする。
前記セラミックスフィラーは、チタン酸鉛、ジルコン、コージェライト、アルミナ、ムライト、チタン酸アルミニウム、シリカ、βユークリプタイト、βスポジュメン、リン酸ジルコニウムの群より選択された1種以上であることを特徴とする。
前記層状鉱物は、カオリナイト、タルク、セリサイト、マスコバイト、フロゴバイト、バイオタイトの群より選択された1種以上であることを特徴とする。
なお、本例の蛍光表示管は、図6に示した構成例について説明したが、CIG構造を有する蛍光表示管であればその構成などは特に限定されない。
この応力緩和材料は、セラミックスフィラーや層状鉱物などの低融点フリットガラスよりも熱膨張率が低い材料であり、下記セラミックスフィラー、層状鉱物の各群から選択される1種以上で構成されていればよい。
また、層状鉱物としては、マイカ、カオリナイト、タルク、セリサイト、マスコバイト、フロゴバイト、バイオタイトなどで、平均粒径が5〜50μm程度(組み合わせる材料によって粒径は任意に選択される)のものが好適である。
まず、基板の内側表面に配線導体13及び陽極導体14でパターン形成されたガラス基板からなる陽極基板11を作製し、その表面のほぼ前面に亘って絶縁層25を形成した。そして陽極導体14上面に蛍光体層15を被着して、陽極12を作成した。また、陽極12から上方へ一定間隔をおいてグリッド20を配設し、さらに上方へ一定間隔をおいてフィラメント状陰極21を張設した。
(A)PbO−B2 O3 系低融点フリットガラス:31.1wt%
(B)ビークル(ビークル作製時の調合比は、低温分解性樹脂としてエチルセルロース15wt%+ソルベントとしてテルピネオール85wt%):37.8wt%
(C)応力緩和材料(セラミックスフィラー+層状鉱物):セラミックスフィラーとしてジルコン18.6wt%+層状鉱物としてマイカ12.5wt%(平均粒径:23μm)
16 ICチップ
23 ダイボンド層
23A ダイボンドペースト
Claims (8)
- 外囲器内にICチップを固着するための蛍光表示管用のダイボンドペーストにおいて、
低融点ガラスフリットと、低温分解性樹脂を含むビークルと、前記低融点フリットガラスよりも熱膨張率が低いセラミックスフィラー及び又は層状鉱物からなる群より選択された1種以上の応力緩和材料とを主成分とすることを特徴とするダイボンドペースト。 - 前記低温分解性樹脂は、150〜200℃で前記ICチップに対する固着強度を保ち、450〜500℃で分解揮散することを特徴とする請求項1記載のダイボンドペースト。
- 前記低温分解性樹脂は、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル、ヒドロキシプロピルセルロースの群より選択された1種以上であることを特徴とする請求項1記載のダイボンドペースト。
- 前記セラミックスフィラーは、チタン酸鉛、ジルコン、コージェライト、アルミナ、ムライト、チタン酸アルミニウム、シリカ、βユークリプタイト、βスポジュメン、リン酸ジルコニウムの群より選択された1種以上であることを特徴とする請求項1記載のダイボンドペースト。
- 前記層状鉱物は、カオリナイト、タルク、セリサイト、マスコバイト、フロゴバイト、バイオタイトの群より選択された1種以上であることを特徴とする請求項1記載のダイボンドペースト。
- 真空外囲器を構成する陽極基板面上面にICチップを固着した蛍光表示管において、
前記真空外囲器内に前記ICチップを固定するための蛍光表示管用のダイボンド層は、低融点ガラスフリットと、前記低融点フリットガラスよりも熱膨張率が低いセラミックスフィラー及び又は層状鉱物からなる群より選択された1種以上の応力緩和材料とを主成分とすることを特徴とする蛍光表示管。 - 請求項6記載の蛍光表示管において、前記セラミックスフィラーは、チタン酸鉛、ジルコン、コージェライト、アルミナ、ムライト、チタン酸アルミニウム、シリカ、βユークリプタイト、βスポジュメン、リン酸ジルコニウムの群より選択された1種以上であることを特徴とする蛍光表示管。
- 請求項6記載の蛍光表示管において、前記層状鉱物は、カオリナイト、タルク、セリサイト、マスコバイト、フロゴバイト、バイオタイトの群より選択された1種以上であることを特徴とする蛍光表示管。
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JP2009105138A true JP2009105138A (ja) | 2009-05-14 |
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