JPH06152102A - 配線ガラス基板の製造方法 - Google Patents
配線ガラス基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH06152102A JPH06152102A JP29877792A JP29877792A JPH06152102A JP H06152102 A JPH06152102 A JP H06152102A JP 29877792 A JP29877792 A JP 29877792A JP 29877792 A JP29877792 A JP 29877792A JP H06152102 A JPH06152102 A JP H06152102A
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- Japan
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- glass
- substrate
- firing
- temperature
- glass board
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 焼成時にガラス板の形状変形を生じない配線
ガラス基板の製造方法を得る。 【構成】 ガラス板上に導体ペーストを印刷しこれを焼
成する配線ガラス基板の製造方法において、平均粒子径
が０．０１〜１．０μｍの金属導体材料と熱膨張率が４
０〜４００×１０-7／℃で且つ屈伏温度が４００℃以下
の低融点ガラスとを含有し、前記ガラス板の歪点以下で
焼結可能な導体ペースト材料を用い、これを前記ガラス
板に印刷した後、前記ガラス板の歪点温度以下で焼成す
る。
ガラス基板の製造方法を得る。 【構成】 ガラス板上に導体ペーストを印刷しこれを焼
成する配線ガラス基板の製造方法において、平均粒子径
が０．０１〜１．０μｍの金属導体材料と熱膨張率が４
０〜４００×１０-7／℃で且つ屈伏温度が４００℃以下
の低融点ガラスとを含有し、前記ガラス板の歪点以下で
焼結可能な導体ペースト材料を用い、これを前記ガラス
板に印刷した後、前記ガラス板の歪点温度以下で焼成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は配線ガラス基板、より詳
しくは、蛍光表示管（ＶＦＤ）の電極や、プラズマディ
スプレイの電極、液晶のドライバ回路等に使用され、ガ
ラス板の表面に厚膜印刷技術により導体パターンを形成
する配線ガラス基板の製造方法に関する。
しくは、蛍光表示管（ＶＦＤ）の電極や、プラズマディ
スプレイの電極、液晶のドライバ回路等に使用され、ガ
ラス板の表面に厚膜印刷技術により導体パターンを形成
する配線ガラス基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】厚膜印刷による配線ガラス基板の製造方
法は、導体パターンを必要な部分にのみ形成できるた
め、材料の利用効率が良い、設備費が小さく工程数が少
ない、生産性が高い、同じプロセスで多くの種類の材料
を扱える等の特長を有し、ガラス板上に導体等の機能性
のパターンを形成するための最も経済的な方法の一つと
されている。
法は、導体パターンを必要な部分にのみ形成できるた
め、材料の利用効率が良い、設備費が小さく工程数が少
ない、生産性が高い、同じプロセスで多くの種類の材料
を扱える等の特長を有し、ガラス板上に導体等の機能性
のパターンを形成するための最も経済的な方法の一つと
されている。
【０００３】この厚膜印刷技術では、導体材料等をガラ
ス板上に塗布するために、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｔ
ａ，Ｍｏ，Ｎｉ等の粉体材料を、ビークルと呼ばれる液
体と混合し流動性を与えたペーストが用いられている。
このペーストをメッシュスクリーンマスクを通してガラ
ス板にパターンコーティングした後、導体材料がガラス
板上に固着する温度で焼成する。例えば蛍光表示管の電
極においては、Ａｇを主体とした材料，粉末ガラスに適
当な顔料を混合した材料及びカーボンを主体とした材料
のペーストを用い、厚膜印刷と焼成とを繰り返して行
い、配線，絶縁層およびアノード等をガラス板上に形成
する。
ス板上に塗布するために、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｔ
ａ，Ｍｏ，Ｎｉ等の粉体材料を、ビークルと呼ばれる液
体と混合し流動性を与えたペーストが用いられている。
このペーストをメッシュスクリーンマスクを通してガラ
ス板にパターンコーティングした後、導体材料がガラス
板上に固着する温度で焼成する。例えば蛍光表示管の電
極においては、Ａｇを主体とした材料，粉末ガラスに適
当な顔料を混合した材料及びカーボンを主体とした材料
のペーストを用い、厚膜印刷と焼成とを繰り返して行
い、配線，絶縁層およびアノード等をガラス板上に形成
する。
【０００４】ところが、従来の厚膜印刷を用いたガラス
基板の製造方法は、導体材料としていずれも平均粒子径
が２μｍ程度の大径のものを用いており、導体ペースト
をガラス板表面に固着させるための焼成温度として、す
べてガラス板の歪点、すなわち、粘度が１０14.5Ｐｏｉ
ｓｅとなる熱特性点よりも高い、約４５０〜６２０℃が
必要である。
基板の製造方法は、導体材料としていずれも平均粒子径
が２μｍ程度の大径のものを用いており、導体ペースト
をガラス板表面に固着させるための焼成温度として、す
べてガラス板の歪点、すなわち、粘度が１０14.5Ｐｏｉ
ｓｅとなる熱特性点よりも高い、約４５０〜６２０℃が
必要である。
【０００５】このため、製造された配線ガラス基板は、
過冷却液体として高温で固定された構造温度が、厚膜印
刷焼成プロセスによって、構造温度が低温側に変化し比
容が小さくなり、基板寸法が変化する。
過冷却液体として高温で固定された構造温度が、厚膜印
刷焼成プロセスによって、構造温度が低温側に変化し比
容が小さくなり、基板寸法が変化する。
【０００６】基板寸法の変化防止対策として、歪点マイ
ナス２０〜３０℃を基板使用温度上限目安とすることが
効果的である。これは、使用温度上限がガラス基板（表
面）の変形を生じさせない温度限界以下であることを意
味する。したがって、最低でも歪点以下の温度で焼成す
ることが必要であり、特に歪点マイナス２０〜３０℃が
望ましい。
ナス２０〜３０℃を基板使用温度上限目安とすることが
効果的である。これは、使用温度上限がガラス基板（表
面）の変形を生じさせない温度限界以下であることを意
味する。したがって、最低でも歪点以下の温度で焼成す
ることが必要であり、特に歪点マイナス２０〜３０℃が
望ましい。
【０００７】熱処理特性は耐熱寸法安定性ともよばれ、
基板ガラスにユーザプロセスと同様な熱処理を施した場
合、熱処理前と熱処理後の基板寸法が変化することを指
す。通常ガラスの歪点以上の熱処理では寸法変化が収縮
に向かう。
基板ガラスにユーザプロセスと同様な熱処理を施した場
合、熱処理前と熱処理後の基板寸法が変化することを指
す。通常ガラスの歪点以上の熱処理では寸法変化が収縮
に向かう。
【０００８】薄型成形したガラスに厚膜焼成プロセスと
して熱サイクルをかけると、相対的な変化量としてガラ
ス基板の面方向に４００〜７００ｐｐｍのオーダーで熱
収縮が起こる。従来、このような微細な寸法変化は特に
問題とされなかったが、近年オプトエレクトロニクス分
野での高精度なパターンアライメントが要求されるにつ
れて、この熱収縮のオーダーを減少させることが課題と
して浮上してきた。
して熱サイクルをかけると、相対的な変化量としてガラ
ス基板の面方向に４００〜７００ｐｐｍのオーダーで熱
収縮が起こる。従来、このような微細な寸法変化は特に
問題とされなかったが、近年オプトエレクトロニクス分
野での高精度なパターンアライメントが要求されるにつ
れて、この熱収縮のオーダーを減少させることが課題と
して浮上してきた。
【０００９】図１は焼成前のガラス基板、図２は焼成後
のガラス基板の斜視図である。
のガラス基板の斜視図である。
【００１０】図１に示すように焼成前のガラス基板にも
若干の反りや微妙なうねりがあるが、ガラス基板の中心
における初期反りＳ0 は略０に近いものである。これを
焼成することによってガラス基板の中心における反りは
Ｓ1 となる。したがって、焼成することによって生じた
形状変化Ｓは、Ｓ＝Ｓ1 −Ｓ0 で表すことができる。以
下本明細書において、変化量はすべて焼成後の変化量か
ら焼成前の変化量を引いた値を指すものとする。
若干の反りや微妙なうねりがあるが、ガラス基板の中心
における初期反りＳ0 は略０に近いものである。これを
焼成することによってガラス基板の中心における反りは
Ｓ1 となる。したがって、焼成することによって生じた
形状変化Ｓは、Ｓ＝Ｓ1 −Ｓ0 で表すことができる。以
下本明細書において、変化量はすべて焼成後の変化量か
ら焼成前の変化量を引いた値を指すものとする。
【００１１】この配線ガラス基板の寸法変化は、ガラス
基板の面方向（以下ＸＹ方向という。）及びガラス面に
対して直角方向（以下Ｚ方向という。）の双方に生じ、
それぞれ４００〜７００ｐｐｍ及び９００〜１８００ｐ
ｐｍ程度変化する。この変化は特にミクロン単位のパタ
ーンアライメント精度が要求される対角１０インチ以上
の基板サイズのものでは、許容できない大きな問題とな
る。
基板の面方向（以下ＸＹ方向という。）及びガラス面に
対して直角方向（以下Ｚ方向という。）の双方に生じ、
それぞれ４００〜７００ｐｐｍ及び９００〜１８００ｐ
ｐｍ程度変化する。この変化は特にミクロン単位のパタ
ーンアライメント精度が要求される対角１０インチ以上
の基板サイズのものでは、許容できない大きな問題とな
る。
【００１２】例えば液晶パネルの場合、対面する２枚の
パネルの整合距離をパネル面積全域にわたって５μｍ前
後にコントロールすることが要求されるが、従来の製造
方法では、Ｚ方向の形状変化、すなわち反りを５μｍ未
満にすることはできない。
パネルの整合距離をパネル面積全域にわたって５μｍ前
後にコントロールすることが要求されるが、従来の製造
方法では、Ｚ方向の形状変化、すなわち反りを５μｍ未
満にすることはできない。
【００１３】また、厚膜技術を応用して、各ドットを駆
動するための導体パターンをパネルの周囲に形成する場
合、従来の熱処理プロセスでは、上記のような基板の形
状変化が発生するが、厚膜であるため、電気信号を高速
に処理するための大電流を流すことができる。一方薄膜
技術を応用すれば、基板の形状変化は少ないが、各ドッ
トを駆動するための導体パターンをパネルの周囲に形成
する場合、薄膜であるため高抵抗となり、電気信号を高
速に処理するための大電流を流すことができないばかり
か、導体の発熱などのやっかいな問題が生じる。
動するための導体パターンをパネルの周囲に形成する場
合、従来の熱処理プロセスでは、上記のような基板の形
状変化が発生するが、厚膜であるため、電気信号を高速
に処理するための大電流を流すことができる。一方薄膜
技術を応用すれば、基板の形状変化は少ないが、各ドッ
トを駆動するための導体パターンをパネルの周囲に形成
する場合、薄膜であるため高抵抗となり、電気信号を高
速に処理するための大電流を流すことができないばかり
か、導体の発熱などのやっかいな問題が生じる。
【００１４】さらには、イメージセンサー用ガラス基板
などでは、２５０ｍｍ×１５ｍｍサイズの基板が使用さ
れ、搭載されるセルフォックレンズの焦点深度が基板の
反りの影響を受けないように０．１ｍｍ以下の反りのも
のが要求されるが、従来の製造技術ではこれに対応する
ことも困難である。
などでは、２５０ｍｍ×１５ｍｍサイズの基板が使用さ
れ、搭載されるセルフォックレンズの焦点深度が基板の
反りの影響を受けないように０．１ｍｍ以下の反りのも
のが要求されるが、従来の製造技術ではこれに対応する
ことも困難である。
【００１５】また、プラズマディスプレイなど大型ディ
スプレイ基板では、対面する２枚のパネルの整合距離は
プラズマ放電空間を仕切る隔壁で調整されるが、ガラス
基板に熱変形による反りが有る場合、２枚のパネルを封
着した際に応力が発生し、封着ガラスの接合部からガス
リークが発生するなどの問題がある。
スプレイ基板では、対面する２枚のパネルの整合距離は
プラズマ放電空間を仕切る隔壁で調整されるが、ガラス
基板に熱変形による反りが有る場合、２枚のパネルを封
着した際に応力が発生し、封着ガラスの接合部からガス
リークが発生するなどの問題がある。
【００１６】一方ＸＹ方向の形状変化については、ガラ
ス板に形成されたパターン寸法が収縮するため、対面す
るガラス基板のパターンが、薄膜をフォトリソグラフイ
ーにより形成する場合、対面するパターンとのアライメ
ントが出来ない、あるいはトータルピッチ的なパターン
寸法精度がガラス基板の収縮により劣つてしまう等の問
題がある。
ス板に形成されたパターン寸法が収縮するため、対面す
るガラス基板のパターンが、薄膜をフォトリソグラフイ
ーにより形成する場合、対面するパターンとのアライメ
ントが出来ない、あるいはトータルピッチ的なパターン
寸法精度がガラス基板の収縮により劣つてしまう等の問
題がある。
【００１７】このような熱変形に伴う種々の問題点を解
消するために、例えば、本焼成の前に仮焼を行い、予め
焼成収縮を意図的に発生させた基板を使用したり、また
ガラス板と熱膨張率が近似する厚膜材料を選定使用する
ことによって、ある程度焼成収縮の絶対量を低減するこ
とも可能である。しかしながら、これらの方法は、材料
寸法の変化を根本的に解消するものではなく、特にＺ方
向の反りの発生を防ぐことは不可能に近い。
消するために、例えば、本焼成の前に仮焼を行い、予め
焼成収縮を意図的に発生させた基板を使用したり、また
ガラス板と熱膨張率が近似する厚膜材料を選定使用する
ことによって、ある程度焼成収縮の絶対量を低減するこ
とも可能である。しかしながら、これらの方法は、材料
寸法の変化を根本的に解消するものではなく、特にＺ方
向の反りの発生を防ぐことは不可能に近い。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ガラス基板
上に厚膜材料にてパターン形成し焼成する際の上記問題
点を解消するもので、焼成時にガラス板の形状変形を生
じない手段を得ることを目的とする。
上に厚膜材料にてパターン形成し焼成する際の上記問題
点を解消するもので、焼成時にガラス板の形状変形を生
じない手段を得ることを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ガラス板上に導体ペーストを印刷しこれ
を焼成する配線ガラス基板の製造方法において、平均粒
子径が０．０１〜１．０μｍの金属導体材料と熱膨張率
が４０〜４００×１０-7／℃で且つ屈伏温度が４００℃
以下の低融点ガラスとを含有し、前記ガラス板の歪点以
下で焼結可能な導体ペースト材料を用い、これを前記ガ
ラス板に印刷した後、前記ガラス板の歪点温度以下で焼
成することを特徴とする。
成するために、ガラス板上に導体ペーストを印刷しこれ
を焼成する配線ガラス基板の製造方法において、平均粒
子径が０．０１〜１．０μｍの金属導体材料と熱膨張率
が４０〜４００×１０-7／℃で且つ屈伏温度が４００℃
以下の低融点ガラスとを含有し、前記ガラス板の歪点以
下で焼結可能な導体ペースト材料を用い、これを前記ガ
ラス板に印刷した後、前記ガラス板の歪点温度以下で焼
成することを特徴とする。
【００２０】ここで使用する金属材料としては、従来同
様Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ等を使用
することができる。金属材料の平均粒子径が１．０μｍ
を超えると粒子間の接触部分が全体に疎になるので、４
５０℃未満の低温度での焼結が困難となり、また焼成後
における導体層の剥離等の原因となる。
様Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ等を使用
することができる。金属材料の平均粒子径が１．０μｍ
を超えると粒子間の接触部分が全体に疎になるので、４
５０℃未満の低温度での焼結が困難となり、また焼成後
における導体層の剥離等の原因となる。
【００２１】なおここでガラス板とは、平面的なものに
限らず、予め凹あるいは凸等に曲面成形されたものも含
む。
限らず、予め凹あるいは凸等に曲面成形されたものも含
む。
【００２２】具体的材料としては、温度膨張係数（以下
αと記す）が、８１〜９３×１０-7／℃のソーダライム
ガラス（ＳｉＯ2 −ＣａＯ−Ｎａ2 Ｏ系）や、α＝９０
〜９５×１０-7／℃のホワイトクラウンガラス（ＳｉＯ
2 −ＣａＯ−Ｎａ2 Ｏ−Ｋ2Ｏ系）等の高膨張ガラス、
α＝４１×１０-7／℃のアルミノけい酸ガラス（ＳｉＯ
2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系）や、α＝４６〜５１×１
０-7／℃のホウけい酸ガラス（ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ａ
ｌ2 Ｏ3 系）等の中膨張ガラス、α＝３７×１０-7／℃
のアルミノけい酸ガラス（ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2
Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 系）等の中膨張ガラス、及びαが０．
７５×１０-7／℃よりも小さい高純度ＳｉＯ2 3 の合成
シリカガラスを使用することができる。
αと記す）が、８１〜９３×１０-7／℃のソーダライム
ガラス（ＳｉＯ2 −ＣａＯ−Ｎａ2 Ｏ系）や、α＝９０
〜９５×１０-7／℃のホワイトクラウンガラス（ＳｉＯ
2 −ＣａＯ−Ｎａ2 Ｏ−Ｋ2Ｏ系）等の高膨張ガラス、
α＝４１×１０-7／℃のアルミノけい酸ガラス（ＳｉＯ
2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系）や、α＝４６〜５１×１
０-7／℃のホウけい酸ガラス（ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ａ
ｌ2 Ｏ3 系）等の中膨張ガラス、α＝３７×１０-7／℃
のアルミノけい酸ガラス（ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2
Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 系）等の中膨張ガラス、及びαが０．
７５×１０-7／℃よりも小さい高純度ＳｉＯ2 3 の合成
シリカガラスを使用することができる。
【００２３】また、低融点ガラスとしては、 熱膨張率
が４０〜４００×１０-7 ／℃であり、かつ、屈伏温度
４００℃以下の低融点ガラスを結合剤として使用する。
が４０〜４００×１０-7 ／℃であり、かつ、屈伏温度
４００℃以下の低融点ガラスを結合剤として使用する。
【００２４】具体的には、鉛けい酸塩系ガラス、ほう酸
塩系ガラス、りん酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラ
ス、モリブデン酸塩系ガラス、テルル酸塩系ガラス、バ
ナジウム酸塩系ガラス、ふっ化物系ガラス、ふつりん酸
系ガラス等が使用できる。
塩系ガラス、りん酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラ
ス、モリブデン酸塩系ガラス、テルル酸塩系ガラス、バ
ナジウム酸塩系ガラス、ふっ化物系ガラス、ふつりん酸
系ガラス等が使用できる。
【００２５】鉛けい酸塩系ガラスは、ＰｂＯ−ＳｉＯ2
系、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系、ＰｂＯ−ＺｎＯ−
Ｂ2 Ｏ3 系、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｆ系、ＰｂＯ−ＣｄＯ
−ＳｉＯ2 系であり、ガラス軟化点は３５０℃以下、熱
膨張率は１２０×１０-7／℃である。
系、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系、ＰｂＯ−ＺｎＯ−
Ｂ2 Ｏ3 系、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｆ系、ＰｂＯ−ＣｄＯ
−ＳｉＯ2 系であり、ガラス軟化点は３５０℃以下、熱
膨張率は１２０×１０-7／℃である。
【００２６】ほう酸塩系ガラスＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 系、
Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 系、Ｋ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3
系、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｎａ2 Ｏ系、Ｌｉ2 Ｏ−ＢａＯ
−Ｂ2 Ｏ3 系であり、ガラス軟化点は３００℃以下で、
熱膨張率は１５０×１０-7／℃である。
Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 系、Ｋ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3
系、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｎａ2 Ｏ系、Ｌｉ2 Ｏ−ＢａＯ
−Ｂ2 Ｏ3 系であり、ガラス軟化点は３００℃以下で、
熱膨張率は１５０×１０-7／℃である。
【００２７】りん酸塩系ガラスは、Ｎａ2 Ｏ−Ｐ2 Ｏ5
系、Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5系で、ガラス軟化点
は２５０℃以下、熱膨張率は２００×１０-7／℃であ
る。
系、Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5系で、ガラス軟化点
は２５０℃以下、熱膨張率は２００×１０-7／℃であ
る。
【００２８】ゲルマン酸塩系ガラスはＬｉ2 Ｏ−ＧｅＯ
2 系、Ｂ2 Ｏ3 −Ｎａ2 Ｏ−ＧｅＯ2 系であり、ガラス
軟化点は３５０℃以下、熱膨張率は１５０×１０-7／℃
である。
2 系、Ｂ2 Ｏ3 −Ｎａ2 Ｏ−ＧｅＯ2 系であり、ガラス
軟化点は３５０℃以下、熱膨張率は１５０×１０-7／℃
である。
【００２９】モリブデン酸塩系ガラスは、Ｎａ2 Ｏ−Ｍ
ｏＯ3 系であり、ガラス軟化点は３５０℃以下、熱膨張
率は２００×１０-7／℃である。
ｏＯ3 系であり、ガラス軟化点は３５０℃以下、熱膨張
率は２００×１０-7／℃である。
【００３０】テルル酸塩系ガラスは、ＰｂＯ−ＴｅＯ2
−Ｎａ2 Ｏ系であり、ガラス軟化点は２７０℃以下、熱
膨張率は２００×１０-7／℃である。
−Ｎａ2 Ｏ系であり、ガラス軟化点は２７０℃以下、熱
膨張率は２００×１０-7／℃である。
【００３１】バナジウム酸塩系ガラスは、Ｖ2 Ｏ5 −Ｇ
ｅＯ2 −Ｐ2 Ｏ5 系等であり、ガラス軟化点は２９０℃
以下、熱膨張率は２００×１０-7／℃である。
ｅＯ2 −Ｐ2 Ｏ5 系等であり、ガラス軟化点は２９０℃
以下、熱膨張率は２００×１０-7／℃である。
【００３２】ふっ化物系ガラスは、ＢｅＦ2 系、ＺｒＦ
4 −ＢａＦ2 −ＧｄＦ系であり、ガラス軟化点は３００
℃以下、熱膨張率は２００×１０-7／℃である。ふつり
ん酸系ガラスは、Ａｌ（ＰＯ3 ）3 −ＡｌＦ3 −ＮａＦ
−ＣａＦ2 系、ＳｎＦ2 −Ｐ2 Ｏ5 系であり、ガラス軟
化点は１５０℃以下、熱膨張率は２００×１０-7／℃で
ある。
4 −ＢａＦ2 −ＧｄＦ系であり、ガラス軟化点は３００
℃以下、熱膨張率は２００×１０-7／℃である。ふつり
ん酸系ガラスは、Ａｌ（ＰＯ3 ）3 −ＡｌＦ3 −ＮａＦ
−ＣａＦ2 系、ＳｎＦ2 −Ｐ2 Ｏ5 系であり、ガラス軟
化点は１５０℃以下、熱膨張率は２００×１０-7／℃で
ある。
【００３３】上記の基本的な系にシリカ、アルミナ、ジ
ルコンなどの低膨張性結晶を骨剤として添加し、見かけ
の熱膨張率を小さくすることもできる。特にＰｂＯ−Ｂ
2 Ｏ3 系に、Ｔｌ2 Ｏ、Ｖ2 Ｏ5 を添加した系が耐化学
性にも優れる。このとき、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 系単独で作
られる低融点ガラスも耐化学性が安定している。Ｂ2Ｏ
3 −Ｔ１2 Ｏ−Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスを結合剤として使用
すると、低融点ガラスでありながら、従来多用されてい
た有毒物質であるＰｂを使用しない厚膜材料が可能とな
る利点がある。
ルコンなどの低膨張性結晶を骨剤として添加し、見かけ
の熱膨張率を小さくすることもできる。特にＰｂＯ−Ｂ
2 Ｏ3 系に、Ｔｌ2 Ｏ、Ｖ2 Ｏ5 を添加した系が耐化学
性にも優れる。このとき、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 系単独で作
られる低融点ガラスも耐化学性が安定している。Ｂ2Ｏ
3 −Ｔ１2 Ｏ−Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスを結合剤として使用
すると、低融点ガラスでありながら、従来多用されてい
た有毒物質であるＰｂを使用しない厚膜材料が可能とな
る利点がある。
【００３４】また、酸化物ガラスに比較して低融点であ
ることが特徴であるカルコゲナイドガラスを結合剤とし
て使用すると効果的である。代表的な系は、Ａｓ−Ｓｅ
−Ｔｌ，Ａｓ−Ｓ−Ｔｌ，Ａｓ−Ｓ−Ｓｅで、軟化点は
ガラス化範囲全城で２００℃以下である。またＡｓ−Ｓ
ｅ−Ｇｅ系も使用できる。このカルコゲナイドガラス
は、導体材料となる、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｎｉなどの金属導体材料との濡れもよいため、結
合材としての特性に優れている。
ることが特徴であるカルコゲナイドガラスを結合剤とし
て使用すると効果的である。代表的な系は、Ａｓ−Ｓｅ
−Ｔｌ，Ａｓ−Ｓ−Ｔｌ，Ａｓ−Ｓ−Ｓｅで、軟化点は
ガラス化範囲全城で２００℃以下である。またＡｓ−Ｓ
ｅ−Ｇｅ系も使用できる。このカルコゲナイドガラス
は、導体材料となる、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｎｉなどの金属導体材料との濡れもよいため、結
合材としての特性に優れている。
【００３５】表１及び表２に、Ｂ2 Ｏ3 −ＰｂＯ−Ｔｉ
Ｏ2 （−Ｖ2 Ｏ5 ）系、Ｂ2 Ｏ3 −Ｔ１2 Ｏ−Ｂｉ2 Ｏ
5 系、表３にカルコゲナイトガラス系の組成を示す。
Ｏ2 （−Ｖ2 Ｏ5 ）系、Ｂ2 Ｏ3 −Ｔ１2 Ｏ−Ｂｉ2 Ｏ
5 系、表３にカルコゲナイトガラス系の組成を示す。
【００３６】
【表１】
【表２】
【表３】 またビークルとして、加熱減量が少なくともガラス板の
歪点以下で１００％である樹脂を選択し、厚膜ペースト
にレオロジー性、チクソトロピックな性状を付与する成
分とする。
歪点以下で１００％である樹脂を選択し、厚膜ペースト
にレオロジー性、チクソトロピックな性状を付与する成
分とする。
【００３７】例えば、分子量２００〜６００のポリエチ
レングリコールやシランカップリング剤などを添加する
ことで、樹脂材料の添加を少なくし、また粘度を低下さ
せ厚膜ペーストの流動性を保つことが可能となる。ポリ
エチレングリコール、シランカップリング剤、ともに引
火点は３００℃以下であるため、４５０℃以下で完全に
バーンアウトする。また、ポリメタアクリル酸エステル
を使用した場合、約４００℃で熱減量を終了する。さら
に、可塑剤として、ＤＢＰ（ジブチルフタレート）を導
入することも出来る。
レングリコールやシランカップリング剤などを添加する
ことで、樹脂材料の添加を少なくし、また粘度を低下さ
せ厚膜ペーストの流動性を保つことが可能となる。ポリ
エチレングリコール、シランカップリング剤、ともに引
火点は３００℃以下であるため、４５０℃以下で完全に
バーンアウトする。また、ポリメタアクリル酸エステル
を使用した場合、約４００℃で熱減量を終了する。さら
に、可塑剤として、ＤＢＰ（ジブチルフタレート）を導
入することも出来る。
【００３８】これら低融点結合剤を含有する金属導体ペ
ーストの焼成条件は、昇温速度は１〜２０℃／分、最高
温度キープ時間は１〜３０分、降温速度は−１〜−２０
℃／分の範囲で選択する。焼成の最高温度は、厚膜材料
が印刷されるガラス板の歪点未満、好ましくは歪点より
２０〜３０℃低い温度とする。例えば ソーダガラス基
板の場合、およそ４８０℃以下、特に４５０℃以下が望
ましい。また、バリウムホウけい酸ガラスでは、およそ
５６０℃以下であるが、Ｚ方向の基板の反りなどを考慮
すると、５００℃以下が望ましい。
ーストの焼成条件は、昇温速度は１〜２０℃／分、最高
温度キープ時間は１〜３０分、降温速度は−１〜−２０
℃／分の範囲で選択する。焼成の最高温度は、厚膜材料
が印刷されるガラス板の歪点未満、好ましくは歪点より
２０〜３０℃低い温度とする。例えば ソーダガラス基
板の場合、およそ４８０℃以下、特に４５０℃以下が望
ましい。また、バリウムホウけい酸ガラスでは、およそ
５６０℃以下であるが、Ｚ方向の基板の反りなどを考慮
すると、５００℃以下が望ましい。
【００３９】以上のような方法により、厚膜材料がガラ
ス基板上に形成され、焼成による形状変化のない、つま
り、設計寸法通りの導体パターンが形成され、かつ、基
板反りのないガラス基板を提供することができる。
ス基板上に形成され、焼成による形状変化のない、つま
り、設計寸法通りの導体パターンが形成され、かつ、基
板反りのないガラス基板を提供することができる。
【００４０】なお本発明の製造方法は、上記したような
導体材料のみならず、抵抗体材料や絶縁材料或いは蛍光
体材料を厚膜ペースト化しガラス板上に焼成によって固
着する場合にも応用できる。
導体材料のみならず、抵抗体材料や絶縁材料或いは蛍光
体材料を厚膜ペースト化しガラス板上に焼成によって固
着する場合にも応用できる。
【００４１】例えば、抵抗体材料としては、Ａｇ／Ｐ
ｄ，Ｒｕ，ＲｕＯ2 、Ｂｉ2 Ｒｕ2 Ｏ7 ，Ｐｂ2 Ｒｕ2
Ｏ6 ，ＳｒＲｕＯ3 ，ＣａＲｕＯ3 ，ＢａＲｕＯ3 等の
貴金属系や、Ｔａ，ＴａＮ，Ｔａ2 Ｎ，ＬａＢ6 ，Ｗ
Ｃ，ＭｏＳｉ，ＴａＳｉ，ＳｎＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 等の卑
金属系、さらには窒素雰囲気中で焼成するＴａＮ−Ｔａ
系，ＳｎＯ2 −Ｔａ2 Ｏ5 系，ＬａＢ6 系，ＳｎＯ2 −
Ｔａ系、ＳｒＲｕＯ3 系等が使用できる。また、絶縁材
料としては、結合剤ガラスを含む絶縁性ガラスセラミッ
クス粒子，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＢａＴｉＯ3 が使用できる。
ｄ，Ｒｕ，ＲｕＯ2 、Ｂｉ2 Ｒｕ2 Ｏ7 ，Ｐｂ2 Ｒｕ2
Ｏ6 ，ＳｒＲｕＯ3 ，ＣａＲｕＯ3 ，ＢａＲｕＯ3 等の
貴金属系や、Ｔａ，ＴａＮ，Ｔａ2 Ｎ，ＬａＢ6 ，Ｗ
Ｃ，ＭｏＳｉ，ＴａＳｉ，ＳｎＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 等の卑
金属系、さらには窒素雰囲気中で焼成するＴａＮ−Ｔａ
系，ＳｎＯ2 −Ｔａ2 Ｏ5 系，ＬａＢ6 系，ＳｎＯ2 −
Ｔａ系、ＳｒＲｕＯ3 系等が使用できる。また、絶縁材
料としては、結合剤ガラスを含む絶縁性ガラスセラミッ
クス粒子，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＢａＴｉＯ3 が使用できる。
【００４２】
実施例１ 表４のように調製したＡｇペーストを使用した。
【００４３】
【表４】 基板サイズ３００ｍｍ×３００ｍｍ、厚さ1 ．1 ｍｍの
ソーダガラス基板に対して、パターンエリア２８０ｍｍ
×２８０ｍｍ、０．３ｍｍピッチ、ライン幅０．１５ｍ
ｍのメタルマスク( 厚み０．０８ｍｍ）を使用して印刷
した。
ソーダガラス基板に対して、パターンエリア２８０ｍｍ
×２８０ｍｍ、０．３ｍｍピッチ、ライン幅０．１５ｍ
ｍのメタルマスク( 厚み０．０８ｍｍ）を使用して印刷
した。
【００４４】使用したソーダライムガラス基板は、ガラ
ス基板のＮａ成分の溶出を押さえるため、ＳｉＯ2 をコ
ーティングしたものも使用した。
ス基板のＮａ成分の溶出を押さえるため、ＳｉＯ2 をコ
ーティングしたものも使用した。
【００４５】焼成条件は、昇温速度５〜１０℃／分、ト
ップ温度４３０℃、キープ時間３分、降温速度−１〜−
１０℃／分で行った。
ップ温度４３０℃、キープ時間３分、降温速度−１〜−
１０℃／分で行った。
【００４６】得られたガラス基板の形状は、ＸＹ方向で
０〜５０ｐｐｍの収縮が、Ｚ方向で０〜３０ｐｐｍの反
りが測定された。すなわち、、ＸＹ方向で１５μｍ以
下、Ｚ方向で約１３μｍ以下の反りであった。
０〜５０ｐｐｍの収縮が、Ｚ方向で０〜３０ｐｐｍの反
りが測定された。すなわち、、ＸＹ方向で１５μｍ以
下、Ｚ方向で約１３μｍ以下の反りであった。
【００４７】また、表５乃至表７の示す材料を用い、上
記と同様の条件で焼成したところ、上記と略同様の形状
変化のガラス基板が得られた。
記と同様の条件で焼成したところ、上記と略同様の形状
変化のガラス基板が得られた。
【００４８】
【表５】
【表６】
【表７】 実施例２ 表８及び表９のように調製したＮｉペーストを使用し
た。
た。
【００４９】
【表８】
【表９】 ３５０ｍｍ×３５０ｍｍのソーダガラス基板にこのペー
ストを使用し２５０メッシュステンレススクリーンで印
刷した。パターンは実施例１のストライプパターンとし
た。
ストを使用し２５０メッシュステンレススクリーンで印
刷した。パターンは実施例１のストライプパターンとし
た。
【００５０】これを４４０℃で焼成した。焼成後のＮｉ
膜厚は１〜１０μｍであった。膜厚のコントロールは、
ペーストの粘度調整により行った。
膜厚は１〜１０μｍであった。膜厚のコントロールは、
ペーストの粘度調整により行った。
【００５１】焼成条件は、昇温速度５〜１０℃／分、ト
ップ温度４３０℃、キープ時間３〜１０分降温速度−５
〜−１０℃／分で行った。
ップ温度４３０℃、キープ時間３〜１０分降温速度−５
〜−１０℃／分で行った。
【００５２】得られたガラス基板の形状は、ＸＹ方向で
０〜５０ｐｐｍの収縮が、Ｚ方向で０〜３０ｐｐｍの反
りが測定された。つまりＸＹ方向で１７．５μｍ以下、
Ｚ方向で約１５μｍ以下の反りであった。
０〜５０ｐｐｍの収縮が、Ｚ方向で０〜３０ｐｐｍの反
りが測定された。つまりＸＹ方向で１７．５μｍ以下、
Ｚ方向で約１５μｍ以下の反りであった。
【００５３】実施例３ 表１０のＡｕペーストを使用して、４００×４００ｍｍ
のバリウムホウけい酸ガラスによってパターンを印刷し
た。
のバリウムホウけい酸ガラスによってパターンを印刷し
た。
【００５４】
【表１０】 昇温速度１０℃／分、最高温度４３０℃、キープ時間２
０分、降温速度−１０℃／分の条件で焼成した。その
後、ポジ型フォトレジストをロールコーターによりコー
テイングし、目的のパターンが予め形成してあるフォト
マスクを基板上にセットし露光した。現像後、基板上に
はフォトレジストによりパターンが形成された。これを
ヨウ素ヨウ化カリウム水溶液にてエッチングした。その
後フォトレジストに被覆されていないＡｕ層がエッチン
グされ除去された。洗浄後フォトレジストを剥離した。
０分、降温速度−１０℃／分の条件で焼成した。その
後、ポジ型フォトレジストをロールコーターによりコー
テイングし、目的のパターンが予め形成してあるフォト
マスクを基板上にセットし露光した。現像後、基板上に
はフォトレジストによりパターンが形成された。これを
ヨウ素ヨウ化カリウム水溶液にてエッチングした。その
後フォトレジストに被覆されていないＡｕ層がエッチン
グされ除去された。洗浄後フォトレジストを剥離した。
【００５５】これによって、基板反りが対角寸法に対
し、１０ｐｐｍ以下に制御された厚膜基板が得られた。
し、１０ｐｐｍ以下に制御された厚膜基板が得られた。
【００５６】実施例４ ＰｂＯ ５０ｍｏｌ％、Ｂ2 Ｏ3 ５０ｍｏｌ％からな
る低融点ガラスを結合剤として使用した。ＰｂＯ：Ｂ2
Ｏ3 ＝２５：７５、７５：２５も同様に使用できる。
る低融点ガラスを結合剤として使用した。ＰｂＯ：Ｂ2
Ｏ3 ＝２５：７５、７５：２５も同様に使用できる。
【００５７】
【表１１】 このペーストを５００×５００ｍｍ、厚み２．８ｍｍの
無アルカリガラス基板に印刷し、昇温速度１０℃／分、
最高温度４２０℃、キープ時間７分、降温速度−１０℃
／分の条件で焼成した。焼成後の変形は、ＸＹ方向に０
〜５０ｐｐｍの収縮、Ｚ方向に０〜３０ｐｐｍの反りが
測定された。
無アルカリガラス基板に印刷し、昇温速度１０℃／分、
最高温度４２０℃、キープ時間７分、降温速度−１０℃
／分の条件で焼成した。焼成後の変形は、ＸＹ方向に０
〜５０ｐｐｍの収縮、Ｚ方向に０〜３０ｐｐｍの反りが
測定された。
【００５８】以上に述べたように、ガラス基板形状の変
化により従来のプロセスでは、少なくとも基板の長辺短
辺ＸＹ方向に対しておよそ４００ｐｐｍ前後の収縮が発
生する精度でしかパターン形成は出来なかったが、ガラ
ス基板の歪点以下で焼結する厚膜材料を使用し、４５０
℃以下で焼成することにより、０〜５０ｐｐｍの精度の
収縮範囲内でパターン位置精度が得られた。これは、４
５０×３５０ｍｍの大きさの基板の長辺方向に対して、
従来の方法では、長辺方向に少なくとも１８０μｍ以上
（〜３１５μｍ）の収縮が起こっていたが、本発明の方
法によると、最大でも２２．５μｍの収縮しか起こらな
いことになる。したがって、現在のディスプレイのＲＧ
Ｂピッチが０．３３ｍｍであることを考えると、従来の
方法では少なくとも一色分のずれが確実に生じるのに比
べ、十分な精度であると言える。
化により従来のプロセスでは、少なくとも基板の長辺短
辺ＸＹ方向に対しておよそ４００ｐｐｍ前後の収縮が発
生する精度でしかパターン形成は出来なかったが、ガラ
ス基板の歪点以下で焼結する厚膜材料を使用し、４５０
℃以下で焼成することにより、０〜５０ｐｐｍの精度の
収縮範囲内でパターン位置精度が得られた。これは、４
５０×３５０ｍｍの大きさの基板の長辺方向に対して、
従来の方法では、長辺方向に少なくとも１８０μｍ以上
（〜３１５μｍ）の収縮が起こっていたが、本発明の方
法によると、最大でも２２．５μｍの収縮しか起こらな
いことになる。したがって、現在のディスプレイのＲＧ
Ｂピッチが０．３３ｍｍであることを考えると、従来の
方法では少なくとも一色分のずれが確実に生じるのに比
べ、十分な精度であると言える。
【００５９】また、基板Ｚ方向に対して、従来は少なく
とも９００ｐｐｍの反りが発生していたが、０〜３０ｐ
ｐｍの反りに制御することが可能となった。４５０×３
５０ｍｍの基板の場合、従来の方法では、少なくとも５
１３μｍの反りが起こったが、実施例の方法では、最大
でも１７μｍであった。
とも９００ｐｐｍの反りが発生していたが、０〜３０ｐ
ｐｍの反りに制御することが可能となった。４５０×３
５０ｍｍの基板の場合、従来の方法では、少なくとも５
１３μｍの反りが起こったが、実施例の方法では、最大
でも１７μｍであった。
【００６０】このような位置精度は、液晶または半導体
製造工程に使用される薄膜フォトプロセスでは通常得ら
れるものである。しかしながら、薄膜よりも導体抵抗の
少ない厚膜で、上記寸法精度が得られるため、基板サイ
ズが対角１０インチ以上の液晶パネルなどのドライバー
ＩＣの電源ラインが低抵抗、かつ、アライメント精度も
フォトプロセスと同等で形成することが可能となつた。
製造工程に使用される薄膜フォトプロセスでは通常得ら
れるものである。しかしながら、薄膜よりも導体抵抗の
少ない厚膜で、上記寸法精度が得られるため、基板サイ
ズが対角１０インチ以上の液晶パネルなどのドライバー
ＩＣの電源ラインが低抵抗、かつ、アライメント精度も
フォトプロセスと同等で形成することが可能となつた。
【００６１】また、液晶やプラズマディスプレイ、蛍光
表示管など対面する２枚の平面ガラス基板からなるディ
スプレイにおいて、表と裏のガラスパネルの聞隔が一定
になることで表示品位を向上させることができ、３次元
的な形状変化が少なくなるため、対面する２枚のガラス
パネルの整合が容易となる。
表示管など対面する２枚の平面ガラス基板からなるディ
スプレイにおいて、表と裏のガラスパネルの聞隔が一定
になることで表示品位を向上させることができ、３次元
的な形状変化が少なくなるため、対面する２枚のガラス
パネルの整合が容易となる。
【００６２】プラズマディスプレイにおいては、放電空
間の距離および、陰極、陽極間の距離が一定となり、ま
た、２枚の対面するパネルを封着する時に、基板反りな
どがないため、応力による封着部分のガスリークなどの
発生が防止される。
間の距離および、陰極、陽極間の距離が一定となり、ま
た、２枚の対面するパネルを封着する時に、基板反りな
どがないため、応力による封着部分のガスリークなどの
発生が防止される。
【００６３】さらに、セルフオックレンズアレイの焦点
深度がガラス基板の形状的な影響なく調節される。オプ
トエレクトロニクスデバイスへのガラス基板の応用展開
を考えるとき、厚膜材料が形成可能であり、かつ、ガラ
ス基板の形状変化を上記のように制御することが可能に
なつた効果は非常に大きい。例えば、１０００×１００
０ｍｍ（厚み２ｍｍ）のように基板サイズが大きくなっ
ても、ガラス基板のＸＹＺ方向の形状変化が制御でき、
精度のよいパターニングが可能である。
深度がガラス基板の形状的な影響なく調節される。オプ
トエレクトロニクスデバイスへのガラス基板の応用展開
を考えるとき、厚膜材料が形成可能であり、かつ、ガラ
ス基板の形状変化を上記のように制御することが可能に
なつた効果は非常に大きい。例えば、１０００×１００
０ｍｍ（厚み２ｍｍ）のように基板サイズが大きくなっ
ても、ガラス基板のＸＹＺ方向の形状変化が制御でき、
精度のよいパターニングが可能である。
【００６４】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、ガラス板の歪点よりも低い焼成温度で焼結可能な導
体ペースト材料を用いており、これによって、厚膜印刷
技術を用いたガラス基板の焼成時に生じるガラス基板の
形状変化を最小限に抑制し、良質の基板ガラスを製造す
ることができる。
は、ガラス板の歪点よりも低い焼成温度で焼結可能な導
体ペースト材料を用いており、これによって、厚膜印刷
技術を用いたガラス基板の焼成時に生じるガラス基板の
形状変化を最小限に抑制し、良質の基板ガラスを製造す
ることができる。
【図１】焼成前のガラス板の斜視図である。
【図２】焼成後のガラス板の斜視図である。
Ｓ0 焼成前の反り Ｓ1 焼成後の反り
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/09 Ｚ 6921−4Ｅ (72)発明者 廣嶋 政幸 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並2160 番地九州ノリタケ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス板上に導体ペーストを印刷しこれ
を焼成する配線ガラス基板の製造方法において、平均粒
子径が０．０１〜１．０μｍの金属導体材料と熱膨張率
が４０〜４００×１０-7／℃で且つ屈伏温度が４００℃
以下の低融点ガラスとを含有し、前記ガラス板の歪点以
下で焼結可能な導体ペースト材料を用い、これを前記ガ
ラス板に印刷した後、前記ガラス板の歪点温度以下で焼
成することを特徴とする配線ガラス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29877792A JPH06152102A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 配線ガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29877792A JPH06152102A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 配線ガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06152102A true JPH06152102A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17864085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29877792A Pending JPH06152102A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 配線ガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06152102A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009105138A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Futaba Corp | ダイボンドペースト及び該ダイボンドペーストを用いた蛍光表示管 |
| WO2014073085A1 (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | 株式会社 日立製作所 | 配線基板とその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-09 JP JP29877792A patent/JPH06152102A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009105138A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Futaba Corp | ダイボンドペースト及び該ダイボンドペーストを用いた蛍光表示管 |
| WO2014073085A1 (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | 株式会社 日立製作所 | 配線基板とその製造方法 |
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