JPH0640552B2 - 半導体チツプ付基板及びその製造方法 - Google Patents
半導体チツプ付基板及びその製造方法Info
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- JPH0640552B2 JPH0640552B2 JP62029424A JP2942487A JPH0640552B2 JP H0640552 B2 JPH0640552 B2 JP H0640552B2 JP 62029424 A JP62029424 A JP 62029424A JP 2942487 A JP2942487 A JP 2942487A JP H0640552 B2 JPH0640552 B2 JP H0640552B2
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば表示装置に使用でき、表示装置の駆動
回路部が半導体チップで形成され、表示装置と同一基板
上に設けられた半導体チップ付基板及びその製造方法に
関し、特に半導体チップを基板に固着させるダイボンド
層の改良に関するものである。
回路部が半導体チップで形成され、表示装置と同一基板
上に設けられた半導体チップ付基板及びその製造方法に
関し、特に半導体チップを基板に固着させるダイボンド
層の改良に関するものである。
以下本発明を表示装置の一例である蛍光表示管について
説明する。
説明する。
一般に半導体チップ（以下、ＩＣチップと略す）が外囲
器の一部であるガラス製の陽極基板上にダイボンド層を
介して固着される構造は「チップ・イン・グラス（Chip
in Glass）構造又は「チップ・オン．グラス（Chip on
Glass）構造と呼ばれている。（以下ＣＩＧ構造と略
す） 従来のＣＩＧ構造を有する蛍光表示管は、第３図の一部
破断斜視図に示す構造が公知である。
器の一部であるガラス製の陽極基板上にダイボンド層を
介して固着される構造は「チップ・イン・グラス（Chip
in Glass）構造又は「チップ・オン．グラス（Chip on
Glass）構造と呼ばれている。（以下ＣＩＧ構造と略
す） 従来のＣＩＧ構造を有する蛍光表示管は、第３図の一部
破断斜視図に示す構造が公知である。
第３図において１は、蛍光表示管の配線導体３陽極導体
４及び蛍光体層５からなる陽極２が配設された陽極基板
である。この陽極基板１は、一般にガラス基板からな
り、その端部にＩＣチップ６がダイボンド層を介してボ
ンデイングされている。ＩＣチップ６は、ワイヤーボン
デイングにより、前記配線導体３の端部に接続する端子
部７と金属細線８により結線されている。
４及び蛍光体層５からなる陽極２が配設された陽極基板
である。この陽極基板１は、一般にガラス基板からな
り、その端部にＩＣチップ６がダイボンド層を介してボ
ンデイングされている。ＩＣチップ６は、ワイヤーボン
デイングにより、前記配線導体３の端部に接続する端子
部７と金属細線８により結線されている。
また、前記陽極基板１上には、陽極２から一定間隔をお
いて、グリッド10を陽極に体面するように配設させ、さ
らに、グリッド10から一定間隔をおいて、フイラメント
状陰極11を張設されている。これらの陽極２、グリッド
10は配線導体３によりＩＣチップ６と接続しているか、
またはフイラメント状陰極11と同様に外部リード９へ接
続されている。また、ＩＣチップ６への入力端子として
の外部リード９も配設されている。そして、前記陽極基
板１上の電極を覆うように箱型の真空容器部12が設けら
れ、低融点フリットガラスを主成分とする封着剤により
封着される。次に、図示していない排気管より真空容器
12内の気体を排気して、高真空状態で排気管を封止す
る。
いて、グリッド10を陽極に体面するように配設させ、さ
らに、グリッド10から一定間隔をおいて、フイラメント
状陰極11を張設されている。これらの陽極２、グリッド
10は配線導体３によりＩＣチップ６と接続しているか、
またはフイラメント状陰極11と同様に外部リード９へ接
続されている。また、ＩＣチップ６への入力端子として
の外部リード９も配設されている。そして、前記陽極基
板１上の電極を覆うように箱型の真空容器部12が設けら
れ、低融点フリットガラスを主成分とする封着剤により
封着される。次に、図示していない排気管より真空容器
12内の気体を排気して、高真空状態で排気管を封止す
る。
このようなＣＩＧ構造の蛍光表示管において、前記ＩＣ
チップ６を陽極基板１にボンデイングするには、ダイボ
ンドペーストを陽極基板１の上面か、ＩＣチップ６の裏
面に被着させ、位置決めをして基板１上に載置させた後
に加熱させてダイボンドペーストを溶解させて固着して
いた。したがって前記ＩＣチップ６と陽極基板１の間に
はダイボンド層が介在していた。このダイボンド層は、
ＩＣチップ６のアースとして作用させる為に導電性を持
たせる必要がある。
チップ６を陽極基板１にボンデイングするには、ダイボ
ンドペーストを陽極基板１の上面か、ＩＣチップ６の裏
面に被着させ、位置決めをして基板１上に載置させた後
に加熱させてダイボンドペーストを溶解させて固着して
いた。したがって前記ＩＣチップ６と陽極基板１の間に
はダイボンド層が介在していた。このダイボンド層は、
ＩＣチップ６のアースとして作用させる為に導電性を持
たせる必要がある。
従来のダイボンドペーストとしては、耐熱性のポリイミ
ドペーストが実開昭61-24946号で公知である。
ドペーストが実開昭61-24946号で公知である。
しかしながら、このポリイミドペーストは蛍光表示管と
して使用すると、真空容器部12を封着する際の加熱温度
（450〜500℃）付近の430℃位からペーストの分解が始
まり各種の分解ガスが発生し、蛍光表示管の特性を悪く
したり、又ダイボンド層13が熱により劣化して固着性が
弱くなる等の問題点がある。
して使用すると、真空容器部12を封着する際の加熱温度
（450〜500℃）付近の430℃位からペーストの分解が始
まり各種の分解ガスが発生し、蛍光表示管の特性を悪く
したり、又ダイボンド層13が熱により劣化して固着性が
弱くなる等の問題点がある。
そこで熱に弱い有機系ダイボンドペーストから熱に強い
無機質ダイボンドペーストが特開昭61-55847号で公知で
ある。
無機質ダイボンドペーストが特開昭61-55847号で公知で
ある。
この無機質ダイボンドペーストはAg粉末とPboを主成分
とする低融点フリットガラスを80〜85wt％と有機バイン
ダーから出来ている。この低融点フリットガラスは封着
材にも使用されているように封着温度（450〜500℃）に
加熱されると流動化し、ＩＣチップ６と陽極基板１とを
ぬらし冷却させるとガラス化し、ダイボンド層はバルク
状となるので、ＩＣチップ６と陽曲基板１は強固に接着
されるのである。又300℃以上の温度になると有機バイ
ンダーは燃焼揮散してしまうので前述の有機系ペースト
の問題点は解消する。
とする低融点フリットガラスを80〜85wt％と有機バイン
ダーから出来ている。この低融点フリットガラスは封着
材にも使用されているように封着温度（450〜500℃）に
加熱されると流動化し、ＩＣチップ６と陽極基板１とを
ぬらし冷却させるとガラス化し、ダイボンド層はバルク
状となるので、ＩＣチップ６と陽曲基板１は強固に接着
されるのである。又300℃以上の温度になると有機バイ
ンダーは燃焼揮散してしまうので前述の有機系ペースト
の問題点は解消する。
しかしながら陽極基板１はガラスであり、その熱膨脹率
は、約90×10-7／℃位でありＩＣチップのベースはシリ
コン基板であるので、その熱膨脹率は約42×10-7／℃位
である（電気化学便覧）。このように両者の熱膨脹率の
差が大きいために、両者が強固に接着された後冷却され
ていくと、ダイボンド層13の硬化収縮応力により接着さ
れた陽極基板１の表面又はＩＣチップ６の表面にクラッ
クが発生するという問題点が生じた。このクラックは大
形のチップサイズになるほど顕著になることが明らかで
ある。
は、約90×10-7／℃位でありＩＣチップのベースはシリ
コン基板であるので、その熱膨脹率は約42×10-7／℃位
である（電気化学便覧）。このように両者の熱膨脹率の
差が大きいために、両者が強固に接着された後冷却され
ていくと、ダイボンド層13の硬化収縮応力により接着さ
れた陽極基板１の表面又はＩＣチップ６の表面にクラッ
クが発生するという問題点が生じた。このクラックは大
形のチップサイズになるほど顕著になることが明らかで
ある。
本発明は、前述した従来の問題点を解消した半導体チッ
プ付基板及びその製造方法を提供して、前記半導体チッ
プ付基板を使用するＣＩＧ構造の各種表示装置を提供す
ることを目的とするものである。
プ付基板及びその製造方法を提供して、前記半導体チッ
プ付基板を使用するＣＩＧ構造の各種表示装置を提供す
ることを目的とするものである。
前述の目的を達成するため本発明は、ガラス基板上に導
電性ダイボンド層を介して固着された半導体チップを有
する半導体チップ付基板において、前記導電性ダイボン
ド層が導電性粒子と三次元網目上に分布している膜状の
金属酸化物とのマトリックス構造であることを特徴とす
るる。
電性ダイボンド層を介して固着された半導体チップを有
する半導体チップ付基板において、前記導電性ダイボン
ド層が導電性粒子と三次元網目上に分布している膜状の
金属酸化物とのマトリックス構造であることを特徴とす
るる。
さらに本発明は、本発明は、ガラス基板上に導電性ダイ
ボンド層を介して半導体チップを固着させる半導体チッ
プ付基板の製造方法においてガラス基板上に導電性粒子
と有機金属を含むビークルからなるダイボンドペースト
を塗布する工程と、前記ダイボンドペースト上に半導体
チップを載置する工程と、前記ダイボンドペーストを焼
成炉で加熱硬化させ導電性粒子と三次元網目状の膜状の
金属酸化物とのマトリックス構造体を形成させる工程か
らなる半導体チップ付基板の製造方法である。
ボンド層を介して半導体チップを固着させる半導体チッ
プ付基板の製造方法においてガラス基板上に導電性粒子
と有機金属を含むビークルからなるダイボンドペースト
を塗布する工程と、前記ダイボンドペースト上に半導体
チップを載置する工程と、前記ダイボンドペーストを焼
成炉で加熱硬化させ導電性粒子と三次元網目状の膜状の
金属酸化物とのマトリックス構造体を形成させる工程か
らなる半導体チップ付基板の製造方法である。
本発明の半導体チップ付基板のダイボンド層は、導電性
粒子と有機金属を含むビークルを混合したペーストを塗
布して、酸化雰囲気中で焼成したので有機金属は分解し
て金属酸化物となり、他の有機成分は燃焼分解して揮散
してしまい空洞化し、空気孔が内部に三次元網目状に分
布している構造である。
粒子と有機金属を含むビークルを混合したペーストを塗
布して、酸化雰囲気中で焼成したので有機金属は分解し
て金属酸化物となり、他の有機成分は燃焼分解して揮散
してしまい空洞化し、空気孔が内部に三次元網目状に分
布している構造である。
すなわち、前記ダイボンド層は、微視的にポーラス状で
あり、金属酸化物の膜によりAg粒子が三次元網目状にさ
さえられているので、前述の熱膨脹率の違いから発生す
る熱応力を吸収する作用がある。
あり、金属酸化物の膜によりAg粒子が三次元網目状にさ
さえられているので、前述の熱膨脹率の違いから発生す
る熱応力を吸収する作用がある。
尚、有機金属は、酸化雰囲気中で焼成されて金属酸化物
になる。この金属酸化物は耐熱性に優れている性質があ
る。又ガラスの成分も金属酸化物であるのでガラスとの
親和性が良い作用を有する。
になる。この金属酸化物は耐熱性に優れている性質があ
る。又ガラスの成分も金属酸化物であるのでガラスとの
親和性が良い作用を有する。
以下発明を第１図、第２図に示す図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明の半導体チップ付基板を蛍光表示管に
利用した実施例であり、第２図は、ＩＣチップ部分の拡
大断面図である。図において、従来例と同じ部材につい
ては同じ符号を用いてあり、これらの基本的役割は従来
例と何ら変わらない。
利用した実施例であり、第２図は、ＩＣチップ部分の拡
大断面図である。図において、従来例と同じ部材につい
ては同じ符号を用いてあり、これらの基本的役割は従来
例と何ら変わらない。
第１図において、陽極基板１は絶縁性を有するガラス板
で構成されており、その内側表面には、陽極導体４およ
び配線導体３がＡ薄膜パターンで形成されている。
で構成されており、その内側表面には、陽極導体４およ
び配線導体３がＡ薄膜パターンで形成されている。
前記陽極導体４上には蛍光体層５が被着されており、陽
極２を構成している。
極２を構成している。
前記陽極２から上方へ一定間隔をおいてグリッド10が配
設され、さらに上方へ一定間隔をおいてフイラメント状
陰極11が張設されている。
設され、さらに上方へ一定間隔をおいてフイラメント状
陰極11が張設されている。
また、前記陽極基板１の端部には、蛍光表示管駆動回路
用のＩＣチップ６がアース用電極14にダイボンド層13を
介してボンデングされている。前記ダイボンド層13は第
２図に示すように導電性粒子が接触分布している間に金
属酸化物の膜が存在する三次元網目状のマトリックス構
造であり、微視的にはポーラスな状態である。また、前
記ダイボンド層は、Ag粒子と酸化チタンとの三次元網目
状のマトリックス構造であり、導電性を有し、アースと
して作用している。
用のＩＣチップ６がアース用電極14にダイボンド層13を
介してボンデングされている。前記ダイボンド層13は第
２図に示すように導電性粒子が接触分布している間に金
属酸化物の膜が存在する三次元網目状のマトリックス構
造であり、微視的にはポーラスな状態である。また、前
記ダイボンド層は、Ag粒子と酸化チタンとの三次元網目
状のマトリックス構造であり、導電性を有し、アースと
して作用している。
さらに又、ＩＣチップ６と、前記陽極２に配線導体３で
接続している端子部７とは金属細線で結線されている。
又端子部７と外部リード９も配線導体３で接続されてい
る。
接続している端子部７とは金属細線で結線されている。
又端子部７と外部リード９も配線導体３で接続されてい
る。
また陽極基板１上には、側面板12aと前面板12bからなる
箱形の容器部12が封着結合している。その後表示しない
排気管より管内の気体を排気し高真空状態になったとき
排気管を封止した蛍光表示管の構造を形成している。
箱形の容器部12が封着結合している。その後表示しない
排気管より管内の気体を排気し高真空状態になったとき
排気管を封止した蛍光表示管の構造を形成している。
次にＩＣチップ付基板の製造方法を説明する。
ガラスの陽極基板１にはＡ薄膜により配線導体３及び
陽極導体４がフオトリソグラフイの手法でパターン化さ
れている。そして、陽極導体４上には、蛍光体層５が周
知の方法で被着されている。必要に応じて絶縁層16も印
刷法で積層形成される。
陽極導体４がフオトリソグラフイの手法でパターン化さ
れている。そして、陽極導体４上には、蛍光体層５が周
知の方法で被着されている。必要に応じて絶縁層16も印
刷法で積層形成される。
蛍光体層５が形成された陽極基板１の端部に設けられた
アース電極14上又は、ＩＣチップ６の裏面の少なくとも
一方にダイボンドペーストを塗布する。
アース電極14上又は、ＩＣチップ６の裏面の少なくとも
一方にダイボンドペーストを塗布する。
前記ダイボンドペーストは、銅線性微粒子と有機金属を
含むビークルから構成されている。導電性微粒子は、粒
径が0.1〜50μｍの金属微粒子例えばAg粒子、Au粒子、C
u粒子等があるが中でもフレーク状のAg粒子が実験上良
好であった。
含むビークルから構成されている。導電性微粒子は、粒
径が0.1〜50μｍの金属微粒子例えばAg粒子、Au粒子、C
u粒子等があるが中でもフレーク状のAg粒子が実験上良
好であった。
有機金属は、Ｔｉ、Ａ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｚｒ等の金属原
子を含む有機物である。例としてＴｉの有機物としては
次のようなものがある。
子を含む有機物である。例としてＴｉの有機物としては
次のようなものがある。
テトライソプロポキシチタン（ＴＰＴ）、テトラ−ｎ−
ブトキシチタン（ＴＢＴ）、テトラキス２エチルヘキソ
キシチタン（ＴＯＴ）、テトラステアロキシチタン（Ｔ
ＳＴ）、ジイソプロポキシ・ビス・アセチルアセトナト
チタン（ＴＡＡ）、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス・トリエタ
ノールアミナトチタン（ＴＡＴ）、テトラキス２エチル
ヘキサンジオラトチタン（ＴＯＧ）、ジヒドロキシ・ビ
スラクタトチタン（ＴＬＡ）等が有機チタンとして使用
できる。
ブトキシチタン（ＴＢＴ）、テトラキス２エチルヘキソ
キシチタン（ＴＯＴ）、テトラステアロキシチタン（Ｔ
ＳＴ）、ジイソプロポキシ・ビス・アセチルアセトナト
チタン（ＴＡＡ）、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス・トリエタ
ノールアミナトチタン（ＴＡＴ）、テトラキス２エチル
ヘキサンジオラトチタン（ＴＯＧ）、ジヒドロキシ・ビ
スラクタトチタン（ＴＬＡ）等が有機チタンとして使用
できる。
これらの有機チタン化合物は、一般にそれ自身が液体
か、あるいは溶媒に可溶であり、ぬれ性を有しペースト
化することが可能である。また、前記有機チタン化合物
は、熱分解反応により酸化チタンを形成することも知ら
れている。したがってペースト中の機能材料であるAg粒
子を焼成時に基板に固着させるバインダー作用を有して
いる。
か、あるいは溶媒に可溶であり、ぬれ性を有しペースト
化することが可能である。また、前記有機チタン化合物
は、熱分解反応により酸化チタンを形成することも知ら
れている。したがってペースト中の機能材料であるAg粒
子を焼成時に基板に固着させるバインダー作用を有して
いる。
ビークル（Vehicle）は有機バインダーを揮発性成分で
ある溶剤に溶解した粘稠な液体であり、有機溶剤として
は炭化水素、エステル、ケトン、エーテル、アルコール
等がある。
ある溶剤に溶解した粘稠な液体であり、有機溶剤として
は炭化水素、エステル、ケトン、エーテル、アルコール
等がある。
具体的には、たとえば、トリデカノール、ベンジルアル
コール、テルピネオール、ドデカノール、ブチルカルビ
ートル、酢酸ベンジル、トリメチルノナノン、ｎ−ヘキ
シルエーテル等があり蒸発速度を調整するため選択（必
要に応じて混合する）して使う。有機バインダーは粉体
を安定に分散させ、ペーストに必要な流動性を与えるた
めに加えるので、スクリーン印刷のメッシュや、膜厚等
により混合量が変る。具体的には、エチルセルロール等
のセルロース誘導体や、ポリビニルアセテート等の高分
子化合物でもよい。焼成すると有機バインダーは分解し
て揮散してしまう性質がある。
コール、テルピネオール、ドデカノール、ブチルカルビ
ートル、酢酸ベンジル、トリメチルノナノン、ｎ−ヘキ
シルエーテル等があり蒸発速度を調整するため選択（必
要に応じて混合する）して使う。有機バインダーは粉体
を安定に分散させ、ペーストに必要な流動性を与えるた
めに加えるので、スクリーン印刷のメッシュや、膜厚等
により混合量が変る。具体的には、エチルセルロール等
のセルロース誘導体や、ポリビニルアセテート等の高分
子化合物でもよい。焼成すると有機バインダーは分解し
て揮散してしまう性質がある。
次にダイボンドペーストの具体的配合例を示す 配合例１ 有機チタン（ＴＯＧ） 25ｇ 導電性粒子（Ag粒子） 75ｇ ビークル（エチルセルロース） 適量 配合例２ 有機チタン（ＴＯＧ） 30ｇ 導電性粒子（Ag粒子） 70ｇ ビークル、（トリデカノール、テルピネオール）適量 前記有機金属（ＴＯＧ）には、不純物として混入する塩
素分が30ppm以下にすると、蛍光表示管の特性が良好と
なる。
素分が30ppm以下にすると、蛍光表示管の特性が良好と
なる。
前記配合例に従って秤量し、充分混合してダイボンドペ
ーストを形成する。このダイボンドペーストをスタンピ
ング法、ディスペンサー法、印刷法等で、あらかじめ形
成されたアース電極14又はＩＣチップ６の裏面の少なく
とも一方に塗布する。
ーストを形成する。このダイボンドペーストをスタンピ
ング法、ディスペンサー法、印刷法等で、あらかじめ形
成されたアース電極14又はＩＣチップ６の裏面の少なく
とも一方に塗布する。
次にＩＣチップ６を陽極基板１上に正確に位置決めをし
て載置する。前記ダイボンドペーストを塗布する工程
と、ＩＣチップ６を載置する工程は、ダイボンダーとい
う機械で自動的に行うことも可能である。
て載置する。前記ダイボンドペーストを塗布する工程
と、ＩＣチップ６を載置する工程は、ダイボンダーとい
う機械で自動的に行うことも可能である。
次にＩＣチップ６が載置された陽極基板１をピーク温度
が400〜500℃に設定された酸化雰囲気の焼成炉で加熱硬
化させる。この加熱時にダイボンド中の有機チタンが熱
分解されて酸化チタンとなるが、有機チタン中約10％位
がTi成分である他は有機成分であるので、熱分解して、
揮散してしまう。ビークルも同様に酸化分解して揮散し
てしまう為にダイボンド層は連続する微小空気孔が内部
に三次元網目状に分布しているマトリックス構造で微視
的に見るとポーラスな状態となる。すなわちＩＣチップ
６と陽極基板１は軟らかいAg粒子間に存在する酸化チタ
ンの膜や粒子で結合されているポーラスな複合体であ
る。
が400〜500℃に設定された酸化雰囲気の焼成炉で加熱硬
化させる。この加熱時にダイボンド中の有機チタンが熱
分解されて酸化チタンとなるが、有機チタン中約10％位
がTi成分である他は有機成分であるので、熱分解して、
揮散してしまう。ビークルも同様に酸化分解して揮散し
てしまう為にダイボンド層は連続する微小空気孔が内部
に三次元網目状に分布しているマトリックス構造で微視
的に見るとポーラスな状態となる。すなわちＩＣチップ
６と陽極基板１は軟らかいAg粒子間に存在する酸化チタ
ンの膜や粒子で結合されているポーラスな複合体であ
る。
従って、このダイボンド層13は、陽極基板１の焼成加熱
工程で発生する熱応力を吸収することが可能となる。
工程で発生する熱応力を吸収することが可能となる。
以上説明したようにダイボンドペーストとして導電性粒
子と有機金属とビークルを混合させて焼結させたので、
半導体チップを基板上に結合させる導電性ダイボンド層
が三次元網目状のマトリックス構造に形成される。従っ
てガラス基板の表面にこれとは熱膨脹率の異なるSiの半
導体チップを固着するに際してガラス基板及び半導体チ
ップにクラックを発生させないで固定することが可能と
なる効果を有する。
子と有機金属とビークルを混合させて焼結させたので、
半導体チップを基板上に結合させる導電性ダイボンド層
が三次元網目状のマトリックス構造に形成される。従っ
てガラス基板の表面にこれとは熱膨脹率の異なるSiの半
導体チップを固着するに際してガラス基板及び半導体チ
ップにクラックを発生させないで固定することが可能と
なる効果を有する。
又、有機成分は約420℃までに分解揮散し、無機成分の
みとなるので分解ガスの放出のない、クリーンなダイボ
ンド層であり、蛍光表示管の特性に悪い影響を与えない
という効果も有する。
みとなるので分解ガスの放出のない、クリーンなダイボ
ンド層であり、蛍光表示管の特性に悪い影響を与えない
という効果も有する。
第１図は、本発明の半導体チップ付基板を利用した蛍光
表示管の要部断面図、第２図は、第１図の半導体チップ
部分の拡大断面図、第３図は、従来例を示す一部破断斜
視図である。 １……陽極基板 ６……半導体チップ 13……ダイボンド層
表示管の要部断面図、第２図は、第１図の半導体チップ
部分の拡大断面図、第３図は、従来例を示す一部破断斜
視図である。 １……陽極基板 ６……半導体チップ 13……ダイボンド層
Claims (5)
- 【請求項１】ガラス基板上に導電性ダイボンド層を介し
て固着された半導体チップを有する半導体チップ付基板
において、前記導電性ダイボンド層が導電性粒子と膜状
の金属酸化物との三次元網目状のマトリックス構造であ
ることを特徴とする半導体チップ付基板。 - 【請求項２】導電性粒子がフレーク状の柔軟な金属であ
る特許請求の範囲第１項記載の半導体チップ付基板。 - 【請求項３】前記膜状の金属酸化物は有機金属を酸化分
解して形成された特許請求の範囲第１項記載の半導体チ
ップ付基板。 - 【請求項４】ガラス基板上に導電性ダイボンド層を介し
て半導体チップを固着させる半導体チップ付基板の製造
方法においてガラス基板上又は半導体チップ裏面の少な
くとも一方に導電性粒子と有機金属を含むビークルから
なるダイボンドペーストを塗布する工程と、前記ガラス
基板に半導体チップを載置する工程と、前記ガラス基板
を酸化雰囲気の焼成炉で400〜500℃で熱硬化させ導電性
粒子と膜状の金属酸化物との三次元網目状のマトリック
ス構造体を形成する工程からなる半導体チップ付基板の
製造方法。 - 【請求項５】前記有機金属が液状の有機チタンである特
許請求の範囲第４項記載の半導体チップ付基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62029424A JPH0640552B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 半導体チツプ付基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62029424A JPH0640552B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 半導体チツプ付基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63196044A JPS63196044A (ja) | 1988-08-15 |
| JPH0640552B2 true JPH0640552B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=12275749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62029424A Expired - Fee Related JPH0640552B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 半導体チツプ付基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640552B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI313920B (en) | 2005-02-14 | 2009-08-21 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Ic chip coating material and vacuum fluorescent display device using same |
| JP2009105138A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Futaba Corp | ダイボンドペースト及び該ダイボンドペーストを用いた蛍光表示管 |
| JP6602331B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2019-11-06 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光表示管 |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP62029424A patent/JPH0640552B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63196044A (ja) | 1988-08-15 |
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