JP2003100152A - 透明導電積層体 - Google Patents
透明導電積層体Info
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- JP2003100152A JP2003100152A JP2001286765A JP2001286765A JP2003100152A JP 2003100152 A JP2003100152 A JP 2003100152A JP 2001286765 A JP2001286765 A JP 2001286765A JP 2001286765 A JP2001286765 A JP 2001286765A JP 2003100152 A JP2003100152 A JP 2003100152A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、高分子基板上に透明導電膜
が形成されてなる透明導電積層体において、結晶化が容
易には起こらない透明導電積層体を提供することにあ
る。 【解決手段】 高分子基板上に透明導電膜が形成されて
なる透明導電積層体において、該透明導電膜は示差走査
型熱量計により毎分２０℃の昇温速度で３０℃から５５
０℃まで走査したときに最大発熱温度が１５０〜３００
℃の範囲にあることを特徴とする透明導電積層体。
が形成されてなる透明導電積層体において、結晶化が容
易には起こらない透明導電積層体を提供することにあ
る。 【解決手段】 高分子基板上に透明導電膜が形成されて
なる透明導電積層体において、該透明導電膜は示差走査
型熱量計により毎分２０℃の昇温速度で３０℃から５５
０℃まで走査したときに最大発熱温度が１５０〜３００
℃の範囲にあることを特徴とする透明導電積層体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子基板上に透
明導電膜が形成されてなる透明導電積層体に関し、さら
に詳しくは、高分子基板の上に非晶領域を持つ透明導電
膜を有する透明導電積層体に関する。
明導電膜が形成されてなる透明導電積層体に関し、さら
に詳しくは、高分子基板の上に非晶領域を持つ透明導電
膜を有する透明導電積層体に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子や有機EL素子といった各種
表示素子或いは薄膜太陽電池の電極部には、透明導電膜
が用いられている。また、一般にそのような透明導電膜
を有した基板にはガラスが用いられている。一方、近年
の携帯移動端末の急激な小型化・軽量化に伴って、透明
電極基板にも、さらなる軽量な部材が要求されている。
そのため、基板材料としては、ガラスに比べてより軽量
な透明高分子基板材料が用いられつつある。例えば、携
帯電話や情報携帯端末には、液晶表示素子としてフィル
ム液晶が用いられている。また、有機EL素子にもフィル
ム基板を用いより軽量で薄いディスプレイを形成しよう
とされている。
表示素子或いは薄膜太陽電池の電極部には、透明導電膜
が用いられている。また、一般にそのような透明導電膜
を有した基板にはガラスが用いられている。一方、近年
の携帯移動端末の急激な小型化・軽量化に伴って、透明
電極基板にも、さらなる軽量な部材が要求されている。
そのため、基板材料としては、ガラスに比べてより軽量
な透明高分子基板材料が用いられつつある。例えば、携
帯電話や情報携帯端末には、液晶表示素子としてフィル
ム液晶が用いられている。また、有機EL素子にもフィル
ム基板を用いより軽量で薄いディスプレイを形成しよう
とされている。
【０００３】このような、高分子基板上に透明導電膜が
形成されてなる透明導電積層体は、かかるフィルム液晶
素子や有機EL素子への高次加工に際し様々な熱履歴を通
じた熱処理を受けている。特に、フィルム液晶素子にに
ついては、液晶セル加工工程において、１５０℃程度の
熱が透明導電膜にかかることがある。このような状況に
おいて、エッチング等の透明導電膜の加工性を保つため
には、透明導電膜が素子加工工程において受ける熱履歴
を通じた熱処理に対して、結晶化を起こさないことが必
要になってくる。これは、結晶化した透明導電膜のエッ
チング速度が、非晶質或いは非晶質と結晶質が混在した
透明導電膜のエッチング速度に比較して約１／１０の速
さになってしまうことに起因している。
形成されてなる透明導電積層体は、かかるフィルム液晶
素子や有機EL素子への高次加工に際し様々な熱履歴を通
じた熱処理を受けている。特に、フィルム液晶素子にに
ついては、液晶セル加工工程において、１５０℃程度の
熱が透明導電膜にかかることがある。このような状況に
おいて、エッチング等の透明導電膜の加工性を保つため
には、透明導電膜が素子加工工程において受ける熱履歴
を通じた熱処理に対して、結晶化を起こさないことが必
要になってくる。これは、結晶化した透明導電膜のエッ
チング速度が、非晶質或いは非晶質と結晶質が混在した
透明導電膜のエッチング速度に比較して約１／１０の速
さになってしまうことに起因している。
【０００４】高分子基板上に透明導電膜が形成されてな
る透明導電積層体では、高分子基板の実用温度が高々２
００℃に満たないため、基板温度を通常ガラス上の透明
導電膜形成に用いられている２００〜３００℃といった
温度にできず、室温程度から１００℃程度の低温にせざ
るを得ないという制約を背負いながらなされている。し
かし、非晶質或いは非晶質と結晶質が混在した透明導電
膜は、例えばエッチングといった加工性に富むため、そ
の必要性は非常に高い。よって、高温をかけられないと
いう基板温度に関する制約は、非晶質或いは非晶質と結
晶質が混在した状態の透明導電膜を形成する上では、む
しろ歓迎すべき制約であり、非晶質或いは非晶質と結晶
質が混在したような透明導電膜が形成されるという高分
子基板において特有の透明導電積層体を供給するのに適
したプロセスと考えることができる。
る透明導電積層体では、高分子基板の実用温度が高々２
００℃に満たないため、基板温度を通常ガラス上の透明
導電膜形成に用いられている２００〜３００℃といった
温度にできず、室温程度から１００℃程度の低温にせざ
るを得ないという制約を背負いながらなされている。し
かし、非晶質或いは非晶質と結晶質が混在した透明導電
膜は、例えばエッチングといった加工性に富むため、そ
の必要性は非常に高い。よって、高温をかけられないと
いう基板温度に関する制約は、非晶質或いは非晶質と結
晶質が混在した状態の透明導電膜を形成する上では、む
しろ歓迎すべき制約であり、非晶質或いは非晶質と結晶
質が混在したような透明導電膜が形成されるという高分
子基板において特有の透明導電積層体を供給するのに適
したプロセスと考えることができる。
【０００５】高分子基板を用いた透明導電積層体に形成
されてなる透明導電膜の望ましい状態は、その用途に強
く依存する。そのため、必ずしも結晶質な透明導電膜が
望ましいというわけではなく、非晶質が望まれることも
ある。しかし、非晶質或いは非晶質と結晶質が混在した
透明導電膜は、僅かな熱刺激に応答し結晶化を起こすも
のもある。即ち、非晶質という範疇にある透明導電膜
は、全く同じではなく、熱刺激に対する応答性を異にし
ていることがわかってきた。しかし、このような非晶質
の差異を決定付ける要因が何であるかは、係る現在にお
いても不明である。
されてなる透明導電膜の望ましい状態は、その用途に強
く依存する。そのため、必ずしも結晶質な透明導電膜が
望ましいというわけではなく、非晶質が望まれることも
ある。しかし、非晶質或いは非晶質と結晶質が混在した
透明導電膜は、僅かな熱刺激に応答し結晶化を起こすも
のもある。即ち、非晶質という範疇にある透明導電膜
は、全く同じではなく、熱刺激に対する応答性を異にし
ていることがわかってきた。しかし、このような非晶質
の差異を決定付ける要因が何であるかは、係る現在にお
いても不明である。
【０００６】例えば、基板温度が室温程度の低温で形成
されたＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系透明導電膜の結晶化温度は、電
気抵抗の不可逆な変化が起こる温度をもって、結晶化温
度と呼んでいるようである。しかし、この方法は、抵抗
値の観測により求められているにすぎず、本質的な膜の
熱挙動を解析したものとは言い難い。そして、そのため
に、透明導電膜の使用形態が限定されていることも事実
であり、予期せぬ工程不良を発生させる原因となってい
ると考えられる。
されたＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系透明導電膜の結晶化温度は、電
気抵抗の不可逆な変化が起こる温度をもって、結晶化温
度と呼んでいるようである。しかし、この方法は、抵抗
値の観測により求められているにすぎず、本質的な膜の
熱挙動を解析したものとは言い難い。そして、そのため
に、透明導電膜の使用形態が限定されていることも事実
であり、予期せぬ工程不良を発生させる原因となってい
ると考えられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように高分子基
板上に透明導電膜を形成する際の基板の温度は、ガラス
基板上に透明導電膜を通常２００〜３００℃で形成する
ときとは大きく異なり、熱的に制約されるため通常、室
温以下程度から、高分子基板の軟化点温度程度の範囲が
用いられている。そのような低温基板上に形成された透
明導電膜は非晶質膜或いは非晶質と結晶質が混在した膜
となっている。特に、非晶質な透明導電膜は、Ｘ線回折
のような巨視的構造に関する検討を行っても、所謂ハロ
ーと呼ばれる線幅の広い回折線を与えるのみであり、種
々のプロセスパラメーターを変化させ、例えば抵抗値に
代表される電気的特性が大きく異なる膜を作製したとし
ても、同様なハローを与えるに過ぎず、構造的には全く
等価な状態になっていると評価されてしまう。そのた
め、各種素子の製造工程での透明導電膜の状態の見極め
が困難であった。
板上に透明導電膜を形成する際の基板の温度は、ガラス
基板上に透明導電膜を通常２００〜３００℃で形成する
ときとは大きく異なり、熱的に制約されるため通常、室
温以下程度から、高分子基板の軟化点温度程度の範囲が
用いられている。そのような低温基板上に形成された透
明導電膜は非晶質膜或いは非晶質と結晶質が混在した膜
となっている。特に、非晶質な透明導電膜は、Ｘ線回折
のような巨視的構造に関する検討を行っても、所謂ハロ
ーと呼ばれる線幅の広い回折線を与えるのみであり、種
々のプロセスパラメーターを変化させ、例えば抵抗値に
代表される電気的特性が大きく異なる膜を作製したとし
ても、同様なハローを与えるに過ぎず、構造的には全く
等価な状態になっていると評価されてしまう。そのた
め、各種素子の製造工程での透明導電膜の状態の見極め
が困難であった。
【０００８】このような現状を鑑み、本発明の目的は、
高分子基板上に透明導電膜が形成されてなる透明導電積
層体において、結晶化が容易には起こらない透明導電積
層体を提供することにある。即ち、ある温度での熱量の
供給に対する挙動が明確な透明導電膜を有する透明導電
積層体を提供することにある。そして、これは、非晶質
という構造が不確定で非晶質という以外に分類のできな
かった透明導電膜の状態を熱力学的な手法により明確に
分類しようとするものである。より具体的には、高分子
基板の軟化点温度以下の熱処理により、非晶から結晶へ
の構造転移を起こし難い透明導電膜を形成してなる透明
導電積層体を供給することにある。
高分子基板上に透明導電膜が形成されてなる透明導電積
層体において、結晶化が容易には起こらない透明導電積
層体を提供することにある。即ち、ある温度での熱量の
供給に対する挙動が明確な透明導電膜を有する透明導電
積層体を提供することにある。そして、これは、非晶質
という構造が不確定で非晶質という以外に分類のできな
かった透明導電膜の状態を熱力学的な手法により明確に
分類しようとするものである。より具体的には、高分子
基板の軟化点温度以下の熱処理により、非晶から結晶へ
の構造転移を起こし難い透明導電膜を形成してなる透明
導電積層体を供給することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、基板温度
が室温程度で形成された非晶質或いは非晶質と結晶質が
混在するような透明導電膜を有する透明導電積層体につ
いて、その熱力学的な特性について示差走査型熱量計を
用いて鋭意検討した結果、透明導電膜の熱力学的な特性
が透明導電膜の製造条件によって変化することにより、
特に熱処理に伴う構造相転移の転移温度特性に対して大
きな違いを生じていることを見出した。これは以下のよ
うなメカニズムに基づくものである。
が室温程度で形成された非晶質或いは非晶質と結晶質が
混在するような透明導電膜を有する透明導電積層体につ
いて、その熱力学的な特性について示差走査型熱量計を
用いて鋭意検討した結果、透明導電膜の熱力学的な特性
が透明導電膜の製造条件によって変化することにより、
特に熱処理に伴う構造相転移の転移温度特性に対して大
きな違いを生じていることを見出した。これは以下のよ
うなメカニズムに基づくものである。
【００１０】透明導電膜を高分子基板上に形成する際に
は、高分子基板が充分な耐熱性を有さないために、ガラ
ス上に結晶性の良好な透明導電膜を形成するために必要
な２００℃以上の温度に加熱することは通常困難であ
る。透明導電膜を高分子基板の軟化点温度以下で形成し
た場合、その構造は殆どが非晶質である。あるいは、非
晶質と結晶質が混在した状態である。非晶質透明導電膜
の構造特性は、代表的な構造解析手法であるＸ線回折に
よれば、ハローと呼ばれるブロードな回折線を与えるの
みである。よって製造条件を変調した際の非晶質の状態
が同じなのか、異なっているのかはこの手法ではわから
ない。
は、高分子基板が充分な耐熱性を有さないために、ガラ
ス上に結晶性の良好な透明導電膜を形成するために必要
な２００℃以上の温度に加熱することは通常困難であ
る。透明導電膜を高分子基板の軟化点温度以下で形成し
た場合、その構造は殆どが非晶質である。あるいは、非
晶質と結晶質が混在した状態である。非晶質透明導電膜
の構造特性は、代表的な構造解析手法であるＸ線回折に
よれば、ハローと呼ばれるブロードな回折線を与えるの
みである。よって製造条件を変調した際の非晶質の状態
が同じなのか、異なっているのかはこの手法ではわから
ない。
【００１１】高分子基板上に透明導電膜が形成されてな
る透明導電積層体は、各種素子に加工される際に、高分
子基板の軟化点温度を超えない程度の様々な熱履歴を受
けることがわかっている。このとき、透明導電膜は受け
る熱履歴を通じた熱処理によって、結晶化を起こすこと
がある。即ち、非晶から結晶への構造相転移が起こって
しまうのである。しかし、電極加工工程では、このよう
な構造相転移がエッチング残渣として、工程トラブルの
原因になりやすい。そして、このような状態の変化は、
工程を想定した一定温度での熱処理による透明導電膜の
抵抗値の変化や、さらには高分子基板の反り量の変化に
よって、間接的に評価されているのが現状である。これ
は、非晶質という状態が、まったく同じ状態であるとい
うことではなく、異なった状態になっているということ
を示している。本発明者らは、製造条件の違いに起因す
る非晶質或いは非晶質と結晶質が混在した透明導電膜間
の違いを解明することこそが、素子加工に際し繰り返し
再現性を与える高分子基板上に透明導電膜を有する透明
導電積層体を供給する方法であると考えた。
る透明導電積層体は、各種素子に加工される際に、高分
子基板の軟化点温度を超えない程度の様々な熱履歴を受
けることがわかっている。このとき、透明導電膜は受け
る熱履歴を通じた熱処理によって、結晶化を起こすこと
がある。即ち、非晶から結晶への構造相転移が起こって
しまうのである。しかし、電極加工工程では、このよう
な構造相転移がエッチング残渣として、工程トラブルの
原因になりやすい。そして、このような状態の変化は、
工程を想定した一定温度での熱処理による透明導電膜の
抵抗値の変化や、さらには高分子基板の反り量の変化に
よって、間接的に評価されているのが現状である。これ
は、非晶質という状態が、まったく同じ状態であるとい
うことではなく、異なった状態になっているということ
を示している。本発明者らは、製造条件の違いに起因す
る非晶質或いは非晶質と結晶質が混在した透明導電膜間
の違いを解明することこそが、素子加工に際し繰り返し
再現性を与える高分子基板上に透明導電膜を有する透明
導電積層体を供給する方法であると考えた。
【００１２】ところが、このような現実があるにも関ら
ず、非晶質透明導電膜の差異について具体的に解析した
例は見当たらず、特に透明導電膜の熱力学的な特性の直
接的な観測を示差走査型熱量計で実施したという報告は
無い。
ず、非晶質透明導電膜の差異について具体的に解析した
例は見当たらず、特に透明導電膜の熱力学的な特性の直
接的な観測を示差走査型熱量計で実施したという報告は
無い。
【００１３】本発明者らは、X線回折法にて求めた巨視
的構造が非晶質或いは非晶質と結晶質が混在した状態で
ある透明導電膜において、外部からの熱刺激に対してそ
の応答の程度を定量的に解析した。そして透明導電膜の
熱的な特性を詳細に検討することにより、高分子基板か
らなる透明導電積層体を用いた各種素子形成過程に使用
される温度領域において、透明導電膜がどのような状態
にあるかを判断するのに有効な知見を得た。さらに、示
差走査型熱量計において特定の条件で測定したときの発
熱量及び最大発熱温度を示す透明導電膜が、外部からの
熱刺激に対して反応し難い即ち、結晶化を起こし難いも
のであることを見出し、本発明を完成するに至った。
的構造が非晶質或いは非晶質と結晶質が混在した状態で
ある透明導電膜において、外部からの熱刺激に対してそ
の応答の程度を定量的に解析した。そして透明導電膜の
熱的な特性を詳細に検討することにより、高分子基板か
らなる透明導電積層体を用いた各種素子形成過程に使用
される温度領域において、透明導電膜がどのような状態
にあるかを判断するのに有効な知見を得た。さらに、示
差走査型熱量計において特定の条件で測定したときの発
熱量及び最大発熱温度を示す透明導電膜が、外部からの
熱刺激に対して反応し難い即ち、結晶化を起こし難いも
のであることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１４】即ち本発明は、高分子基板上に透明導電膜
が形成されてなる透明導電積層体において、該透明導電
膜は示差走査型熱量計により毎分２０℃の昇温速度で３
０℃から５５０℃まで走査したときに最大発熱温度が１
５０〜３００℃の範囲にあることを特徴とし、該透明導
電膜は示差走査型熱量計により毎分２０℃の昇温速度で
３０℃から５５０℃まで走査したときに発熱量が１０〜
１４０Ｊ／ｇの範囲であることを特徴とする透明導電積
層体である。また、該透明導電膜が酸化インジウムを主
とし、酸化錫、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化チタン及
び酸化ゲルマニウムからなる群より選ばれる１種以上の
酸化物を含むことを特徴とし、該透明導電膜の厚さが１
０〜３５０ｎｍであることを特徴とする透明導電積層体
である。
が形成されてなる透明導電積層体において、該透明導電
膜は示差走査型熱量計により毎分２０℃の昇温速度で３
０℃から５５０℃まで走査したときに最大発熱温度が１
５０〜３００℃の範囲にあることを特徴とし、該透明導
電膜は示差走査型熱量計により毎分２０℃の昇温速度で
３０℃から５５０℃まで走査したときに発熱量が１０〜
１４０Ｊ／ｇの範囲であることを特徴とする透明導電積
層体である。また、該透明導電膜が酸化インジウムを主
とし、酸化錫、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化チタン及
び酸化ゲルマニウムからなる群より選ばれる１種以上の
酸化物を含むことを特徴とし、該透明導電膜の厚さが１
０〜３５０ｎｍであることを特徴とする透明導電積層体
である。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て順次説明していく。
て順次説明していく。
【００１６】本発明に使用される透明導電積層体は、高
分子基板の少なくとも一方の面上に透明導電膜が形成さ
れてなるものである。係る透明導電膜は、酸化インジウ
ムを主とし、酸化錫、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化チ
タン及び酸化ゲルマニウムからなる群より選ばれてなる
１種以上の酸化物を含むことを特徴としている。より具
体的には、酸化インジウムの８０〜９８重量％に対し
て、２〜２０重量％の酸化錫、酸化亜鉛、酸化ガリウ
ム、酸化チタン及び酸化ゲルマニウムからなる群より選
ばれてなる１種以上の酸化物を含むものである。
分子基板の少なくとも一方の面上に透明導電膜が形成さ
れてなるものである。係る透明導電膜は、酸化インジウ
ムを主とし、酸化錫、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化チ
タン及び酸化ゲルマニウムからなる群より選ばれてなる
１種以上の酸化物を含むことを特徴としている。より具
体的には、酸化インジウムの８０〜９８重量％に対し
て、２〜２０重量％の酸化錫、酸化亜鉛、酸化ガリウ
ム、酸化チタン及び酸化ゲルマニウムからなる群より選
ばれてなる１種以上の酸化物を含むものである。
【００１７】本発明に使用される高分子基板としては、
例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン２，
６ナフタレートといったポリエステル系高分子、ポリオ
レフィン系高分子や、ポリカーボネイト、ポリエーテル
スルホン、ポリアリレート等の単一成分の高分子、ある
いは光学的機能または熱力学的機能を付与するために、
これらの高分子に第二、第三成分を共重合した、共重合
高分子を用いることができる。
例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン２，
６ナフタレートといったポリエステル系高分子、ポリオ
レフィン系高分子や、ポリカーボネイト、ポリエーテル
スルホン、ポリアリレート等の単一成分の高分子、ある
いは光学的機能または熱力学的機能を付与するために、
これらの高分子に第二、第三成分を共重合した、共重合
高分子を用いることができる。
【００１８】特に、光学用途にはビスフェノール成分を
有する透明性が良好なポリカーボネイトが望ましい。
有する透明性が良好なポリカーボネイトが望ましい。
【００１９】かかるビスフェノール成分としては、例え
ば、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
（ビスフェノールＡ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン（ビスフェノールＺ）、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン、９，９−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）フルオレンを挙げることがで
きる。
ば、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
（ビスフェノールＡ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン（ビスフェノールＺ）、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン、９，９−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）フルオレンを挙げることがで
きる。
【００２０】これらは２種類以上組み合わせてもよい。
即ちかかるポリカーボネイトは共重合ポリカーボネイト
でもブレンド体でもよい。
即ちかかるポリカーボネイトは共重合ポリカーボネイト
でもブレンド体でもよい。
【００２１】さらに、新規機能を発現させるために複数
の高分子体をブレンドした高分子を用いることもでき
る。さらには、多層の共押出し高分子フィルムを用いる
こともできる。
の高分子体をブレンドした高分子を用いることもでき
る。さらには、多層の共押出し高分子フィルムを用いる
こともできる。
【００２２】また、高分子基板の厚みは、０．０１〜
０．４ｍｍのものを使用することができるが、０．１〜
０．２ｍｍ程度が液晶等の光学用途としては視認性の観
点より望ましい。また、０．０１ｍｍ程度の高分子基板
に形成した後、厚い高分子フィルムに貼り合わせても構
わない。
０．４ｍｍのものを使用することができるが、０．１〜
０．２ｍｍ程度が液晶等の光学用途としては視認性の観
点より望ましい。また、０．０１ｍｍ程度の高分子基板
に形成した後、厚い高分子フィルムに貼り合わせても構
わない。
【００２３】さらに高分子基板は光学等方性が優れるも
のが好ましく、リターデーデョンが３０ｎｍ以下、好ま
しくは１５ｎｍ以下のものが好適である。
のが好ましく、リターデーデョンが３０ｎｍ以下、好ま
しくは１５ｎｍ以下のものが好適である。
【００２４】本発明の透明導電積層体は高分子基板とそ
の少なくとも一方の面に形成される透明導電膜との密着
性の向上、高分子基板の耐久性の向上或いは、高分子基
板のガスバリア能を向上させるために、高分子基板と透
明導電膜との間、及び／または高分子基板の電極として
用いられる透明導電膜が形成された面とは反対の面に、
少なくとも一層以上からなるコーティング層を有してい
ても構わない。このコーティング層は、無機物または有
機物またはそれらの複合材料からなり、その膜厚は好ま
しくは０．０１〜２０μｍである。より望ましくは、１
０μｍ程度に抑制されることが望ましい。コーティング
層の形成にはコーターを用いた塗布法や、スプレー法、
スピンコート法、インラインコート法等が用いられるこ
とが多いが、この限りではない。また、スパッタ法、蒸
着法といった、ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ（以下ＰＶＤ）、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（以下ＣＶＤ）の手法が
用いられても構わない。コーティング層としては、アク
リル系樹脂、ウレタン系樹脂、ＵＶ硬化系樹脂、エポキ
シ系樹脂等の樹脂成分やこれらとアルミナ、シリカ、マ
イカ等の無機粒子の混合物が使われても良い。或いは、
高分子基板を二層以上の共押し出しによりコーティング
層の機能を持たせても構わない。ＰＶＤ、ＣＶＤの手法
では、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化珪
素、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化錫、酸化イン
ジウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化亜鉛等の酸化
物や、窒化珪素、窒化チタン、窒化タンタル等の窒化
物、酸化窒化珪素のような酸窒化物、あるいは、弗化マ
グネシウム、弗化カルシウム等の弗化物を単体あるいは
混合したものを形成して用いることができる。このよう
なコーティング層を有する透明導電積層体は、光学特性
としてレターデーションが低く、尚且つ透過率が高いこ
とが望ましい。無論、ＰＶＤ、ＣＶＤの手法で形成され
るコーティング層の下地には、密着性の向上や透過率の
調整、各種耐久性の向上のために、各種有機材料・無機
材料、それらの混合体が用いられても良い。
の少なくとも一方の面に形成される透明導電膜との密着
性の向上、高分子基板の耐久性の向上或いは、高分子基
板のガスバリア能を向上させるために、高分子基板と透
明導電膜との間、及び／または高分子基板の電極として
用いられる透明導電膜が形成された面とは反対の面に、
少なくとも一層以上からなるコーティング層を有してい
ても構わない。このコーティング層は、無機物または有
機物またはそれらの複合材料からなり、その膜厚は好ま
しくは０．０１〜２０μｍである。より望ましくは、１
０μｍ程度に抑制されることが望ましい。コーティング
層の形成にはコーターを用いた塗布法や、スプレー法、
スピンコート法、インラインコート法等が用いられるこ
とが多いが、この限りではない。また、スパッタ法、蒸
着法といった、ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ（以下ＰＶＤ）、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（以下ＣＶＤ）の手法が
用いられても構わない。コーティング層としては、アク
リル系樹脂、ウレタン系樹脂、ＵＶ硬化系樹脂、エポキ
シ系樹脂等の樹脂成分やこれらとアルミナ、シリカ、マ
イカ等の無機粒子の混合物が使われても良い。或いは、
高分子基板を二層以上の共押し出しによりコーティング
層の機能を持たせても構わない。ＰＶＤ、ＣＶＤの手法
では、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化珪
素、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化錫、酸化イン
ジウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化亜鉛等の酸化
物や、窒化珪素、窒化チタン、窒化タンタル等の窒化
物、酸化窒化珪素のような酸窒化物、あるいは、弗化マ
グネシウム、弗化カルシウム等の弗化物を単体あるいは
混合したものを形成して用いることができる。このよう
なコーティング層を有する透明導電積層体は、光学特性
としてレターデーションが低く、尚且つ透過率が高いこ
とが望ましい。無論、ＰＶＤ、ＣＶＤの手法で形成され
るコーティング層の下地には、密着性の向上や透過率の
調整、各種耐久性の向上のために、各種有機材料・無機
材料、それらの混合体が用いられても良い。
【００２５】本発明における、透明導電膜の形成手法
は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネト
ロンスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空
蒸着法、パルスレーザーデポジション法、これらを複合
した形成法等を用いることができるが、大面積に対して
均一な膜厚の透明導電膜を形成するという工業生産性に
着目すると、ＤＣマグネトロンスパッタリング法が望ま
しい。
は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネト
ロンスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空
蒸着法、パルスレーザーデポジション法、これらを複合
した形成法等を用いることができるが、大面積に対して
均一な膜厚の透明導電膜を形成するという工業生産性に
着目すると、ＤＣマグネトロンスパッタリング法が望ま
しい。
【００２６】スパッタリングに用いるターゲットは酸化
インジウムを主成分とする焼結ターゲットを用いること
が望ましいが、金属Ｉｎを主成分とする合金ターゲット
を用いて、反応性スパッタ等の手法を用いても構わな
い。
インジウムを主成分とする焼結ターゲットを用いること
が望ましいが、金属Ｉｎを主成分とする合金ターゲット
を用いて、反応性スパッタ等の手法を用いても構わな
い。
【００２７】本発明では、酸化物焼結ターゲットを用い
てＤＣマグネトロンスパッタリング法により上記透明導
電膜を製膜する場合は、該透明導電膜を製膜する真空槽
中の圧力を一旦１．３×１０-4Ｐａ以下とし、次いで不
活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて形成すること
ができる。透明導電膜を製膜する真空槽中の圧力は一旦
１．３×１０-4Ｐａ以下にすることが、真空槽中に残留
し、且つ透明導電膜の特性に影響を与えることが懸念さ
れる分子種の影響を低減できるので望ましい。より望ま
しくは、５×１０-5Ｐａ以下、さらに望ましくは２×１
０-5Ｐａ以下である。
てＤＣマグネトロンスパッタリング法により上記透明導
電膜を製膜する場合は、該透明導電膜を製膜する真空槽
中の圧力を一旦１．３×１０-4Ｐａ以下とし、次いで不
活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて形成すること
ができる。透明導電膜を製膜する真空槽中の圧力は一旦
１．３×１０-4Ｐａ以下にすることが、真空槽中に残留
し、且つ透明導電膜の特性に影響を与えることが懸念さ
れる分子種の影響を低減できるので望ましい。より望ま
しくは、５×１０-5Ｐａ以下、さらに望ましくは２×１
０-5Ｐａ以下である。
【００２８】次いで導入される不活性ガスとしては、Ｈ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅを用いることができ、原子
量の大きな不活性ガスほど形成される膜へのダメージが
少なく表面平坦性が向上すると言われている。しかし、
コスト面から考えてＡｒが望ましい。この不活性ガスに
は膜中に取り込まれる酸素濃度を調整するために、分圧
に換算して１．３×１０-4〜７×１０-2Ｐａ台の酸素を
添加しても構わない。さらに、酸素の他にＯ3、Ｎ2、Ｎ
2Ｏ、Ｈ2Ｏ、ＮＨ3等を目的に応じて用いることができ
る。
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅを用いることができ、原子
量の大きな不活性ガスほど形成される膜へのダメージが
少なく表面平坦性が向上すると言われている。しかし、
コスト面から考えてＡｒが望ましい。この不活性ガスに
は膜中に取り込まれる酸素濃度を調整するために、分圧
に換算して１．３×１０-4〜７×１０-2Ｐａ台の酸素を
添加しても構わない。さらに、酸素の他にＯ3、Ｎ2、Ｎ
2Ｏ、Ｈ2Ｏ、ＮＨ3等を目的に応じて用いることができ
る。
【００２９】また、本発明では、透明導電膜を製膜する
真空槽中の水の分圧を１．３×１０ -4Ｐａ以下とし、次
いで不活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて形成す
ることができる。水の分圧は、より望ましくは、４×１
０-5Ｐａ以下、さらに望ましくは２×１０-5Ｐａ以下に
制御できる。しかし、非晶質の状態を変化させるため
に、水を意図的に１．３×１０-4〜３×１０-2Ｐａの範
囲で導入しても構わない。この調整は、一旦真空を形成
した後に、バリアブルリークバルブやマスフローコント
ローラーを用いて水を導入することで行っても良い。ま
た、真空槽の背圧を制御することによっても実施するこ
とができる。
真空槽中の水の分圧を１．３×１０ -4Ｐａ以下とし、次
いで不活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて形成す
ることができる。水の分圧は、より望ましくは、４×１
０-5Ｐａ以下、さらに望ましくは２×１０-5Ｐａ以下に
制御できる。しかし、非晶質の状態を変化させるため
に、水を意図的に１．３×１０-4〜３×１０-2Ｐａの範
囲で導入しても構わない。この調整は、一旦真空を形成
した後に、バリアブルリークバルブやマスフローコント
ローラーを用いて水を導入することで行っても良い。ま
た、真空槽の背圧を制御することによっても実施するこ
とができる。
【００３０】本発明における水分圧を決定するときに
は、差動排気型のインプロセスモニターを用いても良
い。またはダイナミックレンジが広く、０．１Ｐａ台の
圧力下においても計測が可能な四重極質量分析計を用い
ても良い。また、一般的に、１．３×１０-5Ｐａ程度の
真空度においては、その圧力を形成しているのは水であ
る。よって、真空計によって計測された値をそのまま水
分圧と考えても構わない。
は、差動排気型のインプロセスモニターを用いても良
い。またはダイナミックレンジが広く、０．１Ｐａ台の
圧力下においても計測が可能な四重極質量分析計を用い
ても良い。また、一般的に、１．３×１０-5Ｐａ程度の
真空度においては、その圧力を形成しているのは水であ
る。よって、真空計によって計測された値をそのまま水
分圧と考えても構わない。
【００３１】本発明においては、高分子基板を用いるた
め、基板温度を当該高分子基板の軟化点温度より上昇さ
せることはできない。よって、透明導電膜を形成するた
めには、高分子基板の温度は室温以下程度から軟化点温
度以下とする必要がある。代表的な高分子基板であるポ
リエチレンテレフタレートの場合、特別な処理を行わな
いときは基板温度を８０℃以下の温度に保ったまま導電
膜を形成することが望ましい。より望ましくは５０℃以
下の基板温度にて、さらに望ましくは２０℃以下であ
る。
め、基板温度を当該高分子基板の軟化点温度より上昇さ
せることはできない。よって、透明導電膜を形成するた
めには、高分子基板の温度は室温以下程度から軟化点温
度以下とする必要がある。代表的な高分子基板であるポ
リエチレンテレフタレートの場合、特別な処理を行わな
いときは基板温度を８０℃以下の温度に保ったまま導電
膜を形成することが望ましい。より望ましくは５０℃以
下の基板温度にて、さらに望ましくは２０℃以下であ
る。
【００３２】透明導電膜の膜厚は、用途によって決定さ
れる。しかし、可撓性が悪化するため、３５０ｎｍ以上
の透明導電膜を有することは望ましくない。また、１０
ｎｍ以下の膜厚では、不連続な膜となってしまうことが
懸念され、透明導電膜としての機能が著しく悪化する。
よって、本発明の透明導電膜の膜厚は用途に応じて１０
〜３５０ｎｍとすることが望ましい。例えば、液晶表示
素子用の場合は３０〜３３０ｎｍ程度が望ましい。
れる。しかし、可撓性が悪化するため、３５０ｎｍ以上
の透明導電膜を有することは望ましくない。また、１０
ｎｍ以下の膜厚では、不連続な膜となってしまうことが
懸念され、透明導電膜としての機能が著しく悪化する。
よって、本発明の透明導電膜の膜厚は用途に応じて１０
〜３５０ｎｍとすることが望ましい。例えば、液晶表示
素子用の場合は３０〜３３０ｎｍ程度が望ましい。
【００３３】本発明における、透明導電膜の熱特性は、
ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＤＳＣ２９２０Ｍｏ
ｄｕｌａｔｅｄ ＤＳＣを用いて解析した。熱特性の計
測は３０〜５５０℃の範囲を毎分２０℃の昇温速度で測
定した。また、試料はアルミニウムのパンに入れて測定
した。この際、試料の重量は２〜２０ｍｇとし、マイク
ロ天秤にて１μｇのオーダーまで計測した。また、測定
時のリファレンスには空のアルミニウムパンを用いた。
DSC２９２０Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ ＤＳＣは熱流速型の
測定装置であるため、窒素ガスを５０ｃｃ毎分セル内に
流した。
ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＤＳＣ２９２０Ｍｏ
ｄｕｌａｔｅｄ ＤＳＣを用いて解析した。熱特性の計
測は３０〜５５０℃の範囲を毎分２０℃の昇温速度で測
定した。また、試料はアルミニウムのパンに入れて測定
した。この際、試料の重量は２〜２０ｍｇとし、マイク
ロ天秤にて１μｇのオーダーまで計測した。また、測定
時のリファレンスには空のアルミニウムパンを用いた。
DSC２９２０Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ ＤＳＣは熱流速型の
測定装置であるため、窒素ガスを５０ｃｃ毎分セル内に
流した。
【００３４】この測定では透明導電膜は、高分子基板か
ら分離し採取する。その方法としては、鋭利な刃物で、
注意深く削り落とす方法や、化学的な処理をする方法が
挙げられる。化学的な処理方法としては、クロロホル
ム、メチレンクロライド、オルソクロロフェノール、ヘ
キサフルオロイソプロパノール、トリフルオロ酢酸等の
溶媒に高分子基板を溶解させ、次いでガラスフィルター
で不溶物として残る透明導電膜を濾過し試料として用い
ることができる。試料の採取に当たっては、溶媒に不溶
の成分を目の粗いフィルターで濾過し、透明導電膜のみ
を別のガラスフィルターで濾過するといった手法が適切
である。
ら分離し採取する。その方法としては、鋭利な刃物で、
注意深く削り落とす方法や、化学的な処理をする方法が
挙げられる。化学的な処理方法としては、クロロホル
ム、メチレンクロライド、オルソクロロフェノール、ヘ
キサフルオロイソプロパノール、トリフルオロ酢酸等の
溶媒に高分子基板を溶解させ、次いでガラスフィルター
で不溶物として残る透明導電膜を濾過し試料として用い
ることができる。試料の採取に当たっては、溶媒に不溶
の成分を目の粗いフィルターで濾過し、透明導電膜のみ
を別のガラスフィルターで濾過するといった手法が適切
である。
【００３５】このように採取した透明導電膜からは例え
ば図１に示すような示差走査型熱量計のプロファイルが
計測される。ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＤＳＣ
２９２０Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ ＤＳＣにおいては、試料
から発熱が起こる場合に、熱量が図１における縦軸Ｈｅ
ａｔ Ｆｌｏｗの増大として観測されるようになってい
る。
ば図１に示すような示差走査型熱量計のプロファイルが
計測される。ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＤＳＣ
２９２０Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ ＤＳＣにおいては、試料
から発熱が起こる場合に、熱量が図１における縦軸Ｈｅ
ａｔ Ｆｌｏｗの増大として観測されるようになってい
る。
【００３６】本発明で、最大発熱温度と呼んでいる温度
は、図１に矢印で示したような、発熱量が極大を迎え、
その後発熱量が減少する、所謂ピーク形状において最も
発熱量が最も大きい温度として定義している。
は、図１に矢印で示したような、発熱量が極大を迎え、
その後発熱量が減少する、所謂ピーク形状において最も
発熱量が最も大きい温度として定義している。
【００３７】本発明の透明導電膜は、最大発熱温度を１
５０〜３００℃の範囲に有する。より好ましくは、１７
０〜２５０℃の範囲に有する。また、発熱の開始は、１
００℃以上が好ましいものの、必ずしもこの限りではな
い。このような膜は、１３０℃程度の熱処理では、結晶
化を起こさせるために、１時間以上の長い時間が必要で
あることがわかった。
５０〜３００℃の範囲に有する。より好ましくは、１７
０〜２５０℃の範囲に有する。また、発熱の開始は、１
００℃以上が好ましいものの、必ずしもこの限りではな
い。このような膜は、１３０℃程度の熱処理では、結晶
化を起こさせるために、１時間以上の長い時間が必要で
あることがわかった。
【００３８】また、本願発明とは、直接的な関係を持た
ないものの、３００〜４００℃の範囲に発熱の極大を有
するＤＳＣチャートが得られている。これは、１５０〜
３００℃に現れるピークとは物理的意味が異なり、透明
導電膜の結晶化のみならず酸化されることに由来するピ
ークである。３００〜４００℃という温度は、一般にガ
ラス基板上に形成されてなる透明導電膜を熱処理すると
きに用いられている温度である。ガラス基板上に形成さ
れてなる透明導電膜を完全に結晶へ相転移させるために
は、３００〜４００℃の温度が必要であることを示唆し
ていると考えられる。
ないものの、３００〜４００℃の範囲に発熱の極大を有
するＤＳＣチャートが得られている。これは、１５０〜
３００℃に現れるピークとは物理的意味が異なり、透明
導電膜の結晶化のみならず酸化されることに由来するピ
ークである。３００〜４００℃という温度は、一般にガ
ラス基板上に形成されてなる透明導電膜を熱処理すると
きに用いられている温度である。ガラス基板上に形成さ
れてなる透明導電膜を完全に結晶へ相転移させるために
は、３００〜４００℃の温度が必要であることを示唆し
ていると考えられる。
【００３９】本発明の透明導電膜は、毎分20度の昇温速
度で、示差走査型熱量計で30℃から550℃の範囲を走査
したときに、図１に図示したようなベースライン１１に
よって囲まれた発熱が開始する温度から４５０℃程度の
温度範囲におけるピーク状のプロファイルの面積として
定義される。そして、発熱量が１０〜１４０J/gの範囲
であること、より好ましくは、３０〜１４０J/gである
ことが好ましい。１０J/gより小さい発熱量では、結晶
化が130℃程度の温度で容易に起こってしまう可能性が
ある。また、１４０J/gより大きい発熱量では、結晶化
は起こり難いものの、抵抗値の制御がやや困難になる傾
向にある。
度で、示差走査型熱量計で30℃から550℃の範囲を走査
したときに、図１に図示したようなベースライン１１に
よって囲まれた発熱が開始する温度から４５０℃程度の
温度範囲におけるピーク状のプロファイルの面積として
定義される。そして、発熱量が１０〜１４０J/gの範囲
であること、より好ましくは、３０〜１４０J/gである
ことが好ましい。１０J/gより小さい発熱量では、結晶
化が130℃程度の温度で容易に起こってしまう可能性が
ある。また、１４０J/gより大きい発熱量では、結晶化
は起こり難いものの、抵抗値の制御がやや困難になる傾
向にある。
【００４０】本発明による、透明導電積層体は、素子形
成工程における熱履歴によって、容易には結晶化しない
のみならず、非晶質透明導電膜に特有の表面平坦性が確
保されている。したがって、液晶表示素子を鑑みた場
合、並びに有機EL素子を鑑みた場合、特に優れた加工性
能を発揮できる。
成工程における熱履歴によって、容易には結晶化しない
のみならず、非晶質透明導電膜に特有の表面平坦性が確
保されている。したがって、液晶表示素子を鑑みた場
合、並びに有機EL素子を鑑みた場合、特に優れた加工性
能を発揮できる。
【００４１】
【実施例】以下に実施例を示すが、本発明はこれらに制
限されるものではない。
限されるものではない。
【００４２】［実施例１］真空槽の背圧を１．３×１０
-5Ｐａとし、反応ガスとして酸素を導入し、さらに不活
性ガスとして、Ａｒを導入し、全圧を０．４Ｐａとし
た。四重極質量分析計にて測定した、不活性ガスを導入
する前の水分圧は電離真空計にて読み取った真空槽の背
圧と同じであった。酸素分圧は４．６×１０-3Ｐａであ
った。
-5Ｐａとし、反応ガスとして酸素を導入し、さらに不活
性ガスとして、Ａｒを導入し、全圧を０．４Ｐａとし
た。四重極質量分析計にて測定した、不活性ガスを導入
する前の水分圧は電離真空計にて読み取った真空槽の背
圧と同じであった。酸素分圧は４．６×１０-3Ｐａであ
った。
【００４３】酸化錫を５重量％含む、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏか
らなる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ 2の電力密度でＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により、基板温度５℃、
０．１ｍｍ厚みのポリカーボネイト基板上へ、３３０ｎ
ｍの膜厚の透明導電膜を形成し透明導電積層体を製造し
た。
らなる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ 2の電力密度でＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により、基板温度５℃、
０．１ｍｍ厚みのポリカーボネイト基板上へ、３３０ｎ
ｍの膜厚の透明導電膜を形成し透明導電積層体を製造し
た。
【００４４】次いで、該透明導電積層体の一部をメチレ
ンクロライドに浸積しポリカーボネイト基板を溶解さ
せ、残った透明導電膜をガラスフィルターにて濾過し採
取した。
ンクロライドに浸積しポリカーボネイト基板を溶解さ
せ、残った透明導電膜をガラスフィルターにて濾過し採
取した。
【００４５】この透明導電膜の熱特性を示差走査型熱量
計で３０〜５５０℃の範囲を毎分２０℃の昇温速度で測
定したところ、図１に示すように発熱は８０℃から始ま
った。また、最大発熱温度は２６０℃であった。また、
発熱量は２２J/gであった。
計で３０〜５５０℃の範囲を毎分２０℃の昇温速度で測
定したところ、図１に示すように発熱は８０℃から始ま
った。また、最大発熱温度は２６０℃であった。また、
発熱量は２２J/gであった。
【００４６】上記透明導電積層体を１３０℃の熱処理し
たところ、透明導電体は４時間後にも、ほとんど結晶化
を起こしていなかった。
たところ、透明導電体は４時間後にも、ほとんど結晶化
を起こしていなかった。
【００４７】［実施例２］真空槽の背圧を１．３×１０
-5Ｐａとし、反応ガスとして酸素を導入せず、不活性ガ
スとしてＡｒを導入し、全圧を０．４Ｐａとした。四重
極質量分析計にて測定した、不活性ガスを導入する前の
水分圧は電離真空計にて読み取った真空槽の背圧と同じ
であった。
-5Ｐａとし、反応ガスとして酸素を導入せず、不活性ガ
スとしてＡｒを導入し、全圧を０．４Ｐａとした。四重
極質量分析計にて測定した、不活性ガスを導入する前の
水分圧は電離真空計にて読み取った真空槽の背圧と同じ
であった。
【００４８】酸化錫を５重量％含む、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏか
らなる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ 2の電力密度でＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により、基板温度５℃、
０．１ｍｍ厚みのポリカーボネイト基板上へ、３３０ｎ
ｍの膜厚の透明導電膜を形成し透明導電積層体を製造し
た。
らなる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ 2の電力密度でＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により、基板温度５℃、
０．１ｍｍ厚みのポリカーボネイト基板上へ、３３０ｎ
ｍの膜厚の透明導電膜を形成し透明導電積層体を製造し
た。
【００４９】次いで、該透明導電積層体の一部をメチレ
ンクロライドに浸積しポリカーボネイト基板を溶解さ
せ、残った透明導電膜をガラスフィルターにて濾過し採
取した。
ンクロライドに浸積しポリカーボネイト基板を溶解さ
せ、残った透明導電膜をガラスフィルターにて濾過し採
取した。
【００５０】この透明導電膜の熱特性を示差走査型熱量
計で３０〜５５０℃の範囲を毎分２０℃の昇温速度で測
定したところ、発熱が８０℃から始まった。最大発熱温
度は２４０℃となっていた。また、発熱量は３６J/gで
あった。この積層体は、実施例１と同様の熱処理におい
て透明導電体は４時間後にも、ほとんど結晶化を起こし
ていなかった。
計で３０〜５５０℃の範囲を毎分２０℃の昇温速度で測
定したところ、発熱が８０℃から始まった。最大発熱温
度は２４０℃となっていた。また、発熱量は３６J/gで
あった。この積層体は、実施例１と同様の熱処理におい
て透明導電体は４時間後にも、ほとんど結晶化を起こし
ていなかった。
【００５１】［実施例３］真空槽の背圧を１．３×１０
-3Ｐａとし、反応ガスとして酸素を導入し、さらに不活
性ガスとして、Ａｒを導入し、全圧を０．４Ｐａとし
た。四重極質量分析計にて測定した、不活性ガスを導入
する前の水分圧は電離真空計にて読み取った真空槽の背
圧と同じであった。酸素分圧は２．７×１０-3Ｐａであ
った。
-3Ｐａとし、反応ガスとして酸素を導入し、さらに不活
性ガスとして、Ａｒを導入し、全圧を０．４Ｐａとし
た。四重極質量分析計にて測定した、不活性ガスを導入
する前の水分圧は電離真空計にて読み取った真空槽の背
圧と同じであった。酸素分圧は２．７×１０-3Ｐａであ
った。
【００５２】酸化錫を５重量％含む、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏか
らなる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ 2の電力密度でＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により、基板温度５℃、
０．１ｍｍ厚みのポリカーボネイト基板上へ、３３０ｎ
ｍの膜厚の透明導電膜を形成し透明導電積層体を製造し
た。
らなる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ 2の電力密度でＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により、基板温度５℃、
０．１ｍｍ厚みのポリカーボネイト基板上へ、３３０ｎ
ｍの膜厚の透明導電膜を形成し透明導電積層体を製造し
た。
【００５３】次いで、該透明導電積層体の一部をメチレ
ンクロライドに浸積しポリカーボネイト基板を溶解さ
せ、残った透明導電膜をガラスフィルターにて濾過し採
取した。
ンクロライドに浸積しポリカーボネイト基板を溶解さ
せ、残った透明導電膜をガラスフィルターにて濾過し採
取した。
【００５４】この透明導電膜の熱特性を示差走査型熱量
計で３０〜５５０℃の範囲を毎分２０℃の昇温速度で測
定したところ、発熱が１１０℃から始まった。最大発熱
温度は２００℃であった。また、発熱量は１３０J/gで
あった。この積層体は、実施例１と同様の熱処理におい
て透明導電体は４時間後にも、ほとんど結晶化を起こし
ていなかった。
計で３０〜５５０℃の範囲を毎分２０℃の昇温速度で測
定したところ、発熱が１１０℃から始まった。最大発熱
温度は２００℃であった。また、発熱量は１３０J/gで
あった。この積層体は、実施例１と同様の熱処理におい
て透明導電体は４時間後にも、ほとんど結晶化を起こし
ていなかった。
【００５５】［比較例１］真空槽の背圧を１．３×１０
-5Ｐａとし、反応ガスとして酸素を導入し、さらに不活
性ガスとして、Ａｒを導入し、全圧を０．４Ｐａとし
た。四重極質量分析計にて測定した、不活性ガスを導入
する前の水分圧は電離真空計にて読み取った真空槽の背
圧と同じであった。酸素分圧は２．７×１０-3Ｐａであ
った。
-5Ｐａとし、反応ガスとして酸素を導入し、さらに不活
性ガスとして、Ａｒを導入し、全圧を０．４Ｐａとし
た。四重極質量分析計にて測定した、不活性ガスを導入
する前の水分圧は電離真空計にて読み取った真空槽の背
圧と同じであった。酸素分圧は２．７×１０-3Ｐａであ
った。
【００５６】酸化錫を５重量％含む、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏか
らなる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ 2の電力密度でＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により、基板温度５℃、
０．１ｍｍ厚みのポリカーボネイト基板上へ、３３０ｎ
ｍの膜厚の透明導電膜を形成し透明導電積層体を製造し
た。
らなる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ 2の電力密度でＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により、基板温度５℃、
０．１ｍｍ厚みのポリカーボネイト基板上へ、３３０ｎ
ｍの膜厚の透明導電膜を形成し透明導電積層体を製造し
た。
【００５７】次いで、該透明導電積層体の一部をメチレ
ンクロライドに浸積しポリカーボネイト基板を溶解さ
せ、残った透明導電膜をガラスフィルターにて濾過し採
取した。
ンクロライドに浸積しポリカーボネイト基板を溶解さ
せ、残った透明導電膜をガラスフィルターにて濾過し採
取した。
【００５８】この透明導電膜の熱特性を示差走査型熱量
計で３０〜５５０℃の範囲を毎分２０℃の昇温速度で計
測したところ、発熱が８０℃から始まった。また、最大
発熱温度は１３０℃であった。発熱量は１８J/gであっ
た。なお、この積層体は、実施例１と同様の熱処理にお
いて１時間以内に結晶化した。
計で３０〜５５０℃の範囲を毎分２０℃の昇温速度で計
測したところ、発熱が８０℃から始まった。また、最大
発熱温度は１３０℃であった。発熱量は１８J/gであっ
た。なお、この積層体は、実施例１と同様の熱処理にお
いて１時間以内に結晶化した。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高分子基板上に低温プロセスにて形成した非晶質、或い
は、非晶質と結晶質が混在した透明導電膜を有する透明
導電積層体において、熱処理に対し、例えば１００〜１
５０℃程度の温度による熱処理により容易に結晶化を起
こし難い透明導電膜を有する透明導電積層体を供給する
ことができる。そして、本発明による透明導電積層体
は、エッチング工程を含む液晶表示素子形成や有機ＥＬ
素子形成に好適である。
高分子基板上に低温プロセスにて形成した非晶質、或い
は、非晶質と結晶質が混在した透明導電膜を有する透明
導電積層体において、熱処理に対し、例えば１００〜１
５０℃程度の温度による熱処理により容易に結晶化を起
こし難い透明導電膜を有する透明導電積層体を供給する
ことができる。そして、本発明による透明導電積層体
は、エッチング工程を含む液晶表示素子形成や有機ＥＬ
素子形成に好適である。
【図１】本発明の実施例１にて観測されたＤＳＣ曲線の
測定図である。
測定図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4F100 AA17B AA21B AA25B AA26B
AA28B AK01A AK45 AR00B
BA02 BA07 GB41 JA11 JA12
JG01B JJ06B JM02B JN01B
YY00B
4K029 AA11 AA24 BA45 BB10 BC09
CA06 EA01 EA08
5G307 FA02 FB01 FC10
Claims (4)
- 【請求項１】 高分子基板上に透明導電膜が形成されて
なる透明導電積層体において、該透明導電膜は示差走査
型熱量計により毎分２０℃の昇温速度で３０℃から５５
０℃まで走査したときに最大発熱温度が１５０〜３００
℃の範囲にあることを特徴とする透明導電積層体。 - 【請求項２】 透明導電膜は示差走査型熱量計により毎
分２０℃の昇温速度で３０℃から５５０℃まで走査した
ときに発熱量が１０〜１４０Ｊ／ｇの範囲にあることを
特徴とする請求項１記載の透明導電積層体。 - 【請求項３】 透明導電膜が酸化インジウムを主とし、
酸化錫、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化チタン及び酸化
ゲルマニウムからなる群より選ばれる１種以上の酸化物
を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の透明導電
積層体。 - 【請求項４】 透明導電膜の厚さが１０〜３５０ｎｍで
あることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
透明導電積層体。
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|---|---|---|---|
| JP2001286765A JP4515676B2 (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | 透明導電積層体 |
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| JP2001286765A JP4515676B2 (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | 透明導電積層体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003100152A true JP2003100152A (ja) | 2003-04-04 |
| JP4515676B2 JP4515676B2 (ja) | 2010-08-04 |
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| JP2001286765A Expired - Fee Related JP4515676B2 (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | 透明導電積層体 |
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| JP (1) | JP4515676B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100151A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Teijin Ltd | 透明導電積層体 |
| WO2007058231A1 (ja) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル |
| US7998372B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-08-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Semiconductor thin film, method for manufacturing the same, thin film transistor, and active-matrix-driven display panel |
| US9657386B2 (en) | 2014-03-28 | 2017-05-23 | Kaneka Corporation | Transparent conductive film and method for producing same |
| CN114753150A (zh) * | 2022-05-12 | 2022-07-15 | 广东欣丰科技有限公司 | 一种导电织物及其制作方法和应用 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100151A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Teijin Ltd | 透明導電積層体 |
-
2001
- 2001-09-20 JP JP2001286765A patent/JP4515676B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP4515675B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2010-08-04 | 帝人株式会社 | 透明導電積層体 |
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| CN114753150A (zh) * | 2022-05-12 | 2022-07-15 | 广东欣丰科技有限公司 | 一种导电织物及其制作方法和应用 |
| CN114753150B (zh) * | 2022-05-12 | 2024-05-14 | 广东欣丰科技有限公司 | 一种导电织物及其制作方法和应用 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4515676B2 (ja) | 2010-08-04 |
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