JP2003090614A - 基板処理溶液加熱装置 - Google Patents
基板処理溶液加熱装置Info
- Publication number
- JP2003090614A JP2003090614A JP2001286796A JP2001286796A JP2003090614A JP 2003090614 A JP2003090614 A JP 2003090614A JP 2001286796 A JP2001286796 A JP 2001286796A JP 2001286796 A JP2001286796 A JP 2001286796A JP 2003090614 A JP2003090614 A JP 2003090614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- lamp heater
- substrate processing
- heating apparatus
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Instantaneous Water Boilers, Portable Hot-Water Supply Apparatuses, And Control Of Portable Hot-Water Supply Apparatuses (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ランプヒータが交換可能な基板処理溶液加熱
装置を提供する。 【解決手段】 円筒状の基板処理溶液加熱装置１の中心
軸部分に、光透過性、耐薬品性に優れたＰＦＡ製の保護
膜１１からなり、ランプヒータＬＨが挿脱可能なランプ
ヒータ挿入部１０を設ける。ランプヒータ挿入部１０の
周囲に略中空円筒状の溶液槽１２を設け、溶液槽１２に
貯留した溶液ＳＯＬを、ランプヒータＬＨが発する光に
より放射加熱する。ランプヒータＬＨが保護膜１０で保
護されているので、溶液槽１２から溶液ＳＯＬが漏出し
た場合でも引火・爆発の危険はない。また、ランプヒー
タＬＨは挿脱可能なので、メンテナンスも容易である。
装置を提供する。 【解決手段】 円筒状の基板処理溶液加熱装置１の中心
軸部分に、光透過性、耐薬品性に優れたＰＦＡ製の保護
膜１１からなり、ランプヒータＬＨが挿脱可能なランプ
ヒータ挿入部１０を設ける。ランプヒータ挿入部１０の
周囲に略中空円筒状の溶液槽１２を設け、溶液槽１２に
貯留した溶液ＳＯＬを、ランプヒータＬＨが発する光に
より放射加熱する。ランプヒータＬＨが保護膜１０で保
護されているので、溶液槽１２から溶液ＳＯＬが漏出し
た場合でも引火・爆発の危険はない。また、ランプヒー
タＬＨは挿脱可能なので、メンテナンスも容易である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板等（以下、単に「基板」と称す
る）の洗浄処理に用いる溶液の加熱装置に関する。
表示装置用ガラス基板等（以下、単に「基板」と称す
る）の洗浄処理に用いる溶液の加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスは、数多くの工程か
らなるが、一連の工程において基板の清浄度を維持する
ためには、複数回基板表面を洗浄する必要がある。洗浄
の方法は、湿式洗浄と乾式洗浄に大別されるが、それぞ
れに、目的に応じた様々な洗浄方法がある。
らなるが、一連の工程において基板の清浄度を維持する
ためには、複数回基板表面を洗浄する必要がある。洗浄
の方法は、湿式洗浄と乾式洗浄に大別されるが、それぞ
れに、目的に応じた様々な洗浄方法がある。
【０００３】このうち、溶液を用いて行われる湿式洗浄
では、近来、洗浄溶液として有機溶剤を使用した洗浄方
法がしばしば用いられるようになってきている。洗浄溶
液として有機溶剤を使用する場合、洗浄効果を高めるた
めに、洗浄溶液は加熱してから洗浄に用いられる。その
ため、従来の加熱装置においては、引火や爆発の危険性
を回避するため、表面を例えばテフロン（登録商標）
（材料名ポリテトラフルオロエチレン）でコーティング
したステンレスが、溶液と接触する部分に用いられてい
た。
では、近来、洗浄溶液として有機溶剤を使用した洗浄方
法がしばしば用いられるようになってきている。洗浄溶
液として有機溶剤を使用する場合、洗浄効果を高めるた
めに、洗浄溶液は加熱してから洗浄に用いられる。その
ため、従来の加熱装置においては、引火や爆発の危険性
を回避するため、表面を例えばテフロン（登録商標）
（材料名ポリテトラフルオロエチレン）でコーティング
したステンレスが、溶液と接触する部分に用いられてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、使用す
る溶液の成分や濃度によっては、上述のコーティングが
容易に剥離あるいは溶出してしまい、ステンレスの金属
成分がイオンとなって溶液中に溶解するという問題が生
じていた。
る溶液の成分や濃度によっては、上述のコーティングが
容易に剥離あるいは溶出してしまい、ステンレスの金属
成分がイオンとなって溶液中に溶解するという問題が生
じていた。
【０００５】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、装置の構成材の溶出が生じない基板処理溶液加
熱装置を提供することを目的とする。
であり、装置の構成材の溶出が生じない基板処理溶液加
熱装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板の処理に供される溶液を加
熱する装置であって、溶液を放射加熱するランプヒータ
と、光透過性を有する部材で構成され、溶液の導入口と
排出口とを備え、溶液が貯留される溶液槽と、光透過性
および耐薬品性を有する部材で構成され、かつ、前記溶
液槽の槽面に対向して配置され、前記ランプヒータを挿
脱可能に保持するランプヒータ挿入部と、を備えること
を特徴とする。
め、請求項１の発明は、基板の処理に供される溶液を加
熱する装置であって、溶液を放射加熱するランプヒータ
と、光透過性を有する部材で構成され、溶液の導入口と
排出口とを備え、溶液が貯留される溶液槽と、光透過性
および耐薬品性を有する部材で構成され、かつ、前記溶
液槽の槽面に対向して配置され、前記ランプヒータを挿
脱可能に保持するランプヒータ挿入部と、を備えること
を特徴とする。
【０００７】また、請求項２の発明は、請求項１に記載
の基板処理溶液加熱装置であって、前記ランプヒータ挿
入部を構成する部材の主成分が、ＰＦＡ（４フッ化エチ
レンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体）
であることを特徴とする。
の基板処理溶液加熱装置であって、前記ランプヒータ挿
入部を構成する部材の主成分が、ＰＦＡ（４フッ化エチ
レンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体）
であることを特徴とする。
【０００８】また、請求項３の発明は、請求項１または
請求項２に記載の基板処理溶液加熱装置であって、前記
溶液槽が石英を主成分とする部材で構成されていること
を特徴とする。
請求項２に記載の基板処理溶液加熱装置であって、前記
溶液槽が石英を主成分とする部材で構成されていること
を特徴とする。
【０００９】また、請求項４の発明は、請求項１ないし
請求項３のいずれかに記載の基板処理溶液加熱装置であ
って、前記溶液槽が前記ランプヒータ挿入部の外周に配
置されることを特徴とする。
請求項３のいずれかに記載の基板処理溶液加熱装置であ
って、前記溶液槽が前記ランプヒータ挿入部の外周に配
置されることを特徴とする。
【００１０】また、請求項５の発明は、請求項４に記載
の基板処理溶液加熱装置であって、前記溶液槽が前記ラ
ンプヒータ挿入部を収容する中空部を持った略中空円筒
形状であることを特徴とする。
の基板処理溶液加熱装置であって、前記溶液槽が前記ラ
ンプヒータ挿入部を収容する中空部を持った略中空円筒
形状であることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】＜装置の概要＞図１は、本実施の
形態における基板処理溶液加熱装置１の模式図である。
図２は、基板処理溶液加熱装置１の断面図である。図１
に示すように、基板処理溶液加熱装置１は、略円筒形状
の外装ジャケット１６を有している。外装ジャケット１
６は、例えばステンレス鋼で形成される。また、外装ジ
ャケット１６の中心軸に沿って、ランプヒータ挿入部１
０が形成されている。ランプヒータ挿入部１０は、ＰＦ
Ａ（４フッ化エチレンとパーフルオロアルコキシエチレ
ンとの共重合体）を主成分とする中空筒状の保護膜１１
で囲まれた空隙を有し、図１の例では下方にあたる先端
部分が閉じて有底筒となっている。ＰＦＡは、光透過性
および耐薬品性を備えるのに加え、様々な形状への成形
加工にも適した素材である。ランプヒータ挿入部１０に
は、後述するランプヒータＬＨを矢印ＡＲ１のように挿
脱できる。なお、図１はランプヒータ挿入部１０にラン
プヒータＬＨを挿入していない状態を示しており、図２
は、ランプヒータ挿入部１０にランプヒータＬＨを挿入
した状態を示している。
形態における基板処理溶液加熱装置１の模式図である。
図２は、基板処理溶液加熱装置１の断面図である。図１
に示すように、基板処理溶液加熱装置１は、略円筒形状
の外装ジャケット１６を有している。外装ジャケット１
６は、例えばステンレス鋼で形成される。また、外装ジ
ャケット１６の中心軸に沿って、ランプヒータ挿入部１
０が形成されている。ランプヒータ挿入部１０は、ＰＦ
Ａ（４フッ化エチレンとパーフルオロアルコキシエチレ
ンとの共重合体）を主成分とする中空筒状の保護膜１１
で囲まれた空隙を有し、図１の例では下方にあたる先端
部分が閉じて有底筒となっている。ＰＦＡは、光透過性
および耐薬品性を備えるのに加え、様々な形状への成形
加工にも適した素材である。ランプヒータ挿入部１０に
は、後述するランプヒータＬＨを矢印ＡＲ１のように挿
脱できる。なお、図１はランプヒータ挿入部１０にラン
プヒータＬＨを挿入していない状態を示しており、図２
は、ランプヒータ挿入部１０にランプヒータＬＨを挿入
した状態を示している。
【００１２】ランプヒータＬＨは、光を照射し、その際
の放射熱によって被加熱体を加熱する機能を備えてい
る。本実施の形態においては、後述する溶液槽１２に存
在する溶液ＳＯＬを加熱するための加熱源として機能す
る。ランプヒータＬＨとしては、例えば、水銀灯やハロ
ゲンランプを用いることができる。なお、ランプヒータ
挿入部１０に挿入されたランプヒータＬＨは、望ましく
は衝撃を吸収する機能を備えた材質（例えば耐熱ゴム）
からなるガイド１３によって、ランプヒータ挿入部１０
に固定される。
の放射熱によって被加熱体を加熱する機能を備えてい
る。本実施の形態においては、後述する溶液槽１２に存
在する溶液ＳＯＬを加熱するための加熱源として機能す
る。ランプヒータＬＨとしては、例えば、水銀灯やハロ
ゲンランプを用いることができる。なお、ランプヒータ
挿入部１０に挿入されたランプヒータＬＨは、望ましく
は衝撃を吸収する機能を備えた材質（例えば耐熱ゴム）
からなるガイド１３によって、ランプヒータ挿入部１０
に固定される。
【００１３】また、外装ジャケット１６の内部の、ラン
プヒータ挿入部１０の周囲には、ランプヒータ挿入部１
０と中心軸を一にする、略中空円筒形状の溶液槽１２が
備わっている。溶液槽１２は、内部に貯留される溶液Ｓ
ＯＬのランプヒータＬＨからの放射熱による加熱が効率
よくなされるために、光透過性を有する材料、例えば石
英で形成され、その槽面（本実施形態では内側の筒面と
しての内槽面）がランプヒータ挿入部１０に対向してい
る。溶液槽１２に貯留される溶液ＳＯＬは、例えばジメ
チルスルオキシドや、モノエタノールアミンなどを含有
する。また、溶液槽１２には、溶液ＳＯＬを取り入れる
取入口１４と溶液槽１２から溶液ＳＯＬを排出する排出
口１５とが備わっている。取入口１４および排出口１５
には、図示を省略する接続部材によって、ＰＦＡ製の配
管（チューブ）２１、２２が接続され、矢印ＡＲ２およ
びＡＲ３に示すような装置外部との溶液ＳＯＬのやりと
りは、当該配管２１、２２を通じて行われる。なお、本
実施形態においては、溶液ＳＯＬが取入口１４を通じて
連続的あるいは断続的に溶液槽１２に供給され、これに
応じて排出口１５を通じて連続的あるいは断続的に溶液
ＳＯＬが排出され、その結果、一定時間の間に溶液槽１
２の内部に存在する溶液ＳＯＬが全て入れ替わるような
場合も含めて、溶液ＳＯＬが「貯留」されているものと
する。
プヒータ挿入部１０の周囲には、ランプヒータ挿入部１
０と中心軸を一にする、略中空円筒形状の溶液槽１２が
備わっている。溶液槽１２は、内部に貯留される溶液Ｓ
ＯＬのランプヒータＬＨからの放射熱による加熱が効率
よくなされるために、光透過性を有する材料、例えば石
英で形成され、その槽面（本実施形態では内側の筒面と
しての内槽面）がランプヒータ挿入部１０に対向してい
る。溶液槽１２に貯留される溶液ＳＯＬは、例えばジメ
チルスルオキシドや、モノエタノールアミンなどを含有
する。また、溶液槽１２には、溶液ＳＯＬを取り入れる
取入口１４と溶液槽１２から溶液ＳＯＬを排出する排出
口１５とが備わっている。取入口１４および排出口１５
には、図示を省略する接続部材によって、ＰＦＡ製の配
管（チューブ）２１、２２が接続され、矢印ＡＲ２およ
びＡＲ３に示すような装置外部との溶液ＳＯＬのやりと
りは、当該配管２１、２２を通じて行われる。なお、本
実施形態においては、溶液ＳＯＬが取入口１４を通じて
連続的あるいは断続的に溶液槽１２に供給され、これに
応じて排出口１５を通じて連続的あるいは断続的に溶液
ＳＯＬが排出され、その結果、一定時間の間に溶液槽１
２の内部に存在する溶液ＳＯＬが全て入れ替わるような
場合も含めて、溶液ＳＯＬが「貯留」されているものと
する。
【００１４】＜ランプヒータによる加熱＞上述のよう
に、本実施形態においては、基板処理用の溶液ＳＯＬ
を、ランプヒータ挿入部１０に挿入されたランプヒータ
ＬＨにより加熱する。図２に示す状態で、ランプヒータ
ＬＨは、図示を省略する駆動源の作用により光を発す
る。発した光は、矢印ＡＲ４の様に、いづれも光透過性
を備えるランプヒータ挿入部１０の保護膜１１および溶
液槽１２の側壁面をそれぞれ透過して、溶液槽１２内の
溶液ＳＯＬに達する。溶液ＳＯＬは、所定の加熱条件に
より希望する温度まで加熱された後、基板処理に用いら
れることになる。なお外装ジャケット１６にステンレス
鋼のように程度の反射率のある材質を用いた場合、外装
ジャケット１６の内面、すなわち溶液槽１２側の面にお
いて、溶液槽１２全体を透過した光が反射され、再び溶
液槽１２に向かうことから、そうした材質を用いない場
合よりも、加熱効率が向上する。
に、本実施形態においては、基板処理用の溶液ＳＯＬ
を、ランプヒータ挿入部１０に挿入されたランプヒータ
ＬＨにより加熱する。図２に示す状態で、ランプヒータ
ＬＨは、図示を省略する駆動源の作用により光を発す
る。発した光は、矢印ＡＲ４の様に、いづれも光透過性
を備えるランプヒータ挿入部１０の保護膜１１および溶
液槽１２の側壁面をそれぞれ透過して、溶液槽１２内の
溶液ＳＯＬに達する。溶液ＳＯＬは、所定の加熱条件に
より希望する温度まで加熱された後、基板処理に用いら
れることになる。なお外装ジャケット１６にステンレス
鋼のように程度の反射率のある材質を用いた場合、外装
ジャケット１６の内面、すなわち溶液槽１２側の面にお
いて、溶液槽１２全体を透過した光が反射され、再び溶
液槽１２に向かうことから、そうした材質を用いない場
合よりも、加熱効率が向上する。
【００１５】また、ランプヒータＬＨが、耐薬品性のあ
るＰＦＡで形成された保護膜１１で覆われていることか
ら、万一、溶液槽１２が破損した場合でも、ランプヒー
タＬＨには溶液ＳＯＬが直接接触しないので、引火や爆
発等の危険が回避される。さらに、ランプヒータＬＨが
挿脱可能であることから、ランプヒータＬＨに不具合が
発生した場合の交換を容易に行うことができ、メンテナ
ンス性が向上する。
るＰＦＡで形成された保護膜１１で覆われていることか
ら、万一、溶液槽１２が破損した場合でも、ランプヒー
タＬＨには溶液ＳＯＬが直接接触しないので、引火や爆
発等の危険が回避される。さらに、ランプヒータＬＨが
挿脱可能であることから、ランプヒータＬＨに不具合が
発生した場合の交換を容易に行うことができ、メンテナ
ンス性が向上する。
【００１６】＜溶液の供給＞本実施形態に示す基板処理
溶液加熱装置１において加熱された溶液ＳＯＬは、その
後、基板の洗浄処理に供される。図３は、溶液ＳＯＬの
流れを模式的に示す図である。図３（ａ）はバッチ式洗
浄装置３０に対し溶液ＳＯＬが供される場合の例であ
り、基板処理溶液加熱装置１において加熱された溶液Ｓ
ＯＬが、ポンプｐｐの作用により矢印ＡＲ５に示すよう
にバッチ式洗浄装置３０に供給され、洗浄に用いられた
後に、再び基板処理溶液加熱装置１に還流される様子を
示している。また、図３（ｂ）は枚葉式洗浄装置４０に
対し溶液ＳＯＬが供される場合の例であり、図３（ａ）
と同様に、矢印ＡＲ６によって、ポンプｐｐの作用によ
る枚葉式洗浄装置４０への溶液ＳＯＬの供給と基板処理
溶液加熱装置１への還流の様子を示している。
溶液加熱装置１において加熱された溶液ＳＯＬは、その
後、基板の洗浄処理に供される。図３は、溶液ＳＯＬの
流れを模式的に示す図である。図３（ａ）はバッチ式洗
浄装置３０に対し溶液ＳＯＬが供される場合の例であ
り、基板処理溶液加熱装置１において加熱された溶液Ｓ
ＯＬが、ポンプｐｐの作用により矢印ＡＲ５に示すよう
にバッチ式洗浄装置３０に供給され、洗浄に用いられた
後に、再び基板処理溶液加熱装置１に還流される様子を
示している。また、図３（ｂ）は枚葉式洗浄装置４０に
対し溶液ＳＯＬが供される場合の例であり、図３（ａ）
と同様に、矢印ＡＲ６によって、ポンプｐｐの作用によ
る枚葉式洗浄装置４０への溶液ＳＯＬの供給と基板処理
溶液加熱装置１への還流の様子を示している。
【００１７】＜変形例＞ガイド１３を、保護膜と一体化
させてＰＦＡで作成してもよい。
させてＰＦＡで作成してもよい。
【００１８】また、例えば図４に示す基板処理溶液加熱
装置１０１の断面図における保護膜１１１のように、Ｐ
ＦＡの弾性を利用し、ランプヒータＬＨが挿脱できる限
度において、ランプヒータＬＨを保護膜１１１に密着さ
せて固定する構成であってもよい。
装置１０１の断面図における保護膜１１１のように、Ｐ
ＦＡの弾性を利用し、ランプヒータＬＨが挿脱できる限
度において、ランプヒータＬＨを保護膜１１１に密着さ
せて固定する構成であってもよい。
【００１９】外装ジャケット１６および溶液槽１２の形
状は、上述の実施形態には限定されない。例えば、図４
に示す外装ジャケット１１６および溶液槽１１２の様に
略半円状の断面形状を有するドーナツ状のものであって
もよい。
状は、上述の実施形態には限定されない。例えば、図４
に示す外装ジャケット１１６および溶液槽１１２の様に
略半円状の断面形状を有するドーナツ状のものであって
もよい。
【００２０】複数のランプヒータ挿入部を備え、複数の
ランプヒータを用いて加熱できる構成であってもよい。
ランプヒータを用いて加熱できる構成であってもよい。
【００２１】溶液槽１２の取入口１４および排出口１５
の配置は、上述の場合に限定されない。
の配置は、上述の場合に限定されない。
【００２２】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１ないし
請求項５の発明によれば、基板処理用の溶液による装置
の構成材の溶出を防止しつつ放射加熱することができ
る。また、ランプヒータは容易に交換可能であることか
ら、メンテナンス性の向上が図れる。
請求項５の発明によれば、基板処理用の溶液による装置
の構成材の溶出を防止しつつ放射加熱することができ
る。また、ランプヒータは容易に交換可能であることか
ら、メンテナンス性の向上が図れる。
【００２３】また、請求項２ないし請求項５の発明によ
れば、ＰＦＡを用いることにより、光透過性、耐薬品性
を備えつつ、保護膜の形状をランプヒータの保持に適し
たものにすることができる。
れば、ＰＦＡを用いることにより、光透過性、耐薬品性
を備えつつ、保護膜の形状をランプヒータの保持に適し
たものにすることができる。
【００２４】また、請求項３ないし請求項５の発明によ
れば、溶液に対するランプヒータの光の透過量の低減を
抑制することができ、これにより溶液の加熱効率を高め
ることができる。
れば、溶液に対するランプヒータの光の透過量の低減を
抑制することができ、これにより溶液の加熱効率を高め
ることができる。
【００２５】また、請求項４ないし請求項５の発明によ
れば、ヒータが発する光を効率よく利用することができ
る。
れば、ヒータが発する光を効率よく利用することができ
る。
【図１】基板処理溶液加熱装置１の模式図である。
【図２】基板処理溶液加熱装置１の断面図である。
【図３】溶液ＳＯＬの流れを模式的に示す図である。
【図４】基板処理溶液加熱装置１０１の断面図である。
１、１０１ 基板処理溶液加熱装置
１０ ランプヒータ挿入部
１１、１１１ 保護膜
１２、１１２ 溶液槽
１６、１１６ 外装ジャケット
１３ ガイド
１４ 取入口
１５ 排出口
２１、２２ 配管
３０ バッチ式洗浄装置
４０ 枚葉式洗浄装置
ＬＨ ランプヒータ
ＰＰ ポンプ
ＳＯＬ 溶液
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 3/44 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ
Ｆターム(参考） 2H088 FA21 FA24 FA30 MA20
2H090 HC18 JB02 JC08 JC19
3K092 PP20 QA01 RA03 VV40
3L034 BA14 BB07
5F043 AA01 BB27 EE12 EE22 EE24
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の処理に供される溶液を加熱する装
置であって、 溶液を放射加熱するランプヒータと、 光透過性を有する部材で構成され、溶液の導入口と排出
口とを備え、溶液が貯留される溶液槽と、 光透過性および耐薬品性を有する部材で構成され、か
つ、前記溶液槽の槽面に対向して配置され、前記ランプ
ヒータを挿脱可能に保持するランプヒータ挿入部と、 を備えることを特徴とする基板処理溶液加熱装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理溶液加熱装置
であって、 前記ランプヒータ挿入部を構成する部材の主成分が、Ｐ
ＦＡ（４フッ化エチレンとパーフルオロアルコキシエチ
レンとの共重合体）であることを特徴とする基板処理溶
液加熱装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板処
理溶液加熱装置であって、 前記溶液槽が石英を主成分とする部材で構成されている
ことを特徴とする基板処理溶液加熱装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の基板処理溶液加熱装置であって、 前記溶液槽が前記ランプヒータ挿入部の外周に配置され
ることを特徴とする基板処理溶液加熱装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の基板処理溶液加熱装置
であって、 前記溶液槽が前記ランプヒータ挿入部を収容する中空部
を持った略中空円筒形状であることを特徴とする基板処
理溶液加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001286796A JP2003090614A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | 基板処理溶液加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001286796A JP2003090614A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | 基板処理溶液加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003090614A true JP2003090614A (ja) | 2003-03-28 |
Family
ID=19109706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001286796A Pending JP2003090614A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | 基板処理溶液加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003090614A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100741475B1 (ko) | 2006-01-25 | 2007-07-20 | 우암신소재(주) | 반도체 웨이퍼 습식 식각 및 세정 약품 가열용 인라인 히터 |
| JP2012057904A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 液体加熱ユニット、これを備える液処理装置、および液処理方法 |
| CN111936799A (zh) * | 2018-04-04 | 2020-11-13 | 株式会社Kelk | 流体加热装置 |
-
2001
- 2001-09-20 JP JP2001286796A patent/JP2003090614A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100741475B1 (ko) | 2006-01-25 | 2007-07-20 | 우암신소재(주) | 반도체 웨이퍼 습식 식각 및 세정 약품 가열용 인라인 히터 |
| JP2012057904A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 液体加熱ユニット、これを備える液処理装置、および液処理方法 |
| TWI422267B (zh) * | 2010-09-13 | 2014-01-01 | Tokyo Electron Ltd | And a liquid heating unit including the liquid processing device and the liquid treatment method |
| US8670656B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-03-11 | Tokyo Electron Limited | Liquid heating unit, liquid processing apparatus including the same, and liquid processing method |
| CN111936799A (zh) * | 2018-04-04 | 2020-11-13 | 株式会社Kelk | 流体加热装置 |
| US11985736B2 (en) | 2018-04-04 | 2024-05-14 | Kelk Ltd. | Fluid heating device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2583159B2 (ja) | 流体加熱器 | |
| US5331987A (en) | Apparatus and method for rinsing and drying substrate | |
| KR20060048607A (ko) | 액체가열장치, 세정장치, 및 세정방법 | |
| JP2006121031A (ja) | 基板処理装置 | |
| TWI520249B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| JP2002231674A (ja) | 半導体ウェーハ洗浄装置及びこれを用いたウェーハ洗浄方法 | |
| KR20010029912A (ko) | 반도체 처리 시스템 및 기판 처리 장치 | |
| JP2003090614A (ja) | 基板処理溶液加熱装置 | |
| JP4284336B2 (ja) | 清浄気体加熱装置及び基板乾燥装置 | |
| JP2008096057A (ja) | 液体加熱装置 | |
| JPH09312285A (ja) | 二重壁式マイクロ波プラズマアプリケータ | |
| US6112013A (en) | Apparatus for detecting a crack in a heater of an acid and rinse bath and a method of crack detection of the same | |
| JPH1183172A (ja) | 流体加熱装置 | |
| US20090065023A1 (en) | Microwave assisted post-FPI cleaning method | |
| JP2000161779A (ja) | 流体加熱装置 | |
| JP2003090613A (ja) | 流体加熱装置 | |
| TWM605375U (zh) | 晶圓處理裝置 | |
| JP2000227253A (ja) | 流体加熱装置 | |
| JP2005072442A (ja) | 乾燥装置 | |
| JPH0735950U (ja) | 液体瞬間加熱用容器 | |
| JPH0629275A (ja) | 薬液の高温加熱装置 | |
| JP2901903B2 (ja) | 薬液等の加熱装置 | |
| KR102534951B1 (ko) | 반도체 디스플레이용 세정공정의 diw 재이용 장치 | |
| JPH10281583A (ja) | 流体加熱冷却装置 | |
| KR200169713Y1 (ko) | 반도체 튜브 세정장치 |