JP2003089771A - 回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置 - Google Patents
回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置Info
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Abstract
安定性に優れ、かつ信頼性試験後も十分な性能を有する
回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置を提供
する。 【解決手段】 (a)ラジカル重合性化合物、(b)15
0〜750nmの光照射、または80〜200℃の加
熱、または前記光照射と前記加熱を併用することでラジ
カルを発生する硬化剤、(c)分子内に窒素原子と炭素―
炭素二重結合を含有する化合物からなる回路接続用接着
剤組成物。
Description
組成物、接続体及び半導体装置に関する。
素子中の種々の部材を結合させる目的で従来から種々の
接着剤が使用されている。接着剤に対する要求は、接着
性をはじめとして、耐熱性、高温高湿状態における信頼
性等多岐に渡る特性が要求されている。また、接着に使
用される被着体は、プリント配線板やポリイミド等の有
機基材をはじめ、銅、アルミニウム等の金属やITO、
SiN、SiO2等の多種多様な表面状態を有する基材
が用いられ、各被着体にあわせた分子設計が必要であ
る。従来から、前記半導体素子や液晶表示素子用の接着
剤としては、高接着性でかつ高信頼性を示すエポキシ樹
脂を用いた熱硬化性樹脂が用いられてきた。樹脂の構成
成分としては、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂と反応性を
有するフェノール樹脂等の硬化剤、エポキシ樹脂と硬化
剤の反応を促進する熱潜在性触媒が一般に用いられてい
る。熱潜在性触媒は硬化温度及び硬化速度を決定する重
要な因子となっており、室温での貯蔵安定性と加熱時の
硬化速度の観点から種々の化合物が用いられてきた。実
際の工程での硬化条件は、170〜250℃の温度で1
〜3時間硬化することにより、所望の接着を得ていた。
しかしながら、最近の半導体素子の高集積化、液晶素子
の高精細化に伴い、素子間及び配線間ピッチが狭小化
し、硬化時の加熱によって、周辺部材に悪影響を及ぼす
恐れが出てきた。さらに低コスト化のためには、スルー
プットを向上させる必要性があり、低温(100〜17
0℃)、短時間(1時間以内)、換言すれば低温速硬化で
の接着が要求されている。この低温速硬化を達成するた
めには、活性化エネルギーの低い熱潜在性触媒を使用す
る必要があるが、室温付近での貯蔵安定性を兼備するこ
とが非常に難しい。最近、(メタ)アクリレート誘導体と
ラジカル開始剤である過酸化物を併用した、ラジカル硬
化型接着剤が注目されている。ラジカル硬化は、反応活
性種であるラジカルが非常に反応性に富むため、短時間
硬化が可能であり、かつラジカル開始剤の分解温度以下
では、安定に存在することから、低温速硬化と室温付近
での貯蔵安定性を両立した硬化系である。
ル硬化系の接着剤は、硬化時の硬化収縮が大きいため
に、エポキシ樹脂を用いた場合と比較して、接着強度に
劣り、特に無機材質や金属材質の基材に対する接着強度
が低下する。このため、半導体素子や液晶表示素子の接
着剤に使用した場合、85℃、85%RH等の高温多湿
条件に放置する信頼性試験では、十分な性能(接着強度
等)が得られない。
金属及び無機材質で構成される基材への高い接着強度を
示し、室温〜50℃での貯蔵安定性に優れ、かつ信頼性
試験後も十分な性能を有する回路接続用接着剤組成物、
接続体及び半導体装置を提供するものである。
ジカル重合性化合物、(b)150〜750nmの光照
射、または80〜200℃の加熱、または前記光照射と
前記加熱を併用することでラジカルを発生する硬化剤、
(c)分子内に窒素原子と炭素―炭素二重結合を含有する
化合物からなる回路接続用接着剤組成物である。また、
本発明は、[2](c)分子内に窒素原子と炭素―炭素
二重結合を含有する化合物が、N-ビニルイミダゾー
ル、N-ビニルピリジン、N-ビニルピロリドン、N-ビ
ニルホルムアミド、N-ビニルカプロラクタム、4,4'
−ビニリデンビス(N,N−ジメチルアニリン)、N-
ビニルアセトアミド、N,N-ジメチルアミノエチルメ
タクリレート、N,N-ジメチルアミノエチルアクリレ
ート、N,N-ジメチルアミノプロピルメタクリレー
ト、N,N-ジメチルアミノプロピルアクリレート、
N,N−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホ
リン、N−イソプロピルアクリルアミド、N,N−ジエ
チルアクリルアミドアクリルアミドから選ばれる少なく
とも1種類である上記[1]に記載の回路接続用接着剤
組成物である。また、本発明は、[3](a)ラジカル
重合性化合物100重量部に対して、(b)150〜7
50nmの光照射、または80〜200℃の加熱、また
は前記光照射と前記加熱を併用することでラジカルを発
生する硬化剤0.5〜30重量部、(c)分子内に窒素
原子と炭素―炭素二重結合を含有する化合物0.5〜3
0重量部を含有してなる上記[1]または上記[2]に
記載の回路接続用接着剤組成物である。また、本発明
は、[4](a)ラジカル重合性化合物100体積に対
して、さらに、導電粒子0.1〜30体積%を含有して
なる上記[1]ないし上記[3]のいずれかに記載の回
路接続用接着剤組成物である。また、本発明は、[5]
相対向する回路電極を有する基板間に上記[1]ないし
上記[4]のいずれかに記載の回路接続用接着剤組成物
を介在させ、相対向する回路電極を有する基板を加圧し
て加圧方向の電極間を電気的に接続した接続体である。
さらに、本発明は、[6]相対向する半導体素子の回路
電極と半導体搭載用基板の回路電極間に上記[1]ない
し上記[4]のいずれかに記載の回路接続用接着剤組成
物を介在させ、相対向する回路電極を加圧して加圧方向
の電極間を電気的に接続した半導体装置である。
カル重合性化合物としては、活性ラジカルによって重合
する官能基を有する化合物であれば、特に制限無く公知
のものを使用することができる。このような官能基とし
ては例えば、分子内にアクリロイル基、メタクリロイル
基、アリル基、マレイミド基、ビニル基等が挙げられる
が、選択の容易さからアクリロイル基およびメタクリロ
イル基(以下、両者を総称して(メタ)アクリロイルと
呼ぶ)を分子内に一つ以上有する化合物が好ましく、さ
らに、分子内に(メタ)アクリロイル基を二つ以上有す
る化合物が、硬化によって高硬化密度が得られるため、
より好ましい。
トオリゴマー、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマ
ー、ポリエーテル(メタ)アクリレートオリゴマー、ポ
リエステル(メタ)アクリレートオリゴマー等のオリゴ
マー、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレー
ト、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、
ポリアルキレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペ
ンタエリスリトール(メタ)アクリレート、2−シアノ
エチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)
アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレー
ト、ジシクロペンテニロキシエチル(メタ)アクリレー
ト、2−(2−エトキシエトキシ)エチル(メタ)アク
リレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、
2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、n−ヘキシ
ル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メ
タ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリ
レート、イソボルニル(メタ)アクリレート、イソデシ
ル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリ
レート、n−ラウリル(メタ)アクリレート、2−メト
キシエチル(メタ)アクリレート、2−フェノキシエチ
ル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリール
(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メ
タ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メ
タ)アクリレート、イソシアヌル酸変性2官能(メタ)
アクリレート、イソシアヌル酸変性3官能(メタ)アク
リレート、2-(メタ)アクリロイロキシエチルホスフ
ェート、2,2’-ジ(メタ)アクリロイロキシジエチ
ルホスフェート等の単官能および多官能(メタ)アクリ
レート化合物が挙げられる。これらの化合物は、必要に
応じて単独あるいは混合して用いてもよい。
ミド基を少なくとも1個有しているもので、例えば、フ
ェニルマレイミド、1−メチル−2,4−ビスマレイミ
ドベンゼン、N,N'−m−フェニレンビスマレイミド、N,
N'−p−フェニレンビスマレイミド、N,N'−4,4−ビ
フェニレンビスマレイミド、N,N'−4,4−(3,3−
ジメチルビフェニレン)ビスマレイミド、N,N'−4,4
−(3,3−ジメチルジフェニルメタン)ビスマレイミ
ド、N,N'−4,4−(3,3−ジエチルジフェニルメタ
ン)ビスマレイミド、N,N'−4,4−ジフェニルメタン
ビスマレイミド、N,N'−4,4−ジフェニルプロパンビ
スマレイミド、N,N'−4,4−ジフェニルエーテルビス
マレイミド、N,N'−4,4−ジフェニルスルホンビスマ
レイミド、2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノ
キシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(3−s-ブチ
ル−3,4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)
プロパン、1,1−ビス(4−(4−マレイミドフェノ
キシ)フェニル)デカン、4,4'−シクロヘキシリデ
ン−ビス(1−(4−マレイミドフェノキシ)フェノキ
シ)−2−シクロヘキシルベンゼン、2,2−ビス(4
−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)ヘキサフル
オロプロパンなどが有り、単独でも2種類以上を混合し
て使用しても良い。また、シトラコンイミド樹脂、ナジ
イミド樹脂などを用いても良い。
0nmの光照射、または80〜200℃の加熱、または
前記光照射と前記加熱を併用することでラジカルを発生
する硬化剤としては、α−アセトアミノフェノン誘導体
や過酸化物、アゾ化合物等、特に制限無く公知のものを
使用することができる。これらの化合物としては、特に
硬化温度の設計の容易さ等の点から、過酸化物がより好
ましい。使用可能な過酸化物としては、過酸化物の分解
の尺度を示す1分間半減期温度の参照が簡便であり、1
分間半減期温度が、40℃以上かつ200℃以下が好ま
しく、その中でも1分間の半減期温度が60℃以上かつ
170℃以下がより好ましい。具体的には、ジアシルパ
ーオキサイド誘導体、パーオキシジカーボネート誘導
体、パーオキシエステル誘導体、パーオキシケタール誘
導体、ジアルキルパーオキサイド誘導体、ハイドロパー
オキサイド誘導体が挙げられる。
2,4―ジクロロベンゾイルパーオキサイド、3,5,5−トリ
メチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパー
オキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイル
パーオキサイド、スクシニックパーオキサイド、ベンゾ
イルパーオキシトルエン、ベンゾイルパーオキサイド等
が挙げられる。
は、ジ−n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイ
ソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブ
チルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−
2−エトキシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ(2
−エチルヘキシルパーオキシ)ジカーボネート、ジメト
キシブチルパーオキシジカーボネート、ジ(3−メチル
−3−メトキシブチルパーオキシ)ジカーボネート等が
挙げられる。
3,3−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエー
ト、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシノ
エデカノエート、t−ヘキシルパーオキシネオデカノエ
ート、t−ブチルパーオキシピバレート、1,1,3,3−テト
ラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノネー
ト、2,5−ジメチル−2,5−ビス(2−エチルヘキサノイ
ルパーオキシ)ヘキサン、2,5−ジメチル−2,5−ビス
(2−ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、1−シクロヘキ
シル−1−メチルエチルパーオキシ−2−エチルヘキサノ
ネート、t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノネ
ート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、1,1−ビス
(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、t−ヘキシル
パーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチル
パーオキシ−3,5,5−トリメチルヘキサノネート、t−ブ
チルパーオキシラウレート、2,5−ジメチル−2,5−ジ
(m−トルオイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパー
オキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパー
オキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘキ
シルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシア
セテート等が挙げられる。
−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチル
シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)
−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−(t−ブチ
ルパーオキシ)シクロドデカン、2,2−ビス(4,4−ジ−
t−ブチルパーオキシシクロヘキシル)プロパン、2,2−
ビス(t−ブチルパーオキシ)デカン等が挙げられる。
は、α,α'ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピ
ルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル
−2,5−ジ(t−ブチルオキシ)ヘキサン、t−ブチルク
ミルパーオキサイド等が挙げられる。
ソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハ
イドロパーオキサイド等が挙げられる。これらの化合物
は、単独で用いる他に、2種以上の化合物を混合して用
いても良い。
重合性化合物100重量部に対して、0.5〜30重量
部であり、好ましくは1〜20重量部である。添加量が
0.5重量部未満の場合、硬化不足が懸念され、また、
30重量部を超えた場合には、接着力が低下する恐れが
ある。
炭素―炭素二重結合を含有する化合物としては、特に制
限無く公知の化合物を使用できる。このような、化合物
としては、分子内にアミノ基を有するビニル化合物が特
に好ましい。具体的には、N-ビニルイミダゾール、N-
ビニルピリジン、N-ビニルピロリドン、N-ビニルホル
ムアミド、N-ビニルカプロラクタム、4,4'‐ビニリ
デンビス(N,N−ジメチルアニリン)、N-ビニルア
セトアミド、N,N-ジメチルアミノエチルメタクリレ
ート、N,N-ジメチルアミノエチルアクリレート、
N,N-ジメチルアミノプロピルメタクリレート、N、
N-ジメチルアミノプロピルアクリレート、N,N−ジ
メチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、N−
イソプロピルアクリルアミド、N,N−ジエチルアクリ
ルアミドから選ばれる少なくとも1種類のビニル化合物
が挙げられる。これらの化合物は単独で用いる他に、2
種以上の化合物を混合して用いても良い。
結合を含有する化合物の添加量は、(a)ラジカル重合
性化合物100部に対して、0.5〜30重量部であ
り、好ましくは1〜20重量部である。添加量が0.5
重量部未満の場合、高接着強度が得られにくく、また、
30重量部を超える場合には、硬化後の接着剤の吸水率
が上昇して、信頼性が低下する恐れがある。
Ag、Ni、Cu、はんだ等の金属粒子やカーボン等が
挙げられる。また、非導電性のガラス、セラミック、プ
ラスチック等を核とし、この核に前記金属、金属粒子や
カーボンを被覆したものでもよい。導電粒子が、プラス
チックを核とし、この核に前記金属、金属粒子やカーボ
ンを被覆したものや熱溶融金属粒子の場合、加熱加圧に
より変形性を有するので接続時に電極の高さばらつきを
解消し、また、電極との接触面積が増加し信頼性が向上
するので好ましい。またこれらの導電粒子の表面を、さ
らに高分子樹脂などで被覆した微粒子は、導電粒子の配
合量を増加した場合の粒子同士の接触による短絡を抑制
し、電極回路間の絶縁性が向上できることから、適宜こ
れを単独あるいは導電粒子と混合して用いてもよい。
性の点から1〜18μmであることが好ましい。導電粒
子の使用量は、特に制限は受けないが、回路接続用接着
剤組成物の合計100体積に対して0.1〜30体積%
とすることが好ましく、0.1〜10体積%とすること
がより好ましい。この値が、0.1体積%未満であると
導電性に劣る傾向があり、30体積%を超えると回路の
短絡が起こる傾向がある。なお、体積%は23℃の硬化
前の各成分の体積をもとに決定されるが、各成分の体積
は、比重を利用して重量から体積に換算することができ
る。また、メスシリンダー等にその成分を溶解したり膨
潤させたりせず、その成分をよくぬらす適当な溶媒
(水、アルコール等)を入れたものに、その成分を投入
し増加した体積をその体積として求めることもできる。
ップリング剤等の密着向上剤、レベリング剤、着色剤な
どの添加剤を適宜添加してもよい。
化、フィルム形成性、接着性、硬化時の応力緩和性を付
与するため、種々の樹脂を適宜添加してもよい。使用す
る樹脂は特に制限を受けないが、(a)ラジカル重合性
化合物、(b)硬化剤、(c)分子内に窒素原子と炭素
−炭素二重結合を含有する化合物及び導電粒子に悪影響
を及ぼさないことが必須である。このような樹脂として
は、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂、キシレン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリメタクリレート樹脂、ポリアクリレート樹脂、
SBS及びそのエポキシ変性体、SEBS及びその変性
体、尿素樹脂等の高分子成分が使用される。これら高分
子成分は、分子量が10000〜10,000,000の
ものが好ましい。分子量は、大きいほどフィルム形成性
が容易に得られ、また接着剤としての流動性に影響する
溶融粘度を広範囲に設定できる。さらに、これらは、混
合する樹脂同士が完全に相溶するか、もしくはミクロ相
分離が生じて白濁する状態であれば接着剤組成物として
は好適に用いることができる。また、これら樹脂は、ラ
ジカル重合性の官能基で変成されていても良く、この場
合耐熱性が向上する。また、これら樹脂は、シロキサン
結合やフッ素置換基が含まれていても良い。さらに、ラ
ジカル重合性の官能基やエポキシ基,カルボキシル基な
どで変成されていても良く、この場合耐熱性が向上す
る。高分子成分の配合量は、2〜80重量%であり、5
〜70重量%が好ましく、10〜60重量%が特に好ま
しい。2重量%未満では、応力緩和や接着力が十分でな
く、80重量%を超えると流動性が低下する。
で液状である場合にはペースト状で使用することができ
る。室温(25℃程度)で固体の場合には、加熱して使
用する他、溶剤を使用してペースト化してもよい。使用
できる溶剤としては、接着剤組成物及び添加剤と反応性
がなく、かつ十分な溶解性を示すものであれば、特に制
限は受けないが、常圧での沸点が50〜150℃である
ものが好ましい。沸点が50℃以下の場合、室温で放置
すると揮発する恐れがあり、開放系での使用が制限され
る。また、沸点が150℃以上だと、溶剤を揮発させる
ことが難しく、接着後の信頼性に悪影響を及ぼす恐れが
ある。
ム状にして用いることもできる。接着剤組成物に必要に
より溶剤等を加えるなどした溶液を、フッ素樹脂フィル
ム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、離形紙等の
剥離性基材上に塗布し、あるいは不織布等の基材に前記
溶液を含浸させて剥離性基材上に載置し、溶剤等を除去
してフィルムとして使用することができる。フィルム形
状で使用すると取扱性等の点から一層便利である。
射、加熱、または光照射と同時に加熱及び加圧を併用し
て接着させることができる。これらを併用することによ
り、より低温短時間での接着が可能となる。光照射は、
150〜750nmの波長域の照射光が好ましく、低圧
水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセ
ノンランプ、メタルハライドランプを使用して0.1〜
10J/cm2の照射量で硬化することができる。加熱
温度は、80〜200℃の温度であるが、80以下の5
0℃〜170℃程度でも良い。圧力は、被着体に損傷を
与えない範囲であれば、特に制限は受けないが、一般的
には0.1〜10MPaが好ましい。これらの加熱及び
加圧は、0.5秒〜3時間、好ましくは、0.5秒〜1
0分、より好ましくは、0.5秒〜1分の範囲で行うこ
とがより好ましい。
接続用ばかりでなく、熱膨張係数の異なる異種の被着体
の接着剤として使用することもできる。具体的には、異
方導電接着剤、銀ペースト、銀フィルム等に代表される
回路接続材料、CSP用エラストマー、CSP用アンダ
ーフィル材、LOCテープ等に代表される半導体素子接
着材料として使用することができる。
及び導電粒子を使用して作製した異方導電フィルムと電
極の接続の一例について説明する。異方導電フィルム
を、基板上の相対向する回路電極間に存在させ、加熱加
圧することにより両電極の接触と基板間の接着を得、電
極との接続を行える。回路電極を形成する基板として
は、半導体、ガラス、セラミック等の無機質材料、ポリ
イミド、ポリカーボネート等の有機物材料、ガラス/エ
ポキシ等の複合材料の各組み合わせが適用できる。
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
シ樹脂(PKHC、ユニオンカーバイド社製商品名、平
均分子量45,000)40gを、メチルエチルケトン
60gに溶解して、固形分40重量%の溶液とした。ラ
ジカル重合性化合物として、イソシアヌル酸EO(エチ
レンオキサイド)変性(M-315、東亜合成株式会社
製商品名)及び2-メタクリロイロキシエチルアシッド
ホスフェート(ライトエステルP-2M、共栄社化学株
式会社製商品名)、硬化剤として、1,1−ビス(t−
へキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロ
ヘキサン(パーヘキサTMH、日本油脂株式会社製商品
名)、分子内に窒素原子と炭素―炭素二重結合を含有す
る化合物としてN-ビニルイミダゾール(東京化成工業
株式会社製)及びアクリロイルモルホリン(ACMO、
株式会社興人社製商品名)を用いた。またポリスチレン
を核とする粒子の表面に、厚み0.2μmのニッケル層
を設け、このニッケル層の外側に、厚み0.02μmの
金層を設け、平均粒径5μm、比重2.5の導電粒子を
作製した。固形重量比で表1に示すように配合し、さら
に導電粒子を1.5体積%配合分散させ、厚み80μm
のフッ素樹脂フィルムに塗工装置を用いて塗布し、70
℃、10分の熱風乾燥によって接着剤層の厚みが20μ
mのフィルム状接着剤を得た。
によって得たフィルム状接着剤を用いて、ライン幅50
μm、ピッチ100μm、厚み18μmの銅回路を50
0本有するフレキシブル回路板(FPC)と、0.2μ
mの酸化インジウム(ITO)の薄層を形成したガラス
(厚み1.1mm、表面抵抗20Ω/□)とを、熱圧着
装置(加熱方式:コンスタントヒート型、東レエンジニ
アリング株式会社製)を用いて170℃、3MPaで2
0秒間の加熱加圧を行って幅2mmにわたり接続し、接
続体を作製した。この接続体の隣接回路間の抵抗値を、
接着直後と、85℃、85%RHの高温高湿槽中に24
0時間保持した後にマルチメータで測定した。抵抗値は
隣接回路間の抵抗150点の平均で示した。
0237に準じて90度剥離法で測定し、評価した。こ
こで、接着強度の測定装置は東洋ボールドウィン株式会
社製テンシロンUTM−4(剥離速度50mm/mi
n、25℃)を使用した。以上のようにして行った接続
体の接着強度、接続抵抗の測定の結果を表2に示した。
組成物は、接着直後及び85℃、85%RHの高温高湿
槽中に240時間保持した後で、良好な接続抵抗及び接
着強度を示し、高い耐久性を合わせ持つことが分かる。
これに対し、本発明の(c)分子内に窒素原子と炭素―炭
素二重結合を含有する化合物(塩基性のビニル化合物)
を使用しない比較例1〜2では、接着直後では良好な値
を示したが、85℃、85%RHの高温高湿槽中に24
0時間保持した後では、接続抵抗が上昇し、かつ接着強
度が大幅に低下したため、満足な接続体は得られなかっ
た。
状接着剤を、真空包装を施して、40℃で5日間放置し
た後、FPCとITOとの加熱圧着を同様に行ったとこ
ろ、接着直後の接続抵抗2.3Ω、接着強度1050N
/m、85℃、85%RHの高温高湿槽中に240時間
保持した後の接続抵抗2.8Ω、接着強度900N/mで
あり、接着直後、信頼性試験後とも放置前と同様の良好
な値を示し、放置安定性(貯蔵安定性)に優れる。
接着剤を用いて、実施例3と同様に放置安定性試験を行
ったところ、接着直後の接続抵抗4.8Ω、接着強度6
00N/m、85℃、85%RHの高温高湿槽中に24
0時間保持した後の接続抵抗8.7Ω、接着強度200
N/mであり、接着直後、信頼性試験後とも放置前より
も低下しており、放置安定性に劣る。
で、高温高湿条件での信頼性試験後も良好な性能を示
し、かつ貯蔵安定性(放置安定性)に優れる回路接続用
接着剤組成物、接続体及び半導体装置を提供することが
できる。
Claims (6)
- 【請求項1】 (a)ラジカル重合性化合物、(b)15
0〜750nmの光照射、または80〜200℃の加
熱、または前記光照射と前記加熱を併用することでラジ
カルを発生する硬化剤、(c)分子内に窒素原子と炭素―
炭素二重結合を含有する化合物からなる回路接続用接着
剤組成物。 - 【請求項2】 (c)分子内に窒素原子と炭素―炭素二
重結合を含有する化合物が、N-ビニルイミダゾール、
N-ビニルピリジン、N-ビニルピロリドン、N-ビニル
ホルムアミド、N-ビニルカプロラクタム、4,4'−ビ
ニリデンビス(N,N−ジメチルアニリン)、N-ビニ
ルアセトアミド、N、N-ジメチルアミノエチルメタク
リレート、N,N-ジメチルアミノエチルアクリレー
ト、N,N-ジメチルアミノプロピルメタクリレート、
N,N-ジメチルアミノプロピルアクリレート、N,N
−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、
N−イソプロピルアクリルアミド、N,N−ジエチルア
クリルアミドから選ばれる少なくとも1種類である請求
項1に記載の回路接続用接着剤組成物。 - 【請求項3】 (a)ラジカル重合性化合物100重量
部に対して、(b)150〜750nmの光照射、また
は80〜200℃の加熱、または前記光照射と前記加熱
を併用することでラジカルを発生する硬化剤0.5〜3
0重量部、(c)分子内に窒素原子と炭素―炭素二重結
合を含有する化合物0.5〜30重量部を含有してなる
請求項1または請求項2に記載の回路接続用接着剤組成
物。 - 【請求項4】 (a)ラジカル重合性化合物100体積
に対して、さらに、導電粒子0.1〜30体積%を含有
してなる請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の回
路接続用接着剤組成物。 - 【請求項5】 相対向する回路電極を有する基板間に請
求項1ないし請求項4のいずれかに記載の回路接続用接
着剤組成物を介在させ、相対向する回路電極を有する基
板を加圧して加圧方向の電極間を電気的に接続した接続
体。 - 【請求項6】 相対向する半導体素子の回路電極と半導
体搭載用基板の回路電極間に請求項1ないし請求項4の
いずれかに記載の回路接続用接着剤組成物を介在させ、
相対向する回路電極を加圧して加圧方向の電極間を電気
的に接続した半導体装置。
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