JP2003089771A - 回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置 - Google Patents

回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置

Info

Publication number
JP2003089771A
JP2003089771A JP2001283401A JP2001283401A JP2003089771A JP 2003089771 A JP2003089771 A JP 2003089771A JP 2001283401 A JP2001283401 A JP 2001283401A JP 2001283401 A JP2001283401 A JP 2001283401A JP 2003089771 A JP2003089771 A JP 2003089771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
adhesive composition
heating
carbon
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001283401A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5002876B2 (ja
Inventor
Shigeki Katogi
茂樹 加藤木
Toshiyuki Yanagawa
俊之 柳川
Tomoko Sudo
朋子 須藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2001283401A priority Critical patent/JP5002876B2/ja
Publication of JP2003089771A publication Critical patent/JP2003089771A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5002876B2 publication Critical patent/JP5002876B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い接着強度を示し、室温〜50℃での貯蔵
安定性に優れ、かつ信頼性試験後も十分な性能を有する
回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置を提供
する。 【解決手段】 (a)ラジカル重合性化合物、(b)15
0〜750nmの光照射、または80〜200℃の加
熱、または前記光照射と前記加熱を併用することでラジ
カルを発生する硬化剤、(c)分子内に窒素原子と炭素―
炭素二重結合を含有する化合物からなる回路接続用接着
剤組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路接続用接着剤
組成物、接続体及び半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子及び液晶表示素子において、
素子中の種々の部材を結合させる目的で従来から種々の
接着剤が使用されている。接着剤に対する要求は、接着
性をはじめとして、耐熱性、高温高湿状態における信頼
性等多岐に渡る特性が要求されている。また、接着に使
用される被着体は、プリント配線板やポリイミド等の有
機基材をはじめ、銅、アルミニウム等の金属やITO、
SiN、SiO等の多種多様な表面状態を有する基材
が用いられ、各被着体にあわせた分子設計が必要であ
る。従来から、前記半導体素子や液晶表示素子用の接着
剤としては、高接着性でかつ高信頼性を示すエポキシ樹
脂を用いた熱硬化性樹脂が用いられてきた。樹脂の構成
成分としては、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂と反応性を
有するフェノール樹脂等の硬化剤、エポキシ樹脂と硬化
剤の反応を促進する熱潜在性触媒が一般に用いられてい
る。熱潜在性触媒は硬化温度及び硬化速度を決定する重
要な因子となっており、室温での貯蔵安定性と加熱時の
硬化速度の観点から種々の化合物が用いられてきた。実
際の工程での硬化条件は、170〜250℃の温度で1
〜3時間硬化することにより、所望の接着を得ていた。
しかしながら、最近の半導体素子の高集積化、液晶素子
の高精細化に伴い、素子間及び配線間ピッチが狭小化
し、硬化時の加熱によって、周辺部材に悪影響を及ぼす
恐れが出てきた。さらに低コスト化のためには、スルー
プットを向上させる必要性があり、低温(100〜17
0℃)、短時間(1時間以内)、換言すれば低温速硬化で
の接着が要求されている。この低温速硬化を達成するた
めには、活性化エネルギーの低い熱潜在性触媒を使用す
る必要があるが、室温付近での貯蔵安定性を兼備するこ
とが非常に難しい。最近、(メタ)アクリレート誘導体と
ラジカル開始剤である過酸化物を併用した、ラジカル硬
化型接着剤が注目されている。ラジカル硬化は、反応活
性種であるラジカルが非常に反応性に富むため、短時間
硬化が可能であり、かつラジカル開始剤の分解温度以下
では、安定に存在することから、低温速硬化と室温付近
での貯蔵安定性を両立した硬化系である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ラジカ
ル硬化系の接着剤は、硬化時の硬化収縮が大きいため
に、エポキシ樹脂を用いた場合と比較して、接着強度に
劣り、特に無機材質や金属材質の基材に対する接着強度
が低下する。このため、半導体素子や液晶表示素子の接
着剤に使用した場合、85℃、85%RH等の高温多湿
条件に放置する信頼性試験では、十分な性能(接着強度
等)が得られない。
【0004】本発明は、ラジカル硬化系でありながら、
金属及び無機材質で構成される基材への高い接着強度を
示し、室温〜50℃での貯蔵安定性に優れ、かつ信頼性
試験後も十分な性能を有する回路接続用接着剤組成物、
接続体及び半導体装置を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、[1](a)ラ
ジカル重合性化合物、(b)150〜750nmの光照
射、または80〜200℃の加熱、または前記光照射と
前記加熱を併用することでラジカルを発生する硬化剤、
(c)分子内に窒素原子と炭素―炭素二重結合を含有する
化合物からなる回路接続用接着剤組成物である。また、
本発明は、[2](c)分子内に窒素原子と炭素―炭素
二重結合を含有する化合物が、N-ビニルイミダゾー
ル、N-ビニルピリジン、N-ビニルピロリドン、N-ビ
ニルホルムアミド、N-ビニルカプロラクタム、4,4'
−ビニリデンビス(N,N−ジメチルアニリン)、N-
ビニルアセトアミド、N,N-ジメチルアミノエチルメ
タクリレート、N,N-ジメチルアミノエチルアクリレ
ート、N,N-ジメチルアミノプロピルメタクリレー
ト、N,N-ジメチルアミノプロピルアクリレート、
N,N−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホ
リン、N−イソプロピルアクリルアミド、N,N−ジエ
チルアクリルアミドアクリルアミドから選ばれる少なく
とも1種類である上記[1]に記載の回路接続用接着剤
組成物である。また、本発明は、[3](a)ラジカル
重合性化合物100重量部に対して、(b)150〜7
50nmの光照射、または80〜200℃の加熱、また
は前記光照射と前記加熱を併用することでラジカルを発
生する硬化剤0.5〜30重量部、(c)分子内に窒素
原子と炭素―炭素二重結合を含有する化合物0.5〜3
0重量部を含有してなる上記[1]または上記[2]に
記載の回路接続用接着剤組成物である。また、本発明
は、[4](a)ラジカル重合性化合物100体積に対
して、さらに、導電粒子0.1〜30体積%を含有して
なる上記[1]ないし上記[3]のいずれかに記載の回
路接続用接着剤組成物である。また、本発明は、[5]
相対向する回路電極を有する基板間に上記[1]ないし
上記[4]のいずれかに記載の回路接続用接着剤組成物
を介在させ、相対向する回路電極を有する基板を加圧し
て加圧方向の電極間を電気的に接続した接続体である。
さらに、本発明は、[6]相対向する半導体素子の回路
電極と半導体搭載用基板の回路電極間に上記[1]ない
し上記[4]のいずれかに記載の回路接続用接着剤組成
物を介在させ、相対向する回路電極を加圧して加圧方向
の電極間を電気的に接続した半導体装置である。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明において用いる(a)ラジ
カル重合性化合物としては、活性ラジカルによって重合
する官能基を有する化合物であれば、特に制限無く公知
のものを使用することができる。このような官能基とし
ては例えば、分子内にアクリロイル基、メタクリロイル
基、アリル基、マレイミド基、ビニル基等が挙げられる
が、選択の容易さからアクリロイル基およびメタクリロ
イル基(以下、両者を総称して(メタ)アクリロイルと
呼ぶ)を分子内に一つ以上有する化合物が好ましく、さ
らに、分子内に(メタ)アクリロイル基を二つ以上有す
る化合物が、硬化によって高硬化密度が得られるため、
より好ましい。
【0007】具体的には、エポキシ(メタ)アクリレー
トオリゴマー、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマ
ー、ポリエーテル(メタ)アクリレートオリゴマー、ポ
リエステル(メタ)アクリレートオリゴマー等のオリゴ
マー、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレー
ト、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、
ポリアルキレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペ
ンタエリスリトール(メタ)アクリレート、2−シアノ
エチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)
アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレー
ト、ジシクロペンテニロキシエチル(メタ)アクリレー
ト、2−(2−エトキシエトキシ)エチル(メタ)アク
リレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、
2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、n−ヘキシ
ル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メ
タ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリ
レート、イソボルニル(メタ)アクリレート、イソデシ
ル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリ
レート、n−ラウリル(メタ)アクリレート、2−メト
キシエチル(メタ)アクリレート、2−フェノキシエチ
ル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリール
(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メ
タ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メ
タ)アクリレート、イソシアヌル酸変性2官能(メタ)
アクリレート、イソシアヌル酸変性3官能(メタ)アク
リレート、2-(メタ)アクリロイロキシエチルホスフ
ェート、2,2’-ジ(メタ)アクリロイロキシジエチ
ルホスフェート等の単官能および多官能(メタ)アクリ
レート化合物が挙げられる。これらの化合物は、必要に
応じて単独あるいは混合して用いてもよい。
【0008】マレイミド樹脂としては、分子中にマレイ
ミド基を少なくとも1個有しているもので、例えば、フ
ェニルマレイミド、1−メチル−2,4−ビスマレイミ
ドベンゼン、N,N'−m−フェニレンビスマレイミド、N,
N'−p−フェニレンビスマレイミド、N,N'−4,4−ビ
フェニレンビスマレイミド、N,N'−4,4−(3,3−
ジメチルビフェニレン)ビスマレイミド、N,N'−4,4
−(3,3−ジメチルジフェニルメタン)ビスマレイミ
ド、N,N'−4,4−(3,3−ジエチルジフェニルメタ
ン)ビスマレイミド、N,N'−4,4−ジフェニルメタン
ビスマレイミド、N,N'−4,4−ジフェニルプロパンビ
スマレイミド、N,N'−4,4−ジフェニルエーテルビス
マレイミド、N,N'−4,4−ジフェニルスルホンビスマ
レイミド、2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノ
キシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(3−s-ブチ
ル−3,4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)
プロパン、1,1−ビス(4−(4−マレイミドフェノ
キシ)フェニル)デカン、4,4'−シクロヘキシリデ
ン−ビス(1−(4−マレイミドフェノキシ)フェノキ
シ)−2−シクロヘキシルベンゼン、2,2−ビス(4
−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)ヘキサフル
オロプロパンなどが有り、単独でも2種類以上を混合し
て使用しても良い。また、シトラコンイミド樹脂、ナジ
イミド樹脂などを用いても良い。
【0009】本発明において用いる(b)150〜75
0nmの光照射、または80〜200℃の加熱、または
前記光照射と前記加熱を併用することでラジカルを発生
する硬化剤としては、α−アセトアミノフェノン誘導体
や過酸化物、アゾ化合物等、特に制限無く公知のものを
使用することができる。これらの化合物としては、特に
硬化温度の設計の容易さ等の点から、過酸化物がより好
ましい。使用可能な過酸化物としては、過酸化物の分解
の尺度を示す1分間半減期温度の参照が簡便であり、1
分間半減期温度が、40℃以上かつ200℃以下が好ま
しく、その中でも1分間の半減期温度が60℃以上かつ
170℃以下がより好ましい。具体的には、ジアシルパ
ーオキサイド誘導体、パーオキシジカーボネート誘導
体、パーオキシエステル誘導体、パーオキシケタール誘
導体、ジアルキルパーオキサイド誘導体、ハイドロパー
オキサイド誘導体が挙げられる。
【0010】ジアシルパーオキサイド誘導体としては、
2,4―ジクロロベンゾイルパーオキサイド、3,5,5−トリ
メチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパー
オキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイル
パーオキサイド、スクシニックパーオキサイド、ベンゾ
イルパーオキシトルエン、ベンゾイルパーオキサイド等
が挙げられる。
【0011】パーオキシジカーボネート誘導体として
は、ジ−n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイ
ソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブ
チルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−
2−エトキシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ(2
−エチルヘキシルパーオキシ)ジカーボネート、ジメト
キシブチルパーオキシジカーボネート、ジ(3−メチル
−3−メトキシブチルパーオキシ)ジカーボネート等が
挙げられる。
【0012】パーオキシエステル誘導体としては、1,1,
3,3−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエー
ト、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシノ
エデカノエート、t−ヘキシルパーオキシネオデカノエ
ート、t−ブチルパーオキシピバレート、1,1,3,3−テト
ラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノネー
ト、2,5−ジメチル−2,5−ビス(2−エチルヘキサノイ
ルパーオキシ)ヘキサン、2,5−ジメチル−2,5−ビス
(2−ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、1−シクロヘキ
シル−1−メチルエチルパーオキシ−2−エチルヘキサノ
ネート、t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノネ
ート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、1,1−ビス
(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、t−ヘキシル
パーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチル
パーオキシ−3,5,5−トリメチルヘキサノネート、t−ブ
チルパーオキシラウレート、2,5−ジメチル−2,5−ジ
(m−トルオイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパー
オキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパー
オキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘキ
シルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシア
セテート等が挙げられる。
【0013】パーオキシケタール誘導体としては、1,1
−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチル
シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)
−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−(t−ブチ
ルパーオキシ)シクロドデカン、2,2−ビス(4,4−ジ−
t−ブチルパーオキシシクロヘキシル)プロパン、2,2−
ビス(t−ブチルパーオキシ)デカン等が挙げられる。
【0014】ジアルキルパーオキサイド誘導体として
は、α,α'ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピ
ルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル
−2,5−ジ(t−ブチルオキシ)ヘキサン、t−ブチルク
ミルパーオキサイド等が挙げられる。
【0015】ハイドロパーオキサイド類としては、ジイ
ソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハ
イドロパーオキサイド等が挙げられる。これらの化合物
は、単独で用いる他に、2種以上の化合物を混合して用
いても良い。
【0016】(b)硬化剤の添加量は、(a)ラジカル
重合性化合物100重量部に対して、0.5〜30重量
部であり、好ましくは1〜20重量部である。添加量が
0.5重量部未満の場合、硬化不足が懸念され、また、
30重量部を超えた場合には、接着力が低下する恐れが
ある。
【0017】本発明に用いる(c)分子内に窒素原子と
炭素―炭素二重結合を含有する化合物としては、特に制
限無く公知の化合物を使用できる。このような、化合物
としては、分子内にアミノ基を有するビニル化合物が特
に好ましい。具体的には、N-ビニルイミダゾール、N-
ビニルピリジン、N-ビニルピロリドン、N-ビニルホル
ムアミド、N-ビニルカプロラクタム、4,4'‐ビニリ
デンビス(N,N−ジメチルアニリン)、N-ビニルア
セトアミド、N,N-ジメチルアミノエチルメタクリレ
ート、N,N-ジメチルアミノエチルアクリレート、
N,N-ジメチルアミノプロピルメタクリレート、N、
N-ジメチルアミノプロピルアクリレート、N,N−ジ
メチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、N−
イソプロピルアクリルアミド、N,N−ジエチルアクリ
ルアミドから選ばれる少なくとも1種類のビニル化合物
が挙げられる。これらの化合物は単独で用いる他に、2
種以上の化合物を混合して用いても良い。
【0018】(c)分子内に窒素原子と炭素―炭素二重
結合を含有する化合物の添加量は、(a)ラジカル重合
性化合物100部に対して、0.5〜30重量部であ
り、好ましくは1〜20重量部である。添加量が0.5
重量部未満の場合、高接着強度が得られにくく、また、
30重量部を超える場合には、硬化後の接着剤の吸水率
が上昇して、信頼性が低下する恐れがある。
【0019】本発明に用いる導電粒子としては、Au、
Ag、Ni、Cu、はんだ等の金属粒子やカーボン等が
挙げられる。また、非導電性のガラス、セラミック、プ
ラスチック等を核とし、この核に前記金属、金属粒子や
カーボンを被覆したものでもよい。導電粒子が、プラス
チックを核とし、この核に前記金属、金属粒子やカーボ
ンを被覆したものや熱溶融金属粒子の場合、加熱加圧に
より変形性を有するので接続時に電極の高さばらつきを
解消し、また、電極との接触面積が増加し信頼性が向上
するので好ましい。またこれらの導電粒子の表面を、さ
らに高分子樹脂などで被覆した微粒子は、導電粒子の配
合量を増加した場合の粒子同士の接触による短絡を抑制
し、電極回路間の絶縁性が向上できることから、適宜こ
れを単独あるいは導電粒子と混合して用いてもよい。
【0020】この導電粒子の平均粒径は、分散性、導電
性の点から1〜18μmであることが好ましい。導電粒
子の使用量は、特に制限は受けないが、回路接続用接着
剤組成物の合計100体積に対して0.1〜30体積%
とすることが好ましく、0.1〜10体積%とすること
がより好ましい。この値が、0.1体積%未満であると
導電性に劣る傾向があり、30体積%を超えると回路の
短絡が起こる傾向がある。なお、体積%は23℃の硬化
前の各成分の体積をもとに決定されるが、各成分の体積
は、比重を利用して重量から体積に換算することができ
る。また、メスシリンダー等にその成分を溶解したり膨
潤させたりせず、その成分をよくぬらす適当な溶媒
(水、アルコール等)を入れたものに、その成分を投入
し増加した体積をその体積として求めることもできる。
【0021】本発明の接回路接続用着剤組成物には、カ
ップリング剤等の密着向上剤、レベリング剤、着色剤な
どの添加剤を適宜添加してもよい。
【0022】本発明の回路接続用接着剤組成物は、増粘
化、フィルム形成性、接着性、硬化時の応力緩和性を付
与するため、種々の樹脂を適宜添加してもよい。使用す
る樹脂は特に制限を受けないが、(a)ラジカル重合性
化合物、(b)硬化剤、(c)分子内に窒素原子と炭素
−炭素二重結合を含有する化合物及び導電粒子に悪影響
を及ぼさないことが必須である。このような樹脂として
は、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂、キシレン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリメタクリレート樹脂、ポリアクリレート樹脂、
SBS及びそのエポキシ変性体、SEBS及びその変性
体、尿素樹脂等の高分子成分が使用される。これら高分
子成分は、分子量が10000〜10,000,000の
ものが好ましい。分子量は、大きいほどフィルム形成性
が容易に得られ、また接着剤としての流動性に影響する
溶融粘度を広範囲に設定できる。さらに、これらは、混
合する樹脂同士が完全に相溶するか、もしくはミクロ相
分離が生じて白濁する状態であれば接着剤組成物として
は好適に用いることができる。また、これら樹脂は、ラ
ジカル重合性の官能基で変成されていても良く、この場
合耐熱性が向上する。また、これら樹脂は、シロキサン
結合やフッ素置換基が含まれていても良い。さらに、ラ
ジカル重合性の官能基やエポキシ基,カルボキシル基な
どで変成されていても良く、この場合耐熱性が向上す
る。高分子成分の配合量は、2〜80重量%であり、5
〜70重量%が好ましく、10〜60重量%が特に好ま
しい。2重量%未満では、応力緩和や接着力が十分でな
く、80重量%を超えると流動性が低下する。
【0023】本発明の回路接続用接着剤組成物は、常温
で液状である場合にはペースト状で使用することができ
る。室温(25℃程度)で固体の場合には、加熱して使
用する他、溶剤を使用してペースト化してもよい。使用
できる溶剤としては、接着剤組成物及び添加剤と反応性
がなく、かつ十分な溶解性を示すものであれば、特に制
限は受けないが、常圧での沸点が50〜150℃である
ものが好ましい。沸点が50℃以下の場合、室温で放置
すると揮発する恐れがあり、開放系での使用が制限され
る。また、沸点が150℃以上だと、溶剤を揮発させる
ことが難しく、接着後の信頼性に悪影響を及ぼす恐れが
ある。
【0024】本発明の回路接続用接着剤組成物はフィル
ム状にして用いることもできる。接着剤組成物に必要に
より溶剤等を加えるなどした溶液を、フッ素樹脂フィル
ム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、離形紙等の
剥離性基材上に塗布し、あるいは不織布等の基材に前記
溶液を含浸させて剥離性基材上に載置し、溶剤等を除去
してフィルムとして使用することができる。フィルム形
状で使用すると取扱性等の点から一層便利である。
【0025】本発明の回路接続用接着剤組成物は光照
射、加熱、または光照射と同時に加熱及び加圧を併用し
て接着させることができる。これらを併用することによ
り、より低温短時間での接着が可能となる。光照射は、
150〜750nmの波長域の照射光が好ましく、低圧
水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセ
ノンランプ、メタルハライドランプを使用して0.1〜
10J/cmの照射量で硬化することができる。加熱
温度は、80〜200℃の温度であるが、80以下の5
0℃〜170℃程度でも良い。圧力は、被着体に損傷を
与えない範囲であれば、特に制限は受けないが、一般的
には0.1〜10MPaが好ましい。これらの加熱及び
加圧は、0.5秒〜3時間、好ましくは、0.5秒〜1
0分、より好ましくは、0.5秒〜1分の範囲で行うこ
とがより好ましい。
【0026】本発明の回路接続用接着剤組成物は、回路
接続用ばかりでなく、熱膨張係数の異なる異種の被着体
の接着剤として使用することもできる。具体的には、異
方導電接着剤、銀ペースト、銀フィルム等に代表される
回路接続材料、CSP用エラストマー、CSP用アンダ
ーフィル材、LOCテープ等に代表される半導体素子接
着材料として使用することができる。
【0027】以下に、本発明の回路接続用接着剤組成物
及び導電粒子を使用して作製した異方導電フィルムと電
極の接続の一例について説明する。異方導電フィルム
を、基板上の相対向する回路電極間に存在させ、加熱加
圧することにより両電極の接触と基板間の接着を得、電
極との接続を行える。回路電極を形成する基板として
は、半導体、ガラス、セラミック等の無機質材料、ポリ
イミド、ポリカーボネート等の有機物材料、ガラス/エ
ポキシ等の複合材料の各組み合わせが適用できる。
【0028】
【実施例】以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0029】(実施例1〜2、比較例1〜2)フェノキ
シ樹脂(PKHC、ユニオンカーバイド社製商品名、平
均分子量45,000)40gを、メチルエチルケトン
60gに溶解して、固形分40重量%の溶液とした。ラ
ジカル重合性化合物として、イソシアヌル酸EO(エチ
レンオキサイド)変性(M-315、東亜合成株式会社
製商品名)及び2-メタクリロイロキシエチルアシッド
ホスフェート(ライトエステルP-2M、共栄社化学株
式会社製商品名)、硬化剤として、1,1−ビス(t−
へキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロ
ヘキサン(パーヘキサTMH、日本油脂株式会社製商品
名)、分子内に窒素原子と炭素―炭素二重結合を含有す
る化合物としてN-ビニルイミダゾール(東京化成工業
株式会社製)及びアクリロイルモルホリン(ACMO、
株式会社興人社製商品名)を用いた。またポリスチレン
を核とする粒子の表面に、厚み0.2μmのニッケル層
を設け、このニッケル層の外側に、厚み0.02μmの
金層を設け、平均粒径5μm、比重2.5の導電粒子を
作製した。固形重量比で表1に示すように配合し、さら
に導電粒子を1.5体積%配合分散させ、厚み80μm
のフッ素樹脂フィルムに塗工装置を用いて塗布し、70
℃、10分の熱風乾燥によって接着剤層の厚みが20μ
mのフィルム状接着剤を得た。
【0030】
【表1】
【0031】〔接着強度、接続抵抗の測定〕 上記製法
によって得たフィルム状接着剤を用いて、ライン幅50
μm、ピッチ100μm、厚み18μmの銅回路を50
0本有するフレキシブル回路板(FPC)と、0.2μ
mの酸化インジウム(ITO)の薄層を形成したガラス
(厚み1.1mm、表面抵抗20Ω/□)とを、熱圧着
装置(加熱方式:コンスタントヒート型、東レエンジニ
アリング株式会社製)を用いて170℃、3MPaで2
0秒間の加熱加圧を行って幅2mmにわたり接続し、接
続体を作製した。この接続体の隣接回路間の抵抗値を、
接着直後と、85℃、85%RHの高温高湿槽中に24
0時間保持した後にマルチメータで測定した。抵抗値は
隣接回路間の抵抗150点の平均で示した。
【0032】また、この接続体の接着強度をJIS−Z
0237に準じて90度剥離法で測定し、評価した。こ
こで、接着強度の測定装置は東洋ボールドウィン株式会
社製テンシロンUTM−4(剥離速度50mm/mi
n、25℃)を使用した。以上のようにして行った接続
体の接着強度、接続抵抗の測定の結果を表2に示した。
【0033】
【表2】
【0034】実施例1〜2で得られた回路接続用接着剤
組成物は、接着直後及び85℃、85%RHの高温高湿
槽中に240時間保持した後で、良好な接続抵抗及び接
着強度を示し、高い耐久性を合わせ持つことが分かる。
これに対し、本発明の(c)分子内に窒素原子と炭素―炭
素二重結合を含有する化合物(塩基性のビニル化合物)
を使用しない比較例1〜2では、接着直後では良好な値
を示したが、85℃、85%RHの高温高湿槽中に24
0時間保持した後では、接続抵抗が上昇し、かつ接着強
度が大幅に低下したため、満足な接続体は得られなかっ
た。
【0035】(実施例3)実施例1で得られたフィルム
状接着剤を、真空包装を施して、40℃で5日間放置し
た後、FPCとITOとの加熱圧着を同様に行ったとこ
ろ、接着直後の接続抵抗2.3Ω、接着強度1050N
/m、85℃、85%RHの高温高湿槽中に240時間
保持した後の接続抵抗2.8Ω、接着強度900N/mで
あり、接着直後、信頼性試験後とも放置前と同様の良好
な値を示し、放置安定性(貯蔵安定性)に優れる。
【0036】(比較例3)比較例1で得られたフィルム状
接着剤を用いて、実施例3と同様に放置安定性試験を行
ったところ、接着直後の接続抵抗4.8Ω、接着強度6
00N/m、85℃、85%RHの高温高湿槽中に24
0時間保持した後の接続抵抗8.7Ω、接着強度200
N/mであり、接着直後、信頼性試験後とも放置前より
も低下しており、放置安定性に劣る。
【0037】
【発明の効果】本発明によれば、低温短時間硬化が可能
で、高温高湿条件での信頼性試験後も良好な性能を示
し、かつ貯蔵安定性(放置安定性)に優れる回路接続用
接着剤組成物、接続体及び半導体装置を提供することが
できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J040 FA07 FA141 FA151 FA161 FA171 FA181 FA211 FA261 FA271 FA281 FA291 GA15 GA17 GA22 HB41 HC14 JB02 JB08 JB10 KA12 KA13 KA32 LA05 LA06 LA07 LA09 NA20 5E344 AA01 BB02 BB04 CD02 CD04 CD06 DD06 EE16 5F044 NN13 NN20 NN21 NN22

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (a)ラジカル重合性化合物、(b)15
    0〜750nmの光照射、または80〜200℃の加
    熱、または前記光照射と前記加熱を併用することでラジ
    カルを発生する硬化剤、(c)分子内に窒素原子と炭素―
    炭素二重結合を含有する化合物からなる回路接続用接着
    剤組成物。
  2. 【請求項2】 (c)分子内に窒素原子と炭素―炭素二
    重結合を含有する化合物が、N-ビニルイミダゾール、
    N-ビニルピリジン、N-ビニルピロリドン、N-ビニル
    ホルムアミド、N-ビニルカプロラクタム、4,4'−ビ
    ニリデンビス(N,N−ジメチルアニリン)、N-ビニ
    ルアセトアミド、N、N-ジメチルアミノエチルメタク
    リレート、N,N-ジメチルアミノエチルアクリレー
    ト、N,N-ジメチルアミノプロピルメタクリレート、
    N,N-ジメチルアミノプロピルアクリレート、N,N
    −ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、
    N−イソプロピルアクリルアミド、N,N−ジエチルア
    クリルアミドから選ばれる少なくとも1種類である請求
    項1に記載の回路接続用接着剤組成物。
  3. 【請求項3】 (a)ラジカル重合性化合物100重量
    部に対して、(b)150〜750nmの光照射、また
    は80〜200℃の加熱、または前記光照射と前記加熱
    を併用することでラジカルを発生する硬化剤0.5〜3
    0重量部、(c)分子内に窒素原子と炭素―炭素二重結
    合を含有する化合物0.5〜30重量部を含有してなる
    請求項1または請求項2に記載の回路接続用接着剤組成
    物。
  4. 【請求項4】 (a)ラジカル重合性化合物100体積
    に対して、さらに、導電粒子0.1〜30体積%を含有
    してなる請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の回
    路接続用接着剤組成物。
  5. 【請求項5】 相対向する回路電極を有する基板間に請
    求項1ないし請求項4のいずれかに記載の回路接続用接
    着剤組成物を介在させ、相対向する回路電極を有する基
    板を加圧して加圧方向の電極間を電気的に接続した接続
    体。
  6. 【請求項6】 相対向する半導体素子の回路電極と半導
    体搭載用基板の回路電極間に請求項1ないし請求項4の
    いずれかに記載の回路接続用接着剤組成物を介在させ、
    相対向する回路電極を加圧して加圧方向の電極間を電気
    的に接続した半導体装置。
JP2001283401A 2001-09-18 2001-09-18 異方導電フィルム、接続体及び半導体装置 Expired - Fee Related JP5002876B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001283401A JP5002876B2 (ja) 2001-09-18 2001-09-18 異方導電フィルム、接続体及び半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001283401A JP5002876B2 (ja) 2001-09-18 2001-09-18 異方導電フィルム、接続体及び半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012060936A Division JP2012126915A (ja) 2012-03-16 2012-03-16 異方導電フィルム、接続体及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003089771A true JP2003089771A (ja) 2003-03-28
JP5002876B2 JP5002876B2 (ja) 2012-08-15

Family

ID=19106893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001283401A Expired - Fee Related JP5002876B2 (ja) 2001-09-18 2001-09-18 異方導電フィルム、接続体及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5002876B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005226049A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料及びそれを用いたフィルム状回路接続材料、並びに回路部材の接続構造及びその製造方法
JP2008195882A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Fujifilm Corp インクジェット記録用インク組成物、及び、インクジェット記録方法
JP2008291199A (ja) * 2007-04-23 2008-12-04 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料およびそれを用いた接続構造体
JP2008308682A (ja) * 2007-05-15 2008-12-25 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料
JP2010528153A (ja) * 2007-05-23 2010-08-19 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン 防食接着剤組成物
JP2013093607A (ja) * 2007-04-27 2013-05-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体ウエハーの接合方法および半導体装置の製造方法
WO2015033833A1 (ja) * 2013-09-05 2015-03-12 積水化学工業株式会社 硬化性組成物及び接続構造体

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01213325A (ja) * 1988-02-20 1989-08-28 Somar Corp チップ部品用硬化性組成物
JPH04283211A (ja) * 1991-03-12 1992-10-08 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd 紫外線硬化型導電性樹脂組成物
JPH10168413A (ja) * 1996-12-16 1998-06-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
JP2000239616A (ja) * 1999-02-24 2000-09-05 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP2000265119A (ja) * 1999-03-16 2000-09-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JP2001019912A (ja) * 1999-07-05 2001-01-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト及びそれを用いた半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01213325A (ja) * 1988-02-20 1989-08-28 Somar Corp チップ部品用硬化性組成物
JPH04283211A (ja) * 1991-03-12 1992-10-08 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd 紫外線硬化型導電性樹脂組成物
JPH10168413A (ja) * 1996-12-16 1998-06-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
JP2000239616A (ja) * 1999-02-24 2000-09-05 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP2000265119A (ja) * 1999-03-16 2000-09-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JP2001019912A (ja) * 1999-07-05 2001-01-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト及びそれを用いた半導体装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4655488B2 (ja) * 2004-02-16 2011-03-23 日立化成工業株式会社 回路接続材料及びそれを用いたフィルム状回路接続材料、並びに回路部材の接続構造及びその製造方法
JP2005226049A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料及びそれを用いたフィルム状回路接続材料、並びに回路部材の接続構造及びその製造方法
JP2008195882A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Fujifilm Corp インクジェット記録用インク組成物、及び、インクジェット記録方法
JP2008291199A (ja) * 2007-04-23 2008-12-04 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料およびそれを用いた接続構造体
JP2013093607A (ja) * 2007-04-27 2013-05-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体ウエハーの接合方法および半導体装置の製造方法
JP2008308682A (ja) * 2007-05-15 2008-12-25 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料
JP2010528153A (ja) * 2007-05-23 2010-08-19 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン 防食接着剤組成物
WO2015033833A1 (ja) * 2013-09-05 2015-03-12 積水化学工業株式会社 硬化性組成物及び接続構造体
CN105189655A (zh) * 2013-09-05 2015-12-23 积水化学工业株式会社 固化性组合物及连接结构体
CN105209515A (zh) * 2013-09-05 2015-12-30 积水化学工业株式会社 固化性组合物及连接结构体
CN105209515B (zh) * 2013-09-05 2017-03-08 积水化学工业株式会社 固化性组合物及连接结构体
CN105189655B (zh) * 2013-09-05 2017-03-08 积水化学工业株式会社 固化性组合物及连接结构体
TWI596150B (zh) * 2013-09-05 2017-08-21 Sekisui Chemical Co Ltd Hardening composition and connection structure

Also Published As

Publication number Publication date
JP5002876B2 (ja) 2012-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7795325B2 (en) Adhesive composition, adhesive composition for circuit connection, connected body semiconductor device
KR100698916B1 (ko) 접착제 조성물, 회로접속재료, 회로부재의 접속구조체 및 반도체장치
JP4466650B2 (ja) フィルム状接着剤、フィルム状回路接続材、回路部材の接続方法及び半導体装置
JP4760070B2 (ja) 接着剤、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置
JP5251393B2 (ja) 接着剤組成物、回路接続用接着剤及びそれを用いた接続体
JP2014122353A (ja) 接着剤組成物、回路接続用接着剤及び接続体
JP6045918B2 (ja) 回路接続材料、回路接続部材の接続構造及び半導体装置
JP5560544B2 (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置
JP5236144B2 (ja) 接着剤組成物、回路接続構造体及び半導体装置
JP3858740B2 (ja) 回路接続用接着剤組成物及びそれを用いた回路接続構造体
JP5298977B2 (ja) 接着剤組成物、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置
JP4720073B2 (ja) 接着剤組成物、回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置
JP5002876B2 (ja) 異方導電フィルム、接続体及び半導体装置
JP5111711B2 (ja) 接着剤組成物、回路接続用接着剤組成物及び回路接続方法
JP5034494B2 (ja) 接着剤組成物、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置
JP4649815B2 (ja) 回路接続用接着剤組成物及びそれを用いた回路接続構造体
JP5061509B2 (ja) 接着剤組成物並びにこれを用いた接続体及び半導体装置
JP2012126915A (ja) 異方導電フィルム、接続体及び半導体装置
JP2006127956A (ja) 異方導電フィルム、異方導電フィルムの製造方法、これを用いた接続体および半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080829

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110620

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110714

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110907

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20110907

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120110

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120316

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120328

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120424

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120507

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees