JP2003086754A5 - - Google Patents

Claims (26)

1. 半導体集積回路を封止したパッケージと、当該パッケージに搭載され当該パッケージに給電する電源モジュールを有する半導体集積回路モジュール。
2. 請求項１記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
   前記電源モジュールは、電源チップ単体、又は、電源チップ単体及びその周辺部品と、複数の電極とを有し、
   前記パッケージは、その表面に電極を設け、該電極と前記電源モジュールの電極とを電気的に接続することで、該パッケージに前記電源モジュールを搭載し、
   かつ、前記電源モジュールから該パッケージへ給電する半導体集積回路モジュール。
3. 半導体集積回路を封止したパッケージであって、当該パッケージに給電する電源モジュールの構成要素を、当該パッケージに設けた半導体集積回路モジュール。
4. 請求項２記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
   前記パッケージに封止された半導体集積回路と、前記電源モジュールとの間にインタフェースを有し、双方向に制御する機能を有する半導体集積回路モジュール。
5. 請求項４記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
   前記電源モジュールが前記パッケージから取り外し可能である半導体集積回路モジュール。
6. 請求項２記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
   前記電源モジュールを搭載した状態であっても、前記パッケージに封止された半導体集積回路へ、放熱器を取り付け可能である半導体集積回路モジュール。
7. 請求項６記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
   前記電源モジュールは開口を有し、当該開口を介して、前記放熱器を取り付け可能である半導体集積回路モジュール。
8. 請求項２記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
   前記パッケージの入力電圧より、前記電源モジュールの出力電圧の方が小さい半導体集積回路モジュール。
9. 次の２つの手順を順序不同で行なうステップと、
   １）半導体集積回路をパッケージに固定し、封止すること
   ２）パッケージに放熱板を設けること
   前記パッケージに給電する電源モジュールを、前記パッケージの表面にほぼ垂直な方向から、前記放熱板を介して、搭載するステップとを有する半導体集積回路モジュールの製造方法。
10. 半導体集積回路をパッケージに固定し、封止するステップと、
    前記パッケージに給電する電源モジュールを、前記パッケージの表面にほぼ垂直な方向から、搭載するステップとを有する半導体集積回路モジュールの製造方法。
11. 請求項１０記載の半導体集積回路モジュールの製造方法において、
    更に、前記パッケージに、前記電源モジュールに設けられた開口を介して、放熱板を設けるステップとを有する半導体集積回路モジュールの製造方法。
12. 次の３つの手順を順序不同で行なうステップを有する半導体集積回路モジュールの製造方法。
    １）パッケージに少なくとも２系統の配線を設けること
    ２）半導体集積回路をパッケージの１つの系統の配線に固定し、封止すること
    ３）パッケージに給電する電源モジュールの構成要素を、前記パッケージのもう１つの系統の配線に接続すること
13. 請求項１２記載の半導体集積回路モジュールの製造方法において、更に、前記パッケージに放熱板を設けるステップを有する半導体集積回路モジュールの製造方法。
14. 請求項９、１０、又は１２のいずれか１項に記載の半導体集積回路モジュールの製造方法において、
    半導体集積回路をパッケージに固定する前に、
    当該半導体集積回路の内部に、半導体集積回路モジュールへ供給される電源と、前記半導体集積回路へ供給される電源との双方を監視する電圧変動検出回路部を設けるステップ有する半導体集積回路モジュールの製造方法。
15. 半導体集積回路を封止したパッケージと、当該パッケージに搭載され当該パッケージに給電する電源モジュールを有する半導体集積回路モジュールの使用方法であって、
    電源モジュールから半導体集積回路に対し第１の電圧が供給されるステップと、
    半導体集積回路が、スタートアップシーケンスを開始するステップと、
    半導体集積回路が、電源モジュールへ第１の制御信号を出力するステップと、
    電源モジュールが、第１の制御信号に応答して、半導体集積回路に対し、第２の電圧を出力するステップとを含む半導体集積回路モジュールの使用方法。
16. 半導体集積回路を封止したパッケージと、当該パッケージに搭載され当該パッケージに給電する電源モジュールを有する半導体集積回路モジュールの使用方法であって、
    電源モジュールから半導体集積回路に対し第１の電圧が供給されるステップと、
    半導体集積回路が、スタートアップシーケンスを開始するステップと、
    電源モジュールが、半導体集積回路に対し、第３の制御信号を出力するステップと、
    半導体集積回路が、第３の制御信号を受信し、シャットダウン処理を行うステップとを含む半導体集積回路モジュールの使用方法。
17. 基板と、
    半導体集積回路と、
    前記半導体集積回路を封止した半導体パッケージと、
    前記半導体パッケージの内部において、前記半導体集積回路に電気的に接続された複数の第１のボンディングワイヤと、
    前記半導体パッケージを前記基板に接続する複数の半田ボールと、
    前記半導体パッケージの内部において、前記複数の半田ボールの１つに接続され、前記１つの半田ボールを介して前記基板から電力を入力する第１の導電性スルーホールと、
    前記第１の導電性スルーホールに接続され、第１の経路を通して前記基板から前記半導体集積回路に電力を入力する第１の電極であって、前記第１の経路は、前記１つの半田ボール、前記第１の導電性スルーホール、前記第１の電極、及び前記複数の第１のボンディングワイヤよりなる前記第１の電極と、
    前記半導体パッケージの上面に搭載され、前記半導体パッケージに電力を供給する電源モジュールと、
    前記電源モジュールに接続され、前記電源モジュールから電力を供給する第２の電極と 、
    前記半導体パッケージの内部において、前記第２の電極に接続され、前記第２の電極から電力を供給する第２の導電性スルーホールと、
    前記半導体パッケージの内部において、前記第２の導電性スルーホール及び前記半導体集積回路に接続され、第２の経路を通して前記電源モジュールから前記半導体集積回路に電力を供給する第２のボンディングワイヤであって、前記第２の経路は、前記第２の電極、前記第２の導電性スルーホール、及び前記第２のボンディングワイヤよりなる前記第２のボンディングワイヤと、
    からなる半導体集積回路モジュール。
18. 請求項１７記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
    前記基板は複数の内層を含む半導体集積回路モジュール。
19. 請求項１７記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
    前記電源モジュールは、電源チップ単体、又は、電源チップ単体及びその周辺部品と、複数の電極とを有し、
    前記パッケージは、その表面に電極を設け、該電極と前記電源モジュールの電極とを電気的に接続することで、該パッケージに前記電源モジュールを搭載し、かつ、前記電源モジュールから該パッケージへ給電する半導体集積回路モジュール。
20. 請求項１９記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
    前記パッケージに封止された半導体集積回路と、前記電源モジュールとの間にインタフェースを有し、双方向に制御する機能を有する半導体集積回路モジュール。
21. 請求項２０記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
    前記電源モジュールが前記パッケージから取り外し可能である半導体集積回路モジュール。
22. 請求項１９記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
    前記電源モジュールを搭載した状態であっても、前記パッケージに封止された半導体集積回路へ、放熱器を取り付け可能である半導体集積回路モジュール。
23. 請求項２２記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
    前記電源モジュールは開口を有し、当該開口を介して、前記放熱器を取り付け可能である半導体集積回路モジュール。
24. 請求項１９記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
    前記パッケージの入力電圧より、前記電源モジュールの出力電圧の方が小さい半導体集積回路モジュール。
25. 基板と、
    半導体集積回路と、
    前記半導体集積回路を封止した半導体パッケージであって、前記半導体パッケージは、前記半導体パッケージに電力を供給するための電源モジュールの構成要素を含み、前記電源モジュールは、前記半導体パッケージの上面に搭載されている前記半導体パッケージと、
    前記半導体パッケージの内部において、前記半導体集積回路に電気的に接続された複数の第１のボンディングワイヤと、
    前記半導体パッケージを前記基板に接続する複数の半田ボールと、
    前記半導体パッケージの内部において、前記複数の半田ボールの１つに接続され、前記 １つの半田ボールを介して前記基板から電力を入力する第１の導電性スルーホールと、
    前記第１の導電性スルーホールに接続され、第１の経路を通して前記基板から前記半導体集積回路に電力を入力する第１の電極であって、前記第１の経路は、前記１つの半田ボール、前記第１の導電性スルーホール、前記第１の電極、及び前記複数の第１のボンディングワイヤよりなる前記第１の電極と、
    前記電源モジュールに接続され、前記電源モジュールから電力を供給する第２の電極と、
    前記半導体パッケージの内部において、前記第２の電極に接続され、前記第２の電極から電力を供給する第２の導電性スルーホールと、
    前記半導体パッケージの内部において、前記第２の導電性スルーホール及び前記半導体集積回路に接続され、第２の経路を通して前記電源モジュールから前記半導体集積回路に電力を供給する第２のボンディングワイヤであって、前記第２の経路は、前記第２の電極、前記第２の導電性スルーホール、及び前記第２のボンディングワイヤよりなる前記第２のボンディングワイヤと、
    からなる半導体集積回路モジュール。
26. 請求項２５記載の半導体集積回路モジュールにおいて、
    前記基板は複数の内層を含む半導体集積回路モジュール。