JP2003084264A - 反射型液晶表示素子用プラスチック基板。 - Google Patents
反射型液晶表示素子用プラスチック基板。Info
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- JP2003084264A JP2003084264A JP2001274832A JP2001274832A JP2003084264A JP 2003084264 A JP2003084264 A JP 2003084264A JP 2001274832 A JP2001274832 A JP 2001274832A JP 2001274832 A JP2001274832 A JP 2001274832A JP 2003084264 A JP2003084264 A JP 2003084264A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐薬品性、耐熱性、寸法安定性に加え、表面
平滑性および水蒸気、酸素に対するバリア性の優れた反
射型液晶表示素子用プラスチック基板を提供する。 【解決手段】 シアネート樹脂を含む樹脂組成物をガラ
スクロスに含浸・乾燥させたプリプレグを加熱成形させ
た、厚みが５０〜５００μｍのベース基板（ａ）の両面
に厚みが３〜５０μｍであるシアネート樹脂からなる平
滑性改良層（ｂ）を有し、その片面に厚さ２〜１５μの
脂環式エポキシ樹脂による耐フッ硝酸保護層（ｃ）を有
し、対面には厚みが３００〜１０００ÅのＴａ2Ｏ5また
はＳｉ3Ｎ4からなる水蒸気バリア層（ｄ）と前記耐フッ
硝酸保護層（ｃ）とを有する反射型液晶表示素子用プラ
スチック基板。
平滑性および水蒸気、酸素に対するバリア性の優れた反
射型液晶表示素子用プラスチック基板を提供する。 【解決手段】 シアネート樹脂を含む樹脂組成物をガラ
スクロスに含浸・乾燥させたプリプレグを加熱成形させ
た、厚みが５０〜５００μｍのベース基板（ａ）の両面
に厚みが３〜５０μｍであるシアネート樹脂からなる平
滑性改良層（ｂ）を有し、その片面に厚さ２〜１５μの
脂環式エポキシ樹脂による耐フッ硝酸保護層（ｃ）を有
し、対面には厚みが３００〜１０００ÅのＴａ2Ｏ5また
はＳｉ3Ｎ4からなる水蒸気バリア層（ｄ）と前記耐フッ
硝酸保護層（ｃ）とを有する反射型液晶表示素子用プラ
スチック基板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、剛性、耐薬品性、
耐熱性および寸法安定性が良好であり、かつ水蒸気、酸
素などに対するバリア性および表面平滑性に優れた反射
型液晶表示素子用プラスチック基板に関係するものであ
る。
耐熱性および寸法安定性が良好であり、かつ水蒸気、酸
素などに対するバリア性および表面平滑性に優れた反射
型液晶表示素子用プラスチック基板に関係するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示素子は薄膜化、軽量化、
大型化、任意の形状化、曲面表示対応などの高度な要求
がある。特に、携帯機器については軽量化、高耐久性が
強く要求され、これらの利用が拡大されるにつれて従来
のガラス基板に変わりプラスチックを基板とする液晶表
示パネルが提案され、例えば特開平１０−７７３２１号
に提案されている。しかし、最近になって液晶のカラー
動画化に伴いさらなる高速応答性が要求され、ＴＦＴの
需要が高まりつつある。しかし、ＴＦＴ用液晶表示基板
にはその製造プロセスで高温にさらされることと、エッ
チング・洗浄工程と乾燥工程の繰り返しによる寸法変化
等の問題から、依然としてガラス基板が使われているの
が現状である。一方、反射型液晶表示素子は、低消費電
力の観点から近年注目されており、やはり基板のプラス
チック化の検討が進められている。例えば、特開平１１
−２８１２号公報においてはガラスエポキシベース基板
等の樹脂が含浸した繊維布を含むベース基板を反射型液
晶表示基板に用いることが示されている。しかしなが
ら、ＴＦＴ液晶表示素子用基板に用いるためにはなお耐
熱性が不十分であり、繊維布によるうねりが表面にも反
映され、表示素子として要求される平滑性が得られなか
った。
大型化、任意の形状化、曲面表示対応などの高度な要求
がある。特に、携帯機器については軽量化、高耐久性が
強く要求され、これらの利用が拡大されるにつれて従来
のガラス基板に変わりプラスチックを基板とする液晶表
示パネルが提案され、例えば特開平１０−７７３２１号
に提案されている。しかし、最近になって液晶のカラー
動画化に伴いさらなる高速応答性が要求され、ＴＦＴの
需要が高まりつつある。しかし、ＴＦＴ用液晶表示基板
にはその製造プロセスで高温にさらされることと、エッ
チング・洗浄工程と乾燥工程の繰り返しによる寸法変化
等の問題から、依然としてガラス基板が使われているの
が現状である。一方、反射型液晶表示素子は、低消費電
力の観点から近年注目されており、やはり基板のプラス
チック化の検討が進められている。例えば、特開平１１
−２８１２号公報においてはガラスエポキシベース基板
等の樹脂が含浸した繊維布を含むベース基板を反射型液
晶表示基板に用いることが示されている。しかしなが
ら、ＴＦＴ液晶表示素子用基板に用いるためにはなお耐
熱性が不十分であり、繊維布によるうねりが表面にも反
映され、表示素子として要求される平滑性が得られなか
った。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、耐薬
品性、耐熱性、寸法安定性に加え、表面平滑性および水
蒸気、酸素に対するバリア性の優れた反射型液晶表示素
子用プラスチック基板を提供することである。
品性、耐熱性、寸法安定性に加え、表面平滑性および水
蒸気、酸素に対するバリア性の優れた反射型液晶表示素
子用プラスチック基板を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、
（１）シアネート樹脂を含む樹脂組成物をガラスクロス
に含浸・乾燥させたプリプレグを加熱成形させた、厚み
が５０〜５００μｍのベース基板（ａ）の両面に厚みが
１０〜１５μｍであるシアネート樹脂からなる平滑性改
良層（ｂ）を有し、その片面に厚さ２〜１５μの脂環式
エポキシ樹脂による耐フッ硝酸保護層（ｃ）を有し、対
面には厚みが３００〜１０００ÅのＴａ2Ｏ5またはＳｉ
3Ｎ4からなる水蒸気バリア層（ｄ）と前記耐フッ硝酸保
護層（ｃ）とを有する反射型液晶表示素子用プラスチッ
ク基板。 （２）前記シアネート樹脂がノボラック型シアネート樹
脂である（１）の反射型液晶表示素子用プラスチック基
板。 （３）前記シアネート樹脂を含む樹脂組成物に平均粒径
２μｍ以下の球状溶融シリカからなる無機充填材を含む
ことを特徴とする（１）または（２）の反射型液晶表示
素子用プラスチック基板 （４）前記脂環式エポキシ樹脂が一般式（１）で示され
る脂環式エポキシ樹脂であることを特徴とする（１）〜
（３）の反射型液晶表示素子用プラスチック基板。
に含浸・乾燥させたプリプレグを加熱成形させた、厚み
が５０〜５００μｍのベース基板（ａ）の両面に厚みが
１０〜１５μｍであるシアネート樹脂からなる平滑性改
良層（ｂ）を有し、その片面に厚さ２〜１５μの脂環式
エポキシ樹脂による耐フッ硝酸保護層（ｃ）を有し、対
面には厚みが３００〜１０００ÅのＴａ2Ｏ5またはＳｉ
3Ｎ4からなる水蒸気バリア層（ｄ）と前記耐フッ硝酸保
護層（ｃ）とを有する反射型液晶表示素子用プラスチッ
ク基板。 （２）前記シアネート樹脂がノボラック型シアネート樹
脂である（１）の反射型液晶表示素子用プラスチック基
板。 （３）前記シアネート樹脂を含む樹脂組成物に平均粒径
２μｍ以下の球状溶融シリカからなる無機充填材を含む
ことを特徴とする（１）または（２）の反射型液晶表示
素子用プラスチック基板 （４）前記脂環式エポキシ樹脂が一般式（１）で示され
る脂環式エポキシ樹脂であることを特徴とする（１）〜
（３）の反射型液晶表示素子用プラスチック基板。
【化２】
である。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
＜ベース基板（ａ）＞本発明のベース基板は透過光を使
用しない反射型液晶表示基板に用いるため、透明性は要
求されない。このベース基板の厚みは、５０〜５００μ
ｍ、好ましくは１００〜４００μｍである。５０μｍ未
満では基板の剛性が維持できないおそれがあり、１００
０μｍを超えると重量が大きくなりすぎるため、軽量化
を目的とするプラスチック化のメリットが失われてしま
うおそれがある。また、５０〜２００℃での平均熱線膨
張係数は−５〜３０ｐｐｍ、好ましくは、−５〜２５ｐ
ｐｍ、より好ましくは０〜２０ｐｐｍの範囲である事が
望ましい。平均線膨張係数が上記範囲内であれば、配線
に用いられる金属の平均線膨張係数との差が小さく、高
温にさらされたとき断線を生じるおそれがない。本発明
のベース基板は、シアネート樹脂をガラスクロスに含浸
させ、乾燥したプリプレグを加熱成形して製造すること
ができる。本発明に用いるシアネート樹脂としては、耐
熱性が高く線膨張係数が低いことからノボラック型シア
ネート樹脂及び／又はそのプレポリマーが好ましい。こ
こでいうノボラック型シアネート樹脂とは任意のノボラ
ック樹脂と、ハロゲン化シアン等のシアネート化試薬と
を反応させることで得られるもので、またこの得られた
樹脂を加熱することでプレポリマー化することが出来
る。また、本発明の樹脂組成物に対して弾性率を高め、
線膨張係数を低下させ、吸水性を低下させるために、シ
アネート樹脂等の樹脂成分と共に無機充填材を併用して
も良く、好ましい無機充填剤の例としては、平均粒径２
μｍ以下の球状溶融シリカを挙げることができる。
用しない反射型液晶表示基板に用いるため、透明性は要
求されない。このベース基板の厚みは、５０〜５００μ
ｍ、好ましくは１００〜４００μｍである。５０μｍ未
満では基板の剛性が維持できないおそれがあり、１００
０μｍを超えると重量が大きくなりすぎるため、軽量化
を目的とするプラスチック化のメリットが失われてしま
うおそれがある。また、５０〜２００℃での平均熱線膨
張係数は−５〜３０ｐｐｍ、好ましくは、−５〜２５ｐ
ｐｍ、より好ましくは０〜２０ｐｐｍの範囲である事が
望ましい。平均線膨張係数が上記範囲内であれば、配線
に用いられる金属の平均線膨張係数との差が小さく、高
温にさらされたとき断線を生じるおそれがない。本発明
のベース基板は、シアネート樹脂をガラスクロスに含浸
させ、乾燥したプリプレグを加熱成形して製造すること
ができる。本発明に用いるシアネート樹脂としては、耐
熱性が高く線膨張係数が低いことからノボラック型シア
ネート樹脂及び／又はそのプレポリマーが好ましい。こ
こでいうノボラック型シアネート樹脂とは任意のノボラ
ック樹脂と、ハロゲン化シアン等のシアネート化試薬と
を反応させることで得られるもので、またこの得られた
樹脂を加熱することでプレポリマー化することが出来
る。また、本発明の樹脂組成物に対して弾性率を高め、
線膨張係数を低下させ、吸水性を低下させるために、シ
アネート樹脂等の樹脂成分と共に無機充填材を併用して
も良く、好ましい無機充填剤の例としては、平均粒径２
μｍ以下の球状溶融シリカを挙げることができる。
【０００６】＜平滑性改良層（ｂ）＞本発明の平滑性改
良層は、ベース基板が持つガラスクロスの織りを反映し
たうねりを改善し、半導体や絶縁層を真空プロセスにて
形成させることのできる平滑性１００ｎｍ以下、すなわ
ち表面構造解析顕微鏡New View 5032(Zygo Corporation
製)により視野：1.44mm×1.08mmで観察を行った時の隣
り合う繊維布目の最高点と最低点との高さが１００ｎｍ
以下とするために必要である。また、その材質としては
基材層との線膨張係数の差が少ないことが望ましい。基
材層との線膨張係数の差が大きいと基板加工時の高い温
度変化により、層間剥離を起こしたり、平滑性改良層に
亀裂が生じたりする。したがって、具体的にはベース基
板に使用している樹脂と同一のシアネート樹脂が最適で
ある。またその厚みは、３〜５０μmであることが好ま
しい。更に好ましくは、１０〜３０μm、最も好ましく
は、１０〜２５μｍである。この範囲内であれば、層間
剥離を起こすことなく、十分な表面平滑性を得ることが
できる。平面性は、ガラスなどの平滑な面を有する板な
どに挟んでベース基板上にコーティングしたシアネート
樹脂を硬化させることで得られる。
良層は、ベース基板が持つガラスクロスの織りを反映し
たうねりを改善し、半導体や絶縁層を真空プロセスにて
形成させることのできる平滑性１００ｎｍ以下、すなわ
ち表面構造解析顕微鏡New View 5032(Zygo Corporation
製)により視野：1.44mm×1.08mmで観察を行った時の隣
り合う繊維布目の最高点と最低点との高さが１００ｎｍ
以下とするために必要である。また、その材質としては
基材層との線膨張係数の差が少ないことが望ましい。基
材層との線膨張係数の差が大きいと基板加工時の高い温
度変化により、層間剥離を起こしたり、平滑性改良層に
亀裂が生じたりする。したがって、具体的にはベース基
板に使用している樹脂と同一のシアネート樹脂が最適で
ある。またその厚みは、３〜５０μmであることが好ま
しい。更に好ましくは、１０〜３０μm、最も好ましく
は、１０〜２５μｍである。この範囲内であれば、層間
剥離を起こすことなく、十分な表面平滑性を得ることが
できる。平面性は、ガラスなどの平滑な面を有する板な
どに挟んでベース基板上にコーティングしたシアネート
樹脂を硬化させることで得られる。
【０００７】＜耐フッ硝酸保護層（ｃ）＞本発明の耐フ
ッ硝酸保護層（ｃ）は、半導体や絶縁膜のエッチングに
使用されるフッ硝酸から後述する水蒸気バリア層（ｄ）
を守る役目をするものであり、また加熱・吸水工程にお
いても水蒸気バリア層と剥離しないことが求められる。
したがって、その材質は耐フッ硝酸性および密着性の両
方に優れる脂環式エポキシ樹脂が良く、その厚みは２〜
１５μｍである。また、脂環式エポキシ樹脂の中でも一
般式（１）に示す構造を有するものが好ましい。
ッ硝酸保護層（ｃ）は、半導体や絶縁膜のエッチングに
使用されるフッ硝酸から後述する水蒸気バリア層（ｄ）
を守る役目をするものであり、また加熱・吸水工程にお
いても水蒸気バリア層と剥離しないことが求められる。
したがって、その材質は耐フッ硝酸性および密着性の両
方に優れる脂環式エポキシ樹脂が良く、その厚みは２〜
１５μｍである。また、脂環式エポキシ樹脂の中でも一
般式（１）に示す構造を有するものが好ましい。
【化３】
この耐フッ硝酸保護層（ｃ）は水蒸気バリア層（ｄ）の
直上に積層して直接水蒸気バリア層を保護する他、平滑
性改良層の上にも積層することで、ベース基板の保護も
担っている。また、平滑性改良層（ｂ）と同様の平滑化
を行うことで、基板の平滑度をさらに高度化させる事も
可能である。
直上に積層して直接水蒸気バリア層を保護する他、平滑
性改良層の上にも積層することで、ベース基板の保護も
担っている。また、平滑性改良層（ｂ）と同様の平滑化
を行うことで、基板の平滑度をさらに高度化させる事も
可能である。
【０００８】＜水蒸気バリア層（ｄ）＞本発明で用いら
れる水蒸気バリア層（ｄ）としては、透明性、水蒸気お
よび酸素に対するバリア性に優れていることからＳｉ4
Ｎ3が好ましい。また、耐フッ硝酸性を完璧にする上で
は、経済性では劣るが、Ｔａ2Ｏ5でも良い。これらは、慣
用の方法、例えば、物理的方法（真空蒸着法、反応性蒸
着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イ
オンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法
など）、化学的方法（ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、レ
ーザーＣＶＤ法など）により形成でき、その厚みは３０
０〜１０００Åである。
れる水蒸気バリア層（ｄ）としては、透明性、水蒸気お
よび酸素に対するバリア性に優れていることからＳｉ4
Ｎ3が好ましい。また、耐フッ硝酸性を完璧にする上で
は、経済性では劣るが、Ｔａ2Ｏ5でも良い。これらは、慣
用の方法、例えば、物理的方法（真空蒸着法、反応性蒸
着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イ
オンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法
など）、化学的方法（ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、レ
ーザーＣＶＤ法など）により形成でき、その厚みは３０
０〜１０００Åである。
【０００９】
【実施例】以下に本発明を実施例によってさらに具体的
に説明するが、本発明は、これによってなんら制限され
るものではない。 ＜ベース基板（ａ）の作製＞ノボラック型シアネート樹
脂（ロンザジャパン株式会社製ＰＴ６０、数平均分子量
８００）１００重量部及びフェノールノボラック樹脂
（住友デュレズ製ＰＲ−５１７１４）２重量部をメチル
エチルケトンに常温で溶解し、エポキシシランカップリ
ング剤（日本ユニカー製Ａ−１８７）１重量部、球状溶
融シリカ（株式会社アドマテックス製ＳＯ−２５Ｒ 平
均粒径０．５μｍ ）１５０部を添加し、高速攪拌機を
用いて１０分攪拌した。調製したワニスをガラスクロス
（厚さ２００μｍ、日東紡績製、ＷＥＡ−７６２８）に
含浸し、１２０℃の加熱炉で２分乾燥してワニス固形分
（プリプレグ中に樹脂とシリカの占める成分）が約５０
％のプリプレグを得た。このプリプレグを２枚重ね、離
型処理した鏡面のステンレス板を当て板として、圧力４
ＭＰａ、温度２２０℃で１時間加熱加圧成形を行い、２
５０℃の乾燥機で窒素雰囲気下１時間後硬化することに
よってベース基板を得た。
に説明するが、本発明は、これによってなんら制限され
るものではない。 ＜ベース基板（ａ）の作製＞ノボラック型シアネート樹
脂（ロンザジャパン株式会社製ＰＴ６０、数平均分子量
８００）１００重量部及びフェノールノボラック樹脂
（住友デュレズ製ＰＲ−５１７１４）２重量部をメチル
エチルケトンに常温で溶解し、エポキシシランカップリ
ング剤（日本ユニカー製Ａ−１８７）１重量部、球状溶
融シリカ（株式会社アドマテックス製ＳＯ−２５Ｒ 平
均粒径０．５μｍ ）１５０部を添加し、高速攪拌機を
用いて１０分攪拌した。調製したワニスをガラスクロス
（厚さ２００μｍ、日東紡績製、ＷＥＡ−７６２８）に
含浸し、１２０℃の加熱炉で２分乾燥してワニス固形分
（プリプレグ中に樹脂とシリカの占める成分）が約５０
％のプリプレグを得た。このプリプレグを２枚重ね、離
型処理した鏡面のステンレス板を当て板として、圧力４
ＭＰａ、温度２２０℃で１時間加熱加圧成形を行い、２
５０℃の乾燥機で窒素雰囲気下１時間後硬化することに
よってベース基板を得た。
【００１０】＜平滑性改良層（ｂ）の積層＞ノボラック
型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製ＰＴ３
０）１００重量部及びフェノールノボラック樹脂（住友
デュレズ製ＰＲ−５１７１４）２重量部を６０℃で溶解
したものを前記ベース基板（ａ）の両面にコートし、離
型処理したガラス板で挟み込み加熱硬化させることによ
って片側２０μmの平滑性改良層を形成した。
型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製ＰＴ３
０）１００重量部及びフェノールノボラック樹脂（住友
デュレズ製ＰＲ−５１７１４）２重量部を６０℃で溶解
したものを前記ベース基板（ａ）の両面にコートし、離
型処理したガラス板で挟み込み加熱硬化させることによ
って片側２０μmの平滑性改良層を形成した。
【００１１】＜水蒸気バリア層（ｄ）の成膜＞さらに、
片面にＲＦスパッタ法を用い、五酸化タンタルターゲッ
トにより水蒸気バリア層（ｄ）を成膜した。成膜条件は
初期真空度５×１０-6 Torrまで引き、Ａｒ分圧を２×
１０-4 Torrに設定し４００Åの厚さに成膜した。 ＜耐フッ硝酸保護層（ｃ）の積層＞最後に、固形分換算
で脂環式エポキシ（ダイセル社製：セロキサイド２０２
１Ｐ）１００重量部に対して硬化剤ビスフェノールＳ
（ダイセル社製：試作品ＥＸ−１（Ｂ））３重量部、カ
チオン触媒（ダイセル社製：試作品ＥＸ−１（Ａ））を
０．５重量部、界面活性剤Ｆ−４７４（大日本インキ社
製）を１重量部添加し、２−ブトキシエタノールに溶解
させ、厚み０．５μｍでディップコートした。これを１
７０℃、３０分プレキュアさせた後２００℃２時間熱硬
化させ、本発明の反射型液晶表示素子用プラスチック基
板を得た。
片面にＲＦスパッタ法を用い、五酸化タンタルターゲッ
トにより水蒸気バリア層（ｄ）を成膜した。成膜条件は
初期真空度５×１０-6 Torrまで引き、Ａｒ分圧を２×
１０-4 Torrに設定し４００Åの厚さに成膜した。 ＜耐フッ硝酸保護層（ｃ）の積層＞最後に、固形分換算
で脂環式エポキシ（ダイセル社製：セロキサイド２０２
１Ｐ）１００重量部に対して硬化剤ビスフェノールＳ
（ダイセル社製：試作品ＥＸ−１（Ｂ））３重量部、カ
チオン触媒（ダイセル社製：試作品ＥＸ−１（Ａ））を
０．５重量部、界面活性剤Ｆ−４７４（大日本インキ社
製）を１重量部添加し、２−ブトキシエタノールに溶解
させ、厚み０．５μｍでディップコートした。これを１
７０℃、３０分プレキュアさせた後２００℃２時間熱硬
化させ、本発明の反射型液晶表示素子用プラスチック基
板を得た。
【００１２】＜評価＞
（１）耐ＤＭＳＯ性： ６０℃のジメチルスルホキシド
（ＤＭＳＯ）に試料を浸漬して１５分間放置した後、試
料を取り出し、目視にて外観を観察した。 （２）耐ＮＭＰ性： ２３℃のＮ−メチルピロリドン
（ＮＭＰ）に試料を浸漬して２０分間放置した後、試料
を取り出し、目視にて外観を観察した。 （３）耐液晶性： 試料の表面にメルク社製ＺＩＬ−４
７９２を１滴たらし、１５０℃のオーブン中で１時間放
置した後、試料を取り出し、目視にて外観を観察した。 （４）サイクルテスト：純水８０℃ボイル３０分と２０
０℃３０分乾燥を１サイクルとする、サイクル処理を３
回行い、無機膜の外観変化を１００倍の光学顕微鏡によ
り観察した。 （５）バリア性：モコン社製透湿度測定器ＰＥＲＭＡＴ
ＲＡＮ−Ｗ３/３１ＭＧを用いて、４０℃、９０％水蒸
気に対するバリア性を測定。 （６）耐フッ硝酸性： シート表面に５０％フッ酸水溶
液：７０％硝酸水溶液が１：５となるように調製したフ
ッ硝酸を両面に１滴滴下し、温度を２５℃で２０時間放
置後、表面の状態を観察した。 （７）平均線膨張係数：セイコー電子社製ＴＭＡ／ＳＳ
１２０Ｃ型熱応力歪測定装置を用いて、窒素の存在下、
１分間に５℃の割合で温度を室温から（熱変形温度−２
０℃）まで上昇させて２０分間保持した後、１分間に５
℃の割合で温度を室温まで冷却し５分間室温で保持させ
た。その後、再度、１分間に５℃の割合で温度を上昇さ
せて、５０℃〜２００℃の時の値を測定して求めた。 （８）貯蔵弾性率：１０ｍｍ×６０ｍｍのテストピース
を切り出し、ＴＡインスツルメント社製動的粘弾性測定
装置ＤＭＡ９８３を用いて３℃／分で昇温し、２００℃
での貯蔵弾性率を求めた。 （９）反り、撓み等の変形：基板上に、窒化シリコン
（Ｓｉ3Ｎ4）をスパッタリングにより３０００Åの厚さ
で形成させ、常温に戻した後、定盤に設置して反りを観
察した。 （１０）抵抗値：基板上に、アルミニウムをスパッタリ
ングにより３０００Åの厚さで形成させ、フォトリソグ
ラフ法により、幅１０μｍ、長さ３０ｍｍの模擬配線パ
ターンを形成させ、パターン両端５ｍｍの部分に金２０
００Åをのスパッタリングして５ｍｍ□の抵抗値測定用
電極を形成させた。このときの両端間の抵抗値をＲ0と
して測定した。つづいて、１０ｍｍ□の開口部を有する
メタルマスクを配線パターンの中央部に配設し、ＳｉＮ
（２０００Å）／アモルファスＳｉ（５００Å）／Ｓｉ
Ｎ（２０００Å）の各層を連続ＣＶＤにより形成させ
た。常温に戻したときの両端間の抵抗値を再度測定し、
Ｒ1とした。さらに、２００℃のオーブンに１時間入れ
た後、常温に戻したときの両端間の抵抗値をＲ2とし
た。 （１１）表面平滑性：表面構造解析顕微鏡New View 503
2(Zygo Corporation製)により視野：1.44mm×1.08mmで
観察を行い、隣り合った繊維布目の最高点と最低点との
高さを測定する。
（ＤＭＳＯ）に試料を浸漬して１５分間放置した後、試
料を取り出し、目視にて外観を観察した。 （２）耐ＮＭＰ性： ２３℃のＮ−メチルピロリドン
（ＮＭＰ）に試料を浸漬して２０分間放置した後、試料
を取り出し、目視にて外観を観察した。 （３）耐液晶性： 試料の表面にメルク社製ＺＩＬ−４
７９２を１滴たらし、１５０℃のオーブン中で１時間放
置した後、試料を取り出し、目視にて外観を観察した。 （４）サイクルテスト：純水８０℃ボイル３０分と２０
０℃３０分乾燥を１サイクルとする、サイクル処理を３
回行い、無機膜の外観変化を１００倍の光学顕微鏡によ
り観察した。 （５）バリア性：モコン社製透湿度測定器ＰＥＲＭＡＴ
ＲＡＮ−Ｗ３/３１ＭＧを用いて、４０℃、９０％水蒸
気に対するバリア性を測定。 （６）耐フッ硝酸性： シート表面に５０％フッ酸水溶
液：７０％硝酸水溶液が１：５となるように調製したフ
ッ硝酸を両面に１滴滴下し、温度を２５℃で２０時間放
置後、表面の状態を観察した。 （７）平均線膨張係数：セイコー電子社製ＴＭＡ／ＳＳ
１２０Ｃ型熱応力歪測定装置を用いて、窒素の存在下、
１分間に５℃の割合で温度を室温から（熱変形温度−２
０℃）まで上昇させて２０分間保持した後、１分間に５
℃の割合で温度を室温まで冷却し５分間室温で保持させ
た。その後、再度、１分間に５℃の割合で温度を上昇さ
せて、５０℃〜２００℃の時の値を測定して求めた。 （８）貯蔵弾性率：１０ｍｍ×６０ｍｍのテストピース
を切り出し、ＴＡインスツルメント社製動的粘弾性測定
装置ＤＭＡ９８３を用いて３℃／分で昇温し、２００℃
での貯蔵弾性率を求めた。 （９）反り、撓み等の変形：基板上に、窒化シリコン
（Ｓｉ3Ｎ4）をスパッタリングにより３０００Åの厚さ
で形成させ、常温に戻した後、定盤に設置して反りを観
察した。 （１０）抵抗値：基板上に、アルミニウムをスパッタリ
ングにより３０００Åの厚さで形成させ、フォトリソグ
ラフ法により、幅１０μｍ、長さ３０ｍｍの模擬配線パ
ターンを形成させ、パターン両端５ｍｍの部分に金２０
００Åをのスパッタリングして５ｍｍ□の抵抗値測定用
電極を形成させた。このときの両端間の抵抗値をＲ0と
して測定した。つづいて、１０ｍｍ□の開口部を有する
メタルマスクを配線パターンの中央部に配設し、ＳｉＮ
（２０００Å）／アモルファスＳｉ（５００Å）／Ｓｉ
Ｎ（２０００Å）の各層を連続ＣＶＤにより形成させ
た。常温に戻したときの両端間の抵抗値を再度測定し、
Ｒ1とした。さらに、２００℃のオーブンに１時間入れ
た後、常温に戻したときの両端間の抵抗値をＲ2とし
た。 （１１）表面平滑性：表面構造解析顕微鏡New View 503
2(Zygo Corporation製)により視野：1.44mm×1.08mmで
観察を行い、隣り合った繊維布目の最高点と最低点との
高さを測定する。
【００１３】実施例における各評価を示す。
（１）耐ＤＭＳＯ：変化なし
（２）耐ＮＭＰ性：変化なし
（３）耐液晶性：変化なし
（４）サイクルテスト：クラック等の異常なし
（５）バリア性：処理前後で0.05g/m2dayと変化は認め
られなかった。 （６）耐フッ硝酸性：両面ともクラック等の変化は認め
られなかった。 （７）平均線膨張係数：１２ｐｐｍと良好であった。 （８）貯蔵弾性率：２０ＧＰａと非常に剛直な値を示し
た。 （９）反り、撓み等の変形：１ｍｍ以下と良好であっ
た。 （１０）抵抗値：Ｒ１／Ｒ０＝１．０１、Ｒ２／Ｒ０＝
１．０１と変化は認められなかった。 （１１）表面平滑性：最高点と最低点の高さは５０ｎｍ
と良好であった。 以上の結果から、本発明は反射型液晶表示素子用プラス
チック基板として、好適な性能を示した。
られなかった。 （６）耐フッ硝酸性：両面ともクラック等の変化は認め
られなかった。 （７）平均線膨張係数：１２ｐｐｍと良好であった。 （８）貯蔵弾性率：２０ＧＰａと非常に剛直な値を示し
た。 （９）反り、撓み等の変形：１ｍｍ以下と良好であっ
た。 （１０）抵抗値：Ｒ１／Ｒ０＝１．０１、Ｒ２／Ｒ０＝
１．０１と変化は認められなかった。 （１１）表面平滑性：最高点と最低点の高さは５０ｎｍ
と良好であった。 以上の結果から、本発明は反射型液晶表示素子用プラス
チック基板として、好適な性能を示した。
【００１４】
【発明の効果】本発明のベース基板構成物は、耐薬品
性、耐熱性に加え、酸素、水蒸気バリア性、寸法安定
性、剛性、表面平滑性の何れの項目に対しても優れた性
能を誇ることから、反射型液晶表示素子用プラスチック
基板に好適に用いることができる。
性、耐熱性に加え、酸素、水蒸気バリア性、寸法安定
性、剛性、表面平滑性の何れの項目に対しても優れた性
能を誇ることから、反射型液晶表示素子用プラスチック
基板に好適に用いることができる。
フロントページの続き
(72)発明者 楳田 英雄
東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友
ベークライト株式会社内
(72)発明者 田中 順二
東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友
ベークライト株式会社内
(72)発明者 屋ヶ田 和彦
東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友
ベークライト株式会社内
Ｆターム(参考） 2H090 JA07 JB03 JC07 JC08 JD11
JD12 JD14 JD18 LA01
4F100 AA12E AA17E AA20A AG00A
AK31A AK31B AK31C AK31K
AK33 AK53D AK53K AL05A
BA05 BA07 BA10D BA10E
CA02 CA23A DE01A DG12A
DH01A EH66 EJ82A GB41
JB01D JD04E JJ03 JK01
JK15B JK15C JL04 YY00A
YY00B YY00C YY00E
Claims (4)
- 【請求項１】 シアネート樹脂を含む樹脂組成物をガラ
スクロスに含浸・乾燥させたプリプレグを加熱成形させ
た、厚みが５０〜５００μｍのベース基板（ａ）の両面
に厚みが３〜５０μｍであるシアネート樹脂からなる平
滑性改良層（ｂ）を有し、その片面に厚さ２〜１５μの
脂環式エポキシ樹脂による耐フッ硝酸保護層（ｃ）を有
し、対面には厚みが３００〜１０００ÅのＴａ2Ｏ5また
はＳｉ 3Ｎ4からなる水蒸気バリア層（ｄ）と前記耐フッ
硝酸保護層（ｃ）とを有する反射型液晶表示素子用プラ
スチック基板。 - 【請求項２】 前記シアネート樹脂がノボラック型シア
ネート樹脂である請求項１記載の反射型液晶表示素子用
プラスチック基板。 - 【請求項３】 前記シアネート樹脂を含む樹脂組成物に
平均粒径２μｍ以下の球状溶融シリカからなる無機充填
材を含むことを特徴とする請求項１または２記載の反射
型液晶表示素子用プラスチック基板 - 【請求項４】 前記脂環式エポキシ樹脂が一般式（１）
で示される脂環式エポキシ樹脂であることを特徴とする
請求項１〜３何れか一項記載の反射型液晶表示素子用プ
ラスチック基板。 【化１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001274832A JP2003084264A (ja) | 2001-09-11 | 2001-09-11 | 反射型液晶表示素子用プラスチック基板。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001274832A JP2003084264A (ja) | 2001-09-11 | 2001-09-11 | 反射型液晶表示素子用プラスチック基板。 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003084264A true JP2003084264A (ja) | 2003-03-19 |
Family
ID=19099802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001274832A Pending JP2003084264A (ja) | 2001-09-11 | 2001-09-11 | 反射型液晶表示素子用プラスチック基板。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003084264A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005052037A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Nitto Denko Corporation | 樹脂シート、液晶セル基板、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置用基板、エレクトロルミネッセンス表示装置および太陽電池用基板 |
| JP2006084517A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像表示装置 |
| JP2007168150A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明複合シート |
| US7378137B2 (en) | 2003-11-06 | 2008-05-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| JP2009058974A (ja) * | 2008-11-17 | 2009-03-19 | Sharp Corp | 表示装置 |
-
2001
- 2001-09-11 JP JP2001274832A patent/JP2003084264A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7378137B2 (en) | 2003-11-06 | 2008-05-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| WO2005052037A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Nitto Denko Corporation | 樹脂シート、液晶セル基板、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置用基板、エレクトロルミネッセンス表示装置および太陽電池用基板 |
| JP2005156840A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Nitto Denko Corp | 樹脂シート、液晶セル基板、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置用基板、エレクトロルミネッセンス表示装置および太陽電池用基板 |
| JP2006084517A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像表示装置 |
| JP2007168150A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明複合シート |
| JP2009058974A (ja) * | 2008-11-17 | 2009-03-19 | Sharp Corp | 表示装置 |
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