JP2003083828A - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

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JP2003083828A
JP2003083828A JP2001361710A JP2001361710A JP2003083828A JP 2003083828 A JP2003083828 A JP 2003083828A JP 2001361710 A JP2001361710 A JP 2001361710A JP 2001361710 A JP2001361710 A JP 2001361710A JP 2003083828 A JP2003083828 A JP 2003083828A
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pressure sensor
sensor chip
package
adhesive
groove
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JP2001361710A
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English (en)
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Sumio Akai
澄夫 赤井
Sadayuki Sumi
貞幸 角
Hisakazu Miyajima
久和 宮島
Mitsuhiro Kani
充弘 可児
Shigenari Takami
茂成 高見
Takashi Saijo
隆司 西條
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体圧力センサチップを容易に接着し、パ
ッケージからの機械的なストレスによるオフセット値の
変動を低減可能な半導体圧力センサを提供すること。 【解決手段】 一面が開口された箱状の底面に圧力導入
孔21を有するパッケージ2と、ダイヤフラムの周囲に
厚肉部をもった圧力センサチップ3とを有して、圧力セ
ンサチップ3が圧力導入孔21を塞ぐようパッケージ2
に厚肉部下面33を接着されてなる半導体圧力センサで
ある。圧力導入孔21の周囲に溝22を設け、溝22に
接着剤4を充填させて、接着剤4が厚肉部下面33に介
在するよう圧力センサチップ3を接着固定させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体圧力センサに
関し、特に、一面が開口された箱状の底面に圧力導入孔
を有するパッケージと、ダイヤフラムの周囲に厚肉部を
もった圧力センサチップとを有して、前記圧力センサチ
ップが前記圧力導入孔を塞ぐよう前記パッケージに接着
されてなる半導体圧力センサの改良に関する。
【0002】
【従来の技術】上記のような半導体圧力センサとして、
例えば図8に示すものが提案されている。この半導体圧
力センサ100は、ダイヤフラム101とその周囲に厚
肉部102を持った圧力センサチップ103を、被測定
流体を導くための圧力導入孔104を塞ぐように、接着
剤105を用いて、一面が開口された箱状のパッケージ
106の底面に接着して形成されている。
【0003】圧力センサチップ103は、半導体基板に
て形成され、ダイヤフラム101上に圧力変化に応じて
その抵抗値が変化する歪みゲージ抵抗107が設けられ
ている。なお、この歪みゲージ抵抗107は、ワイヤ1
08を通じてパッケージ106と一体成形された金属製
の外部端子109と電気的に接続されている。
【0004】このパッケージ106は、合成樹脂材料に
て形成された成形体で、段状の周壁の中程に、外部端子
109,109が対向させて同時成形にて配設固定さ
れ、箱状の底面を構成する底壁外面には、被測定流体を
圧力導入孔104に導くガイド部材となるチューブを装
着させる、円筒状のパイプ110が突設されている。
【0005】上記圧力センサチップ103は、このパッ
ケージ106の底面に接着剤105を適量ディッピング
させたのち、圧力センサチップ103をその底面に接着
剤105上方から載置させて接着剤105を乾燥し、接
着固定されている。なお、この接着剤105としては、
シリコーン系ダイボンド剤等の比較的柔らかい樹脂系接
着剤が使用される。
【0006】したがって、以上のような構成の半導体圧
力センサ100によると、圧力導入孔104から導入さ
れる被測定流体に応じてダイヤフラム101が歪み、そ
の歪み量に応じた電気信号を歪みゲージ抵抗107よ
り、外部端子109を介して取り出すことにて被測定流
体を計測することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような構成の半導体圧力センサ100の場合、圧力セン
サチップ103とパッケージ106とは厚肉部102の
下面がほぼ密着した状態にて接着固定されている。した
がって、パッケージ106への外力や、圧力センサチッ
プ103とパッケージ106との材料の熱膨張係数の差
によって生じる機械的ストレスが、直接圧力センサチッ
プ103に伝達されることとなる。その結果、例えば、
半導体圧力センサ100をプリント基板等の取付対象へ
取り付ける際に、パッケージ106へ加えられる機械的
ストレスによってダイヤフラム101が変形することが
あった。したがって、上記電気信号のオフセット値が変
動し、正確な圧力計測が行えないという問題があった。
【0008】ところで、図9に示す、実開平3−487
42として開示されている半導体圧力センサ200にお
いては、温度変化による計測値変動への対応策のため、
圧力導入孔203の外側に環状に凹設させた溝202に
接着剤205を充填し、圧力センサチップ204の環状
底面の内側又は外側を溝202の側縁のパッケージ20
1の底面上面に当接させると共に、環状底面の内側又は
外側を接着剤205で接着して圧力センサチップ204
をパッケージ201に固着することが提案されている。
【0009】しかしながら、この半導体圧力センサ20
0は、作業面において圧力センサチップ204の環状底
面を溝202の側縁に均等に当接させて接着するのに手
間がかかることが想定される。なお、上記溝202の外
周壁に接着時の位置ずれ防止用の段部を設けることも提
案されているが、圧力センサチップ204外縁の一部が
その段部に乗り上げることも懸念される。
【0010】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、半導体圧力センサチ
ップを容易に接着し、パッケージからの機械的なストレ
スによるオフセット値の変動を低減可能な半導体圧力セ
ンサを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体圧力センサにあっては、一面が開口
された箱状の底面に圧力導入孔を有するパッケージと、
ダイヤフラムの周囲に厚肉部を持った圧力センサチップ
とを有して、前記圧力センサチップが前記圧力導入孔を
塞ぐよう前記パッケージに接着されてなる半導体圧力セ
ンサにおいて、前記圧力導入孔周囲に溝を設け、同溝に
接着剤を充填させて、その接着剤が前記厚肉部下面に介
在するよう前記圧力センサチップを接着固定してなるこ
とを特徴としている。
【0012】これにより、圧力センサチップは、溝に充
填された接着剤を介して溝に接着され、その接着剤はパ
ッケージより伝搬する機械的ストレスの吸収材のように
機能する。
【0013】そして、前記溝の底部に、その溝の深さと
同等もしくは低い高さを持った、前記厚肉部下面を支持
する支持部を設けることが好ましい。この場合、支持部
により圧力センサチップの厚肉部下面とパッケージとの
間に一定の厚みの接着剤による層が形成されるようにな
り、その層を介して圧力センサチップはパッケージに接
着されるようになる。
【0014】また、前記支持部を、前記圧力導入孔を中
心として外向きに放射状に形成されたリブとすることが
好ましい。この場合、複数種類の外形の大きさの異なる
圧力センサチップを圧力導入孔を中心とした放射状のリ
ブにて支持させて接着できるようになる。
【0015】また、前記支持部を、前記圧力センサチッ
プの四隅に配設することが好ましい。この場合、圧力セ
ンサチップを厚肉部下面の四隅のみにて支持させて接着
できるようになる。
【0016】また、前記支持部を、列設形成された複数
の凸片とすることが好ましい。この場合、複数の凸片と
圧力センサチップの支持面積は前記支持部と圧力センサ
チップの支持面積より小さくなる。
【0017】また、一面が開口された箱状の底面に圧力
導入孔を有するパッケージと、ダイヤフラムの周囲に厚
肉部を持った圧力センサチップとを有して、前記圧力セ
ンサチップが前記圧力導入孔を塞ぐよう前記パッケージ
に厚肉部下面を接着されてなる半導体圧力センサにおい
て、前記圧力導入孔の周囲に、前記厚肉部下面を支持す
る支持部となる、前記パッケージとは別体の粒片を設
け、同粒片を覆うように接着剤をディッピングさせてそ
の接着剤を介して前記圧力センサチップを接着固定させ
ることも好ましい。この場合、圧力センサチップは、そ
の厚肉部下面が、圧力導入孔の周囲の粒片で点支持さ
れ、その支持部を覆った接着剤を介してパッケージに接
着されるようになる。
【0018】また、前記粒片を、前記接着剤と同質の材
料で形成することが好ましい。この場合、支持部は圧力
センサチップを接着剤と同質の材料で点支持すると共
に、パッケージより伝搬する機械的ストレスの吸収材の
ように機能する。
【0019】また、一面が開口された箱状の底面に圧力
導入孔を有するパッケージと、ダイヤフラムの周囲に厚
肉部を持った圧力センサチップとを有して、前記圧力セ
ンサチップが前記圧力導入孔を塞ぐよう前記パッケージ
に厚肉部下面を接着されてなる半導体圧力センサにおい
て、パッケージの内側側面を、前記圧力導入孔側から開
口側に向かって拡開する傾斜面とし、同傾斜面に前記圧
力センサチップの厚肉部下面の外側縁部を支持させ、そ
の厚肉部下面に連なる厚肉部側面とその傾斜面との間に
接着剤をディッピングさせてその接着剤を介して圧力セ
ンサチップを接着固定させるのも好ましい。この場合、
圧力センサチップが、傾斜面において支持され、その厚
肉部下面に連なる厚肉部側面と傾斜面との間において接
着剤を介して接着されるようになる。
【0020】また、前記パッケージの底面に前記溝と交
わるように開放溝を設けることが好ましい。この場合、
開放溝は、接着剤を充填する際の空気の逃げ道となる。
【0021】また、前記支持部に互いの溝を接続するた
めのバイパス部を設けることが好ましい。この場合、支
持部で分離されていた溝は、すべて一本に繋がることに
なる。
【0022】また、前記溝の中央部の深さを、少なくと
も周辺部より深くすることが好ましい。この場合、圧力
センサチップの厚肉部近傍に設けられたゲージ抵抗直下
の接着剤層の厚みを大きくできる。
【0023】また、前記支持部からパッケージの開口方
向に向かって凸部を設け、圧力センサチップの厚肉部下
面の前記凸部と相対する位置に前記凸部と係合する凹部
を設けることが好ましい。この場合、圧力センサチップ
は、パッケージの所定位置に確実に載置される。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図示例と共に説明する。
【0025】[第1の実施の形態]図1は第1の実施の
形態の半導体圧力センサを示す側面断面図、図2は同半
導体圧力センサのパッケージ底面を示す平面図、図3は
同半導体圧力センサの圧力センサチップを示す詳細構成
図、図4、図5、図10、図11は同半導体圧力センサ
の他の実施例を示すパッケージの説明図である。
【0026】この実施の形態の半導体圧力センサ1は、
圧力導入孔21を有するパッケージ2と、ダイヤフラム
31の周囲に厚肉部32を持った圧力センサチップ3と
を有して、圧力センサチップ3が圧力導入孔21を塞ぐ
ようパッケージ2に厚肉部下面33を接着されてなり、
圧力導入孔21の周囲に溝22を設け、溝22に接着剤
4を充填させて、接着剤4が厚肉部下面33に介在する
よう圧力センサチップ3を接着固定させている。
【0027】また、該実施の形態の半導体圧力センサ1
においては、溝22の底部に、その溝の深さと同等の高
さを持った支持部23を設けてもいる。
【0028】パッケージ2は、PBT樹脂(ポリブチレ
ンテレフタレート樹脂)等のエンジニアリングプラスチ
ックと呼ばれる合成樹脂材料にて形成された略四角箱状
の成形体で、外部端子5は、内側が段状形成された周壁
の中程に対向させて、同時成形にて一体化させ配設され
ている。そして、箱状の底面の略中心に圧力導入孔21
と、圧力導入孔21の周囲に溝22が設けられ、また同
底面を構成する底壁外面には、圧力導入孔21に被測定
流体を導くためのガイド部材となるチューブを装着する
円筒状のパイプ27が突設されている。
【0029】溝22は、パッケージ2の箱状の底面に圧
力導入孔21を中心として周設されており、その幅は、
後述する圧力センサチップ3の厚肉部下面33の幅より
大きく、所定の深さをもって形成されている。深さは深
ければ深いほどよい。そして、この溝22の内部にはシ
リコーン系ダイボンド剤等の乾燥後に弾性を有する接着
剤4が充填される。
【0030】この場合、上記溝22の底部には、その溝
22の深さと同等の高さの支持部23がパッケージ2の
開口側に向かって設けられている。この支持部23は、
圧力センサチップ3を接着固定する際に厚肉部下面33
の外側縁部を支持するもので、複数の凸片で構成されて
いる。なお、この支持部23の高さは溝22の深さと同
等の高さに限定されるものではない。
【0031】圧力センサチップ3は、この場合、略四角
状の半導体基板にて形成され、ダイヤフラム31上に、
圧力センサチップ3への圧力変化に応じてその抵抗値が
変化する歪みゲージ抵抗34が設けられ、また、その周
囲となる厚肉部32の上面にはボンディングパット゛35
が設けられている。なお、この歪みゲージ抵抗34は、
ボンディングパット゛35を経て上記パッケージ2の外部
端子5とワイヤ7を通じて電気的に接続されている。な
お、この圧力センサチップ3においては、ボンディング
パッド35と当接するように、上記歪みゲージ抵抗34
と共にブリッジ状に接続される、被測定流体による圧力
を電気信号にて出力させる複数の配線抵抗36が設けら
れている。
【0032】蓋8は、パッケージ2と同質の材料やアル
ミニウム等の金属で形成されており、パッケージ2との
接着面には接着剤が塗布されている。
【0033】上記の半導体圧力センサ1の組み立てにお
いては、まず、パッケージ2内に形成された溝22に、
接着剤4を支持部23が埋没する程度充填させる。次い
で、圧力センサチップ3を、その厚肉部下面33の外側
縁部が支持部23に支持され、さらに、接着剤4にその
厚肉部下面33全面が浸るように載置させる。その後、
接着剤4を乾燥させた後、ボンディングパッド35と外
部端子5とをワイヤ7で電気的に接続させて、パッケー
ジ2の開口側に蓋8を装着して、半導体圧力センサ1を
完成させる。このとき、圧力センサチップ3は、その厚
肉部下面33が、圧力導入孔21の周囲の溝22に接着
剤4を介して接着され、また、圧力センサチップ3の厚
肉部下面33とパッケージ2との間に一定の厚みの接着
剤4による層が形成され、その層を介して圧力センサチ
ップ3はパッケージ2に接着されることとなり、パッケ
ージ2からの外力は接着剤4による層を介して確実に吸
収されるようになるのである。
【0034】したがって、以上説明した半導体圧力セン
サ1によると、圧力センサチップ3の厚肉部下面33
が、圧力導入孔21の周囲の溝22に接着剤4を介して
接着されるので、パッケージ2から伝搬する機械的スト
レスを接着剤4で吸収することができ、以て、オフセッ
ト値の変動を低減できる。また、溝22の幅が厚肉部下
面33より大きいので、圧力センサチップ3をパッケー
ジ2に載置させる際に、容易に接着剤4を厚肉部下面3
3に介在させることができる。
【0035】そして、圧力センサチップ3の厚肉部下面
33とパッケージ2との間に一定の厚みの接着剤4によ
る層が形成され、その層を介して圧力センサチップ3は
パッケージ2に接着されるので、パッケージ2からの外
力は接着剤4による層を介して確実に吸収され、以て、
オフセット値の変動をより低減できる。
【0036】また、列設形成された複数の凸片にて圧力
センサチップ3が支持されるので、圧力センサチップ3
の支持面積はより小さくなり、パッケージ2からの外力
が圧力センサチップ3へ加わるのをより低減することと
なってオフセット値の変動をさらに低減できる。
【0037】なお、本発明においては、上記に示された
もの以外に、例えば、図4に示すように、溝22に充填
された接着剤4のみで圧力センサチップ3を接着固定し
てもよい。
【0038】図5(a)に示すものにおいては、支持部
を、圧力導入孔21を中心として外向きに放射状に形成
されたリブ24としても良く、あるいは、図5(b)に
示すように、支持部25を、圧力センサチップ3の四隅
に配設することも好ましく、さらにこれ以外に、各種実
施形態のものを含むことは言うまでもない。
【0039】図5(a)に示すものにおいては、圧力導
入孔21を中心として、リブ24を、四角状の圧力セン
サチップ3の四隅に向かって外向きに放射状に形成して
あり、これによると、複数種類の外形の大きさの異なる
圧力センサチップ3を圧力導入孔21を中心とした放射
状のリブ24にて支持させて接着できるので、外形の大
きさの異なる複数種類の圧力センサチップ3を一形態の
パッケージ2で支持することができて品種変動の対応性
に優れるという効果を奏する。
【0040】図5(b)に示すものにおいては、四角状
の圧力センサチップ3の四隅に支持部25を配設してあ
り、これによると、圧力センサチップ3を厚肉部下面3
3の四隅のみにて支持させて接着できるので、圧力セン
サチップ3とパッケージ2との接触面積が少なくなり、
パッケージ2からの外力が圧力センサチップ3へ加わる
のをより低減することとなりオフセット値の変動をさら
に低減できる。
【0041】図10に示すものにおいては、パッケージ
2の底面に溝22aと直交するように開放溝27を設け
ている。このものは、溝22aと同じ深さで形成されて
おり、それぞれの溝22aの中央付近からパッケージ2
の外縁に向かって延設している。また、支持部25に
は、隣接する溝22aを接続するためのバイパス部25
aを設けている。このものは、支持部25の圧力センサ
チップ3との当接面上に凹設された溝形状であり、その
幅は、大きくても圧力センサチップ3の厚肉部32の底
面より小さい大きさで形成されている。また、その深さ
は、大きくても溝22aと同等である。さらに、溝22
aは、その中央部の深さが少なくともその周辺部よりも
深くなるように傾斜面にて形成されている。これらによ
ると、開放溝27は、接着剤4を溝22aに充填する際
の空気の逃げ道となるので、接着剤4が空気を巻き込む
ことによるボイドの発生を減少できるようになり、接着
力の低下を低減できる。また、バイパス部25aは、支
持部25で分離されていた溝22aをすべて一本に繋げ
ることになるので、任意の一つの溝22aから接着剤4
を注入すれば、接着剤4はバイパス部25aを通してす
べての溝22aに行き渡ることになり、それぞれの溝2
2a毎に接着剤4を充填していた工程を1回に簡略化す
ることができる。さらに、溝22aの中央部を周辺部よ
り深くすることで、圧力センサチップ3の厚肉部32近
傍に設けられたゲージ抵抗34直下の接着剤4の厚みを
大きくできるので、ゲージ抵抗34がパッケージ2から
受ける機械的ストレスの影響をさらに低減できるように
なり、よりオフセット値の変動を低減することができ
る。
【0042】なお、開放溝27は、溝22aに直交する
ものに限定されるものではなく、溝22aと交わって一
体化していればその交差方向は限定されない。
【0043】また、バイパス部25aは、溝形状に限定
されるものではなく、例えば、支持部25の中央付近に
貫通孔を設けてもよい。
【0044】また、溝22aは、傾斜面で構成されるも
のに限定されるものではなく、例えば、中央部が深くな
るように階段状に構成してもよい。また、このものの内
壁面すべてが傾斜面で構成されていなくてもよく、例え
ば、対向する2面のみが傾斜面で構成されてもよい。
【0045】図11に示すものにおいては、支持部25
からパッケージ2の開口方向に向かって凸部25bを設
け、圧力センサチップ3の厚肉部下面33の凸部25b
と相対する位置に凸部25bと係合する凹部33aを設
けている。この凸部25bは、平面視において略四角形
をした柱形状をしており、その高さは、大きくとも厚肉
部32の厚み以下である。また、その材質は、接着剤4
と同じ材料で形成されており、予め凸部25bを形成し
たものを接着剤4にて支持部25上に固着している。ま
た、凹部33aは、例えば、圧力センサチップ3のダイ
ヤフラム31を形成する際に同時に形成している。その
深さは、凸部25bと少なくとも同等の大きさである。
これによると、圧力センサチップ3は、パッケージ2の
所定位置に確実に載置されるので、接着剤4の硬化時に
圧力センサチップ3の位置ずれ等が低減されて接着剤4
上に確実に固着できるようになり、よりオフセット値の
変動を低減することができる。
【0046】なお、凸部25bは、接着剤4と同じ材料
に限定されるものではなく、例えば、パッケージ2と同
じ材料でパッケージ2と一体形成されたものでもよい。
【0047】[第2の実施の形態]図6は第2の実施の
形態の半導体圧力センサを示す側面断面図である。
【0048】この実施の形態の半導体圧力センサは、支
持部の構成のみが第1の実施の形態と異なるもので、他
の構成部材は第1の実施の形態のものと同一である。
【0049】該実施の形態の半導体圧力センサ1は、圧
力導入孔21を有するパッケージ2と、ダイヤフラム3
1の周囲に厚肉部32を持った圧力センサチップ3とを
有して、圧力センサチップ3が圧力導入孔21を塞ぐよ
うパッケージ2に厚肉部下面33を接着されてなり、圧
力導入孔21の周囲に、厚肉部下面33を支持する支持
部となる、パッケージ2とは別体の粒片26を設け、粒
片26を覆うように接着剤4をディッピングさせてその
接着剤4を介して圧力センサチップ3を接着固定させて
いる。
【0050】また、該実施の形態の半導体圧力センサ1
においては、粒片26を、接着剤4と同質の材料で形成
してもいる。
【0051】この半導体圧力センサ1において、粒片2
6は、金属やガラス等の無機材料を用いて形成された球
状の物体で、その大きさは溝22の深さと同等の高さで
形成されている。また、粒片26は接着剤4によって溝
22内に装設されており、厚肉部下面33の外側縁部を
支持できる位置に配設されている。
【0052】上記の半導体圧力センサ1の組み立てにお
いては、まず、溝22の深さと同等の高さに形成され
た、パッケージ2とは別体の粒片26を、溝22の底部
に接着剤4で装設し仮接着させる。そして、粒片26が
埋没するよう接着剤4を溝22に充填させる。次いで、
圧力センサチップ3を、その厚肉部下面33の外側縁部
が粒片26に支持され、さらに、接着剤4にその厚肉部
下面33全面が浸るように載置させる。その後の処理は
第1の実施の形態で説明した方法に従う。このとき、圧
力センサチップ3は、その厚肉部下面33が、圧力導入
孔21周囲の粒片26で点支持され、その粒片26を覆
った接着剤4を介してパッケージ2に接着されることに
なる。そして、粒片26が接着剤4と同質の場合、圧力
センサチップ3は完全に接着剤4と同質の材料で支持さ
れる。
【0053】したがって、以上説明した半導体圧力セン
サ1によると、圧力センサチップ3は、その厚肉部下面
33が、圧力導入孔21の周囲の粒片26で点支持さ
れ、その粒片26を覆った接着剤4を介してパッケージ
2に接着されるので、第1の実施の形態のものと同様
に、パッケージ2から伝搬する機械的ストレスを低減す
ることができ、オフセット値の変動を低減できる。
【0054】そして、圧力センサチップ3は完全に接着
剤4と同質の材料で支持されるので、パッケージ2から
伝搬する機械的ストレスを接着剤4で完全に吸収するこ
とができ、オフセット値の変動をより低減することがで
きる。
【0055】なお、本発明において、粒片26の形状は
球状に限定されるものではなく、大きさにおいても溝2
2の深さより低くてもよい。また、上記に示されたもの
以外に、勿論、溝22の形成されていないパッケージ2
に粒片26をディッピングし、接着剤4を介して圧力セ
ンサチップ3を接着固定してもよい。
【0056】[第3の実施の形態]図7は第3の実施の
形態の半導体圧力センサを示す側面断面図である。
【0057】この実施の形態の半導体圧力センサは、パ
ッケージの構成のみが第1の実施の形態と異なるもの
で、他の構成部材は第1の実施の形態のものと同一であ
る。
【0058】該実施の形態の半導体圧力センサ1は、圧
力導入孔91を有するパッケージ9と、ダイヤフラム3
1の周囲に厚肉部32を持った圧力センサチップ3とを
有して、圧力センサチップ3が圧力導入孔91を塞ぐよ
うパッケージ9に厚肉部下面33を接着されてなり、パ
ッケージ9の内側側面を、圧力導入孔91側から開口側
に向かって拡開する傾斜面92とし、その傾斜面92に
圧力センサチップ3の厚肉部下面33の外側縁部を支持
させ、厚肉部側面37とその傾斜面92との間に接着剤
4をディッピングさせてその接着剤4を介して圧力セン
サチップ3を接着固定させている。
【0059】この半導体圧力センサ1において、パッケ
ージ9となる略四角状の成形体の段状の周壁の中程に、
外部端子5が同時成形にて対向させて配設されている。
そして、箱状の底面を構成する底壁には圧力導入孔91
に被測定流体を導くためのガイド部材となるチューブを
装着する円筒状のパイプ93が突設されている。さら
に、その内側側面は圧力導入孔91側から開口側に向か
って拡開するような傾斜面92にて構成されている。
【0060】上記の半導体圧力センサ1の組み立てにお
いては、まず、厚肉部下面33の外側縁部が、パッケー
ジ9の傾斜面92に当接するように圧力センサチップ3
を載置する。次いで、厚肉部側面37とその傾斜面92
との間に接着剤4をディッピングさせ、乾燥させた後、
ボンディングパッド35と外部端子5とをワイヤ7で電
気的に接続させ、パッケージ9の開口側に蓋8をして半
導体圧力センサ1を完成させる。このとき、圧力センサ
チップ3は、その厚肉部側面37が傾斜面92に接着剤
4を介して接着される。
【0061】したがって、以上説明した半導体圧力セン
サ1によると、圧力センサチップ3は、傾斜面92にお
いて支持され、その厚肉部下面33に連なる厚肉部側面
37が傾斜面92に接着剤4を介して接着されるので、
パッケージ9から伝搬される機械的ストレスを完全に吸
収することができ、オフセット値の変動を低減できる。
【0062】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような実施態様
の如く実施され、請求項1、6、8、11記載の半導体
圧力センサによれば、パッケージから伝搬する機械的ス
トレスを接着剤で吸収することができ、パッケージから
の機械的なストレスによるオフセット値の変動を低減さ
せることが可能となる。
【0063】また、請求項2、5記載の半導体圧力セン
サによれば、溝の底部に、その溝の深さと同等もしくは
低い高さを持った、厚肉部下面を支持する支持部を設け
ることにより、圧力センサチップの接着剤への沈降が防
止され、厚肉部下面とパッケージとの間に一定の厚みを
持った接着剤による層が形成されるので、圧力センサチ
ップの接着剤への沈み込みが防止できる。
【0064】また、請求項3記載の半導体圧力センサに
よれば、支持部を、圧力導入孔を中心として外向きに放
射状に形成されたリブとすることにより、外形の大きさ
の異なる複数種類の圧力センサチップを一形態のパッケ
ージで支持することができる。
【0065】また、請求項4記載の半導体圧力センサに
よれば、圧力センサチップを略四角状とし、支持部を、
圧力センサチップの四隅に配設することにより、圧力セ
ンサチップ3とパッケージ2との接触面積が少なくな
り、パッケージ2からの外力が圧力センサチップ3へ加
わるのをより低減することとなりオフセット値の変動を
さらに低減できる。
【0066】また、請求項7記載の半導体圧力センサに
よれば、粒片を、前記接着剤と同質の材料にて形成する
ことにより、圧力センサチップは完全に接着剤と同質の
材料で支持されるので、パッケージから伝搬する機械的
ストレスを接着剤で完全に吸収することができ、オフセ
ット値の変動を低減することができる。
【0067】また、請求項9記載の半導体圧力センサに
よれば、パッケージの底面に前記溝と交わるように開放
溝を設けることにより、開放溝は、接着剤を溝に充填す
る際の空気の逃げ道となるので、接着剤が空気を巻き込
むことによるボイドの発生を減少できるようになり、接
着力の低下を低減できる。
【0068】また、請求項10記載の半導体圧力センサ
によれば、支持部に互いの溝を接続するためのバイパス
部を設けることにより、バイパス部は、支持部で分離さ
れていた溝をすべて一本に繋げることになるので、任意
の一つの溝から接着剤を注入すれば、接着剤はバイパス
部を通してすべての溝に行き渡ることになり、それぞれ
の溝毎に接着剤を充填していた工程を1回に簡略化する
ことができる。
【0069】また、請求項12記載の半導体圧力センサ
によれば、支持部からパッケージの開口方向に向かって
凸部を設け、圧力センサチップの厚肉部下面の前記凸部
と相対する位置に前記凸部と係合する凹部を設けること
により、圧力センサチップは、パッケージの所定位置に
確実に載置されるので、接着剤の硬化時に圧力センサチ
ップの位置ずれ等が低減されて接着剤上に確実に固着で
きるようになり、よりオフセット値の変動を低減するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態である半導体圧力センサを
示す側面断面図である。
【図2】 同半導体圧力センサのパッケージ底面を示す
平面図である。
【図3】 同半導体圧力センサの圧力センサチップを示
す詳細構成図である。
【図4】 同半導体圧力センサの他の実施形態を示すパ
ッケージの説明図である。
【図5】 同半導体圧力センサの他の実施形態を示すパ
ッケージの説明図である。
【図6】 第2の実施形態の半導体圧力センサを示す側
面断面図である。
【図7】 第3の実施形態の半導体圧力センサを示す側
面断面図である。
【図8】 本発明の従来例である、半導体圧力センサを
示す側面断面図である。
【図9】 本発明の従来例である、他の半導体圧力セン
サを示す側面断面図である。
【図10】 本発明の実施形態である半導体圧力センサ
の他の実施形態を示すパッケージの説明図である。
【図11】 本発明の実施形態である半導体圧力センサ
の他の実施形態を示すパッケージの説明図である。
【符号の説明】
1 半導体圧力センサ 2 パッケージ 3 圧力センサチップ 4 接着剤 9 パッケージ 21 圧力導入孔 22 溝 23 支持部 24 リブ 25 支持部 25a バイパス部 25b 凸部 26 粒片 27 開放溝 31 ダイヤフラム 32 厚肉部 33 厚肉部下面 33a 凹部 37 厚肉部側面 91 圧力導入孔 92 傾斜面
フロントページの続き (72)発明者 宮島 久和 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 可児 充弘 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 高見 茂成 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 西條 隆司 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Fターム(参考) 2F055 AA40 BB20 CC02 DD04 EE13 FF23 FF43 GG13 4M112 AA01 BA01 CA03 CA04 CA08 CA11 CA15 EA03 EA11 EA14 FA09

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一面が開口された箱状の底面に圧力導入
    孔を有するパッケージと、ダイヤフラムの周囲に厚肉部
    を持った圧力センサチップとを有して、前記圧力センサ
    チップが前記圧力導入孔を塞ぐよう前記パッケージに前
    記厚肉部下面を接着されてなる半導体圧力センサにおい
    て、 前記圧力導入孔の周囲に溝を設け、同溝に接着剤を充填
    させて、同接着剤が前記厚肉部下面に介在するよう前記
    圧力センサチップを接着固定させたことを特徴とする半
    導体圧力センサ。
  2. 【請求項2】 前記溝の底部に、同溝の深さと同等もし
    くは低い高さを持った、前記厚肉部下面を支持する支持
    部を設けた請求項1記載の半導体圧力センサ。
  3. 【請求項3】 前記支持部を、前記圧力導入孔を中心と
    して外向きに放射状に形成されたリブとする請求項2記
    載の半導体圧力センサ。
  4. 【請求項4】 前記圧力センサチップを略四角状とし、
    前記支持部を、同圧力センサチップの四隅に配設した請
    求項2又は請求項3記載の半導体圧力センサ。
  5. 【請求項5】 前記支持部を、列設形成された複数の凸
    片とする請求項2記載の半導体圧力センサ。
  6. 【請求項6】 一面が開口された箱状の底面に圧力導入
    孔を有するパッケージと、ダイヤフラムの周囲に厚肉部
    を持った圧力センサチップとを有して、前記圧力センサ
    チップが前記圧力導入孔を塞ぐよう前記パッケージに厚
    肉部下面を接着されてなる半導体圧力センサにおいて、 前記圧力導入孔の周囲に、前記厚肉部下面を支持する支
    持部となる、前記パッケージとは別体の粒片を設け、同
    粒片を覆うように接着剤をディッピングさせてその接着
    剤を介して前記圧力センサチップを接着固定させたこと
    を特徴とする半導体圧力センサ。
  7. 【請求項7】 前記粒片を、前記接着剤と同質の材料に
    て形成した請求項6記載の半導体圧力センサ。
  8. 【請求項8】 一面が開口された箱状の底面に圧力導入
    孔を有するパッケージと、ダイヤフラムの周囲に厚肉部
    を持った圧力センサチップとを有して、前記圧力センサ
    チップが前記圧力導入孔を塞ぐよう前記パッケージに厚
    肉部下面を接着されてなる半導体圧力センサにおいて、 パッケージの内側側面を、前記圧力導入孔側から開口側
    に向かって拡開する傾斜面とし、同傾斜面に前記圧力セ
    ンサチップの厚肉部下面の外側縁部を支持させ、同厚肉
    部下面に連なる厚肉部側面と前記傾斜面との間に接着剤
    をディッピングさせ、同接着剤を介して圧力センサチッ
    プを接着固定させたことを特徴とする半導体圧力セン
    サ。
  9. 【請求項9】 前記パッケージの底面に前記溝と交わる
    ように開放溝を設けた請求項1乃至4いずれかに記載の
    半導体圧力センサ。
  10. 【請求項10】 前記支持部に互いの溝を接続するため
    のバイパス部を設けた請求項1乃至4記載いずれかにの
    半導体圧力センサ。
  11. 【請求項11】 前記溝の中央部の深さが、少なくとも
    周辺部より深い請求項1乃至4及び請求項9又は10い
    ずれかに記載の半導体圧力センサ。
  12. 【請求項12】 前記支持部からパッケージの開口方向
    に向かって凸部を設け、圧力センサチップの厚肉部下面
    の前記凸部と相対する位置に前記凸部と係合する凹部を
    設けた請求項1乃至4及び請求項9乃至11のいずれか
    に記載の半導体圧力センサ。
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