JP2003078114A5 - - Google Patents

Description

【発明の名称】磁気メモリの駆動方法

【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の目的は、高集積化しても上記のような問題が生じにくく、多値化が可能な磁気メモリに適した磁気メモリの駆動方法を提供することにある。

【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の駆動方法では、メモリ層における磁化反転が、このメモリ層を厚さ方向に通過する電流を含む複数の電流により生じる磁界により行われる。この駆動方法を本発明の磁気メモリに適用する場合は、上記電流が、上記２以上のメモリ層から選ばれ、磁化反転の対象となる少なくとも１つの層を厚さ方向に通過する。ただし、上記駆動方法は、基本的には、層の厚さ方向に電流を流しうるすべての磁気抵抗素子、およびこれを用いた磁気メモリ、に適用が可能であり、ＴＭＲ素子に限らず、いわゆるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）−ＧＭＲ素子の駆動に用いてもよい。

Claims (11)

1. 層の厚さ方向に積層された２以上のメモリ層と２以上のトンネル層とを含み、前記２以上のメモリ層が電気的に直列に接続され、前記２以上のメモリ層から選ばれる少なくとも１つからなる第１層群における磁化反転により生じる抵抗変化と、前記２以上のメモリ層から選ばれる少なくとも１つからなる第２層群における磁化反転により生じる抵抗変化とが互いに相違する磁気メモリの駆動方法であって、
   前記２以上のメモリ層から選ばれる少なくとも１つの層における磁化反転を、当該少なくとも１つの層を厚さ方向に通過する電流を含む複数の電流により生じる磁界により行う磁気メモリの駆動方法。
2. 前記複数の電流が、前記厚さ方向に流れる電流を第１電流として、前記２以上のメモリ層の面内方向に沿って流れ、前記磁化反転後の磁化方向に沿った磁界を発生させる第２電流を含む請求項１に記載の磁気メモリの駆動方法。
3. 前記第１電流の印加を開始した後に、前記第２電流の印加を開始する請求項２に記載の磁気メモリの駆動方法。
4. 前記複数の電流が、前記面内方向であって前記第２電流とは異なる方向に流れる第３電流をさらに含み、前記第３電流の印加を開始した後に、前記第２電流の印加を開始する請求項３に記載の磁気メモリの駆動方法。
5. 前記複数の電流が、前記面内方向であって前記第２電流とは異なる方向に流れる第３電流をさらに含み、前記第３電流から分岐して前記第１電流が供給される請求項２に記載の磁気メモリの駆動方法。
6. 前記２以上のメモリ層から選ばれる２つの層における磁化反転を、少なくとも、前記２つの層の間を伸長する導線を流れる電流により生じる磁界を印加して、同時に反転させる請求項１に記載の磁気メモリの駆動方法。
7. メモリ層を有する磁気メモリの駆動方法であって、
   前記メモリ層における磁化反転を、当該メモリ層を厚さ方向に通過する電流を含む複数の電流により生じる磁界により行う磁気メモリの駆動方法。
8. 前記複数の電流が、前記厚さ方向に流れる電流を第１電流として、前記メモリ層の面内方向に沿って流れ、前記磁化反転後の磁化方向に沿った磁界を発生させる第２電流を含む請求項７に記載の磁気メモリの駆動方法。
9. 前記第１電流の印加を開始した後に、前記第２電流の印加を開始する請求項８に記載の磁気メモリの駆動方法。
10. 前記複数の電流が、前記面内方向であって前記第２電流とは異なる方向に流れる第３電流をさらに含み、前記第３電流の印加を開始した後に、前記第２電流の印加を開始する請求項９に記載の磁気メモリの駆動方法。
11. 前記複数の電流が、前記面内方向であって前記第２電流とは異なる方向に流れる第３電流をさらに含み、前記第３電流から分岐して前記第１電流が供給される請求項９に記載の磁気メモリの駆動方法。