JP2003077685A - 有機ｅｌ素子のパネルとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、ディスプレイデバイスに関し、特
に有機ＥＬ素子のパネルとその製造方法を提供する。 【解決手段】 電極が交差する領域に多数の画素が形成
されるダブルスキャン構造の有機ＥＬ素子であって、透
明基板と、前記透明基板の上に形成されている第１電極
と、前記第１電極と連結されて前記第１電極と一部分が
重なるように形成される補助電極と、前記画素上に形成
されている第１電極の上に形成される有機発光層と、前
記有機発光層の上に前記第１電極と交差するように形成
される第２電極とからなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイデバ
イスに関するもので、特に、有機ＥＬ素子のパネルとそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ディスプレイデバイスが更に大型化して
いくことによって、空間占有率の少ない平板型ディスプ
レイパネルが注目を浴びている。特に最近有機ＥＬを用
いて平板型ディスプレイパネルを製作する研究が続けら
れている。

【０００３】有機ＥＬは駆動方式によってパッシブマト
リックスパネルとアクティブマトリックスから分ける。
パッシブマトリックスはスキャン電極ラインとデータ電
極ラインとを横縦形態に配置し、行方向と列との交差領
域に画素が形成される。

【０００４】図１は従来技術によるパッシブマトリック
ス有機ＥＬ構造を示す図である。図１を参照すると有機
ＥＬパネルはスキャン電極とデータ電極が交差する領域
に画素が形成される。即ち画素はマトリックス形態に形
成されている。また、スキャン電極とデータ電極が交差
する領域に形成される画素で発光するようにスキャン電
極に電流を与えるスキャンドライバーとデータ電極に電
流を与えるデータドライバーが備えられる。

【０００５】有機ＥＬパネルを製作する工程を見ると、
下側に透明基板を配置し、その透明基板の上に透明電極
の第１電極を形成し、その第１電極の上に有機物層を形
成し、その有機物層の上に金属化合物を用いる第２電極
を形成し、その第２電極の上に保護膜を形成する。透明
基板はガラス素材を用いる。透明基板は伝導性のないの
でＩＴＯをその透明基板上にコーティングして伝導性を
有する透明電極を形成する。しかしながら、ＩＴＯは抵
抗値が高いので金属補助電極を透明電極の上に形成して
用いることが多い。次に隔壁を形成し、有機ＥＬパネル
の全体面に有機物を蒸着して有機物層を形成する。

【０００６】パッシブマトリックス有機ＥＬ構造では、
高解像度のパネルであればあるほど画素数が多くなる。
従って、画素を形成するために要求されるスキャン電極
のライン数とデータ電極のライン数も多くなる。ところ
が、各電極のライン数が多くなると、一つの画素が発光
する時間はその分短くなる。

【０００７】このように各電極のライン数が多くなるほ
ど各画素の単位時間当たり発光時間が短くなるのでこれ
を克服するためには瞬間輝度をその分高める必要があ
る。これを補うための一般的な方法として、二つがある
が、これを図２及び図３に示した。図２及び図３は従来
技術による輝度を高くするように改良したパッシブマト
リックス有機ＥＬ構造を示す図である。これらの図は図
１のものと９０゜回転させて表示している。したがって
データラインの長手方向が横方向である。図２は第１電
極ストリップを半分に分けた有機ＥＬ構造である。図２
に示すように、第１電極ストリップを二つのストリップ
に分け、各ストリップを独立に同時にスキャン駆動す
る。

【０００８】このように各ストリップ当たりのスキャン
数が半減されるのでその分発光時間を長くすることがで
き発光効率及び素子寿命を良くする。しかしながら、図
２に示す有機ＥＬ構造はデータ電極が図で左右両側に分
けられ、データ電極に電流を与えるデータドライバーが
両側の全てのストリップに用意しなければならない。従
って、コスト増の問題が発する。

【０００９】図３は第１電極ストリップを行方向方向に
分けた有機ＥＬ構造である。図３に示すように、有機Ｅ
Ｌ構造は、第１電極ストリップを従来の１本の幅を２本
のラインとして使用するもので、スキャン電極を従来の
スキャン電極の間隔に比べて２倍の広さに形成すること
でスキャン数を半分に減らす方式がある。すなわち２つ
の画素を同時にスキャンする。図３に示すように、有機
ＥＬ構造は、スキャン数を半分に減らしてもデータ電極
に電流を与えるデータドライバーを更に備える必要がな
い。しかしながら、かかる構造は第１電極ラインを分割
してあるので開口率が相当低いという問題がある。

【００１０】従って、図３の有機ＥＬ構造で補助電極用
絶縁膜を更に用いて開口率を高めるとよい。しかしなが
ら、その方法は、絶縁膜を形成するための工程が更に必
要になるので有機ＥＬ素子のパネルを製造するのにかか
る費用が上昇する短所と製造効率が低下されるという短
所がある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解決するためのもので、特に工程が追加さ
れることなく、画面の明るさを決定する開口率を高める
ことができるようにした有機ＥＬ素子のパネルとその製
造方法を提供することが目的である。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、電極が交差する領域に画素が形成されるダ
ブルスキャン構造の有機ＥＬ素子であって、透明基板
と、透明基板の上に形成されている第１電極と、第１電
極と連結されながら第１電極と一部が重なるように形成
される補助電極と、画素に対応させて形成されている第
１電極の上に形成される有機発光層と、有機発光層の上
に第１電極と交差するように形成される第２電極とから
なることを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の説明に先立って、第１電
極はアノードやデータ電極と称し、第２電極はカソード
やスキャン電極を称することがあることを理解すべきで
ある。また、以下の有機ＥＬ素子はダブルスキャン構造
であり、基本的には第１電極と第２電極とが交差する領
域に画素が形成されるパッシブマトリックス有機ＥＬ素
子である。第１電極は透明基板の上に形成され、また、
透明基板の上に形成される補助電極が第１電極と一部分
が重畳されるように形成する。その第１電極の上に有機
発光層が形成され、第１電極と交差するように有機発光
層の上に第２電極が形成される。以下、本発明による有
機ＥＬ素子のパネルおよびその製造方法を詳細に説明す
る。

【００１４】図４は本発明の第１実施形態によるダブル
スキャン構造の有機ＥＬ素子を示す平面図であり、図５
ａないし図５ｃは図４においてＩ−Ｉ’断面の製造工程
図を示すものである。図４に示すように、本発明による
有機ＥＬ素子は第１電極５と第２電極（図示せず）とが
交差する領域に画素が形成される。その画素は第１電極
５の並びと平行な列方向には画素一つひとつが独立に並
んでアレイを成している。一方、行方向では列方向で二
つの画素が対とされてアレイに配列されている。

【００１５】列方向で対とされた二つの画素が行方向に
並んだ画素アレイは同時にスキャン駆動される。即ち、
一方向に配列された画素アレイにおいて、列方向におい
て奇数番目の画素（基準となるアレイの一つの画素）３
ａと偶数番目の画素（その偶数番目の画素と対を成して
いる奇数番目の画素）３ｂが同時にスキャン駆動され
る。

【００１６】図示の有機ＥＬ素子は透明基板１の上に一
方向で対とされた画素アレイが２本のラインとして配列
される。前記したように一方向に一つの画素アレイが配
列され、その画素アレイに対して平行に他の画素アレイ
が配列されて双方のアレイの画素で対とされている。補
助電極２ａ、２ｂは配列された画素アレイに垂直方向に
形成される。その際、補助電極２ａ、２ｂは画素アレイ
の各画素の両側にラインとして形成される。しかしなが
ら、一つの画素は補助電極２ａ、２ｂの両ラインのうち
いずれか一つに連結される。

【００１７】例えば、列方向に奇数番目の画素３ａが一
つの補助電極２ａと連結され、その奇数番目の画素３ａ
と対を成している偶数番目の画素３ｂが他の一つの補助
電極２ｂに連結される。行方向に配列される第１電極５
は偶数番目の画素３ａと奇数番目の画素３ｂに対応させ
てパターニングされ、同時に補助電極２ａ、２ｂのいず
れかと連結されるように形成される。第１電極５の上に
は有機発光層（図示せず）が形成され、その有機発光層
の上に第２電極（図示せず）が形成される。

【００１８】また、第１電極５のエッジ部分をカバーす
るように透明基板１の上に絶縁膜４−２が形成される。
第２電極を分離する隔壁６は一方向に配列された各対の
画素アレイごとに形成され、対を成している両画素が同
時にスキャン駆動されるように対画素アレイを一つの単
位として第２電極（図示せず）を電気的に隔離させる。
図４に示す有機ＥＬ素子の製造方法に対して図５ａない
し図５ｃを参照して以下説明する。

【００１９】図５ａに示すように、先ず透明基板１の上
に２本のラインで一つのセットとされる補助電極２ａ、
２ｂが形成される。その補助電極２ａ、２ｂは行方向に
配列された画素アレイに対して垂直な列方向に形成さ
れ、対画素アレイの各画素対それぞれの画素に対するラ
インとなる補助電極２ａ、２ｂが形成される。列方向に
奇数番目の画素３ａの第１電極は一つの補助電極２ａに
連結され、その奇数番目の画素３ａと対を成す偶数番目
の画素３ｂの第１電極は他の一つの補助電極２ｂに連結
される。

【００２０】図５ｂに示すように、補助電極２ａ、２ｂ
と電気的に連結されるようにそれぞれの画素に第１電極
５を形成する。この時第１電極５は特定の画素に対応し
ており、一方の補助電極と連結され、他方の補助電極と
電気的に絶縁されるように、その補助電極と所定距離
（Ａ）の間隔を有して形成される。例えば、図５ｂに示
すように、奇数番目の画素アレイの断面で見ると、奇数
番目の画素３ａを駆動するための補助電極２ａでない他
の補助電極２ｂとは電気的に絶縁されるように‘Ａ’の
間隔をおいて第１電極５が形成されている。また、図５
ｃに示すように、第１電極５のエッジ部分をカバーする
ように透明基板１の上に絶縁膜４−２が形成されてい
る。

【００２１】次に本発明では透明基板１の上に一方向に
対を成して２本のラインとして配列された画素アレイ対
が外部のスキャン電極（第２電極）と連結され同時にス
キャン駆動されるように各画素アレイごとに隔壁６が一
つずつ形成されている。即ち、画素アレイ対当たり一つ
ずつ隔壁６が形成される。それによって以後形成される
第２電極が画素アレイ対単位に電気的に隔離される。隔
壁６が形成された後には第１電極５の上に有機発光層
（図示せず）を形成する。更に最後に第２電極（図示せ
ず）を形成した後、保護膜を形成するためのパシベーシ
ョン、インキャップシュレーションを経ると素子が完成
される。ここで画素が対を成している画素アレイ対が同
時にスキャン駆動されるように、補助電極２ａ、２ｂと
交差する方向に画素アレイ（画素アレイ対）ごとに一つ
の第２電極（図示せず）が連結される。

【００２２】図６は本発明の第２実施形態によるダブル
スキャン構造の有機ＥＬ素子を示す平面図であり、図７
ａないし図７ｃは図６においてII−II’断面の製造工程
図を示すものである。図６に示すように、有機ＥＬ素子
は図４と同じ構成を有しており、図４の構成と異なる点
は２本のラインとして形成される補助電極２ａ、２ｂが
列方向の各奇数番目の画素３ａと偶数番目の画素３ｂを
独立に制御するように、その補助電極２ａ、２ｂのう
ち、任意の補助電極２ａ、又は補助電極２ｂの上に絶縁
膜４−１を形成する。すなわち、第１電極大きくし、駆
動されることがない他方の補助電極の上まで広がるよう
にしている。更に詳細には図７ａないし図７ｃに示すよ
うに、奇数番目の画素アレイの断面で見ると、奇数番目
の画素３ａの第１電極に連結された補助電極２ａではな
い他の補助電極２ｂの上に絶縁膜４−１を形成する。

【００２３】それによって、第１電極５が絶縁膜４−１
と所定間隔をおいて形成されても、また、第１電極５が
絶縁膜４−１と一部分重畳されて形成されても、図７ｃ
に示すように、第１電極５が絶縁膜４−１と全部重畳し
て形成されても、形成された絶縁膜４−１によって第１
電極５と補助電極２ｂとは確実に絶縁される。

【００２４】従って、特定の画素には連結されずに隣接
している補助電極２ｂと電気的に絶縁されるように、第
１電極５をその補助電極２ｂと所定距離Ａだけ間隔を持
たせて形成しなくても良い。これによって第１電極５が
形成される領域を広げることによって画素の開口率を増
加させることができる。図８ａないし図８ｃは本発明の
ダブルスキャン構造を有する有機ＥＬ素子の他の製造工
程度を示したものであり、図９ａないし図９ｃは図８ａ
ないし図８ｃでIII−III’断面の製造工程図を示したも
のである。

【００２５】図８ｃに示すように、対として配列された
画素アレイで互いに対を成している画素が同時にスキャ
ン駆動されるように形成されると共に、第１電極の部分
（５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ）は一つおきに画素を駆動で
きるように画素アレイごとに画素の連結部位に形成され
る。すなわち、第１電極部分５ａと５ｃが一つのライン
とされ、第１電極部分５ｂと５ｄが他のラインとなるよ
うに、第１電極自体が列方向に分離された２本のライン
として形成される。見方を変えれば、部分５ａ、５ｂが
凹凸状、すなわちジグザクのラインに形成され、それら
に画素に対応する部分５ｃ、５ｄが交互に連結されてい
るとも言える（図８ａ参照）。一つの画素アレイ対の図
面上上下の画素を構成する部分への連結部位に形成され
た第１電極部分５ａ、５ｂの上にその第１電極部分５
ａ、５ｂと一部分が重畳されるように補助電極２ａ、２
ｂが形成される。また、互いに対を成している画素が同
時にスキャン駆動されるように各画素に形成された第１
電極部分５ｃ、５ｄの上に有機発光層（図示せず）が形
成されている。その有機発光層の上に第１電極と交差す
るように第２電極（図示せず）が形成される。

【００２６】一つの画素で画素への連結部位にラインと
して形成された第１電極部分５ａ、５ｂは凹凸の形態を
有している。すなわち、駆動される画素でない部分では
第１電極部分５ａは電極部分５ｃから離れている。それ
によってラインとして形成させた第１電極分５ａと５ｂ
は凹凸状態、ジグザクとなっている。ここで第１電極を
幅方向（行方向方向）で二つに分ける時、画素への連結
部位に形成される第１電極部分５ａ、５ｂを直線状のス
トライプパターンに形成すると、隣接する画素対の隔離
のために各画素に対応させて形成される第１電極５ｃ、
５ｄの面積が減少することによって画素３ａ、３ｂの開
口率が劣る。しかしながら、本発明のように一つの画素
アレイごとに画素への連結部位に形成された第１電極部
分５ａ、５ｂを凹凸形態に形成すると、隣接する画素対
の隔離のために各画素に対応させて形成される第１電極
部分５ｃ、５ｄの面積を増加させることができる。

【００２７】また、補助電極２ａ、２ｂは前記で一つの
画素毎にラインとして画素への連結部位に形成されてい
る第１電極部分５ａ、５ｂの逆パターンを有する凹凸形
態にして、第１電極部分５ａ、５ｂと一部重畳ようにず
らして形成する。それにより２次絶縁膜４−２が画素を
覆う面積を減らすことができ、開口率を向上させること
ができる。第１電極５のエッジ部分をカバーするように
透明基板１の上に２次絶縁膜４−２が形成される。隔壁
６は一方向に配列された各画素アレイ対に対して形成さ
れ、対を成す画素アレイが同時にスキャン駆動されるよ
うに画素アレイ対を一つの単位にして第２電極（図示せ
ず）を電気的に隔離させる。

【００２８】以上説明したように、本発明では画素アレ
イ毎に第１電極が一方向に配列された２本のラインに分
けて形成されるが、他の実施例として画素アレイ毎に２
本のライン以上に分けて形成することもできる。前記の
ように構成された有機ＥＬ素子の製造方法に対して以下
説明する。先ず、図８ａ及び図９に示すように、透明基
板１の上に第１電極部分５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄを形成
する。より詳細には第１電極部分５ａ、５ｂは対に配列
される画素アレイで相互に対を成している画素３ａ、３
ｂにそれぞれ連結するように、その対を成している画素
３ａ、３ｂへの連結部位が凹凸形態を有するように形成
し、また、第１電極部分５ｃ、５ｄは対として配列され
る両画素アレイで相互に対を成す画素３ａ、３ｂが同時
にスキャン駆動されるように各画素に形成する。

【００２９】ラインとして形成されている第１電極の部
分５ａが列方向の各奇数番目の画素３ａを制御し、第１
電極の部分５ｂが偶数番目の画素３ｂを制御するように
透明導電性物質をパターニングして第１電極を形成す
る。形成された第１電極のパターン間の間隔ａと第１電
極部分５ｂのパターンの幅ｂは工程条件や素子特性に依
存することになるので最小の幅と最小の間隔が存在し、
普通１０μｍ内外である。

【００３０】また、８ｂ及び図９ｂに示すように、対に
配列される画素アレイで相互に対を成す画素３ａ、３ｂ
への連結部位が凹凸形態を有するように形成された第１
電極の部分５ａ、５ｂの上に補助電極２ａ、２ｂを形成
する。この時補助電極２ａ、２ｂのパターン幅は抵抗を
考慮して１〜１００μｍ程度に形成する。また、補助電
極２ａ、２ｂは画素に対応させて形成される第１電極部
分５ｃのパターンとの所定間隔ｃと、画素３ａ、３ｂの
連結部位に対して凹凸形態を有するように形成された第
１電極部分５ａ、５ｂのパターンと一部重なる部分ｄが
生成されるようにずれて形成する。

【００３１】間隔‘ｃ’と重なる部分の‘ｄ’とは装置
のアライン公差に依存し、通常１〜２μｍとして第１電
極のパターン間の間隔ａと第１電極部分のパターンの幅
ｂに比べて遙かに小さい。次に図８ｃ及び図９ｃに示す
ように、第１電極５のエッジ部分をカバーするように透
明基板１の上に２次絶縁膜４−２を形成する。

【００３２】図１０は従来技術によるダブルスキャン構
造を有する有機ＥＬ素子の製造工程図であって、本発明
による図９ｃと比較するとき、画素の開口率が遙かに小
さいことが分かる。図１０に示した従来技術では第１電
極の部分５ａ、５ｂのパターンの上に補助電極２ａ、２
ｂを形成しており、図９ｃに示す本発明では第１電極の
部分５ａ、５ｂのパターンとずれるように補助電極２
ａ、２ｂを形成したことが異なる。本発明のように補助
電極２ａ、２ｂを第１電極パターンとずれるように形成
することで２次絶縁膜４−２が画素を覆う面積が減って
２次絶縁膜がずれるその分開口率を向上させることがで
きる。

【００３３】図１１ａ及び図１１ｂは本発明による有機
ＥＬ素子の製造工程図であり、図１２ａ、図１２ｃは図
１１ａ及び図１１ｂでIV−IV’断面の製造工程図を示す
ものである。図１１ｂに示すように、本発明による有機
ＥＬ素子は第１電極５と第２電極（図示せず）が交差す
る領域に多数の画素が形成される。第１電極５は透明基
板１の上に多数形成される。補助電極２は形成された第
１電極５に連結されるように、その第１電極５と一部分
が重なるように透明基板１の上に形成される。

【００３４】互いに対を成している画素が同時にスキャ
ン駆動されるように各画素に形成された第１電極５の上
に有機発光層（図示せず）が形成される。次にその有機
発光層の上に第１電極５と交差するように第２電極（図
示せず）が形成される。また、第１電極５のエッジ部分
をカバーするように透明基板１の上に絶縁膜４−２が形
成されている。隔壁６は一方向に配列された各画素アレ
イ対ごとに形成され、対を成している両画素が同時にス
キャン駆動されるように画素アレイ対を単位にして第２
電極（図示せず）を電気的に隔離させる。

【００３５】本発明では補助電極２を、第１電極５パタ
ーンと一部重なるように透明基板１の上に形成させるこ
とによって、絶縁膜４−２が画素を覆う面積が減って開
口率を向上させることができる。補助電極の材料は導電
性の物質を用いて、特にＣｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕやこれ
らの合金及び二つ以上を同時に用いるのも可能である。
補助電極の厚さは０．０１〜１０μｍであり、線幅は素
子によって異なり形成することができる。

【００３６】絶縁膜の材料としては無機及び有機絶縁膜
のいずれも使用可能であり、無機絶縁膜には酸化系絶縁
膜（ｏｘｉｄｅ類、ＳｉＯ２）と窒化系絶縁膜（ｎｉｔ
ｒｉｄｅ類、ＳｉＮｘ）が用いられる。有機絶縁膜はポ
リマー（特に、ポリアクリル類、polyimidefb、novola
c、polyphenyl、polystylene）が用いられる。また、絶
縁膜の厚さは０．０１〜１０μｍであり、可視光線に対
して吸光度の低い物質が良い。また、発光領域内の第１
電極の一部分は絶縁膜で覆うべきである。即ち、絶縁膜
は第１電極と第２電極の短絡を防止するために工程中に
エッジ部分が損傷され易い第１電極のエッジ部分をカバ
ーするように形成する。最後に第１電極は透明電極であ
り、第２電極は金属電極である。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機ＥＬ
素子のパネルとその製造方法によると、次のような効果
がある。透明電極の第１電極のパターンを予め形成して
画素領域の面積を増加させることによって開口率を向上
させる。補助電極を第１電極パターンと所定領域だけ重
畳してずれるように形成することで、重畳される領域だ
け画素領域の面積を増加させることによって有機ＥＬ素
子の開口率を向上させることができる。

【００３８】また、補助電極を第１電極パターンとずれ
るように形成することで、上の２次絶縁膜が画素を覆う
面積を減らすことができる。それによって２次絶縁膜が
ずれた部分だけ開口率を向上させることができる。ま
た、本発明は開口率を高めるために絶縁膜を形成する追
加工程が不要であるので有機ＥＬ素子のパネルを製造す
るのにかかる費用上昇がなく、製造効率の点からも有利
である。

【００３９】以上本発明の好適な一実施形態に対して説
明したが、前記実施形態のものに限定されるわけではな
く、本発明の技術思想に基づいて種々の変形可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来技術によるパッシブマトリックス有機ＥＬ
構造を示す図である。

【図２】従来技術によるより補完されたパッシブマトリ
ックス有機ＥＬ構造を示す図である。

【図３】従来技術によるより補完されたパッシブマトリ
ックス有機ＥＬ構造を示す図である。

【図４】本発明の第１実施形態によるダブルスキャン構
造の有機ＥＬ素子を示す平面図である。

【図５】図４においてＩ−Ｉ’断面の製造工程図であ
る。

【図６】本発明の第２実施形態によるダブルスキャン構
造の有機ＥＬ素子を示す平面図である。

【図７】図６においてII−II’断面の製造工程図であ
る。

【図８ａ】本発明のダブルスキャン構造を有する有機Ｅ
Ｌ素子の更に他の製造工程図である。

【図８ｂ】本発明のダブルスキャン構造を有する有機Ｅ
Ｌ素子の更に他の製造工程図である。

【図８ｃ】本発明のダブルスキャン構造を有する有機Ｅ
Ｌ素子の更に他の製造工程図である。

【図９】図８ａ〜図８ｃにおいてIII−III’断面の製造
工程図である。

【図１０】従来技術によるダブルスキャン構造を有する
有機ＥＬ素子の製造工程図である。

【図１１】本発明による有機ＥＬ素子の製造工程図であ
る。

【図１２】図１１におけるIV−IV’断面の製造工程図で
ある。

【符号の説明】

１ 透明基板 ２ａ、２ｂ 補助電極 ３ａ 奇数番目の画素 ３ｂ 偶数番目の画素 ５ 第１電極 ６ 隔壁

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電極が交差する領域に画素が形成される
   ダブルスキャン構造の有機ＥＬ素子において、 透明基板と、 前記透明基板の上に形成されている第１電極と、 前記第１電極と連結されながら前記第１電極と一部が重
   なるように形成される補助電極と、 前記画素に対応させて形成されている第１電極の上に形
   成される有機発光層と、 前記有機発光層の上に前記第１電極と交差するように形
   成される第２電極とからなることを特徴とする有機ＥＬ
   素子パネル。
2. 【請求項２】 前記第１電極は、 列方向に対とされて行方向に並んだ画素アレイの対とな
   っている一方の画素が連結されるようにその対を成して
   いる画素の連結部位が凹凸形態を有するように形成さ
   れ、前記画素アレイで互いに対を成している画素が同時
   にスキャンされるように各画素に対応して形成されるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子パネル。
3. 【請求項３】 前記画素の連結部位が凹凸形態を有する
   ように形成されている第１電極の上に前記補助電極が形
   成されることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ素
   子パネル。
4. 【請求項４】 前記第１電極は、 列方向に対とされて配列される画素アレイの互いに対を
   成している画素が同時にスキャン駆動されるように各画
   素の上に形成される共に、該当する画素が連結されるよ
   うに一つの画素アレイごとに二つのラインからなること
   を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子パネル。
5. 【請求項５】 前記第１電極は、 透明導電性物質がパターニングされた二つのラインから
   なることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ素子パ
   ネル。