JPH07234417A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 複数の画像信号配線と、複数の走査信号配線
とを交差して設け、この画像信号配線と走査信号配線と
の交差部に画素電極とこの画素電極に画像信号を供給す
るスイッチング素子とを設け、画素電極とこの画素電極
に対向して設けた対向電極との間に液晶材料を保持した
液晶表示装置において、画素電極を、絶縁膜を介して上
層画素電極と下層画素電極で形成し、上層画素電極と隣
接画素の下層画素電極または下層画素電極と隣接画素の
上層画素電極が絶縁膜を介して一部重なっている。 【作用】 上記のような構造としたことにより、比較的
簡単な構造で開口率を向上させることができ、その結
果、明るい高品質な液晶表示装置を歩留まり良く作製す
ることができるようになる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、特
に各画素にスイッチング素子を設けたアクティブマトリ
ックス方式の液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス方式の液晶表示装
置は、単純マトリクス方式と比べてコントラストが高
く、多階調表示特性に優れているため、カラー液晶表示
装置では欠かせない技術となっている。特に、スイッチ
ング素子として薄膜トランジスタを使用したアクティブ
マトリクス方式の液晶表示装置は、ＣＲＴと同等の画質
が得られるようになった。

【０００３】以下、図面を参照しながら、従来の液晶表
示装置を説明する。図１１は、従来の液晶表示装置の一
画素の拡大図、図１２および図１３はそれぞれ図１１の
Ａ−Ａ’線およびＢ−Ｂ’線の断面図である。また、図
１４および図１５は図１１の等価回路図である。

【０００４】図１１、図１２、図１３、図１４、図１５
において、１０１は走査信号配線、１０２は画像信号配
線、１０３は上層画素電極、１０４は下層画素電極、１
０５は薄膜トランジスタから成るスイッチング素子、１
０９は保護膜、１１０は液晶材料、１１１は対向電極、
１１２、１１３は透明ガラス基板、１１４はブラックマ
トリクスである。

【０００５】走査信号配線１０１と画像信号配線１０２
はそれぞれ複数設けられており、この走査信号配線１０
１と画像信号配線１０２の各交差部に画素電極１０３、
１０４およびスイッチング素子１０５が設けられてい
る。

【０００６】スイッチング素子１０５は、走査信号配線
１０１に連続して形成されたゲート電極（Ｇ）、ゲート
絶縁膜１０８、チャネル部となる半導体膜１０６、画像
信号配線１０２に連続して形成されたソース電極
（Ｓ）、上層画素電極１０３に連続して形成されたドレ
イン電極（Ｄ）で形成される。

【０００７】走査信号配線１０１およびゲート電極
（Ｇ）は、アルミニウム（Ａｌ）やタンタル（Ｔａ）な
どの金属膜で形成される。ゲート絶縁膜１０８は、窒化
シリコン（ＳｉＮｘ）や酸化タンタル（ＴａＯ）などで
形成される。半導体膜１０６はアモルファスシリコン膜
などで形成される。画像信号配線１０２およびソース電
極（Ｓ）はＩＴＯなどの透明導電膜で形成される。上層
画素電極１０３およびドレイン電極（Ｄ）もＩＴＯなど
の透明導電膜で形成される。

【０００８】従来の液晶表示装置では、画素電極が、絶
縁膜１０８を介して上層画素電極１０３と下層画素電極
１０４の２層構造に形成されている。上層画素電極１０
３と隣接する走査信号配線１０１’との間で、液晶材料
１１０に印加する電圧を一定期間保持するための付加容
量Ｃｓが、上層画素電極１０３と対向電極１１１との間
で液晶容量Ｃ_LC1 が、下層画素電極１０４と対向電極１
１１との間で液晶容量Ｃ_LC2 が、上層画素電極１０３と
下層画素電極１０４との間の重なり容量Ｃａがそれぞれ
形成され、画素の等価回路は図１４となる。

【０００９】この場合、上層画素電極１０３と下層画素
電極１０４がゲート絶縁膜１０８を介して大きな面積で
重なっているため、液晶容量Ｃ_LC2 に比べ、上下画素電
極１０３、１０４間の重なり容量Ｃａが大幅に大きくな
り、画素の等価回路は図１５の等価回路とみなすことが
できる。その結果、下層画素電極１０４も上層画素電極
１０３と同じ働きをすることになり、画素の開口率が向
上している（特願平５−３３０７８５号参照）。

【００１０】なお、この液晶表示装置では、逆スタガ型
の薄膜トランジスタ１０５によりスイッチングされ、画
像信号配線１０２の信号電圧をドレイン電極（Ｄ）の延
長である上層画素電極１０３、および下層画素電極１０
４に印加することにより、上層画素電極１０３および下
層画素電極１０４と対向電極１１１との間に保持された
液晶材料１１０に電圧を印加し、画像の表示を行うもの
である。

【００１１】また従来の液晶表示装置では、隣接する走
査信号配線１０１’から下層画素電極１０４側に張り出
した透明導電膜からなる付加容量用電極１０７を設け、
この付加容量用電極１０７と上層画素電極１０３とで付
加容量Ｃｓが形成されているため、この付加容量用電極
７によって上層画素電極１０３を透過する光が遮られる
ことはなく、画素の開口率が向上している。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の液晶
表示装置では、一般に画素電極１０３、１０４周辺部の
透過光を遮光するために、対向基板側にクロム（Ｃｒ）
などの金属膜でブラックマトリクスを形成しており、こ
のブラックマトリクスが開口率を低下させていた。すな
わち、上述した液晶表示装置は、画素電極の２層構造、
及び透明導電膜よりなる付加容量用電極を採用すること
により、この基板側での開口率の向上は図られている
が、図１６に示すように、対向基板側にブラックマトリ
クスを形成すると、対向基板を含めた開口部は斜線部で
示す領域のみに限られ、開口率の向上が図れないという
問題があった。

【００１３】本発明は、上記欠点に鑑みてなされたもの
であり、その目的はとするところは、画素部分における
光漏れを極力防止することによって対向基板側のブラッ
クマトリックスを極力削減できる液晶表示装置を提供す
る点にある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載した発明では、複数の画像信号配線
と、複数の走査信号配線とを交差して設け、この画像信
号配線と走査信号配線との交差部に画素電極とこの画素
電極に画像信号を供給するスイッチング素子とを設け、
前記画素電極とこの画素電極に対向して設けた対向電極
との間に液晶材料を保持した液晶表示装置において、前
記画素電極を、絶縁膜を介して上層画素電極と下層画素
電極で形成し、前記上層画素電極と隣接画素の下層画素
電極または前記下層画素電極と隣接画素の上層画素電極
が前記絶縁膜を介して一部重なるようにした。

【００１５】また、請求項３に記載した発明では、複数
の画像信号配線と、複数の走査信号配線とを交差して設
け、この画像信号配線と走査信号配線との交差部に画素
電極とこの画素電極に画像信号を供給するスイッチング
素子とをに設け、前記画素電極とこの画素電極に対向し
て設けた対向電極との間に液晶材料を保持した液晶表示
装置において、前記画素電極を、絶縁膜を介して上層画
素電極と下層画素電極で形成し、前記下層画素電極と画
像信号配線が前記絶縁膜を介して一部重なるようにし
た。

【００１６】

【作用】請求項１に記載した発明では、上層画素電極と
隣接画素の下層画素電極または下層画素電極と隣接画素
の上層画素電極が絶縁膜を介して一部重なっているた
め、この部分での光のもれは発生しない。その結果この
部分の光を遮光するためのブラックマトリクスを削除す
ることができ、開口率を向上させることができる。

【００１７】請求項３に記載した発明では、下層画素電
極と隣接する画像信号配線が絶縁膜を介して一部重なっ
ているため、この部分での光のもれは発生しない。その
結果この部分の光を遮光するためのブラックマトリクス
を削除することができ、開口率を向上させることができ
る。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。

【００１９】まず、請求項１に記載した発明の実施例を
図１、図２、図３、図４に基づいて説明する。図２は図
１のＡ−Ａ’線断面図、図３は図１のＢ−Ｂ’線断面
図、図４は図１の等価回路図である。図１、図２、図
３、図４において、１は走査信号配線、２は画像信号配
線、３は上層画素電極、４は下層画素電極、５は薄膜ト
ランジスタから成るスイッチング素子、７は透明導電膜
よりなる付加容量用電極、８はゲート絶縁膜、９は保護
膜、１０は液晶材料、１１は対向電極、１２、１３は透
明ガラス基板、１４はブラックマトリクスである。

【００２０】走査信号配線１と画像信号配線２はそれぞ
れ複数設けられており、この走査信号配線１と画像信号
配線２の各交差部に画素電極３、４およびスイッチング
素子５が設けられている。

【００２１】スイッチング素子５は、走査信号配線１に
連続して形成されたゲート電極（Ｇ）、ゲート絶縁膜
８、チャネル部となる半導体膜６、画像信号配線２に連
続して形成されたソース電極（Ｓ）、上層画素電極３に
連続して形成されたドレイン電極（Ｄ）で形成される。

【００２２】走査信号線１およびゲート電極（Ｇ）は、
アルミニウム（Ａｌ）やタンタル（Ｔａ）などの金属膜
で形成される。ゲート絶縁膜８は、窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎｘ）や酸化タンタル（ＴａＯ）などで形成される。半
導体膜６はアモルファスシリコン膜などで形成される。
画像信号配線２およびソース電極（Ｓ）はＩＴＯなどの
透明導電膜で形成される。上層画素電極３およびドレイ
ン電極（Ｄ）もＩＴＯなどの透明導電膜で形成される。

【００２３】本発明の液晶表示装置では、画素電極が、
絶縁膜８を介して上層画素電極３と下層画素電極４の２
層構造に形成され、上層画素電極３と隣接画素の下層画
素電極４’が絶縁膜８を介して一部重なる構造となって
いる（図２参照）。したがって、この部分から光が漏れ
ることはなく、もってこの部位に対向する対向基板１２
にもブラックマトリクス１４を設ける必要はない。な
お、隣接画素における下層画素電極４’と上層画素電極
３を基準に考えると、下層画素電極４’と隣接画素の上
層画素電極３が絶縁膜８を介して一部重なる構造とな
る。

【００２４】上層画素電極３と隣接する走査信号配線
１’との間で、液晶材料１０に印加する電圧を一定期間
保持するための付加容量Ｃｓが、上層画素電極３と対向
電極１１との間で液晶容量Ｃ_LC1 が、下層画素電極４と
対向電極１１との間で液晶容量Ｃ_LC2 が、上層画素電極
３と下層画素電極４との間の重なり容量Ｃａが、上層画
素電極３と隣接画素の下層画素電極４’との重なり容量
Ｃｐｐがそれぞれ形成され、画素の等価回路は図４とな
り、従来例同様、下層画素電極４も上層画素電極３と同
じ働きをすることになる。ここでＣｐｐの容量値を（Ｃ
ｇｄ＋Ｃ_LC1 ＋Ｃ_LC2 ＋Ｃｓ＋Ｃｐｐ）の容量値の１／
５以下に設定することにより、Ｃｐｐの影響のほとんど
ない良好な表示画像が得られる。すなわち、Ｃｐｐの容
量地が大きいと、Ｃｐｐを介して、Ｃｐｐ／（Ｃｇｄ＋
Ｃ_LC1 ＋Ｃ_LC2 ＋Ｃｓ＋Ｃｐｐ）の比率で隣接画素電極
４’の電圧変動が本画素電極３に重畳されるため、隣接
画素電極間での電圧のクロストークが発生し、その結
果、表示画像が劣化する。このため、Ｃｐｐ値を極力小
さくする必要があるが、実験を行った結果によると、Ｃ
ｐｐ／（Ｃｇｄ＋Ｃ_LC1 ＋Ｃ_LC2 ＋Ｃｓ＋Ｃｐｐ）の値
が１／５以下の場合、クロストークが殆ど認められない
良好な画質の表示画像が得られた。なお、Ｃｇｄはスイ
ッチング素子５のゲート電極（Ｇ）とドレイン電極
（Ｄ）間の容量、Ｃ_LC1 は上層画素電極３と対向電極１
１間の容量、Ｃ_LC2 は下層画素電極４と対向電極１１間
の容量である。

【００２５】なお、この液晶表示装置では、逆スタガ型
の薄膜トランジスタ５によりスイッチングされ、画像信
号配線２の信号電圧をドレイン電極（Ｄ）の延長である
上層画素電極３、および下層画素電極４に印加すること
により、上層画素電極３および下層画素電極４と対向電
極１１との間に保持された液晶材料１０に電圧を印加
し、画像の表示を行うものである。

【００２６】図５に、図１の液晶表示装置の画素部分に
おける光透過可能な領域である開口部を斜線で示す。図
５で明らかなように、図１６の従来の液晶表示装置に比
べて、本発明に係る液晶表示装置では、走査信号配線１
側に於ける開口部が大きく拡大する。

【００２７】次に、請求項３に記載した発明の実施例を
図６、図７、図８、図９に基づいて説明する。図７は図
６のＡ−Ａ’線断面図、図８は図６のＢ−Ｂ’線断面
図、図９は図６の等価回路図である。図６、図７、図
８、図９において、１は走査信号配線、２は画像信号配
線、３は上層画素電極、４は下層画素電極、５は薄膜ト
ランジスタから成るスイッチング素子、７は透明導電膜
よりなる付加容量用電極、８はゲート絶縁膜、９は保護
膜、１０は液晶材料、１１は対向電極、１２、１３は透
明ガラス基板、１４はブラックマトリクスである。

【００２８】走査信号配線１と画像信号配線２はそれぞ
れ複数設けられており、この走査信号配線１と画像信号
配線２の各交差部に画素電極３、４およびスイッチング
素子５が設けられている。

【００２９】スイッチング素子５は、走査信号配線１に
連続して形成されたゲート電極（Ｇ）、ゲート絶縁膜
８、チャネル部となる半導体膜６、画像信号配線２に連
続して形成されたソース電極（Ｓ）、上層画素電極３に
連続して形成されたドレイン電極（Ｄ）で形成される。

【００３０】走査信号線１およびゲート電極（Ｇ）は、
アルミニウム（Ａｌ）やタンタル（Ｔａ）などの金属膜
で形成される。ゲート絶縁膜８は、窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎｘ）や酸化タンタル（ＴａＯ）などで形成される。半
導体膜６はアモルファスシリコン膜などで形成される。
画像信号配線２およびソース電極（Ｓ）はＩＴＯなどの
透明導電膜で形成される。上層画素電極３およびドレイ
ン電極（Ｄ）もＩＴＯなどの透明導電膜で形成される。

【００３１】本発明の液晶表示装置では、画素電極が、
絶縁膜８を介して上層画素電極３と下層画素電極４の２
層構造に形成され、下層画素電極４と隣接の画像信号配
線２、２’が絶縁膜８を介して一部重なる構造となって
いる（図８参照）。したがって、この部分から光が漏れ
ることはなく、もってこの部位に対向する対向基板１２
にもブラックマトリクス１４を設ける必要はない。

【００３２】上層画素電極３と隣接する走査信号配線
１’との間で、液晶材料１０に印加する電圧を一定期間
保持するための付加容量Ｃｓが、上層画素電極３と対向
電極１１との間で液晶容量Ｃ_LC1 が、下層画素電極４と
対向電極１１との間で液晶容量Ｃ_LC2 が、上層画素電極
３と下層画素電極４との間の重なり容量Ｃａが、下層画
素電極４と隣接の画像信号配線２、２’との重なり容量
Ｃｐｄがそれぞれ形成され、画素の等価回路は図９とな
り、従来例同様、下層画素電極４も上層画素電極３と同
じ働きをすることになる。ここでＣｐｄの容量値を（Ｃ
ｇｄ＋Ｃ_LC1 ＋Ｃ_LC2 ＋Ｃｓ＋Ｃｐｄ）の容量値の１／
５以下に設定することにより、Ｃｐｄの影響のほとんど
ない良好な表示画像が得られる。すなわち、Ｃｐｄの容
量値が大きいと、Ｃｐｄを介して、Ｃｐｄ／（Ｃｇｄ＋
Ｃ_LC1 ＋Ｃ_LC2 ＋Ｃｓ＋Ｃｐｄ）の比率で画像信号配線
２、２’の電圧変動が画素電極４に重畳されるため、画
素電極４と画像信号配線２、２’間での電圧のクロスト
ークが発生し、その結果、表示画像が劣化してしまう。
このため、Ｃｐｄの値を極力小さくする必要があるが、
実験を行った結果によると、Ｃｐｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃ_LC1
＋Ｃ_LC2 ＋Ｃｓ＋Ｃｐｄ）の値が１／５以下の場合、ク
ロストークが殆どない良好な表示画像が得られた。な
お、Ｃｇｄは薄膜トランジスタ５のゲート、ドレイン間
の寄生容量である。

【００３３】なお、この液晶表示装置では、逆スタガ型
の薄膜トランジスタ５によりスイッチングされ、画像信
号配線２の信号電圧をドレイン電極（Ｄ）の延長である
上層画素電極３、および下層画素電極４に印加すること
により、上層画素電極３および下層画素電極４と対向電
極１１との間に保持された液晶材料１０に電圧を印加
し、画像の表示を行うものである。

【００３４】図１０に、図６の液晶表示装置の画素部分
における光透過可能な領域である開口部を斜線で示す。
図１０で明らかなように、図１６の従来の液晶表示装置
に比べて、本発明に係る液晶表示装置では、画像信号配
線２、２’側に於ける開口部が大きく拡大する。

【００３５】なお、下層画素電極４と隣接の画像信号配
線２、２’の重なる部分は、隣接の画像信号配線２、
２’のうちのいずれか一方のみと重なるようにしてもよ
い。隣接の画像信号配線２、２’のいずれか一方のみと
重なるようにした場合は、下層画素電極４と画像信号配
線２または２’が重なる部分については、少なくとも対
向基板１２のブラックマトリクス１４を削除することが
できる。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、請求項１に記載した発明
の液晶表示装置では、画素電極が絶縁膜を介して上層画
素電極と下層画素電極の２層構造に形成され、上層画素
電極と隣接画素の下層画素電極または下層画素電極と隣
接画素の上層画素電極が絶縁膜を介して一部重なる構造
となっているため、この部分での光のもれは発生しな
い。その結果、この部分の光を遮光するためのブラック
マトリクスを削除することができ、開口率を向上させる
ことができる。特にブラックマトリクスは対向基板１２
側に形成されるため、通常、両基板の位置合わせのずれ
量を十分考慮して、ブラックマトリクスを光漏れの発生
する面積よりも大幅に大きくする必要があり、ブラック
マトリクスを削減することによる開口率向上の効果は大
きい。さらに、本発明を実現するにあたって、特に工程
を増やす必要がなく、製造プロセスが簡単で製造歩留り
を低下させることもなく、低コストで高品質の液晶表示
装置を提供できる。

【００３７】また、請求項３に記載した発明の液晶表示
装置では、画素電極が絶縁膜を介して上層画素電極と下
層画素電極の層構造に形成され、下層画素電極と画像信
号配線が絶縁膜を介して一部重なっているため、この部
分での光のもれは発生しない。その結果この部分の光を
遮光するためのブラックマトリクスを削除することがで
き、開口率を向上させることができる。特にブラックマ
トリクスは対向基板側に形成されるため、通常、両基板
の位置合わせのずれ量を十分考慮して、ブラックマトリ
クスを光のもれの発生する面積よりも大幅に大きくする
必要があり、ブラックマトリクスを削減することによる
開口率向上の効果は大きい。さらに、本発明を実現する
にあたって、特に工程を増やす必要がなく、製造プロセ
スが簡単で製造歩留りを低下させることもなく、低コス
トで高品質の液晶表示装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１に記載した発明の実施例の一画素の拡
大図である。

【図２】図１のＡ−Ａ’線断面図である。

【図３】図１のＢ−Ｂ’線断面図である。

【図４】図１に示す装置の等価回路図である。

【図５】図１の光透過可能な開口部の説明図である。

【図６】請求項３に記載した発明の実施例の一画素の拡
大図である。

【図７】図６のＡ−Ａ’線断面図である。

【図８】図６のＢ−Ｂ’線断面図である。

【図９】図６に示す装置の等価回路図である。

【図１０】図６の光透過可能な開口部の説明図である。

【図１１】従来の液晶表示装置の一画素の拡大図であ
る。

【図１２】図１１のＡ−Ａ’線断面図である。

【図１３】図１１のＢ−Ｂ’線断面図である。

【図１４】図１１に示す装置の等価回路図である。

【図１５】図１１に示す装置の等価回路図である。

【図１６】図１１の光透過可能な開口部の説明図であ
る。

【符号の説明】

１、１０１・・・走査信号配線およびゲート電極、２、
１０２・・・画像信号配線およびソース電極、３、１０
３・・・上層画素電極およびドレイン電極、４、１０４
・・・下層画素電極、５、１０５・・・逆スタガ型の薄
膜トランジスタ、６、１０６・・・半導体膜、７、１０
７・・・透明導電膜、８、１０８・・・ゲート絶縁膜、
９、１０９・・・保護膜、１０、１１０・・・液晶材
料、１１、１１１・・・対向電極、１２、１３、１１
２、１１３・・・透明ガラス基板、１４・・・ブラック
マトリクス、Ｃ_LC1 、Ｃ_LC2 、Ｃ_LC・・・液晶容量、Ｃ
S ・・・付加容量、Ｃａ・・・上下画素電極間容量、Ｃ
ｐｐ・・・上層画素電極と隣接画素の下層画素電極間容
量、Ｃｐｄ・・・下層画素電極と画像信号配線間容量

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の画像信号配線と、複数の走査信号
   配線とを交差して設け、この画像信号配線と走査信号配
   線との交差部に画素電極とこの画素電極に画像信号を供
   給するスイッチング素子とを設け、前記画素電極とこの
   画素電極に対向して設けた対向電極との間に液晶材料を
   保持した液晶表示装置において、前記画素電極を、絶縁
   膜を介して上層画素電極と下層画素電極で形成し、前記
   上層画素電極と隣接画素の下層画素電極または前記下層
   画素電極と隣接画素の上層画素電極が前記絶縁膜を介し
   て一部重なっていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記上層画素電極と隣接する走査信号配
   線に付加容量用電極を設け、この上層画素電極と付加容
   量用電極間の容量をＣｓ、前記上層画素電極と隣接画素
   の下層画素電極または前記下層画素電極と隣接画素の上
   層画素電極との重なり部の容量をＣｐｐ、前記スイッチ
   ング素子のゲート電極とドレイン電極間の容量をＣｇ
   ｄ、前記上層画素電極と対向電極間の容量をＣ_LC1 、前
   記下層画素電極と対向電極間の容量をＣ_LC2 としたと
   き、Ｃｐｐ／（Ｃｇｄ＋Ｃ_LC1 ＋Ｃ_LC2 ＋Ｃｓ＋Ｃｐ
   ｐ）が１／５以下であることを特徴とする請求項１に記
   載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 複数の画像信号配線と、複数の走査信号
   配線とを交差して設け、この画像信号配線と走査信号配
   線との交差部に画素電極とこの画素電極に画像信号を供
   給するスイッチング素子とを設け、前記画素電極とこの
   画素電極に対向して設けた対向電極との間に液晶材料を
   保持した液晶表示装置において、前記画素電極を、絶縁
   膜を介して上層画素電極と下層画素電極で形成し、前記
   下層画素電極と画像信号配線が前記絶縁膜を介して一部
   重なっていることを特徴とする液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記下層画素電極と画像信号配線間の容
   量をＣｐｄ、前記スイッチング素子のゲート電極とドレ
   イン電極間の容量をＣｇｄ、前記上層画素電極と対向電
   極間の容量をＣ_LC1 、前記下層画素電極と対向電極間の
   容量をＣ_LC2としたとき、Ｃｐｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃ_LC1 ＋
   Ｃ_LC2 ＋Ｃｓ＋Ｃｐｄ）が１／５以下であることを特徴
   とする請求項３に記載の液晶表示装置。