JP2003075591A - 多層膜反射鏡、その製造方法、軟ｘ線露光装置及び軟ｘ線光学系 - Google Patents
多層膜反射鏡、その製造方法、軟ｘ線露光装置及び軟ｘ線光学系Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多層膜にダメージを与えることなく多層膜の
層数を制御して多層膜の面形状を補正した多層膜反射鏡
及びその製造方法、多層膜反射鏡を備えた軟Ｘ線露光装
置及び軟Ｘ線光学系を提供する。 【解決手段】 本発明に係る多層膜反射鏡の製造方法
は、屈折率の異なる少なくとも二種類以上の物質を交互
に所定の周期長で積層してなる多層膜２を基板１上に成
膜した多層膜反射鏡に対し、前記多層膜２上の所望の範
囲内に、周期長が多層膜２とほぼ等しい多層膜３を積層
することによって、多層膜反射鏡の反射波面の位相を補
正するものである。
層数を制御して多層膜の面形状を補正した多層膜反射鏡
及びその製造方法、多層膜反射鏡を備えた軟Ｘ線露光装
置及び軟Ｘ線光学系を提供する。 【解決手段】 本発明に係る多層膜反射鏡の製造方法
は、屈折率の異なる少なくとも二種類以上の物質を交互
に所定の周期長で積層してなる多層膜２を基板１上に成
膜した多層膜反射鏡に対し、前記多層膜２上の所望の範
囲内に、周期長が多層膜２とほぼ等しい多層膜３を積層
することによって、多層膜反射鏡の反射波面の位相を補
正するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスな
どの製造に用いられる多層膜反射鏡及びその製造方法、
多層膜反射鏡を備えた軟Ｘ線露光装置及び軟Ｘ線光学系
に関するものである。
どの製造に用いられる多層膜反射鏡及びその製造方法、
多層膜反射鏡を備えた軟Ｘ線露光装置及び軟Ｘ線光学系
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路素子の微細化の進
展に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解
像力を向上させるために、従来の紫外線に代わって、こ
れより波長の短い１１〜１４ｎｍ程度の波長を有する軟
Ｘ線を使用した投影リソグラフィ技術が開発されている
（例えば、D.Tichenor,et al, SPIE 2437(1995)292参
照）。この技術は、最近ではＥＵＶ(Extreme Ultra Vio
let:極紫外線)リソグラフィとも呼ばれているが、その
内容は同一である（以下、ＥＵＶリソグラフィと呼
ぶ）。ＥＵＶリソグラフィは、従来の光リソグラフィ
（波長１９０ｎｍ程度以上）では実現不可能な７０ｎｍ
以下の解像力を有する将来のリソグラフィ技術として期
待されている。
展に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解
像力を向上させるために、従来の紫外線に代わって、こ
れより波長の短い１１〜１４ｎｍ程度の波長を有する軟
Ｘ線を使用した投影リソグラフィ技術が開発されている
（例えば、D.Tichenor,et al, SPIE 2437(1995)292参
照）。この技術は、最近ではＥＵＶ(Extreme Ultra Vio
let:極紫外線)リソグラフィとも呼ばれているが、その
内容は同一である（以下、ＥＵＶリソグラフィと呼
ぶ）。ＥＵＶリソグラフィは、従来の光リソグラフィ
（波長１９０ｎｍ程度以上）では実現不可能な７０ｎｍ
以下の解像力を有する将来のリソグラフィ技術として期
待されている。
【０００３】この波長域では物質の屈折率が１に非常に
近いので、屈折や反射を利用した従来の光学素子は使用
できない。屈折率が１よりも僅かに小さいことによる全
反射を利用した斜入射ミラーや、界面での微弱な反射光
の位相を合わせて多数重畳させて、全体として高い反射
率を得る多層膜反射鏡（多層膜ミラー）などが使用され
る。１３．４ｎｍ付近の波長域では、モリブデン（Ｍ
ｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層を交互に積層したＭｏ／Ｓ
ｉ多層膜を用いると直入射で６７．５％の反射率を得る
ことが出来、波長１１．３ｎｍ付近の波長域では、Ｍｏ
層とベリリウム（Ｂｅ）層を交互に積層したＭｏ／Ｂｅ
多層膜を用いると直入射で７０．２％の反射率を得るこ
とができる（例えば、C.Montcalm, Proc. SPIE, Vol. 3
331(1998)P.42参照）。
近いので、屈折や反射を利用した従来の光学素子は使用
できない。屈折率が１よりも僅かに小さいことによる全
反射を利用した斜入射ミラーや、界面での微弱な反射光
の位相を合わせて多数重畳させて、全体として高い反射
率を得る多層膜反射鏡（多層膜ミラー）などが使用され
る。１３．４ｎｍ付近の波長域では、モリブデン（Ｍ
ｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層を交互に積層したＭｏ／Ｓ
ｉ多層膜を用いると直入射で６７．５％の反射率を得る
ことが出来、波長１１．３ｎｍ付近の波長域では、Ｍｏ
層とベリリウム（Ｂｅ）層を交互に積層したＭｏ／Ｂｅ
多層膜を用いると直入射で７０．２％の反射率を得るこ
とができる（例えば、C.Montcalm, Proc. SPIE, Vol. 3
331(1998)P.42参照）。
【０００４】ＥＵＶリソグラフィ装置は、主として軟Ｘ
線光源、照明光学系、マスクステージ、投影結像光学系
（投影光学系）、ウエハステージ等により構成される。
軟Ｘ線光源には、レーザープラズマ光源、放電プラズマ
光源や放射光などが使用される。照明光学系は、反射面
に斜め方向から入射した軟Ｘ線を反射させる斜入射ミラ
ー、反射面が多層膜により形成される多層膜ミラー及び
所定の波長の軟Ｘ線のみを透過させるフィルター等によ
り構成され、マスク上を所望の波長の軟Ｘ線で照明す
る。なお、軟Ｘ線の波長域では透明な物質は存在しない
ので、マスクには従来の透過型のマスクではなく反射型
のマスクが使用される。
線光源、照明光学系、マスクステージ、投影結像光学系
（投影光学系）、ウエハステージ等により構成される。
軟Ｘ線光源には、レーザープラズマ光源、放電プラズマ
光源や放射光などが使用される。照明光学系は、反射面
に斜め方向から入射した軟Ｘ線を反射させる斜入射ミラ
ー、反射面が多層膜により形成される多層膜ミラー及び
所定の波長の軟Ｘ線のみを透過させるフィルター等によ
り構成され、マスク上を所望の波長の軟Ｘ線で照明す
る。なお、軟Ｘ線の波長域では透明な物質は存在しない
ので、マスクには従来の透過型のマスクではなく反射型
のマスクが使用される。
【０００５】マスク上に形成された回路パターンは、複
数の多層膜ミラー等で構成された投影結像光学系によ
り、レジストが塗布されたウエハ（感光性基板）上に結
像して該レジストに転写される。なお、軟Ｘ線は大気に
吸収されて減衰するため、その光路は全て所定の真空度
（例えば、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下）に維持されてい
る。
数の多層膜ミラー等で構成された投影結像光学系によ
り、レジストが塗布されたウエハ（感光性基板）上に結
像して該レジストに転写される。なお、軟Ｘ線は大気に
吸収されて減衰するため、その光路は全て所定の真空度
（例えば、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下）に維持されてい
る。
【０００６】投影結像光学系は複数の多層膜ミラーによ
り構成される。多層膜ミラーの反射率は１００％ではな
いので、光量の損失を抑えるためにミラーの枚数は出来
るだけ少なくすることが好ましい。これまでに、４枚の
多層膜ミラーからなる光学系（例えば、T. Jewell and
K. Thompson, USP 5,315,629、 T, Jewell, USP 5,063,
586参照）や、６枚の多層膜ミラーからなる光学系（例
えば、D. Williamson,特開平9-211332、USP 5,815,310
参照）などが報告されている。
り構成される。多層膜ミラーの反射率は１００％ではな
いので、光量の損失を抑えるためにミラーの枚数は出来
るだけ少なくすることが好ましい。これまでに、４枚の
多層膜ミラーからなる光学系（例えば、T. Jewell and
K. Thompson, USP 5,315,629、 T, Jewell, USP 5,063,
586参照）や、６枚の多層膜ミラーからなる光学系（例
えば、D. Williamson,特開平9-211332、USP 5,815,310
参照）などが報告されている。
【０００７】光束が一方向に進行する屈折光学系とは異
なり、反射光学系では光学系の中で光束が往復すること
になるので、ミラーによる光束のけられを避けるという
制限のために、開口数（ＮＡ）を大きくすることが難し
い。４枚光学系ではＮＡを０．１５程度までにしか出来
ないが、６枚光学系では更にＮＡの大きい光学系の設計
が可能になる。マスクステージとウエハステージが投影
結像光学系の両側に配置できるように、ミラーの枚数は
通常は偶数になっている。
なり、反射光学系では光学系の中で光束が往復すること
になるので、ミラーによる光束のけられを避けるという
制限のために、開口数（ＮＡ）を大きくすることが難し
い。４枚光学系ではＮＡを０．１５程度までにしか出来
ないが、６枚光学系では更にＮＡの大きい光学系の設計
が可能になる。マスクステージとウエハステージが投影
結像光学系の両側に配置できるように、ミラーの枚数は
通常は偶数になっている。
【０００８】このような投影結像光学系は、限られた面
数で光学系の収差を補正しなければならないので、各ミ
ラーには非球面形状が適用され、また、所定の像高の近
傍でのみ収差の補正されたリングフィールド光学系にな
っている。マスク上のパターン全体をウエハ上に転写す
るためには、マスクステージとウエハステージとを、光
学系の倍率分だけ異なる速度でスキャンさせながら露光
を行う。
数で光学系の収差を補正しなければならないので、各ミ
ラーには非球面形状が適用され、また、所定の像高の近
傍でのみ収差の補正されたリングフィールド光学系にな
っている。マスク上のパターン全体をウエハ上に転写す
るためには、マスクステージとウエハステージとを、光
学系の倍率分だけ異なる速度でスキャンさせながら露光
を行う。
【０００９】前記のような露光装置の投影結像光学系
は、いわゆる回折限界の光学系であり、波面収差を充分
に小さくしておかないと設計通りの性能を得ることは出
来ない。回折限界の光学系における波面収差の許容値の
目安としては、Marechalによる二乗平均値（ＲＭＳ）で
使用波長の１／１４以内という基準がある（M. Born an
d E. Wolf, Principles of Optics, 4th edition, Perg
amon Press 1970, p.469参照）。これはStrehl強度（収
差のある光学系と無収差光学系との間の点像強度の最大
値の比）が８０％以上になるための条件である。実際の
露光装置の投影結像光学系は、これよりも更に低い収差
になるように製造されている。
は、いわゆる回折限界の光学系であり、波面収差を充分
に小さくしておかないと設計通りの性能を得ることは出
来ない。回折限界の光学系における波面収差の許容値の
目安としては、Marechalによる二乗平均値（ＲＭＳ）で
使用波長の１／１４以内という基準がある（M. Born an
d E. Wolf, Principles of Optics, 4th edition, Perg
amon Press 1970, p.469参照）。これはStrehl強度（収
差のある光学系と無収差光学系との間の点像強度の最大
値の比）が８０％以上になるための条件である。実際の
露光装置の投影結像光学系は、これよりも更に低い収差
になるように製造されている。
【００１０】現在、盛んに研究開発が行われているＥＵ
Ｖリソグラフィ技術においては、露光波長は主として１
３ｎｍあるいは１１ｎｍ付近の波長が使われている。光
学系の波面収差（ＷＦＥ）に対して、個々のミラーに許
容される形状誤差（ＦＥ）は次式で与えられる。 （数式１） ＦＥ＝ＷＦＥ／２／ｍ1/2（ＲＭＳ）
Ｖリソグラフィ技術においては、露光波長は主として１
３ｎｍあるいは１１ｎｍ付近の波長が使われている。光
学系の波面収差（ＷＦＥ）に対して、個々のミラーに許
容される形状誤差（ＦＥ）は次式で与えられる。 （数式１） ＦＥ＝ＷＦＥ／２／ｍ1/2（ＲＭＳ）
【００１１】ｍは光学系を構成するミラーの数であり、
更に２で割るのは、反射光学系では入射光と反射光の両
方がそれぞれ形状誤差の影響を受けるので、波面収差に
は形状誤差の２倍の誤差が乗るからである。結局、回折
限界の光学系において、個々のミラーに許容される形状
誤差（ＦＥ）は、波長λとミラーの枚数ｍに対して次式
で与えられる。 （数式２） ＦＥ＝λ／２８／ｍ1/2（ＲＭＳ）
更に２で割るのは、反射光学系では入射光と反射光の両
方がそれぞれ形状誤差の影響を受けるので、波面収差に
は形状誤差の２倍の誤差が乗るからである。結局、回折
限界の光学系において、個々のミラーに許容される形状
誤差（ＦＥ）は、波長λとミラーの枚数ｍに対して次式
で与えられる。 （数式２） ＦＥ＝λ／２８／ｍ1/2（ＲＭＳ）
【００１２】この値は、波長１３ｎｍでは４枚のミラー
で構成された光学系の場合０．２３ｎｍＲＭＳとなり、
６枚のミラーで構成された光学系の場合０．１９ｎｍＲ
ＭＳとなる。
で構成された光学系の場合０．２３ｎｍＲＭＳとなり、
６枚のミラーで構成された光学系の場合０．１９ｎｍＲ
ＭＳとなる。
【００１３】しかしながら、このような高精度の非球面
形状ミラーを製造することは非常に困難であり、ＥＵＶ
リソグラフィがなかなか実用化できない第一の原因とな
っている。現在までに達成されている非球面の加工精度
は０．４〜０．５ｎｍＲＭＳの程度であり（C. Gwyn, E
xtreme Ultraviolet Lithography White Paper, EUVLL
C, 1998, p17参照）、ＥＵＶリソグラフィを実現するた
めには非球面の加工技術および計測技術の大幅な向上が
必要とされている。
形状ミラーを製造することは非常に困難であり、ＥＵＶ
リソグラフィがなかなか実用化できない第一の原因とな
っている。現在までに達成されている非球面の加工精度
は０．４〜０．５ｎｍＲＭＳの程度であり（C. Gwyn, E
xtreme Ultraviolet Lithography White Paper, EUVLL
C, 1998, p17参照）、ＥＵＶリソグラフィを実現するた
めには非球面の加工技術および計測技術の大幅な向上が
必要とされている。
【００１４】最近、山本によって多層膜ミラーの表面を
一層ずつ削り取ることによって、実質的にサブｎｍの形
状誤差を補正することのできる画期的な技術が報告され
た（M. Yamamoto, 7th International Conference on S
ynchrotron Radiation Instrumentation, Berlin Germa
ny, August 21-25, 2000, POS2-189）。図５をもって、
その原理を説明する。
一層ずつ削り取ることによって、実質的にサブｎｍの形
状誤差を補正することのできる画期的な技術が報告され
た（M. Yamamoto, 7th International Conference on S
ynchrotron Radiation Instrumentation, Berlin Germa
ny, August 21-25, 2000, POS2-189）。図５をもって、
その原理を説明する。
【００１５】図５（ａ）に示すように、基板１上にＡ，
Ｂ二種類の物質を一定の周期長ｄで交互に積層した多層
膜の表面から、図５（ｂ）に示すように一層対を除去す
る場合を考える。図５（ａ）で、多層膜表面に対して垂
直方向に進行する光線に対する、厚さｄの多層膜一層対
の光路長は、ＯＰ＝ｎAｄA＋ｎBｄBで与えられる。ここ
でｄA，ｄBは各層の厚さを表し、ｄA＋ｄB＝ｄである。
ｎA，ｎBは物質Ａ，Ｂそれぞれの屈折率である。
Ｂ二種類の物質を一定の周期長ｄで交互に積層した多層
膜の表面から、図５（ｂ）に示すように一層対を除去す
る場合を考える。図５（ａ）で、多層膜表面に対して垂
直方向に進行する光線に対する、厚さｄの多層膜一層対
の光路長は、ＯＰ＝ｎAｄA＋ｎBｄBで与えられる。ここ
でｄA，ｄBは各層の厚さを表し、ｄA＋ｄB＝ｄである。
ｎA，ｎBは物質Ａ，Ｂそれぞれの屈折率である。
【００１６】図５（ｂ）で、最表面の多層膜一層対を除
去した厚さｄの部分の光路長は、ＯＰ’＝ｎｄで与えら
れる。ｎは真空の屈折率を表し、ｎ＝１である。多層膜
の最上層を除去することによって、そこを通過する光線
が進む光学的距離が変化することになる。これは、実質
的にその変化分だけ面形状を修正したことと光学的に等
価である。
去した厚さｄの部分の光路長は、ＯＰ’＝ｎｄで与えら
れる。ｎは真空の屈折率を表し、ｎ＝１である。多層膜
の最上層を除去することによって、そこを通過する光線
が進む光学的距離が変化することになる。これは、実質
的にその変化分だけ面形状を修正したことと光学的に等
価である。
【００１７】光路長の変化（即ち、面形状の変化）は、
Δ＝ＯＰ’−ＯＰで与えられる。軟Ｘ線の波長域では、
物質の屈折率が１に近いので、Δは小さな量となり、本
方法により精密な面形状の補正が可能になる。具体例と
して、波長１３．４ｎｍでＭｏ／Ｓｉ多層膜を用いた場
合を示す。直入射で使用するために、ｄ＝６．８ｎｍ、
ｄMo＝２．３ｎｍ、ｄSi＝４．５ｎｍとする。この波長
での屈折率は、ｎMo＝０．９２、ｎSi＝０．９９８であ
る。これらの数値を用いて光路長の変化を計算すると、
ＯＰ＝６．６ｎｍ、ＯＰ’＝６．８ｎｍ、Δ＝０．２ｎ
ｍとなる。厚さ６．８ｎｍの層を除去する加工によっ
て、０．２ｎｍ相当の面形状の補正を行うことが出来
る。
Δ＝ＯＰ’−ＯＰで与えられる。軟Ｘ線の波長域では、
物質の屈折率が１に近いので、Δは小さな量となり、本
方法により精密な面形状の補正が可能になる。具体例と
して、波長１３．４ｎｍでＭｏ／Ｓｉ多層膜を用いた場
合を示す。直入射で使用するために、ｄ＝６．８ｎｍ、
ｄMo＝２．３ｎｍ、ｄSi＝４．５ｎｍとする。この波長
での屈折率は、ｎMo＝０．９２、ｎSi＝０．９９８であ
る。これらの数値を用いて光路長の変化を計算すると、
ＯＰ＝６．６ｎｍ、ＯＰ’＝６．８ｎｍ、Δ＝０．２ｎ
ｍとなる。厚さ６．８ｎｍの層を除去する加工によっ
て、０．２ｎｍ相当の面形状の補正を行うことが出来
る。
【００１８】なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の場合、Ｓｉ層の
屈折率は１に近いので、光路長の変化は主としてＭｏ層
の有無によるものであり、Ｓｉ層の有無には殆ど依存し
ない。従って、多層膜の層を除去する際に、Ｓｉ層の厚
さを正確に制御する必要は無い。この例ではＳｉ層の厚
さは４．５ｎｍであり、この層の途中で加工が停止すれ
ば良い。即ち、数ｎｍの精度の加工を施すことによって
０．２ｎｍ単位の面形状補正を行うことができる。
屈折率は１に近いので、光路長の変化は主としてＭｏ層
の有無によるものであり、Ｓｉ層の有無には殆ど依存し
ない。従って、多層膜の層を除去する際に、Ｓｉ層の厚
さを正確に制御する必要は無い。この例ではＳｉ層の厚
さは４．５ｎｍであり、この層の途中で加工が停止すれ
ば良い。即ち、数ｎｍの精度の加工を施すことによって
０．２ｎｍ単位の面形状補正を行うことができる。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】前述した山本の提案し
た反射波面の制御法は非常に有効であるが、面形状の補
正はＩＶＭやＣＶＭで多層膜を剥がすため、加工を行っ
た部分の多層膜には多少のダメージが入ってしまう。多
層膜のダメージは反射率の低下に繋がるため、ダメージ
を与えずに多層膜の層数を制御する方法が望まれてい
る。
た反射波面の制御法は非常に有効であるが、面形状の補
正はＩＶＭやＣＶＭで多層膜を剥がすため、加工を行っ
た部分の多層膜には多少のダメージが入ってしまう。多
層膜のダメージは反射率の低下に繋がるため、ダメージ
を与えずに多層膜の層数を制御する方法が望まれてい
る。
【００２０】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、多層膜にダメージを与え
ることなく多層膜の層数を制御して多層膜の面形状を補
正した多層膜反射鏡及びその製造方法、多層膜反射鏡を
備えた軟Ｘ線露光装置及び軟Ｘ線光学系を提供すること
にある。
れたものであり、その目的は、多層膜にダメージを与え
ることなく多層膜の層数を制御して多層膜の面形状を補
正した多層膜反射鏡及びその製造方法、多層膜反射鏡を
備えた軟Ｘ線露光装置及び軟Ｘ線光学系を提供すること
にある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明に係る多層膜反射鏡の製造方法は、屈折率の
異なる少なくとも二種類以上の物質を交互に所定の周期
長で積層してなる第１多層膜を基板上に成膜した多層膜
反射鏡に対し、前記第１多層膜上の所望の範囲内に、周
期長が第１多層膜とほぼ等しい第２多層膜を積層するこ
とによって、多層膜反射鏡の反射波面の位相を補正する
ことを特徴とする。
め、本発明に係る多層膜反射鏡の製造方法は、屈折率の
異なる少なくとも二種類以上の物質を交互に所定の周期
長で積層してなる第１多層膜を基板上に成膜した多層膜
反射鏡に対し、前記第１多層膜上の所望の範囲内に、周
期長が第１多層膜とほぼ等しい第２多層膜を積層するこ
とによって、多層膜反射鏡の反射波面の位相を補正する
ことを特徴とする。
【００２２】上記多層膜反射鏡の製造方法によれば、第
１多層膜上の所望の範囲内に、周期長が第１多層膜とほ
ぼ等しい第２多層膜を付加している。このように第２多
層膜を付加することによって多層膜の面形状を補正すれ
ば、従来技術のように補正後の多層膜にダメージが残る
ことを防止できる。従って、多層膜のダメージによる反
射率の低下を抑制でき、多層膜にダメージを与えずに多
層膜の層数を制御して多層膜の面形状を補正することが
可能となる。
１多層膜上の所望の範囲内に、周期長が第１多層膜とほ
ぼ等しい第２多層膜を付加している。このように第２多
層膜を付加することによって多層膜の面形状を補正すれ
ば、従来技術のように補正後の多層膜にダメージが残る
ことを防止できる。従って、多層膜のダメージによる反
射率の低下を抑制でき、多層膜にダメージを与えずに多
層膜の層数を制御して多層膜の面形状を補正することが
可能となる。
【００２３】また、本発明に係る多層膜反射鏡の製造方
法においては、前記第２多層膜を積層する際、第１多層
膜表面と多層膜材料源との間に、前記所望の範囲が開口
されたマスクを配置し、このマスクをマスクとして第２
多層膜を積層することも可能である。
法においては、前記第２多層膜を積層する際、第１多層
膜表面と多層膜材料源との間に、前記所望の範囲が開口
されたマスクを配置し、このマスクをマスクとして第２
多層膜を積層することも可能である。
【００２４】また、本発明に係る多層膜反射鏡の製造方
法においては、前記第２多層膜を積層する際、第１多層
膜表面と多層膜材料源との間にマスクを配置し、このマ
スク又は前記基板を回転又は移動させながら、該マスク
をマスクとして第２多層膜を積層することも可能であ
る。
法においては、前記第２多層膜を積層する際、第１多層
膜表面と多層膜材料源との間にマスクを配置し、このマ
スク又は前記基板を回転又は移動させながら、該マスク
をマスクとして第２多層膜を積層することも可能であ
る。
【００２５】また、本発明に係る多層膜反射鏡の製造方
法においては、前記第２多層膜を積層する方法として光
ＣＶＤ法を用いることにより、前記所望の範囲内に第２
多層膜を積層することも可能である。
法においては、前記第２多層膜を積層する方法として光
ＣＶＤ法を用いることにより、前記所望の範囲内に第２
多層膜を積層することも可能である。
【００２６】また、本発明に係る多層膜反射鏡の製造方
法においては、前記第２多層膜を積層する際、第１多層
膜の表面上に前記所望の範囲が開口されたレジストパタ
ンを形成し、このレジストパタンをマスクとして第２多
層膜を積層することも可能である。
法においては、前記第２多層膜を積層する際、第１多層
膜の表面上に前記所望の範囲が開口されたレジストパタ
ンを形成し、このレジストパタンをマスクとして第２多
層膜を積層することも可能である。
【００２７】また、本発明に係る多層膜反射鏡の製造方
法においては、前記第２多層膜を積層する際に、その積
層量をin-situで検出することによって所望の積層量と
なった時に第２多層膜の積層を停止することをも可能で
ある。
法においては、前記第２多層膜を積層する際に、その積
層量をin-situで検出することによって所望の積層量と
なった時に第２多層膜の積層を停止することをも可能で
ある。
【００２８】また、本発明に係る多層膜反射鏡の製造方
法においては、屈折率の異なる少なくとも二種類以上の
物質を交互に所定の周期長で積層してなる第１多層膜を
基板上に成膜した多層膜反射鏡に対し、第１多層膜を表
面から所望の範囲を所望量除去し、第１多層膜上の所望
の範囲内に、周期長が第１多層膜とほぼ等しい第２多層
膜を積層することによって、多層膜反射鏡の反射波面の
位相を補正することも可能である。
法においては、屈折率の異なる少なくとも二種類以上の
物質を交互に所定の周期長で積層してなる第１多層膜を
基板上に成膜した多層膜反射鏡に対し、第１多層膜を表
面から所望の範囲を所望量除去し、第１多層膜上の所望
の範囲内に、周期長が第１多層膜とほぼ等しい第２多層
膜を積層することによって、多層膜反射鏡の反射波面の
位相を補正することも可能である。
【００２９】また、本発明に係る多層膜反射鏡の製造方
法においては、前記第２多層膜を積層する際に、その積
層量をin-situで検出することによって所望の積層量と
なった時に第２多層膜の積層を停止することも可能であ
る。
法においては、前記第２多層膜を積層する際に、その積
層量をin-situで検出することによって所望の積層量と
なった時に第２多層膜の積層を停止することも可能であ
る。
【００３０】また、本発明に係る多層膜反射鏡の製造方
法においては、前記第１多層膜を表面から所望の範囲を
所望量除去する際に、その除去量をin-situで検出する
ことによって所望の除去量となった時に第１多層膜の除
去を停止することも可能である。
法においては、前記第１多層膜を表面から所望の範囲を
所望量除去する際に、その除去量をin-situで検出する
ことによって所望の除去量となった時に第１多層膜の除
去を停止することも可能である。
【００３１】本発明に係る多層膜反射鏡は、基板と、こ
の基板上に形成され、屈折率の異なる少なくとも二種類
以上の物質を交互に所定の周期長で積層してなる第１多
層膜と、前記第１多層膜の反射波面の位相を補正するた
めに、前記第１多層膜上の所望の範囲内に積層された、
周期長が第１多層膜とほぼ等しい第２多層膜と、を具備
することを特徴とする。
の基板上に形成され、屈折率の異なる少なくとも二種類
以上の物質を交互に所定の周期長で積層してなる第１多
層膜と、前記第１多層膜の反射波面の位相を補正するた
めに、前記第１多層膜上の所望の範囲内に積層された、
周期長が第１多層膜とほぼ等しい第２多層膜と、を具備
することを特徴とする。
【００３２】本発明に係る多層膜反射鏡は、基板と、こ
の基板上に形成され、屈折率の異なる少なくとも二種類
以上の物質を交互に所定の周期長で積層してなる第１多
層膜と、前記第１多層膜の反射波面の位相を補正するた
めに、前記第１多層膜の一部が除去された除去部と、前
記第１多層膜の反射波面の位相を補正するために、前記
第１多層膜上の所望の範囲内に積層された、周期長が第
１多層膜とほぼ等しい第２多層膜と、を具備することを
特徴とする。
の基板上に形成され、屈折率の異なる少なくとも二種類
以上の物質を交互に所定の周期長で積層してなる第１多
層膜と、前記第１多層膜の反射波面の位相を補正するた
めに、前記第１多層膜の一部が除去された除去部と、前
記第１多層膜の反射波面の位相を補正するために、前記
第１多層膜上の所望の範囲内に積層された、周期長が第
１多層膜とほぼ等しい第２多層膜と、を具備することを
特徴とする。
【００３３】本発明に係る軟Ｘ線光学系は、前記多層膜
反射鏡を用いて構成されたことを特徴とする。
反射鏡を用いて構成されたことを特徴とする。
【００３４】本発明に係る軟Ｘ線露光装置は、軟Ｘ線を
発生させる軟Ｘ線光源と、この軟Ｘ線光源からの軟Ｘ線
をマスクに導く照明光学系と、前記マスクからの軟Ｘ線
を感光性基板に導く投影光学系とを有し、前記マスクの
パターンを感光性基板へ転写する軟Ｘ線露光装置におい
て、前記照明光学系、前記マスク及び前記投影光学系の
うちの少なくとも一つに請求項１０又は１１に記載の多
層膜反射鏡を有することを特徴とする。
発生させる軟Ｘ線光源と、この軟Ｘ線光源からの軟Ｘ線
をマスクに導く照明光学系と、前記マスクからの軟Ｘ線
を感光性基板に導く投影光学系とを有し、前記マスクの
パターンを感光性基板へ転写する軟Ｘ線露光装置におい
て、前記照明光学系、前記マスク及び前記投影光学系の
うちの少なくとも一つに請求項１０又は１１に記載の多
層膜反射鏡を有することを特徴とする。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１（ａ），（ｂ）は、本
発明に係る実施の形態による多層膜反射鏡の製造方法を
示す断面図である。
施の形態について説明する。図１（ａ），（ｂ）は、本
発明に係る実施の形態による多層膜反射鏡の製造方法を
示す断面図である。
【００３６】多層膜を除去した場合の光路長の変化は、
前述した通りΔ＝ＯＰ’−ＯＰ＝ｎｄ−（ｎAｄA＋ｎB
ｄB）であるが、多層膜を付加した場合の光路長の変化
もこれと同様に考えられる。
前述した通りΔ＝ＯＰ’−ＯＰ＝ｎｄ−（ｎAｄA＋ｎB
ｄB）であるが、多層膜を付加した場合の光路長の変化
もこれと同様に考えられる。
【００３７】図１（ａ）に示すように、基板１上にＡ，
Ｂ二種類の物質を一定の周期長ｄで交互に積層した多層
膜２を準備する。次いで、図１（ｂ）に示すように、多
層膜２の表面の所定領域に一層対３を付加する。
Ｂ二種類の物質を一定の周期長ｄで交互に積層した多層
膜２を準備する。次いで、図１（ｂ）に示すように、多
層膜２の表面の所定領域に一層対３を付加する。
【００３８】図１（ａ）において多層膜表面に対して垂
直方向に進行する光線に対する、厚さｄの多層膜一層対
に対応する空間の光路長は、ＯＰ’＝ｎｄで与えられ
る。ｎは真空の屈折率を表し、ｎ＝１である。図１
（ｂ）において最表面の所定領域に多層膜一層対３を付
加した厚さｄの部分の光路長は、ＯＰ＝ｎAｄA＋ｎBｄB
で与えられる。ここで、ｄA，ｄBは各層の厚さを表し、
ｄA＋ｄB＝ｄである。ｎA，ｎBは物質Ａ，Ｂそれぞれの
屈折率である。多層膜の上にもう１層対３を加えること
によって、そこを通過する光線が進む光学的距離が変化
することになる。光路長の変化（即ち、面形状の変化）
は、Δ’＝ＯＰ−ＯＰ’＝（ｎAｄA＋ｎBｄB）−ｎｄ＝
−Δで与えられ、膜の除去と同じピッチで光路長を変化
させることが出来る。
直方向に進行する光線に対する、厚さｄの多層膜一層対
に対応する空間の光路長は、ＯＰ’＝ｎｄで与えられ
る。ｎは真空の屈折率を表し、ｎ＝１である。図１
（ｂ）において最表面の所定領域に多層膜一層対３を付
加した厚さｄの部分の光路長は、ＯＰ＝ｎAｄA＋ｎBｄB
で与えられる。ここで、ｄA，ｄBは各層の厚さを表し、
ｄA＋ｄB＝ｄである。ｎA，ｎBは物質Ａ，Ｂそれぞれの
屈折率である。多層膜の上にもう１層対３を加えること
によって、そこを通過する光線が進む光学的距離が変化
することになる。光路長の変化（即ち、面形状の変化）
は、Δ’＝ＯＰ−ＯＰ’＝（ｎAｄA＋ｎBｄB）−ｎｄ＝
−Δで与えられ、膜の除去と同じピッチで光路長を変化
させることが出来る。
【００３９】具体例としては、波長１３．４ｎｍでＭｏ
／Ｓｉ多層膜を用いた場合を以下に説明する。直入射で
使用するために、ｄ＝６．８ｎｍ、ｄMo＝２．３ｎｍ、
ｄSi＝４．５ｎｍとする。この波長での屈折率は、ｎMo
＝０．９２、ｎSi＝０．９９８である。これらの数値を
用いて光路長の変化を計算すると、ＯＰ＝６．６ｎｍ、
ＯＰ’＝６．８ｎｍ、Δ＝０．２ｎｍとなる。厚さ６．
８ｎｍの層を付加することによって、０．２ｎｍ相当の
面形状の補正を行うことが出来る。
／Ｓｉ多層膜を用いた場合を以下に説明する。直入射で
使用するために、ｄ＝６．８ｎｍ、ｄMo＝２．３ｎｍ、
ｄSi＝４．５ｎｍとする。この波長での屈折率は、ｎMo
＝０．９２、ｎSi＝０．９９８である。これらの数値を
用いて光路長の変化を計算すると、ＯＰ＝６．６ｎｍ、
ＯＰ’＝６．８ｎｍ、Δ＝０．２ｎｍとなる。厚さ６．
８ｎｍの層を付加することによって、０．２ｎｍ相当の
面形状の補正を行うことが出来る。
【００４０】次に、波面補正のために第２の多層膜の付
加を必要とする所望の範囲内に、第２の多層膜を付加す
る方法について説明する。多層膜を積層する時に多層膜
の反射面近傍に所望の範囲のみ開口したマスクを多層膜
の上方に装着する。マスクには、薄い金属板に開口部を
エッチング加工したものなどを用いることが好ましい。
マスクは、第２の多層膜を必要としない部分に多層膜材
料源からの材料粒子が付着出来ないようにするものであ
れば良い。マスクは、真空中で安定な材質により構成さ
れていれば種々の材質を用いることが可能であり、マス
クの材質には限定されない。
加を必要とする所望の範囲内に、第２の多層膜を付加す
る方法について説明する。多層膜を積層する時に多層膜
の反射面近傍に所望の範囲のみ開口したマスクを多層膜
の上方に装着する。マスクには、薄い金属板に開口部を
エッチング加工したものなどを用いることが好ましい。
マスクは、第２の多層膜を必要としない部分に多層膜材
料源からの材料粒子が付着出来ないようにするものであ
れば良い。マスクは、真空中で安定な材質により構成さ
れていれば種々の材質を用いることが可能であり、マス
クの材質には限定されない。
【００４１】反射面内で第２の多層膜の付加層数が分布
を持つとき、すなわち、反射面内の部分により付加層数
が異なるときには、その分布の形状に応じて開口形状の
異なるマスクを用いることが好ましい。
を持つとき、すなわち、反射面内の部分により付加層数
が異なるときには、その分布の形状に応じて開口形状の
異なるマスクを用いることが好ましい。
【００４２】図２（ａ）〜（ｃ）は、異なる開口のマス
クを用いて付加層数に分布をつける方法を示す模式図で
あり、図２（ａ）は加工前の状態を示すものであり、図
２（ｂ），（ｃ）は、マスクを用いて多層膜を付加した
後の状態を示すものである。（ａ）〜（ｃ）の各図の上
段は多層膜を成膜する際に用いたマスクを示しており、
各図の中段は反射面の層数分布を示しており、各図の下
段は多層膜反射鏡の断面図を示している。
クを用いて付加層数に分布をつける方法を示す模式図で
あり、図２（ａ）は加工前の状態を示すものであり、図
２（ｂ），（ｃ）は、マスクを用いて多層膜を付加した
後の状態を示すものである。（ａ）〜（ｃ）の各図の上
段は多層膜を成膜する際に用いたマスクを示しており、
各図の中段は反射面の層数分布を示しており、各図の下
段は多層膜反射鏡の断面図を示している。
【００４３】まず、図２（ａ）に示す多層膜反射鏡を準
備する。この多層膜反射鏡は、基板１と、この基板１上
に屈折率の異なるＡ，Ｂ二種類の物質を一定の周期長ｄ
で交互に積層した多層膜２と、から構成されている。
備する。この多層膜反射鏡は、基板１と、この基板１上
に屈折率の異なるＡ，Ｂ二種類の物質を一定の周期長ｄ
で交互に積層した多層膜２と、から構成されている。
【００４４】多層膜反射鏡は、Ｘ線露光装置のＸ線光学
系を構成する多層膜反射鏡のうちの１枚であり、多層膜
成膜後に一度投影光学系として組み立てて調整がなさ
れ、露光波長である波長１３ｎｍを用いた干渉計におい
て光学系全体として波面収差が測定される。この波面収
差を改善するために、この多層膜反射鏡における反射波
面をどのように修正すればよいかが計算され、その修正
波面を得るために多層膜を鏡上のどの位置でどれだけ付
加すればよいかの計算がなされる。
系を構成する多層膜反射鏡のうちの１枚であり、多層膜
成膜後に一度投影光学系として組み立てて調整がなさ
れ、露光波長である波長１３ｎｍを用いた干渉計におい
て光学系全体として波面収差が測定される。この波面収
差を改善するために、この多層膜反射鏡における反射波
面をどのように修正すればよいかが計算され、その修正
波面を得るために多層膜を鏡上のどの位置でどれだけ付
加すればよいかの計算がなされる。
【００４５】次に、この計算から、この多層膜反射鏡の
中央部をわずかに変形させるよう、多層膜の一部を付加
する補正加工を行う。すなわち、多層膜を成膜する成膜
チャンバ（図示せず）を準備し、この成膜チャンバ内に
図２（ａ）の多層膜反射鏡を挿入し、成膜チャンバ内に
おいて多層膜反射鏡の多層膜２の上に図２（ｂ）に示す
マスク５を設置する。このマスク５と多層膜２とは非接
触で配置する。次いで、このマスク５をマスクとして多
層膜２の表面に多層膜一層対３ａを成膜する。このよう
にして多層膜一層対３ａは多層膜２の表面の所定領域に
形成される。
中央部をわずかに変形させるよう、多層膜の一部を付加
する補正加工を行う。すなわち、多層膜を成膜する成膜
チャンバ（図示せず）を準備し、この成膜チャンバ内に
図２（ａ）の多層膜反射鏡を挿入し、成膜チャンバ内に
おいて多層膜反射鏡の多層膜２の上に図２（ｂ）に示す
マスク５を設置する。このマスク５と多層膜２とは非接
触で配置する。次いで、このマスク５をマスクとして多
層膜２の表面に多層膜一層対３ａを成膜する。このよう
にして多層膜一層対３ａは多層膜２の表面の所定領域に
形成される。
【００４６】次いで、成膜チャンバから基板１及びマス
ク５を取り出した後、成膜チャンバ内に図２（ｃ）に示
すマスク６を設置し、基板１を挿入する。このマスク６
と多層膜２は非接触で配置される。次いで、このマスク
６をマスクとして一層対３ａの上に多層膜一層対３ｂを
成膜する。これにより、多層膜一層対３ｂは一層対３ａ
の表面の所定領域に形成される。このようにして一層対
３ａ，３ｂからなる多層膜付加部４を形成している。
ク５を取り出した後、成膜チャンバ内に図２（ｃ）に示
すマスク６を設置し、基板１を挿入する。このマスク６
と多層膜２は非接触で配置される。次いで、このマスク
６をマスクとして一層対３ａの上に多層膜一層対３ｂを
成膜する。これにより、多層膜一層対３ｂは一層対３ａ
の表面の所定領域に形成される。このようにして一層対
３ａ，３ｂからなる多層膜付加部４を形成している。
【００４７】前記実施の形態によれば、非接触のマスク
５，６を用いて多層膜２の表面の所定領域上に多層膜を
付加している。このように多層膜を付加することによっ
て多層膜の面形状を補正すれば、従来技術のように補正
後の多層膜にダメージが残ることを防止できる。従っ
て、多層膜のダメージによる反射率の低下を抑制でき、
多層膜にダメージを与えずに多層膜の層数を制御して多
層膜の面形状を補正することが可能となる。
５，６を用いて多層膜２の表面の所定領域上に多層膜を
付加している。このように多層膜を付加することによっ
て多層膜の面形状を補正すれば、従来技術のように補正
後の多層膜にダメージが残ることを防止できる。従っ
て、多層膜のダメージによる反射率の低下を抑制でき、
多層膜にダメージを与えずに多層膜の層数を制御して多
層膜の面形状を補正することが可能となる。
【００４８】尚、前記実施の形態では、成膜チャンバか
らマスク５を取り出した後、成膜チャンバにマスク６を
挿入して設置しているが、成膜チャンバ内に複数のマス
クを保持し、成膜範囲が変わる毎にマスクを自動的に交
換する機構を設けることも可能である。この場合は、成
膜チャンバから基板を取り出さなくても部分的に付加層
数が異なる第２の多層膜を形成することが出来る。具体
的には、例えば開口形状の異なるマスクを一列又は円周
上に配置し、成膜層数に応じてスライド又は回転させる
方式などを用いることが好ましい。
らマスク５を取り出した後、成膜チャンバにマスク６を
挿入して設置しているが、成膜チャンバ内に複数のマス
クを保持し、成膜範囲が変わる毎にマスクを自動的に交
換する機構を設けることも可能である。この場合は、成
膜チャンバから基板を取り出さなくても部分的に付加層
数が異なる第２の多層膜を形成することが出来る。具体
的には、例えば開口形状の異なるマスクを一列又は円周
上に配置し、成膜層数に応じてスライド又は回転させる
方式などを用いることが好ましい。
【００４９】また、前記実施の形態では、非接触のマス
ク５，６を用いて多層膜２の表面の所定領域上に多層膜
を付加しているが、これに限定されるものではなく、他
の方法により多層膜を付加することも可能である。例え
ば、開口部分の形状が複雑な場合にはレジストパターン
をマスクにすることも可能である。例えばＥＢ描画法を
用いれば、個々の基板に必要とされる補正部分が複雑な
場合でも、目標の部分のみに制御性良く第２の多層膜を
付加することが出来る。
ク５，６を用いて多層膜２の表面の所定領域上に多層膜
を付加しているが、これに限定されるものではなく、他
の方法により多層膜を付加することも可能である。例え
ば、開口部分の形状が複雑な場合にはレジストパターン
をマスクにすることも可能である。例えばＥＢ描画法を
用いれば、個々の基板に必要とされる補正部分が複雑な
場合でも、目標の部分のみに制御性良く第２の多層膜を
付加することが出来る。
【００５０】また、第２の多層膜を付加する他の方法と
して、光ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法を用い
ることも可能である。光ＣＶＤ法を用いれば、反応を促
進する光を収束させてビーム状にすることにより、微小
領域に成膜することができる。このため、マスクや膜厚
分布補正治工具を用いなくても、多層膜反射面上の任意
の部分へ多層膜を形成することが出来る。従って、部分
的に付加層数が異なる第２の多層膜を形成することが可
能となる。
して、光ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法を用い
ることも可能である。光ＣＶＤ法を用いれば、反応を促
進する光を収束させてビーム状にすることにより、微小
領域に成膜することができる。このため、マスクや膜厚
分布補正治工具を用いなくても、多層膜反射面上の任意
の部分へ多層膜を形成することが出来る。従って、部分
的に付加層数が異なる第２の多層膜を形成することが可
能となる。
【００５１】また、第２の多層膜を付加する他の方法と
して、所望の膜厚分布を形成できる成膜装置を利用して
も良い。この成膜装置は、中心対称以外の膜厚分布を得
るため、多層膜反射面と多層膜材料源との間に任意の形
状の膜厚補正部材を設け、この膜厚補正部材又は基板を
任意の速度で回転又は移動させることによって、所望の
膜厚分布が得られるものである。これは、特開平１０−
２６６９８、特開平１０−３０１７０の明細書に記載さ
れている。この成膜装置を用いれば、多層膜反射面上の
任意の部分に多層膜を形成できるので、部分的に付加層
数が異なる第２の多層膜を形成することが出来る。
して、所望の膜厚分布を形成できる成膜装置を利用して
も良い。この成膜装置は、中心対称以外の膜厚分布を得
るため、多層膜反射面と多層膜材料源との間に任意の形
状の膜厚補正部材を設け、この膜厚補正部材又は基板を
任意の速度で回転又は移動させることによって、所望の
膜厚分布が得られるものである。これは、特開平１０−
２６６９８、特開平１０−３０１７０の明細書に記載さ
れている。この成膜装置を用いれば、多層膜反射面上の
任意の部分に多層膜を形成できるので、部分的に付加層
数が異なる第２の多層膜を形成することが出来る。
【００５２】また、前記実施の形態による非接触のマス
ク５，６を用いて多層膜２の表面の所定領域上に多層膜
を付加する方法に加えて、多層膜付加の加工量をin-sit
uで検出する機構を用いることも可能である。この機構
を用いれば、第２の多層膜を積層しながら、その積層量
をモニターできるので、最適な補正量となった時点です
みやかに積層を終了させることができる。
ク５，６を用いて多層膜２の表面の所定領域上に多層膜
を付加する方法に加えて、多層膜付加の加工量をin-sit
uで検出する機構を用いることも可能である。この機構
を用いれば、第２の多層膜を積層しながら、その積層量
をモニターできるので、最適な補正量となった時点です
みやかに積層を終了させることができる。
【００５３】図３（ａ）は、前記実施の形態による第２
の多層膜を付加する方法を用いて製造した多層膜反射鏡
を示す断面図である。すなわち、基板１上に屈折率の異
なる二種類の物質を一定の周期長ｄで交互に積層した多
層膜２を形成する。次いで、この多層膜２の表面の所定
領域上に多層膜一層対ｘを形成し、この多層膜一層対ｘ
の表面の所定領域上に多層膜二層対ｙを形成する。この
ようにして一層対ｘ及び二層対ｙからなる多層膜付加部
７を形成している。
の多層膜を付加する方法を用いて製造した多層膜反射鏡
を示す断面図である。すなわち、基板１上に屈折率の異
なる二種類の物質を一定の周期長ｄで交互に積層した多
層膜２を形成する。次いで、この多層膜２の表面の所定
領域上に多層膜一層対ｘを形成し、この多層膜一層対ｘ
の表面の所定領域上に多層膜二層対ｙを形成する。この
ようにして一層対ｘ及び二層対ｙからなる多層膜付加部
７を形成している。
【００５４】これに対して、図３（ｂ）は、第２の多層
膜を付加する他の方法を用いて製造した多層膜反射鏡を
示す断面図である。なお、図３（ｂ）に示す製造された
多層膜反射鏡は、図３（ａ）に示す多層膜反射鏡と同一
形状を有している。
膜を付加する他の方法を用いて製造した多層膜反射鏡を
示す断面図である。なお、図３（ｂ）に示す製造された
多層膜反射鏡は、図３（ａ）に示す多層膜反射鏡と同一
形状を有している。
【００５５】この多層膜反射鏡の製造方法は、多層膜を
表面から一層対ずつ除去する方法も併用して、目標の波
面となるよう一部分には多層膜を積層し、別の一部分は
多層膜を除去したものである。それぞれの工程で加工量
が少なくなる場合に、この方法を用いることが好まし
い。
表面から一層対ずつ除去する方法も併用して、目標の波
面となるよう一部分には多層膜を積層し、別の一部分は
多層膜を除去したものである。それぞれの工程で加工量
が少なくなる場合に、この方法を用いることが好まし
い。
【００５６】すなわち、図３（ｂ）に示すように、基板
１と、この基板１上に屈折率の異なるＡ，Ｂ二種類の物
質を一定の周期長ｄで交互に積層した多層膜２と、から
構成された多層膜反射鏡を準備する。次いで、この多層
膜反射鏡を投影光学系として組み立てて調整がなされ、
露光波長である波長１３ｎｍを用いた干渉計において光
学系全体として波面収差が測定される。この波面収差を
改善するために、この多層膜反射鏡における反射波面を
どのように修正すればよいかが計算され、その修正波面
を得るために多層膜を鏡上のどの位置でどれだけ除去及
び付加すればよいかの計算がなされる。
１と、この基板１上に屈折率の異なるＡ，Ｂ二種類の物
質を一定の周期長ｄで交互に積層した多層膜２と、から
構成された多層膜反射鏡を準備する。次いで、この多層
膜反射鏡を投影光学系として組み立てて調整がなされ、
露光波長である波長１３ｎｍを用いた干渉計において光
学系全体として波面収差が測定される。この波面収差を
改善するために、この多層膜反射鏡における反射波面を
どのように修正すればよいかが計算され、その修正波面
を得るために多層膜を鏡上のどの位置でどれだけ除去及
び付加すればよいかの計算がなされる。
【００５７】次いで、この計算から、この多層膜反射鏡
の多層膜の一部を除去及び付加する補正加工を行う。つ
まり、まず、多層膜２の最上層に例えばイオンビームを
照射することにより、該最上層の一層対ｘの所定部分を
除去して除去部を形成した後、この一層対ｘの表面の所
定領域上に多層膜二層対ｙを成膜する。この際の成膜方
法としては、前述したものと同様の方法を用いる。例え
ば、多層膜と非接触のマスクを用いて、このマスクをマ
スクとして多層膜一層対ｘの表面に二層対ｙを成膜す
る。このようにして一層対ｘ及び二層対ｙからなる多層
膜補正部を形成している。
の多層膜の一部を除去及び付加する補正加工を行う。つ
まり、まず、多層膜２の最上層に例えばイオンビームを
照射することにより、該最上層の一層対ｘの所定部分を
除去して除去部を形成した後、この一層対ｘの表面の所
定領域上に多層膜二層対ｙを成膜する。この際の成膜方
法としては、前述したものと同様の方法を用いる。例え
ば、多層膜と非接触のマスクを用いて、このマスクをマ
スクとして多層膜一層対ｘの表面に二層対ｙを成膜す
る。このようにして一層対ｘ及び二層対ｙからなる多層
膜補正部を形成している。
【００５８】なお、多層膜一層対ｘの所定部分を除去す
る際、及び、多層膜二層対ｙを成膜する際、in-situで
補正量をモニタしながら行うことが好ましい。これによ
り、最適な補正量となった時点で速やかに補正加工を終
了させることが出来る。加工量のモニタパラメータとし
ては、多層膜の積層厚さ、除去膜厚又は反射波面を検出
した波面の変化量などが挙げられる。
る際、及び、多層膜二層対ｙを成膜する際、in-situで
補正量をモニタしながら行うことが好ましい。これによ
り、最適な補正量となった時点で速やかに補正加工を終
了させることが出来る。加工量のモニタパラメータとし
ては、多層膜の積層厚さ、除去膜厚又は反射波面を検出
した波面の変化量などが挙げられる。
【００５９】図４は、本発明に係る実施の形態により波
面補正を行った多層膜反射鏡を備えたＸ線露光装置の一
例を示す構成図である。
面補正を行った多層膜反射鏡を備えたＸ線露光装置の一
例を示す構成図である。
【００６０】Ｘ線露光装置は、主に軟Ｘ線光源Ｓ、コン
デンサＣ、照明光学系、マスクＭのステージ（図示せ
ず）、投影光学系、ウエハＷのステージ（図示せず）な
どにより構成されている。軟Ｘ線光源Ｓには、プラズマ
励起用のレーザーＬからなるレーザープラズマ光源の他
に放電プラズマ光源や放射光などが使用される。照明光
学系（ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３およびＩＲ４等）は、反
射面に斜め方向から入射した軟Ｘ線を反射させる斜入射
ミラー、反射面が多層膜により形成される多層膜ミラ
ー、および所定の波長の軟Ｘ線のみを透過させるフィル
ター等により構成されている。この照明光学系によって
マスクＭ上を所望の波長の軟Ｘ線で照明する。
デンサＣ、照明光学系、マスクＭのステージ（図示せ
ず）、投影光学系、ウエハＷのステージ（図示せず）な
どにより構成されている。軟Ｘ線光源Ｓには、プラズマ
励起用のレーザーＬからなるレーザープラズマ光源の他
に放電プラズマ光源や放射光などが使用される。照明光
学系（ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３およびＩＲ４等）は、反
射面に斜め方向から入射した軟Ｘ線を反射させる斜入射
ミラー、反射面が多層膜により形成される多層膜ミラ
ー、および所定の波長の軟Ｘ線のみを透過させるフィル
ター等により構成されている。この照明光学系によって
マスクＭ上を所望の波長の軟Ｘ線で照明する。
【００６１】軟Ｘ線の波長域では透明な物質は存在しな
いので、マスクＭには従来の透過型のマスクではなく反
射型のマスクが使用される。投影結像光学系は複数の多
層膜ミラー（ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３およびＰＲ４）等
により構成されている。マスクＭ上に形成された回路パ
ターンは、投影結像光学系によりレジストが塗布された
ウエハＷ上に結像して該レジストに転写される。なお、
軟Ｘ線は大気に吸収されて減衰するため、その光路は全
て所定の真空度（例えば、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下）に
維持されている。
いので、マスクＭには従来の透過型のマスクではなく反
射型のマスクが使用される。投影結像光学系は複数の多
層膜ミラー（ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３およびＰＲ４）等
により構成されている。マスクＭ上に形成された回路パ
ターンは、投影結像光学系によりレジストが塗布された
ウエハＷ上に結像して該レジストに転写される。なお、
軟Ｘ線は大気に吸収されて減衰するため、その光路は全
て所定の真空度（例えば、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下）に
維持されている。
【００６２】前記照明光学系、前記マスクＭ及び前記投
影光学系のうちの少なくとも一つに実施の形態の多層膜
反射鏡を有する。
影光学系のうちの少なくとも一つに実施の形態の多層膜
反射鏡を有する。
【００６３】尚、本発明は前記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
前記実施の形態では、EUVリソグラフィーで使われる波
長１３．４ｎｍのＭｏ／Ｓｉ多層膜について説明してい
るが、本発明はそれに限定されるものではなく、他の波
長域、他の多層膜材料に対しても本発明を適用すること
が可能である。また、下層の第１の多層膜と上層の第２
の多層膜を構成する材料は必ずしも同じである必要はな
い。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
前記実施の形態では、EUVリソグラフィーで使われる波
長１３．４ｎｍのＭｏ／Ｓｉ多層膜について説明してい
るが、本発明はそれに限定されるものではなく、他の波
長域、他の多層膜材料に対しても本発明を適用すること
が可能である。また、下層の第１の多層膜と上層の第２
の多層膜を構成する材料は必ずしも同じである必要はな
い。
【００６４】また、前記実施の形態では、露光装置の軟
Ｘ線光学系に前記多層膜反射鏡を適用しているが、軟Ｘ
線光学系は露光装置に限定されるものではなく、他の軟
Ｘ線光学系に多層膜反射鏡を適用することも可能であ
る。
Ｘ線光学系に前記多層膜反射鏡を適用しているが、軟Ｘ
線光学系は露光装置に限定されるものではなく、他の軟
Ｘ線光学系に多層膜反射鏡を適用することも可能であ
る。
【００６５】（実施例１）以下、本発明に係る実施例１
について説明する。実施例１は、本発明をＥＵＶ露光装
置の投影光学系に適用した例である。この投影光学系
は、６枚の非球面ミラーから構成されており、開口数
（ＮＡ）が０．２５、倍率が１／４でリングフィールド
状の露光領域を有している。
について説明する。実施例１は、本発明をＥＵＶ露光装
置の投影光学系に適用した例である。この投影光学系
は、６枚の非球面ミラーから構成されており、開口数
（ＮＡ）が０．２５、倍率が１／４でリングフィールド
状の露光領域を有している。
【００６６】まず、従来の研磨加工技術により各非球面
ミラーを製作した。各ミラーの形状精度は、０．５ｎｍ
ＲＭＳであった。これらを組み立てて得られる波面収差
は２．４ｎｍＲＭＳである。波長１３．４ｎｍで使用す
るためには、波面収差は１ｎｍＲＭＳ程度以下に抑える
必要があるので、このままではミラーの形状精度が不足
である。
ミラーを製作した。各ミラーの形状精度は、０．５ｎｍ
ＲＭＳであった。これらを組み立てて得られる波面収差
は２．４ｎｍＲＭＳである。波長１３．４ｎｍで使用す
るためには、波面収差は１ｎｍＲＭＳ程度以下に抑える
必要があるので、このままではミラーの形状精度が不足
である。
【００６７】次に、各非球面ミラーの反射面にＭｏ／Ｓ
ｉ多層膜を形成した。まず、周期長６．８ｎｍ、Γ１／
３の多層膜を４０層積層した。ここでΓは多層膜の周期
長に対するＭｏ層の厚さの比である。多層膜はイオンビ
ームスパッタリングにより成膜した。
ｉ多層膜を形成した。まず、周期長６．８ｎｍ、Γ１／
３の多層膜を４０層積層した。ここでΓは多層膜の周期
長に対するＭｏ層の厚さの比である。多層膜はイオンビ
ームスパッタリングにより成膜した。
【００６８】次いで、この多層膜の上に部分的に多層膜
を成膜して反射波面の補正を行った。周期長６．８ｎ
ｍ、Γ１／３の多層膜を一層対付加すると、光路長が
０．２ｎｍ変化する。多層膜を付加する範囲および付加
層数は各々のミラーの波面測定結果から、光学設計ソフ
トウエアを用いて算出した。付加する多層膜の範囲を制
限するマスク（即ち、多層膜を付加する領域が開口され
たマスク）を０．２ｎｍのステンレス板をエッチングし
て作成した。このマスクを用いてイオンビームスパッタ
リング装置で周期長６．８ｎｍ、Γ１／３の多層膜を付
加し、各ミラーの補正を行ったところ、形状精度を０．
１５ｎｍＲＭＳに低減することが出来た。
を成膜して反射波面の補正を行った。周期長６．８ｎ
ｍ、Γ１／３の多層膜を一層対付加すると、光路長が
０．２ｎｍ変化する。多層膜を付加する範囲および付加
層数は各々のミラーの波面測定結果から、光学設計ソフ
トウエアを用いて算出した。付加する多層膜の範囲を制
限するマスク（即ち、多層膜を付加する領域が開口され
たマスク）を０．２ｎｍのステンレス板をエッチングし
て作成した。このマスクを用いてイオンビームスパッタ
リング装置で周期長６．８ｎｍ、Γ１／３の多層膜を付
加し、各ミラーの補正を行ったところ、形状精度を０．
１５ｎｍＲＭＳに低減することが出来た。
【００６９】これらの補正したミラーを鏡筒機構内に組
み込んで波面収差が最小になるよう調整を行ったとこ
ろ、波面収差を０．８ｎｍＲＭＳにすることが出来た。
これは回折限界の結像性能を得るために充分な値であ
る。
み込んで波面収差が最小になるよう調整を行ったとこ
ろ、波面収差を０．８ｎｍＲＭＳにすることが出来た。
これは回折限界の結像性能を得るために充分な値であ
る。
【００７０】前記実施例１によれば、多層膜の表面を加
工して反射波面形状を補正する方法において、その補正
を成膜によって行っているため、従来技術のような多層
膜へのダメージを与えることを防止できる。従って、光
学系の波面収差を低減してかつ反射率を維持できるの
で、結像特性を向上させることが出来る。
工して反射波面形状を補正する方法において、その補正
を成膜によって行っているため、従来技術のような多層
膜へのダメージを与えることを防止できる。従って、光
学系の波面収差を低減してかつ反射率を維持できるの
で、結像特性を向上させることが出来る。
【００７１】（実施例２）以下、本発明に係る実施例２
について説明する。実施例２は、本発明をＥＵＶ露光装
置の投影光学系に適用した例であり、実施例１と同一部
分の説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。
について説明する。実施例２は、本発明をＥＵＶ露光装
置の投影光学系に適用した例であり、実施例１と同一部
分の説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。
【００７２】各非球面ミラーの反射面に形成するＭｏ／
Ｓｉ多層膜は、マスク移動機構付きのイオンビームスパ
ッタリングにより成膜した。
Ｓｉ多層膜は、マスク移動機構付きのイオンビームスパ
ッタリングにより成膜した。
【００７３】光学設計ソフトウエアを用いて算出した結
果に基づき移動マスクの移動量を決定し、マスク移動機
構付きのイオンビームスパッタリング装置で周期長６．
８ｎｍ、Γ１／３の多層膜を付加し、各ミラーの補正を
行ったところ、形状精度を０．１５ｎｍＲＭＳに低減す
ることが出来た。
果に基づき移動マスクの移動量を決定し、マスク移動機
構付きのイオンビームスパッタリング装置で周期長６．
８ｎｍ、Γ１／３の多層膜を付加し、各ミラーの補正を
行ったところ、形状精度を０．１５ｎｍＲＭＳに低減す
ることが出来た。
【００７４】前記実施例２においても実施例１と同様の
効果を得ることができる。
効果を得ることができる。
【００７５】（実施例３）以下、本発明に係る実施例３
について説明する。実施例３は、本発明をＥＵＶ露光装
置の投影光学系に適用した例であり、実施例１と同一部
分の説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。
について説明する。実施例３は、本発明をＥＵＶ露光装
置の投影光学系に適用した例であり、実施例１と同一部
分の説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。
【００７６】光学設計ソフトウエアを用いて算出した結
果に基づき、光ＣＶＤ装置で周期長６．８ｎｍ、Γ１／
３の多層膜を付加し、各ミラーの補正を行ったところ、
形状精度を０．１５ｎｍＲＭＳに低減することが出来
た。
果に基づき、光ＣＶＤ装置で周期長６．８ｎｍ、Γ１／
３の多層膜を付加し、各ミラーの補正を行ったところ、
形状精度を０．１５ｎｍＲＭＳに低減することが出来
た。
【００７７】前記実施例３においても実施例１と同様の
効果を得ることができる。
効果を得ることができる。
【００７８】（実施例４）以下、本発明に係る実施例４
について説明する。実施例４は、本発明をＥＵＶ露光装
置の投影光学系に適用した例であり、実施例１と同一部
分の説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。
について説明する。実施例４は、本発明をＥＵＶ露光装
置の投影光学系に適用した例であり、実施例１と同一部
分の説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。
【００７９】光学設計ソフトウエアを用いて算出した結
果に基づき、付加する多層膜の範囲を制限するように、
多層膜上にレジストパタンをＥＢ描画法で製作した。こ
のレジストパタンを用いてイオンビームスパッタリング
装置で周期長６．８ｎｍ、Γ１／３の多層膜を付加し
た。付加する層数が多い部分はいったんレジストパタン
を剥離し、再度層数が多い部分のみがスペース部となる
ようにレジストパタンを作製して必要層数の多層膜を成
膜した。このように各ミラーの補正を行ったところ、形
状精度を０．１５ｎｍＲＭＳに低減することが出来た。
果に基づき、付加する多層膜の範囲を制限するように、
多層膜上にレジストパタンをＥＢ描画法で製作した。こ
のレジストパタンを用いてイオンビームスパッタリング
装置で周期長６．８ｎｍ、Γ１／３の多層膜を付加し
た。付加する層数が多い部分はいったんレジストパタン
を剥離し、再度層数が多い部分のみがスペース部となる
ようにレジストパタンを作製して必要層数の多層膜を成
膜した。このように各ミラーの補正を行ったところ、形
状精度を０．１５ｎｍＲＭＳに低減することが出来た。
【００８０】前記実施例４においても実施例１と同様の
効果を得ることができる。
効果を得ることができる。
【００８１】（実施例５）以下、本発明に係る実施例５
について説明する。実施例５は、本発明をＥＵＶ露光装
置の投影光学系に適用した例であり、実施例１と同一部
分の説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。
について説明する。実施例５は、本発明をＥＵＶ露光装
置の投影光学系に適用した例であり、実施例１と同一部
分の説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。
【００８２】多層膜の上に部分的に多層膜を成膜して反
射波面の補正を行う際、周期長６．８ｎｍ、Γ１／３の
多層膜を一層対付加または削除すると、光路長が０．２
ｎｍ変化する。多層膜を付加する範囲および削除する範
囲とそれぞれの層数は各々のミラーの波面測定結果か
ら、光学設計ソフトウエアを用いて算出した。付加する
多層膜の範囲および削除する多層膜の範囲を制限するマ
スク（即ち、多層膜を付加する領域または削除する領域
が開口されたマスク）を０．２ｎｍのステンレス板をエ
ッチングして作成した。このマスクを用いてアシストイ
オン源付きのイオンビームスパッタリングに干渉計が付
随した装置で、周期長６．８ｎｍ、Γ１／３の多層膜の
付加と削除を行った。
射波面の補正を行う際、周期長６．８ｎｍ、Γ１／３の
多層膜を一層対付加または削除すると、光路長が０．２
ｎｍ変化する。多層膜を付加する範囲および削除する範
囲とそれぞれの層数は各々のミラーの波面測定結果か
ら、光学設計ソフトウエアを用いて算出した。付加する
多層膜の範囲および削除する多層膜の範囲を制限するマ
スク（即ち、多層膜を付加する領域または削除する領域
が開口されたマスク）を０．２ｎｍのステンレス板をエ
ッチングして作成した。このマスクを用いてアシストイ
オン源付きのイオンビームスパッタリングに干渉計が付
随した装置で、周期長６．８ｎｍ、Γ１／３の多層膜の
付加と削除を行った。
【００８３】この装置はスパッタリング部と干渉計部に
分かれており、基板が成膜、除去、測定の各工程によっ
て基板の位置や角度等を変えられる駆動機構が備わって
いる。多層膜の付加はイオンビームスパッタリングで行
い、多層膜の削除はアシストイオン源によりＩＢＭで行
った。この装置では、多層膜の付加及び多層膜の削除の
際には、１層ずつ加工を終了する毎に干渉計測定位置に
基板を移動させ、波面の形状を観察することが出来る。
各ミラーの補正を行ったところ、形状精度を０．１５ｎ
ｍＲＭＳに低減することが出来た。
分かれており、基板が成膜、除去、測定の各工程によっ
て基板の位置や角度等を変えられる駆動機構が備わって
いる。多層膜の付加はイオンビームスパッタリングで行
い、多層膜の削除はアシストイオン源によりＩＢＭで行
った。この装置では、多層膜の付加及び多層膜の削除の
際には、１層ずつ加工を終了する毎に干渉計測定位置に
基板を移動させ、波面の形状を観察することが出来る。
各ミラーの補正を行ったところ、形状精度を０．１５ｎ
ｍＲＭＳに低減することが出来た。
【００８４】前記実施例５によれば、多層膜の表面を加
工して反射波面形状を補正する方法において、その補正
を成膜及び剥離によって行っているため、従来技術のよ
うな多層膜へのダメージを与えることを少なくできる。
従って、光学系の波面収差を低減してかつ反射率を維持
できるので、結像特性を向上させることが出来る。
工して反射波面形状を補正する方法において、その補正
を成膜及び剥離によって行っているため、従来技術のよ
うな多層膜へのダメージを与えることを少なくできる。
従って、光学系の波面収差を低減してかつ反射率を維持
できるので、結像特性を向上させることが出来る。
【００８５】また、実施例１〜５で製作した投影光学系
をそれぞれＥＵＶ露光装置に組み込んで露光テストを行
ったところ、どの投影光学系でも３０ｎｍＬ＆Ｓ（ライ
ンアンドスペース）の微細なパターンまで解像すること
が出来た。
をそれぞれＥＵＶ露光装置に組み込んで露光テストを行
ったところ、どの投影光学系でも３０ｎｍＬ＆Ｓ（ライ
ンアンドスペース）の微細なパターンまで解像すること
が出来た。
【００８６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
１多層膜上の所望の範囲内に、周期長が第１多層膜とほ
ぼ等しい第２多層膜を付加している。したがって、多層
膜にダメージを与えることなく多層膜の層数を制御して
多層膜の面形状を補正した多層膜反射鏡及びその製造方
法、多層膜反射鏡を備えた軟Ｘ線露光装置及び軟Ｘ線光
学系を提供することができる。
１多層膜上の所望の範囲内に、周期長が第１多層膜とほ
ぼ等しい第２多層膜を付加している。したがって、多層
膜にダメージを与えることなく多層膜の層数を制御して
多層膜の面形状を補正した多層膜反射鏡及びその製造方
法、多層膜反射鏡を備えた軟Ｘ線露光装置及び軟Ｘ線光
学系を提供することができる。
【図１】（ａ），（ｂ）は、本発明に係る実施の形態に
よる多層膜反射鏡の製造方法を示す断面図である。
よる多層膜反射鏡の製造方法を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、異なる開口のマスクを用い
て付加層数に分布をつける方法を示す模式図であり、
（ａ）は加工前の状態を示すものであり、（ｂ），
（ｃ）は、マスクを用いて多層膜を付加した後の状態を
示すものである。
て付加層数に分布をつける方法を示す模式図であり、
（ａ）は加工前の状態を示すものであり、（ｂ），
（ｃ）は、マスクを用いて多層膜を付加した後の状態を
示すものである。
【図３】（ａ）は、前記実施の形態による第２の多層膜
を付加する方法を用いて製造した多層膜反射鏡を示す断
面図であり、（ｂ）は、第２の多層膜を付加する他の方
法を用いて製造した多層膜反射鏡を示す断面図である。
を付加する方法を用いて製造した多層膜反射鏡を示す断
面図であり、（ｂ）は、第２の多層膜を付加する他の方
法を用いて製造した多層膜反射鏡を示す断面図である。
【図４】本発明に係る実施の形態により波面補正を行っ
た多層膜反射鏡を備えたＸ線露光装置の一例を示す構成
図である。
た多層膜反射鏡を備えたＸ線露光装置の一例を示す構成
図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は、多層膜除去による反射波面
の制御を説明する断面図である。
の制御を説明する断面図である。
１…基板 ２…多層膜
３，３ａ，３ｂ，ｘ…多層膜一層対 ４，７…多
層膜付加部 ５，６…マスク ｙ…多層膜
二層対
層膜付加部 ５，６…マスク ｙ…多層膜
二層対
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｂ 5/26 Ｇ０２Ｂ 5/26
5/28 5/28
Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０３ Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０３
Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５Ｄ
５３１Ａ
Ｆターム(参考） 2H042 DA01 DB02 DB14 DC02 DC03
DC09 DC11 DD05 DE00
2H048 FA01 FA05 FA07 FA09 FA18
FA24 GA01 GA03 GA11 GA21
GA30 GA33 GA60 GA61
2H097 CA15 GB00 LA10
4F100 AB01B AB01C AB01D AB01E
AB11 AB20 AG00 AT00A
BA05 BA10A BA44D BA44E
DD13 EH662 EJ993 GB90
JM02B JM02C JM02D JM02E
JN18B JN18C JN18D JN18E
5F046 BA05 CB02 GB01
Claims (13)
- 【請求項１】 屈折率の異なる少なくとも二種類以上の
物質を交互に所定の周期長で積層してなる第１多層膜を
基板上に成膜した多層膜反射鏡に対し、前記第１多層膜
上の所望の範囲内に、周期長が第１多層膜とほぼ等しい
第２多層膜を積層することによって、多層膜反射鏡の反
射波面の位相を補正することを特徴とする多層膜反射鏡
の製造方法。 - 【請求項２】 前記第２多層膜を積層する際、第１多層
膜表面と多層膜材料源との間に、前記所望の範囲が開口
されたマスクを配置し、このマスクをマスクとして第２
多層膜を積層することを特徴とする請求項１に記載の多
層膜反射鏡の製造方法。 - 【請求項３】 前記第２多層膜を積層する際、第１多層
膜表面と多層膜材料源との間にマスクを配置し、このマ
スク又は前記基板を回転又は移動させながら、該マスク
をマスクとして第２多層膜を積層することを特徴とする
請求項１に記載の多層膜反射鏡の製造方法。 - 【請求項４】 前記第２多層膜を積層する方法として光
ＣＶＤ法を用いることにより、前記所望の範囲内に第２
多層膜を積層することを特徴とする請求項１に記載の多
層膜反射鏡の製造方法。 - 【請求項５】 前記第２多層膜を積層する際、第１多層
膜の表面上に前記所望の範囲が開口されたレジストパタ
ンを形成し、このレジストパタンをマスクとして第２多
層膜を積層することを特徴とする請求項１に記載の多層
膜反射鏡の製造方法。 - 【請求項６】 前記第２多層膜を積層する際に、その積
層量をin-situで検出することによって所望の積層量と
なった時に第２多層膜の積層を停止することを特徴とす
る請求項１〜５のうちいずれか１項記載の多層膜反射鏡
の製造方法。 - 【請求項７】 屈折率の異なる少なくとも二種類以上の
物質を交互に所定の周期長で積層してなる第１多層膜を
基板上に成膜した多層膜反射鏡に対し、第１多層膜を表
面から所望の範囲を所望量除去し、第１多層膜上の所望
の範囲内に、周期長が第１多層膜とほぼ等しい第２多層
膜を積層することによって、多層膜反射鏡の反射波面の
位相を補正することを特徴とする多層膜反射鏡の製造方
法。 - 【請求項８】 前記第２多層膜を積層する際に、その積
層量をin-situで検出することによって所望の積層量と
なった時に第２多層膜の積層を停止することを特徴とす
る請求項７に記載の多層膜反射鏡の製造方法。 - 【請求項９】 前記第１多層膜を表面から所望の範囲を
所望量除去する際に、その除去量をin-situで検出する
ことによって所望の除去量となった時に第１多層膜の除
去を停止することを特徴とする請求項７又は８に記載の
多層膜反射鏡の製造方法。 - 【請求項１０】 基板と、 この基板上に形成され、屈折率の異なる少なくとも二種
類以上の物質を交互に所定の周期長で積層してなる第１
多層膜と、 前記第１多層膜の反射波面の位相を補正するために、前
記第１多層膜上の所望の範囲内に積層された、周期長が
第１多層膜とほぼ等しい第２多層膜と、 を具備することを特徴とする多層膜反射鏡。 - 【請求項１１】 基板と、 この基板上に形成され、屈折率の異なる少なくとも二種
類以上の物質を交互に所定の周期長で積層してなる第１
多層膜と、 前記第１多層膜の反射波面の位相を補正するために、前
記第１多層膜の一部が除去された除去部と、 前記第１多層膜の反射波面の位相を補正するために、前
記第１多層膜上の所望の範囲内に積層された、周期長が
第１多層膜とほぼ等しい第２多層膜と、 を具備することを特徴とする多層膜反射鏡。 - 【請求項１２】 請求項１０又は１１に記載の多層膜反
射鏡を用いて構成されたことを特徴とする軟Ｘ線光学
系。 - 【請求項１３】 軟Ｘ線を発生させる軟Ｘ線光源と、こ
の軟Ｘ線光源からの軟Ｘ線をマスクに導く照明光学系
と、前記マスクからの軟Ｘ線を感光性基板に導く投影光
学系とを有し、前記マスクのパターンを感光性基板へ転
写する軟Ｘ線露光装置において、 前記照明光学系、前記マスク及び前記投影光学系のうち
の少なくとも一つに請求項１０又は１１に記載の多層膜
反射鏡を有することを特徴とする軟Ｘ線露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001268322A JP2003075591A (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | 多層膜反射鏡、その製造方法、軟ｘ線露光装置及び軟ｘ線光学系 |
| EP02255926A EP1291680A2 (en) | 2001-08-27 | 2002-08-27 | Multilayer-film mirrors for use in extreme UV optical systems, and methods for manufacturing such mirrors exhibiting improved wave aberrations |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100337135C (zh) * | 2004-10-19 | 2007-09-12 | 同济大学 | 软x射线透射式多层膜宽带相移片及其制备方法 |
-
2001
- 2001-09-05 JP JP2001268322A patent/JP2003075591A/ja active Pending
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