JP2002134385A - 多層膜反射鏡および露光装置 - Google Patents
多層膜反射鏡および露光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多層膜の表面層を除去して多層膜ミラーの面
形状を補正する技術において、その加工単位を小さくし
て加工精度を向上することを目標とする。 【解決手段】 屈折率の異なる二種類の物質が交互に所
定の周期長で積層されてなる第一の多層膜上に、周期長
は第一の多層膜とほぼ等しく、二種類の物質層の厚さの
比が第一の多層膜とは異なる第二の多層膜を積層し、上
層の第二の多層膜を表面から所望の量だけ除去すること
によって、反射波面の位相が補正されている多層膜反射
鏡とした。
形状を補正する技術において、その加工単位を小さくし
て加工精度を向上することを目標とする。 【解決手段】 屈折率の異なる二種類の物質が交互に所
定の周期長で積層されてなる第一の多層膜上に、周期長
は第一の多層膜とほぼ等しく、二種類の物質層の厚さの
比が第一の多層膜とは異なる第二の多層膜を積層し、上
層の第二の多層膜を表面から所望の量だけ除去すること
によって、反射波面の位相が補正されている多層膜反射
鏡とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスな
どの製造に用いられる軟Ｘ線投影露光装置およびその他
の軟Ｘ線光学機器に関するものである。
どの製造に用いられる軟Ｘ線投影露光装置およびその他
の軟Ｘ線光学機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路素子の微細化の進
展に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解
像力を向上させるために、従来の紫外線に代わって、こ
れより波長の短い波長１１〜１４ｎｍ程度の軟Ｘ線を使
用した投影リソグラフィ技術が開発されている（例え
ば、D. Tichenor, et al., SPIE 2437 (1995) 292参
照）。この技術は、最近ではＥＵＶ（Extreme UltraVio
let: 極紫外線）リソグラフィとも呼ばれているが、そ
の内容は同一である（以下、ＥＵＶリソグラフィと呼
ぶ）。ＥＵＶリソグラフィは、従来の光リソグラフィ
（波長１９０ｎｍ程度以上）では実現不可能な、７０ｎ
ｍ以下の解像力を有する将来のリソグラフィ技術として
期待されている。
展に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解
像力を向上させるために、従来の紫外線に代わって、こ
れより波長の短い波長１１〜１４ｎｍ程度の軟Ｘ線を使
用した投影リソグラフィ技術が開発されている（例え
ば、D. Tichenor, et al., SPIE 2437 (1995) 292参
照）。この技術は、最近ではＥＵＶ（Extreme UltraVio
let: 極紫外線）リソグラフィとも呼ばれているが、そ
の内容は同一である（以下、ＥＵＶリソグラフィと呼
ぶ）。ＥＵＶリソグラフィは、従来の光リソグラフィ
（波長１９０ｎｍ程度以上）では実現不可能な、７０ｎ
ｍ以下の解像力を有する将来のリソグラフィ技術として
期待されている。
【０００３】この波長域では物質の屈折率が１に非常に
近いので、屈折や反射を利用した従来の光学素子は使用
できない。屈折率が1よりも僅かに小さいことによる全
反射を利用した斜入射ミラーや、界面での微弱な反射光
を位相を合わせて多数重畳させて、全体として高い反射
率を得る多層膜ミラーなどが使用される。１３．４ｎｍ
付近の波長域では、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン
（Ｓｉ）層が交互に積層されたＭｏ／Ｓｉ多層膜を用い
ると直入射で６７．５％の反射率を得ることができ、波
長１１．３ｎｍ付近の波長域では、Ｍｏ層とベリリウム
（Ｂｅ）層が交互に積層されたＭｏ／Ｂｅ多層膜を用い
ると直入射で７０．２％の反射率を得ることができる
（例えば、C. Montcalm, Proc. SPIE, Vol. 3331 (199
8) P. 42参照）。多層膜の周期長を６〜１２ｎｍにする
と、その多層膜ミラーは波長域１２〜１５ｎｍの軟Ｘ線
に対して好適なミラーとなる。
近いので、屈折や反射を利用した従来の光学素子は使用
できない。屈折率が1よりも僅かに小さいことによる全
反射を利用した斜入射ミラーや、界面での微弱な反射光
を位相を合わせて多数重畳させて、全体として高い反射
率を得る多層膜ミラーなどが使用される。１３．４ｎｍ
付近の波長域では、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン
（Ｓｉ）層が交互に積層されたＭｏ／Ｓｉ多層膜を用い
ると直入射で６７．５％の反射率を得ることができ、波
長１１．３ｎｍ付近の波長域では、Ｍｏ層とベリリウム
（Ｂｅ）層が交互に積層されたＭｏ／Ｂｅ多層膜を用い
ると直入射で７０．２％の反射率を得ることができる
（例えば、C. Montcalm, Proc. SPIE, Vol. 3331 (199
8) P. 42参照）。多層膜の周期長を６〜１２ｎｍにする
と、その多層膜ミラーは波長域１２〜１５ｎｍの軟Ｘ線
に対して好適なミラーとなる。
【０００４】現在考えられているＥＵＶリソグラフィ装
置の一例を図６に示す。装置は主に、軟Ｘ線光源Ｓ、照
明光学系、マスクＭのステージ（不図示）、投影光学
系、ウエハＷのステージ（不図示）などにより構成され
る。軟Ｘ線光源Ｓには、レーザープラズマ光源の他に放
電プラズマ光源や放射光などが使用される。照明光学系
は、反射面に斜め方向から入射した軟Ｘ線を反射させる
斜入射ミラー、反射面が多層膜により形成される多層膜
ミラー（ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３およびＩＲ４）、およ
び所定の波長の軟Ｘ線のみを透過させるフィルター等に
より構成され、フォトマスクＭ上を所望の波長の軟Ｘ線
で照明する。なお、軟Ｘ線の波長域では透明な物質は存
在しないので、フォトマスクＭには従来の透過型のマス
クではなく反射型のマスクが使用される。フォトマスク
Ｍ上に形成された回路パターンは、複数の多層膜ミラー
（ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３およびＰＲ４）等で構成され
た投影結像光学系により、フォトレジストが塗布された
ウェハＷ上に結像して該フォトレジストに転写される。
なお、軟Ｘ線は大気に吸収されて減衰するため、その光
路は全て所定の真空度（例えば、１×１０-5Ｔｏｒｒ以
下）に維持されている。
置の一例を図６に示す。装置は主に、軟Ｘ線光源Ｓ、照
明光学系、マスクＭのステージ（不図示）、投影光学
系、ウエハＷのステージ（不図示）などにより構成され
る。軟Ｘ線光源Ｓには、レーザープラズマ光源の他に放
電プラズマ光源や放射光などが使用される。照明光学系
は、反射面に斜め方向から入射した軟Ｘ線を反射させる
斜入射ミラー、反射面が多層膜により形成される多層膜
ミラー（ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３およびＩＲ４）、およ
び所定の波長の軟Ｘ線のみを透過させるフィルター等に
より構成され、フォトマスクＭ上を所望の波長の軟Ｘ線
で照明する。なお、軟Ｘ線の波長域では透明な物質は存
在しないので、フォトマスクＭには従来の透過型のマス
クではなく反射型のマスクが使用される。フォトマスク
Ｍ上に形成された回路パターンは、複数の多層膜ミラー
（ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３およびＰＲ４）等で構成され
た投影結像光学系により、フォトレジストが塗布された
ウェハＷ上に結像して該フォトレジストに転写される。
なお、軟Ｘ線は大気に吸収されて減衰するため、その光
路は全て所定の真空度（例えば、１×１０-5Ｔｏｒｒ以
下）に維持されている。
【０００５】投影結像光学系は複数の多層膜ミラーによ
り構成される。多層膜ミラーの反射率は１００％ではな
いので、光量の損失を抑えるためにミラーの枚数はでき
るだけ少なくすることが好ましい。これまでに、４枚の
多層膜ミラーからなる光学系（例えば、T. Jewell and
K. Thompson, USP 5,315,629、T. Jewell, USP 5,063,5
86参照）や、６枚の多層膜ミラーからなる光学系（例え
ば、D. Williamson,特開平9-211332、USP 5,815,310参
照）などが報告されている。光束が一方向に進行する屈
折光学系と異なり、反射光学系では光学系の中で光束が
往復することになるので、ミラーによる光束のけられを
避けるという制限ために、ＮＡを大きくすることが難し
い。４枚光学系では開口数（ＮＡ）を０．１５程度まで
にしかできないが、６枚光学系では更にＮＡの大きい光
学系の設計が可能になる。マスクステージとウェハステ
ージが投影結像光学系の両側に配置できるように、ミラ
ーの枚数は通常は偶数になっている。例えば図６に示す
露光装置の場合、投影結像光学系は４枚の多層膜ミラー
（ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３およびＰＲ４）により構成さ
れている。このような投影結像光学系は、限られた面数
で光学系の収差を補正しなければならないので、各ミラ
ーには非球面形状が適用され、また、所定の像高の近傍
でのみ収差の補正されたリングフィールド光学系になっ
ている。フォトマスク上のパターン全体をウェハ上に転
写するためには、マスクステージとウェハステージと
を、光学系の倍率分だけ異なる速度でスキャンさせなが
ら露光を行う。
り構成される。多層膜ミラーの反射率は１００％ではな
いので、光量の損失を抑えるためにミラーの枚数はでき
るだけ少なくすることが好ましい。これまでに、４枚の
多層膜ミラーからなる光学系（例えば、T. Jewell and
K. Thompson, USP 5,315,629、T. Jewell, USP 5,063,5
86参照）や、６枚の多層膜ミラーからなる光学系（例え
ば、D. Williamson,特開平9-211332、USP 5,815,310参
照）などが報告されている。光束が一方向に進行する屈
折光学系と異なり、反射光学系では光学系の中で光束が
往復することになるので、ミラーによる光束のけられを
避けるという制限ために、ＮＡを大きくすることが難し
い。４枚光学系では開口数（ＮＡ）を０．１５程度まで
にしかできないが、６枚光学系では更にＮＡの大きい光
学系の設計が可能になる。マスクステージとウェハステ
ージが投影結像光学系の両側に配置できるように、ミラ
ーの枚数は通常は偶数になっている。例えば図６に示す
露光装置の場合、投影結像光学系は４枚の多層膜ミラー
（ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３およびＰＲ４）により構成さ
れている。このような投影結像光学系は、限られた面数
で光学系の収差を補正しなければならないので、各ミラ
ーには非球面形状が適用され、また、所定の像高の近傍
でのみ収差の補正されたリングフィールド光学系になっ
ている。フォトマスク上のパターン全体をウェハ上に転
写するためには、マスクステージとウェハステージと
を、光学系の倍率分だけ異なる速度でスキャンさせなが
ら露光を行う。
【０００６】上記のような露光装置の投影結像光学系
は、いわゆる回折限界の光学系であり、波面収差を充分
に小さくしておかないと設計通りの性能を得ることはで
きない。回折限界の光学系における波面収差の許容値の
目安としては、Marechalによる、二乗平均値（ＲＭＳ）
で使用波長の１／１４以内という基準がある（M. Borna
nd E. Wolf, Principles of Optics, 4th edition, Per
gamon Press 1970, p.469参照）。これはStrehl強度
（収差のある光学系と無収差光学系との間の点像強度の
最大値の比）が８０％以上になるための条件である。実
際の露光装置の投影結像光学系は、これよりも更に低い
収差になるように製造されている。
は、いわゆる回折限界の光学系であり、波面収差を充分
に小さくしておかないと設計通りの性能を得ることはで
きない。回折限界の光学系における波面収差の許容値の
目安としては、Marechalによる、二乗平均値（ＲＭＳ）
で使用波長の１／１４以内という基準がある（M. Borna
nd E. Wolf, Principles of Optics, 4th edition, Per
gamon Press 1970, p.469参照）。これはStrehl強度
（収差のある光学系と無収差光学系との間の点像強度の
最大値の比）が８０％以上になるための条件である。実
際の露光装置の投影結像光学系は、これよりも更に低い
収差になるように製造されている。
【０００７】現在盛んに研究開発が行われているＥＵＶ
リソグラフィ技術においては、露光波長は主として１３
ｎｍあるいは１１ｎｍ付近の波長が使われている。光学
系の波面収差（ＷＦＥ）に対して、個々のミラーに許容
される形状誤差（ＦＥ）は次式で与えられる。 ＦＥ＝ＷＦＥ／２／√ｎ（ＲＭＳ） ｎは光学系を構成するミラーの数であり、更に２で割る
のは、反射光学系では入射光と反射光の両方がそれぞれ
形状誤差の影響を受けるので、波面収差には形状誤差の
２倍の誤差が乗るからである。結局、回折限界の光学系
において、個々のミラーに許容される形状誤差（ＦＥ）
は、波長λとミラーの枚数nに対して次式で与えられ
る。 ＦＥ＝λ／２８／√ｎ（ＲＭＳ） この値は、波長１３ｎｍでは４枚のミラーで構成された
光学系の場合０．２３ｎｍＲＭＳとなり、６枚のミラー
で構成された光学系の場合０．１９ｎｍＲＭＳとなる。
リソグラフィ技術においては、露光波長は主として１３
ｎｍあるいは１１ｎｍ付近の波長が使われている。光学
系の波面収差（ＷＦＥ）に対して、個々のミラーに許容
される形状誤差（ＦＥ）は次式で与えられる。 ＦＥ＝ＷＦＥ／２／√ｎ（ＲＭＳ） ｎは光学系を構成するミラーの数であり、更に２で割る
のは、反射光学系では入射光と反射光の両方がそれぞれ
形状誤差の影響を受けるので、波面収差には形状誤差の
２倍の誤差が乗るからである。結局、回折限界の光学系
において、個々のミラーに許容される形状誤差（ＦＥ）
は、波長λとミラーの枚数nに対して次式で与えられ
る。 ＦＥ＝λ／２８／√ｎ（ＲＭＳ） この値は、波長１３ｎｍでは４枚のミラーで構成された
光学系の場合０．２３ｎｍＲＭＳとなり、６枚のミラー
で構成された光学系の場合０．１９ｎｍＲＭＳとなる。
【０００８】しかしながら、このような高精度の非球面
形状のミラーを製造することは非常に困難であり、ＥＵ
Ｖリソグラフィがなかなか実用化できない第一の原因と
なっている。現在までに達成されている非球面の加工精
度は０．４〜０．５ｎｍＲＭＳの程度であり（C. Gwyn,
Extreme Ultraviolet Lithography White Paper, EUV
LLC, 1998, p17参照）、ＥＵＶリソグラフィを実現する
ためには非球面の加工技術および計測技術の大幅な向上
が必要とされている。
形状のミラーを製造することは非常に困難であり、ＥＵ
Ｖリソグラフィがなかなか実用化できない第一の原因と
なっている。現在までに達成されている非球面の加工精
度は０．４〜０．５ｎｍＲＭＳの程度であり（C. Gwyn,
Extreme Ultraviolet Lithography White Paper, EUV
LLC, 1998, p17参照）、ＥＵＶリソグラフィを実現する
ためには非球面の加工技術および計測技術の大幅な向上
が必要とされている。
【０００９】最近、山本によって多層膜ミラーの表面を
一層ずつ削り取ることによって、実質的にサブｎｍの形
状誤差を補正することができるという画期的な技術が報
告された（M. Yamamoto, 7th International Conferenc
e on Synchrotron RadiationInstrumentation, Berlin
Germany, August 21-25, 2000, POS2-189）。図２をも
って、その原理を説明する。図２（ａ）に示すように
Ａ、Ｂ二種類の物質を所定の周期長ｄで交互に積層した
多層膜の表面から、図２（ｂ）に示すように一層対を除
去する場合を考える。図２（ａ）で、多層膜表面に対し
て垂直方向に進行する光線に対する、厚さｄの多層膜一
層対の光路長は、ＯＰ＝ｎA×ｄA＋ｎB×ｄBで与えられ
る。ここでｄA、ｄBは各層の厚さを表し、ｄA＋ｄB＝ｄ
である。ｎA、ｎBは物質Ａ、Ｂそれぞれの屈折率であ
る。図２（ｂ）で、最表面の多層膜一層対を除去した厚
さdの部分の光路長は、ＯＰ’＝ｎｄで与えられる。ｎ
は真空の屈折率を表し、ｎ＝１である。多層膜の最上層
を除去することによって、そこを通過する光線が進む光
学的距離が変化することになる。これは、実質的にその
変化分だけ面形状を修正したことと光学的に等価であ
る。光路長の変化（即ち、面形状の変化）は、Δ＝Ｏ
Ｐ’−ＯＰで与えられる。軟Ｘ線の波長域では、物質の
屈折率が1に近いので、Δは小さな量となり、本方法に
より精密な面形状の補正が可能になる。
一層ずつ削り取ることによって、実質的にサブｎｍの形
状誤差を補正することができるという画期的な技術が報
告された（M. Yamamoto, 7th International Conferenc
e on Synchrotron RadiationInstrumentation, Berlin
Germany, August 21-25, 2000, POS2-189）。図２をも
って、その原理を説明する。図２（ａ）に示すように
Ａ、Ｂ二種類の物質を所定の周期長ｄで交互に積層した
多層膜の表面から、図２（ｂ）に示すように一層対を除
去する場合を考える。図２（ａ）で、多層膜表面に対し
て垂直方向に進行する光線に対する、厚さｄの多層膜一
層対の光路長は、ＯＰ＝ｎA×ｄA＋ｎB×ｄBで与えられ
る。ここでｄA、ｄBは各層の厚さを表し、ｄA＋ｄB＝ｄ
である。ｎA、ｎBは物質Ａ、Ｂそれぞれの屈折率であ
る。図２（ｂ）で、最表面の多層膜一層対を除去した厚
さdの部分の光路長は、ＯＰ’＝ｎｄで与えられる。ｎ
は真空の屈折率を表し、ｎ＝１である。多層膜の最上層
を除去することによって、そこを通過する光線が進む光
学的距離が変化することになる。これは、実質的にその
変化分だけ面形状を修正したことと光学的に等価であ
る。光路長の変化（即ち、面形状の変化）は、Δ＝Ｏ
Ｐ’−ＯＰで与えられる。軟Ｘ線の波長域では、物質の
屈折率が1に近いので、Δは小さな量となり、本方法に
より精密な面形状の補正が可能になる。
【００１０】具体例として、波長１３．４ｎｍでＭｏ／
Ｓｉ多層膜を用いた場合を示す。直入射で使用するため
に、ｄ＝６．８ｎｍ、ｄMo＝２．３ｎｍ、ｄSi＝４．５
ｎｍとする。この波長での屈折率は、ｎMo＝０．９２、
ｎSi＝０．９９８である。これらの数値を用いて光路長
の変化を計算すると、ＯＰ＝６．６ｎｍ、ＯＰ’＝６．
８ｎｍ、Δ＝０．２ｎｍとなる。厚さ６．８ｎｍの層を
除去する加工によって、０．２ｎｍ相当の面形状の補正
を行うことができる。なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の場合、
Ｓｉ層の屈折率は1に近いので、光路長の変化は主とし
てＭｏ層の有無によるものであり、Ｓｉ層の有無には殆
ど依存しない。従って、多層膜の層を除去する際に、Ｓ
ｉ層の厚さを正確に制御する必要は無い。この例ではＳ
ｉ層の厚さは４．５ｎｍあり、この層の途中で加工が停
止すれば良い。即ち、数ｎｍの精度の加工を施すことに
よって０．２ｎｍ単位の面形状補正を行うことができ
る。
Ｓｉ多層膜を用いた場合を示す。直入射で使用するため
に、ｄ＝６．８ｎｍ、ｄMo＝２．３ｎｍ、ｄSi＝４．５
ｎｍとする。この波長での屈折率は、ｎMo＝０．９２、
ｎSi＝０．９９８である。これらの数値を用いて光路長
の変化を計算すると、ＯＰ＝６．６ｎｍ、ＯＰ’＝６．
８ｎｍ、Δ＝０．２ｎｍとなる。厚さ６．８ｎｍの層を
除去する加工によって、０．２ｎｍ相当の面形状の補正
を行うことができる。なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の場合、
Ｓｉ層の屈折率は1に近いので、光路長の変化は主とし
てＭｏ層の有無によるものであり、Ｓｉ層の有無には殆
ど依存しない。従って、多層膜の層を除去する際に、Ｓ
ｉ層の厚さを正確に制御する必要は無い。この例ではＳ
ｉ層の厚さは４．５ｎｍあり、この層の途中で加工が停
止すれば良い。即ち、数ｎｍの精度の加工を施すことに
よって０．２ｎｍ単位の面形状補正を行うことができ
る。
【００１１】なお、多層膜の反射率は積層数とともに増
加して一定の層数を越えると飽和して一定になる。予め
反射率が飽和するのに充分な層数を積層しておけば、表
面から多層膜の一部を除去しても反射率の変化は生じな
い。
加して一定の層数を越えると飽和して一定になる。予め
反射率が飽和するのに充分な層数を積層しておけば、表
面から多層膜の一部を除去しても反射率の変化は生じな
い。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】この方法は非常に有効
であるが、面形状の補正は多層膜の一層対を剥がす毎に
不連続に行われる。目標とする形状精度は０．２３〜
０．１９ｎｍＲＭＳ以下であるのに対して、前記説明の
通り加工単位は０．２ｎｍの程度であり、目標とする形
状精度を達成するためには未だ充分ではない。加工単位
を更に小さくする方法が望まれていた。
であるが、面形状の補正は多層膜の一層対を剥がす毎に
不連続に行われる。目標とする形状精度は０．２３〜
０．１９ｎｍＲＭＳ以下であるのに対して、前記説明の
通り加工単位は０．２ｎｍの程度であり、目標とする形
状精度を達成するためには未だ充分ではない。加工単位
を更に小さくする方法が望まれていた。
【００１３】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、多層膜の表面層を除去して多層膜ミラー
の面形状を補正する技術において、その加工単位を小さ
くして加工精度を向上させることを目標とする。
たものであり、多層膜の表面層を除去して多層膜ミラー
の面形状を補正する技術において、その加工単位を小さ
くして加工精度を向上させることを目標とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】そのために、本発明は第
一に「屈折率の異なる二種類の物質が交互に所定の周期
長で積層されてなる第一の多層膜上に、周期長は第一の
多層膜とほぼ等しく、二種類の物質層の厚さの比が第一
の多層膜とは異なる第二の多層膜を積層し、反射波面の
位相を補正するために上層の第二の多層膜を表面から所
望の量だけ除去することを特徴とする多層膜反射鏡の製
造方法（請求項１）」を提供する。
一に「屈折率の異なる二種類の物質が交互に所定の周期
長で積層されてなる第一の多層膜上に、周期長は第一の
多層膜とほぼ等しく、二種類の物質層の厚さの比が第一
の多層膜とは異なる第二の多層膜を積層し、反射波面の
位相を補正するために上層の第二の多層膜を表面から所
望の量だけ除去することを特徴とする多層膜反射鏡の製
造方法（請求項１）」を提供する。
【００１５】また本発明は第二に「屈折率の異なる二種
類の物質が交互に所定の周期長で積層されてなる第一の
多層膜上に、周期長は第一の多層膜とほぼ等しく、二種
類の物質層の厚さの比が第一の多層膜とは異なる第二の
多層膜を積層し、上層の第二の多層膜を表面から所望の
量だけ除去することによって、反射波面の位相が補正さ
れていることを特徴とする多層膜反射鏡（請求項２）」
を提供する。
類の物質が交互に所定の周期長で積層されてなる第一の
多層膜上に、周期長は第一の多層膜とほぼ等しく、二種
類の物質層の厚さの比が第一の多層膜とは異なる第二の
多層膜を積層し、上層の第二の多層膜を表面から所望の
量だけ除去することによって、反射波面の位相が補正さ
れていることを特徴とする多層膜反射鏡（請求項２）」
を提供する。
【００１６】また本発明は第三に「多層膜を構成する物
質のうち、真空に対する屈折率の差が大きい物質層の厚
さの、周期長に対する比をΓとするとき、第一の多層膜
のΓよりも第二の多層膜のΓが小さいことを特徴とする
請求項２に記載の多層膜反射鏡（請求項３）」を提供す
る。
質のうち、真空に対する屈折率の差が大きい物質層の厚
さの、周期長に対する比をΓとするとき、第一の多層膜
のΓよりも第二の多層膜のΓが小さいことを特徴とする
請求項２に記載の多層膜反射鏡（請求項３）」を提供す
る。
【００１７】また本発明は第四に「第二の多層膜のΓ
は、表面から多層膜を所定の量だけ除去して反射波面の
位相補正を行う際の、屈折率の真空との差が大きい物質
層の厚さ当たりの補正量が所望の値になるよう設定され
ていることを特徴とする請求項３に記載の多層膜反射鏡
（請求項４）」を提供する。
は、表面から多層膜を所定の量だけ除去して反射波面の
位相補正を行う際の、屈折率の真空との差が大きい物質
層の厚さ当たりの補正量が所望の値になるよう設定され
ていることを特徴とする請求項３に記載の多層膜反射鏡
（請求項４）」を提供する。
【００１８】また本発明は第五に「第二の多層膜の積層
数は、表面から多層膜を所定の量だけ除去して反射波面
の位相補正を行う際の、補正量の最大値が所望の値にな
るように設定されていることを特徴とする請求項２〜４
に記載の多層膜反射鏡（請求項５）」を提供する。
数は、表面から多層膜を所定の量だけ除去して反射波面
の位相補正を行う際の、補正量の最大値が所望の値にな
るように設定されていることを特徴とする請求項２〜４
に記載の多層膜反射鏡（請求項５）」を提供する。
【００１９】また本発明は第六に「第一の多層膜は、モ
リブデンを含む層とシリコンを含む層からなることを特
徴とする請求項２〜５に記載の多層膜反射鏡（請求項
６）」を提供する。
リブデンを含む層とシリコンを含む層からなることを特
徴とする請求項２〜５に記載の多層膜反射鏡（請求項
６）」を提供する。
【００２０】また本発明は第七に「第二の多層膜は、モ
リブデンを含む層とシリコンを含む層からなることを特
徴とする請求項２〜６に記載の多層膜反射鏡（請求項
７）」を提供する。
リブデンを含む層とシリコンを含む層からなることを特
徴とする請求項２〜６に記載の多層膜反射鏡（請求項
７）」を提供する。
【００２１】また本発明は第八に「第二の多層膜の表面
から多層膜の一部が除去されて反射率が変化した部分
に、真空に対する屈折率の差が小さい物質を積層するこ
とによって、反射率が補正されていることを特徴とする
請求項２に記載の多層膜反射鏡（請求項８）」を提供す
る。
から多層膜の一部が除去されて反射率が変化した部分
に、真空に対する屈折率の差が小さい物質を積層するこ
とによって、反射率が補正されていることを特徴とする
請求項２に記載の多層膜反射鏡（請求項８）」を提供す
る。
【００２２】また本発明は第九に「反射率を補正するた
めに表面に積層される層がシリコンを含むことを特徴と
する請求項８に記載の多層膜反射鏡（請求項９）」を提
供する。
めに表面に積層される層がシリコンを含むことを特徴と
する請求項８に記載の多層膜反射鏡（請求項９）」を提
供する。
【００２３】また本発明は第十に「多層膜の周期長が６
〜１２ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項２〜９
に記載の多層膜反射鏡（請求項１０）」を提供する。
〜１２ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項２〜９
に記載の多層膜反射鏡（請求項１０）」を提供する。
【００２４】また本発明は第十一に「請求項２〜１０に
記載の多層膜反射鏡を用いて構成されたことを特徴とす
る軟Ｘ線光学系（請求項１１）」を提供する。
記載の多層膜反射鏡を用いて構成されたことを特徴とす
る軟Ｘ線光学系（請求項１１）」を提供する。
【００２５】また本発明は第十二に「Ｘ線を発生させる
Ｘ線光源と、前記Ｘ線光源からのＸ線をマスクに導く照
明光学系と、前記マスクからのＸ線を感光性基板に導く
投影光学系とを有し、前記マスクのパターンを感光性基
板へ転写する露光装置において、前記照明光学系および
前記マスクおよび前記投影光学系は、請求項２〜１０に
記載の多層膜反射鏡を少なくとも１つ以上有することを
特徴とする露光装置。（請求項１２）」を提供する。
Ｘ線光源と、前記Ｘ線光源からのＸ線をマスクに導く照
明光学系と、前記マスクからのＸ線を感光性基板に導く
投影光学系とを有し、前記マスクのパターンを感光性基
板へ転写する露光装置において、前記照明光学系および
前記マスクおよび前記投影光学系は、請求項２〜１０に
記載の多層膜反射鏡を少なくとも１つ以上有することを
特徴とする露光装置。（請求項１２）」を提供する。
【００２６】
【発明の実施の形態】多層膜除去による光路長の変化Δ
は、前述の通りΔ＝ｎｄ−（ｎA×ｄA＋ｎB×ｄB）で与
えられる（ｎ：真空の屈折率、ｎA：物質Ａの屈折率、
ｎB：物質Ｂの屈折率、ｄ：多層膜の周期長、ｄA：物質
Ａからなる層の厚さ、ｄB：物質Ｂからなる層の厚
さ）。高反射率を得るために一般に多層膜は、真空に対
する屈折率の差が大きい物質と小さい物質から構成され
ている。物質Ａを真空に対する屈折率の差が大きい物質
とする。多層膜の周期長に対する物質Ａ層の厚さの比を
Γとする。光路長の変化は主として物質Ａの層の除去に
よって起こり、物質Ｂの層の除去によっては殆ど光路長
の変化は生じない。従って、多層膜の周期長を一定にし
たまま、Γを小さくすれば、多層膜を一層除去した際の
光路長変化Δを小さくすることができる。
は、前述の通りΔ＝ｎｄ−（ｎA×ｄA＋ｎB×ｄB）で与
えられる（ｎ：真空の屈折率、ｎA：物質Ａの屈折率、
ｎB：物質Ｂの屈折率、ｄ：多層膜の周期長、ｄA：物質
Ａからなる層の厚さ、ｄB：物質Ｂからなる層の厚
さ）。高反射率を得るために一般に多層膜は、真空に対
する屈折率の差が大きい物質と小さい物質から構成され
ている。物質Ａを真空に対する屈折率の差が大きい物質
とする。多層膜の周期長に対する物質Ａ層の厚さの比を
Γとする。光路長の変化は主として物質Ａの層の除去に
よって起こり、物質Ｂの層の除去によっては殆ど光路長
の変化は生じない。従って、多層膜の周期長を一定にし
たまま、Γを小さくすれば、多層膜を一層除去した際の
光路長変化Δを小さくすることができる。
【００２７】しかしながら、Γを変えると多層膜の反射
率が変化する。最大の反射率が得られるΓがあり、Γを
これより小さくしていくと反射率は急激に減少する。図
３に、波長１３．４ｎｍで、直入射で使用するＭｏ／Ｓ
ｉ多層膜（周期長６．８ｎｍ、積層数５０層対）の計算
結果を示す。横軸はΓで、縦軸は左側が反射率、右側が
光路長変化Δを表す。多層膜の一層対除去あたりの光路
長変化Δを小さくするためにΓを小さくしようとする
と、反射率は急激に減少してしまうことがわかる。
率が変化する。最大の反射率が得られるΓがあり、Γを
これより小さくしていくと反射率は急激に減少する。図
３に、波長１３．４ｎｍで、直入射で使用するＭｏ／Ｓ
ｉ多層膜（周期長６．８ｎｍ、積層数５０層対）の計算
結果を示す。横軸はΓで、縦軸は左側が反射率、右側が
光路長変化Δを表す。多層膜の一層対除去あたりの光路
長変化Δを小さくするためにΓを小さくしようとする
と、反射率は急激に減少してしまうことがわかる。
【００２８】本発明では、図１に示すように、反射率が
最大になるようにΓが設定された第一の多層膜１の上
に、所望の光路長変化Δが得られるように、第一の多層
膜よりも小さいΓを有する第二の多層膜２を積層した。
図４は、波長１３．４ｎｍで、直入射で使用するＭｏ／
Ｓｉ多層膜の計算結果を示す。この多層膜は、周期長
６．８ｎｍ、Γ＝１／３、積層数４０層対の第一の多層
膜の上に、周期長６．８ｎｍでΓを変えた第二の多層膜
を１０層対積層したものである。横軸は上層の第二の多
層膜のΓで、縦軸は左側が反射率、右側が光路長変化Δ
を表す。図３と比較して明かなように、Γを小さくして
も反射率の低下は小さく、反射率を大きく犠牲にするこ
となく、多層膜の一層対除去あたりの光路長変化Δを小
さくすることができる。
最大になるようにΓが設定された第一の多層膜１の上
に、所望の光路長変化Δが得られるように、第一の多層
膜よりも小さいΓを有する第二の多層膜２を積層した。
図４は、波長１３．４ｎｍで、直入射で使用するＭｏ／
Ｓｉ多層膜の計算結果を示す。この多層膜は、周期長
６．８ｎｍ、Γ＝１／３、積層数４０層対の第一の多層
膜の上に、周期長６．８ｎｍでΓを変えた第二の多層膜
を１０層対積層したものである。横軸は上層の第二の多
層膜のΓで、縦軸は左側が反射率、右側が光路長変化Δ
を表す。図３と比較して明かなように、Γを小さくして
も反射率の低下は小さく、反射率を大きく犠牲にするこ
となく、多層膜の一層対除去あたりの光路長変化Δを小
さくすることができる。
【００２９】本発明では下層の第一の多層膜は反射率が
最大になるよう最適化されており、上層の第二の多層膜
は所望の光路長変化Δが得られるように設定されてい
る。第二の多層膜を表面から一層ずつを除去していく
と、反射率は上昇していく。図５にその例を示す。図５
は、波長１３．４ｎｍで、直入射で使用するＭｏ／Ｓｉ
多層膜の計算結果を示す。この多層膜は、周期長６．８
ｎｍ、Γ＝１／３、積層数４０層対の第一の多層膜の上
に、周期長６．８ｎｍで異なるΓの第二の多層膜を１０
層対まで積層したときの反射率の変化を示すものであ
る。光路長変化Δは、Γの違いにより、０．２ｎｍ、
０．１ｎｍ、０．０５ｎｍ、０．０２ｎｍの場合が示さ
れている。第二の多層膜の表面から一層ずつ除去してい
くと、図の右から左へ反射率が変化する。例えば、第二
の多層膜がΔ＝０．０５ｎｍで１０層対形成されている
場合、多層膜を除去する前の反射率は６５．２％であ
り、これを５層対除去すると６８．２％、１０層対除去
すると７２．５％となる。多層膜の一層対除去あたりの
光路長変化Δを小さくするほど、また、除去する層数が
増加するほど反射率の変化は大きくなる。このような反
射率の変化は、反射波面形状を補正した後の多層膜反射
鏡の、反射率の面内ムラを生じさせる。反射率の面内ム
ラの許容値から、最適な光路長変化Δと除去する層数を
選択することができる。
最大になるよう最適化されており、上層の第二の多層膜
は所望の光路長変化Δが得られるように設定されてい
る。第二の多層膜を表面から一層ずつを除去していく
と、反射率は上昇していく。図５にその例を示す。図５
は、波長１３．４ｎｍで、直入射で使用するＭｏ／Ｓｉ
多層膜の計算結果を示す。この多層膜は、周期長６．８
ｎｍ、Γ＝１／３、積層数４０層対の第一の多層膜の上
に、周期長６．８ｎｍで異なるΓの第二の多層膜を１０
層対まで積層したときの反射率の変化を示すものであ
る。光路長変化Δは、Γの違いにより、０．２ｎｍ、
０．１ｎｍ、０．０５ｎｍ、０．０２ｎｍの場合が示さ
れている。第二の多層膜の表面から一層ずつ除去してい
くと、図の右から左へ反射率が変化する。例えば、第二
の多層膜がΔ＝０．０５ｎｍで１０層対形成されている
場合、多層膜を除去する前の反射率は６５．２％であ
り、これを５層対除去すると６８．２％、１０層対除去
すると７２．５％となる。多層膜の一層対除去あたりの
光路長変化Δを小さくするほど、また、除去する層数が
増加するほど反射率の変化は大きくなる。このような反
射率の変化は、反射波面形状を補正した後の多層膜反射
鏡の、反射率の面内ムラを生じさせる。反射率の面内ム
ラの許容値から、最適な光路長変化Δと除去する層数を
選択することができる。
【００３０】反射率の面内ムラの許容値が厳しい場合に
は、反射波面形状を補正した後の表面に、真空に対する
屈折率の差が小さい物質を部分的に形成して反射率を均
一になるよう補正することができる。波長１３．４ｎｍ
では、シリコンの屈折率は０．９９８であり、殆ど１で
あるので、表面にシリコン層を形成しても光路長の変化
は殆ど無い。シリコンの吸収計数はａ＝１．４×１０-3
（／ｎｍ）である。シリコン中をｘだけ進むと光の強度
はｅｘｐ（−ａｘ）に低下する。例えば、表面にシリコ
ンを厚さ３７ｎｍ形成すると、反射率を１０％低下させ
ることができる。このときシリコン層形成による光路長
の変化は０．０７ｎｍであり充分小さい。また、予めシ
リコン形成による光路長変化分を考慮して、多層膜除去
による反射波面補正を行っておけば、更に補正精度を向
上させることができる。
は、反射波面形状を補正した後の表面に、真空に対する
屈折率の差が小さい物質を部分的に形成して反射率を均
一になるよう補正することができる。波長１３．４ｎｍ
では、シリコンの屈折率は０．９９８であり、殆ど１で
あるので、表面にシリコン層を形成しても光路長の変化
は殆ど無い。シリコンの吸収計数はａ＝１．４×１０-3
（／ｎｍ）である。シリコン中をｘだけ進むと光の強度
はｅｘｐ（−ａｘ）に低下する。例えば、表面にシリコ
ンを厚さ３７ｎｍ形成すると、反射率を１０％低下させ
ることができる。このときシリコン層形成による光路長
の変化は０．０７ｎｍであり充分小さい。また、予めシ
リコン形成による光路長変化分を考慮して、多層膜除去
による反射波面補正を行っておけば、更に補正精度を向
上させることができる。
【００３１】なお、ここではＥＵＶリソグラフィーで使
われる波長１３．４ｎｍのＭｏ／Ｓｉ多層膜について説
明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、他
の波長域、他の多層膜材料に対しても有効に適用できる
ことは言うまでもない。また、下層の第一の多層膜と上
層の第二の多層膜を構成する材料は同じである必要もな
い。
われる波長１３．４ｎｍのＭｏ／Ｓｉ多層膜について説
明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、他
の波長域、他の多層膜材料に対しても有効に適用できる
ことは言うまでもない。また、下層の第一の多層膜と上
層の第二の多層膜を構成する材料は同じである必要もな
い。
【００３２】
【実施例】本発明をＥＵＶ露光装置の投影光学系に適用
した実施例について説明する。投影光学系は６枚の非球
面ミラーから構成されており、開口数（ＮＡ）が０．２
５、倍率が１／４でリングフィールド状の露光領域を有
している。まず、従来の研磨加工技術により各非球面ミ
ラーを製作した。各ミラーの形状精度は０．５ｎｍＲＭ
Ｓであった。これらを組み立てて得られる波面収差は
２．４ｎｍＲＭＳである。波長１３．４ｎｍで使用する
ためには、波面収差は１ｎｍＲＭＳ程度以下に抑える必
要があるので、このままではミラーの形状精度が不足で
ある。次に、各非球面ミラーの反射面にＭｏ／Ｓｉ多層
膜を形成した。まず、周期長６．８ｎｍ、Γ＝１／３の
多層膜を４０層積層し、その上に周期長６．８ｎｍ、Γ
＝０．１の多層膜を１０層積層した。多層膜はイオンビ
ームスパッタリングにより成膜した。
した実施例について説明する。投影光学系は６枚の非球
面ミラーから構成されており、開口数（ＮＡ）が０．２
５、倍率が１／４でリングフィールド状の露光領域を有
している。まず、従来の研磨加工技術により各非球面ミ
ラーを製作した。各ミラーの形状精度は０．５ｎｍＲＭ
Ｓであった。これらを組み立てて得られる波面収差は
２．４ｎｍＲＭＳである。波長１３．４ｎｍで使用する
ためには、波面収差は１ｎｍＲＭＳ程度以下に抑える必
要があるので、このままではミラーの形状精度が不足で
ある。次に、各非球面ミラーの反射面にＭｏ／Ｓｉ多層
膜を形成した。まず、周期長６．８ｎｍ、Γ＝１／３の
多層膜を４０層積層し、その上に周期長６．８ｎｍ、Γ
＝０．１の多層膜を１０層積層した。多層膜はイオンビ
ームスパッタリングにより成膜した。
【００３３】この多層膜の表面を一層ずつ除去して反射
波面の補正を行った。上層のΓ＝０．１の多層膜を一層
除去すると、光路長が０．０５ｎｍ変化する。各ミラー
の補正を行ったところ、形状精度を０．１５ｎｍＲＭＳ
に低減することができた。これらのミラーを鏡筒機構内
に組み込んで波面収差が最小になるよう調整を行ったと
ころ、波面収差を０．８ｎｍＲＭＳにすることができ
た。これは回折限界の結像性能を得るために充分な値で
ある。このようにして製作した投影光学系をＥＵＶ露光
装置に組み込んで露光テストを行った。３０ｎｍＬ＆Ｓ
の微細なパターンまで解像することができた。
波面の補正を行った。上層のΓ＝０．１の多層膜を一層
除去すると、光路長が０．０５ｎｍ変化する。各ミラー
の補正を行ったところ、形状精度を０．１５ｎｍＲＭＳ
に低減することができた。これらのミラーを鏡筒機構内
に組み込んで波面収差が最小になるよう調整を行ったと
ころ、波面収差を０．８ｎｍＲＭＳにすることができ
た。これは回折限界の結像性能を得るために充分な値で
ある。このようにして製作した投影光学系をＥＵＶ露光
装置に組み込んで露光テストを行った。３０ｎｍＬ＆Ｓ
の微細なパターンまで解像することができた。
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、多層膜の
表面を所定の量だけ除去して反射波面形状を補正する方
法において、補正の単位量を従来よりも小さくすること
ができるので、より精度の高い波面補正が可能になり、
光学系の波面収差を低減して結像特性を向上することが
できる。
表面を所定の量だけ除去して反射波面形状を補正する方
法において、補正の単位量を従来よりも小さくすること
ができるので、より精度の高い波面補正が可能になり、
光学系の波面収差を低減して結像特性を向上することが
できる。
【図１】本発明に係る多層膜反射鏡の概略図である。
【図２】多層膜の表面除去による反射波面位相補正の原
理を説明する図である。
理を説明する図である。
【図３】従来の多層膜のΓに対する反射率と光路長変化
を示す図である。
を示す図である。
【図４】本発明による多層膜のΓに対する反射率と光路
長変化を示す図である。
長変化を示す図である。
【図５】本発明による多層膜の上層第二の多層膜の層数
と反射率を示す図である。
と反射率を示す図である。
【図６】ＥＵＶ露光装置の概略図である。
１・・・第一の多層膜 ２・・・第二の多層膜 Ｃ・・・コンデンサ ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３、ＩＲ４・・・照明光学系の多
層膜ミラー Ｌ・・・プラズマ励起用のレ−ザ Ｍ・・・マスク ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４・・・投影光学系の多
層膜ミラー Ｓ・・・光源 Ｗ・・・ウエハ
層膜ミラー Ｌ・・・プラズマ励起用のレ−ザ Ｍ・・・マスク ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４・・・投影光学系の多
層膜ミラー Ｓ・・・光源 Ｗ・・・ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ２１Ｋ 1/06 Ｇ２１Ｋ 1/06 Ｃ Ｄ 5/02 Ｘ 5/02 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ａ ５１７ Ｆターム(参考） 2H042 DA01 DB02 DB14 DC02 DD05 DE00 2H048 FA05 FA07 FA09 FA11 FA24 GA03 GA11 GA35 GA60 GA61 2H097 CA15 5F046 CB02 GB01 GD01 GD10
Claims (12)
- 【請求項１】 屈折率の異なる二種類の物質が交互に所
定の周期長で積層されてなる第一の多層膜上に、周期長
は第一の多層膜とほぼ等しく、二種類の物質層の厚さの
比が第一の多層膜とは異なる第二の多層膜を積層し、反
射波面の位相を補正するために上層の第二の多層膜を表
面から所望の量だけ除去することを特徴とする多層膜反
射鏡の製造方法。 - 【請求項２】 屈折率の異なる二種類の物質が交互に所
定の周期長で積層されてなる第一の多層膜上に、周期長
は第一の多層膜とほぼ等しく、二種類の物質層の厚さの
比が第一の多層膜とは異なる第二の多層膜を積層し、上
層の第二の多層膜を表面から所望の量だけ除去すること
によって、反射波面の位相が補正されていることを特徴
とする多層膜反射鏡。 - 【請求項３】 多層膜を構成する物質のうち、真空に対
する屈折率の差が大きい物質層の厚さの、周期長に対す
る比をΓとするとき、第一の多層膜のΓよりも第二の多
層膜のΓが小さいことを特徴とする請求項２に記載の多
層膜反射鏡。 - 【請求項４】 第二の多層膜のΓは、表面から多層膜を
所定の量だけ除去して反射波面の位相補正を行う際の、
真空に対する屈折率の差が大きい物質層の厚さ当たりの
補正量が所望の値になるよう設定されていることを特徴
とする請求項３に記載の多層膜反射鏡。 - 【請求項５】 第二の多層膜の積層数は、表面から多層
膜を所定の量だけ除去して反射波面の位相補正を行う際
の、補正量の最大値が所望の値になるように設定されて
いることを特徴とする請求項２〜４に記載の多層膜反射
鏡。 - 【請求項６】 第一の多層膜は、モリブデンを含む層と
シリコンを含む層からなることを特徴とする請求項２〜
５に記載の多層膜反射鏡。 - 【請求項７】 第二の多層膜は、モリブデンを含む層と
シリコンを含む層からなることを特徴とする請求項２〜
６に記載の多層膜反射鏡。 - 【請求項８】 第二の多層膜の表面から多層膜の一部が
除去されて反射率が変化した部分に、真空に対する屈折
率の差が小さい物質を積層することによって、反射率が
補正されていることを特徴とする請求項２に記載の多層
膜反射鏡。 - 【請求項９】 反射率を補正するために表面に積層され
る層がシリコンを含むことを特徴とする請求項８に記載
の多層膜反射鏡。 - 【請求項１０】 多層膜の周期長が６〜１２ｎｍの範囲
であることを特徴とする請求項２〜９に記載の多層膜反
射鏡。 - 【請求項１１】 請求項２〜１０に記載の多層膜反射鏡
を用いて構成されたことを特徴とする軟Ｘ線光学系。 - 【請求項１２】 Ｘ線を発生させるＸ線光源と、前記Ｘ
線光源からのＸ線をマスクに導く照明光学系と、前記マ
スクからのＸ線を感光性基板に導く投影光学系とを有
し、前記マスクのパターンを感光性基板へ転写する露光
装置において、 前記照明光学系および前記マスクおよび前記投影光学系
は、請求項２〜１０に記載の多層膜反射鏡を少なくとも
１つ以上有することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000321028A JP2002134385A (ja) | 2000-10-20 | 2000-10-20 | 多層膜反射鏡および露光装置 |
| TW090125852A TW519574B (en) | 2000-10-20 | 2001-10-19 | Multilayer mirror and method for making the same, and EUV optical system comprising the same, and EUV microlithography system comprising the same |
| US10/012,739 US20020171922A1 (en) | 2000-10-20 | 2001-10-19 | Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for same, and EUV optical systems comprising same |
| KR1020010064952A KR20020031092A (ko) | 2000-10-20 | 2001-10-20 | Ｅｕｖ용 다층 반사 미러, 그를 위한 파면 수차 보정방법, 및 그를 구비하는 ｅｕｖ 광학 시스템 |
| CN01135499A CN1350185A (zh) | 2000-10-20 | 2001-10-22 | 用于euv的多层反射镜、其波前光行差校正法及包含它的euv光学系统 |
| US11/025,002 US20050157384A1 (en) | 2000-10-20 | 2004-12-28 | Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for same, and EUV optical systems comprising same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000321028A JP2002134385A (ja) | 2000-10-20 | 2000-10-20 | 多層膜反射鏡および露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134385A true JP2002134385A (ja) | 2002-05-10 |
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ID=18799224
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|---|---|---|---|
| JP2000321028A Pending JP2002134385A (ja) | 2000-10-20 | 2000-10-20 | 多層膜反射鏡および露光装置 |
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|---|---|
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004109778A1 (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-16 | Nikon Corporation | 多層膜反射鏡及びｘ線露光装置 |
| WO2005038886A1 (ja) * | 2003-10-15 | 2005-04-28 | Nikon Corporation | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、及び露光装置 |
| JP2005340459A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Canon Inc | 投影光学系及び露光装置及びデバイス製造方法及びデバイス |
| JP2007109971A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Hoya Corp | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク |
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