JP2003068209A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
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- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 選択された放電セルを駆動するとき，他の放
電セルの放電状態に与える影響を最少化し，アドレス電
圧マージンを増進して安定したアドレシングを実現する
プラズマディスプレイパネルを提供する。 【解決手段】 任意の間隔をおいて配置される第１及び
第２基板と，第１，第２基板間に非ストライプパターン
を有して配置され複数の放電空間を形成する隔壁と，第
１基板上にこの第１基板の一方向（ｙ）に沿って形成さ
れながら，放電空間の内外に配置される複数のアドレス
電極と，第２基板上にこの第２基板の一方向（ｘ）に沿
って形成されながら，放電空間の内外に配置される複数
の放電維持電極を含み，アドレス電極が放電空間内側に
配置される部位の幅ＡＷが，放電空間の外側に配置され
る部位の幅Ａｗより大きく，ＡＷが，ｘ方向に対する隔
壁の間の距離Ｄの４０〜７５％の範囲で形成されるプラ
ズマディスプレイパネル。
電セルの放電状態に与える影響を最少化し，アドレス電
圧マージンを増進して安定したアドレシングを実現する
プラズマディスプレイパネルを提供する。 【解決手段】 任意の間隔をおいて配置される第１及び
第２基板と，第１，第２基板間に非ストライプパターン
を有して配置され複数の放電空間を形成する隔壁と，第
１基板上にこの第１基板の一方向（ｙ）に沿って形成さ
れながら，放電空間の内外に配置される複数のアドレス
電極と，第２基板上にこの第２基板の一方向（ｘ）に沿
って形成されながら，放電空間の内外に配置される複数
の放電維持電極を含み，アドレス電極が放電空間内側に
配置される部位の幅ＡＷが，放電空間の外側に配置され
る部位の幅Ａｗより大きく，ＡＷが，ｘ方向に対する隔
壁の間の距離Ｄの４０〜７５％の範囲で形成されるプラ
ズマディスプレイパネル。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネルに関し，より詳しくは，一組のＲ，Ｇ，Ｂ放電
セルが表示面内で略三角形状に配列された，いわゆるデ
ルタ形プラズマディスプレイパネルに関する。
イパネルに関し，より詳しくは，一組のＲ，Ｇ，Ｂ放電
セルが表示面内で略三角形状に配列された，いわゆるデ
ルタ形プラズマディスプレイパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にプラズマディスプレイパネル（Ｐ
ＤＰ；Plasma Display Panel，以下，便宜上，「ＰＤ
Ｐ」と称する）は，気体放電により生成された紫外線で
蛍光体を励起して所定の映像を再現する表示装置であ
る。このＰＤＰは，高解像度の大画面構成が可能で，次
世代薄形表示装置として脚光を浴びている。
ＤＰ；Plasma Display Panel，以下，便宜上，「ＰＤ
Ｐ」と称する）は，気体放電により生成された紫外線で
蛍光体を励起して所定の映像を再現する表示装置であ
る。このＰＤＰは，高解像度の大画面構成が可能で，次
世代薄形表示装置として脚光を浴びている。
【０００３】従来のＰＤＰを放電セルのＲＧＢ３色配列
パターンによって区分すると，第１に，隔壁によって区
画形成される一組の放電セル群（Ｒ，Ｇ，Ｂ），つま
り，気体放電を行なう空間群がストライプパターンとし
て略直線状に配列されるストライプ形と，第２に，上記
放電セルが非ストライプ，例えば，略三角形パターンに
配列されるデルタ形に分けられる。このようなＲＧＢ放
電セルの配置法は，モワレ発生などが実効解像度に影響
を与える。このため，動作原理が異なるＣＲＴ表示装置
とは若干異なる観点から，ＲＧＢ放電セルの実用的配置
法が研究されている。
パターンによって区分すると，第１に，隔壁によって区
画形成される一組の放電セル群（Ｒ，Ｇ，Ｂ），つま
り，気体放電を行なう空間群がストライプパターンとし
て略直線状に配列されるストライプ形と，第２に，上記
放電セルが非ストライプ，例えば，略三角形パターンに
配列されるデルタ形に分けられる。このようなＲＧＢ放
電セルの配置法は，モワレ発生などが実効解像度に影響
を与える。このため，動作原理が異なるＣＲＴ表示装置
とは若干異なる観点から，ＲＧＢ放電セルの実用的配置
法が研究されている。
【０００４】従来型の公知のデルタ形ＰＤＰは，上部基
板と下部基板との間にデルタ形に配列される複数のＲ，
Ｇ，Ｂ３色放電セルを配置し，各放電セルに対応して上
部基板には放電維持電極を，下部基板にはアドレス電極
を形成して構成される。また，放電維持電極（「表示電
極」とも称する）として大面積の透明電極と低抵抗小面
積の金属電極とを重ねたものが発表されている。
板と下部基板との間にデルタ形に配列される複数のＲ，
Ｇ，Ｂ３色放電セルを配置し，各放電セルに対応して上
部基板には放電維持電極を，下部基板にはアドレス電極
を形成して構成される。また，放電維持電極（「表示電
極」とも称する）として大面積の透明電極と低抵抗小面
積の金属電極とを重ねたものが発表されている。
【０００５】従来型放電セルのデルタ形配列は，例え
ば，略四角形状の隔壁を適宜配列して構成される。各セ
ルの背面中央部にはアドレス電極線があり，正面のセル
上には維持電極線があって，アドレス電極線と概ね直交
している。
ば，略四角形状の隔壁を適宜配列して構成される。各セ
ルの背面中央部にはアドレス電極線があり，正面のセル
上には維持電極線があって，アドレス電極線と概ね直交
している。
【０００６】このようなデルタ形ＰＤＰは，選択された
放電セルに対応してセル両側にある一対の放電維持電極
（一方を「維持」，他方を「走査」と称することもあ
る）のうちのいずれか一つの放電維持電極とアドレス電
極（「データ電極」と称することもある）との間にアド
レス電圧（Ｖａ）を印加すれば放電が始まり，上記一対
の放電維持電極間に交流の放電維持電圧（Ｖｓ）を印加
している間，放電が続く。そして，放電で発生した紫外
線が放電セルの蛍光体を励起して可視光を放出すること
によって，所望の映像が形成される。
放電セルに対応してセル両側にある一対の放電維持電極
（一方を「維持」，他方を「走査」と称することもあ
る）のうちのいずれか一つの放電維持電極とアドレス電
極（「データ電極」と称することもある）との間にアド
レス電圧（Ｖａ）を印加すれば放電が始まり，上記一対
の放電維持電極間に交流の放電維持電圧（Ｖｓ）を印加
している間，放電が続く。そして，放電で発生した紫外
線が放電セルの蛍光体を励起して可視光を放出すること
によって，所望の映像が形成される。
【０００７】上記デルタ形ＰＤＰに関する従来技術とし
ては，米国特許第５，１８２，４８９号に開示されたプ
ラズマディスプレイがある。
ては，米国特許第５，１８２，４８９号に開示されたプ
ラズマディスプレイがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし，上記特許技術
をはじめとするデルタ形ＰＤＰにおいては，一つの放電
セル（例：Ｒ及びＢ放電セル）を区画する隔壁の下に配
置される。このため，Ｇ放電セルを放電させるとき，ア
ドレス電極に印加されるアドレス電圧によって隣接する
Ｒ及びＢ放電セルの放電状態に影響を与えるようにな
る。
をはじめとするデルタ形ＰＤＰにおいては，一つの放電
セル（例：Ｒ及びＢ放電セル）を区画する隔壁の下に配
置される。このため，Ｇ放電セルを放電させるとき，ア
ドレス電極に印加されるアドレス電圧によって隣接する
Ｒ及びＢ放電セルの放電状態に影響を与えるようにな
る。
【０００９】したがって，デルタ形ＰＤＰではアドレス
電圧に対するマージンを大きくすることができるが，こ
のアドレス電圧の上限値を小さくしなければならない制
約がある。これによってＰＤＰ全体の駆動が難しくなる
問題点がある。ここで「アドレス電圧マージン」とは，
選択された放電セルに対して安定した放電状態を維持す
るためのアドレス電圧の上限値と下限値との差を意味す
る。
電圧に対するマージンを大きくすることができるが，こ
のアドレス電圧の上限値を小さくしなければならない制
約がある。これによってＰＤＰ全体の駆動が難しくなる
問題点がある。ここで「アドレス電圧マージン」とは，
選択された放電セルに対して安定した放電状態を維持す
るためのアドレス電圧の上限値と下限値との差を意味す
る。
【００１０】さらに，従来のデルタ形ＰＤＰでは，放電
維持電極が単純なラインパターンであるため，アドレス
電極と略垂直方向に隔壁上に配置されながら各放電セル
内にも放電維持電極がある程度置かれる構造を有する。
このような放電維持電極の形状では，アドレス電極によ
るアドレシング作用のとき，選択された放電セル以外の
放電セルに対して望まない放電を誘発すると共に，選択
された放電セルに対する安定したアドレシングを妨害す
るため，ＰＤＰ全体の駆動を難しくすることがある。
維持電極が単純なラインパターンであるため，アドレス
電極と略垂直方向に隔壁上に配置されながら各放電セル
内にも放電維持電極がある程度置かれる構造を有する。
このような放電維持電極の形状では，アドレス電極によ
るアドレシング作用のとき，選択された放電セル以外の
放電セルに対して望まない放電を誘発すると共に，選択
された放電セルに対する安定したアドレシングを妨害す
るため，ＰＤＰ全体の駆動を難しくすることがある。
【００１１】本発明は上記問題点を解決するために案出
されたものであって，本発明の目的は，選択された放電
セルの駆動時に他の放電セルの放電状態に与える影響を
最少化しながらも，アドレス電圧マージンを増進させて
安定したアドレシングを実現できるプラズマディスプレ
イパネルを提供することにある。
されたものであって，本発明の目的は，選択された放電
セルの駆動時に他の放電セルの放電状態に与える影響を
最少化しながらも，アドレス電圧マージンを増進させて
安定したアドレシングを実現できるプラズマディスプレ
イパネルを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を実現
するために，任意の間隔をおいて配置される第１基板及
び第２基板と；第１基板と第２基板との間に配置されて
複数の放電空間を形成する隔壁と；第１基板上にこの第
１基板の一方向（ｙ軸）に沿って形成されながら，放電
空間の内外に配置される複数のアドレス電極と；第２基
板上にこの第２基板の一方向（ｘ軸）に沿って形成され
ながら，放電空間の内外に配置される複数の放電維持電
極とを含み，アドレス電極が放電空間内側に配置される
大電極部及び放電空間の外側に配置される小電極部を含
み，大電極部の幅をＡＷ，小電極部の幅をＡｗ，ｘ方向
に対する隔壁の間の距離をＤとするとき，ＡＷがＡｗよ
り大きく，ＡＷがＤの４０〜７５％の範囲からなるよう
にして形成されるプラズマディスプレイパネルを提供す
る。
するために，任意の間隔をおいて配置される第１基板及
び第２基板と；第１基板と第２基板との間に配置されて
複数の放電空間を形成する隔壁と；第１基板上にこの第
１基板の一方向（ｙ軸）に沿って形成されながら，放電
空間の内外に配置される複数のアドレス電極と；第２基
板上にこの第２基板の一方向（ｘ軸）に沿って形成され
ながら，放電空間の内外に配置される複数の放電維持電
極とを含み，アドレス電極が放電空間内側に配置される
大電極部及び放電空間の外側に配置される小電極部を含
み，大電極部の幅をＡＷ，小電極部の幅をＡｗ，ｘ方向
に対する隔壁の間の距離をＤとするとき，ＡＷがＡｗよ
り大きく，ＡＷがＤの４０〜７５％の範囲からなるよう
にして形成されるプラズマディスプレイパネルを提供す
る。
【００１３】上記プラズマディスプレイパネルにおい
て，隔壁により形成される一組のＲ，Ｇ，Ｂ放電空間
は，表示面内で略三角形状に配列される。このとき，
Ｒ，Ｇ，Ｂ各放電空間の横断面は，略四角形からなるの
が好ましい。
て，隔壁により形成される一組のＲ，Ｇ，Ｂ放電空間
は，表示面内で略三角形状に配列される。このとき，
Ｒ，Ｇ，Ｂ各放電空間の横断面は，略四角形からなるの
が好ましい。
【００１４】上記プラズマディスプレイパネルにおい
て，放電空間の各Ｒ，Ｇ，Ｂ放電空間内に配置されるア
ドレス電極の幅をＡＷＲ，ＡＷＧ，ＡＷＢとするとき，
このＡＷＲ，ＡＷＧ，ＡＷＢは次の条件を満足するのが
さらに好ましい。 ＡＷＲ＜ＡＷＧ＜ＡＷＢ
て，放電空間の各Ｒ，Ｇ，Ｂ放電空間内に配置されるア
ドレス電極の幅をＡＷＲ，ＡＷＧ，ＡＷＢとするとき，
このＡＷＲ，ＡＷＧ，ＡＷＢは次の条件を満足するのが
さらに好ましい。 ＡＷＲ＜ＡＷＧ＜ＡＷＢ
【００１５】上記プラズマディスプレイパネルにおいて
各放電空間内側に位置するアドレス電極部位の形状は，
略円形または略多角形からなるのが好ましい。
各放電空間内側に位置するアドレス電極部位の形状は，
略円形または略多角形からなるのが好ましい。
【００１６】上記プラズマディスプレイパネルにおい
て，放電維持電極は，隔壁に沿ってこの隔壁上に配置さ
れるメイン電極及びこのメイン電極から延長形成されて
放電空間内に配置されるサブ電極を含んでなるのが好ま
しい。
て，放電維持電極は，隔壁に沿ってこの隔壁上に配置さ
れるメイン電極及びこのメイン電極から延長形成されて
放電空間内に配置されるサブ電極を含んでなるのが好ま
しい。
【００１７】上記プラズマディスプレイパネルにおい
て，放電空間の各Ｒ，Ｇ，Ｂ放電空間内に配置されるサ
ブ電極の幅をＳＷＲ，ＳＷＧ，ＳＷＢとするとき，この
ＳＷＲ，ＳＷＧ，ＳＷＢが次の条件を満足することがさ
らに好ましい。 ＳＷＲ＜ＳＷＧ＜ＳＷＢ
て，放電空間の各Ｒ，Ｇ，Ｂ放電空間内に配置されるサ
ブ電極の幅をＳＷＲ，ＳＷＧ，ＳＷＢとするとき，この
ＳＷＲ，ＳＷＧ，ＳＷＢが次の条件を満足することがさ
らに好ましい。 ＳＷＲ＜ＳＷＧ＜ＳＷＢ
【００１８】また，本発明において，放電空間内に配置
されるサブ電極の幅をＳＷとするとき，ＡＷは次の条件
を満足してなされるのが好ましい。 ＡＷ＝ａ×ＳＷ（０＜ａ≦１）
されるサブ電極の幅をＳＷとするとき，ＡＷは次の条件
を満足してなされるのが好ましい。 ＡＷ＝ａ×ＳＷ（０＜ａ≦１）
【００１９】上記ａは，次の条件を満足するのがさらに
好ましい。 ０．５≦ａ≦１
好ましい。 ０．５≦ａ≦１
【００２０】上記プラズマディスプレイパネルにおい
て，放電空間内に配置されるサブ電極の幅をＳＷとする
とき，ＡＷは次の条件を満足してなされるのが好まし
い。 ＡＷ＝ＳＷ−ｂ（０≦ｂ＜ＳＷ）
て，放電空間内に配置されるサブ電極の幅をＳＷとする
とき，ＡＷは次の条件を満足してなされるのが好まし
い。 ＡＷ＝ＳＷ−ｂ（０≦ｂ＜ＳＷ）
【００２１】上記ｂは，次の条件を満足するのがさらに
好ましい。 ＳＷ／２≦ｂ≦ＳＷ
好ましい。 ＳＷ／２≦ｂ≦ＳＷ
【００２２】上記プラズマディスプレイパネルにおい
て，サブ電極の形状は，略多角形からなるのが好まし
い。
て，サブ電極の形状は，略多角形からなるのが好まし
い。
【００２３】上記プラズマディスプレイパネルにおい
て，サブ電極は，メイン電極から略垂直に延長形成され
る第１電極部と，この第１電極部の端部でメイン電極と
略平行に配置されるように延長形成される第２電極部と
を含んでなるのが好ましい。
て，サブ電極は，メイン電極から略垂直に延長形成され
る第１電極部と，この第１電極部の端部でメイン電極と
略平行に配置されるように延長形成される第２電極部と
を含んでなるのが好ましい。
【００２４】上記プラズマディスプレイパネルにおい
て，サブ電極は，所定の間隔をおいてメイン電極から略
垂直に延長形成される一対の第１電極部と，この第１電
極部の端部に互いに連結して配置される第２電極部とを
含んでなるのが好ましい。
て，サブ電極は，所定の間隔をおいてメイン電極から略
垂直に延長形成される一対の第１電極部と，この第１電
極部の端部に互いに連結して配置される第２電極部とを
含んでなるのが好ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下に，本発明のいくつかの実施
の形態を，図面を用いて説明する。なお，本明細書及び
図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要
素については，同一の符号を付することにより重複説明
を省略する。
の形態を，図面を用いて説明する。なお，本明細書及び
図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要
素については，同一の符号を付することにより重複説明
を省略する。
【００２６】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態によるプラズマディスプレイパネルを示し
た部分分解斜視図であり，図２は本発明の第１の実施の
形態によるプラズマディスプレイパネルを結合した状態
を示した部分断面図である。
の実施の形態によるプラズマディスプレイパネルを示し
た部分分解斜視図であり，図２は本発明の第１の実施の
形態によるプラズマディスプレイパネルを結合した状態
を示した部分断面図である。
【００２７】図示したように，本発明の第１の実施の形
態によるプラズマディスプレイパネル（以下，便宜上，
「ＰＤＰ」と称する）は，複数のＲ，Ｇ，Ｂ放電空間が
略四角形上の隔壁によって区画され，一対のＲ，Ｇ，Ｂ
３色放電空間が表示面内で略三角形状に配列する，いわ
ゆるデルタ形交流ＰＤＰであって，各放電空間に制御を
独立的に行って所定の映像を実現する。
態によるプラズマディスプレイパネル（以下，便宜上，
「ＰＤＰ」と称する）は，複数のＲ，Ｇ，Ｂ放電空間が
略四角形上の隔壁によって区画され，一対のＲ，Ｇ，Ｂ
３色放電空間が表示面内で略三角形状に配列する，いわ
ゆるデルタ形交流ＰＤＰであって，各放電空間に制御を
独立的に行って所定の映像を実現する。
【００２８】上記ＰＤＰの構成をより具体的に説明する
と，まずＰＤＰは任意の間隔をおいて実質的に平行に配
置される第１基板２（以下，便宜上，「下部基板」と称
する）と第２基板４（以下，便宜上，「上部基板」と称
する）とを備える。前述の「表示面」とは放電空間群が
配列される仮想平面であって，一般に上記基板と略平行
である。
と，まずＰＤＰは任意の間隔をおいて実質的に平行に配
置される第１基板２（以下，便宜上，「下部基板」と称
する）と第２基板４（以下，便宜上，「上部基板」と称
する）とを備える。前述の「表示面」とは放電空間群が
配列される仮想平面であって，一般に上記基板と略平行
である。
【００２９】下部基板２と上部基板４との間には，所定
の高さを有して非ストライプパターンを有しながら複数
の３色放電空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）を区画形成する隔
壁８が配置される。
の高さを有して非ストライプパターンを有しながら複数
の３色放電空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）を区画形成する隔
壁８が配置される。
【００３０】本実施の形態で隔壁８は，放電空間（６
Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）からなる一組のＲ，Ｇ，Ｂ放電空間が
表示面内で略三角形状に配列されるようにしながら，
Ｒ，Ｇ，Ｂ放電空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）の横断面
（ｘ，ｙ面）が略四角形状となるように形成される。
Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）からなる一組のＲ，Ｇ，Ｂ放電空間が
表示面内で略三角形状に配列されるようにしながら，
Ｒ，Ｇ，Ｂ放電空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）の横断面
（ｘ，ｙ面）が略四角形状となるように形成される。
【００３１】下部基板２上には複数のアドレス電極１０
が下部基板２の一方向（ｙ軸）に沿って放電空間（６
Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）の内外に配置されるように形成され，
誘電層１２がアドレス電極１０を覆いながら下部基板２
前面に形成される。
が下部基板２の一方向（ｙ軸）に沿って放電空間（６
Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）の内外に配置されるように形成され，
誘電層１２がアドレス電極１０を覆いながら下部基板２
前面に形成される。
【００３２】本実施の形態でアドレス電極１０は，放電
空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）の外側，つまり，ｙ方向に沿
って隔壁８内に配置される小電極部１０ａと放電空間
（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）の内側に配置される大電極部１０
ｂとを含んでなる。
空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）の外側，つまり，ｙ方向に沿
って隔壁８内に配置される小電極部１０ａと放電空間
（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）の内側に配置される大電極部１０
ｂとを含んでなる。
【００３３】言い換えると，アドレス電極１０は異なる
幅を有する小電極部１０と大電極部１０ｂとが組み合わ
されて形成される。
幅を有する小電極部１０と大電極部１０ｂとが組み合わ
されて形成される。
【００３４】一方，上部基板４上には各放電空間（６
Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）に対して一定の放電ギャップ（Ｇ）を
おいて配置される放電維持電極１４が上部基板４の一方
向（ｘ軸）に沿って複数形成されるが，この放電維持電
極１４もやはり放電空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）の内外に
配置されるように形成される。
Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）に対して一定の放電ギャップ（Ｇ）を
おいて配置される放電維持電極１４が上部基板４の一方
向（ｘ軸）に沿って複数形成されるが，この放電維持電
極１４もやはり放電空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）の内外に
配置されるように形成される。
【００３５】つまり，本実施の形態で放電維持電極１４
は，ｘ方向に沿って隔壁８内に配置されるメイン電極１
４ａと，このメイン電極１４ａから略垂直な状態で延長
形成されて放電空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）内に対向する
ように配置されるサブ電極１４ｂとを含んでなる。本実
施の形態において，メイン電極１４ａは，例えば，金属
（例：Ａｇ）のような不透明名材質で形成され，サブ電
極１４ｂは，例えば，ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の
ように透明な材質で形成されることができる。
は，ｘ方向に沿って隔壁８内に配置されるメイン電極１
４ａと，このメイン電極１４ａから略垂直な状態で延長
形成されて放電空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）内に対向する
ように配置されるサブ電極１４ｂとを含んでなる。本実
施の形態において，メイン電極１４ａは，例えば，金属
（例：Ａｇ）のような不透明名材質で形成され，サブ電
極１４ｂは，例えば，ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の
ように透明な材質で形成されることができる。
【００３６】また，上部基板４上には，放電維持電極１
４を覆いながら上部基板４の前面に塗布される透明な誘
電層１６と，例えばＭｇＯからなる保護層１８が積層形
成される。
４を覆いながら上部基板４の前面に塗布される透明な誘
電層１６と，例えばＭｇＯからなる保護層１８が積層形
成される。
【００３７】同時に，放電空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）内
の隔壁８の側面及び誘電層１２の上面には，各放電空間
（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）に対応してＲ，Ｇ，Ｂ蛍光体から
なる蛍光層（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）が形成される。
の隔壁８の側面及び誘電層１２の上面には，各放電空間
（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）に対応してＲ，Ｇ，Ｂ蛍光体から
なる蛍光層（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）が形成される。
【００３８】ここで，本実施の形態が提供するＰＤＰ
は，アドレス電圧マージンを増加させるためにアドレス
電極１０の線間幅を変化させる。図３は図１に示したＰ
ＤＰの下部基板２部位を示した部分平面図である。図２
と図３に示したように，アドレス電極１０は，大電極部
１０Ｂの幅をＡＷとし，小電極部１０ａの幅をＡｗとす
るとき，ＡＷをＡｗより大きくして構成される。
は，アドレス電圧マージンを増加させるためにアドレス
電極１０の線間幅を変化させる。図３は図１に示したＰ
ＤＰの下部基板２部位を示した部分平面図である。図２
と図３に示したように，アドレス電極１０は，大電極部
１０Ｂの幅をＡＷとし，小電極部１０ａの幅をＡｗとす
るとき，ＡＷをＡｗより大きくして構成される。
【００３９】つまり，Ｒ放電空間（６Ｒ）とＢ放電空間
（６Ｂ）内部を通過するアドレス電極１０の大電極部１
０ｂは，ＡＷの幅を有し，Ｒ放電空間６ＲとＢ放電空間
６Ｂの外側に隔壁８の下を通過するアドレス電極１０の
小電極部１０ａは，Ａｗの幅を有する。もちろん，Ｇ放
電空間（６Ｇ）に対応するアドレス電極１０の大電極部
１０ｂも，Ｇ放電空間（６Ｇ）内部ではＡＷの幅を有し
て形成される。
（６Ｂ）内部を通過するアドレス電極１０の大電極部１
０ｂは，ＡＷの幅を有し，Ｒ放電空間６ＲとＢ放電空間
６Ｂの外側に隔壁８の下を通過するアドレス電極１０の
小電極部１０ａは，Ａｗの幅を有する。もちろん，Ｇ放
電空間（６Ｇ）に対応するアドレス電極１０の大電極部
１０ｂも，Ｇ放電空間（６Ｇ）内部ではＡＷの幅を有し
て形成される。
【００４０】このようにアドレス電極１０に対して部位
別に幅を変化させると，放電空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）
内部の放電分布を異なるようにすることができる。例え
ば，アドレス電極１０の大電極部１０ｂの幅が増加する
ほど，アドレス電極１０の小電極部１０ｂによって形成
された電位によって選択されたセルでない他のセルの放
電状態に与える影響力を減少させることができる。
別に幅を変化させると，放電空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）
内部の放電分布を異なるようにすることができる。例え
ば，アドレス電極１０の大電極部１０ｂの幅が増加する
ほど，アドレス電極１０の小電極部１０ｂによって形成
された電位によって選択されたセルでない他のセルの放
電状態に与える影響力を減少させることができる。
【００４１】例を挙げて説明すると，Ｇピクセルをつけ
るためにはＧ放電空間（６Ｇ）を通るアドレス電極１０
に７０Ｖの電圧を印加し，Ｒ放電空間（６Ｒ）とＢ放電
空間（６Ｂ）を通るアドレス電極１０に０Ｖの電圧を印
加する。このとき，従来の場合では，ＲピクセルとＢピ
クセルとを区画する隔壁８の下を通るＧピクセルに対す
るアドレス電極１０の電位分布によってＲピクセルとＢ
ピクセルの放電状態に影響を与えた。しかし，本実施の
形態においては，Ｒ放電空間（６Ｒ）とＢ放電空間（６
Ｂ）内に配置された該当アドレス電極１０の大電極部１
０ｂの面積が隔壁８の下を通る。言い換えると，大電極
部１０ｂのサイドに配置されたＧピクセルに対するアド
レス電極１０の小電極部１０ａの面積より大電極部１０
ｂの面積が大きいために，この小電極部１０ａによって
形成される電位分布の影響をあまり受けなくなる。
るためにはＧ放電空間（６Ｇ）を通るアドレス電極１０
に７０Ｖの電圧を印加し，Ｒ放電空間（６Ｒ）とＢ放電
空間（６Ｂ）を通るアドレス電極１０に０Ｖの電圧を印
加する。このとき，従来の場合では，ＲピクセルとＢピ
クセルとを区画する隔壁８の下を通るＧピクセルに対す
るアドレス電極１０の電位分布によってＲピクセルとＢ
ピクセルの放電状態に影響を与えた。しかし，本実施の
形態においては，Ｒ放電空間（６Ｒ）とＢ放電空間（６
Ｂ）内に配置された該当アドレス電極１０の大電極部１
０ｂの面積が隔壁８の下を通る。言い換えると，大電極
部１０ｂのサイドに配置されたＧピクセルに対するアド
レス電極１０の小電極部１０ａの面積より大電極部１０
ｂの面積が大きいために，この小電極部１０ａによって
形成される電位分布の影響をあまり受けなくなる。
【００４２】これによりＲピクセルとＢピクセルとは，
Ｇピクセルのオン／オフに関係なく，より安定した放電
状態を維持することができる。
Ｇピクセルのオン／オフに関係なく，より安定した放電
状態を維持することができる。
【００４３】したがって，ＰＤＰは各アドレス電極１０
に印加されるアドレス電圧の上限値を高めることがで
き，これによってアドレス電圧マージンを増加させて駆
動させることができる。
に印加されるアドレス電圧の上限値を高めることがで
き，これによってアドレス電圧マージンを増加させて駆
動させることができる。
【００４４】上記で各放電空間（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）内
に位置した各アドレス電極１０の大電極部１０ｂの幅
（ＡＷ）は，各放電空間でアドレス電極１０と略平行に
位置する二つの隔壁８の間の距離（Ｄ），すなわち，放
電空間の横方向幅の４０〜７５％の範囲からなるのが好
ましい。
に位置した各アドレス電極１０の大電極部１０ｂの幅
（ＡＷ）は，各放電空間でアドレス電極１０と略平行に
位置する二つの隔壁８の間の距離（Ｄ），すなわち，放
電空間の横方向幅の４０〜７５％の範囲からなるのが好
ましい。
【００４５】これは本出願の発明者による実験の結果，
アドレス電極１０の大電極部１０ｂの幅（ＡＷ）が隔壁
８の間の距離（Ｄ）の４０％未満に設定されると，十分
なアドレス電圧マージンが確保できないため，安定した
放電条件を実現するのは難しく，また，アドレス電極１
０の大電極部１０ｂの幅（ＡＷ）がＤの７５％を超えて
設定されると，隔壁８の下を通過するアドレス電極１０
の小電極部１０ａとのショット発生が起こる可能性が高
まるためである。
アドレス電極１０の大電極部１０ｂの幅（ＡＷ）が隔壁
８の間の距離（Ｄ）の４０％未満に設定されると，十分
なアドレス電圧マージンが確保できないため，安定した
放電条件を実現するのは難しく，また，アドレス電極１
０の大電極部１０ｂの幅（ＡＷ）がＤの７５％を超えて
設定されると，隔壁８の下を通過するアドレス電極１０
の小電極部１０ａとのショット発生が起こる可能性が高
まるためである。
【００４６】図４，図５，及び図６は，各々本発明のＰ
ＤＰ（本実施の形態，図４）と，本発明の比較例による
ＰＤＰ（比較例，図５，図６）で，それぞれのＲ，Ｇ，
Ｂピクセル別に維持電圧（Ｖｓ）に対するアドレス電圧
（Ｖａ）マージンを測定したグラフである。参考とし
て，各グラフにおいて上側に表示された線がアドレス電
圧（Ｖａ）の上限値を示し，グラフの下側に表示された
線がアドレス電圧（Ｖａ）の下限値を示す。そして，こ
のアドレス電圧（Ｖａ）の上限値と下限値との差が，ア
ドレス電圧マージンを意味する。
ＤＰ（本実施の形態，図４）と，本発明の比較例による
ＰＤＰ（比較例，図５，図６）で，それぞれのＲ，Ｇ，
Ｂピクセル別に維持電圧（Ｖｓ）に対するアドレス電圧
（Ｖａ）マージンを測定したグラフである。参考とし
て，各グラフにおいて上側に表示された線がアドレス電
圧（Ｖａ）の上限値を示し，グラフの下側に表示された
線がアドレス電圧（Ｖａ）の下限値を示す。そして，こ
のアドレス電圧（Ｖａ）の上限値と下限値との差が，ア
ドレス電圧マージンを意味する。
【００４７】また，本発明の実施の形態と比較例全てに
おけるＲ，Ｇ，Ｂピクセルの大きさは７２０×５４０μ
ｍ，即ち，Ｄが７２０μｍであり，本実施の形態でアド
レス電極１０の大電極部１０ｂの幅（ＡＷ）は３００μ
ｍ，小電極部１０ａの幅（Ａｗ）は６０μｍであり，比
較例に使用されたＰＤＰにおいて，アドレス電極の大電
極幅は各々１００μｍと２００μｍであった。
おけるＲ，Ｇ，Ｂピクセルの大きさは７２０×５４０μ
ｍ，即ち，Ｄが７２０μｍであり，本実施の形態でアド
レス電極１０の大電極部１０ｂの幅（ＡＷ）は３００μ
ｍ，小電極部１０ａの幅（Ａｗ）は６０μｍであり，比
較例に使用されたＰＤＰにおいて，アドレス電極の大電
極幅は各々１００μｍと２００μｍであった。
【００４８】図４，図５，及び図６のグラフから分かる
ように，本実施の形態によるＰＤＰは，Ｇピクセルに対
するアドレス電圧上限値を従来より上昇させ，Ｒ，Ｇ，
Ｂ各ピクセルに対するアドレス電圧下限値を従来より全
て低くなることが分かる。
ように，本実施の形態によるＰＤＰは，Ｇピクセルに対
するアドレス電圧上限値を従来より上昇させ，Ｒ，Ｇ，
Ｂ各ピクセルに対するアドレス電圧下限値を従来より全
て低くなることが分かる。
【００４９】実質的に本実施の形態によるＰＤＰは，比
較例に比べてアドレス電圧マージンを３０Ｖ程度増加さ
せることができた。
較例に比べてアドレス電圧マージンを３０Ｖ程度増加さ
せることができた。
【００５０】（第２の実施の形態）一方，上記のように
放電空間内部を通過するアドレス電極１０の幅を増加さ
せると各ピクセルに対する輝度が増加するが，ＰＤＰの
実質的な作用のためには各Ｒ，Ｇ，Ｂピクセルに対する
適正の輝度比調整が必要である。そこで，本発明の実施
の形態では，次のように各ピクセルに対する輝度比を調
整している。
放電空間内部を通過するアドレス電極１０の幅を増加さ
せると各ピクセルに対する輝度が増加するが，ＰＤＰの
実質的な作用のためには各Ｒ，Ｇ，Ｂピクセルに対する
適正の輝度比調整が必要である。そこで，本発明の実施
の形態では，次のように各ピクセルに対する輝度比を調
整している。
【００５１】図７は本発明の第２の実施の形態によるＰ
ＤＰにおいて下部基板部位を示した部分平面図である。
第２の実施の形態でアドレス電極３０は，各放電空間
（３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ）の内部を通過する大電極部
３０ｂの幅（ＡＷＲ，ＡＷＧ，ＡＷＢ）が隔壁３４の下
を通る小電極部３０ａの幅（ＡｗＲ，ＡｗＧ，ＡｗＢ）
より大きく構成される。また，Ｒ，Ｇ，Ｂ蛍光層（３６
Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ）の発光効率によって，大電極部３
０ｂの幅（ＡＷＲ，ＡＷＧ，ＡＷＢ）を別にして構成さ
れる。
ＤＰにおいて下部基板部位を示した部分平面図である。
第２の実施の形態でアドレス電極３０は，各放電空間
（３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ）の内部を通過する大電極部
３０ｂの幅（ＡＷＲ，ＡＷＧ，ＡＷＢ）が隔壁３４の下
を通る小電極部３０ａの幅（ＡｗＲ，ＡｗＧ，ＡｗＢ）
より大きく構成される。また，Ｒ，Ｇ，Ｂ蛍光層（３６
Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ）の発光効率によって，大電極部３
０ｂの幅（ＡＷＲ，ＡＷＧ，ＡＷＢ）を別にして構成さ
れる。
【００５２】つまり，第２の実施の形態において，アド
レス電極３０は，各Ｒ，Ｇ，Ｂピクセルに対する大電極
部３０の幅（ＡＷＲ，ＡＷＧ，ＡＷＢ）が次の条件を満
足するように構成される。 ＡＷＲ＜ＡＷＧ＜ＡＷＢ
レス電極３０は，各Ｒ，Ｇ，Ｂピクセルに対する大電極
部３０の幅（ＡＷＲ，ＡＷＧ，ＡＷＢ）が次の条件を満
足するように構成される。 ＡＷＲ＜ＡＷＧ＜ＡＷＢ
【００５３】Ｂピクセルに対応するアドレス電極３０の
大電極部３０ｂの幅を，他のピクセルの大電極部の幅よ
り最も大きく設定することは，Ｂ蛍光層３６Ｂの発光効
率が最も低いためである。
大電極部３０ｂの幅を，他のピクセルの大電極部の幅よ
り最も大きく設定することは，Ｂ蛍光層３６Ｂの発光効
率が最も低いためである。
【００５４】つまり，Ｒ，Ｇ，Ｂピクセル別に該当アド
レス電極３０の大電極部３０の幅を変化させることによ
り，Ｒ，Ｇ，Ｂピクセルの輝度比を容易に調整すること
ができる。そして，上記条件によってＲ，Ｇ，Ｂピクセ
ル別にアドレス電極３０の大電極部３０ｂの幅を対応さ
せると，Ｂピクセル，Ｇピクセル，Ｒピクセルの順に該
当ピクセルの輝度比を向上させることができる。
レス電極３０の大電極部３０の幅を変化させることによ
り，Ｒ，Ｇ，Ｂピクセルの輝度比を容易に調整すること
ができる。そして，上記条件によってＲ，Ｇ，Ｂピクセ
ル別にアドレス電極３０の大電極部３０ｂの幅を対応さ
せると，Ｂピクセル，Ｇピクセル，Ｒピクセルの順に該
当ピクセルの輝度比を向上させることができる。
【００５５】（第３の実施の形態）一方，アドレス電極
３０の大電極部３０ｂの形状は，第１の実施の形態のよ
うに略四角形状に限定されず，略円形（図８参照），ま
たは略六角形（図９参照）をはじめとする略多角形の形
状に変更可能である。
３０の大電極部３０ｂの形状は，第１の実施の形態のよ
うに略四角形状に限定されず，略円形（図８参照），ま
たは略六角形（図９参照）をはじめとする略多角形の形
状に変更可能である。
【００５６】図１０は本発明の第３の実施の形態による
プラズマディスプレイパネルを示した部分分解斜視図で
あり，図１１は本発明の第３の実施の形態によるプラズ
マディスプレイパネルを結合した状態で示した部分断面
図である。
プラズマディスプレイパネルを示した部分分解斜視図で
あり，図１１は本発明の第３の実施の形態によるプラズ
マディスプレイパネルを結合した状態で示した部分断面
図である。
【００５７】第３の実施の形態によるＰＤＰは，第１の
実施の形態のＰＤＰと基本的な構造を同様にしながら，
上部基板に形成される放電維持電極の構造を変えて，ア
ドレス電圧のマージンを向上させるようにしている。
実施の形態のＰＤＰと基本的な構造を同様にしながら，
上部基板に形成される放電維持電極の構造を変えて，ア
ドレス電圧のマージンを向上させるようにしている。
【００５８】第３の実施の形態によるＰＤＰの構成をよ
り具体的に説明する。このＰＤＰも，任意の間隔をおい
て実質的に平行に配置される第１基板４０（以下，便宜
上，「下部基板」と称する）と，第２基板４３（以下，
便宜上，「上部基板」と称する）とを備える。そして，
これら基板の間には，第１の実施の形態と同一の構造を
有する隔壁４４が，複数のＲ，Ｇ，Ｂ放電空間（４６
Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂ）を区画しながら配置される。
り具体的に説明する。このＰＤＰも，任意の間隔をおい
て実質的に平行に配置される第１基板４０（以下，便宜
上，「下部基板」と称する）と，第２基板４３（以下，
便宜上，「上部基板」と称する）とを備える。そして，
これら基板の間には，第１の実施の形態と同一の構造を
有する隔壁４４が，複数のＲ，Ｇ，Ｂ放電空間（４６
Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂ）を区画しながら配置される。
【００５９】また，下部基板４０上には，第１の実施の
形態のように，小電極部４８ａと大電極部４８ｂとを有
する複数のアドレス電極４８と共に誘電層５０が形成さ
れ，各放電空間（４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂ）内には該当
蛍光層（５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂ）が形成される。
形態のように，小電極部４８ａと大電極部４８ｂとを有
する複数のアドレス電極４８と共に誘電層５０が形成さ
れ，各放電空間（４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂ）内には該当
蛍光層（５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂ）が形成される。
【００６０】また，上部基板４２には，第１の実施の形
態のように，メイン電極５４ａとサブ電極５４ｂとを有
する複数の放電維持電極５４，誘電層５６及び保護層５
８が形成される。
態のように，メイン電極５４ａとサブ電極５４ｂとを有
する複数の放電維持電極５４，誘電層５６及び保護層５
８が形成される。
【００６１】放電維持電極５４のサブ電極５４ｂは，全
体的な形状を略四角形にしながら，図１２に示すよう
に，Ｒ，Ｇ，Ｂ各放電空間（４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂ）
別に異なる幅を有して配置されるが，具体的には次の条
件を満足して形成される。 ＳＷＲ＜ＳＷＧ＜ＳＷＢ
体的な形状を略四角形にしながら，図１２に示すよう
に，Ｒ，Ｇ，Ｂ各放電空間（４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂ）
別に異なる幅を有して配置されるが，具体的には次の条
件を満足して形成される。 ＳＷＲ＜ＳＷＧ＜ＳＷＢ
【００６２】ここで，ＳＷＲはＲ放電空間４６Ｒに対応
するサブ電極の幅，ＳＷＧはＧ放電空間４６Ｇに対応す
るサブ電極の幅，ＳＷＢはＢ放電空間４６Ｂに対応する
サブ電極の幅を示す。
するサブ電極の幅，ＳＷＧはＧ放電空間４６Ｇに対応す
るサブ電極の幅，ＳＷＢはＢ放電空間４６Ｂに対応する
サブ電極の幅を示す。
【００６３】本実施の形態において，このようにＲ，
Ｇ，Ｂピクセル別にサブ電極５４ｂの幅を異なるように
設定するのは，サブ電極５４ｂの幅が拡大されるほど維
持放電の強さが増加して紫外線の量が増加するようにす
るためである。
Ｇ，Ｂピクセル別にサブ電極５４ｂの幅を異なるように
設定するのは，サブ電極５４ｂの幅が拡大されるほど維
持放電の強さが増加して紫外線の量が増加するようにす
るためである。
【００６４】これにより，蛍光層の発光効率が他の蛍光
層に比べて相対的に低いＢピクセルについては，該当サ
ブ電極５４ｂの幅を最も大きくして維持放電の強さを増
加させ，蛍光層の発光効率が他の蛍光層に比べて相対的
に低いＲピクセルに対しては該当サブ電極５４ｂの幅を
最も小さく設定して維持放電の強さを減少させるように
なる。
層に比べて相対的に低いＢピクセルについては，該当サ
ブ電極５４ｂの幅を最も大きくして維持放電の強さを増
加させ，蛍光層の発光効率が他の蛍光層に比べて相対的
に低いＲピクセルに対しては該当サブ電極５４ｂの幅を
最も小さく設定して維持放電の強さを減少させるように
なる。
【００６５】さらに，第３の実施の形態においては，ア
ドレス電圧マージンを高めて安定した条件を確保するた
めに，サブ電極５４ｂの幅とアドレス電極４８の大電極
部４８ｂの幅（ＡＷ）が連係して，次の二つの条件のう
ち少なくともいずれか一つの条件を満足するようにす
る。 ＡＷ＝ａ×ＳＷ（０＜ａ≦１） ＡＷ＝ＳＷ−ｂ（０≦ｂ＜ＳＷ）
ドレス電圧マージンを高めて安定した条件を確保するた
めに，サブ電極５４ｂの幅とアドレス電極４８の大電極
部４８ｂの幅（ＡＷ）が連係して，次の二つの条件のう
ち少なくともいずれか一つの条件を満足するようにす
る。 ＡＷ＝ａ×ＳＷ（０＜ａ≦１） ＡＷ＝ＳＷ−ｂ（０≦ｂ＜ＳＷ）
【００６６】つまり，この第３の実施の形態において，
アドレス電極４８の大電極部４８ｂの幅（ＡＷ）は，第
１の実施の形態と同様に，Ｒ，Ｇ，Ｂ各ピクセル別にそ
の幅を変えて適用され，同時に，上記条件によって同一
ピクセル内に位置される。言い換えると，Ｒ放電空間４
６Ｒ内に位置する大電極部４８ｂの幅（ＡＷ）は該当サ
ブ電極５４ｂの幅（ＳＷ）と同一であったり小さい範囲
に設定され，Ｇ放電空間４６Ｇ内に位置する大電極部４
８ｂの幅（ＡＷ）は該当サブ電極５４ｂの幅（ＳＷ）と
同一であったり小さい範囲に設定され，Ｂ放電空間４６
Ｂ内に位置する大電極部４８ｂの幅（ＡＷ）は該当サブ
電極５４ｂの幅（ＳＷ）と同一であったり小さい範囲に
設定される。
アドレス電極４８の大電極部４８ｂの幅（ＡＷ）は，第
１の実施の形態と同様に，Ｒ，Ｇ，Ｂ各ピクセル別にそ
の幅を変えて適用され，同時に，上記条件によって同一
ピクセル内に位置される。言い換えると，Ｒ放電空間４
６Ｒ内に位置する大電極部４８ｂの幅（ＡＷ）は該当サ
ブ電極５４ｂの幅（ＳＷ）と同一であったり小さい範囲
に設定され，Ｇ放電空間４６Ｇ内に位置する大電極部４
８ｂの幅（ＡＷ）は該当サブ電極５４ｂの幅（ＳＷ）と
同一であったり小さい範囲に設定され，Ｂ放電空間４６
Ｂ内に位置する大電極部４８ｂの幅（ＡＷ）は該当サブ
電極５４ｂの幅（ＳＷ）と同一であったり小さい範囲に
設定される。
【００６７】しかし，上記で大電極部４８ｂの幅（Ａ
Ｗ）は，最少サブ電極５４ｂの幅の１／２以上でなけれ
ばアドレシングを効果的に行なうことができないため，
上記条件でａは０．５以上の値に設定され，ｂはＳＷ／
２より小さい値に設定されるのが好ましい。
Ｗ）は，最少サブ電極５４ｂの幅の１／２以上でなけれ
ばアドレシングを効果的に行なうことができないため，
上記条件でａは０．５以上の値に設定され，ｂはＳＷ／
２より小さい値に設定されるのが好ましい。
【００６８】このような本発明の第３の実施の形態によ
るＰＤＰは，アドレス電極４８の大電極部４８ｂによっ
てアドレス電圧マージンを向上させることができるだけ
でなく，この大電極部４８ｂと連係して放電維持電極５
４のサブ電極５４ｂの形状はこれら大電極部４８ｂとサ
ブ電極５４ｂが一つの放電空間内に位置するとき，その
対向する面積を最小化してリセット（reset）放電の強
さを低くし，これによりリセット放電による発光，つま
り，リセット輝度が低下するようにする。
るＰＤＰは，アドレス電極４８の大電極部４８ｂによっ
てアドレス電圧マージンを向上させることができるだけ
でなく，この大電極部４８ｂと連係して放電維持電極５
４のサブ電極５４ｂの形状はこれら大電極部４８ｂとサ
ブ電極５４ｂが一つの放電空間内に位置するとき，その
対向する面積を最小化してリセット（reset）放電の強
さを低くし，これによりリセット放電による発光，つま
り，リセット輝度が低下するようにする。
【００６９】次に，第３の実施の形態においてサブ電極
の形状を異なるようにした変形例について説明する。
の形状を異なるようにした変形例について説明する。
【００７０】まず，図１３に図示したように，この変形
例においてサブ電極６０は該当メイン電極６２から略垂
直に延長形成される第１電極部６０ａと，この第１電極
部６０ａの端部でメイン電極６２と略平行に配置される
ように延長形成される第２電極部６０ｂを含んでなる。
例においてサブ電極６０は該当メイン電極６２から略垂
直に延長形成される第１電極部６０ａと，この第１電極
部６０ａの端部でメイン電極６２と略平行に配置される
ように延長形成される第２電極部６０ｂを含んでなる。
【００７１】このとき，一つの放電空間内に提供される
二つの第２電極部６０ｂは，所定の放電ギャップ（Ｇ）
を隔てて略平行して位置する。
二つの第２電極部６０ｂは，所定の放電ギャップ（Ｇ）
を隔てて略平行して位置する。
【００７２】他の変形例として，サブ電極７０は図１４
に図示したように，所定の間隔をおいてメイン電極７２
から略垂直に延長形成される一対の第１電極部７０ａ
と，この第２電極部７０ａの端部とを互いに連結して配
置される第２電極部７０ｂとを含んでなる。
に図示したように，所定の間隔をおいてメイン電極７２
から略垂直に延長形成される一対の第１電極部７０ａ
と，この第２電極部７０ａの端部とを互いに連結して配
置される第２電極部７０ｂとを含んでなる。
【００７３】このとき，一つの放電空間内に提供される
第２電極部７０ｂも，やはり上記と同様に所定の放電ギ
ャップ（Ｇ）を隔てて略平行して位置する。
第２電極部７０ｂも，やはり上記と同様に所定の放電ギ
ャップ（Ｇ）を隔てて略平行して位置する。
【００７４】このように，上記いずれかの変形例の形状
に放電維持電極のサブ電極を形成すれば，各放電セルの
放電効率とアドレス電圧マージンを高めることができる
ことはもちろん，放電空間内で放電維持電極のサブ電極
とアドレス電極の大電極部が対向する部分の面積をさら
に減らして不必要なリセット放電の強さを減少させるこ
とができる。
に放電維持電極のサブ電極を形成すれば，各放電セルの
放電効率とアドレス電圧マージンを高めることができる
ことはもちろん，放電空間内で放電維持電極のサブ電極
とアドレス電極の大電極部が対向する部分の面積をさら
に減らして不必要なリセット放電の強さを減少させるこ
とができる。
【００７５】さらに，これら変形例によるサブ電極の構
造では，放電空間内で互いに対向するサブ電極間の距離
は変えずに，放電維持電極の絶対面積を減少させること
ができる。この結果，維持放電強さはほとんど減少させ
ずに維持放電時の電極消耗を減少させることができ，放
電効率をさらに向上させることができる。
造では，放電空間内で互いに対向するサブ電極間の距離
は変えずに，放電維持電極の絶対面積を減少させること
ができる。この結果，維持放電強さはほとんど減少させ
ずに維持放電時の電極消耗を減少させることができ，放
電効率をさらに向上させることができる。
【００７６】以上，添付図面を参照しながら本発明のプ
ラズマディスプレイパネルの好適な実施の形態について
説明したが，本発明はこれらの例に限定されない。いわ
ゆる当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術
的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想
到し得ることは明らかであり，それらについても当然に
本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
ラズマディスプレイパネルの好適な実施の形態について
説明したが，本発明はこれらの例に限定されない。いわ
ゆる当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術
的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想
到し得ることは明らかであり，それらについても当然に
本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００７７】
【発明の効果】このように本発明によるプラズマディス
プレイパネルによると，アドレス電圧マージンを高めて
安定したアドレシングを可能にしながら，リセット放電
の強さを低くして画面のコントラストを向上させ，リセ
ット電圧を下げて消費電力を減少させることができる。
プレイパネルによると，アドレス電圧マージンを高めて
安定したアドレシングを可能にしながら，リセット放電
の強さを低くして画面のコントラストを向上させ，リセ
ット電圧を下げて消費電力を減少させることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるプラズマディ
スプレイパネルの部分分解斜視図である。
スプレイパネルの部分分解斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態によるプラズマディ
スプレイパネルが結合された状態を示した部分断面図で
ある。
スプレイパネルが結合された状態を示した部分断面図で
ある。
【図３】図１に示したプラズマディスプレイパネルの下
部基板を示した部分平面図である。
部基板を示した部分平面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態によるプラズマディ
スプレイパネルでＲ，Ｇ，Ｂピクセル別に測定したアド
レス電圧マージンを示したグラフである。
スプレイパネルでＲ，Ｇ，Ｂピクセル別に測定したアド
レス電圧マージンを示したグラフである。
【図５】本発明の比較例によるプラズマディスプレイパ
ネルでＲ，Ｇ，Ｂピクセル別に測定したアドレス電圧マ
ージンを示したグラフである。
ネルでＲ，Ｇ，Ｂピクセル別に測定したアドレス電圧マ
ージンを示したグラフである。
【図６】本発明の比較例によるプラズマディスプレイパ
ネルでＲ，Ｇ，Ｂピクセル別に測定したアドレス電圧マ
ージンを示したグラフである。
ネルでＲ，Ｇ，Ｂピクセル別に測定したアドレス電圧マ
ージンを示したグラフである。
【図７】本発明の第２の実施の形態によるプラズマディ
スプレイパネルの下部基板を示した部分平面図である。
スプレイパネルの下部基板を示した部分平面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態によるアドレス電極
の他の構成例を説明するために示したプラズマディスプ
レイパネルの下部基板の部分平面図である。
の他の構成例を説明するために示したプラズマディスプ
レイパネルの下部基板の部分平面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態によるアドレス電極
の他の構成例を説明するために示したプラズマディスプ
レイパネルの下部基板の部分平面図である。
の他の構成例を説明するために示したプラズマディスプ
レイパネルの下部基板の部分平面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態によるプラズマデ
ィスプレイパネルを示した部分分解斜視図である。
ィスプレイパネルを示した部分分解斜視図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態によるプラズマデ
ィスプレイパネルが結合された状態を示した部分断面図
である。
ィスプレイパネルが結合された状態を示した部分断面図
である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態によるプラズマデ
ィスプレイパネルの変形例を示した図面である。
ィスプレイパネルの変形例を示した図面である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態によるプラズマデ
ィスプレイパネルの一つの変形例を示した図面である。
ィスプレイパネルの一つの変形例を示した図面である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態によるプラズマデ
ィスプレイパネルの他の変形例を示した図面である。
ィスプレイパネルの他の変形例を示した図面である。
２，４０ 下部基板
４，４２ 上部基板
８，３４ 隔壁
１０ 放電空間
１０ａ，３０ａ 小電極部
１０ｂ，３０ｂ，４８ｂ 大電極部
１２，１６，５０ 誘電層
１４，５４ 放電維持電極
１４ａ，５４ａ，６２，７２ メイン電極
１４ｂ，５４ｂ，６０，７０ サブ電極
１８ 保護層
３０，４８ アドレス電極
６０ａ，７０ａ 第１電極部
６０ｂ，７０ｂ 第２電極部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ソ ジョンヒョン
大韓民国ソウル市瑞草区瑞草洞1648−２番
地 現代アパート102−1512
(72)発明者 ユウ ミンソン
大韓民国忠清南道天安市清水洞（番地な
し）エルジーエエスケーアパート112−402
号
Ｆターム(参考） 5C040 FA01 GB14 GF12 LA03 LA05
LA14 MA17
Claims (27)
- 【請求項１】 任意の間隔をおいて配置される第１基板
及び第２基板と，前記第１基板と前記第２基板との間に
配置されて複数の放電空間を形成する隔壁と，前記第１
基板上にこの第１基板の一方向（ｙ軸）に沿って形成さ
れながら，前記放電空間の内外に配置される複数のアド
レス電極と，前記第２基板上にこの第２基板の一方向
（ｘ軸）に沿って形成されながら，前記放電空間の内外
に配置される複数の放電維持電極とを含み，前記アドレ
ス電極が，前記放電空間内側に配置される大電極部と，
前記放電空間の外側に配置される小電極部とを含み，前
記大電極部の幅をＡＷ，前記小電極部の幅をＡｗ，前記
ｘ方向に対する前記隔壁の間の距離をＤとするとき，前
記ＡＷが前記Ａｗより大きく，前記ＡＷが前記Ｄの４０
〜７５％の範囲からなるようにして形成される，プラズ
マディスプレイパネル。 - 【請求項２】 前記隔壁によって形成される一組のＲ，
Ｇ，Ｂ放電空間が略三角形状に配列される，請求項１に
記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】 前記Ｒ，Ｇ，Ｂ放電空間の横断面が略四
角形からなる，請求項１または２のいずれか１項に記載
のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】 前記放電空間の各Ｒ，Ｇ，Ｂ放電空間内
に配置される前記アドレス電極の大電極部の幅をＡ
ＷＲ，ＡＷＧ，ＡＷＢとするとき，このＡＷＲ，Ａ
ＷＧ，ＡＷＢが次の条件を満足する，請求項１，２，ま
たは３のうちのいずれか１項に記載のプラズマディスプ
レイパネル。 ＡＷＲ＜ＡＷＧ＜ＡＷＢ - 【請求項５】 前記大電極部の形状が略円形からなる，
請求項１，２，３，または４のうちのいずれか１項に記
載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項６】 前記大電極部の形状が略多角形からな
る，請求項１，２，３，または４のうちのいずれか１項
に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項７】 前記放電維持電極が，前記隔壁に沿って
この隔壁上に配置されるメイン電極と，このメイン電極
から延長形成されて前記放電空間内に配置されるサブ電
極とを含む，請求項１，２，３，４，５，または６のう
ちのいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項８】 前記放電空間の各Ｒ，Ｇ，Ｂ放電空間内
に配置される前記サブ電極の幅をＳＷＲ，ＳＷＧ，ＳＷ
Ｂとするとき，このＳＷＲ，ＳＷＧ，ＳＷＢが次の条件
を満足する，請求項７に記載のプラズマディスプレイパ
ネル。 ＳＷＲ＜ＳＷＧ＜ＳＷＢ - 【請求項９】 前記放電空間内に配置される前記サブ電
極の幅をＳＷとするとき，前記ＡＷが次の条件を満足す
る，請求項７または８のいずれか１項に記載のプラズマ
ディスプレイパネル。 ＡＷ＝ａ×ＳＷ（０＜ａ≦１） - 【請求項１０】 前記ａが次の条件を満足する，請求項
９に記載のプラズマディスプレイパネル。 ０．５≦ａ≦１ - 【請求項１１】 前記放電空間内に配置される前記サブ
電極の幅をＳＷとするとき，前記ＡＷが次の条件を満足
する，請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。 ＡＷ＝ＳＷ−ｂ（０≦ｂ＜ＳＷ） - 【請求項１２】 前記ｂが次の条件を満足する，請求項
１１に記載のプラズマディスプレイパネル。 ＳＷ／２≦ｂ≦ＳＷ - 【請求項１３】 前記サブ電極の形状が略四角形からな
る，請求項７，８，９，１０，１１，または１２のうち
のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１４】 前記サブ電極が，前記メイン電極から
略垂直に延長形成される第１電極部と，この第１電極部
の端部で前記メイン電極と略平行に配置されるように延
長形成される第２電極部とを含む，請求項７，８，９，
１０，１１，１２，または１３のうちのいずれか１項に
記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１５】 前記サブ電極が，所定の間隔をおいて
前記メイン電極から略垂直に延長形成される一対の第１
電極部と，この第１電極部の端部に互いに連結して配置
される第２電極部とを含む，請求項７，８，９，１０，
１１，１２，１３，または１４のうちのいずれか１項に
記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１６】 任意の間隔をおいて配置される第１基
板及び第２基板と，前記第１基板と前記第２基板との間
に一組の放電空間が略三角形状に配列されるように前記
放電空間を形成する隔壁と，前記第１基板上にこの第１
基板の一方向（ｙ軸）に沿って形成されながら，前記放
電空間の内外に配置される複数のアドレス電極と，前記
第２基板上にこの第２基板の一方向（ｘ軸）に沿って形
成されながら，前記放電空間の内外に配置される複数の
放電維持電極とを含み，前記アドレス電極が，前記放電
空間内側に配置される大電極部と，前記放電空間の外側
に配置される小電極部とを含み，前記放電維持電極が，
前記隔壁に沿ってこの隔壁上に配置されるメイン電極
と，このメイン電極から延長形成されて前記放電空間内
に配置されるサブ電極とを含む，プラズマディスプレイ
パネル。 - 【請求項１７】 前記大電極部の幅をＡＷ，前記小電極
部の幅をＡｗ，前記ｘ方向に対する前記隔壁の間の距離
をＤとするとき，前記ＡＷが前記Ａｗより大きく，前記
ＡＷが前記Ｄの４０〜７５％の範囲からなるようにして
形成される，請求項１６に記載のプラズマディスプレイ
パネル。 - 【請求項１８】 前記大電極部の形状が略四角形からな
る，請求項１６または１７のいずれか１項に記載のプラ
ズマディスプレイパネル。 - 【請求項１９】 前記大電極部の形状が略円形からな
る，請求項１６，１７，または１８のうちのいずれか１
項に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２０】 前記大電極部の形状が略多角形からな
る，請求項１６，１７，または１８のうちのいずれか１
項に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２１】 前記放電空間内に配置される前記サブ
電極の幅をＳＷとするとき，前記ＡＷが次の条件を満足
する，請求項１６，１７，１８，１９，または２０のう
ちのいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネ
ル。 ＡＷ＝ａ×ＳＷ（０＜ａ≦１） - 【請求項２２】 前記ａが次の条件を満足する，請求項
２１に記載のプラズマディスプレイパネル。 ０．５≦ａ≦１ - 【請求項２３】 前記放電空間内に配置される前記サブ
電極の幅をＳＷとするとき，前記ＡＷが次の条件を満足
する，請求項１６，１７，１８，１９，２０，２１，ま
たは２２のうちのいずれか１項に記載のプラズマディス
プレイパネル。 ＡＷ＝ＳＷ−ｂ（０≦ｂ＜ＳＷ） - 【請求項２４】 前記ｂが次の条件を満足する，請求項
２３に記載のプラズマディスプレイパネル。 ＳＷ／２≦ｂ≦ＳＷ - 【請求項２５】 前記サブ電極の形状が略四角形からな
る，請求項１６，１７，１８，１９，２０，２１，２
２，２３，または２４のうちのいずれか１項に記載のプ
ラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２６】 前記サブ電極が，前記メイン電極から
略垂直に延長形成される第１電極部と，この第１電極部
の端部で前記メイン電極と略平行に配置されるように延
長形成される第２電極部とを含む，請求項１６，１７，
１８，１９，２０，２１，２２，２３，２４，または２
５のうちのいずれか１項に記載のプラズマディスプレイ
パネル。 - 【請求項２７】 前記サブ電極が，所定の間隔をおいて
前記メイン電極から略垂直に延長形成される一対の第１
電極部と，この第１電極部の端部に互いに連結して配置
される第２電極部とを含む，請求項１６，１７，１８，
１９，２０，２１，２２，２３，２４，２５，または２
６のうちのいずれか１項に記載のプラズマディスプレイ
パネル。
Applications Claiming Priority (4)
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|---|---|---|---|
| KR10-2001-0050081A KR100396493B1 (ko) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR2001-050081 | 2001-08-20 | ||
| KR10-2001-0064767A KR100441515B1 (ko) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR2001-064767 | 2001-10-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068209A true JP2003068209A (ja) | 2003-03-07 |
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ID=26639305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (3)
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|---|---|
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