JP2003060063A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｐ＋型埋め込み拡散層におけるＰ型拡散条件
の範囲を拡大する。 【解決手段】 Ｐ型基板１０上にＮ＋型埋め込み拡散層
１１を形成するＮ＋型不純物を埋め込む際に、酸化膜１
０１を所定の開口パターンＡで除去する。このとき用い
る開口パターンＡとしては、埋め込むＮ＋型不純物の濃
度に応じて酸化膜１０１が所定の割合で残存するパター
ンを用いる。これにより、開口パターンＡを適宜選択す
ることにより、その開口率に応じてＮ＋型不純物の濃度
を制御することができる。これにより、Ｎ＋型埋め込み
拡散層１１上に形成するＰ＋型埋め込み拡散層１２にお
けるＰ型拡散条件の範囲を十分に確保することが自在と
なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及び半
導体装置の製造方法に関し、特に縦型ＮＰＮトランジス
タと縦型ＰＮＰトランジスタが共存する半導体装置の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】縦型ＮＰＮトランジスタと縦型ＰＮＰト
ランジスタをアイソレーションで分離し、共存させた半
導体装置が知られている。このような半導体装置の断面
を図６に示す。図６に示す半導体装置３１は、Ｐ＋型ア
イソレーション層３２により分離された縦型ＮＰＮトラ
ンジスタ３１ａと縦型ＰＮＰトランジスタ３１ｂとを備
えている。

【０００３】縦型ＮＰＮトランジスタ３１ａは、Ｐ型基
板３３上に埋め込み拡散により形成されたＮ＋型埋め込
み拡散層３４と、Ｎ＋型埋め込み拡散層３４上にエピタ
キシャル成長により形成されたＮ型エピタキシャル成長
層３５と、Ｎ型エピタキシャル成長層３５上に形成され
たＮ＋型拡散層３６及びＰ型ベース層３７と、Ｐ型ベー
ス層３７上に形成されたＮ＋型エミッタ層３８と、これ
らＮ＋型拡散層３６、Ｐ型ベース層３７、Ｎ＋型エミッ
タ層３８に電気的に接続されたコレクタ電極３９、ベー
ス電極４０、エミッタ電極４１等を備える。

【０００４】一方、縦型ＰＮＰトランジスタ３１ｂは、
Ｐ型基板３３上に埋め込み拡散により形成されたＮ＋型
埋め込み拡散層４２と、Ｎ＋型埋め込み拡散層４２上に
形成されたＰ＋型埋め込み拡散層４３と、Ｐ＋型埋め込
み拡散層４３上にエピタキシャル成長により形成された
Ｎ型エピタキシャル成長層３５と、Ｎ型エピタキシャル
成長層３５に埋め込み形成されたＰ＋型コレクタ層４４
と、Ｎ型エピタキシャル成長層３５に形成されたＮ＋型
拡散層４５及びＰ型エミッタ層４６と、これらＰ＋型コ
レクタ層４４、Ｎ＋型拡散層４５、Ｐ型エミッタ層４６
に電気的に接続されたコレクタ電極４７、ベース電極４
８、エミッタ電極４９等を備える。

【０００５】また、この半導体装置３１は、従来から、
以下で説明する手法により製造されている。

【０００６】先ず、図５（ａ）に示すように、Ｐ型基板
３３上にＳｉＯ_２等からなる酸化膜１０１を成膜し、フ
ォトエッチングによりにＮ＋型埋め込み拡散層３４，４
２に相当する位置にそれぞれ開口部１０２を形成する。
図５（ｂ）は酸化膜１０１をＮ＋型埋め込み拡散層３
４，４２に相当する所定の開口パターンＧで除去した状
態を示す平面図である。なお、図５（ａ）はＰ型基板３
３の断面図である。

【０００７】次に、図５（ｃ）に示すように、酸化膜１
０１をマスクとして用いてＮ＋型不純物を埋め込んだ後
に拡散させて、Ｎ＋型埋め込み拡散層３４，４２を形成
する。次に、図５（ｄ）に示すように、酸化膜１０１を
除去した後に、再びＳｉＯ_２等からなる酸化膜１０３を
成膜し、フォトエッチングによりＮ＋型埋め込み拡散層
４２上及びアイソレーション３２の下層部に相当する位
置にそれぞれ開口１０４，１０５を形成し、Ｐ＋型不純
物を埋め込む。

【０００８】次に、酸化膜１０３を除去した後に、図５
（ｅ）に示すように、エピタキシャル成長を行い、Ｎ型
エピタキシャル成長層３５を形成する。Ｎ＋型不純物よ
りも拡散スピードの速いＰ＋型不純物を使用する事で、
Ｎ＋型埋め込み拡散層４２上にＰ＋型埋め込み拡散層４
３が形成される。

【０００９】次に、Ｎ型エピタキシャル成長層３５上
に、従来から広く用いられている各種の半導体形成技術
を用いて図６に示す縦型ＮＰＮトランジスタ３１ａ及び
縦型ＰＮＰトランジスタ３１ｂを備える半導体装置３１
が形成される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うにして半導体装置３１を製造するに際しては、縦型Ｐ
ＮＰトランジスタ３１ｂのＰ＋型埋め込み拡散層４３と
Ｎ＋型埋め込み拡散層４２との間で良好なＰＮ接合状態
を形成することが重要となる。Ｐ＋型埋め込み拡散層４
３を拡散させたときに良好なＰＮ接合状態を得るために
は、Ｐ＋型不純物をＮ＋型埋め込み拡散層４２を形成す
るＮ＋型不純物の濃度に依存した所定の濃度以上で埋め
込む必要があった。

【００１１】しかしながら、半導体装置３１は、上述し
たように縦型ＰＮＰトランジスタ３１ｂに隣接して縦型
ＮＰＮ型トランジスタ３１ａを形成する場合には、これ
ら双方のトランジスタの製造工程が重なり、且つ縦型Ｎ
ＰＮ型トランジスタ３１ａの特性劣化防止を考慮して縦
型ＰＮＰトランジスタ３１ｂのＮ＋型埋め込み拡散層４
２のＮ＋型不純物濃度等の拡散条件は、縦型ＮＰＮ型ト
ランジスタ３１ａのＮ＋型埋め込み拡散層３４の拡散条
件に依存し制限され、これに応じてＰ＋型埋め込み拡散
層４３におけるＰ型拡散条件も制限されてしまう場合が
生じる。この場合、Ｐ＋型埋め込み拡散層４３は、Ｎ＋
型埋め込み拡散層３４及び４２よりも不純物濃度が大き
いため湧き上がり速度が速く、図６に示す縦型ＰＮＰト
ランジスタ３１ｂにおけるエピタキシャル成長層３５の
厚みＴ１１，１２を適切な厚み（例えば、同一厚み）と
することが難しく、縦型ＮＰＮトランジスタと縦型ＰＮ
Ｐトランジスタを共存させた半導体装置では、お互いの
素子特性を合わせ込み制御が困難であった。。したがっ
て、縦型ＮＰＮ型トランジスタ３１ａのＮ＋型埋め込み
拡散層３４におけるＮ型拡散条件を変更することなく、
縦型ＰＮＰトランジスタ３１ｂのＮ＋型埋め込み拡散層
４２のＮ＋型不純物濃度を変更可能とし、Ｐ＋型埋め込
み拡散層４３に要求されるＰ型拡散条件の範囲を可能な
限り広げたいという要望があった。

【００１２】そこで、本発明は、上述した従来の実情に
鑑みてなされたものであり、Ｐ＋型埋め込み拡散層にお
けるＰ型拡散条件の範囲を十分に確保し素子特性の合わ
せ込みにおける妥協項目を減ずることができる半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、Ｐ型基板上にアイソレーションを介して
縦型ＮＰＮトランジスタと縦型ＰＮＰトランジスタが形
成されている半導体装置において、前記縦型ＰＮＰトラ
ンジスタは、酸化膜を成膜する工程と、前記酸化膜をフ
ォトエッチングで所定の開口パターンに形成する工程
と、前記酸化膜が除去された前記開口パターン領域で、
前記Ｐ型基板上にＮ＋型埋め込み拡散層を形成する工程
と、前記Ｎ＋型埋め込み拡散層上にＰ＋型埋め込み拡散
層を形成する工程と、前記Ｐ型基板に対するエピタキシ
ャル成長により、Ｎ型エピタキシャル成長層を形成する
工程とを有し、前記開口パターンは、前記Ｎ＋型埋め込
み拡散層が形成される領域で埋め込むＮ＋型不純物の濃
度に応じた所定の割合で前記酸化膜が残存することを特
徴とするものである。

【００１４】以上のように構成された本発明に係る半導
体装置の製造方法によれば、Ｎ＋型不純物の濃度に応じ
た所定の開口パターンで除去され、マスクとして用いら
れる絶縁膜を介してＮ＋型不純物を埋め込むことにより
縦型ＰＮＰトランジスタのＮ＋型埋め込み拡散層を形成
することができる。したがって、マスクとして用いられ
る酸化膜を除去するパターンを適宜選択することによっ
て、Ｎ＋型埋め込み拡散層を形成する領域での前記絶縁
膜の開口率を制御することができ、この開口率に応じて
Ｎ＋型埋め込み拡散層を形成するＮ＋型不純物の濃度を
制御することができる。

【００１５】すなわち、縦型ＮＰＮトランジスタのＮ＋
型埋め込み拡散層の拡散条件とは独立して、縦型ＰＮＰ
トランジスタのＮ＋型埋め込み拡散層におけるＮ＋型不
純物の濃度を制御することができ、これに応じてＰ＋型
不純物の濃度を制御することができる。したがって、例
えば、縦型ＰＮＰトランジスタのＮ＋型埋め込み拡散層
におけるＮ＋型不純物の濃度を低く設定した上でＰ＋型
不純物を埋め込むことができ、Ｐ＋型不純物濃度を所望
とする値に下げる方向でＰ型拡散条件の範囲を十分に確
保することができ、Ｐ＋型埋め込み拡散層の沸き上がり
を抑制し縦型ＮＰＮトランジスタ及び縦型ＰＮＰトラン
ジスタの両素子特性の合わせ込みを可能とすることがで
きる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体装置の
製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。以下では、本発明の実施の形態として、図１に示す
構造とされた半導体装置１を製造する場合について説明
する。

【００１７】図１は、本発明の実施の形態として示す半
導体装置１の断面図である。尚、本発明では、縦型ＰＮ
Ｐトランジスタの製造工程に特徴を有し、縦型ＮＰＮト
ランジスタは従来と同一であるため、以下の説明では主
に縦型ＰＮＰトランジスタの製造工程について説明する
ものとし、従来と同一製造工程である縦型ＮＰＮトラン
ジスタは従来と同一符号を用い、その説明を省略する。
半導体装置１は、Ｐ＋型アイソレーション層３２により
分離された縦型ＮＰＮトランジスタ３１ａと縦型ＰＮＰ
トランジスタ２０とを備えている。半導体装置１は、図
１に示すように、Ｐ型基板１０上に埋め込み拡散により
形成されたＮ＋型埋め込み拡散層１１と、Ｎ＋型埋め込
み拡散層１１上に形成されたＰ＋型埋め込み拡散層１２
と、Ｐ＋型埋め込み拡散層１２上にエピタキシャル成長
により形成されたＮ型エピタキシャル成長層１３と、Ｎ
型エピタキシャル成長層１３に埋め込み形成されたＰ＋
型コレクタ層１４と、Ｎ型エピタキシャル成長層１３に
形成されたＮ＋型拡散層１５及びＰ型エミッタ層１６
と、これらＰ型コレクタ層１４、Ｎ＋型拡散層１５、及
びＰ型エミッタ層１６にそれぞれ電気的に接続されたコ
レクタ電極１７、ベース電極１８、エミッタ電極１９等
を備える。

【００１８】また、半導体装置１においては、上述した
Ｎ型エピタキシャル成長層１３、Ｐ型コレクタ層１４、
Ｎ＋型拡散層１５、Ｐ型エミッタ層１６、コレクタ電極
１７、ベース電極１８、及びエミッタ電極１９によっ
て、縦型ＰＮＰトランジスタ２０が構成されている。

【００１９】ここで、上述した構造とされた半導体装置
１の縦型ＰＮＰトランジスタ２０の製造工程について図
２を参照しながら説明する。

【００２０】先ず、図２（ａ）に示すように、Ｐ型基板
１０上にＳｉＯ_２等からなる酸化膜１０１を成膜し、フ
ォトエッチングにより開口３０を形成する。この開口３
０は図２（ｂ）に示すような所定の開口パターンＡで形
成される。なお、図２（ａ）はＰ型基板１０の断面図で
あり、図２（ｂ）は酸化膜１０１を所定の開口パターン
Ａで除去した状態を示す平面図である。また、本例にお
いては酸化膜１０１を除去する開口パターンＡとして、
図２（ｂ）に示すように、矩形の開口領域の内部に、略
々立方形状の開口３０が格子状に並んで存在するような
パターンとした。また、図２（ａ）に示すように縦型Ｎ
ＰＮトランジスタ３１ａは、開口３０と同一工程で従来
の開口１０２が形成される。

【００２１】次に、図２（ｃ）に示すように、開口３０
上に従来と同一のＮ＋型不純物（例えば、アンチモン）
を含有したＳＯＧ（スピン オン ガラス）膜を塗布
し、同一条件で熱拡散させて、Ｎ＋型埋め込み拡散層１
１を形成する。このとき、開口パターンＡのマスク形状
に応じてＮ＋型不純物が開口３０を介して基板１０に熱
拡散により埋め込まれる。なお、縦型ＮＰＮトランジス
タ３１ａのＮ＋型埋め込み拡散層３４は、従来の条件下
でＮ＋型埋め込み拡散層１１と同時に形成される。従っ
て、図２（ｃ）中で示すように、Ｎ＋型埋め込み拡散層
１１のＮ＋型不純物濃度は、縦型ＮＰＮトランジスタ３
１ａの開口１０２の開口面積に比べ開口３０の面積は小
さいため、Ｐ型基板１０に埋め込まれるＮ＋型不純物濃
度は小となり、縦型ＮＰＮトランジスタ３１ａのＮ＋型
埋め込み拡散層３４に比べ不純物濃度は低くなる。

【００２２】次に、酸化膜１０１を除去した後に、再び
ＳｉＯ_２等からなる酸化膜１０３を成膜し、フォトエッ
チングにより開口１０４を形成する。そして、開口１０
４を形成後、図２（ｄ）に示すように、Ｎ＋型埋め込み
拡散層１１上に従来の不純物濃度よりも低い濃度でＰ＋
型不純物を埋め込む。また、同時にアイソレーション３
２の下部にも、Ｐ＋型不純物が埋め込められる。

【００２３】次に、酸化膜１０３を除去してエピタキシ
ャル成長を行い、図２（ｅ）に示すように、Ｎ型エピタ
キシャル成長層１３を形成する。このとき、Ｎ＋型不純
物よりも拡散スピードの速いＰ＋型不純物を使用する事
で、Ｎ＋型埋め込み拡散層１１上にＰ＋型埋め込み拡散
層１２が形成される。

【００２４】次に、各種の半導体形成技術を用いて縦型
ＰＮＰトランジスタ２０及び縦型ＮＰＮトランジスタ３
１ａを形成する。これにより、図１に示す構造の半導体
装置１が完成する。なお、縦型ＰＮＰトランジスタ２０
及び縦型ＮＰＮトランジスタ３１ａを形成する工程は、
各種の半導体形成技術を用いて、従来から広く用いられ
ている公知の手法を用いることができるため、ここでの
説明を省略することとする。

【００２５】本例に係る半導体装置１の製造工程におい
ては、上述したように、開口３０が所定の開口パターン
Ａで形成された位置にＮ＋型不純物が埋め込まれること
となる。このとき埋め込まれるＮ＋型不純物の濃度は、
開口３０が形成された領域の大きさ（開口率）に応じて
縦型ＮＰＮトランジスタ３１ａのＮ＋型埋め込み拡散層
３４とは別な濃度に制御することができ、特にＮ＋型埋
め込み拡散層３４のＮ＋型不純物濃度よりも、低く設定
することが可能である。すなわち、開口３０を形成する
パターンを適宜選択することによって、Ｎ＋型埋め込み
拡散層１２のＮ＋型不純物濃度を自在に制御することが
できる。

【００２６】ここで、Ｐ＋型埋め込み拡散層１２におけ
るＰ型拡散条件は、このＰ＋型埋め込み拡散層１２を形
成するＰ＋型不純物の濃度、及びＮ＋型埋め込み拡散層
１１を形成するＮ＋型不純物の濃度に大きく依存する。
具体的には、十分なＰＮ接合を確保する為Ｎ＋型埋め込
み拡散層１１におけるＮ＋型不純物の濃度が高い程、Ｐ
＋型埋め込み拡散層１２におけるＰ＋型不純物の濃度が
高くなりＰ＋型不純物の拡散の度合いが大きくなる。ま
た、Ｐ＋型不純物は、埋め込み対象となるＮ＋型埋め込
み拡散層１１におけるＮ＋型不純物の濃度が低い程、特
性を維持できる範囲で低い濃度で埋め込むことができ、
Ｐ＋型不純物の拡散の度合いを小さくるという性質を有
する。

【００２７】したがって、上述のようにして縦型ＰＮＰ
トランジスタ２０のＮ＋型埋め込み拡散層１１のＮ＋型
不純物濃度を縦型ＮＰＮトランジスタ３１ａのＮ＋型埋
め込み拡散層３４のＮ＋型不純物濃度とは別個に制御可
能であることにより、縦型ＰＮＰトランジスタ２０のＰ
＋型埋め込み拡散層１２のＰ型拡散条件範囲を十分に確
保することができる。

【００２８】また、縦型ＰＮＰトランジスタ２０をさら
に形成する場合には、Ｐ＋型埋め込み拡散層１２とＮ＋
型拡散層１５及びＰ型エミッタ層１６との間の距離をあ
る程度確保することが重要となるが、従来の手法によっ
て製造した場合には、図６より、高濃度のＮ＋型埋め込
み拡散層４２上にＰ＋型埋め込み拡散層４３を形成して
いることから、さらに高濃度でＰ＋型不純物を埋め込む
必要があり、Ｐ＋型埋め込み拡散層４３の拡散の度合い
を抑制して、上述した距離を所望とするだけ確保するこ
とが困難であった。

【００２９】これに対して、本例に係る手法では、縦型
ＰＮＰトランジスタ２０のＮ＋型埋め込み拡散層１１の
Ｎ＋型不純物濃度を縦型ＮＰＮトランジスタ３１ａのＮ
＋型埋め込み拡散層３４のＮ＋型不純物濃度とは別個に
制御することが可能であることから、このＮ＋型不純物
の濃度を適宜低く設定することによりＰ＋型不純物を埋
め込む濃度も低くすることができる。したがって、Ｐ＋
型埋め込み拡散層１２の拡散の湧き上がりを抑制して、
このＰ＋型埋め込み拡散層１２と縦型ＰＮＰトランジス
タ２０を構成するＮ＋型拡散層１５及びＰ型エミッタ層
１６との間の距離を確保することが容易となる。

【００３０】また、上述の説明においては、酸化膜１０
１を除去する開口パターンＡとして、図２（ｂ）に示す
ような形状のパターンを用いたが、このとき用いる開口
パターンは、特にその形状に限定されるものではなく、
埋め込むＮ＋型不純物の濃度に応じた所定の割合で酸化
膜が残存するパターンを用いればよい。

【００３１】具体的には例えば、図３（ａ）に示すよう
に、長方形状の開口３０と幅狭の酸化膜１０１が断続的
に等間隔で複数存在するような開口パターンＡを用いて
もよいし、図３（ｂ）に示すように、櫛状の酸化膜１０
１が両側部から交互に延在するような開口パターンＡを
用いてもよい。また、図３（ｃ）に示すように、矩形の
開口領域の内部に、円柱状の酸化膜１０１が等間隔に複
数存在するような開口パターンＡを用いてもよい。

【００３２】なお、酸化膜１０１を除去する開口パター
ンＡとしては、図４に示すように、Ｎ＋型埋め込み拡散
層１１が形成される部位の周縁部の位置で、中央部の位
置よりも細かい間隔で開口３０が形成されたパターンＡ
を用いることが望ましい。この場合には、例えば、図中
矢印Ｄで示す間隔が、矢印Ｅで示す間隔よりも短く設定
された開口パターンを用いる。これにより、Ｎ＋型埋め
込み拡散層１１は、図４に示すように、周縁部の位置で
中央部よりもＮ＋型不純物の埋め込み濃度が低くなり、
拡散の度合いが低減する。この結果、例えば図中矢印Ｆ
で示すＮ＋型埋め込み拡散層１１の幅を、より幅狭に形
成することができる。

【００３３】このようにして、Ｎ＋型埋め込み拡散層１
１を幅狭に形成することによって、例えば、縦型ＰＮＰ
トランジスタ２０に隣接して縦型ＮＰＮ型トランジスタ
等の他の半導体素子を形成する場合に、これら縦型ＰＮ
Ｐトランジスタ２０と各半導体素子との間の間隔をより
狭くすることができる。したがって、半導体装置１にお
ける集積度を向上させることができる。

【００３４】

【発明の効果】本発明に係る半導体装置の製造方法によ
れば、Ｎ＋型不純物の濃度に応じた所定の開口パターン
で除去され、マスクとして用いられる絶縁膜を介してＮ
＋型不純物を埋め込むことにより縦型ＰＮＰトランジス
タのＮ＋型埋め込み拡散層を形成することができる。し
たがって、マスクとして用いられる酸化膜を除去するパ
ターンを適宜選択することによって、Ｎ＋型埋め込み拡
散層を形成する領域での前記絶縁膜の開口率を制御する
ことができ、この開口率に応じてＮ＋型埋め込み拡散層
を形成するＮ＋型不純物の濃度を制御することができ
る。

【００３５】すなわち、縦型ＮＰＮトランジスタのＮ＋
型埋め込み拡散層の拡散条件とは独立して、縦型ＰＮＰ
トランジスタのＮ＋型埋め込み拡散層におけるＮ＋型不
純物の濃度を制御することができ、これに応じてＰ＋型
不純物の濃度を制御することができる。したがって、例
えば、縦型ＰＮＰトランジスタのＮ＋型埋め込み拡散層
におけるＮ＋型不純物の濃度を低く設定した上でＰ＋型
不純物を埋め込むことができ、Ｐ＋型不純物濃度を所望
とする値に下げる方向でＰ型拡散条件の範囲を十分に確
保することができ、Ｐ＋型埋め込み拡散層の沸き上がり
を抑制し縦型ＮＰＮトランジスタ及び縦型ＰＮＰトラン
ジスタの両素子特性の合わせ込みを可能とすることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用して製造する半導体装置を示す断
面図である。

【図２】同半導体装置を製造する場合について説明する
ための図である。

【図３】同半導体装置を製造する際に用いる開口パター
ンの別の例を示す平面図である。

【図４】同半導体装置を製造する際に用いる開口パター
ンのさらに別の例を示す概略断面図である。

【図５】従来の手法により半導体装置を製造する場合に
ついて説明するための図である。

【図６】従来の半導体装置を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体装置 １０ Ｐ型基板 １１ Ｎ＋型埋め込み拡散層 １２ Ｐ＋型埋め込み拡散層 １３ Ｎ型エピタキシャル成長層 ２０ 縦型ＰＮＰトランジスタ ３０ 開口 １０１ 酸化膜 Ａ 開口パターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠原 正樹 神奈川県厚木市酒井1601 ミツミ電機株式 会社厚木事業所内 Ｆターム(参考） 5F003 AP05 BB08 BC01 BC08 BJ01 BJ03 BP05 BP07 BP11 5F082 AA08 BA12 BA13 BA14 BA22 BC04 EA04 EA05 EA11

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｐ型基板上にアイソレーションを介して
   縦型ＮＰＮトランジスタと縦型ＰＮＰトランジスタが形
   成されている半導体装置において、 前記縦型ＰＮＰトランジスタは、 酸化膜を成膜する工程と、 前記酸化膜をフォトエッチングで所定の開口パターンに
   形成する工程と、 前記酸化膜が除去された前記開口パターン領域で、前記
   Ｐ型基板上にＮ＋型埋め込み拡散層を形成する工程と、 前記Ｎ＋型埋め込み拡散層上にＰ＋型埋め込み拡散層を
   形成する工程と、 前記Ｐ型基板に対するエピタキシャル成長により、Ｎ型
   エピタキシャル成長層を形成する工程とを有し、 前記開口パターンは、前記Ｎ＋型埋め込み拡散層が形成
   される領域で埋め込むＮ＋型不純物の濃度に応じた所定
   の割合で前記酸化膜が残存することを特徴とする半導体
   装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記開口パターンは、前記酸化膜及び前
   記酸化膜の開口の両方又はどちらか一方が等間隔に配置
   されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製
   造方法。
3. 【請求項３】 前記開口パターンは、前記Ｎ＋型埋め込
   み拡散層が形成される部位の周縁部の位置で、中央部の
   位置よりも細かい間隔で前記開口を配置したことを特徴
   とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。