JP2003059011A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

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JP2003059011A
JP2003059011A JP2001240659A JP2001240659A JP2003059011A JP 2003059011 A JP2003059011 A JP 2003059011A JP 2001240659 A JP2001240659 A JP 2001240659A JP 2001240659 A JP2001240659 A JP 2001240659A JP 2003059011 A JP2003059011 A JP 2003059011A
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Katsuya Kanakubo
勝也 金窪
Yoshimitsu Wada
善光 和田
Kazuhiro Hattori
一博 服部
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    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 より高精度の狭再生トラック幅を有し、かつ
製造工程時間が増大しないリードオーバレイド構造の新
規なＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法及びＭＲ型薄膜磁
気ヘッドを提供する。 【解決手段】 ＭＲ膜１３上に第１のリード導体層２
４，第２のリード導体層２６がオーバーラップして配置
されたＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、少な
くともＭＲ膜１３上に第１のリード導体層２４を成膜
し、パターニングされたキャップ層２５をこの導体層上
に形成し、パターニングされたキャップ層２５をマスク
として、Ａｒガス及びＯ２ガス、Ｏ２ガス又はＮ２ガス
によるドライエッチングを行うことにより導体層をパタ
ーニングして第１のリード導体層２４を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ）型薄膜磁気ヘッドの製造方法及びＭＲ型薄膜磁気ヘ
ッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の小型化及び高密度化
に伴い、磁気ディスクと磁気ヘッドとの相対速度に依存
せずに高い再生出力電圧が得られるＭＲ型薄膜磁気ヘッ
ドが普及している。このＭＲ型薄膜磁気ヘッドとして最
も広く用いられているのは、感受する磁束によって抵抗
が変化することを利用した読出し用のＭＲセンサと書込
み用のインダクティブ電磁変換素子とを一体的に積層し
た複合型薄膜磁気ヘッドである。
【０００３】ＭＲセンサとしては、異方性磁気抵抗効果
（ＡＭＲ）を利用したＡＭＲセンサはもちろんのこと、
最近では、スピンバルブ効果等の巨大磁気抵抗効果（Ｇ
ＭＲ）を利用したＧＭＲセンサが利用され始めている。
【０００４】スピンバルブ磁気抵抗効果（ＳＶＭＲ）セ
ンサは、基本的には、磁気記録媒体からの磁界により磁
化方向が変化する強磁性層（フリー層）と、磁化方向が
固定された強磁性層（ピンド層）と、フリー層及びピン
ド層間に挿入された非磁性導電層と、ピンド層の磁化方
向を固定するための反強磁性層又は永久磁石層とから構
成されるＳＶＭＲ多層膜を備えている。
【０００５】ＳＶＭＲセンサやＡＭＲセンサの出力を向
上させるためには、ＳＶＭＲ多層膜のフリー層やＭＲ膜
の単磁区化が有効であることが知られている。そのため
の方法としては、ＳＶＭＲ多層膜又はＭＲ膜の端部領域
の上に磁区制御膜を配置してこの端部領域を単磁区化す
ることによりＳＶＭＲ多層膜又はＭＲ膜中央の感磁部を
単磁区に誘導するパターンドエクスチェンジ制御法や、
リフトオフパターンをマスクとしてＳＶＭＲ多層膜又は
ＭＲ膜の両端部分をイオンミリングによって除去して中
央の感磁部のみを残し、除去した両端部に永久磁石層を
配置することによってこの永久磁石層からの磁界により
感磁部を単磁区に誘導するハードバイアス制御法があ
る。
【０００６】最近、ＳＶＭＲ多層膜又はＭＲセンサのさ
らなる高感度化を図るため、従来のハードバイアス制御
法を改良し、リード導体の間隔がＳＶＭＲ多層膜又はＭ
Ｒ膜の幅より狭くなるようにリード導体がＳＶＭＲ多層
膜又はＭＲ膜にオーバーラップしたリードオーバレイド
構造のＭＲ型薄膜磁気ヘッドが提案されている。
【０００７】特開平１１−５３７１６号公報及び特開２
０００−９９９２６号公報には、この種のリードオーバ
レイド構造のＭＲ型薄膜磁気ヘッドが記載されている。
特開平１１−５３７１６号公報には、２層構造の電極膜
（リード導体）をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）に
よって形成することが記載されており、特開２０００−
９９９２６号公報には、２層構造の電極膜のうち上層の
電極膜をＲＩＥされにくい材料で構成し下層の電極膜を
ＲＩＥで形成する際のマスクとして用いることが記載さ
れている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、リード
オーバレイド構造のＭＲ型薄膜磁気ヘッドにおいて、Ｒ
ＩＥによってリード導体をパターニングすると、次のよ
うな問題が生じる。ＲＩＥ の反応性ガスにＣｌ２系ガ
スを使用した場合、腐食が生じるので、マスク材料に対
するリード導体材料のエッチングレートの選択比を大き
くとることができない。また、ＲＩＥ の反応性ガスに
Ｆ系ガスを使用した場合、デポ物が発生するので幅制御
が困難となり、また、選択比を大きくとることができな
い。その結果、マスクの層厚を充分に大きくとらねばな
らないので、高精度のパターニングを行うことが困難と
なるのみならず、成膜時間が長くなることから製造工程
全体に要する時間が増大してしまう。
【０００９】従って本発明の目的は、より高精度の狭再
生トラック幅を有するリードオーバレイド構造の新規な
ＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法及びＭＲ型薄膜磁気ヘ
ッドを提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、製造工程時間が増大
しないリードオーバレイド構造の新規なＭＲ型薄膜磁気
ヘッドの製造方法及びＭＲ型薄膜磁気ヘッドを提供する
ことにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ＭＲ膜
上にリード導体がオーバーラップして配置されたＭＲ型
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、少なくともＭＲ膜
上に導体層を成膜し、パターニングされたキャップ層を
この導体層上に形成し、パターニングされたキャップ層
をマスクとして、Ａｒガス及びＯ２ガス、Ｏ２ガス又は
Ｎ２ガスによるドライエッチングを行うことにより導体
層をパターニングしてリード導体を形成するＭＲ型薄膜
磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１２】リードオーバレイド構造のＭＲ型薄膜磁気
ヘッドを製造するに際して、導体層上に形成したパター
ニングされたキャップ層をマスクとして、ＲＩＥを行う
ことなく、Ａｒガス及びＯ２ガス、Ｏ２ガス又はＮ２ガ
スによるドライエッチングを行うことにより導体層をパ
ターニングしてリード導体を形成している。マスクをＴ
ａ、Ｔｉ等にすることで、粒子の化学的性質と物理的エ
ネルギとを利用するＲＩＥではなく、粒子の物理的エネ
ルギを利用するＡｒガス及びＯ２ガス、Ｏ２ガス又はＮ
２ガスによるドライエッチングを行っているため、ＲＩ
Ｅ の反応性ガスにＣｌ２系ガスを使用した場合のよう
に腐食が生じることがなく、マスク材料に対するリード
導体材料のエッチングレートの選択比を大きくとること
ができる。また、ＲＩＥ の反応性ガスにＦ系ガスを使
用した場合のようにデポ物が発生して幅制御が困難とな
ることはなく、また、選択比が非常に高いエッチングを
行うことができる。従って、マスクとして用いるキャッ
プ層の層厚を薄くすることが可能となり、より高精度の
狭再生トラック幅を有するリードオーバレイド構造を形
成できると共に、成膜時間が短くて済むので製造工程全
体に要する時間が短縮化される。
【００１３】キャップ層が、Ｔａ、Ｔａ合金、Ｔｉ、Ｔ
ｉ合金、又はＴａ、Ｔａ合金、Ｔｉ若しくはＴｉ合金の
窒化物からなることが好ましい。
【００１４】導体層が、Ａｕ又はＡｕ合金からなること
が好ましい。
【００１５】キャップ層が、導体層上にキャップ層を成
膜し、成膜したキャップ層上にレジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクとしてフッ素系ガスによ
るエッチングを行うことによりパターニングされること
も好ましい。
【００１６】フッ素系ガスが、ＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガ
ス又はＳＦ６ガスであることがより好ましい。
【００１７】キャップ層のエッチングした後、レジスト
パターンをＯ２ガスによりアッシング除去することも好
ましい。
【００１８】キャップ層が、導体層上にレジストパター
ンを形成し、レジストパターン上からキャップ層を成膜
した後、レジストパターンを除去するリフトオフ法によ
り形成されることが好ましい。
【００１９】少なくともＭＲ膜上にエッチングストップ
膜を成膜した後、導体層を成膜することも好ましい。
【００２０】このエッチングストップ層が、Ｔａ、Ｔａ
合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、又はＴａ、Ｔａ合金、Ｔｉ若し
くはＴｉ合金の窒化物からなることがより好ましい。
【００２１】リード導体のテーパ角度が、適切な値とな
るようにＡｒガス及びＯ２ガス、Ｏ ２ガス又はＮ２ガス
によるドライエッチングにおけるバイアスパワー条件及
びガス圧力条件が設定されているが好ましい。
【００２２】本発明によれば、さらに、ＭＲ膜と、ＭＲ
膜上にオーバーラップして形成されたリード導体と、リ
ード導体上に形成されているパターニングされたキャッ
プ層とを備えており、リード導体がＡｕ又はＡｕ合金か
らなり、キャップ層がＴａ、Ｔａ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合
金、又はＴａ、Ｔａ合金、Ｔｉ若しくはＴｉ合金の窒化
物からなるＭＲ型薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００２３】少なくともＭＲ膜上に、Ｔａ、Ｔａ合金、
Ｔｉ、Ｔｉ合金、又はＴａ、Ｔａ合金、Ｔｉ若しくはＴ
ｉ合金の窒化物からなるエッチングストップ層が形成さ
れていることが好ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態におけ
る薄膜磁気ヘッドの主要部の構成を概略的に示す断面図
であり、図２はそのＭＲセンサの構成を示す、浮上面
（ＡＢＳ）方向から見た断面図である。本実施形態の薄
膜磁気ヘッドは、読出し用のＭＲセンサと書込み用のイ
ンダクティブ電磁変換素子とを備えた複合型薄膜磁気ヘ
ッドである。
【００２５】図１において、１０はスライダの主要部を
構成する基板、１１は基板１０上に図示しない下地膜を
介して形成されている下部シールド層、１２は下部シー
ルド層１１上に積層された下部シールドギャップ層、１
４は上部シールドギャップ層、１５はシールドギャップ
層、１６は書込みヘッド部の下部磁性層をも兼用する上
部シールド層、１３は下部シールドギャップ層１１及び
上部シールドギャップ層１４を介して下部シールド層１
１及び上部シールド層１６間に、ＡＢＳ１０ａに沿って
伸長するように形成されたＭＲ膜、１７は上部磁性層、
１８は有機樹脂で構成された絶縁層１９に取り囲まれて
いるコイル導電層、２０はギャップ層、２１は保護層を
それぞれ示している。
【００２６】下部磁性層１６及び上部磁性層１７の先端
部は微小厚みのギャップ層２０を隔てて対向するポール
部１６ａ及び１７ａを構成しており、これらポール部１
６ａ及び１７ａにおいて書き込みが行われる。ヨーク部
を構成する下部磁性層１６及び上部磁性層１７のポール
部１６ａ及び１７ａとは反対側はバックギャップ部であ
り、磁気回路を完成するように互いに結合されている。
コイル導電層１８は、絶縁層１９上に、ヨーク部の結合
部のまわりを渦巻状に回るように形成されている。
【００２７】図２により詳細に示すように、本実施形態
におけるＭＲセンサは、例えばＮｉＦｅからなる下部シ
ールド層１１と、その上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３
又はＳｉＯ２からなる下部シールドギャップ層１２と、
下部シールドギャップ層１２上に形成された例えばＳＶ
ＭＲ多層膜又はＡＭＲ単層膜からなるＭＲ膜１３（層厚
は約４０〜６０ｎｍ）と、下部シールドギャップ層１２
上にＭＲ膜１３のトラック幅方向の両端に接して形成さ
れた例えばＣｏ系合金からなる磁区制御膜２２（層厚は
約６０〜８０ｎｍ）と、少なくともＭＲ膜１３上に、通
常はＭＲ膜１３及び磁区制御膜２２上に、積層されたエ
ッチングストップ膜２３と、ＭＲ膜１３の端部に部分的
にオーバーラップするようにＭＲ膜１３及び磁区制御膜
２２上にエッチングストップ膜２３を介して積層された
第１のリード導体層２４（層厚は約２０〜６０ｎｍ）
と、第１のリード導体層２４上に積層されておりパター
ニングされたキャップ層２５と、キャップ層２５上に積
層された第２のリード導体層２６（層厚は約５０〜１２
０ｎｍ）と、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２からなる上
部シールドギャップ層１４とを含んでいる。
【００２８】キャップ層２５及びエッチングストップ膜
２３は、本実施形態ではＴａで形成されているが、Ｔａ
以外に、Ｔａ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、又はＴａ、Ｔａ合
金、Ｔｉ若しくはＴｉ合金の窒化物で形成しても良い。
【００２９】第１のリード導体層２４は、本実施形態で
はＡｕで形成されているが、Ａｕ以外に、ＡｕＣｕ、Ａ
ｕＮｉ、ＡｕＳｉ若しくはＡｕＴｉ等のＡｕ合金で形成
しても良い。
【００３０】図３は、本実施形態におけるＭＲセンサの
製造工程を示す、ＡＢＳ方向から見た断面図である。
【００３１】まず、図１に示したＡｌＴｉＣ等の基板１
０上に図示しない下地膜を介してＮｉＦｅ等による下部
シールド層１１をめっき等で形成し、その上にＡｌ２Ｏ
３又はＳｉＯ２等の下部シールドギャップ層１２を積層
する。次いで、この下部シールドギャップ層１２上にＳ
ＶＭＲ多層膜又はＡＭＲ単層膜からなるＭＲ膜を成膜
し、さらにその上にＴａによるエッチングストップ膜を
成膜した後、フォトリソグラフィによってリフトオフパ
ターンを形成し、イオンミリング等でＭＲ膜及びエッチ
ングストップ膜をエッチングし、エッチング後リフトオ
フパターンが残った状態でＣｏＰｔ等の磁区制御膜を成
膜し、リフトオフすることによって、ＭＲ膜１３、エッ
チングストップ膜２３及び磁区制御膜２２をパターニン
グ形成する。この状態が図３（Ａ）に示されている。
【００３２】次いで、図３（Ｂ）に示すように、エッチ
ングストップ膜２３及び磁区制御膜２２上にＡｕによる
導体層２４´を成膜し、さらにその上にキャップ層２５
´を成膜する。
【００３３】次いで、図３（Ｃ）に示すように、キャッ
プ層２５´上に、フォトリソグラフィによってレジスト
パターン３０を形成する。
【００３４】その後、このレジストパターン３０をマス
クとしＣＦ４ガスを用いてＴａによるキャップ層２５´
をエッチングしてパターニングされたキャップ層２５を
得る。この場合のエッチング条件は例えば以下の表１の
通りである。
【００３５】
【表１】
【００３６】このエッチング後の状態が図３（Ｄ）に示
されている。ＣＦ４ガスを使用して最適条件を用いるこ
とにより、エッチングされるキャップ層２５´のバリ発
生を防止できる。なお、ＣＦ４ガスの代わりに、レジス
ト材料とキャップ層材料との選択比が取れるガス、例え
ばＣ２Ｆ６ガス又はＳＦ６ガスを用いても良い。
【００３７】次いで、Ｏ２ガスによりアッシングを行
い、レジストパターン３０を除去する。この場合のアッ
シング条件は例えば以下の表２の通りである。
【００３８】
【表２】
【００３９】この除去後の状態が図３（Ｅ）に示されて
いる。なお、レジストパターン３０の下に存在するキャ
ップ層２５はこのアッシング条件ではほとんどエッチン
グされない。
【００４０】次いで、このＴａによるキャップ層２５を
マスクとしＡｒ及びＯ２の混合ガスを用いてＡｕによる
導電層２４´をドライエッチングしてパターニングされ
た第１のリード導体２４を得る。この場合のエッチング
条件は例えば以下の表３の通りである。
【００４１】
【表３】
【００４２】このエッチング後の状態が図３（Ｆ）に示
されている。
【００４３】その後、図３（Ｇ）に示すように、キャッ
プ層２５上に第２のリード導体２６を形成し、さらにこ
れらの上にＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の上部シールドギ
ャップ層１４を成膜する。
【００４４】本実施形態のように、Ａｒ及びＯ２の混合
ガスを用いて導電層２４´のドライエッチングを行う
と、ＡｕのＴａに対する選択比が３４．６と非常に高い
ため、Ｔａによるマスクであるキャップ層２５を薄くし
た場合にもＡｕによる導電層２４´を確実にかつ精度良
くエッチングすることができる。
【００４５】このＡｕのＴａに対する選択比は、Ａｒ及
びＯ２の混合比に依存する。図４は、Ｏ２ガスの流量比
を変えた場合のＡｕ及びＴａのエッチングレートを実際
に測定した結果を示す図であり、表４はこのＯ２ガスの
流量比に対するＡｕ及びＴａのエッチングレート並びに
ＡｕのＴａに対する選択比を示している。ただし、Ｏ ２
ガスの流量比は、Ｏ２ガスの流量／（Ｏ２ガスの流量＋
Ａｒガスの流量）×１００（％）で表されている。測定
の条件としては、マイクロ波パワーが８００Ｗ、バイア
スＲＦパワーが６０Ｗ、ガス圧力が０．２７Ｐａであ
る。なお、表４のエッチングレート及び選択比と表３の
エッチングレート及び選択比とが互いに若干異なってい
るが、これは測定したエッチング装置が互いに異なるた
めである。
【００４６】
【表４】
【００４７】表４から分かるように、Ｏ２ガスの流量比
が１０〜３０％の範囲であれば、２４以上と非常に高い
選択比を得ることができる。
【００４８】Ａｒ及びＯ２の混合ガスを用いてドライエ
ッチングを行う際の、ガス圧力及びバイアスＲＦパワー
を制御することにより、第１のリード導体２４の端面の
テーパ角を制御することができる。第１のリード導体２
４の端面が急峻なテーパを有していると、この端面上に
上部シールドギャップ層１４が付着せず、第１のリード
導体２４が上部シールド層１６と短絡してしまう恐れが
ある。従って、この端面のテーパ角がある程度緩やかに
なるように制御することは非常に重要である。
【００４９】図５及び図６はドライエッチング時のガス
圧力を変えて作成したサンプルの第１のリード導体２４
の端面の様子を斜視で示すＳＥＭ写真であり、図７〜図
９は同じくドライエッチング時のガス圧力を変えて作成
したサンプルの第１のリード導体２４の端面の様子を断
面で示すＳＥＭ写真である。
【００５０】図５のサンプルのキャップ層のエッチング
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表５に示す通りである。
【００５１】
【表５】
【００５２】この場合、第１のリード導体２４の端面に
おけるテーパ角は、約５９．０°であった。
【００５３】図６のサンプルのキャップ層のエッチング
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表６に示す通りである。
【００５４】
【表６】
【００５５】この場合、第１のリード導体２４の端面に
おけるテーパ角は、約５６．０°であり、ガス圧力を６
ｍＴｏｒｒとすることによって、図５のサンプルよりも
テーパ角がより緩やかとなるように制御されることが分
かる。
【００５６】図７のサンプルのキャップ層のエッチング
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表７に示す通りである。
【００５７】
【表７】
【００５８】この場合、第１のリード導体２４の端面に
おけるテーパ角は、約６０．５°であった。
【００５９】図８のサンプルのキャップ層のエッチング
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表８に示す通りである。
【００６０】
【表８】
【００６１】この場合、第１のリード導体２４の端面に
おけるテーパ角は、約５６．５°であり、ガス圧力を５
ｍＴｏｒｒとすることによって、図７のサンプルよりも
テーパ角がより緩やかとなるように制御されることが分
かる。
【００６２】図９のサンプルのキャップ層のエッチング
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表９に示す通りである。
【００６３】
【表９】
【００６４】この場合、第１のリード導体２４の端面に
おけるテーパ角は、約４５．５°であり、ガス圧力を９
ｍＴｏｒｒとすることによって、テーパ角がさらに緩や
かとなるように制御されることが分かる。
【００６５】図１０及び図１１はドライエッチング時の
バイアスＲＦパワーを変えて作成したサンプルの第１の
リード導体２４の端面の様子を斜視で示すＳＥＭ写真で
ある。
【００６６】図１０のサンプルのキャップ層のエッチン
グ条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード
導体のエッチング条件は表５に示すものと同じであり、
第１のリード導体２４の端面におけるテーパ角は、約５
９．０°であった。
【００６７】図１１のサンプルのキャップ層のエッチン
グ条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード
導体のエッチング条件は表１０に示す通りである。
【００６８】
【表１０】
【００６９】この場合、第１のリード導体２４の端面に
おけるテーパ角は、約７０．４°であり、ＲＦパワーを
４０Ｗとすることによって、図１０のサンプルよりもテ
ーパ角がより急峻となるように制御されることが分か
る。
【００７０】第１のリード導体２４として、Ａｕ合金を
用いた場合のそのＴａに対する選択比について測定した
結果が次の表１１に示されている。
【００７１】
【表１１】
【００７２】この表１１から分かるように、この程度の
Ｃｕ、Ｎｉの含有率では、Ｔａに対するエッチングレー
トの選択比ははとんど変わらずに高い値を維持してい
る。従って、第１のリード導体２４を、Ａｕの他に、Ａ
ｕＣｕ、ＡｕＮｉ、ＡｕＳｉ若しくはＡｕＴｉ等のＡｕ
合金で構成しても同様の好結果が得られることが分か
る。
【００７３】図１２は、本発明の他の実施形態における
ＭＲセンサの製造工程を示す、ＡＢＳ方向から見た断面
図である。
【００７４】まず、図１の実施形態の場合と同様に、Ａ
ｌＴｉＣ等の基板１０上に図示しない下地膜を介してＮ
ｉＦｅ等による下部シールド層１１をめっき等で形成
し、その上にＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の下部シールド
ギャップ層１２を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層１２上にＳＶＭＲ多層膜又はＡＭＲ単層膜か
らなるＭＲ膜を成膜し、さらにその上にＴａによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でＭＲ膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でＣｏＰｔ
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、ＭＲ膜１３、エッチングストップ膜２３及び磁区制
御膜２２をパターニング形成する。この状態が図１２
（Ａ）に示されている。
【００７５】次いで、図１２（Ｂ）に示すように、エッ
チングストップ膜２３及び磁区制御膜２２上にＡｕによ
る導体層２４´を成膜する。
【００７６】次いで、図１２（Ｃ）に示すように、導体
層２４´上に、フォトリソグラフィによってレジストパ
ターン１２０を形成する。
【００７７】次いで、図１２（Ｄ）に示すように、この
レジストパターン１２０及び導体層２４´の上にＴａに
よるキャップ層２５´を成膜する。
【００７８】その後、リフトオフによりこのレジストパ
ターン１２０及びその上に成膜されたＴａを除去してパ
ターニングされたキャップ層２５を得る。このリフトオ
フ後の状態が図１２（Ｅ）に示されている。
【００７９】次いで、このＴａによるキャップ層２５を
マスクとしＡｒ及びＯ２の混合ガスを用いてＡｕによる
導電層２４´をドライエッチングしてパターニングされ
た第１のリード導体２４を得る。この場合のエッチング
条件は例えば前述した表３の通りである。このエッチン
グ後の状態が図１２（Ｆ）に示されている。
【００８０】その後、図１２（Ｇ）に示すように、キャ
ップ層２５上に第２のリード導体２６を形成し、さらに
これらの上にＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の上部シールド
ギャップ層１４を成膜する。
【００８１】本実施形態のように、Ａｒ及びＯ２の混合
ガスを用いて導電層２４´のドライエッチングを行う
と、ＡｕのＴａに対する選択比が３４．６と非常に高い
ため、Ｔａによるマスクであるキャップ層２５を薄くし
た場合にもＡｕによる導電層２４´を確実にかつ精度良
くエッチングすることができる。
【００８２】キャップ層２５及びエッチングストップ膜
２３は、本実施形態ではＴａで形成されているが、Ｔａ
以外に、Ｔａ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、又はＴａ、Ｔａ合
金、Ｔｉ若しくはＴｉ合金の窒化物で形成しても良い。
【００８３】第１のリード導体層２４は、本実施形態で
はＡｕで形成されているが、Ａｕ以外に、ＡｕＣｕ、Ａ
ｕＮｉ、ＡｕＳｉ若しくはＡｕＴｉ等のＡｕ合金で形成
しても良い。
【００８４】本実施形態のその他の構成、作用効果及び
変更態様等は、図１の実施形態の場合と同様である。
【００８５】図１３は、本発明のさらに他の実施形態に
おけるＭＲセンサの製造工程を示す、ＡＢＳ方向から見
た断面図である。
【００８６】まず、図１の実施形態の場合と同様に、Ａ
ｌＴｉＣ等の基板１０上に図示しない下地膜を介してＮ
ｉＦｅ等による下部シールド層１１をめっき等で形成
し、その上にＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の下部シールド
ギャップ層１２を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層１２上にＳＶＭＲ多層膜又はＡＭＲ単層膜か
らなるＭＲ膜を成膜し、さらにその上にＴａによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でＭＲ膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でＣｏＰｔ
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、ＭＲ膜１３、エッチングストップ膜２３及び磁区制
御膜２２をパターニング形成する。この状態が図１３
（Ａ）に示されている。
【００８７】次いで、図１３（Ｂ）に示すように、エッ
チングストップ膜２３及び磁区制御膜２２上にＡｕによ
る導体層２４´を成膜し、さらにその上にキャップ層２
５´を成膜する。
【００８８】次いで、図１３（Ｃ）に示すように、キャ
ップ層２５´上に、フォトリソグラフィによってレジス
トパターン３０を形成する。
【００８９】その後、このレジストパターン３０をマス
クとしＣＦ４ガスを用いてＴａによるキャップ層２５´
をエッチングしてパターニングされたキャップ層２５を
得る。この場合のエッチング条件は例えば前述した表１
の通りである。
【００９０】このエッチング後の状態が図１３（Ｄ）に
示されている。ＣＦ４ガスを使用して最適条件を用いる
ことにより、エッチングされるキャップ層２５´のバリ
発生を防止できる。なお、ＣＦ４ガスの代わりに、レジ
スト材料とキャップ層材料との選択比が取れるガス、例
えばＣ２Ｆ６ガス又はＳＦ６ガスを用いても良い。
【００９１】次いで、Ｏ２ガスによるドライエッチング
を行い、レジストパターン３０を除去すると共に、Ｔａ
によるキャップ層２５をマスクとしてＡｕによる導電層
２４´をパターニングし、第１のリード導体２４を得
る。この場合のエッチング条件は例えば以下の表１２の
通りである。
【００９２】
【表１２】
【００９３】このエッチング後の状態が図１３（Ｅ）に
示されている。
【００９４】その後、図１３（Ｆ）に示すように、キャ
ップ層２５上に第２のリード導体２６を形成し、さらに
これらの上にＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の上部シールド
ギャップ層１４を成膜する。
【００９５】本実施形態のように、Ｏ２ガスを用いて導
電層２４´のドライエッチングを行うと、ＡｕのＴａに
対する選択比が２０．４と非常に高いため、Ｔａによる
マスクであるキャップ層２５を薄くした場合にもＡｕに
よる導電層２４´を確実にかつ精度良くエッチングする
ことができる。
【００９６】キャップ層２５及びエッチングストップ膜
２３は、本実施形態ではＴａで形成されているが、Ｔａ
以外に、Ｔａ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、又はＴａ、Ｔａ合
金、Ｔｉ若しくはＴｉ合金の窒化物で形成しても良い。
【００９７】第１のリード導体層２４は、本実施形態で
はＡｕで形成されているが、Ａｕ以外に、ＡｕＣｕ、Ａ
ｕＮｉ、ＡｕＳｉ若しくはＡｕＴｉ等のＡｕ合金で形成
しても良い。
【００９８】本実施形態のその他の構成、作用効果及び
変更態様等は、図１の実施形態の場合と同様である。
【００９９】図１４は、本発明のまたさらに他の実施形
態におけるＭＲセンサの製造工程を示す、ＡＢＳ方向か
ら見た断面図である。
【０１００】まず、図１の実施形態の場合と同様に、Ａ
ｌＴｉＣ等の基板１０上に図示しない下地膜を介してＮ
ｉＦｅ等による下部シールド層１１をめっき等で形成
し、その上にＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の下部シールド
ギャップ層１２を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層１２上にＳＶＭＲ多層膜又はＡＭＲ単層膜か
らなるＭＲ膜を成膜し、さらにその上にＴａによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でＭＲ膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でＣｏＰｔ
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、ＭＲ膜１３、エッチングストップ膜２３及び磁区制
御膜２２をパターニング形成する。この状態が図１４
（Ａ）に示されている。
【０１０１】次いで、図１４（Ｂ）に示すように、エッ
チングストップ膜２３及び磁区制御膜２２上にＡｕによ
る導体層２４´を成膜する。
【０１０２】次いで、図１４（Ｃ）に示すように、導体
層２４´上に、フォトリソグラフィによってレジストパ
ターン１２０を形成する。
【０１０３】次いで、図１４（Ｄ）に示すように、この
レジストパターン１２０及び導体層２４´の上にＴａに
よるキャップ層２５´を成膜する。
【０１０４】その後、リフトオフによりこのレジストパ
ターン１２０及びその上に成膜されたＴａを除去してパ
ターニングされたキャップ層２５を得る。このリフトオ
フ後の状態が図１４（Ｅ）に示されている。
【０１０５】次いで、このＴａによるキャップ層２５を
マスクとしＯ２ガスを用いてＡｕによる導電層２４´を
ドライエッチングしてパターニングされた第１のリード
導体２４を得る。この場合のエッチング条件は例えば前
述した表１２の通りである。このエッチング後の状態が
図１４（Ｆ）に示されている。
【０１０６】その後、図１４（Ｇ）に示すように、キャ
ップ層２５上に第２のリード導体２６を形成し、さらに
これらの上にＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の上部シールド
ギャップ層１４を成膜する。
【０１０７】本実施形態のように、Ｏ２ガスを用いて導
電層２４´のドライエッチングを行うと、ＡｕのＴａに
対する選択比が２０．４と非常に高いため、Ｔａによる
マスクであるキャップ層２５を薄くした場合にもＡｕに
よる導電層２４´を確実にかつ精度良くエッチングする
ことができる。
【０１０８】キャップ層２５及びエッチングストップ膜
２３は、本実施形態ではＴａで形成されているが、Ｔａ
以外に、Ｔａ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、又はＴａ、Ｔａ合
金、Ｔｉ若しくはＴｉ合金の窒化物で形成しても良い。
【０１０９】第１のリード導体層２４は、本実施形態で
はＡｕで形成されているが、Ａｕ以外に、ＡｕＣｕ、Ａ
ｕＮｉ、ＡｕＳｉ若しくはＡｕＴｉ等のＡｕ合金で形成
しても良い。
【０１１０】本実施形態のその他の構成、作用効果及び
変更態様等は、図１の実施形態の場合と同様である。
【０１１１】図１５は、本発明の他の実施形態における
ＭＲセンサの製造工程を示す、ＡＢＳ方向から見た断面
図である。
【０１１２】まず、図１の実施形態の場合と同様に、Ａ
ｌＴｉＣ等の基板１０上に図示しない下地膜を介してＮ
ｉＦｅ等による下部シールド層１１をめっき等で形成
し、その上にＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の下部シールド
ギャップ層１２を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層１２上にＳＶＭＲ多層膜又はＡＭＲ単層膜か
らなるＭＲ膜を成膜し、さらにその上にＴａによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でＭＲ膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でＣｏＰｔ
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、ＭＲ膜１３、エッチングストップ膜２３及び磁区制
御膜２２をパターニング形成する。この状態が図１５
（Ａ）に示されている。
【０１１３】次いで、図１５（Ｂ）に示すように、エッ
チングストップ膜２３及び磁区制御膜２２上にＡｕによ
る導体層２４´を成膜し、さらにその上にキャップ層２
５´を成膜する。
【０１１４】次いで、図１５（Ｃ）に示すように、キャ
ップ層２５´上に、フォトリソグラフィによってレジス
トパターン３０を形成する。
【０１１５】その後、このレジストパターン３０をマス
クとしＣＦ４ガスを用いてＴａによるキャップ層２５´
をエッチングしてパターニングされたキャップ層２５を
得る。この場合のエッチング条件は例えば前述した表１
の通りである。
【０１１６】このエッチング後の状態が図１５（Ｄ）に
示されている。ＣＦ４ガスを使用して最適条件を用いる
ことにより、エッチングされるキャップ層２５´のバリ
発生を防止できる。なお、ＣＦ４ガスの代わりに、レジ
スト材料とキャップ層材料との選択比が取れるガス、例
えばＣ２Ｆ６ガス又はＳＦ６ガスを用いても良い。
【０１１７】次いで、Ｏ２ガスによりアッシングを行
い、レジストパターン３０を除去する。この場合のアッ
シング条件は例えば前述した表２の通りである。この除
去後の状態が図１５（Ｅ）に示されている。なお、レジ
ストパターン３０の下に存在するキャップ層２５はこの
アッシング条件ではほとんどエッチングされない。
【０１１８】次いで、このＴａによるキャップ層２５を
マスクとしＮ２ガスを用いてＡｕによる導電層２４´を
ドライエッチングしてパターニングされた第１のリード
導体２４を得る。この場合のエッチング条件は例えば以
下の表１３の通りである。
【０１１９】
【表１３】
【０１２０】このエッチング後の状態が図１５（Ｆ）に
示されている。
【０１２１】その後、図１５（Ｇ）に示すように、キャ
ップ層２５上に第２のリード導体２６を形成し、さらに
これらの上にＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の上部シールド
ギャップ層１４を成膜する。
【０１２２】本実施形態のように、Ｎ２ガスを用いて導
電層２４´のドライエッチングを行うと、ＡｕのＴａに
対する選択比が５０．８と著しく高いため、Ｔａによる
マスクであるキャップ層２５を薄くした場合にもＡｕに
よる導電層２４´を確実にかつ精度良くエッチングする
ことができる。
【０１２３】キャップ層２５及びエッチングストップ膜
２３は、本実施形態ではＴａで形成されているが、Ｔａ
以外に、Ｔａ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、又はＴａ、Ｔａ合
金、Ｔｉ若しくはＴｉ合金の窒化物で形成しても良い。
【０１２４】第１のリード導体層２４は、本実施形態で
はＡｕで形成されているが、Ａｕ以外に、ＡｕＣｕ、Ａ
ｕＮｉ、ＡｕＳｉ若しくはＡｕＴｉ等のＡｕ合金で形成
しても良い。
【０１２５】本実施形態のその他の構成、作用効果及び
変更態様等は、図１の実施形態の場合と同様である。
【０１２６】図１６は、本発明のさらに他の実施形態に
おけるＭＲセンサの製造工程を示す、ＡＢＳ方向から見
た断面図である。
【０１２７】まず、図１の実施形態の場合と同様に、Ａ
ｌＴｉＣ等の基板１０上に図示しない下地膜を介してＮ
ｉＦｅ等による下部シールド層１１をめっき等で形成
し、その上にＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の下部シールド
ギャップ層１２を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層１２上にＳＶＭＲ多層膜又はＡＭＲ単層膜か
らなるＭＲ膜を成膜し、さらにその上にＴａによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でＭＲ膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でＣｏＰｔ
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、ＭＲ膜１３、エッチングストップ膜２３及び磁区制
御膜２２をパターニング形成する。この状態が図１６
（Ａ）に示されている。
【０１２８】次いで、図１６（Ｂ）に示すように、エッ
チングストップ膜２３及び磁区制御膜２２上にＡｕによ
る導体層２４´を成膜する。
【０１２９】次いで、図１６（Ｃ）に示すように、導体
層２４´上に、フォトリソグラフィによってレジストパ
ターン１２０を形成する。
【０１３０】次いで、図１６（Ｄ）に示すように、この
レジストパターン１２０及び導体層２４´の上にＴａに
よるキャップ層２５´を成膜する。
【０１３１】その後、リフトオフによりこのレジストパ
ターン１２０及びその上に成膜されたＴａを除去してパ
ターニングされたキャップ層２５を得る。このリフトオ
フ後の状態が図１６（Ｅ）に示されている。
【０１３２】次いで、このＴａによるキャップ層２５を
マスクとしＮ２ガスを用いてＡｕによる導電層２４´を
ドライエッチングしてパターニングされた第１のリード
導体２４を得る。この場合のエッチング条件は例えば前
述した表１３の通りである。このエッチング後の状態が
図１６（Ｆ）に示されている。
【０１３３】その後、図１６（Ｇ）に示すように、キャ
ップ層２５上に第２のリード導体２６を形成し、さらに
これらの上にＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の上部シールド
ギャップ層１４を成膜する。
【０１３４】本実施形態のように、Ｎ２ガスを用いて導
電層２４´のドライエッチングを行うと、ＡｕのＴａに
対する選択比が５０．８と著しく高いため、Ｔａによる
マスクであるキャップ層２５を薄くした場合にもＡｕに
よる導電層２４´を確実にかつ精度良くエッチングする
ことができる。
【０１３５】キャップ層２５及びエッチングストップ膜
２３は、本実施形態ではＴａで形成されているが、Ｔａ
以外に、Ｔａ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、又はＴａ、Ｔａ合
金、Ｔｉ若しくはＴｉ合金の窒化物で形成しても良い。
【０１３６】第１のリード導体層２４は、本実施形態で
はＡｕで形成されているが、Ａｕ以外に、ＡｕＣｕ、Ａ
ｕＮｉ、ＡｕＳｉ若しくはＡｕＴｉ等のＡｕ合金で形成
しても良い。
【０１３７】本実施形態のその他の構成、作用効果及び
変更態様等は、図１の実施形態の場合と同様である。
【０１３８】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【０１３９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、リードオーバレイド構造のＭＲ型薄膜磁気ヘッドを
製造するに際して、導体層上に形成したパターニングさ
れたキャップ層をマスクとして、ＲＩＥを行うことな
く、Ａｒガス及びＯ２ガス、Ｏ２ガス又はＮ２ガスによ
るドライエッチングを行うことにより導体層をパターニ
ングしてリード導体を形成している。マスクをＴａ、Ｔ
ｉ等にすることで、粒子の化学的性質と物理的エネルギ
とを利用するＲＩＥではなく、粒子の物理的エネルギを
利用するＡｒガス及びＯ２ガス、Ｏ２ガス又はＮ２ガス
によるドライエッチングを行っているため、ＲＩＥ の
反応性ガスにＣｌ２系ガスを使用した場合のように腐食
が生じることがなく、マスク材料に対するリード導体材
料のエッチングレートの選択比を大きくとることができ
る。また、ＲＩＥ の反応性ガスにＦ系ガスを使用した
場合のようにデポ物が発生して幅制御が困難となること
はなく、また、選択比が非常に高いエッチングを行うこ
とができる。従って、マスクとして用いるキャップ層の
層厚を薄くすることが可能となり、より高精度の狭再生
トラック幅を有するリードオーバレイド構造を形成でき
ると共に、成膜時間が短くて済むので製造工程全体に要
する時間が短縮化される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における薄膜磁気ヘッドの
主要部の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図１の実施形態におけるＭＲセンサの構成を示
す、ＡＢＳ方向から見た断面図である。
【図３】図１の実施形態におけるＭＲセンサの製造工程
を示す、ＡＢＳ方向から見た断面図である。
【図４】Ｏ２ガスの流量比を変えた場合のＡｕ及びＴａ
のエッチングレートを実際に測定した結果を示す図であ
る。
【図５】ドライエッチング時のガス圧力を変えて作成し
たサンプルの第１のリード導体の端面の様子を斜視で示
すＳＥＭ写真である。
【図６】ドライエッチング時のガス圧力を変えて作成し
たサンプルの第１のリード導体の端面の様子を斜視で示
すＳＥＭ写真である。
【図７】ドライエッチング時のガス圧力を変えて作成し
たサンプルの第１のリード導体の端面の様子を断面で示
すＳＥＭ写真である。
【図８】ドライエッチング時のガス圧力を変えて作成し
たサンプルの第１のリード導体の端面の様子を断面で示
すＳＥＭ写真である。
【図９】ドライエッチング時のガス圧力を変えて作成し
たサンプルの第１のリード導体の端面の様子を断面で示
すＳＥＭ写真である。
【図１０】ドライエッチング時のバイアスＲＦパワーを
変えて作成したサンプルの第１のリード導体の端面の様
子を斜視で示すＳＥＭ写真である。
【図１１】ドライエッチング時のバイアスＲＦパワーを
変えて作成したサンプルの第１のリード導体の端面の様
子を斜視で示すＳＥＭ写真である。
【図１２】本発明の他の実施形態におけるＭＲセンサの
製造工程を示す、ＡＢＳ方向から見た断面図である。
【図１３】本発明のさらに他の実施形態におけるＭＲセ
ンサの製造工程を示す、ＡＢＳ方向から見た断面図であ
る。
【図１４】本発明のまたさらに他の実施形態におけるＭ
Ｒセンサの製造工程を示す、ＡＢＳ方向から見た断面図
である。
【図１５】本発明の他の実施形態におけるＭＲセンサの
製造工程を示す、ＡＢＳ方向から見た断面図である。
【図１６】本発明のさらに他の実施形態におけるＭＲセ
ンサの製造工程を示す、ＡＢＳ方向から見た断面図であ
る。
【符号の説明】
１０ 基板 １０ａ ＡＢＳ １１ 下部シールド層 １２ 下部シールドギャップ層 １３ ＭＲ膜 １４ 上部シールドギャップ層 １５ シールドギャップ層 １６ 上部シールド層 １６ａ、１７ａ ポール部 １７ 上部磁性層 １８ コイル導電層 １９ 絶縁層 ２０ ギャップ層 ２１ 保護層 ２２ 磁区制御膜 ２３ エッチングストップ膜 ２４ 第１のリード導体層 ２４´ 導電層 ２５ パターニングされたキャップ層 ２５´ キャップ層 ２６ 第２のリード導体層 ３０、１２０ レジストパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 一博 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 2G017 AD55 AD56 AD60 AD65 5D034 BA03 BA08 BA21 DA07

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気抵抗効果膜上にリード導体がオーバ
    ーラップして配置された磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
    の製造方法であって、少なくとも該磁気抵抗効果膜上に
    導体層を成膜し、パターニングされたキャップ層を該導
    体層上に形成し、該パターニングされたキャップ層をマ
    スクとして、Ａｒガス及びＯ２ガスによるドライエッチ
    ングを行うことにより前記導体層をパターニングして前
    記リード導体を形成することを特徴とする磁気抵抗効果
    型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】 磁気抵抗効果膜上にリード導体がオーバ
    ーラップして配置された磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
    の製造方法であって、少なくとも該磁気抵抗効果膜上に
    導体層を成膜し、パターニングされたキャップ層を該導
    体層上に形成し、該パターニングされたキャップ層をマ
    スクとして、Ｏ２ガスによるドライエッチングを行うこ
    とにより前記導体層をパターニングして前記リード導体
    を形成することを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  3. 【請求項３】 磁気抵抗効果膜上にリード導体がオーバ
    ーラップして配置された磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
    の製造方法であって、少なくとも該磁気抵抗効果膜上に
    導体層を成膜し、パターニングされたキャップ層を該導
    体層上に形成し、該パターニングされたキャップ層をマ
    スクとして、Ｎ２ガスによるドライエッチングを行うこ
    とにより前記導体層をパターニングして前記リード導体
    を形成することを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記キャップ層が、Ｔａ、Ｔａ合金、Ｔ
    ｉ、Ｔｉ合金、又はＴａ、Ｔａ合金、Ｔｉ若しくはＴｉ
    合金の窒化物からなることを特徴とする請求項１から３
    のいずれか１項に記載の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記導体層が、Ａｕ又はＡｕ合金からな
    ることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記
    載の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記キャップ層が、前記導体層上にキャ
    ップ層を成膜し、該成膜したキャップ層上にレジストパ
    ターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてフッ
    素系ガスによるエッチングを行うことによりパターニン
    グされることを特徴とする請求項１から５のいずれか１
    項に記載の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記フッ素系ガスが、ＣＦ４ガス、Ｃ２
    Ｆ６ガス又はＳＦ６ガスであることを特徴とする請求項
    ６に記載の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記キャップ層のエッチングした後、前
    記レジストパターンをＯ２ガスによりアッシング除去す
    ることを特徴とする請求項６又は７に記載の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記キャップ層が、前記導体層上にレジ
    ストパターンを形成し、該レジストパターン上からキャ
    ップ層を成膜した後、該レジストパターンを除去するリ
    フトオフ法により形成されることを特徴とする請求項１
    から５のいずれか１項に記載の製造方法。
  10. 【請求項１０】 少なくとも前記磁気抵抗効果膜上にエ
    ッチングストップ膜を成膜した後、前記導体層を成膜す
    ることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記
    載の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記エッチングストップ層が、Ｔａ、
    Ｔａ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、又はＴａ、Ｔａ合金、Ｔｉ
    若しくはＴｉ合金の窒化物からなることを特徴とする請
    求項１０に記載の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記リード導体のテーパ角度が適切な
    値となるように、前記Ａｒガス及びＯ２ガス、Ｏ２ガス
    又はＮ２ガスによるドライエッチングにおけるバイアス
    パワー条件及びガス圧力条件が設定されていることを特
    徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の製造
    方法。
  13. 【請求項１３】 磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜
    上にオーバーラップして形成されたリード導体と、該リ
    ード導体上に形成されているパターニングされたキャッ
    プ層とを備えており、前記リード導体がＡｕ又はＡｕ合
    金からなり、前記キャップ層がＴａ、Ｔａ合金、Ｔｉ、
    Ｔｉ合金、又はＴａ、Ｔａ合金、Ｔｉ若しくはＴｉ合金
    の窒化物からなることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜
    磁気ヘッド。
  14. 【請求項１４】 少なくとも前記磁気抵抗効果膜上に、
    Ｔａ、Ｔａ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、又はＴａ、Ｔａ合
    金、Ｔｉ若しくはＴｉ合金の窒化物からなるエッチング
    ストップ層が形成されていることを特徴とする請求項１
    ３に記載のヘッド。
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