JP2003059011A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2003059011A JP2003059011A JP2001240659A JP2001240659A JP2003059011A JP 2003059011 A JP2003059011 A JP 2003059011A JP 2001240659 A JP2001240659 A JP 2001240659A JP 2001240659 A JP2001240659 A JP 2001240659A JP 2003059011 A JP2003059011 A JP 2003059011A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Hall/Mr Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 より高精度の狭再生トラック幅を有し、かつ
製造工程時間が増大しないリードオーバレイド構造の新
規なMR型薄膜磁気ヘッドの製造方法及びMR型薄膜磁
気ヘッドを提供する。 【解決手段】 MR膜13上に第1のリード導体層2
4,第2のリード導体層26がオーバーラップして配置
されたMR型薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、少な
くともMR膜13上に第1のリード導体層24を成膜
し、パターニングされたキャップ層25をこの導体層上
に形成し、パターニングされたキャップ層25をマスク
として、Arガス及びO2ガス、O2ガス又はN2ガス
によるドライエッチングを行うことにより導体層をパタ
ーニングして第1のリード導体層24を形成する。
製造工程時間が増大しないリードオーバレイド構造の新
規なMR型薄膜磁気ヘッドの製造方法及びMR型薄膜磁
気ヘッドを提供する。 【解決手段】 MR膜13上に第1のリード導体層2
4,第2のリード導体層26がオーバーラップして配置
されたMR型薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、少な
くともMR膜13上に第1のリード導体層24を成膜
し、パターニングされたキャップ層25をこの導体層上
に形成し、パターニングされたキャップ層25をマスク
として、Arガス及びO2ガス、O2ガス又はN2ガス
によるドライエッチングを行うことにより導体層をパタ
ーニングして第1のリード導体層24を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果(M
R)型薄膜磁気ヘッドの製造方法及びMR型薄膜磁気ヘ
ッドに関する。
R)型薄膜磁気ヘッドの製造方法及びMR型薄膜磁気ヘ
ッドに関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスク装置の小型化及び高密度化
に伴い、磁気ディスクと磁気ヘッドとの相対速度に依存
せずに高い再生出力電圧が得られるMR型薄膜磁気ヘッ
ドが普及している。このMR型薄膜磁気ヘッドとして最
も広く用いられているのは、感受する磁束によって抵抗
が変化することを利用した読出し用のMRセンサと書込
み用のインダクティブ電磁変換素子とを一体的に積層し
た複合型薄膜磁気ヘッドである。
に伴い、磁気ディスクと磁気ヘッドとの相対速度に依存
せずに高い再生出力電圧が得られるMR型薄膜磁気ヘッ
ドが普及している。このMR型薄膜磁気ヘッドとして最
も広く用いられているのは、感受する磁束によって抵抗
が変化することを利用した読出し用のMRセンサと書込
み用のインダクティブ電磁変換素子とを一体的に積層し
た複合型薄膜磁気ヘッドである。
【0003】MRセンサとしては、異方性磁気抵抗効果
(AMR)を利用したAMRセンサはもちろんのこと、
最近では、スピンバルブ効果等の巨大磁気抵抗効果(G
MR)を利用したGMRセンサが利用され始めている。
(AMR)を利用したAMRセンサはもちろんのこと、
最近では、スピンバルブ効果等の巨大磁気抵抗効果(G
MR)を利用したGMRセンサが利用され始めている。
【0004】スピンバルブ磁気抵抗効果(SVMR)セ
ンサは、基本的には、磁気記録媒体からの磁界により磁
化方向が変化する強磁性層(フリー層)と、磁化方向が
固定された強磁性層(ピンド層)と、フリー層及びピン
ド層間に挿入された非磁性導電層と、ピンド層の磁化方
向を固定するための反強磁性層又は永久磁石層とから構
成されるSVMR多層膜を備えている。
ンサは、基本的には、磁気記録媒体からの磁界により磁
化方向が変化する強磁性層(フリー層)と、磁化方向が
固定された強磁性層(ピンド層)と、フリー層及びピン
ド層間に挿入された非磁性導電層と、ピンド層の磁化方
向を固定するための反強磁性層又は永久磁石層とから構
成されるSVMR多層膜を備えている。
【0005】SVMRセンサやAMRセンサの出力を向
上させるためには、SVMR多層膜のフリー層やMR膜
の単磁区化が有効であることが知られている。そのため
の方法としては、SVMR多層膜又はMR膜の端部領域
の上に磁区制御膜を配置してこの端部領域を単磁区化す
ることによりSVMR多層膜又はMR膜中央の感磁部を
単磁区に誘導するパターンドエクスチェンジ制御法や、
リフトオフパターンをマスクとしてSVMR多層膜又は
MR膜の両端部分をイオンミリングによって除去して中
央の感磁部のみを残し、除去した両端部に永久磁石層を
配置することによってこの永久磁石層からの磁界により
感磁部を単磁区に誘導するハードバイアス制御法があ
る。
上させるためには、SVMR多層膜のフリー層やMR膜
の単磁区化が有効であることが知られている。そのため
の方法としては、SVMR多層膜又はMR膜の端部領域
の上に磁区制御膜を配置してこの端部領域を単磁区化す
ることによりSVMR多層膜又はMR膜中央の感磁部を
単磁区に誘導するパターンドエクスチェンジ制御法や、
リフトオフパターンをマスクとしてSVMR多層膜又は
MR膜の両端部分をイオンミリングによって除去して中
央の感磁部のみを残し、除去した両端部に永久磁石層を
配置することによってこの永久磁石層からの磁界により
感磁部を単磁区に誘導するハードバイアス制御法があ
る。
【0006】最近、SVMR多層膜又はMRセンサのさ
らなる高感度化を図るため、従来のハードバイアス制御
法を改良し、リード導体の間隔がSVMR多層膜又はM
R膜の幅より狭くなるようにリード導体がSVMR多層
膜又はMR膜にオーバーラップしたリードオーバレイド
構造のMR型薄膜磁気ヘッドが提案されている。
らなる高感度化を図るため、従来のハードバイアス制御
法を改良し、リード導体の間隔がSVMR多層膜又はM
R膜の幅より狭くなるようにリード導体がSVMR多層
膜又はMR膜にオーバーラップしたリードオーバレイド
構造のMR型薄膜磁気ヘッドが提案されている。
【0007】特開平11−53716号公報及び特開2
000−99926号公報には、この種のリードオーバ
レイド構造のMR型薄膜磁気ヘッドが記載されている。
特開平11−53716号公報には、2層構造の電極膜
(リード導体)をRIE(反応性イオンエッチング)に
よって形成することが記載されており、特開2000−
99926号公報には、2層構造の電極膜のうち上層の
電極膜をRIEされにくい材料で構成し下層の電極膜を
RIEで形成する際のマスクとして用いることが記載さ
れている。
000−99926号公報には、この種のリードオーバ
レイド構造のMR型薄膜磁気ヘッドが記載されている。
特開平11−53716号公報には、2層構造の電極膜
(リード導体)をRIE(反応性イオンエッチング)に
よって形成することが記載されており、特開2000−
99926号公報には、2層構造の電極膜のうち上層の
電極膜をRIEされにくい材料で構成し下層の電極膜を
RIEで形成する際のマスクとして用いることが記載さ
れている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、リード
オーバレイド構造のMR型薄膜磁気ヘッドにおいて、R
IEによってリード導体をパターニングすると、次のよ
うな問題が生じる。RIE の反応性ガスにCl2系ガ
スを使用した場合、腐食が生じるので、マスク材料に対
するリード導体材料のエッチングレートの選択比を大き
くとることができない。また、RIE の反応性ガスに
F系ガスを使用した場合、デポ物が発生するので幅制御
が困難となり、また、選択比を大きくとることができな
い。その結果、マスクの層厚を充分に大きくとらねばな
らないので、高精度のパターニングを行うことが困難と
なるのみならず、成膜時間が長くなることから製造工程
全体に要する時間が増大してしまう。
オーバレイド構造のMR型薄膜磁気ヘッドにおいて、R
IEによってリード導体をパターニングすると、次のよ
うな問題が生じる。RIE の反応性ガスにCl2系ガ
スを使用した場合、腐食が生じるので、マスク材料に対
するリード導体材料のエッチングレートの選択比を大き
くとることができない。また、RIE の反応性ガスに
F系ガスを使用した場合、デポ物が発生するので幅制御
が困難となり、また、選択比を大きくとることができな
い。その結果、マスクの層厚を充分に大きくとらねばな
らないので、高精度のパターニングを行うことが困難と
なるのみならず、成膜時間が長くなることから製造工程
全体に要する時間が増大してしまう。
【0009】従って本発明の目的は、より高精度の狭再
生トラック幅を有するリードオーバレイド構造の新規な
MR型薄膜磁気ヘッドの製造方法及びMR型薄膜磁気ヘ
ッドを提供することにある。
生トラック幅を有するリードオーバレイド構造の新規な
MR型薄膜磁気ヘッドの製造方法及びMR型薄膜磁気ヘ
ッドを提供することにある。
【0010】本発明の他の目的は、製造工程時間が増大
しないリードオーバレイド構造の新規なMR型薄膜磁気
ヘッドの製造方法及びMR型薄膜磁気ヘッドを提供する
ことにある。
しないリードオーバレイド構造の新規なMR型薄膜磁気
ヘッドの製造方法及びMR型薄膜磁気ヘッドを提供する
ことにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、MR膜
上にリード導体がオーバーラップして配置されたMR型
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、少なくともMR膜
上に導体層を成膜し、パターニングされたキャップ層を
この導体層上に形成し、パターニングされたキャップ層
をマスクとして、Arガス及びO2ガス、O2ガス又は
N2ガスによるドライエッチングを行うことにより導体
層をパターニングしてリード導体を形成するMR型薄膜
磁気ヘッドの製造方法が提供される。
上にリード導体がオーバーラップして配置されたMR型
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、少なくともMR膜
上に導体層を成膜し、パターニングされたキャップ層を
この導体層上に形成し、パターニングされたキャップ層
をマスクとして、Arガス及びO2ガス、O2ガス又は
N2ガスによるドライエッチングを行うことにより導体
層をパターニングしてリード導体を形成するMR型薄膜
磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【0012】リードオーバレイド構造のMR型薄膜磁気
ヘッドを製造するに際して、導体層上に形成したパター
ニングされたキャップ層をマスクとして、RIEを行う
ことなく、Arガス及びO2ガス、O2ガス又はN2ガ
スによるドライエッチングを行うことにより導体層をパ
ターニングしてリード導体を形成している。マスクをT
a、Ti等にすることで、粒子の化学的性質と物理的エ
ネルギとを利用するRIEではなく、粒子の物理的エネ
ルギを利用するArガス及びO2ガス、O2ガス又はN
2ガスによるドライエッチングを行っているため、RI
E の反応性ガスにCl2系ガスを使用した場合のよう
に腐食が生じることがなく、マスク材料に対するリード
導体材料のエッチングレートの選択比を大きくとること
ができる。また、RIE の反応性ガスにF系ガスを使
用した場合のようにデポ物が発生して幅制御が困難とな
ることはなく、また、選択比が非常に高いエッチングを
行うことができる。従って、マスクとして用いるキャッ
プ層の層厚を薄くすることが可能となり、より高精度の
狭再生トラック幅を有するリードオーバレイド構造を形
成できると共に、成膜時間が短くて済むので製造工程全
体に要する時間が短縮化される。
ヘッドを製造するに際して、導体層上に形成したパター
ニングされたキャップ層をマスクとして、RIEを行う
ことなく、Arガス及びO2ガス、O2ガス又はN2ガ
スによるドライエッチングを行うことにより導体層をパ
ターニングしてリード導体を形成している。マスクをT
a、Ti等にすることで、粒子の化学的性質と物理的エ
ネルギとを利用するRIEではなく、粒子の物理的エネ
ルギを利用するArガス及びO2ガス、O2ガス又はN
2ガスによるドライエッチングを行っているため、RI
E の反応性ガスにCl2系ガスを使用した場合のよう
に腐食が生じることがなく、マスク材料に対するリード
導体材料のエッチングレートの選択比を大きくとること
ができる。また、RIE の反応性ガスにF系ガスを使
用した場合のようにデポ物が発生して幅制御が困難とな
ることはなく、また、選択比が非常に高いエッチングを
行うことができる。従って、マスクとして用いるキャッ
プ層の層厚を薄くすることが可能となり、より高精度の
狭再生トラック幅を有するリードオーバレイド構造を形
成できると共に、成膜時間が短くて済むので製造工程全
体に要する時間が短縮化される。
【0013】キャップ層が、Ta、Ta合金、Ti、T
i合金、又はTa、Ta合金、Ti若しくはTi合金の
窒化物からなることが好ましい。
i合金、又はTa、Ta合金、Ti若しくはTi合金の
窒化物からなることが好ましい。
【0014】導体層が、Au又はAu合金からなること
が好ましい。
が好ましい。
【0015】キャップ層が、導体層上にキャップ層を成
膜し、成膜したキャップ層上にレジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクとしてフッ素系ガスによ
るエッチングを行うことによりパターニングされること
も好ましい。
膜し、成膜したキャップ層上にレジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクとしてフッ素系ガスによ
るエッチングを行うことによりパターニングされること
も好ましい。
【0016】フッ素系ガスが、CF4ガス、C2F6ガ
ス又はSF6ガスであることがより好ましい。
ス又はSF6ガスであることがより好ましい。
【0017】キャップ層のエッチングした後、レジスト
パターンをO2ガスによりアッシング除去することも好
ましい。
パターンをO2ガスによりアッシング除去することも好
ましい。
【0018】キャップ層が、導体層上にレジストパター
ンを形成し、レジストパターン上からキャップ層を成膜
した後、レジストパターンを除去するリフトオフ法によ
り形成されることが好ましい。
ンを形成し、レジストパターン上からキャップ層を成膜
した後、レジストパターンを除去するリフトオフ法によ
り形成されることが好ましい。
【0019】少なくともMR膜上にエッチングストップ
膜を成膜した後、導体層を成膜することも好ましい。
膜を成膜した後、導体層を成膜することも好ましい。
【0020】このエッチングストップ層が、Ta、Ta
合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合金、Ti若し
くはTi合金の窒化物からなることがより好ましい。
合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合金、Ti若し
くはTi合金の窒化物からなることがより好ましい。
【0021】リード導体のテーパ角度が、適切な値とな
るようにArガス及びO2ガス、O 2ガス又はN2ガス
によるドライエッチングにおけるバイアスパワー条件及
びガス圧力条件が設定されているが好ましい。
るようにArガス及びO2ガス、O 2ガス又はN2ガス
によるドライエッチングにおけるバイアスパワー条件及
びガス圧力条件が設定されているが好ましい。
【0022】本発明によれば、さらに、MR膜と、MR
膜上にオーバーラップして形成されたリード導体と、リ
ード導体上に形成されているパターニングされたキャッ
プ層とを備えており、リード導体がAu又はAu合金か
らなり、キャップ層がTa、Ta合金、Ti、Ti合
金、又はTa、Ta合金、Ti若しくはTi合金の窒化
物からなるMR型薄膜磁気ヘッドが提供される。
膜上にオーバーラップして形成されたリード導体と、リ
ード導体上に形成されているパターニングされたキャッ
プ層とを備えており、リード導体がAu又はAu合金か
らなり、キャップ層がTa、Ta合金、Ti、Ti合
金、又はTa、Ta合金、Ti若しくはTi合金の窒化
物からなるMR型薄膜磁気ヘッドが提供される。
【0023】少なくともMR膜上に、Ta、Ta合金、
Ti、Ti合金、又はTa、Ta合金、Ti若しくはT
i合金の窒化物からなるエッチングストップ層が形成さ
れていることが好ましい。
Ti、Ti合金、又はTa、Ta合金、Ti若しくはT
i合金の窒化物からなるエッチングストップ層が形成さ
れていることが好ましい。
【0024】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態におけ
る薄膜磁気ヘッドの主要部の構成を概略的に示す断面図
であり、図2はそのMRセンサの構成を示す、浮上面
(ABS)方向から見た断面図である。本実施形態の薄
膜磁気ヘッドは、読出し用のMRセンサと書込み用のイ
ンダクティブ電磁変換素子とを備えた複合型薄膜磁気ヘ
ッドである。
る薄膜磁気ヘッドの主要部の構成を概略的に示す断面図
であり、図2はそのMRセンサの構成を示す、浮上面
(ABS)方向から見た断面図である。本実施形態の薄
膜磁気ヘッドは、読出し用のMRセンサと書込み用のイ
ンダクティブ電磁変換素子とを備えた複合型薄膜磁気ヘ
ッドである。
【0025】図1において、10はスライダの主要部を
構成する基板、11は基板10上に図示しない下地膜を
介して形成されている下部シールド層、12は下部シー
ルド層11上に積層された下部シールドギャップ層、1
4は上部シールドギャップ層、15はシールドギャップ
層、16は書込みヘッド部の下部磁性層をも兼用する上
部シールド層、13は下部シールドギャップ層11及び
上部シールドギャップ層14を介して下部シールド層1
1及び上部シールド層16間に、ABS10aに沿って
伸長するように形成されたMR膜、17は上部磁性層、
18は有機樹脂で構成された絶縁層19に取り囲まれて
いるコイル導電層、20はギャップ層、21は保護層を
それぞれ示している。
構成する基板、11は基板10上に図示しない下地膜を
介して形成されている下部シールド層、12は下部シー
ルド層11上に積層された下部シールドギャップ層、1
4は上部シールドギャップ層、15はシールドギャップ
層、16は書込みヘッド部の下部磁性層をも兼用する上
部シールド層、13は下部シールドギャップ層11及び
上部シールドギャップ層14を介して下部シールド層1
1及び上部シールド層16間に、ABS10aに沿って
伸長するように形成されたMR膜、17は上部磁性層、
18は有機樹脂で構成された絶縁層19に取り囲まれて
いるコイル導電層、20はギャップ層、21は保護層を
それぞれ示している。
【0026】下部磁性層16及び上部磁性層17の先端
部は微小厚みのギャップ層20を隔てて対向するポール
部16a及び17aを構成しており、これらポール部1
6a及び17aにおいて書き込みが行われる。ヨーク部
を構成する下部磁性層16及び上部磁性層17のポール
部16a及び17aとは反対側はバックギャップ部であ
り、磁気回路を完成するように互いに結合されている。
コイル導電層18は、絶縁層19上に、ヨーク部の結合
部のまわりを渦巻状に回るように形成されている。
部は微小厚みのギャップ層20を隔てて対向するポール
部16a及び17aを構成しており、これらポール部1
6a及び17aにおいて書き込みが行われる。ヨーク部
を構成する下部磁性層16及び上部磁性層17のポール
部16a及び17aとは反対側はバックギャップ部であ
り、磁気回路を完成するように互いに結合されている。
コイル導電層18は、絶縁層19上に、ヨーク部の結合
部のまわりを渦巻状に回るように形成されている。
【0027】図2により詳細に示すように、本実施形態
におけるMRセンサは、例えばNiFeからなる下部シ
ールド層11と、その上に積層された例えばAl2O3
又はSiO2からなる下部シールドギャップ層12と、
下部シールドギャップ層12上に形成された例えばSV
MR多層膜又はAMR単層膜からなるMR膜13(層厚
は約40〜60nm)と、下部シールドギャップ層12
上にMR膜13のトラック幅方向の両端に接して形成さ
れた例えばCo系合金からなる磁区制御膜22(層厚は
約60〜80nm)と、少なくともMR膜13上に、通
常はMR膜13及び磁区制御膜22上に、積層されたエ
ッチングストップ膜23と、MR膜13の端部に部分的
にオーバーラップするようにMR膜13及び磁区制御膜
22上にエッチングストップ膜23を介して積層された
第1のリード導体層24(層厚は約20〜60nm)
と、第1のリード導体層24上に積層されておりパター
ニングされたキャップ層25と、キャップ層25上に積
層された第2のリード導体層26(層厚は約50〜12
0nm)と、例えばAl2O3又はSiO2からなる上
部シールドギャップ層14とを含んでいる。
におけるMRセンサは、例えばNiFeからなる下部シ
ールド層11と、その上に積層された例えばAl2O3
又はSiO2からなる下部シールドギャップ層12と、
下部シールドギャップ層12上に形成された例えばSV
MR多層膜又はAMR単層膜からなるMR膜13(層厚
は約40〜60nm)と、下部シールドギャップ層12
上にMR膜13のトラック幅方向の両端に接して形成さ
れた例えばCo系合金からなる磁区制御膜22(層厚は
約60〜80nm)と、少なくともMR膜13上に、通
常はMR膜13及び磁区制御膜22上に、積層されたエ
ッチングストップ膜23と、MR膜13の端部に部分的
にオーバーラップするようにMR膜13及び磁区制御膜
22上にエッチングストップ膜23を介して積層された
第1のリード導体層24(層厚は約20〜60nm)
と、第1のリード導体層24上に積層されておりパター
ニングされたキャップ層25と、キャップ層25上に積
層された第2のリード導体層26(層厚は約50〜12
0nm)と、例えばAl2O3又はSiO2からなる上
部シールドギャップ層14とを含んでいる。
【0028】キャップ層25及びエッチングストップ膜
23は、本実施形態ではTaで形成されているが、Ta
以外に、Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合
金、Ti若しくはTi合金の窒化物で形成しても良い。
23は、本実施形態ではTaで形成されているが、Ta
以外に、Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合
金、Ti若しくはTi合金の窒化物で形成しても良い。
【0029】第1のリード導体層24は、本実施形態で
はAuで形成されているが、Au以外に、AuCu、A
uNi、AuSi若しくはAuTi等のAu合金で形成
しても良い。
はAuで形成されているが、Au以外に、AuCu、A
uNi、AuSi若しくはAuTi等のAu合金で形成
しても良い。
【0030】図3は、本実施形態におけるMRセンサの
製造工程を示す、ABS方向から見た断面図である。
製造工程を示す、ABS方向から見た断面図である。
【0031】まず、図1に示したAlTiC等の基板1
0上に図示しない下地膜を介してNiFe等による下部
シールド層11をめっき等で形成し、その上にAl2O
3又はSiO2等の下部シールドギャップ層12を積層
する。次いで、この下部シールドギャップ層12上にS
VMR多層膜又はAMR単層膜からなるMR膜を成膜
し、さらにその上にTaによるエッチングストップ膜を
成膜した後、フォトリソグラフィによってリフトオフパ
ターンを形成し、イオンミリング等でMR膜及びエッチ
ングストップ膜をエッチングし、エッチング後リフトオ
フパターンが残った状態でCoPt等の磁区制御膜を成
膜し、リフトオフすることによって、MR膜13、エッ
チングストップ膜23及び磁区制御膜22をパターニン
グ形成する。この状態が図3(A)に示されている。
0上に図示しない下地膜を介してNiFe等による下部
シールド層11をめっき等で形成し、その上にAl2O
3又はSiO2等の下部シールドギャップ層12を積層
する。次いで、この下部シールドギャップ層12上にS
VMR多層膜又はAMR単層膜からなるMR膜を成膜
し、さらにその上にTaによるエッチングストップ膜を
成膜した後、フォトリソグラフィによってリフトオフパ
ターンを形成し、イオンミリング等でMR膜及びエッチ
ングストップ膜をエッチングし、エッチング後リフトオ
フパターンが残った状態でCoPt等の磁区制御膜を成
膜し、リフトオフすることによって、MR膜13、エッ
チングストップ膜23及び磁区制御膜22をパターニン
グ形成する。この状態が図3(A)に示されている。
【0032】次いで、図3(B)に示すように、エッチ
ングストップ膜23及び磁区制御膜22上にAuによる
導体層24´を成膜し、さらにその上にキャップ層25
´を成膜する。
ングストップ膜23及び磁区制御膜22上にAuによる
導体層24´を成膜し、さらにその上にキャップ層25
´を成膜する。
【0033】次いで、図3(C)に示すように、キャッ
プ層25´上に、フォトリソグラフィによってレジスト
パターン30を形成する。
プ層25´上に、フォトリソグラフィによってレジスト
パターン30を形成する。
【0034】その後、このレジストパターン30をマス
クとしCF4ガスを用いてTaによるキャップ層25´
をエッチングしてパターニングされたキャップ層25を
得る。この場合のエッチング条件は例えば以下の表1の
通りである。
クとしCF4ガスを用いてTaによるキャップ層25´
をエッチングしてパターニングされたキャップ層25を
得る。この場合のエッチング条件は例えば以下の表1の
通りである。
【0035】
【表1】
【0036】このエッチング後の状態が図3(D)に示
されている。CF4ガスを使用して最適条件を用いるこ
とにより、エッチングされるキャップ層25´のバリ発
生を防止できる。なお、CF4ガスの代わりに、レジス
ト材料とキャップ層材料との選択比が取れるガス、例え
ばC2F6ガス又はSF6ガスを用いても良い。
されている。CF4ガスを使用して最適条件を用いるこ
とにより、エッチングされるキャップ層25´のバリ発
生を防止できる。なお、CF4ガスの代わりに、レジス
ト材料とキャップ層材料との選択比が取れるガス、例え
ばC2F6ガス又はSF6ガスを用いても良い。
【0037】次いで、O2ガスによりアッシングを行
い、レジストパターン30を除去する。この場合のアッ
シング条件は例えば以下の表2の通りである。
い、レジストパターン30を除去する。この場合のアッ
シング条件は例えば以下の表2の通りである。
【0038】
【表2】
【0039】この除去後の状態が図3(E)に示されて
いる。なお、レジストパターン30の下に存在するキャ
ップ層25はこのアッシング条件ではほとんどエッチン
グされない。
いる。なお、レジストパターン30の下に存在するキャ
ップ層25はこのアッシング条件ではほとんどエッチン
グされない。
【0040】次いで、このTaによるキャップ層25を
マスクとしAr及びO2の混合ガスを用いてAuによる
導電層24´をドライエッチングしてパターニングされ
た第1のリード導体24を得る。この場合のエッチング
条件は例えば以下の表3の通りである。
マスクとしAr及びO2の混合ガスを用いてAuによる
導電層24´をドライエッチングしてパターニングされ
た第1のリード導体24を得る。この場合のエッチング
条件は例えば以下の表3の通りである。
【0041】
【表3】
【0042】このエッチング後の状態が図3(F)に示
されている。
されている。
【0043】その後、図3(G)に示すように、キャッ
プ層25上に第2のリード導体26を形成し、さらにこ
れらの上にAl2O3又はSiO2等の上部シールドギ
ャップ層14を成膜する。
プ層25上に第2のリード導体26を形成し、さらにこ
れらの上にAl2O3又はSiO2等の上部シールドギ
ャップ層14を成膜する。
【0044】本実施形態のように、Ar及びO2の混合
ガスを用いて導電層24´のドライエッチングを行う
と、AuのTaに対する選択比が34.6と非常に高い
ため、Taによるマスクであるキャップ層25を薄くし
た場合にもAuによる導電層24´を確実にかつ精度良
くエッチングすることができる。
ガスを用いて導電層24´のドライエッチングを行う
と、AuのTaに対する選択比が34.6と非常に高い
ため、Taによるマスクであるキャップ層25を薄くし
た場合にもAuによる導電層24´を確実にかつ精度良
くエッチングすることができる。
【0045】このAuのTaに対する選択比は、Ar及
びO2の混合比に依存する。図4は、O2ガスの流量比
を変えた場合のAu及びTaのエッチングレートを実際
に測定した結果を示す図であり、表4はこのO2ガスの
流量比に対するAu及びTaのエッチングレート並びに
AuのTaに対する選択比を示している。ただし、O 2
ガスの流量比は、O2ガスの流量/(O2ガスの流量+
Arガスの流量)×100(%)で表されている。測定
の条件としては、マイクロ波パワーが800W、バイア
スRFパワーが60W、ガス圧力が0.27Paであ
る。なお、表4のエッチングレート及び選択比と表3の
エッチングレート及び選択比とが互いに若干異なってい
るが、これは測定したエッチング装置が互いに異なるた
めである。
びO2の混合比に依存する。図4は、O2ガスの流量比
を変えた場合のAu及びTaのエッチングレートを実際
に測定した結果を示す図であり、表4はこのO2ガスの
流量比に対するAu及びTaのエッチングレート並びに
AuのTaに対する選択比を示している。ただし、O 2
ガスの流量比は、O2ガスの流量/(O2ガスの流量+
Arガスの流量)×100(%)で表されている。測定
の条件としては、マイクロ波パワーが800W、バイア
スRFパワーが60W、ガス圧力が0.27Paであ
る。なお、表4のエッチングレート及び選択比と表3の
エッチングレート及び選択比とが互いに若干異なってい
るが、これは測定したエッチング装置が互いに異なるた
めである。
【0046】
【表4】
【0047】表4から分かるように、O2ガスの流量比
が10〜30%の範囲であれば、24以上と非常に高い
選択比を得ることができる。
が10〜30%の範囲であれば、24以上と非常に高い
選択比を得ることができる。
【0048】Ar及びO2の混合ガスを用いてドライエ
ッチングを行う際の、ガス圧力及びバイアスRFパワー
を制御することにより、第1のリード導体24の端面の
テーパ角を制御することができる。第1のリード導体2
4の端面が急峻なテーパを有していると、この端面上に
上部シールドギャップ層14が付着せず、第1のリード
導体24が上部シールド層16と短絡してしまう恐れが
ある。従って、この端面のテーパ角がある程度緩やかに
なるように制御することは非常に重要である。
ッチングを行う際の、ガス圧力及びバイアスRFパワー
を制御することにより、第1のリード導体24の端面の
テーパ角を制御することができる。第1のリード導体2
4の端面が急峻なテーパを有していると、この端面上に
上部シールドギャップ層14が付着せず、第1のリード
導体24が上部シールド層16と短絡してしまう恐れが
ある。従って、この端面のテーパ角がある程度緩やかに
なるように制御することは非常に重要である。
【0049】図5及び図6はドライエッチング時のガス
圧力を変えて作成したサンプルの第1のリード導体24
の端面の様子を斜視で示すSEM写真であり、図7〜図
9は同じくドライエッチング時のガス圧力を変えて作成
したサンプルの第1のリード導体24の端面の様子を断
面で示すSEM写真である。
圧力を変えて作成したサンプルの第1のリード導体24
の端面の様子を斜視で示すSEM写真であり、図7〜図
9は同じくドライエッチング時のガス圧力を変えて作成
したサンプルの第1のリード導体24の端面の様子を断
面で示すSEM写真である。
【0050】図5のサンプルのキャップ層のエッチング
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表5に示す通りである。
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表5に示す通りである。
【0051】
【表5】
【0052】この場合、第1のリード導体24の端面に
おけるテーパ角は、約59.0°であった。
おけるテーパ角は、約59.0°であった。
【0053】図6のサンプルのキャップ層のエッチング
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表6に示す通りである。
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表6に示す通りである。
【0054】
【表6】
【0055】この場合、第1のリード導体24の端面に
おけるテーパ角は、約56.0°であり、ガス圧力を6
mTorrとすることによって、図5のサンプルよりも
テーパ角がより緩やかとなるように制御されることが分
かる。
おけるテーパ角は、約56.0°であり、ガス圧力を6
mTorrとすることによって、図5のサンプルよりも
テーパ角がより緩やかとなるように制御されることが分
かる。
【0056】図7のサンプルのキャップ層のエッチング
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表7に示す通りである。
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表7に示す通りである。
【0057】
【表7】
【0058】この場合、第1のリード導体24の端面に
おけるテーパ角は、約60.5°であった。
おけるテーパ角は、約60.5°であった。
【0059】図8のサンプルのキャップ層のエッチング
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表8に示す通りである。
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表8に示す通りである。
【0060】
【表8】
【0061】この場合、第1のリード導体24の端面に
おけるテーパ角は、約56.5°であり、ガス圧力を5
mTorrとすることによって、図7のサンプルよりも
テーパ角がより緩やかとなるように制御されることが分
かる。
おけるテーパ角は、約56.5°であり、ガス圧力を5
mTorrとすることによって、図7のサンプルよりも
テーパ角がより緩やかとなるように制御されることが分
かる。
【0062】図9のサンプルのキャップ層のエッチング
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表9に示す通りである。
条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード導
体のエッチング条件は表9に示す通りである。
【0063】
【表9】
【0064】この場合、第1のリード導体24の端面に
おけるテーパ角は、約45.5°であり、ガス圧力を9
mTorrとすることによって、テーパ角がさらに緩や
かとなるように制御されることが分かる。
おけるテーパ角は、約45.5°であり、ガス圧力を9
mTorrとすることによって、テーパ角がさらに緩や
かとなるように制御されることが分かる。
【0065】図10及び図11はドライエッチング時の
バイアスRFパワーを変えて作成したサンプルの第1の
リード導体24の端面の様子を斜視で示すSEM写真で
ある。
バイアスRFパワーを変えて作成したサンプルの第1の
リード導体24の端面の様子を斜視で示すSEM写真で
ある。
【0066】図10のサンプルのキャップ層のエッチン
グ条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード
導体のエッチング条件は表5に示すものと同じであり、
第1のリード導体24の端面におけるテーパ角は、約5
9.0°であった。
グ条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード
導体のエッチング条件は表5に示すものと同じであり、
第1のリード導体24の端面におけるテーパ角は、約5
9.0°であった。
【0067】図11のサンプルのキャップ層のエッチン
グ条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード
導体のエッチング条件は表10に示す通りである。
グ条件、レジストパターンのアッシング条件及びリード
導体のエッチング条件は表10に示す通りである。
【0068】
【表10】
【0069】この場合、第1のリード導体24の端面に
おけるテーパ角は、約70.4°であり、RFパワーを
40Wとすることによって、図10のサンプルよりもテ
ーパ角がより急峻となるように制御されることが分か
る。
おけるテーパ角は、約70.4°であり、RFパワーを
40Wとすることによって、図10のサンプルよりもテ
ーパ角がより急峻となるように制御されることが分か
る。
【0070】第1のリード導体24として、Au合金を
用いた場合のそのTaに対する選択比について測定した
結果が次の表11に示されている。
用いた場合のそのTaに対する選択比について測定した
結果が次の表11に示されている。
【0071】
【表11】
【0072】この表11から分かるように、この程度の
Cu、Niの含有率では、Taに対するエッチングレー
トの選択比ははとんど変わらずに高い値を維持してい
る。従って、第1のリード導体24を、Auの他に、A
uCu、AuNi、AuSi若しくはAuTi等のAu
合金で構成しても同様の好結果が得られることが分か
る。
Cu、Niの含有率では、Taに対するエッチングレー
トの選択比ははとんど変わらずに高い値を維持してい
る。従って、第1のリード導体24を、Auの他に、A
uCu、AuNi、AuSi若しくはAuTi等のAu
合金で構成しても同様の好結果が得られることが分か
る。
【0073】図12は、本発明の他の実施形態における
MRセンサの製造工程を示す、ABS方向から見た断面
図である。
MRセンサの製造工程を示す、ABS方向から見た断面
図である。
【0074】まず、図1の実施形態の場合と同様に、A
lTiC等の基板10上に図示しない下地膜を介してN
iFe等による下部シールド層11をめっき等で形成
し、その上にAl2O3又はSiO2等の下部シールド
ギャップ層12を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層12上にSVMR多層膜又はAMR単層膜か
らなるMR膜を成膜し、さらにその上にTaによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でMR膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でCoPt
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、MR膜13、エッチングストップ膜23及び磁区制
御膜22をパターニング形成する。この状態が図12
(A)に示されている。
lTiC等の基板10上に図示しない下地膜を介してN
iFe等による下部シールド層11をめっき等で形成
し、その上にAl2O3又はSiO2等の下部シールド
ギャップ層12を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層12上にSVMR多層膜又はAMR単層膜か
らなるMR膜を成膜し、さらにその上にTaによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でMR膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でCoPt
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、MR膜13、エッチングストップ膜23及び磁区制
御膜22をパターニング形成する。この状態が図12
(A)に示されている。
【0075】次いで、図12(B)に示すように、エッ
チングストップ膜23及び磁区制御膜22上にAuによ
る導体層24´を成膜する。
チングストップ膜23及び磁区制御膜22上にAuによ
る導体層24´を成膜する。
【0076】次いで、図12(C)に示すように、導体
層24´上に、フォトリソグラフィによってレジストパ
ターン120を形成する。
層24´上に、フォトリソグラフィによってレジストパ
ターン120を形成する。
【0077】次いで、図12(D)に示すように、この
レジストパターン120及び導体層24´の上にTaに
よるキャップ層25´を成膜する。
レジストパターン120及び導体層24´の上にTaに
よるキャップ層25´を成膜する。
【0078】その後、リフトオフによりこのレジストパ
ターン120及びその上に成膜されたTaを除去してパ
ターニングされたキャップ層25を得る。このリフトオ
フ後の状態が図12(E)に示されている。
ターン120及びその上に成膜されたTaを除去してパ
ターニングされたキャップ層25を得る。このリフトオ
フ後の状態が図12(E)に示されている。
【0079】次いで、このTaによるキャップ層25を
マスクとしAr及びO2の混合ガスを用いてAuによる
導電層24´をドライエッチングしてパターニングされ
た第1のリード導体24を得る。この場合のエッチング
条件は例えば前述した表3の通りである。このエッチン
グ後の状態が図12(F)に示されている。
マスクとしAr及びO2の混合ガスを用いてAuによる
導電層24´をドライエッチングしてパターニングされ
た第1のリード導体24を得る。この場合のエッチング
条件は例えば前述した表3の通りである。このエッチン
グ後の状態が図12(F)に示されている。
【0080】その後、図12(G)に示すように、キャ
ップ層25上に第2のリード導体26を形成し、さらに
これらの上にAl2O3又はSiO2等の上部シールド
ギャップ層14を成膜する。
ップ層25上に第2のリード導体26を形成し、さらに
これらの上にAl2O3又はSiO2等の上部シールド
ギャップ層14を成膜する。
【0081】本実施形態のように、Ar及びO2の混合
ガスを用いて導電層24´のドライエッチングを行う
と、AuのTaに対する選択比が34.6と非常に高い
ため、Taによるマスクであるキャップ層25を薄くし
た場合にもAuによる導電層24´を確実にかつ精度良
くエッチングすることができる。
ガスを用いて導電層24´のドライエッチングを行う
と、AuのTaに対する選択比が34.6と非常に高い
ため、Taによるマスクであるキャップ層25を薄くし
た場合にもAuによる導電層24´を確実にかつ精度良
くエッチングすることができる。
【0082】キャップ層25及びエッチングストップ膜
23は、本実施形態ではTaで形成されているが、Ta
以外に、Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合
金、Ti若しくはTi合金の窒化物で形成しても良い。
23は、本実施形態ではTaで形成されているが、Ta
以外に、Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合
金、Ti若しくはTi合金の窒化物で形成しても良い。
【0083】第1のリード導体層24は、本実施形態で
はAuで形成されているが、Au以外に、AuCu、A
uNi、AuSi若しくはAuTi等のAu合金で形成
しても良い。
はAuで形成されているが、Au以外に、AuCu、A
uNi、AuSi若しくはAuTi等のAu合金で形成
しても良い。
【0084】本実施形態のその他の構成、作用効果及び
変更態様等は、図1の実施形態の場合と同様である。
変更態様等は、図1の実施形態の場合と同様である。
【0085】図13は、本発明のさらに他の実施形態に
おけるMRセンサの製造工程を示す、ABS方向から見
た断面図である。
おけるMRセンサの製造工程を示す、ABS方向から見
た断面図である。
【0086】まず、図1の実施形態の場合と同様に、A
lTiC等の基板10上に図示しない下地膜を介してN
iFe等による下部シールド層11をめっき等で形成
し、その上にAl2O3又はSiO2等の下部シールド
ギャップ層12を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層12上にSVMR多層膜又はAMR単層膜か
らなるMR膜を成膜し、さらにその上にTaによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でMR膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でCoPt
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、MR膜13、エッチングストップ膜23及び磁区制
御膜22をパターニング形成する。この状態が図13
(A)に示されている。
lTiC等の基板10上に図示しない下地膜を介してN
iFe等による下部シールド層11をめっき等で形成
し、その上にAl2O3又はSiO2等の下部シールド
ギャップ層12を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層12上にSVMR多層膜又はAMR単層膜か
らなるMR膜を成膜し、さらにその上にTaによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でMR膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でCoPt
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、MR膜13、エッチングストップ膜23及び磁区制
御膜22をパターニング形成する。この状態が図13
(A)に示されている。
【0087】次いで、図13(B)に示すように、エッ
チングストップ膜23及び磁区制御膜22上にAuによ
る導体層24´を成膜し、さらにその上にキャップ層2
5´を成膜する。
チングストップ膜23及び磁区制御膜22上にAuによ
る導体層24´を成膜し、さらにその上にキャップ層2
5´を成膜する。
【0088】次いで、図13(C)に示すように、キャ
ップ層25´上に、フォトリソグラフィによってレジス
トパターン30を形成する。
ップ層25´上に、フォトリソグラフィによってレジス
トパターン30を形成する。
【0089】その後、このレジストパターン30をマス
クとしCF4ガスを用いてTaによるキャップ層25´
をエッチングしてパターニングされたキャップ層25を
得る。この場合のエッチング条件は例えば前述した表1
の通りである。
クとしCF4ガスを用いてTaによるキャップ層25´
をエッチングしてパターニングされたキャップ層25を
得る。この場合のエッチング条件は例えば前述した表1
の通りである。
【0090】このエッチング後の状態が図13(D)に
示されている。CF4ガスを使用して最適条件を用いる
ことにより、エッチングされるキャップ層25´のバリ
発生を防止できる。なお、CF4ガスの代わりに、レジ
スト材料とキャップ層材料との選択比が取れるガス、例
えばC2F6ガス又はSF6ガスを用いても良い。
示されている。CF4ガスを使用して最適条件を用いる
ことにより、エッチングされるキャップ層25´のバリ
発生を防止できる。なお、CF4ガスの代わりに、レジ
スト材料とキャップ層材料との選択比が取れるガス、例
えばC2F6ガス又はSF6ガスを用いても良い。
【0091】次いで、O2ガスによるドライエッチング
を行い、レジストパターン30を除去すると共に、Ta
によるキャップ層25をマスクとしてAuによる導電層
24´をパターニングし、第1のリード導体24を得
る。この場合のエッチング条件は例えば以下の表12の
通りである。
を行い、レジストパターン30を除去すると共に、Ta
によるキャップ層25をマスクとしてAuによる導電層
24´をパターニングし、第1のリード導体24を得
る。この場合のエッチング条件は例えば以下の表12の
通りである。
【0092】
【表12】
【0093】このエッチング後の状態が図13(E)に
示されている。
示されている。
【0094】その後、図13(F)に示すように、キャ
ップ層25上に第2のリード導体26を形成し、さらに
これらの上にAl2O3又はSiO2等の上部シールド
ギャップ層14を成膜する。
ップ層25上に第2のリード導体26を形成し、さらに
これらの上にAl2O3又はSiO2等の上部シールド
ギャップ層14を成膜する。
【0095】本実施形態のように、O2ガスを用いて導
電層24´のドライエッチングを行うと、AuのTaに
対する選択比が20.4と非常に高いため、Taによる
マスクであるキャップ層25を薄くした場合にもAuに
よる導電層24´を確実にかつ精度良くエッチングする
ことができる。
電層24´のドライエッチングを行うと、AuのTaに
対する選択比が20.4と非常に高いため、Taによる
マスクであるキャップ層25を薄くした場合にもAuに
よる導電層24´を確実にかつ精度良くエッチングする
ことができる。
【0096】キャップ層25及びエッチングストップ膜
23は、本実施形態ではTaで形成されているが、Ta
以外に、Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合
金、Ti若しくはTi合金の窒化物で形成しても良い。
23は、本実施形態ではTaで形成されているが、Ta
以外に、Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合
金、Ti若しくはTi合金の窒化物で形成しても良い。
【0097】第1のリード導体層24は、本実施形態で
はAuで形成されているが、Au以外に、AuCu、A
uNi、AuSi若しくはAuTi等のAu合金で形成
しても良い。
はAuで形成されているが、Au以外に、AuCu、A
uNi、AuSi若しくはAuTi等のAu合金で形成
しても良い。
【0098】本実施形態のその他の構成、作用効果及び
変更態様等は、図1の実施形態の場合と同様である。
変更態様等は、図1の実施形態の場合と同様である。
【0099】図14は、本発明のまたさらに他の実施形
態におけるMRセンサの製造工程を示す、ABS方向か
ら見た断面図である。
態におけるMRセンサの製造工程を示す、ABS方向か
ら見た断面図である。
【0100】まず、図1の実施形態の場合と同様に、A
lTiC等の基板10上に図示しない下地膜を介してN
iFe等による下部シールド層11をめっき等で形成
し、その上にAl2O3又はSiO2等の下部シールド
ギャップ層12を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層12上にSVMR多層膜又はAMR単層膜か
らなるMR膜を成膜し、さらにその上にTaによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でMR膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でCoPt
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、MR膜13、エッチングストップ膜23及び磁区制
御膜22をパターニング形成する。この状態が図14
(A)に示されている。
lTiC等の基板10上に図示しない下地膜を介してN
iFe等による下部シールド層11をめっき等で形成
し、その上にAl2O3又はSiO2等の下部シールド
ギャップ層12を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層12上にSVMR多層膜又はAMR単層膜か
らなるMR膜を成膜し、さらにその上にTaによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でMR膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でCoPt
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、MR膜13、エッチングストップ膜23及び磁区制
御膜22をパターニング形成する。この状態が図14
(A)に示されている。
【0101】次いで、図14(B)に示すように、エッ
チングストップ膜23及び磁区制御膜22上にAuによ
る導体層24´を成膜する。
チングストップ膜23及び磁区制御膜22上にAuによ
る導体層24´を成膜する。
【0102】次いで、図14(C)に示すように、導体
層24´上に、フォトリソグラフィによってレジストパ
ターン120を形成する。
層24´上に、フォトリソグラフィによってレジストパ
ターン120を形成する。
【0103】次いで、図14(D)に示すように、この
レジストパターン120及び導体層24´の上にTaに
よるキャップ層25´を成膜する。
レジストパターン120及び導体層24´の上にTaに
よるキャップ層25´を成膜する。
【0104】その後、リフトオフによりこのレジストパ
ターン120及びその上に成膜されたTaを除去してパ
ターニングされたキャップ層25を得る。このリフトオ
フ後の状態が図14(E)に示されている。
ターン120及びその上に成膜されたTaを除去してパ
ターニングされたキャップ層25を得る。このリフトオ
フ後の状態が図14(E)に示されている。
【0105】次いで、このTaによるキャップ層25を
マスクとしO2ガスを用いてAuによる導電層24´を
ドライエッチングしてパターニングされた第1のリード
導体24を得る。この場合のエッチング条件は例えば前
述した表12の通りである。このエッチング後の状態が
図14(F)に示されている。
マスクとしO2ガスを用いてAuによる導電層24´を
ドライエッチングしてパターニングされた第1のリード
導体24を得る。この場合のエッチング条件は例えば前
述した表12の通りである。このエッチング後の状態が
図14(F)に示されている。
【0106】その後、図14(G)に示すように、キャ
ップ層25上に第2のリード導体26を形成し、さらに
これらの上にAl2O3又はSiO2等の上部シールド
ギャップ層14を成膜する。
ップ層25上に第2のリード導体26を形成し、さらに
これらの上にAl2O3又はSiO2等の上部シールド
ギャップ層14を成膜する。
【0107】本実施形態のように、O2ガスを用いて導
電層24´のドライエッチングを行うと、AuのTaに
対する選択比が20.4と非常に高いため、Taによる
マスクであるキャップ層25を薄くした場合にもAuに
よる導電層24´を確実にかつ精度良くエッチングする
ことができる。
電層24´のドライエッチングを行うと、AuのTaに
対する選択比が20.4と非常に高いため、Taによる
マスクであるキャップ層25を薄くした場合にもAuに
よる導電層24´を確実にかつ精度良くエッチングする
ことができる。
【0108】キャップ層25及びエッチングストップ膜
23は、本実施形態ではTaで形成されているが、Ta
以外に、Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合
金、Ti若しくはTi合金の窒化物で形成しても良い。
23は、本実施形態ではTaで形成されているが、Ta
以外に、Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合
金、Ti若しくはTi合金の窒化物で形成しても良い。
【0109】第1のリード導体層24は、本実施形態で
はAuで形成されているが、Au以外に、AuCu、A
uNi、AuSi若しくはAuTi等のAu合金で形成
しても良い。
はAuで形成されているが、Au以外に、AuCu、A
uNi、AuSi若しくはAuTi等のAu合金で形成
しても良い。
【0110】本実施形態のその他の構成、作用効果及び
変更態様等は、図1の実施形態の場合と同様である。
変更態様等は、図1の実施形態の場合と同様である。
【0111】図15は、本発明の他の実施形態における
MRセンサの製造工程を示す、ABS方向から見た断面
図である。
MRセンサの製造工程を示す、ABS方向から見た断面
図である。
【0112】まず、図1の実施形態の場合と同様に、A
lTiC等の基板10上に図示しない下地膜を介してN
iFe等による下部シールド層11をめっき等で形成
し、その上にAl2O3又はSiO2等の下部シールド
ギャップ層12を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層12上にSVMR多層膜又はAMR単層膜か
らなるMR膜を成膜し、さらにその上にTaによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でMR膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でCoPt
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、MR膜13、エッチングストップ膜23及び磁区制
御膜22をパターニング形成する。この状態が図15
(A)に示されている。
lTiC等の基板10上に図示しない下地膜を介してN
iFe等による下部シールド層11をめっき等で形成
し、その上にAl2O3又はSiO2等の下部シールド
ギャップ層12を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層12上にSVMR多層膜又はAMR単層膜か
らなるMR膜を成膜し、さらにその上にTaによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でMR膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でCoPt
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、MR膜13、エッチングストップ膜23及び磁区制
御膜22をパターニング形成する。この状態が図15
(A)に示されている。
【0113】次いで、図15(B)に示すように、エッ
チングストップ膜23及び磁区制御膜22上にAuによ
る導体層24´を成膜し、さらにその上にキャップ層2
5´を成膜する。
チングストップ膜23及び磁区制御膜22上にAuによ
る導体層24´を成膜し、さらにその上にキャップ層2
5´を成膜する。
【0114】次いで、図15(C)に示すように、キャ
ップ層25´上に、フォトリソグラフィによってレジス
トパターン30を形成する。
ップ層25´上に、フォトリソグラフィによってレジス
トパターン30を形成する。
【0115】その後、このレジストパターン30をマス
クとしCF4ガスを用いてTaによるキャップ層25´
をエッチングしてパターニングされたキャップ層25を
得る。この場合のエッチング条件は例えば前述した表1
の通りである。
クとしCF4ガスを用いてTaによるキャップ層25´
をエッチングしてパターニングされたキャップ層25を
得る。この場合のエッチング条件は例えば前述した表1
の通りである。
【0116】このエッチング後の状態が図15(D)に
示されている。CF4ガスを使用して最適条件を用いる
ことにより、エッチングされるキャップ層25´のバリ
発生を防止できる。なお、CF4ガスの代わりに、レジ
スト材料とキャップ層材料との選択比が取れるガス、例
えばC2F6ガス又はSF6ガスを用いても良い。
示されている。CF4ガスを使用して最適条件を用いる
ことにより、エッチングされるキャップ層25´のバリ
発生を防止できる。なお、CF4ガスの代わりに、レジ
スト材料とキャップ層材料との選択比が取れるガス、例
えばC2F6ガス又はSF6ガスを用いても良い。
【0117】次いで、O2ガスによりアッシングを行
い、レジストパターン30を除去する。この場合のアッ
シング条件は例えば前述した表2の通りである。この除
去後の状態が図15(E)に示されている。なお、レジ
ストパターン30の下に存在するキャップ層25はこの
アッシング条件ではほとんどエッチングされない。
い、レジストパターン30を除去する。この場合のアッ
シング条件は例えば前述した表2の通りである。この除
去後の状態が図15(E)に示されている。なお、レジ
ストパターン30の下に存在するキャップ層25はこの
アッシング条件ではほとんどエッチングされない。
【0118】次いで、このTaによるキャップ層25を
マスクとしN2ガスを用いてAuによる導電層24´を
ドライエッチングしてパターニングされた第1のリード
導体24を得る。この場合のエッチング条件は例えば以
下の表13の通りである。
マスクとしN2ガスを用いてAuによる導電層24´を
ドライエッチングしてパターニングされた第1のリード
導体24を得る。この場合のエッチング条件は例えば以
下の表13の通りである。
【0119】
【表13】
【0120】このエッチング後の状態が図15(F)に
示されている。
示されている。
【0121】その後、図15(G)に示すように、キャ
ップ層25上に第2のリード導体26を形成し、さらに
これらの上にAl2O3又はSiO2等の上部シールド
ギャップ層14を成膜する。
ップ層25上に第2のリード導体26を形成し、さらに
これらの上にAl2O3又はSiO2等の上部シールド
ギャップ層14を成膜する。
【0122】本実施形態のように、N2ガスを用いて導
電層24´のドライエッチングを行うと、AuのTaに
対する選択比が50.8と著しく高いため、Taによる
マスクであるキャップ層25を薄くした場合にもAuに
よる導電層24´を確実にかつ精度良くエッチングする
ことができる。
電層24´のドライエッチングを行うと、AuのTaに
対する選択比が50.8と著しく高いため、Taによる
マスクであるキャップ層25を薄くした場合にもAuに
よる導電層24´を確実にかつ精度良くエッチングする
ことができる。
【0123】キャップ層25及びエッチングストップ膜
23は、本実施形態ではTaで形成されているが、Ta
以外に、Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合
金、Ti若しくはTi合金の窒化物で形成しても良い。
23は、本実施形態ではTaで形成されているが、Ta
以外に、Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合
金、Ti若しくはTi合金の窒化物で形成しても良い。
【0124】第1のリード導体層24は、本実施形態で
はAuで形成されているが、Au以外に、AuCu、A
uNi、AuSi若しくはAuTi等のAu合金で形成
しても良い。
はAuで形成されているが、Au以外に、AuCu、A
uNi、AuSi若しくはAuTi等のAu合金で形成
しても良い。
【0125】本実施形態のその他の構成、作用効果及び
変更態様等は、図1の実施形態の場合と同様である。
変更態様等は、図1の実施形態の場合と同様である。
【0126】図16は、本発明のさらに他の実施形態に
おけるMRセンサの製造工程を示す、ABS方向から見
た断面図である。
おけるMRセンサの製造工程を示す、ABS方向から見
た断面図である。
【0127】まず、図1の実施形態の場合と同様に、A
lTiC等の基板10上に図示しない下地膜を介してN
iFe等による下部シールド層11をめっき等で形成
し、その上にAl2O3又はSiO2等の下部シールド
ギャップ層12を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層12上にSVMR多層膜又はAMR単層膜か
らなるMR膜を成膜し、さらにその上にTaによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でMR膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でCoPt
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、MR膜13、エッチングストップ膜23及び磁区制
御膜22をパターニング形成する。この状態が図16
(A)に示されている。
lTiC等の基板10上に図示しない下地膜を介してN
iFe等による下部シールド層11をめっき等で形成
し、その上にAl2O3又はSiO2等の下部シールド
ギャップ層12を積層する。次いで、この下部シールド
ギャップ層12上にSVMR多層膜又はAMR単層膜か
らなるMR膜を成膜し、さらにその上にTaによるエッ
チングストップ膜を成膜した後、フォトリソグラフィに
よってリフトオフパターンを形成し、イオンミリング等
でMR膜及びエッチングストップ膜をエッチングし、エ
ッチング後リフトオフパターンが残った状態でCoPt
等の磁区制御膜を成膜し、リフトオフすることによっ
て、MR膜13、エッチングストップ膜23及び磁区制
御膜22をパターニング形成する。この状態が図16
(A)に示されている。
【0128】次いで、図16(B)に示すように、エッ
チングストップ膜23及び磁区制御膜22上にAuによ
る導体層24´を成膜する。
チングストップ膜23及び磁区制御膜22上にAuによ
る導体層24´を成膜する。
【0129】次いで、図16(C)に示すように、導体
層24´上に、フォトリソグラフィによってレジストパ
ターン120を形成する。
層24´上に、フォトリソグラフィによってレジストパ
ターン120を形成する。
【0130】次いで、図16(D)に示すように、この
レジストパターン120及び導体層24´の上にTaに
よるキャップ層25´を成膜する。
レジストパターン120及び導体層24´の上にTaに
よるキャップ層25´を成膜する。
【0131】その後、リフトオフによりこのレジストパ
ターン120及びその上に成膜されたTaを除去してパ
ターニングされたキャップ層25を得る。このリフトオ
フ後の状態が図16(E)に示されている。
ターン120及びその上に成膜されたTaを除去してパ
ターニングされたキャップ層25を得る。このリフトオ
フ後の状態が図16(E)に示されている。
【0132】次いで、このTaによるキャップ層25を
マスクとしN2ガスを用いてAuによる導電層24´を
ドライエッチングしてパターニングされた第1のリード
導体24を得る。この場合のエッチング条件は例えば前
述した表13の通りである。このエッチング後の状態が
図16(F)に示されている。
マスクとしN2ガスを用いてAuによる導電層24´を
ドライエッチングしてパターニングされた第1のリード
導体24を得る。この場合のエッチング条件は例えば前
述した表13の通りである。このエッチング後の状態が
図16(F)に示されている。
【0133】その後、図16(G)に示すように、キャ
ップ層25上に第2のリード導体26を形成し、さらに
これらの上にAl2O3又はSiO2等の上部シールド
ギャップ層14を成膜する。
ップ層25上に第2のリード導体26を形成し、さらに
これらの上にAl2O3又はSiO2等の上部シールド
ギャップ層14を成膜する。
【0134】本実施形態のように、N2ガスを用いて導
電層24´のドライエッチングを行うと、AuのTaに
対する選択比が50.8と著しく高いため、Taによる
マスクであるキャップ層25を薄くした場合にもAuに
よる導電層24´を確実にかつ精度良くエッチングする
ことができる。
電層24´のドライエッチングを行うと、AuのTaに
対する選択比が50.8と著しく高いため、Taによる
マスクであるキャップ層25を薄くした場合にもAuに
よる導電層24´を確実にかつ精度良くエッチングする
ことができる。
【0135】キャップ層25及びエッチングストップ膜
23は、本実施形態ではTaで形成されているが、Ta
以外に、Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合
金、Ti若しくはTi合金の窒化物で形成しても良い。
23は、本実施形態ではTaで形成されているが、Ta
以外に、Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合
金、Ti若しくはTi合金の窒化物で形成しても良い。
【0136】第1のリード導体層24は、本実施形態で
はAuで形成されているが、Au以外に、AuCu、A
uNi、AuSi若しくはAuTi等のAu合金で形成
しても良い。
はAuで形成されているが、Au以外に、AuCu、A
uNi、AuSi若しくはAuTi等のAu合金で形成
しても良い。
【0137】本実施形態のその他の構成、作用効果及び
変更態様等は、図1の実施形態の場合と同様である。
変更態様等は、図1の実施形態の場合と同様である。
【0138】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【0139】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、リードオーバレイド構造のMR型薄膜磁気ヘッドを
製造するに際して、導体層上に形成したパターニングさ
れたキャップ層をマスクとして、RIEを行うことな
く、Arガス及びO2ガス、O2ガス又はN2ガスによ
るドライエッチングを行うことにより導体層をパターニ
ングしてリード導体を形成している。マスクをTa、T
i等にすることで、粒子の化学的性質と物理的エネルギ
とを利用するRIEではなく、粒子の物理的エネルギを
利用するArガス及びO2ガス、O2ガス又はN2ガス
によるドライエッチングを行っているため、RIE の
反応性ガスにCl2系ガスを使用した場合のように腐食
が生じることがなく、マスク材料に対するリード導体材
料のエッチングレートの選択比を大きくとることができ
る。また、RIE の反応性ガスにF系ガスを使用した
場合のようにデポ物が発生して幅制御が困難となること
はなく、また、選択比が非常に高いエッチングを行うこ
とができる。従って、マスクとして用いるキャップ層の
層厚を薄くすることが可能となり、より高精度の狭再生
トラック幅を有するリードオーバレイド構造を形成でき
ると共に、成膜時間が短くて済むので製造工程全体に要
する時間が短縮化される。
ば、リードオーバレイド構造のMR型薄膜磁気ヘッドを
製造するに際して、導体層上に形成したパターニングさ
れたキャップ層をマスクとして、RIEを行うことな
く、Arガス及びO2ガス、O2ガス又はN2ガスによ
るドライエッチングを行うことにより導体層をパターニ
ングしてリード導体を形成している。マスクをTa、T
i等にすることで、粒子の化学的性質と物理的エネルギ
とを利用するRIEではなく、粒子の物理的エネルギを
利用するArガス及びO2ガス、O2ガス又はN2ガス
によるドライエッチングを行っているため、RIE の
反応性ガスにCl2系ガスを使用した場合のように腐食
が生じることがなく、マスク材料に対するリード導体材
料のエッチングレートの選択比を大きくとることができ
る。また、RIE の反応性ガスにF系ガスを使用した
場合のようにデポ物が発生して幅制御が困難となること
はなく、また、選択比が非常に高いエッチングを行うこ
とができる。従って、マスクとして用いるキャップ層の
層厚を薄くすることが可能となり、より高精度の狭再生
トラック幅を有するリードオーバレイド構造を形成でき
ると共に、成膜時間が短くて済むので製造工程全体に要
する時間が短縮化される。
【図1】本発明の一実施形態における薄膜磁気ヘッドの
主要部の構成を概略的に示す断面図である。
主要部の構成を概略的に示す断面図である。
【図2】図1の実施形態におけるMRセンサの構成を示
す、ABS方向から見た断面図である。
す、ABS方向から見た断面図である。
【図3】図1の実施形態におけるMRセンサの製造工程
を示す、ABS方向から見た断面図である。
を示す、ABS方向から見た断面図である。
【図4】O2ガスの流量比を変えた場合のAu及びTa
のエッチングレートを実際に測定した結果を示す図であ
る。
のエッチングレートを実際に測定した結果を示す図であ
る。
【図5】ドライエッチング時のガス圧力を変えて作成し
たサンプルの第1のリード導体の端面の様子を斜視で示
すSEM写真である。
たサンプルの第1のリード導体の端面の様子を斜視で示
すSEM写真である。
【図6】ドライエッチング時のガス圧力を変えて作成し
たサンプルの第1のリード導体の端面の様子を斜視で示
すSEM写真である。
たサンプルの第1のリード導体の端面の様子を斜視で示
すSEM写真である。
【図7】ドライエッチング時のガス圧力を変えて作成し
たサンプルの第1のリード導体の端面の様子を断面で示
すSEM写真である。
たサンプルの第1のリード導体の端面の様子を断面で示
すSEM写真である。
【図8】ドライエッチング時のガス圧力を変えて作成し
たサンプルの第1のリード導体の端面の様子を断面で示
すSEM写真である。
たサンプルの第1のリード導体の端面の様子を断面で示
すSEM写真である。
【図9】ドライエッチング時のガス圧力を変えて作成し
たサンプルの第1のリード導体の端面の様子を断面で示
すSEM写真である。
たサンプルの第1のリード導体の端面の様子を断面で示
すSEM写真である。
【図10】ドライエッチング時のバイアスRFパワーを
変えて作成したサンプルの第1のリード導体の端面の様
子を斜視で示すSEM写真である。
変えて作成したサンプルの第1のリード導体の端面の様
子を斜視で示すSEM写真である。
【図11】ドライエッチング時のバイアスRFパワーを
変えて作成したサンプルの第1のリード導体の端面の様
子を斜視で示すSEM写真である。
変えて作成したサンプルの第1のリード導体の端面の様
子を斜視で示すSEM写真である。
【図12】本発明の他の実施形態におけるMRセンサの
製造工程を示す、ABS方向から見た断面図である。
製造工程を示す、ABS方向から見た断面図である。
【図13】本発明のさらに他の実施形態におけるMRセ
ンサの製造工程を示す、ABS方向から見た断面図であ
る。
ンサの製造工程を示す、ABS方向から見た断面図であ
る。
【図14】本発明のまたさらに他の実施形態におけるM
Rセンサの製造工程を示す、ABS方向から見た断面図
である。
Rセンサの製造工程を示す、ABS方向から見た断面図
である。
【図15】本発明の他の実施形態におけるMRセンサの
製造工程を示す、ABS方向から見た断面図である。
製造工程を示す、ABS方向から見た断面図である。
【図16】本発明のさらに他の実施形態におけるMRセ
ンサの製造工程を示す、ABS方向から見た断面図であ
る。
ンサの製造工程を示す、ABS方向から見た断面図であ
る。
10 基板
10a ABS
11 下部シールド層
12 下部シールドギャップ層
13 MR膜
14 上部シールドギャップ層
15 シールドギャップ層
16 上部シールド層
16a、17a ポール部
17 上部磁性層
18 コイル導電層
19 絶縁層
20 ギャップ層
21 保護層
22 磁区制御膜
23 エッチングストップ膜
24 第1のリード導体層
24´ 導電層
25 パターニングされたキャップ層
25´ キャップ層
26 第2のリード導体層
30、120 レジストパターン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 服部 一博
東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティー
ディーケイ株式会社内
Fターム(参考) 2G017 AD55 AD56 AD60 AD65
5D034 BA03 BA08 BA21 DA07
Claims (14)
- 【請求項1】 磁気抵抗効果膜上にリード導体がオーバ
ーラップして配置された磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の製造方法であって、少なくとも該磁気抵抗効果膜上に
導体層を成膜し、パターニングされたキャップ層を該導
体層上に形成し、該パターニングされたキャップ層をマ
スクとして、Arガス及びO2ガスによるドライエッチ
ングを行うことにより前記導体層をパターニングして前
記リード導体を形成することを特徴とする磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項2】 磁気抵抗効果膜上にリード導体がオーバ
ーラップして配置された磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の製造方法であって、少なくとも該磁気抵抗効果膜上に
導体層を成膜し、パターニングされたキャップ層を該導
体層上に形成し、該パターニングされたキャップ層をマ
スクとして、O2ガスによるドライエッチングを行うこ
とにより前記導体層をパターニングして前記リード導体
を形成することを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項3】 磁気抵抗効果膜上にリード導体がオーバ
ーラップして配置された磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の製造方法であって、少なくとも該磁気抵抗効果膜上に
導体層を成膜し、パターニングされたキャップ層を該導
体層上に形成し、該パターニングされたキャップ層をマ
スクとして、N2ガスによるドライエッチングを行うこ
とにより前記導体層をパターニングして前記リード導体
を形成することを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項4】 前記キャップ層が、Ta、Ta合金、T
i、Ti合金、又はTa、Ta合金、Ti若しくはTi
合金の窒化物からなることを特徴とする請求項1から3
のいずれか1項に記載の製造方法。 - 【請求項5】 前記導体層が、Au又はAu合金からな
ることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記
載の製造方法。 - 【請求項6】 前記キャップ層が、前記導体層上にキャ
ップ層を成膜し、該成膜したキャップ層上にレジストパ
ターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてフッ
素系ガスによるエッチングを行うことによりパターニン
グされることを特徴とする請求項1から5のいずれか1
項に記載の製造方法。 - 【請求項7】 前記フッ素系ガスが、CF4ガス、C2
F6ガス又はSF6ガスであることを特徴とする請求項
6に記載の製造方法。 - 【請求項8】 前記キャップ層のエッチングした後、前
記レジストパターンをO2ガスによりアッシング除去す
ることを特徴とする請求項6又は7に記載の製造方法。 - 【請求項9】 前記キャップ層が、前記導体層上にレジ
ストパターンを形成し、該レジストパターン上からキャ
ップ層を成膜した後、該レジストパターンを除去するリ
フトオフ法により形成されることを特徴とする請求項1
から5のいずれか1項に記載の製造方法。 - 【請求項10】 少なくとも前記磁気抵抗効果膜上にエ
ッチングストップ膜を成膜した後、前記導体層を成膜す
ることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記
載の製造方法。 - 【請求項11】 前記エッチングストップ層が、Ta、
Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合金、Ti
若しくはTi合金の窒化物からなることを特徴とする請
求項10に記載の製造方法。 - 【請求項12】 前記リード導体のテーパ角度が適切な
値となるように、前記Arガス及びO2ガス、O2ガス
又はN2ガスによるドライエッチングにおけるバイアス
パワー条件及びガス圧力条件が設定されていることを特
徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の製造
方法。 - 【請求項13】 磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜
上にオーバーラップして形成されたリード導体と、該リ
ード導体上に形成されているパターニングされたキャッ
プ層とを備えており、前記リード導体がAu又はAu合
金からなり、前記キャップ層がTa、Ta合金、Ti、
Ti合金、又はTa、Ta合金、Ti若しくはTi合金
の窒化物からなることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項14】 少なくとも前記磁気抵抗効果膜上に、
Ta、Ta合金、Ti、Ti合金、又はTa、Ta合
金、Ti若しくはTi合金の窒化物からなるエッチング
ストップ層が形成されていることを特徴とする請求項1
3に記載のヘッド。
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001240659A JP2003059011A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2003059011A true JP2003059011A (ja) | 2003-02-28 |
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ID=19071237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2001240659A Pending JP2003059011A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
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Country | Link |
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US7251110B2 (en) * | 2005-01-18 | 2007-07-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | GMR sensor having layers treated with nitrogen for increased magnetoresistance |
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-
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- 2001-08-08 JP JP2001240659A patent/JP2003059011A/ja active Pending
-
2002
- 2002-08-07 US US10/212,744 patent/US7141508B2/en not_active Expired - Fee Related
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