JP2003055768A

JP2003055768A - 成膜方法及び成膜装置

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Publication number: JP2003055768A
Application number: JP2001198583A
Authority: JP
Inventors: Seiji Seki; 整爾関; Yoshiaki Agawa; 阿川　　義昭; Kokuka Chin; 沈　　国華
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2001-06-07
Filing date: 2001-06-29
Publication date: 2003-02-26
Anticipated expiration: 2021-06-29
Also published as: JP4912542B2

Abstract

(57)【要約】【課題】導電性の表面を有する基板上にグラファイト系
の薄膜を層状に形成する技術を提供する。【解決手段】本発明の成膜装置１は、所定の反応ガスを
導入可能に構成された真空槽２を有し、この真空槽２内
に、所定の方向の交流電界を発生するように構成された
電界発生手段６を備える。電界発生手段６は、矩形環状
のコア６０と、コア６０に巻回されたコイル９とを有す
る。コイル９に対して高周波電力を印加することによっ
て基板５０に沿う方向の交流電界を発生させて基板５０
に印加する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱ＣＶＤならびに
プラズマＣＶＤにおいて電界を印加することによって、
その膜質を制御したりできるプロセスに適応される。具
体的にはダイヤモンドやカーボンナノチューブ等のグラ
ファイト系薄膜において、その材料の向きや配向性が電
界を印加することによって制御できるものに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術の構成を図５を用いて説明す
る。図５中、符号１０１は真空チャンバ（以下「チャン
バ」という。）であり、このチャンバ１０２は、金属を
用いて製作されグランド電位に接地されている。チャン
バ１０２には、キャパシタンスマノメータ１０２ａが取
り付けられている。

【０００３】チャンバ１０２内の上部には、高融点金属
（例えばタングステン、レニウム）からなり例えば波状
に形成されたフィラメント１０３が、水平面に対して平
行になるように配置されている。

【０００４】フィラメント１０３は、チャンバ１０２の
外部に設けられたフィラメント加熱電源に接続されてい
る。

【０００５】また、チャンバ１０２内には、高融点金属
からなる円板状の基板ホルダ１０５が設けられ、この基
板ホルダ１０５は、碍子１０７によってチャンバ１０２
から電気的に絶縁されている。そして、基板ホルダ１０
５上には、ガラス基板上に磁性材が成膜された基板１５
０が設置されている。

【０００６】基板ホルダ１０５は、直流電源であるバイ
アス電源１０６のマイナス側の出力端子に接続されてい
る。一方、バイアス電源１０６のプラス側の出力端子は
グランド電位に接地されている。

【０００７】また、基板ホルダ１０５とフィラメント１
０３との間には、グランド電位に接地されたグランド電
位形成板１０８が配設されている。

【０００８】一方、チャンバ１０２は、仕切バルブ１０
９を介して真空ポンプ１１０に取り付けられている。こ
こで、仕切バルブ１０９の上流側には、ピラニ真空計１
１１が設けられている。

【０００９】また、チャンバ１０２は、仕切バルブ１１
２、マスフローコントローラ１１３、仕切バルブ１１４
及びレギュレータ１１５を介してガスボンベ１１６に気
密に接続されるとともに、仕切バルブ１１７、マスフロ
ーコントローラ１１８、仕切バルブ１１９及びレギュレ
ータ１２０を介してガスボンベ１２１に気密に接続さ
れ、これによりチャンバ１０２内に水素とメタンを導入
するようになっている。

【００１０】このような装置を用い、熱ＣＶＤ法によっ
てグラファイト系の膜を形成する場合には、まず、仕切
バルブ１０９を開けて真空ポンプ１１０を駆動させ、チ
ャンバ１０２内を排気し、１×１０^-2Ｔｏｒｒ（１Ｔｏ
ｒｒは１３３．３２２Ｐａ）程度の真空状態にする。

【００１１】次に、ガスボンベ１１６、１２１の元栓を
開けてレギュレータ１１５、１２０を１気圧より少し高
めに設定し各仕切バルブ１１４、１１９を開く。そし
て、マスフローコントローラ１１３、１１８を徐々に開
いて導入ガスの流量をメタン：２ｓｃｃｍ、水素：８ｓ
ｃｃｍに設定し、仕切バルブ１１２、１１７の解放度を
調整し、チャンバ１０２内の圧力を１〜１０Ｔｏｒｒに
設定する。

【００１２】この状態でフィラメント加熱電源１０４か
らフィラメント１０３に通電し、フィラメント１０３の
温度が１５００℃以上〜２０００℃になるように設定す
る。さらにこの状態でバイアス電源１０６から基板ホル
ダ１０５に３００Ｖ程度出力して基板１５０に電圧を印
加する。この状態で成膜を続けると基板１５０上にカー
ボンナノチューブが成長する。

【００１３】図６（ａ）〜（ｄ）は、基板ホルダ１０５
に電圧を印加した場合の電気力線図を示すものである。
基板１５０は、その表面上に磁性材料（金属）が成膜さ
れていることから導伝体であり、また電位形成板１０８
はプラス電位であることから基板１５０に対して電気力
線１２０が形成される。この場合、基板１５０上が導電
性薄膜で被覆されているため電気力線１２０は基板１５
０に対して垂直に入射する。

【００１４】図６（ｂ）は、上述したような電気力線が
形成されている場合のカーボンナノチューブの一例であ
り、カーボンナノチューブ２００は電気力線１２０と同
じ方向、つまり資料基板１５０に対して垂直に形成され
る。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の熱Ｃ
ＶＤにおいて電界を印加する方法では、グラファイト系
材料を基板に対して平行に形成することはできないとい
う問題がある。

【００１６】つまり、例えば図６（ｃ）に示すように、
基板１５０に対して平行な電界を形成しようとして電位
形成板１０８を基板１５０に対して垂直に設置すると、
電気力線１２０は基板１５０に対して平行に放出される
が、基板１５０の表面が導電性薄膜に覆われ導伝体とな
っているため、図６（ｄ）に示すように、基板１５０に
到達する際には、電気力線１２０は基板１５０に対して
垂直に入射し、その結果、基板１５０上に層状に膜を形
成することができない。

【００１７】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するためになされたもので、導電性の表面を有する
基板上にグラファイト系の薄膜を層状に形成する技術を
提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた請求項１記載の発明は、真空中で化学気相反
応によって成膜対象物に膜を形成する成膜方法であっ
て、前記成膜対象物に対し、当該成膜対象物に沿って交
流電界を印加することを特徴とする成膜方法である。

【００１９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記成膜対象物に沿う交流電界は、所定の
コアに巻回されたコイルに対して高周波電力を印加する
ことによって形成することを特徴とする。

【００２０】請求項３記載の発明は、請求項２記載の発
明において、前記コイルに対して１０ｋＨｚ以上の高周
波電力を印加することを特徴とする。

【００２１】請求項４記載の発明は、請求項１乃至３の
いずれか１項記載の発明において、前記成膜対象物は、
その表層部分が導電性を有していることを特徴とする。

【００２２】請求項５記載の発明は、真空中で化学気相
反応によって成膜対象物に膜を形成する成膜方法であっ
て、前記成膜対象物に対し、当該成膜対象物に沿って静
電界を印加することを特徴とする。

【００２３】請求項６記載の発明は、請求項５記載の発
明において、前記成膜対象物に沿う静電界は、当該成膜
対象物の近傍に設けた一対の電極間に所定の電位差を発
生させることによって形成することを特徴とする。

【００２４】請求項７記載の発明は、請求項５又は６の
いずれか１項記載の発明において、前記成膜対象物は、
その表層部分が導電性を有していることを特徴とする。

【００２５】請求項８記載の発明は、請求項７記載の発
明において、前記成膜対象物は、その表層部分に導電性
で島状の被成膜部が設けられていることを特徴とする。

【００２６】請求項９記載の発明は、請求項１乃至８の
いずれか１項記載の方法によって形成されたことを特徴
とする薄膜である。

【００２７】請求項１０記載の発明は、所定の反応ガス
を導入可能に構成され、化学気相反応によって成膜対象
物に膜を形成するための真空槽と、前記成膜対象物の近
傍に配設され、当該成膜対象物に沿う方向の交流電界を
発生するように構成された電界発生手段とを備えたこと
を特徴とする成膜装置である。

【００２８】請求項１１記載の発明は、請求項１０記載
の発明において、前記電界発生手段は、環状のコアと、
該コアに巻回されたコイルと、該コイルに接続された高
周波電源とを有することを特徴とする。

【００２９】請求項１２記載の発明は、請求項１１記載
の発明において、前記コアは、当該成膜対象物に対して
ほぼ平行な交流電界印加部を有することを特徴とする。

【００３０】請求項１３記載の発明は、請求項１０乃至
１２乃至のいずれか１項記載の発明において、前記コア
は、長円形状に形成されていることを特徴とする。

【００３１】請求項１４記載の発明は、請求項１１乃至
１３乃至のいずれか１項記載の発明において、前記コイ
ルは、前記コアに対して１回乃至３回巻回されているこ
とを特徴とする。

【００３２】請求項１５記載の発明は、請求項１１乃至
１４乃至のいずれか１項記載の発明において、前記コア
は、当該成膜対象物を保持する保持部を兼ねていること
を特徴とする。

【００３３】請求項１６記載の発明は、所定の反応ガス
を導入可能に構成され、化学気相反応によって成膜対象
物に膜を形成するための真空槽と、前記成膜対象物の近
傍に配設され、当該成膜対象物に沿う方向の静電界を発
生するように構成された電界発生手段とを備えたことを
特徴とする成膜装置である。

【００３４】請求項１７記載の発明は、請求項１６記載
の発明において、前記電界発生手段は、前記成膜対象物
を側方から挟むように配置される一対の平行電極と、該
一対の平行電極に接続された直流電源とを有することを
特徴とする。

【００３５】本発明にあっては、例えば電界発生手段に
よって成膜対象物に沿う方向の交流電界を発生させ、こ
の交流電界を成膜対象物に印加することによって、成膜
対象物の表面に沿う方向に導電性の膜を成長させること
が可能になる。

【００３６】この場合、例えば環状のコアを用い、この
コアに例えば１回乃至３回巻回されたコイルに対して例
えば１０ｋＨｚ以上の高周波電力を印加することによっ
て簡素な構成で最適の交流電界を形成することができ
る。

【００３７】そして、コアが成膜対象物に対してほぼ平
行な交流電界印加部を有していれば、容易に成膜対象物
に沿う方向の交流電界を発生させて成膜対象物に印加す
ることができる。

【００３８】一方、本発明に係るコアは、高周波電力を
印加する際の損失を小さくするため例えば薄いテープ状
の部材を積層して作成することが好ましいが、その場
合、コアを長円形状に形成するようにすれば、円形を押
しつぶすだけで作成することができるので、製造が容易
になるというメリットがある。

【００３９】さらに、コアが成膜対象物を保持する保持
部を兼ねるように構成すれば、より簡素な構成の成膜装
置が得られる。

【００４０】そして、このような本発明によれば、表層
部分が導電性を有している成膜対象物に対し、簡素な構
成の成膜装置を用いて例えばグラファイト系の薄膜を形
成することが可能になる。

【００４１】また、本発明にあっては、例えば電界発生
手段によって成膜対象物に沿う方向の静電界を発生さ
せ、この静電界を成膜対象物に印加することによって
も、成膜対象物の表面に沿う方向に導電性の膜を成長さ
せることが可能になる。

【００４２】この場合、成膜対象物の近傍に当該成膜対
象物を例えば側方から挟むように一対の電極を設け、こ
れら一対の電極間に電圧を印加して所定の電位差を発生
させるようにすれば、簡素な構成で最適の静電界を形成
することができる。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る成膜装置の実
施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本
実施の形態の成膜装置の概略構成を示すものである。図
１に示すように、本実施の形態の成膜装置１は、後述す
る基板（成膜対象物）５０に対して成膜を行うための真
空チャンバ（真空槽、以下「チャンバ２」という。）を
有している。

【００４４】このチャンバ２は、金属を用いて製作され
グランド電位に接地されている。また、チャンバ２に
は、キャパシタンスマノメータ３が取り付けられてい
る。

【００４５】チャンバ２内の上部には、高融点金属（例
えばタングステン、レニウム）からなるフィラメント４
が、水平面に対して平行になるように配置されている。

【００４６】フィラメント４は、チャンバ２の外部に設
けられたフィラメント加熱電源５に接続されている。

【００４７】本実施の形態においては、チャンバ２内
に、次のような電界発生手段６が設けられている。本実
施の形態の電界発生手段６は、基板保持部を兼ねるもの
で、長円形状のコア６０を有する基板ホルダ７を有し、
この基板ホルダ７上には、ガラス基板上に磁性材が成膜
された基板５０が設置されるようになっている。

【００４８】本実施の形態のコア６０は、高透磁率の材
料（例えばＦｅ基合金）からなるもので、その上部に
は、成膜対象である基板５０と同等の大きさで、水平な
保持面を有する交流電界印加部６０ａが設けられてい
る。

【００４９】この場合、コア６０は、高周波電力を印加
する際の損失を小さくするため例えば薄いテープ状の部
材を積層して作成することが好ましい。

【００５０】コア６０のチャンバ２側の部分にはコイル
９が１回乃至３回巻回され、このコイル９は、チャンバ
２に対して絶縁された導入端子１０を介してチャンバ２
の外部に引き出されている。そして、本実施の形態の場
合、この引き出されたコイル９は、出力が±１５００
Ｖ、周波数１００ｋＨｚ以上の高周波電源１１に接続さ
れている。

【００５１】一方、チャンバ２は、仕切バルブ２０を介
して真空ポンプ２１に接続され、さらに、この仕切バル
ブ２０の上流側には、ピラニ真空計２２が設けられてい
る。

【００５２】また、チャンバ２は、仕切バルブ３０、マ
スフローコントローラ３１、仕切バルブ３２及びレギュ
レータ３３を介してガスボンベ３４に気密に接続される
とともに、仕切バルブ３５、マスフローコントローラ３
６、仕切バルブ３７及びレギュレータ３８を介してガス
ボンベ３９に気密に接続され、これによりチャンバ２内
に反応ガスである水素ガスとメタンガスを導入するよう
になっている。

【００５３】なお、本実施の形態にあっては、ガス導入
管４０、４１を連結し、水素ガスとメタンガスをチャン
バ２の外部で混合した状態でチャンバ２内に導入するよ
うに構成されている。

【００５４】本発明の原理を図２（ａ）（ｂ）を用いて
説明する。図２（ａ）（ｂ）に示されているように、コ
ア６０に高周波を印加すると、コア６０内に、交流磁場
が発生する。図２（ｂ）に示すように、この交流磁場
は、コア６０内において、コア６０の周方向に沿って磁
力線（Ｂ）が通過している（図２（ｂ）中、紙面に垂直
方向）。そして、この磁力線（Ｂ）が時間的な変化する
ことによって、磁力線（Ｂ）と垂直方向（図２（ｂ）
中、紙面に平行方向）に交流の電界（Ｅ）が発生する。

【００５５】この電界（Ｅ）の強度は、（１）式の計算
式で示される。

【００５６】Ｅ＝ａ×Ｂ₀×ω×ｃｏｓωｔ・・・式（１）ここでは、コア６０の厚さａを１ｃｍ（１０^-2ｍ）、コ
ア６０内で形成される磁束密度Ｂ₀を１Ｔ、高周波電源
の周波数ωとする。

【００５７】そして、ｆ＝１００ｋＨｚ ω＝２×π×ｆ＝２×３．１４×１００×１０³ とし、これらの値を（１）式に代入すると、電界（Ｅ）
の強度は、Ｅ＝３×１０³Ｖ／ｍ＝３０Ｖ／ｃｍとなる。

【００５８】この高周波電源に必要とされる出力電圧
は、φ２０ｃｍ基板を搭載すると仮定すると、Ｖ_rf＝２×２０ｃｍ×３０Ｖ／ｃｍ＝１２００Ｖとなる。

【００５９】つまり、この場合の必要な出力電圧は、Ｖ_rf＝±１２００Ｖであることがわかる。

【００６０】以上述べたように本実施の形態にあって
は、電界発生手段６によって基板５０に沿う方向の交流
電界を発生させ、この交流電界を基板５０に印加するよ
うにしたことから、基板５０の表面方向にグラファイト
系の膜を成長させ層状に形成することが可能になる。

【００６１】特に、本実施の形態のように環状のコア６
０を用い、このコア６０に１回乃至３回巻回されたコイ
ル９に対して例えば１００ｋＨｚ以上の高周波電力を印
加することによって簡素な構成で最適の交流電界を形成
することができる。

【００６２】また、本実施の形態の場合は、コア６０
が、基板５０に対して平行な交流電界印加部６０ａを有
しているので、基板５０に沿う方向の交流電界を基板５
０に印加することができる。

【００６３】なお、本実施の形態のコア６０は長円形状
に形成され、円形を押しつぶすだけで作成することがで
きるので、容易に製造することができるものである。

【００６４】さらにまた、コア６０が基板５０を保持す
る保持部を兼ねているので、簡素な構成の成膜装置が得
られる。

【００６５】そして、このような本発明によれば、表層
部分が導電性を有している基板５０に対し、簡素な構成
の成膜装置を用いて例えばグラファイト系の薄膜を形成
することができる。

【００６６】図３は、本発明の他の実施の形態の成膜装
置の概略構成図、図４（ａ）は、本実施の形態における
成膜対象物を示す平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）の
Ｓ−Ｓ線断面図である。以下、上記実施の形態と対応す
る部分については、同一の符号を付しその詳細な説明を
省略する。

【００６７】図３に示すように、本実施の形態の成膜装
置１Ａは、従来例と同様の基板ホルダ５１を有し、この
基板ホルダ５１は、グランド電位に接地されたバイアス
電源５２のマイナス側の出力端子に接続されている。

【００６８】図４（ａ）（ｂ）に示すように、本実施の
形態の場合は、成膜対象物として、例えばシリコンウェ
ハ５３上に、絶縁層５４及び半導体層５５が順次全面に
わたって形成された基板５０Ａが用いられる。

【００６９】ここで、絶縁層５４は、シリコンウェハ５
３と半導体層５５間において安定して電圧を印加するた
めのもので、その構成する材料は特に限定されることは
ないが、耐電圧の確保及び成膜の容易さの観点からは、
シリコン酸化膜（ＳiＯ₂）を形成することが好ましい。

【００７０】この場合、絶縁層５４の厚さは特に限定さ
れることはないが、耐電圧の確保の観点からは、０．１
〜１０μｍとすることが好ましく、より好ましい絶縁層
５４の厚さは、１〜１０μｍである。

【００７１】また、絶縁層５４を形成する方法は特に限
定されることはないが、膜厚制御性の容易さの観点から
は、真空蒸着法によって形成することが好ましい。

【００７２】また、半導体層５５を構成する材料は特に
限定されることはないが、最適な導伝性を得る観点から
は、シリコンを用いて形成することが好ましい。

【００７３】この場合、半導体層５５の厚さは特に限定
されることはないが、最適な体積抵抗率を得る観点から
は、０．０１〜１０μｍとすることが好ましく、より好
ましい半導体層５５の厚さは、０．１〜１０μｍであ
る。

【００７４】また、半導体層５５を形成する方法は特に
限定されることはないが、膜厚制御性の容易さの観点か
らは、真空蒸着法によって形成することが好ましい。

【００７５】さらに、半導体層５５の表面には、島状の
被成膜部５６が複数個形成されている。

【００７６】ここで、被成膜部５６を構成する材料は特
に限定されることはないが、カーボンナノチューブを成
長させる観点からは、導入される反応ガスに対して触媒
反応する金属を用いて形成することが好ましい。

【００７７】例えば、本実施の形態のようにＣＨ₄とＨ₂
を導入する場合には、ニッケル（Ｎｉ）を用いることが
好ましい。

【００７８】この場合、被成膜部５６の厚さは特に限定
されることはないが、量産性確保の観点からは、０．０
５〜０．２μｍとすることが好ましく、より好ましい被
成膜部５６の厚さは、０．１〜０．２μｍである。

【００７９】また、被成膜部５６を形成する方法は特に
限定されることはないが、高純度の膜を形成する観点か
らは、真空蒸着法によって形成することが好ましい。

【００８０】さらに、被成膜部５６の形状は、電極形成
の容易さの観点から、正方形形状とすることが好まし
い。

【００８１】この場合、被成膜部５６の大きさは、デバ
イスの作り易さの観点から、０．１〜１μｍとすること
が好ましい。

【００８２】また、被成膜部５６間の間隔は、電流量の
最適化の観点から、０．１〜１ｍｍとすることが好まし
い。

【００８３】本実施の形態にあっては、チャンバ２内
に、次のような電界発生手段６Ａが設けられている。

【００８４】この電界発生手段６Ａは、半導体層５５の
一対の対向する端縁部の側部に設けられた第１及び第２
の電極６１、６２を有している。

【００８５】ここで、第１及び第２の電極６１、６２を
構成する材料は特に限定されることはないが、デバイス
の作り易さと抵抗値の低さの観点からは、例えば白金を
用いて形成することが好ましい。

【００８６】また、第１及び第２の電極６１、６２を形
成する方法は特に限定されることはないが、膜厚制御性
の容易さの観点からは、真空蒸着法によって形成するこ
とが好ましい。

【００８７】なお、絶縁層５４の絶縁性確保のため、第
１及び第２の電極６１、６２は上述した絶縁層５４に掛
からないように形成する必要がある。

【００８８】そして、上述した第１及び第２の電極６
１、６２は、両極性出力可能な直流電源６３に接続され
ている。この場合、直流電源６３の出力端子ではない方
の端子はグランド電位に接地されている。

【００８９】そして、直流電源６３から第１及び第２の
電極６１、６２に所定の電圧を印加する。この場合、第
１及び第２の電極に印加する電圧は、絶縁層５４の耐電
圧確保の観点から、２０〜５０Ｖとすることが好まし
い。

【００９０】そして、第１及び第２の電極６１、６２に
所定の電圧を印加すると、第１及び第２の電極６１、６
２間の半導体層５５に基板５０Ａに沿う方向の電流が流
れ、その結果、被成膜部５６の表面において基板５０Ａ
に対して平行な静電界が形成され、基板５０Ａの表面方
向にグラファイト系の膜が成長する。

【００９１】このように本実施の形態にあっては、電界
発生手段６Ａによって基板５０Ａに沿う方向の静電界を
発生させ、この静電界を基板５０Ａに印加するようにし
たことから、基板５０Ａの表面方向にグラファイト系の
膜を成長させ層状に形成することが可能になる。

【００９２】特に本実施の形態にあっては、基板を側方
から挟むように第１及び第２の電極６１、６２を設け、
これら第１及び第２の電極６１、６２間に電圧を印加し
て所定の電位差を発生させるようにしたことから、簡素
な構成で最適の静電界を形成することができる。

【００９３】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、導電
性の表面を有する基板上にグラファイト系の薄膜を層状
に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る成膜装置の実施の形態の成膜装置
の概略構成図

【図２】（ａ）：本発明の原理を示す説明図（ｂ）：図２（ａ）のＱ−Ｑ線断面図

【図３】本発明の他の実施の形態の成膜装置の概略構成
図

【図４】（ａ）：同実施の形態における成膜対象物を示
す平面図（ｂ）：図４（ａ）のＳ−Ｓ線断面図

【図５】従来の成膜装置の概略構成図

【図６】（ａ）〜（ｄ）従来技術の課題を示す説明図

【符号の説明】

１…成膜装置２…真空チャンバ（真空槽）６…電界
発生手段７…基板ホルダ９…フィラメント５０…
基板６０…コア

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者沈国華神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技術株式会社内Ｆターム(参考） 4G046 CA01 CB01 CB03 EB13 EC03 GA01 4K030 BA27 BA28 FA01 FA10 JA14 JA17 JA18 KA15 KA20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空中で化学気相反応によって成膜対象物
に膜を形成する成膜方法であって、前記成膜対象物に対し、当該成膜対象物に沿って交流電
界を印加することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】前記成膜対象物に沿う交流電界は、所定の
コアに巻回されたコイルに対して高周波電力を印加する
ことによって形成することを特徴とする請求項１記載の
成膜方法。
【請求項３】前記コイルに対して１０ｋＨｚ以上の高周
波電力を印加することを特徴とする請求項２記載の成膜
方法。
【請求項４】前記成膜対象物は、その表層部分が導電性
を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
か１項記載の成膜方法。
【請求項５】真空中で化学気相反応によって成膜対象物
に膜を形成する成膜方法であって、前記成膜対象物に対し、当該成膜対象物に沿って静電界
を印加することを特徴とする成膜方法。
【請求項６】前記成膜対象物に沿う静電界は、当該成膜
対象物の近傍に設けた一対の電極間に所定の電位差を発
生させることによって形成することを特徴とする請求項
５記載の成膜方法。
【請求項７】前記成膜対象物は、その表層部分が導電性
を有していることを特徴とする請求項５又は６のいずれ
か１項記載の成膜方法。
【請求項８】前記成膜対象物は、その表層部分に導電性
で島状の被成膜部が設けられていることを特徴とする請
求項７記載の成膜方法。
【請求項９】請求項１乃至８のいずれか１項記載の方法
によって形成されたことを特徴とする薄膜。
【請求項１０】所定の反応ガスを導入可能に構成され、
化学気相反応によって成膜対象物に膜を形成するための
真空槽と、前記成膜対象物の近傍に配設され、当該成膜対象物に沿
う方向の交流電界を発生するように構成された電界発生
手段とを備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項１１】前記電界発生手段は、環状のコアと、該
コアに巻回されたコイルと、該コイルに接続された高周
波電源とを有することを特徴とする請求項１０記載の成
膜装置。
【請求項１２】前記コアは、当該成膜対象物に対してほ
ぼ平行な交流電界印加部を有することを特徴とする請求
項１１記載の成膜装置。
【請求項１３】前記コアは、長円形状に形成されている
ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項記
載の成膜装置。
【請求項１４】前記コイルは、前記コアに対して１回乃
至３回巻回されていることを特徴とする請求項１１乃至
１３のいずれか１項記載の成膜装置。
【請求項１５】前記コアは、当該成膜対象物を保持する
保持部を兼ねていることを特徴とする請求項１１乃至１
４のいずれか１項記載の成膜装置。
【請求項１６】所定の反応ガスを導入可能に構成され、
化学気相反応によって成膜対象物に膜を形成するための
真空槽と、前記成膜対象物の近傍に配設され、当該成膜対象物に沿
う方向の静電界を発生するように構成された電界発生手
段とを備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項１７】前記電界発生手段は、前記成膜対象物を
側方から挟むように配置される一対の平行電極と、該一
対の平行電極に接続された直流電源とを有することを特
徴とする請求項１６記載の成膜装置。