JPH0421781A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH0421781A JPH0421781A JP2123200A JP12320090A JPH0421781A JP H0421781 A JPH0421781 A JP H0421781A JP 2123200 A JP2123200 A JP 2123200A JP 12320090 A JP12320090 A JP 12320090A JP H0421781 A JPH0421781 A JP H0421781A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
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- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
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- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコン太陽電池、薄膜半導体、
光センサ、半導体保護膜など各種電子デバイスに使用さ
れる大面積薄膜の製造に適したプラズマＣＶＤ装置に関
する。
光センサ、半導体保護膜など各種電子デバイスに使用さ
れる大面積薄膜の製造に適したプラズマＣＶＤ装置に関
する。
大面積のアモルファスシリコン薄膜を製造するために、
従来より用いられているプラズマＣＶＤ装置の構成を第
７図を参照して説明する。この技術的手段は例えば特願
昭８１−１０６３１４号などに開示されているように公
知である。
従来より用いられているプラズマＣＶＤ装置の構成を第
７図を参照して説明する。この技術的手段は例えば特願
昭８１−１０６３１４号などに開示されているように公
知である。
反応容器１内には、グロー放電プラズマを発生させるた
めの電極２．３が平行に配置されている。
めの電極２．３が平行に配置されている。
これら電極２．３には、低周波電源４から例えば８０）
１ｚの商用周波数の電力か供給される。なお、電源とし
ては、直流電源や高周波電源を用いることもできる。反
応容器１の周囲には、これを囲むようにフィル５が巻か
れており、交流電源６から交流電力が供給される。反応
容器１内には、図示しないボンベから反応ガス導入管７
を通して例えばモノシランとアルゴンとの混合ガスが供
給される。
１ｚの商用周波数の電力か供給される。なお、電源とし
ては、直流電源や高周波電源を用いることもできる。反
応容器１の周囲には、これを囲むようにフィル５が巻か
れており、交流電源６から交流電力が供給される。反応
容器１内には、図示しないボンベから反応ガス導入管７
を通して例えばモノシランとアルゴンとの混合ガスが供
給される。
反応容器１内のガスは排気管８を通して真空ドンブ９に
より排気される。基板１０は、電極２．３が形成する放
電空間の外側に、電極２．３の面と直交するように適宜
の手段で支持される。
より排気される。基板１０は、電極２．３が形成する放
電空間の外側に、電極２．３の面と直交するように適宜
の手段で支持される。
この装置を用い、以下のようにして薄膜を製造する。真
空ポンプ９を駆動して反応容器１内を排気する。反応ガ
ス導入管７を通して例えばモノシランとアルゴンとの混
合ガスを供給し、反応容器１内の圧力を０．０５〜０
、５Ｔｏｒｒに保ち、低周波電源４から電極２．３に電
圧を印加すると、グロー放電プラズマが発生する。コイ
ル５に例えば１００Ｈｚの交流電圧を印加し、電極２．
３間に発生する電界Ｅと直交する方向に磁界Ｂを発生さ
せる。この磁界における磁束密度は１０ガウス程度でよ
い。
空ポンプ９を駆動して反応容器１内を排気する。反応ガ
ス導入管７を通して例えばモノシランとアルゴンとの混
合ガスを供給し、反応容器１内の圧力を０．０５〜０
、５Ｔｏｒｒに保ち、低周波電源４から電極２．３に電
圧を印加すると、グロー放電プラズマが発生する。コイ
ル５に例えば１００Ｈｚの交流電圧を印加し、電極２．
３間に発生する電界Ｅと直交する方向に磁界Ｂを発生さ
せる。この磁界における磁束密度は１０ガウス程度でよ
い。
反応ガス導入管７から供給されたガスのうちモノシラン
ガスは電極２．３間に生じるグロー放電プラズマによっ
て分解される。この結果、ラジカルＳｉが発生し、基板
１０表面に付着して薄膜を形成する。
ガスは電極２．３間に生じるグロー放電プラズマによっ
て分解される。この結果、ラジカルＳｉが発生し、基板
１０表面に付着して薄膜を形成する。
アルゴンイオンなどの荷電粒子は、電極２．３間で電界
Ｅによるクーロン力Ｆ、−ｑＥと、ローレンツ力Ｆ２−
Ｑ （Ｖ−Ｂ） （ここで、■は荷電粒子の速度）と
によっていわゆるＥ−Ｂドリフト運動を起こす。荷電粒
子は、Ｅ−Ｂドリフトにより初速を与えられた状態で、
電極２．３と直交する方向に飛びたし、基板１０に向け
て飛んでいく。
Ｅによるクーロン力Ｆ、−ｑＥと、ローレンツ力Ｆ２−
Ｑ （Ｖ−Ｂ） （ここで、■は荷電粒子の速度）と
によっていわゆるＥ−Ｂドリフト運動を起こす。荷電粒
子は、Ｅ−Ｂドリフトにより初速を与えられた状態で、
電極２．３と直交する方向に飛びたし、基板１０に向け
て飛んでいく。
しかし、電極２．３間に生じる電界の影響か小さい放電
空間では、コイル５により生じた電界Ｂによるサイクロ
トロン運動により、Ｌａｒｍｏｒ軌道を描いて飛んでい
く。したがって、アルゴンイオンなどの荷電粒子か基板
１０を直撃することは少ない。
空間では、コイル５により生じた電界Ｂによるサイクロ
トロン運動により、Ｌａｒｍｏｒ軌道を描いて飛んでい
く。したがって、アルゴンイオンなどの荷電粒子か基板
１０を直撃することは少ない。
電気的に中性であるラジカルＳｉは、磁界Ｂの影響を受
けず、上記荷電粒子群の軌道からそれて基板１０に至り
、その表面に非晶質薄膜を形成する。
けず、上記荷電粒子群の軌道からそれて基板１０に至り
、その表面に非晶質薄膜を形成する。
ラジカルＳｉはＬａｒｓｏｒ軌道を飛んでいく荷電粒子
と衝突するため、電極２．３の前方だけてなく、左又は
右に広がった形で非晶質薄膜が形成される。
と衝突するため、電極２．３の前方だけてなく、左又は
右に広がった形で非晶質薄膜が形成される。
しかも、磁界Ｂを交流型Ｒ６により変動させているので
、基板１０の表面に非晶質薄膜を均一に形成することが
可能となる。なお、電極２．３の長さは、反応容器１の
長さの許すかぎり長くしても何ら問題がないので、基板
１０か長尺のものであっても、その表面に均一な非晶質
薄膜を形成することが可能となる。
、基板１０の表面に非晶質薄膜を均一に形成することが
可能となる。なお、電極２．３の長さは、反応容器１の
長さの許すかぎり長くしても何ら問題がないので、基板
１０か長尺のものであっても、その表面に均一な非晶質
薄膜を形成することが可能となる。
上記の従来の装置では、グロー放電プラズマを発生させ
る電極間の放電電界Ｅと直交する方向に磁界Ｂを発生さ
せることにより、大面積の成膜を容易に可能としている
。しかし、次のような問題がある。
る電極間の放電電界Ｅと直交する方向に磁界Ｂを発生さ
せることにより、大面積の成膜を容易に可能としている
。しかし、次のような問題がある。
■大面積の成膜を行う場合、電極として長尺のものを用
いる必要がある。長尺の電極を用いて安定したプラズマ
を発生させるには、その電源の周波数は可能なかぎり低
いほうが容易であるため、数１０）１ｚ〜数１００Ｈｚ
の電源が用いられている。しかし、周波数が低くなり、
半周期の間のイオン移動距離が電極間隔を越えるような
条件の下では、直流放電の場合と同様に、プラズマを維
持するために、イオン衝突によって陰極より放出された
二次電子が本質的な役割を担うことになる。そのため電
極に膜が付着して絶縁されると、その部分ては放電が起
こらないようになる。この場合、電極表面を常にクリー
ンに保つ必要がある。そのため、電極を頻繁に交換した
り頻繁に清掃するなどの煩雑な作業か必要となり、コス
ト高の要因の一つとなっている。
いる必要がある。長尺の電極を用いて安定したプラズマ
を発生させるには、その電源の周波数は可能なかぎり低
いほうが容易であるため、数１０）１ｚ〜数１００Ｈｚ
の電源が用いられている。しかし、周波数が低くなり、
半周期の間のイオン移動距離が電極間隔を越えるような
条件の下では、直流放電の場合と同様に、プラズマを維
持するために、イオン衝突によって陰極より放出された
二次電子が本質的な役割を担うことになる。そのため電
極に膜が付着して絶縁されると、その部分ては放電が起
こらないようになる。この場合、電極表面を常にクリー
ンに保つ必要がある。そのため、電極を頻繁に交換した
り頻繁に清掃するなどの煩雑な作業か必要となり、コス
ト高の要因の一つとなっている。
■上記■の欠点を補うた於に、プラズマ発生源に例えば
１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いると、放電維持に
対する電極放出二次電子は本質的なものでなくなり、電
極上に膜などの絶縁物か存在していても、電極間にはグ
ロー放電が形成される。しかしながら、長尺の電極を用
いる場合には、高周波による表皮効果により電流の大部
分か表面（約０．０１＋ａ＋＊）を流れるため、電気抵
抗が増加する。例えば、電極の長さか約１ｍ以上になる
と、電極上に電位分布が現れて−様なプラズマが発生し
なくなる。これを分布定数回路で考えると、第８図に示
すようになる。第８図において、Ｘは電極の長さ方向の
距離を示している。すなわち、電極の単位長さ当りの抵
抗Ｒが放電部分のインピーダンスＺ１、Ｚ２、・・ Ｚ
７に比べて無視できないほど大きくなってくると、電極
内に電位分布か現れる。
１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いると、放電維持に
対する電極放出二次電子は本質的なものでなくなり、電
極上に膜などの絶縁物か存在していても、電極間にはグ
ロー放電が形成される。しかしながら、長尺の電極を用
いる場合には、高周波による表皮効果により電流の大部
分か表面（約０．０１＋ａ＋＊）を流れるため、電気抵
抗が増加する。例えば、電極の長さか約１ｍ以上になる
と、電極上に電位分布が現れて−様なプラズマが発生し
なくなる。これを分布定数回路で考えると、第８図に示
すようになる。第８図において、Ｘは電極の長さ方向の
距離を示している。すなわち、電極の単位長さ当りの抵
抗Ｒが放電部分のインピーダンスＺ１、Ｚ２、・・ Ｚ
７に比べて無視できないほど大きくなってくると、電極
内に電位分布か現れる。
したがって、高周波電源を用いる場合には、大面積の成
膜を行うことは非常に困難であり、実際上これまでは実
現できながった。
膜を行うことは非常に困難であり、実際上これまでは実
現できながった。
■上記■、■の方法では、５０ａｎＸ５０ｃｍ以上の大
面積のアモルファスシリコン薄膜を製造する際、膜厚分
布を±１０％以下に維持し、がっ成膜速度を１人／ ｓ
ｅｅ以上に保つことは非常に困難であった。
面積のアモルファスシリコン薄膜を製造する際、膜厚分
布を±１０％以下に維持し、がっ成膜速度を１人／ ｓ
ｅｅ以上に保つことは非常に困難であった。
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、反応容器と、この反応
容器内に反応ガスを導入し、排出する手段と、上記反応
容器内に収容された放電用電極と、この放電用電極にグ
ロー放電用電力を供給する電源とを有し、反応容器内に
設置された基板表面に非晶質薄膜を形成するプラズマＣ
ＶＤ装置において、上記放電用電極を１本の線材をＵ字
状に交互に折り曲げた平面形コイルで形成し、上記基板
を上記放電用電極と平行に支持したことを特徴とするも
のである。
容器内に反応ガスを導入し、排出する手段と、上記反応
容器内に収容された放電用電極と、この放電用電極にグ
ロー放電用電力を供給する電源とを有し、反応容器内に
設置された基板表面に非晶質薄膜を形成するプラズマＣ
ＶＤ装置において、上記放電用電極を１本の線材をＵ字
状に交互に折り曲げた平面形コイルで形成し、上記基板
を上記放電用電極と平行に支持したことを特徴とするも
のである。
本発明において、放電用電極にグロー放電用電力を供給
する電源としては、例えば１３．５６Ｍ）ｌｚの高周波
電源を用いることが好ましい。
する電源としては、例えば１３．５６Ｍ）ｌｚの高周波
電源を用いることが好ましい。
本発明において、ジグザグ状の平面形コイル電極の隣接
する線材間の間隔を５０龍以下であることが好ましい。
する線材間の間隔を５０龍以下であることが好ましい。
この間隔が５０＋＊ｍを超えると、基板表面に成膜され
るアモルファスシリコンの膜厚分布が±３０％以上とな
るので、好ましくない。
るアモルファスシリコンの膜厚分布が±３０％以上とな
るので、好ましくない。
本発明においては、電源とジグザグ状の平面形コイル電
極との間に、コイルとコンデンサから構成されるインピ
ーダンスマツチング回路を設置し、電極にプラズマ発生
のための電力を供給することが好ましい。
極との間に、コイルとコンデンサから構成されるインピ
ーダンスマツチング回路を設置し、電極にプラズマ発生
のための電力を供給することが好ましい。
本発明においては、放電用電極の周囲を囲み、電極間に
発生した電界Ｅと直交する方向に磁界Ｂを発生させるコ
イルと、このコイルに磁界Ｂ発生用の電流を供給する電
源とを設置し、磁界によりプラズマを揺動させることが
好ましい。ただし、必ずしも磁界によりプラズマを揺動
させる必要はない。
発生した電界Ｅと直交する方向に磁界Ｂを発生させるコ
イルと、このコイルに磁界Ｂ発生用の電流を供給する電
源とを設置し、磁界によりプラズマを揺動させることが
好ましい。ただし、必ずしも磁界によりプラズマを揺動
させる必要はない。
本発明においては、プラズマ発生用の電極として、従来
の複数平行平板電極に代えて、１本の線材をＵ字状に交
互に折り曲げたジグザグ状の平面形コイル電極を反応容
器内に設置したことにより、電極まわりの電界が強くな
り、かつその強度分布か平坦となる。例えば、反応ガス
としてＳｉＨ４を用いた場合、ＳｉＨ発光強度分布（波
長４１４ｎｃの発光）は−様な強さとなる。このため、
基板表面に成膜されるアモルファスシリコンはほぼ均一
な膜厚分布を持ち、かつ高速成膜が可能になる。
の複数平行平板電極に代えて、１本の線材をＵ字状に交
互に折り曲げたジグザグ状の平面形コイル電極を反応容
器内に設置したことにより、電極まわりの電界が強くな
り、かつその強度分布か平坦となる。例えば、反応ガス
としてＳｉＨ４を用いた場合、ＳｉＨ発光強度分布（波
長４１４ｎｃの発光）は−様な強さとなる。このため、
基板表面に成膜されるアモルファスシリコンはほぼ均一
な膜厚分布を持ち、かつ高速成膜が可能になる。
したがって、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、大面積の
非晶質薄膜の製造に適している。本発明におけるジグザ
グ状の平面形コイル電極は一種のアンテナであるので、
その長さｇは使用する電源周波数の波長λに対してｇく
λ／４であればよい。
非晶質薄膜の製造に適している。本発明におけるジグザ
グ状の平面形コイル電極は一種のアンテナであるので、
その長さｇは使用する電源周波数の波長λに対してｇく
λ／４であればよい。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装置の構成
を示す断面図である。なお、第７図と同一部材には同一
番号を付している。反応容器１内には、グロー放電プラ
ズマを発生させるためのジグザグ法平面形コイル電１Ｍ
１ｌか配置されている。
を示す断面図である。なお、第７図と同一部材には同一
番号を付している。反応容器１内には、グロー放電プラ
ズマを発生させるためのジグザグ法平面形コイル電１Ｍ
１ｌか配置されている。
このジグサグ状平面形コイル電極１１は、第２図及び第
３図に示すように、１本のｉ ＋ｔをＵ字状に交互に折
り曲げた構造を有している。ジグザグ法平面形コイル電
極１１の電力供給点１１ａ、Ｉｌｂには、高周波電源１
４から例えば１３．５６ＭＨｚの周波数の電力がインピ
ーダンスマツチング回路１２を介して供給される。反応
容器１の周囲には、コイル５か設けられており、交流電
源６から交流電力が供給される。なお、この電源は直ｌ
１ｉｔ電源でもよい。本実施例では、コイル５により５
０〜１２０ガウスの磁界か発生される。反応容器１内に
は、図示しないボンベから反応ガス導入管７を通して例
えばモノシランとアルゴンとの混合ガスが供給される。
３図に示すように、１本のｉ ＋ｔをＵ字状に交互に折
り曲げた構造を有している。ジグザグ法平面形コイル電
極１１の電力供給点１１ａ、Ｉｌｂには、高周波電源１
４から例えば１３．５６ＭＨｚの周波数の電力がインピ
ーダンスマツチング回路１２を介して供給される。反応
容器１の周囲には、コイル５か設けられており、交流電
源６から交流電力が供給される。なお、この電源は直ｌ
１ｉｔ電源でもよい。本実施例では、コイル５により５
０〜１２０ガウスの磁界か発生される。反応容器１内に
は、図示しないボンベから反応ガス導入管７を通して例
えばモノシランとアルゴンとの混合ガスが供給される。
反応容器１内のガスは排気管８を通して真空ポンプ９に
より排気される。基板ｌＯは、ジグザグ法平面形コイル
電極１１と平行に設置され、図示しない基板ホルダに支
持される。
より排気される。基板ｌＯは、ジグザグ法平面形コイル
電極１１と平行に設置され、図示しない基板ホルダに支
持される。
この装置を用い、以下のようにして薄膜を製造する。真
空ポンプ９を駆動して反応容器１内を排気する。反応ガ
ス導入管７を通して例えばモノシランとアルゴンとの混
合ガスを１００〜２００ｃｃ／ｓｉｎ程度の流量で供給
し、反応容器１内の圧力を０．０５〜０ 、５Ｔｏｒｒ
に保ち、高周波側１４からインピーダンスマツチング回
路１２を介してジグザグ法平面形コイル電極１１に電圧
を印加すると、電極１１の周囲にグロー放電プラズマが
発生する。その発光状態を、波長４１４ｎｍ近傍のみの
光を通過させる光フィルタを介して観測すると、第５図
のように見える。すなわち、電極１１と基板１０との間
でほぼ一様な発光強度を示す。このことから、基板１０
表面に付着するアモルファスシリコン薄膜は、その膜厚
分布が一様になることが推測される。
空ポンプ９を駆動して反応容器１内を排気する。反応ガ
ス導入管７を通して例えばモノシランとアルゴンとの混
合ガスを１００〜２００ｃｃ／ｓｉｎ程度の流量で供給
し、反応容器１内の圧力を０．０５〜０ 、５Ｔｏｒｒ
に保ち、高周波側１４からインピーダンスマツチング回
路１２を介してジグザグ法平面形コイル電極１１に電圧
を印加すると、電極１１の周囲にグロー放電プラズマが
発生する。その発光状態を、波長４１４ｎｍ近傍のみの
光を通過させる光フィルタを介して観測すると、第５図
のように見える。すなわち、電極１１と基板１０との間
でほぼ一様な発光強度を示す。このことから、基板１０
表面に付着するアモルファスシリコン薄膜は、その膜厚
分布が一様になることが推測される。
アモルファスシリコン薄膜の膜厚分布は、反応ガスの流
量、圧力、ＳｉＨ４濃度、電力などのほか、ジグザク状
平面形コイル電極１１の隣接する線材間の距離にも依存
する。そこで、下記条件で成膜実験を行った。
量、圧力、ＳｉＨ４濃度、電力などのほか、ジグザク状
平面形コイル電極１１の隣接する線材間の距離にも依存
する。そこで、下記条件で成膜実験を行った。
基板材料ニガラス、基板面積： ５００１１１ Ｘ ５
０ｃ１１１ 、反応ガスの種類：水素希釈２０％ＳｉＨ
４、反応ガス流量： １００ｃｃＺ分、反応容器圧力＋
０ 、３Ｔｏｒｒ、高周波電力 １５０Ｗにおいて、
ジグザグ法平面形コイル電極１１の隣接する線材間の距
離を５１から４５龍の範囲に設定した。そして、磁界を
印加した状態及び印加しない状態で、膜厚の平均値が５
０００人の薄膜を成膜した。隣接する線材間の距離と膜
厚分布との関係を第６図に示す。
０ｃ１１１ 、反応ガスの種類：水素希釈２０％ＳｉＨ
４、反応ガス流量： １００ｃｃＺ分、反応容器圧力＋
０ 、３Ｔｏｒｒ、高周波電力 １５０Ｗにおいて、
ジグザグ法平面形コイル電極１１の隣接する線材間の距
離を５１から４５龍の範囲に設定した。そして、磁界を
印加した状態及び印加しない状態で、膜厚の平均値が５
０００人の薄膜を成膜した。隣接する線材間の距離と膜
厚分布との関係を第６図に示す。
第６図に示されるように、磁界を印加しない場合には、
線材間の距離が３０ ＋ｕ以下で±２０％以下の膜厚分
布が得られている。これに対して、正弦波（周波数１０
Ｈｚ）による±８０ガウスの交番磁界を印加した場合に
は、磁界を印加しない場合より膜厚分布が良好である。
線材間の距離が３０ ＋ｕ以下で±２０％以下の膜厚分
布が得られている。これに対して、正弦波（周波数１０
Ｈｚ）による±８０ガウスの交番磁界を印加した場合に
は、磁界を印加しない場合より膜厚分布が良好である。
すなわち、線材間の距離が４５關以下で±２０％以下の
膜厚分布が得られている。
膜厚分布が得られている。
本実施例では、放電用電極としてジグザグ法平面形コイ
ル電極１１を用い、プラズマ発生電源として１３．５８
ＭＨｚの高周波電源を用い、かつ電界と直交する方向に
磁界を印加することにより、３〜５人／ ｓ ｅ ｃと
いう高速の成膜速度で大面積のアモルファスシリコン薄
膜を製造することができる。
ル電極１１を用い、プラズマ発生電源として１３．５８
ＭＨｚの高周波電源を用い、かつ電界と直交する方向に
磁界を印加することにより、３〜５人／ ｓ ｅ ｃと
いう高速の成膜速度で大面積のアモルファスシリコン薄
膜を製造することができる。
以上詳述したように本発明によれば、放電用電極として
ジグザグ法平面形コイル電極を用いることにより、電極
近傍の電界強度が強くなり、かつ均一になったことから
、高速で大面積のアモルファスシリコン薄膜を製造する
ことができる。したがって、アモルファスシリコン太陽
電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの製造
分野で工業的価値が大きい。
ジグザグ法平面形コイル電極を用いることにより、電極
近傍の電界強度が強くなり、かつ均一になったことから
、高速で大面積のアモルファスシリコン薄膜を製造する
ことができる。したがって、アモルファスシリコン太陽
電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの製造
分野で工業的価値が大きい。
第１図は本発明の実施例におけるプラズマＣＶＤ装置の
構成を示す断面図、第２図は同プラズマＣＶＤ装置に用
いられるジグザグ法平面形コイル電極の平面図、第３図
は第２図の■−■線に沿う断面図、第４図は同プラズマ
ＣＶＤ装置における電極と基板との配置を示す説明図、
第５図は本発明の実施例における電極近傍のＳｉＨ発光
強度分布を示す説明図、第６図はジグザグ法平面形コイ
ル電極の隣接する線材間の間隔とアモルファスシリコン
の膜厚分布との関係を示す特性図、第７図は従来のプラ
ズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図、第８図は従来のプ
ラズマＣＶＤ装置の欠点を説明する図である。 １・・・反応容器、５・コイル、６・交流電源、７・・
・反応ガス導入管、８・・排気管、９・・・真空ポンプ
、ｌＯ・基板、１トジグザグ状平面形コイル電極、１２
・・インピーダンスマツチング回路、１４・・・高周波
電源。
構成を示す断面図、第２図は同プラズマＣＶＤ装置に用
いられるジグザグ法平面形コイル電極の平面図、第３図
は第２図の■−■線に沿う断面図、第４図は同プラズマ
ＣＶＤ装置における電極と基板との配置を示す説明図、
第５図は本発明の実施例における電極近傍のＳｉＨ発光
強度分布を示す説明図、第６図はジグザグ法平面形コイ
ル電極の隣接する線材間の間隔とアモルファスシリコン
の膜厚分布との関係を示す特性図、第７図は従来のプラ
ズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図、第８図は従来のプ
ラズマＣＶＤ装置の欠点を説明する図である。 １・・・反応容器、５・コイル、６・交流電源、７・・
・反応ガス導入管、８・・排気管、９・・・真空ポンプ
、ｌＯ・基板、１トジグザグ状平面形コイル電極、１２
・・インピーダンスマツチング回路、１４・・・高周波
電源。
Claims (1)
- 反応容器と、この反応容器内に反応ガスを導入し、排
出する手段と、上記反応容器内に収容された放電用電極
と、この放電用電極にグロー放電用電力を供給する電源
とを有し、反応容器内に設置された基板表面に非晶質薄
膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、上記放電用
電極を１本の線材をＵ字状に交互に折り曲げた平面形コ
イルで形成し、上記基板を上記放電用電極と平行に支持
したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123200A JP2785442B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
| DE69110547T DE69110547T2 (de) | 1990-05-15 | 1991-04-26 | Plasma-CVD-Anlage. |
| EP91106776A EP0458085B1 (en) | 1990-05-15 | 1991-04-26 | Plasma CVD apparatus |
| CA002041495A CA2041495C (en) | 1990-05-15 | 1991-04-30 | Cvd apparatus containing single u-shaped discharge electrode held in parallel with a substrate |
| KR1019910007645A KR950000310B1 (ko) | 1990-05-15 | 1991-05-13 | 플라즈마 cvd장치 |
| US08/074,738 US5405447A (en) | 1990-05-15 | 1993-06-10 | Plasma CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123200A JP2785442B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421781A true JPH0421781A (ja) | 1992-01-24 |
| JP2785442B2 JP2785442B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=14854674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2123200A Expired - Lifetime JP2785442B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5405447A (ja) |
| EP (1) | EP0458085B1 (ja) |
| JP (1) | JP2785442B2 (ja) |
| KR (1) | KR950000310B1 (ja) |
| CA (1) | CA2041495C (ja) |
| DE (1) | DE69110547T2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5423915A (en) * | 1992-04-16 | 1995-06-13 | Mitsubishi Jukogyo Kagushiki Kaisha | Plasma CVD apparatus including rotating magnetic field generation means |
| US6189485B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-02-20 | Anelva Corporation | Plasma CVD apparatus suitable for manufacturing solar cell and the like |
| JP2001118795A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ生成装置 |
| US6719876B1 (en) | 1999-09-09 | 2004-04-13 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. | Internal electrode type plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US7047903B2 (en) | 2001-01-22 | 2006-05-23 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. | Method and device for plasma CVD |
| US9165748B2 (en) | 2000-05-17 | 2015-10-20 | Ihi Corporation | Plasma CVD method |
Families Citing this family (6)
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| US5837090A (en) * | 1994-12-08 | 1998-11-17 | Raytheon Company | Precision aligning and joining of two articles using a flowable adhesive |
| EP1126504A1 (en) | 2000-02-18 | 2001-08-22 | European Community | Method and apparatus for inductively coupled plasma treatment |
| KR100757717B1 (ko) * | 2000-04-13 | 2007-09-11 | 도꾸리쯔교세이호진 상교기쥬쯔 소고겡뀨죠 | 박막 형성 방법, 박막 형성 장치 및 태양전지 |
| BE1019817A5 (nl) * | 2009-10-15 | 2013-01-08 | Europlasma | Elektrode zonder massa. |
| JP5500097B2 (ja) * | 2011-02-22 | 2014-05-21 | パナソニック株式会社 | 誘導結合型プラズマ処理装置及び方法 |
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| DE3830430A1 (de) * | 1987-09-11 | 1989-03-23 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Verfahren zur herstellung von ueberzuegen |
| JPH07118463B2 (ja) * | 1988-01-12 | 1995-12-18 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
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| EP0521078B1 (en) * | 1990-03-20 | 1996-05-22 | Diamonex, Incorporated | An improved hot filament chemical vapor deposition reactor |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP2123200A patent/JP2785442B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-26 EP EP91106776A patent/EP0458085B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-26 DE DE69110547T patent/DE69110547T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-30 CA CA002041495A patent/CA2041495C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-13 KR KR1019910007645A patent/KR950000310B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-06-10 US US08/074,738 patent/US5405447A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6254082A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
Cited By (6)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910020204A (ko) | 1991-12-19 |
| CA2041495A1 (en) | 1991-11-16 |
| JP2785442B2 (ja) | 1998-08-13 |
| DE69110547D1 (de) | 1995-07-27 |
| EP0458085A1 (en) | 1991-11-27 |
| DE69110547T2 (de) | 1995-12-14 |
| CA2041495C (en) | 1998-09-22 |
| EP0458085B1 (en) | 1995-06-21 |
| KR950000310B1 (ko) | 1995-01-13 |
| US5405447A (en) | 1995-04-11 |
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