JP2003054987A - 無鉛ガラスおよび無鉛ガラス粉末 - Google Patents
無鉛ガラスおよび無鉛ガラス粉末Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電極被覆の透明性を高くできる無鉛ガラスおよ
び無鉛ガラス粉末の提供。 【解決手段】モル%で、Bi2O3 33〜45%、B
2O3 26〜40%、SiO2 3〜22%、Al2
O3 3〜20%、CeO2 0〜3%、からなり、S
iO2+Al2O3≦35モル%である無鉛ガラス。ま
た、Bi2O3≧33モル%の無鉛ガラスの粉末であっ
て、50%粒子径が5μm以下であり、かつ、10mg
の該粉末を圧力が1×10−6Pa以下の真空中で60
℃/分の昇温速度により500℃まで加熱したときに3
00〜500℃で発生する二酸化炭素の量が100×1
0−8g以下である無鉛ガラス粉末。
び無鉛ガラス粉末の提供。 【解決手段】モル%で、Bi2O3 33〜45%、B
2O3 26〜40%、SiO2 3〜22%、Al2
O3 3〜20%、CeO2 0〜3%、からなり、S
iO2+Al2O3≦35モル%である無鉛ガラス。ま
た、Bi2O3≧33モル%の無鉛ガラスの粉末であっ
て、50%粒子径が5μm以下であり、かつ、10mg
の該粉末を圧力が1×10−6Pa以下の真空中で60
℃/分の昇温速度により500℃まで加熱したときに3
00〜500℃で発生する二酸化炭素の量が100×1
0−8g以下である無鉛ガラス粉末。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル(PDP)、蛍光表示管(VFD)等の前面
基板の電極の被覆に好適な無鉛ガラスおよび無鉛ガラス
粉末に関する。
レイパネル(PDP)、蛍光表示管(VFD)等の前面
基板の電極の被覆に好適な無鉛ガラスおよび無鉛ガラス
粉末に関する。
【0002】
【従来の技術】PDP、VFD等の前面基板の電極の被
覆には透明性が求められ、従来、その電極の被覆は当該
電極にガラス粉末を塗布し、焼成して行われていた。な
お、前記焼成は通常550〜580℃で行われ、ガラス
粉末としては鉛ガラス粉末が使用されていた。
覆には透明性が求められ、従来、その電極の被覆は当該
電極にガラス粉末を塗布し、焼成して行われていた。な
お、前記焼成は通常550〜580℃で行われ、ガラス
粉末としては鉛ガラス粉末が使用されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年、電極被覆用ガラ
スまたはガラス粉末として鉛を含有しないものが求めら
れている。また、前記被覆における透明性の向上が求め
られている。本発明は、以上の課題を解決する無鉛ガラ
スおよび無鉛ガラス粉末の提供を目的とする。
スまたはガラス粉末として鉛を含有しないものが求めら
れている。また、前記被覆における透明性の向上が求め
られている。本発明は、以上の課題を解決する無鉛ガラ
スおよび無鉛ガラス粉末の提供を目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記酸化物基
準のモル%表示で、 Bi2O3 33〜45%、 B2O3 26〜40%、 SiO2 3〜22%、 Al2O3 3〜20%、 CeO2 0〜3%、 から本質的になり、SiO2+Al2O3が35モル%
以下である無鉛ガラスを提供する。
準のモル%表示で、 Bi2O3 33〜45%、 B2O3 26〜40%、 SiO2 3〜22%、 Al2O3 3〜20%、 CeO2 0〜3%、 から本質的になり、SiO2+Al2O3が35モル%
以下である無鉛ガラスを提供する。
【0005】また、Bi2O3を33モル%以上含有す
る無鉛ガラスの粉末であって、50%粒子径が5μm以
下であり、かつ、10mgの該粉末を圧力が1×10
−6Pa以下の真空中で60℃/分の昇温速度により5
00℃まで加熱したときに300〜500℃の温度範囲
で発生する二酸化炭素の量が100×10−8g以下で
あることを特徴とする無鉛ガラス粉末を提供する。
る無鉛ガラスの粉末であって、50%粒子径が5μm以
下であり、かつ、10mgの該粉末を圧力が1×10
−6Pa以下の真空中で60℃/分の昇温速度により5
00℃まで加熱したときに300〜500℃の温度範囲
で発生する二酸化炭素の量が100×10−8g以下で
あることを特徴とする無鉛ガラス粉末を提供する。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明の無鉛ガラス(以下本発明
のガラスという。)をPDP、VFD等の前面基板の電
極の被覆に用いる場合、通常は粉砕して粉末ガラスと
し、該粉末ガラスをペースト化して電極に塗布後焼成し
て電極を被覆する。なお、前記粉砕は、たとえば、アル
ミナ製ボールミルを用いて空気中または水中で行っても
よいし、ジェットミルを用いて行ってもよい。水中で粉
砕することが好ましい。
のガラスという。)をPDP、VFD等の前面基板の電
極の被覆に用いる場合、通常は粉砕して粉末ガラスと
し、該粉末ガラスをペースト化して電極に塗布後焼成し
て電極を被覆する。なお、前記粉砕は、たとえば、アル
ミナ製ボールミルを用いて空気中または水中で行っても
よいし、ジェットミルを用いて行ってもよい。水中で粉
砕することが好ましい。
【0007】前記ペースト化は、エチルセルロース、ニ
トロセルロース、等の樹脂を、α−テルピネオール、ブ
チルカルビトールアセテート、酢酸イソペンチル、等の
溶剤に溶解したビヒクルと混合して行われる。また、前
記焼成は典型的には550〜580℃に5〜60分保持
して行われる。
トロセルロース、等の樹脂を、α−テルピネオール、ブ
チルカルビトールアセテート、酢酸イソペンチル、等の
溶剤に溶解したビヒクルと混合して行われる。また、前
記焼成は典型的には550〜580℃に5〜60分保持
して行われる。
【0008】本発明のガラスの軟化点TSは540℃以
下であることが好ましい。540℃超では焼成時の流動
性が低下し、焼成して得られる焼成体の透明性が低下す
るおそれがある。より好ましくは535℃以下、特に好
ましくは530℃以下である。
下であることが好ましい。540℃超では焼成時の流動
性が低下し、焼成して得られる焼成体の透明性が低下す
るおそれがある。より好ましくは535℃以下、特に好
ましくは530℃以下である。
【0009】本発明のガラスの結晶化温度TCは700
℃以上であることが好ましい。700℃未満では焼成時
に結晶が析出し焼成体の透明性が低下するおそれがあ
る。T Cは∞であることがより好ましい。なお、本発明
でいう結晶化温度とは、ガラスの粉末を10℃/分の昇
温速度で室温から1000℃まで加熱して示差熱分析
(DTA)を行ったときに認められる結晶化を示す発熱
ピークの温度であり、該発熱ピークが認められないとき
は∞とする。本発明のガラスは、TSが540℃以下、
かつ、TCが700℃以上であることが特に好ましい。
℃以上であることが好ましい。700℃未満では焼成時
に結晶が析出し焼成体の透明性が低下するおそれがあ
る。T Cは∞であることがより好ましい。なお、本発明
でいう結晶化温度とは、ガラスの粉末を10℃/分の昇
温速度で室温から1000℃まで加熱して示差熱分析
(DTA)を行ったときに認められる結晶化を示す発熱
ピークの温度であり、該発熱ピークが認められないとき
は∞とする。本発明のガラスは、TSが540℃以下、
かつ、TCが700℃以上であることが特に好ましい。
【0010】次に、本発明のガラスの組成について、モ
ル%を単に%と記して説明する。Bi2O3はTSを低
下させる成分であり、必須である。33%未満ではTS
が高くなる。好ましくは35%以上、より好ましくは3
6%以上、特に好ましくは38%以上である。45%超
では焼成時にビスマスシリケート結晶が析出しやくな
る、またはガラスが不安定になる。
ル%を単に%と記して説明する。Bi2O3はTSを低
下させる成分であり、必須である。33%未満ではTS
が高くなる。好ましくは35%以上、より好ましくは3
6%以上、特に好ましくは38%以上である。45%超
では焼成時にビスマスシリケート結晶が析出しやくな
る、またはガラスが不安定になる。
【0011】B2O3はネットワークフォーマであり、
必須である。26%未満ではガラス溶融温度が高くな
る、またはガラスが不安定になる。好ましくは27%以
上である。40%超では化学的耐久性が低下する。好ま
しくは36%以下である。
必須である。26%未満ではガラス溶融温度が高くな
る、またはガラスが不安定になる。好ましくは27%以
上である。40%超では化学的耐久性が低下する。好ま
しくは36%以下である。
【0012】SiO2は耐水性を高くする成分であり、
必須である。3%未満では耐水性が低下し、水中での粉
砕が困難になるおそれがある。好ましくは11%以上で
ある。22%超ではTSが高くなる、または焼成時にビ
スマスシリケート結晶が析出しやくなる。好ましくは2
0%以下である。
必須である。3%未満では耐水性が低下し、水中での粉
砕が困難になるおそれがある。好ましくは11%以上で
ある。22%超ではTSが高くなる、または焼成時にビ
スマスシリケート結晶が析出しやくなる。好ましくは2
0%以下である。
【0013】Al2O3は耐水性を高くする成分であ
り、必須である。3%未満では耐水性が低下し、水中で
の粉砕が困難になるおそれがある。好ましくは5%以上
である。20%超ではTSが高くなる。好ましくは18
%以下である。
り、必須である。3%未満では耐水性が低下し、水中で
の粉砕が困難になるおそれがある。好ましくは5%以上
である。20%超ではTSが高くなる。好ましくは18
%以下である。
【0014】Al2O3およびSiO2の含有量の合計
Al2O3+SiO2が35%超ではTSが高くなる。
好ましくは34%以下である。Al2O3+SiO
2は、好ましくは20%以上である。
Al2O3+SiO2が35%超ではTSが高くなる。
好ましくは34%以下である。Al2O3+SiO
2は、好ましくは20%以上である。
【0015】CeO2は必須ではないがBi2O3含有
にともなう着色を低減するために3%まで含有してもよ
い。3%超ではガラスが不安定になるおそれがある。
にともなう着色を低減するために3%まで含有してもよ
い。3%超ではガラスが不安定になるおそれがある。
【0016】本発明のガラスは本質的に上記成分からな
るが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有
してもよい。該「他の成分」の含有量の合計は7%以下
であることが好ましい。7%超ではガラスが失透しやす
くなるおそれがある。より好ましくは5%以下である。
るが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有
してもよい。該「他の成分」の含有量の合計は7%以下
であることが好ましい。7%超ではガラスが失透しやす
くなるおそれがある。より好ましくは5%以下である。
【0017】前記「他の成分」として、La2O3等の
CeO2以外の希土類酸化物、P2O5、GeO2、Z
nO、MgO、CaO、SrO、BaO、TiO2、M
nO、Sb2O3、Fe2O3、CoO、NiO、Cu
O、Y2O3、ZrO2、SnO2、MoO3、Rh2
O3、PdO、Ag2O、In2O3、TeO2、WO
3およびV2O5が例示される。
CeO2以外の希土類酸化物、P2O5、GeO2、Z
nO、MgO、CaO、SrO、BaO、TiO2、M
nO、Sb2O3、Fe2O3、CoO、NiO、Cu
O、Y2O3、ZrO2、SnO2、MoO3、Rh2
O3、PdO、Ag2O、In2O3、TeO2、WO
3およびV2O5が例示される。
【0018】本発明のガラスにおけるLi2O、Na2
O、K2O等のアルカリ金属酸化物の含有量の合計は
0.5%以下であることが好ましい。0.5%超では電
気絶縁性が低下するおそれがある。アルカリ金属酸化物
を含有しないことがより好ましい。また、本発明のガラ
スはPbOおよびCdOのいずれも含有しない次に、本
発明の無鉛ガラス粉末(以下本発明のガラス粉末とい
う。)について説明する。本発明のガラス粉末は、PD
P、VFD等の前面基板の電極の被覆に用いる場合、本
発明のガラスについて先に述べたと同様に、通常はペー
スト化して電極に塗布後焼成して電極を被覆する。
O、K2O等のアルカリ金属酸化物の含有量の合計は
0.5%以下であることが好ましい。0.5%超では電
気絶縁性が低下するおそれがある。アルカリ金属酸化物
を含有しないことがより好ましい。また、本発明のガラ
スはPbOおよびCdOのいずれも含有しない次に、本
発明の無鉛ガラス粉末(以下本発明のガラス粉末とい
う。)について説明する。本発明のガラス粉末は、PD
P、VFD等の前面基板の電極の被覆に用いる場合、本
発明のガラスについて先に述べたと同様に、通常はペー
スト化して電極に塗布後焼成して電極を被覆する。
【0019】本発明のガラス粉末のTSは、本発明のガ
ラスについて先に述べたと同様に、540℃以下である
ことが好ましい。より好ましくは535℃以下、特に好
ましくは530℃以下である。また、TCも同様に70
0℃以上であることが好ましく、∞であることがより好
ましい。
ラスについて先に述べたと同様に、540℃以下である
ことが好ましい。より好ましくは535℃以下、特に好
ましくは530℃以下である。また、TCも同様に70
0℃以上であることが好ましく、∞であることがより好
ましい。
【0020】本発明のガラス粉末はBi2O3を33モ
ル%以上含有する。33モル%未満ではTSが高くな
る、または、前記TSが高くなるのを防止するために、
通常耐水性向上のために含有するSiO2またはAl2
O3の含有量を低下させなければならなくなる。Bi2
O3含有量は、好ましくは35モル%以上である。本発
明のガラス粉末は、耐水性向上のためにSiO2および
/またはAl2O 3を含有することが好ましい。さら
に、SiO2およびAl2O3の含有量の合計Al2O
3+SiO2が20モル%以上であることが好ましい。
また、本発明のガラス粉末はPbOおよびCdOのいず
れも含有しない。本発明のガラス粉末は前記本発明のガ
ラスの粉末であることが好ましい。
ル%以上含有する。33モル%未満ではTSが高くな
る、または、前記TSが高くなるのを防止するために、
通常耐水性向上のために含有するSiO2またはAl2
O3の含有量を低下させなければならなくなる。Bi2
O3含有量は、好ましくは35モル%以上である。本発
明のガラス粉末は、耐水性向上のためにSiO2および
/またはAl2O 3を含有することが好ましい。さら
に、SiO2およびAl2O3の含有量の合計Al2O
3+SiO2が20モル%以上であることが好ましい。
また、本発明のガラス粉末はPbOおよびCdOのいず
れも含有しない。本発明のガラス粉末は前記本発明のガ
ラスの粉末であることが好ましい。
【0021】本発明のガラス粉末の50%粒子径D50
は5μm以下である。5μm超では焼成体が不均質にな
るおそれがある。好ましくは3μm以下である。また、
D5 0は0.5μm以上であることが好ましい。
は5μm以下である。5μm超では焼成体が不均質にな
るおそれがある。好ましくは3μm以下である。また、
D5 0は0.5μm以上であることが好ましい。
【0022】本発明のガラス粉末10mgを圧力が1×
10−6Pa以下の真空中で60℃/分の昇温速度によ
り500℃まで加熱したときに300〜500℃の温度
範囲で発生する二酸化炭素の量Wは100×10−8g
以下である。100×10− 8g超では焼成体内部に気
泡が残存ずるおそれがある、焼成体内部の気泡が多くな
るおそれがある、または、焼成時または焼成後に発生す
る二酸化炭素によってPDPまたはVFDの輝度が低下
するおそれがある。好ましくは80×10−8g以下、
より好ましくは70×10−8g以下である。なお、W
の測定は質量分析計(QMS)を用いて行う。
10−6Pa以下の真空中で60℃/分の昇温速度によ
り500℃まで加熱したときに300〜500℃の温度
範囲で発生する二酸化炭素の量Wは100×10−8g
以下である。100×10− 8g超では焼成体内部に気
泡が残存ずるおそれがある、焼成体内部の気泡が多くな
るおそれがある、または、焼成時または焼成後に発生す
る二酸化炭素によってPDPまたはVFDの輝度が低下
するおそれがある。好ましくは80×10−8g以下、
より好ましくは70×10−8g以下である。なお、W
の測定は質量分析計(QMS)を用いて行う。
【0023】本発明のガラス粉末は、たとえば、アルミ
ナ製ボールミルに本発明のガラスとともに水を入れて水
中で粉砕して製造される。水中で粉砕することにより前
記Wを小さくできる。
ナ製ボールミルに本発明のガラスとともに水を入れて水
中で粉砕して製造される。水中で粉砕することにより前
記Wを小さくできる。
【0024】
【実施例】表1のBi2O3〜CuOの欄にモル%表示
で示した組成となるように原料を調合、混合し、該混合
された原料を白金ルツボに入れて1200℃で60分間
溶融後、溶融ガラスを流し出した。なお、SiO2+A
l2O3を表中の「Si+Al」に示す。
で示した組成となるように原料を調合、混合し、該混合
された原料を白金ルツボに入れて1200℃で60分間
溶融後、溶融ガラスを流し出した。なお、SiO2+A
l2O3を表中の「Si+Al」に示す。
【0025】得られたガラスを、アルミナ製ボールミル
を用いて水中で8時間粉砕してスラリーとし、該スラリ
ーをろ過した。ろ過によって得られた固体粒を100℃
で2時間乾燥しガラス粉末を得た。例1〜5は実施例、
例6、7は比較例である。なお、例7のガラス粉末は耐
水性が低いために水に侵食された痕跡が認められ、水中
粉砕の適用が困難であることが判明した。
を用いて水中で8時間粉砕してスラリーとし、該スラリ
ーをろ過した。ろ過によって得られた固体粒を100℃
で2時間乾燥しガラス粉末を得た。例1〜5は実施例、
例6、7は比較例である。なお、例7のガラス粉末は耐
水性が低いために水に侵食された痕跡が認められ、水中
粉砕の適用が困難であることが判明した。
【0026】これらガラス粉末について、DTAを用い
てTS(単位:℃)およびTC(単位:℃)を、レーザ
ー回折式粒度分布計を用いてD50(単位:μm)を測
定した。また、例1についてはQMSを用いてW(単
位:10−8g)も測定した。結果を表に示す。
てTS(単位:℃)およびTC(単位:℃)を、レーザ
ー回折式粒度分布計を用いてD50(単位:μm)を測
定した。また、例1についてはQMSを用いてW(単
位:10−8g)も測定した。結果を表に示す。
【0027】比較のために、例1のガラス粉末と同じ組
成のガラス(以下ガラス1という。)を、アルミナ製ボ
ールミルを用いて空気中で8時間粉砕し、分級してD
50が1.6μmのガラス粉末1Aを作製した。
成のガラス(以下ガラス1という。)を、アルミナ製ボ
ールミルを用いて空気中で8時間粉砕し、分級してD
50が1.6μmのガラス粉末1Aを作製した。
【0028】また、ガラス1および「例7のガラス粉末
と同じ組成のガラス」をそれぞれ、アルミナ製ボールミ
ルを用いて空気中で2時間粉砕し、ジェットミルを用い
てさらに粉砕し、ガラス粉末1B(D50:1.1μ
m)およびガラス粉末7B(D 50:1.9μm)を作
製した。これら空気中で粉砕されたガラス粉末1A、1
B、7BのWはそれぞれ338×10−8g、381×
10−8g、117×10−8gであった。
と同じ組成のガラス」をそれぞれ、アルミナ製ボールミ
ルを用いて空気中で2時間粉砕し、ジェットミルを用い
てさらに粉砕し、ガラス粉末1B(D50:1.1μ
m)およびガラス粉末7B(D 50:1.9μm)を作
製した。これら空気中で粉砕されたガラス粉末1A、1
B、7BのWはそれぞれ338×10−8g、381×
10−8g、117×10−8gであった。
【0029】
【表1】
【0030】
【発明の効果】本発明によれば、鉛およびカドミウムの
いずれも含有せず、また、焼成時に発生する二酸化炭素
の量が少なく、PDP、VFD等の電極被覆に好適な無
鉛ガラス粉末が得られる。前記二酸化炭素の量が少ない
のでこの無鉛ガラス粉末を焼成して得られた電極被覆焼
成体の気泡は低減し、また、PDPまたはVFDの輝度
も低下しにくくなる。
いずれも含有せず、また、焼成時に発生する二酸化炭素
の量が少なく、PDP、VFD等の電極被覆に好適な無
鉛ガラス粉末が得られる。前記二酸化炭素の量が少ない
のでこの無鉛ガラス粉末を焼成して得られた電極被覆焼
成体の気泡は低減し、また、PDPまたはVFDの輝度
も低下しにくくなる。
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フロントページの続き
Fターム(参考) 4G062 AA08 AA09 BB05 DA03 DA04
DB03 DB04 DC04 DC05 DD01
DE01 DF01 EA01 EA10 EB01
EC01 ED01 EE01 EF01 EG01
FA01 FA10 FB01 FC01 FD01
FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01
FK01 FL01 FL02 FL03 GA05
GB01 GC01 GD01 GE01 HH01
HH03 HH05 HH07 HH09 HH11
HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01
JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01
KK03 KK05 KK07 KK10 LA01
LA03 LA05 LA07 LA10 MM05
MM27 NN01 NN34 PP13 PP16
Claims (7)
- 【請求項1】下記酸化物基準のモル%表示で、 Bi2O3 33〜45%、 B2O3 26〜40%、 SiO2 3〜22%、 Al2O3 3〜20%、 CeO2 0〜3%、 から本質的になり、SiO2+Al2O3が35モル%
以下である無鉛ガラス。 - 【請求項2】SiO2+Al2O3が20モル%以上で
ある請求項1に記載の無鉛ガラス。 - 【請求項3】軟化点が540℃以下である請求項1また
は2に記載の無鉛ガラス。 - 【請求項4】結晶化温度が700℃以上である請求項
1、2または3に記載の無鉛ガラス。 - 【請求項5】Bi2O3を33モル%以上含有する無鉛
ガラスの粉末であって、50%粒子径が5μm以下であ
り、かつ、10mgの該粉末を圧力が1×10−6Pa
以下の真空中で60℃/分の昇温速度により500℃ま
で加熱したときに300〜500℃の温度範囲で発生す
る二酸化炭素の量が100×10−8g以下であること
を特徴とする無鉛ガラス粉末。 - 【請求項6】無鉛ガラスが請求項1、2、3または4に
記載の無鉛ガラスであることを特徴とする請求項5に記
載の無鉛ガラス粉末。 - 【請求項7】無鉛ガラスがBi2O3を35モル%以上
含有する請求項4、5または6に記載の無鉛ガラス粉
末。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001249280A JP2003054987A (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 無鉛ガラスおよび無鉛ガラス粉末 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001249280A JP2003054987A (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 無鉛ガラスおよび無鉛ガラス粉末 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2003054987A true JP2003054987A (ja) | 2003-02-26 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2001249280A Pending JP2003054987A (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 無鉛ガラスおよび無鉛ガラス粉末 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2003054987A (ja) |
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