WO2007105468A1 - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

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WO2007105468A1
WO2007105468A1 PCT/JP2007/053474 JP2007053474W WO2007105468A1 WO 2007105468 A1 WO2007105468 A1 WO 2007105468A1 JP 2007053474 W JP2007053474 W JP 2007053474W WO 2007105468 A1 WO2007105468 A1 WO 2007105468A1
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WO
WIPO (PCT)
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electrode
dielectric
dielectric layer
layer
oxide
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/053474
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English (en)
French (fr)
Inventor
Eiichi Uriu
Hatsumi Komaki
Shingo Takagi
Akira Kawase
Tatsuo Mifune
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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Filing date
Publication date
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Priority to US11/911,175 priority patent/US7990065B2/en
Priority to CN2007800006148A priority patent/CN101326612B/zh
Priority to EP07714906A priority patent/EP1990821A4/en
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    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20Constructional details
    • H01J11/34Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/38Dielectric or insulating layers
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    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
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    • H01J2211/20Constructional details
    • H01J2211/22Electrodes
    • H01J2211/225Material of electrodes

Definitions

  • the present invention relates to a plasma display panel used for a display device or the like.
  • Plasma display panels (hereinafter also referred to as PDPs) are capable of achieving high definition and large screens, so 65-inch class televisions have been commercialized.
  • PDP has been applied to full-spec high-definition televisions that have more than twice the number of scanning lines compared to conventional NTSC display devices.
  • PDPs that do not contain lead components are required!
  • a PDP basically includes a front plate and a back plate.
  • the front plate has a glass substrate of sodium borosilicate glass by the float method. Furthermore, the front plate has a display electrode, a dielectric layer, and a protective layer formed on one main surface of the glass substrate.
  • the display electrode is composed of a striped transparent electrode and a bus electrode.
  • the dielectric layer covers the display electrode and functions as a capacitor.
  • the protective layer also has a magnesium oxide (MgO) force and is formed on the dielectric layer.
  • the bus electrode is further composed of a first electrode for reducing connection resistance and a second electrode for shielding light.
  • the back plate includes a glass substrate, an address electrode formed on one main surface of the glass substrate, a base dielectric layer, barrier ribs, and a phosphor layer.
  • the address electrode has a stripe shape.
  • the underlying dielectric layer covers the address electrodes.
  • the barrier ribs are formed on the underlying dielectric layer.
  • the phosphor layer is formed between the barrier ribs and is composed of a red phosphor layer, a green phosphor layer, and a blue phosphor layer that emit light in red, green, and blue, respectively! Speak.
  • the front plate and the back plate are disposed so that the surfaces on which the electrodes are formed face each other, and are hermetically sealed.
  • the discharge space partitioned by the barrier ribs is sealed with Ne—Xe discharge gas force of 00 Torr to 6 OOTorr!
  • the PDP is discharged when a video signal voltage is selectively applied to the display electrodes.
  • the ultraviolet rays generated by the discharge excite each color phosphor layer. Because of this, PDP Emits red, green, and blue light to display a color image.
  • Silver is used for the nose electrode in order to ensure conductivity.
  • a low melting point glass frit mainly composed of lead oxide is used as the dielectric layer.
  • PDP forces that use glass frit that does not contain a lead component as a dielectric layer in consideration of environmental issues in recent years.
  • JP 2003-128430 Patent Document 1
  • JP 2002- No. 053342 Patent Document 2
  • JP-A-9-050769 Patent Document 3
  • a glass frit used in forming a bus electrode is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-048645 (Patent Document 4) and the like, for example, a PDP force containing bismuth oxide instead of a lead component.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-128430
  • Patent Document 2 JP 2002-053342 A
  • Patent Document 3 JP-A-9-050769
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 2000-048645
  • the present invention provides a plasma display panel that suppresses a coloring phenomenon between a dielectric layer and a substrate and has high luminance.
  • the plasma display panel of the present invention has a front plate and a back plate on which address electrodes are formed.
  • the front plate includes a display electrode having a first electrode and a second electrode formed on the front glass substrate, and a dielectric layer covering the display electrode.
  • the first electrode and the second electrode contain at least one of molybdenum oxide, magnesium oxide, and cerium oxide and glass frit having a softening point temperature exceeding 550 ° C. and bismuth oxide.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the structure of a plasma display panel according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 shows the configuration of the front plate used in the plasma display panel shown in Fig. 1.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing the plasma display panel shown in FIG. 1.
  • FIG. 4 is a flow chart showing a part of the manufacturing method of the plasma display panel shown in FIG.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the structure of a plasma display panel according to an embodiment of the present invention.
  • the basic structure of the plasma display panel is a general AC surface discharge type PDP.
  • the plasma display panel 1 (hereinafter referred to as PDP1) is arranged such that the front plate 2 and the back plate 10 face each other, and the outer periphery of the front plate 2 and the outer periphery of the back plate 10 are arranged. It is hermetically sealed with a sealing material (not shown) such as a glass frit.
  • a discharge space 16 is formed inside PDP1.
  • the discharge space 16 is filled with a discharge gas force of 400 Torr to 600 Torr such as neon (Ne) or xenon (Xe)!
  • the front plate 2 includes a front glass substrate 3, a display electrode 6 formed on the front glass substrate 3, a black stripe 7 that is a light shielding layer, a dielectric layer 8, and a protective layer 9.
  • the display electrode 6 has a strip shape in which the scan electrode 4 and the sustain electrode 5 arranged in parallel with each other are paired. Further, the display electrodes 6 and the black stripes 7 are arranged in a plurality of rows in parallel with each other.
  • the dielectric layer 8 is formed so as to cover the display electrode 6 and the black stripe 7 and has a function as a capacitor.
  • the protective layer 9 is formed on the surface of the dielectric layer 8 using a material such as magnesium oxide (MgO).
  • the back plate 10 includes a back glass substrate 11, an address electrode 12, a base dielectric layer 13, barrier ribs 14, and a phosphor layer 15 formed on the back glass substrate 11, respectively.
  • the plurality of strip-like address electrodes 12 are formed in a direction perpendicular to the scan electrodes 4 and the sustain electrodes 5 and are arranged in parallel to each other.
  • the underlying dielectric layer 13 covers the address electrodes 12.
  • the partition wall 14 has a predetermined height, and is formed on the base dielectric layer 13 between the address electrodes 12 to partition the discharge space 16.
  • the phosphor layer 15 is formed in a groove between the barrier ribs 14 corresponding to each address electrode 12.
  • the phosphor layer 15 is formed by sequentially applying phosphor layers 15 of respective colors that emit red, blue, and green light by ultraviolet rays. Also, release to the position where scan electrode 4, sustain electrode 5 and address electrode 12 intersect. An electric cell is formed and a discharge cell force color display pixel having red, blue, and green phosphor layers 15 arranged in the direction of the display electrode 6 becomes a pixel.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of front plate 2 used in PDP 1 shown in FIG. FIG. 2 shows FIG. 1 upside down.
  • display electrodes 6 and black stripes 7 are patterned on a front glass substrate 3 manufactured by a float process or the like.
  • Scan electrode 4 and sustain electrode 5 are configured by transparent electrodes 4a and 5a and bus electrodes 4b and 5b formed on transparent electrodes 4a and 5a, respectively.
  • the transparent electrodes 4a and 5a are made of a material such as oxide indium (ITO) or tin oxide (SnO). Ba
  • the electrode electrodes 4b and 5b are formed for the purpose of imparting conductivity in the longitudinal direction of the transparent electrodes 4a and 5a, respectively, and the white first electrodes 42b and 52b for the purpose of reducing the electric resistance value, respectively. And black second electrodes 41b and 51b for the purpose of light.
  • the dielectric layer 8 is provided so as to cover the transparent electrodes 4 a and 5 a, the nose electrodes 4 b and 5 b, and the black stripe 7. Further, the dielectric layer 8 has at least a two-layer configuration of a first dielectric layer 81 and a second dielectric layer 82 formed on the first dielectric layer 81. Further, the protective layer 9 is formed on the second dielectric layer 82.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing the plasma display panel shown in FIG.
  • FIG. 4 is a flowchart showing details of the bus electrode formation step in the method of manufacturing the plasma display panel shown in FIG.
  • the front plate 2 is manufactured as follows. First, scan electrode 4, sustain electrode 5, and black stripe 7 are formed on front glass substrate 3.
  • the transparent electrodes 4a and 5a and the bus electrodes 4b and 5b are formed by patterning using a photolithography method or the like.
  • ITO indium oxide
  • SnO tin oxide
  • a transparent conductive thin film such as 2 is formed using a thin film process or the like.
  • the transparent conductive thin film formed on the front glass substrate 3 is patterned using a photolithographic method or the like, so that the transparent electrodes 4a and 5a constituting a part of the scan electrode 4 and the sustain electrode 5 are formed. Is formed (transparent electrode forming step of S01).
  • the paste layer that becomes the black stripe 7 and the paste layer and the force that become the bus electrodes 4b and 5b are respectively formed by screen printing or the like, and are patterned and formed by photolithography or the like.
  • the paste layer that becomes the bus electrodes 4b and 5b is formed on the transparent electrodes 4a and 5a.
  • the paste layer that becomes the bus electrodes 4b and 5b includes a second electrode paste layer containing a silver material and a second electrode paste layer containing conductive black particles.
  • the paste layer which becomes the black stripe 7 is also a paste material containing a black pigment.
  • the paste layer that becomes the black stripe 7 and the paste layer that becomes the bus electrodes 4b and 5b are fired and solidified at a desired temperature (the step of forming a nose electrode in S02).
  • the transparent electrode forming step (S01) and the bus electrode forming step (S02) the scan electrode 4, the sustain electrode 5, and the black stripe 7 are formed.
  • the first dielectric paste is applied by a dip coating method or the like so as to cover scan electrode 4, sustain electrode 5, and black stripe 7.
  • a first dielectric paste layer to be the first dielectric layer 81 is formed (first dielectric paste layer forming step in S03).
  • the first dielectric paste is allowed to stand for a predetermined time, so that the surface force of the applied first dielectric paste layer is leveled to obtain a flat surface.
  • the first dielectric paste is a paint containing powdered first dielectric glass frit, a binder, and a solvent.
  • the first dielectric paste layer is fired and solidified to form the first dielectric layer 81 (first dielectric paste layer firing step of S04).
  • the second dielectric paste is applied by a die coating method or the like so as to cover the first dielectric paste layer.
  • a second dielectric paste layer to be the second dielectric layer 82 is formed (second dielectric paste layer forming step in S05).
  • the surface of the applied second dielectric paste layer is leveled and flattened by being left for a predetermined time.
  • the second dielectric paste is a paint containing powdered second dielectric glass frit, a binder, and a solvent.
  • the second dielectric paste layer is fired and solidified to form the second dielectric layer 82 (second dielectric paste layer firing step of S06).
  • a protective layer 9 having a magnesium oxide strength is formed on the dielectric layer 8 by a vacuum deposition method (protective layer forming step of S07).
  • predetermined constituent members are formed on the front glass substrate 3, and the front plate 2 is manufactured.
  • the back plate 10 is manufactured as follows. First, the address electrode 12 is formed on the rear glass substrate 11 (address electrode forming step of S11). Note that a material layer to be the address electrode 12 is formed on the rear glass substrate 11, and the formed material layer is baked at a predetermined temperature, whereby the address electrode 12 is formed.
  • the material layer that becomes the address electrode 12 is patterned by a method in which a paste containing a silver material is screen-printed, or after a metal film is formed on the entire surface of the rear glass substrate 11 and then by photolithography. It is formed by the method etc. which are carried out.
  • a base dielectric paste is applied by a die coating method or the like so as to cover the address electrodes 12 to form a base dielectric paste layer that becomes the base dielectric layer 13 (S 12 Underlying dielectric paste layer forming step).
  • the base dielectric paste is allowed to stand for a predetermined time, so that the surface force of the applied base dielectric paste is leveled to obtain a flat surface.
  • the base dielectric paste is a paint containing a powder base dielectric glass frit, a binder, and a solvent.
  • the base dielectric paste layer 13 is formed by firing the base dielectric paste layer (base dielectric paste layer firing step of S 13).
  • a partition wall forming paste including a partition wall material is applied onto the underlying dielectric layer 13 and patterned into a predetermined shape, thereby forming a partition wall material layer. Thereafter, the partition wall material layer is fired to form the partition wall 14 (the partition wall forming step of S14).
  • a photolithography method or a sand blast method is used as a method for patterning the partition wall forming paste applied on the underlying dielectric layer 13.
  • a phosphor material is formed on the base dielectric layer 13 between the adjacent barrier ribs 14 and on the side surfaces of the barrier ribs 14.
  • a phosphor paste containing a material is applied.
  • the phosphor layer 15 is formed by firing the phosphor paste (the phosphor layer forming step of S15).
  • the back plate 10 in which predetermined constituent members are formed on the back glass substrate 11 is manufactured.
  • the front plate 2 and the back plate 10 manufactured as described above are arranged so as to face each other so that the display electrode 6 and the address electrode 12 are orthogonal to each other.
  • the periphery of the back plate 10 is sealed with a sealing material (sealing step in S21).
  • a discharge space 16 partitioned by the barrier ribs 14 is formed in the space between the front plate 2 and the back plate 10 facing each other.
  • the discharge space 16 is filled with a discharge gas containing a vaporized gas such as neon or xenon, thereby producing PDP1 (gas filling step of S22).
  • a discharge gas containing a vaporized gas such as neon or xenon
  • the display electrode 6 is formed by sequentially laminating the transparent electrodes 4a, 5a, the second electrodes 41b, 51b, the first electrodes 42b, 52b, and the front glass substrate 3. First, it is formed on the entire surface of the front glass substrate 3 by an oxide / indium force sputtering method having a thickness of about 0. After that, striped transparent electrodes 4a and 5a having a width of 150 m are formed by a photolithography method. (Transparent electrode forming step of S01).
  • the second electrode paste that becomes the second electrodes 41b and 51b is applied to the entire surface of the front glass substrate 3 by a printing method or the like to form a second electrode paste layer (second S021). Electrode base layer formation step). The second electrode paste layer is patterned and fired to form second electrodes 41b, 5 lb and black stripes 7.
  • the second electrode paste is 70% by weight to 90% by weight of the conductive black particles, and a second glass frit of 1 wt% to 15 wt 0/0, 8 wt% to 15 wt 0/0
  • a photosensitive organic noda component is at least one kind of black metal fine particles selected from the group of Fe, Co, Ni, Mn, Ru, and Rh, or metal oxide fine particles containing these black metals.
  • the photosensitive organic binder component includes a photosensitive polymer, a photosensitive monomer, a photopolymerization initiator, a solvent, and the like.
  • the second glass frit is at least 20% to 50% by weight acid bismuth. (Bi O) is included. Furthermore, the second glass frit is at least molybdenum oxide (MoO).
  • magnesium oxide MgO
  • cerium oxide CeO
  • the second glass frit has a soft spot temperature exceeding 550 ° C.
  • the paste layer that becomes the black stripe 7 is made of a different material from the second electrode base layer that becomes the second electrodes 41b and 51b, and may be formed by a different method.
  • the second electrode paste layer is used as a paste layer that becomes the black stripe 7, the step of providing the black stripe 7 alone becomes unnecessary, and the production efficiency is improved.
  • the first electrode paste is applied onto the second electrode paste layer by a printing method or the like to form the first electrode paste layer (first electrode paste layer forming step of S022).
  • the first electrode paste comprises at least 70 wt% to 90 wt% silver particles, 1 wt% to 15 wt% glass frit, and 8 wt% to 15 wt% photosensitive organic binder component.
  • the photosensitive organic binder component includes a photosensitive polymer, a photosensitive monomer, a photopolymerization initiator, a solvent, and the like.
  • the first glass frit contains at least 20% to 50% by weight of acid bismuth (Bi 2 O 3). Sarakuko, the first glass frit is at least molybdenum oxide (Mo
  • magnesium oxide MgO
  • cerium oxide CeO
  • the first glass frit has a softening point temperature exceeding 550 ° C.
  • the second electrode paste layer and the first electrode paste layer applied to the entire surface of the front glass substrate 3 are patterned using a photolithography method or the like (pattern of S023). Ning step).
  • the second electrode paste layer and the first electrode paste layer are baked at a temperature of 550 ° C to 600 ° C, whereby the second electrode 41b having a line width of about 60 / zm, 51b, first electrode 42b, 52b and force are formed on transparent electrodes 4a and 5a (electrode layer firing step of S024).
  • the black stripe 7 is also fired and formed.
  • the first glass frit used for the first electrodes 42b and 52b and the second glass frit used for the second electrodes 41b and 51b are bismuth oxide (BiO).
  • the content of 20 is heavy
  • the first glass frit and the second glass frit include 15% to 35% by weight boron oxide (BO) and 2% to 15% by weight acid.
  • the first glass frit and the second glass frit are at least one of acid molybdenum (MoO), magnesium oxide (MgO), and cerium oxide (CeO).
  • the first glass frit and the second glass frit may be glass frit having exactly the same composition, or may have material compositions in which the contents of the respective containing materials are different.
  • a glass frit having a low softening point temperature of 450 ° C to 550 ° C is used, and a firing temperature is 550 ° C to 600 ° C. That is, the firing temperature is nearly 100 ° C higher than the softening point temperature of the glass frit. For this reason, the highly reactive acid bismuth contained in the glass frit itself reacts violently with silver, black metal fine particles, or organic binder components contained in the paste, and the bus electrodes 4b and 5b In addition, bubbles may be generated in the dielectric layer 8 and the dielectric strength performance of the dielectric layer 8 may deteriorate.
  • the soft spot temperature of the first glass frit and the second glass frit exceeds 550 ° C, and the firing temperature is 550 ° C to 600 ° C. That is, the soft spot temperature of the first glass frit and the second glass frit is close to the firing temperature. This reduces the reactivity of silver, black metal fine particles or organic components with bismuth oxide. For this reason, the generation of bubbles between the bus electrodes 4b and 5b and the dielectric layer 8 is reduced.
  • the softening point temperature of the glass frit is 600 ° C.
  • the soft spot temperature of the first glass frit and the second glass frit is preferably more than 550 ° C. and less than 600 ° C.
  • a first dielectric paste is applied to the front glass substrate 3 by a die coating method or a screen printing method so as to cover the second electrode paste layer and the first electrode paste layer.
  • the first dielectric paste is applied and then dried and baked to form a first dielectric paste layer (first dielectric paste layer forming step of S03).
  • the first dielectric glass material included in the first dielectric layer 81 is composed of the following material composition.
  • the That is, the first dielectric glass material is 25% to 40% by weight of bismuth oxide (Bi).
  • the first dielectric glass material is selected from any one of molybdenum oxide (MoO) and tungsten oxide (WO).
  • Molybdenum oxide (MoO) Contains 0.1% to 7% by weight of at least one material. Molybdenum oxide (MoO),
  • the first dielectric glass material force that also has these compositional component forces A wet jet mill or a ball mill is used and pulverized so that the average particle size becomes 0.5 / ⁇ ⁇ to 2.5 m.
  • a glass frit is produced.
  • 55 wt% to 70 wt% of the first dielectric glass frit and 30 wt% to 45 wt% of the binder component are kneaded using three rolls, and the first for die coating or printing.
  • a dielectric paste is produced.
  • the binder component contained in the first dielectric paste is terbinol or butyl carbitol acetate, and contains 1% to 20% by weight of ethyl cellulose or acrylic resin.
  • a plasticizer, a dispersant, or the like may be added to the first dielectric paste as necessary to improve printability.
  • the plasticizer to be added include dioctyl phthalate, dibutyl phthalate, triphenyl phosphate, and tributyl phosphate.
  • the added dispersant is, for example, glycerol monooleate, sorbitan sesquioleate, homogenol (registered trademark of Kao Corporation), alkylaryl phosphate, etc.
  • a second dielectric paste is applied on the first dielectric paste layer by a screen printing method or a die coating method.
  • the second dielectric paste is applied and then dried to form a second dielectric paste layer (second dielectric paste layer forming step of S05)
  • the second dielectric glass material contained in the second dielectric layer 82 is composed of the following material composition. That is, the second dielectric glass material contains 11% to 20% by weight of bismuth oxide (1 O
  • the second dielectric glass material comprises 0.1 wt% to 5 wt 0/0 Sani ⁇ cerium (CeO).
  • Second dielectric glass material force composed of these composition components Wet mill using a wet jet mill or a ball mill so that the average particle size is 0.5 / ⁇ ⁇ to 2.5 m, A second dielectric glass frit is produced. Next, the kneaded using a 55 wt% to 70 wt 0/0 second dielectric Garasufuritsu preparative and 30 wt% to 45 wt% of binder component and has three rolls, Daigo over preparative, or printing for A second dielectric paste is produced.
  • the binder component contained in the second dielectric paste is terbinol or butyl carbitol acetate, and contains 1% to 20% by weight of ethyl cellulose or acrylic resin.
  • a plasticizer or a dispersant may be added to the second dielectric paste as necessary to improve the printability.
  • the plasticizer to be added include dioctyl phthalate, dibutyl phthalate, triphenyl phosphate, and tributyl phosphate.
  • the dispersant to be added include glycerol monooleate, sorbitan sesquioleate, homogenol (registered trademark of Kao Corporation), and alkylaryl phosphates.
  • the second dielectric layer paste layer is fired at a temperature of 550 ° C to 590 ° C, which is slightly higher than the softening point temperature of the second dielectric glass frit (second dielectric of S06). Paste layer firing Step). Accordingly, a second dielectric layer 82 covering the first dielectric layer 81 is formed, and the dielectric layer 8 is formed by the first dielectric layer 81 and the second dielectric layer 82.
  • the film thickness of the dielectric layer 8 is 41 ⁇ m so that the first dielectric layer 81 and the second dielectric layer 82 are combined and the visible light transmittance is secured.
  • the first dielectric layer 81 has a content power of bismuth oxide greater than the content of bismuth oxide contained in the second dielectric layer 82 in order to suppress the reaction with silver contained in the bus electrodes 4b and 5b. 25% to 40% by weight. For this reason, the visible light transmittance of the first dielectric layer 81 is lower than the visible light transmittance of the second dielectric layer 82. Therefore, the film thickness of the first dielectric layer 81 is smaller than the film thickness of the second dielectric layer 82. As a result, the transmittance of visible light transmitted through the dielectric layer 8 is ensured.
  • the content of bismuth oxide contained in the second dielectric paste is preferably 11% to 20% by weight! /.
  • the film thickness of the dielectric layer 8 is as thin as possible within the range where the withstand voltage does not decrease. From such a viewpoint, in the embodiment of the present invention, the thickness of the dielectric layer 8 is set to 41 m or less, the thickness of the first dielectric layer 81 is set to 5 m to 15 m, and the second dielectric The thickness of the body layer 82 is set to 20 ⁇ m to 36 ⁇ m, respectively.
  • PDP1 has little coloring phenomenon such as yellowing of front glass substrate 3 even when a silver material is used for display electrode 6.
  • the dielectric layer 8 having excellent dielectric strength performance free from the generation of bubbles in the dielectric layer 8 is realized.
  • the number of scanning lines increases as the PDP becomes HDTV. To do. That is, the number of display electrodes is increased and the display electrode interval is further reduced. For this reason, the diffusion of silver ions from the silver electrode constituting the display electrode to the dielectric layer or the glass substrate increases.
  • silver ions (Ag +) diffuse into the dielectric layer or glass substrate, silver ions (Ag +) are reduced by alkali metal ions in the dielectric layer or divalent tin ions contained in the glass substrate. Receive. As a result, a silver colloid is generated, and the dielectric layer or glass substrate is colored yellow or brown.
  • the PDP 1 of the present invention includes at least one material selected from the group consisting of acid molybdenum, acid magnesium, and acid cerium on the first glass frit and the second glass frit. Added. By reacting these materials with silver ions (Ag +), Ag MoO, Ag Mo
  • Compounds containing silver such as O, Ag Mo O, AgMgO, Ag CeO are less than 580 ° C.
  • the firing temperature of the dielectric layer 8 is 550 ° C. to 590 ° C.
  • silver ions (Ag +) diffusing into the dielectric layer 8 are contained in the first electrodes 42b and 52b and the second electrodes 41b and 51b. It reacts with molybdenum oxymolybdenum, magnesium oxide, or cerium oxide to produce a stable compound, and silver ions (Ag +) are stabilized. That is, silver ions (Ag +) are stabilized without being reduced. For this reason, silver ions (Ag +) do not aggregate to form a colloid.
  • stabilizing silver ions (Ag +) the generation of oxygen associated with silver colloids is reduced. As a result, the generation of bubbles in the dielectric layer 8 is reduced.
  • the dielectric layer 8 used in the PDP 1 of the present invention coloring phenomenon and bubble generation are suppressed in the first dielectric layer 81 in contact with the first electrodes 42b and 52b containing a silver material. Furthermore, high visible light transmittance is achieved by the second dielectric layer 82 provided on the first dielectric layer 81. Furthermore, the first glass frit used for the first electrodes 42b and 52b and the second glass frit used for the second electrodes 41b and 51b are at least 20 wt% to 50 wt% bismuth oxide (Bi 2 O 3). Including. Further, the first glass frit and the second glass frit are at least oxidized
  • the dielectric layer 8 in which the coloring phenomenon is small can realize a PDP1 having a high transmittance in which the generation of bubbles and the coloring phenomenon are extremely small.
  • the address electrode 12 when the address electrode 12 is formed on the rear glass substrate 11, the address electrode 12 contains at least silver and the third glass frit in the PDP 1 of the present invention. Further, the third glass frit contains at least bismuth oxide (Bi 2 O 3). At the same time, the third glass frit is 550.
  • the base dielectric paste to be the base dielectric layer 13 preferably has the same material composition as the first dielectric paste. That is, the base dielectric glass frit contained in the base dielectric paste has the same material composition as the first dielectric glass frit. This further suppresses the generation of bubbles as large as the address electrode 12 as in the relationship between the bus electrodes 4b and 5b and the dielectric layer 8 described above. For this reason, the PDP 1 is realized in which the generation of bubbles and the occurrence of coloring phenomenon are extremely small as the entire underlying dielectric layer 13 with little coloring phenomenon such as yellowing of the second substrate 11. As a result, the dielectric strength performance of the base dielectric layer 13 is improved, and the reliability of the back plate 10 is improved.
  • the PDP 1 of the present invention has the front plate 2 with high visible light transmittance and high withstand voltage performance, and further has the back plate 10 with high withstand voltage performance. Therefore, an environmentally friendly PDP1 that does not contain lead components with high reliability is realized.
  • the plasma display panel of the present invention suppresses the dielectric layer coloring phenomenon and the deterioration of the insulation withstand voltage performance, and realizes a plasma display panel that is environmentally friendly and excellent in display quality. Useful for screen display devices.

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Abstract

 プラズマディスプレイパネルは、前面板(2)とアドレス電極が形成された背面板とを有する。前面板(2)は、前面ガラス基板(3)上に形成された第1電極(42b、52b)と第2電極(41b、51b)とを有する表示電極(6)と、表示電極(6)を覆う誘電体層(8)と、を有する。さらに、第1電極(42b、52b)と第2電極(41b、51b)とは、少なくとも、酸化モリブデンと酸化マグネシウムと酸化セリウムとのうちの一つと酸化ビスマスとを含み、550°Cを超える軟化点温度を有するガラスフリットを含有する。以上の構成によって、誘電体層(8)と前面ガラス基板(3)との着色現象を抑制し、高い輝度を有するプラズマディスプレイパネルが実現される。

Description

明 細 書
プラズマディスプレイパネノレ
技術分野
[0001] 本発明は、表示デバイスなどに用いられるプラズマディスプレイパネルに関する。
背景技術
[0002] プラズマディスプレイパネル(以下、 PDPとも呼ぶ)は、高精細化、大画面化の実現 が可能であることから、 65インチクラスのテレビなどが製品化されている。近年、 PDP は従来の NTSC方式の表示デバイスに比べて、走査線数が 2倍以上のフルスペック のハイビジョンへの適用が進んでいる。これとともに、環境問題に配慮して、鉛成分を 含まな 、PDPが要求されて!、る。
[0003] PDPは、基本的には、前面板と背面板とによって構成されている。前面板は、フロ ート法による硼硅酸ナトリウム系ガラスのガラス基板を有している。さらに、前面板は、 ガラス基板の一方の主面上に形成された表示電極と誘電体層と保護層とを有する。 表示電極は、ストライプ状の透明電極とバス電極とによって構成されている。誘電体 層は、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きを有する。保護層は、酸化マグネシ ゥム(MgO)力もなり、誘電体層上に形成されている。バス電極は、さらに、接続抵抗 の低減を目的とする第 1電極と遮光を目的とする第 2電極とによって構成されて ヽる。
[0004] 背面板は、ガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成されたアドレス電極と 下地誘電体層と隔壁と蛍光体層とを有する。アドレス電極は、ストライプ状の形状を 有する。下地誘電体層はアドレス電極を覆う。隔壁は下地誘電体層上に形成されて いる。蛍光体層は、各隔壁間に形成され、赤色と緑色と青色とにそれぞれ発光する 赤色蛍光体層と緑色蛍光体層と青色蛍光体層とによって構成されて!ヽる。
[0005] 前面板と背面板とは、電極が形成された面側が対向して配置され、気密封着される 。さらに、隔壁によって仕切られた放電空間に、 Ne— Xeの放電ガス力 00Torr〜6 OOTorrの圧力で封入されて!、る。
[0006] PDPは、表示電極に映像信号電圧が選択的に印加されることによって放電する。
放電によって発生した紫外線が、各色蛍光体層を励起する。このこと〖こよって、 PDP は、赤色、緑色、青色の光を発して、カラー画像の表示を行う。
[0007] ノ ス電極には、導電性を確保するために銀が用いられている。また、誘電体層とし ては、従来、酸ィ匕鉛を主成分とする低融点ガラスフリットが用いられている。しかしな がら、近年の環境問題への配慮から、誘電体層として鉛成分を含まないガラスフリット が用いられている PDP力 たとえば、特開 2003— 128430号公報 (特許文献 1)、特 開 2002— 053342号公報 (特許文献 2)、特開平 9— 050769号公報 (特許文献 3) などに開示されている。
[0008] また、バス電極を形成する際に用いられるガラスフリットについて、鉛成分の代わり に酸化ビスマスが含有されている PDP力 たとえば、特開 2000— 048645号公報( 特許文献 4)などに開示されて 、る。
特許文献 1 :特開 2003— 128430号公報
特許文献 2 :特開 2002— 053342号公報
特許文献 3 :特開平 9— 050769号公報
特許文献 4:特開 2000— 048645号公報
発明の開示
[0009] 本発明は、誘電体層と基板との着色現象を抑制し、高い輝度を有するプラズマディ スプレイパネルを提供する。
[0010] 本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面板とアドレス電極が形成された背面 板とを有する。前面板は、前面ガラス基板上に形成された第 1電極と第 2電極とを有 する表示電極と、表示電極を覆う誘電体層と、を有する。さらに、第 1電極と第 2電極 とは、少なくとも、酸化モリブデンと酸化マグネシウムと酸化セリウムとのうちの一つと 酸化ビスマスとを含み、 550°Cを超える軟化点温度を有するガラスフリットを含有する 。以上の構成によって、誘電体層と基板との着色現象を抑制し、高い輝度を有する プラズマディスプレイパネルが実現される。
図面の簡単な説明
[0011] [図 1]図 1は本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの構造を示す 斜視図である。
[図 2]図 2は図 1に示すプラズマディスプレイパネルに用いられる前面板の構成を示 す断面図である。
[図 3]図 3は図 1に示すプラズマディスプレイパネルの製造方法を示すフローチャート である。
[図 4]図 4は図 1に示すプラズマディスプレイパネルの製造方法の一部を示すフロー チャートである。
符号の説明
1 プラズマディスプレイパネ/レ
2 言 ffl板
3 前面ガラス基板
4 走査電極
4a, 5a 透明電極
4b, 5b ノ ス電極
5 維持電極
6 表示電極
7 ブラックストライプ
8 誘電体層
9 保護層
10 背面板
11 背面ガラス基板
12 アドレス電極
13 下地誘電体層
14 隔壁
15 蛍光体層
16 放電空間
1b, 51b 第 2電極
2b, 52b 第 1電極
1 第 1誘電体層
2 第 2誘電体層 発明を実施するための最良の形態
[0013] 以下、本発明の実施の形態によるプラズマディスプレイパネルについて図面を用い て説明する。
[0014] (実施の形態)
図 1は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの構造を示す斜 視図である。プラズマディスプレイパネルの基本構造は、一般的な交流面放電型 PD Pが用いられている。図 1に示すように、プラズマディスプレイパネル 1 (以下、 PDP1 と呼ぶ)は、前面板 2と背面板 10とが対向して配置され、前面板 2の外周部と背面板 10の外周部とがガラスフリットなどカゝらなる封着材(図示せず)によって気密封着され ている。このことによって、 PDP1の内部に放電空間 16が形成される。さらに、放電空 間 16には、ネオン(Ne)またはキセノン (Xe)などの放電ガス力 400Torr〜600Tor rの圧力で封入されて!ヽる。
[0015] 前面板 2は、前面ガラス基板 3と前面ガラス基板 3上にそれぞれ形成されている表 示電極 6と遮光層であるブラックストライプ 7と誘電体層 8と保護層 9とを有する。表示 電極 6は、互いに平行に配置されている走査電極 4と維持電極 5とが一対となった帯 状の形状を有している。さらに、表示電極 6とブラックストライプ 7とが互いに平行に、 それぞれ複数列配置されている。誘電体層 8は、表示電極 6とブラックストライプ 7とを 覆うように形成され、コンデンサとしての働きを有する。保護層 9は、酸化マグネシウム (MgO)などの材料が用 、られ、誘電体層 8の表面に形成されている。
[0016] 背面板 10は、背面ガラス基板 11と背面ガラス基板 11上にそれぞれ形成されている アドレス電極 12と下地誘電体層 13と隔壁 14と蛍光体層 15とを有する。複数の帯状 のアドレス電極 12は、走査電極 4、維持電極 5と直交する方向に形成され、それぞれ に平行に配置されている。下地誘電体層 13は、アドレス電極 12を被覆している。隔 壁 14は所定の高さを有し、アドレス電極 12間の下地誘電体層 13上に、放電空間 16 を区切るために形成されている。蛍光体層 15は、各アドレス電極 12に対応する隔壁 14間の溝に、それぞれ形成されている。なお、蛍光体層 15は、紫外線によって赤色 と青色と緑色とに、それぞれ発光する各色の蛍光体層 15が、順次、塗布されて形成 されている。また、走査電極 4と維持電極 5とアドレス電極 12とが交差する位置に放 電セルが形成され、表示電極 6方向に並んだ赤色、青色、緑色の蛍光体層 15を有 する放電セル力 カラー表示のための画素になる。
[0017] 図 2は、図 1に示す PDP1に用いられる前面板 2の構成を示す断面図である。なお 、図 2は、図 1を上下反転させて示している。図 2に示すように、フロート法などにより 製造された前面ガラス基板 3に、表示電極 6とブラックストライプ 7とがパターン形成さ れている。
[0018] 走査電極 4と維持電極 5とは、それぞれ、透明電極 4a、 5aと、透明電極 4a、 5a上に 形成されたバス電極 4b、 5bとによって構成されている。なお、透明電極 4a、 5aは、酸 ィ匕インジウム (ITO)、または酸化スズ(SnO )などの材料によって形成されている。バ
2
ス電極 4b、 5bは透明電極 4a、 5aの長手方向に導電性を付与する目的で形成され、 それぞれ、電気抵抗値の低減を目的とする白色の第 1電極 42b、 52bと、外光の遮 光を目的とする黒色の第 2電極 41b、 51bと、によって構成されている。
[0019] 誘電体層 8は、透明電極 4a、 5aとノ ス電極 4b、 5bとブラックストライプ 7とを覆って 設けられている。さらに、誘電体層 8は、第 1誘電体層 81と、第 1誘電体層 81上に形 成された第 2誘電体層 82との少なくとも 2層構成を有している。さらに、第 2誘電体層 82上に保護層 9が形成されている。
[0020] 次に、 PDP1の製造方法について、図 3と図 4とを用いて説明する。
[0021] 図 3は図 1に示すプラズマディスプレイパネルの製造方法を示すフローチャートであ る。図 4は図 1に示すプラズマディスプレイパネルの製造方法のバス電極形成ステツ プの詳細を示すフローチャートである。
[0022] 前面板 2は、次のようにして作製される。まず、前面ガラス基板 3上に、走査電極 4と 維持電極 5とブラックストライプ 7とが形成される。透明電極 4a、 5aとバス電極 4b、 5b とはフォトリソグラフィ法などを用いてパターユングされて形成される。
[0023] すなわち、前面ガラス基板 3上に、酸化インジウム (ITO)、または酸化スズ (SnO )
2 などの透明導電性薄膜が、薄膜プロセスなどを用いて形成される。前面ガラス基板 3 上に形成された透明導電性薄膜が、フォトリソグラフィ法などを用いてパターユングさ れること〖こよって、走査電極 4と維持電極 5との一部を構成する透明電極 4a、 5aが形 成される(S01の透明電極形成ステップ)。 [0024] 次に、ブラックストライプ 7になるペースト層とバス電極 4b、 5bになるペースト層と力 それぞれ、スクリーン印刷などによって成膜され、フォトリソグラフィ法などによってバタ 一ユングされ、形成される。なお、バス電極 4b、 5bになるペースト層は、透明電極 4a 、 5aの上に形成される。また、バス電極 4b、 5bになるペースト層は、銀材料を含む第 ェ電極ペースト層と、導電性黒色粒子を含む第 2電極ペースト層と、を含む。同様に、 ブラックストライプ 7になるペースト層も、黒色顔料を含むペースト材料カゝらなる。さら に、ブラックストライプ 7になるペースト層とバス電極 4b、 5bになるペースト層と力 所 望の温度で焼成されて固化される(S02のノス電極形成ステップ)。透明電極形成ス テツプ(S01)とバス電極形成ステップ(S02)とを経ることによって、走査電極 4と維持 電極 5とブラックストライプ 7とが形成される。
[0025] 次に、走査電極 4と維持電極 5とブラックストライプ 7とをそれぞれ覆うようにして、ダ ィコート法などによって、第 1誘電体ペーストが塗布される。このことによって、第 1誘 電体層 81になる第 1誘電体ペースト層が形成される(S03の第 1誘電体ペースト層形 成ステップ)。さらに、第 1誘電体ペーストが塗布された後、所定の時間放置されること によって、塗布された第 1誘電体ペースト層の表面力 レべリングされて平坦な表面 になる。なお、第 1誘電体ペーストは、粉末の第 1誘電体ガラスフリットとバインダと溶 剤とを含む塗料である。
[0026] 次に、第 1誘電体ペースト層が焼成固化されることによって、第 1誘電体層 81が形 成される(S04の第 1誘電体ペースト層焼成ステップ)。
[0027] 次に、第 1誘電体ペースト層を覆うようにして、ダイコート法などによって、第 2誘電 体ペーストが塗布される。このことによって、第 2誘電体層 82になる第 2誘電体ペース ト層が形成される(S05の第 2誘電体ペースト層形成ステップ)。さらに、第 2誘電体べ 一ストが塗布された後、所定の時間放置されることによって、塗布された第 2誘電体 ペースト層の表面が、レべリングされて平坦な表面になる。なお、第 2誘電体ペースト は、粉末の第 2誘電体ガラスフリットとバインダと溶剤とを含む塗料である。
[0028] 次に、第 2誘電体ペースト層が焼成固化されることによって、第 2誘電体層 82が形 成される(S06の第 2誘電体ペースト層焼成ステップ)。以上のように、第 1誘電体べ 一スト層形成ステップ (S03)と第 1誘電体ペースト層焼成ステップ (S04)と第 2誘電 体ペースト層形成ステップ (S05)と第 2誘電体ペースト層焼成ステップ (S06)とを経 ることによって、走査電極 4と維持電極 5とブラックストライプ 7とを覆う誘電体層 8が形 成される。
[0029] 次に、誘電体層 8上に、酸ィ匕マグネシウム力もなる保護層 9が、真空蒸着法によって 形成される(S07の保護層形成ステップ)。
[0030] 以上の各ステップを経ることによって、前面ガラス基板 3上に所定の構成部材が形 成され、前面板 2が作製される。
[0031] 一方、背面板 10は、次のようにして作製される。まず、背面ガラス基板 11上に、アド レス電極 12が形成される(S11のアドレス電極形成ステップ)。なお、アドレス電極 12 になる材料層が背面ガラス基板 11上に形成され、形成された材料層が所定の温度 で焼成されることによって、アドレス電極 12が形成される。また、アドレス電極 12にな る材料層は、銀材料を含むペーストがスクリーン印刷される方法、または、金属膜が 背面ガラス基板 11上の全面に形成された後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニン グされる方法などによって、形成される。
[0032] 次に、アドレス電極 12を覆うようにして、ダイコート法などによって、下地誘電体べ一 ストが塗布され、下地誘電体層 13になる下地誘電体ペースト層が形成される(S 12の 下地誘電体ペースト層形成ステップ)。なお、下地誘電体ペーストが塗布された後、 所定の時間放置されることによって、塗布された下地誘電体ペーストの表面力 レべ リングされて平坦な表面になる。また、下地誘電体ペーストは、粉末の下地誘電体ガ ラスフリットとバインダと溶剤とを含んだ塗料である。
[0033] 次に、下地誘電体ペースト層が焼成されることによって、下地誘電体層 13が形成さ れる(S 13の下地誘電体ペースト層焼成ステップ)。
[0034] 次に、下地誘電体層 13上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストが塗布され、所 定の形状にパターユングされることによって、隔壁材料層が形成される。その後、隔 壁材料層が焼成されることによって、隔壁 14が形成される(S14の隔壁形成ステップ )。ここで、下地誘電体層 13上に塗布された隔壁形成用ペーストをパターユングする 方法は、たとえば、フォトリソグラフィ法、またはサンドブラスト法などが用いられる。
[0035] 次に、隣接する隔壁 14の間の下地誘電体層 13上と隔壁 14の側面とに、蛍光体材 料を含む蛍光体ペーストが塗布される。さらに、蛍光体ペーストが焼成されることによ つて、蛍光体層 15が形成される(S 15の蛍光体層形成ステップ)。
[0036] 以上の各ステップを経ることによって、背面ガラス基板 11上に所定の構成部材が形 成された背面板 10が作製される。
[0037] 以上のようにして、それぞれ作製された前面板 2と背面板 10とが、表示電極 6とアド レス電極 12とが直交するように対向して配置されて、前面板 2の周囲と背面板 10の 周囲とが封着材で封着される(S21の封着ステップ)。このこと〖こよって、対向する前 面板 2と背面板 10との間の空間に、隔壁 14によって仕切られた放電空間 16が形成 される。
[0038] 次に、放電空間 16に、ネオン、またはキセノンなどの気化ガスを含む放電ガスが封 入されること〖こよって、 PDP1が作製される(S 22のガス封入ステップ)。
[0039] 次に、前面板 2上に設けられている表示電極 6と誘電体層 8とについて、さらに詳し 述べる。
[0040] 表示電極 6は、透明電極 4a、 5aと第 2電極 41b、 51bと第 1電極 42b、 52bと力 前 面ガラス基板 3上に順次積層されて形成されている。まず、厚さ 0. 程度の酸 ィ匕インジウム力 スパッタ法によって、前面ガラス基板 3上の全面に形成された後、フ オトリソグラフィ法によって、巾 150 mのストライプ状の透明電極 4a、 5aが形成され る(S01の透明電極形成ステップ)。
[0041] 次に、第 2電極 41b、 51bになる第 2電極ペーストが印刷法などによって、前面ガラ ス基板 3上の全面に塗布され、第 2電極ペースト層が形成される(S021の第 2電極べ 一スト層形成ステップ)。なお、第 2電極ペースト層がパターユングされ、焼成されるこ とによって、第 2電極 41b、 5 lbとブラックストライプ 7とになる。
[0042] なお、第 2電極ペーストは、 70重量%〜90重量%の導電性黒色粒子と、 1重量% 〜 15重量0 /0の第 2ガラスフリットと、 8重量%〜 15重量0 /0の感光性有機ノインダ成分 と、を含む。導電性黒色粒子は、 Fe、 Co、 Ni、 Mn、 Ru、 Rhの群から選ばれた少なく とも 1種の黒色金属微粒子、またはこれらの黒色金属を含む金属酸化物微粒子であ る。感光性有機バインダ成分は、感光性ポリマー、感光性モノマー、光重合開始剤、 溶剤などを含む。第 2ガラスフリットは、少なくとも 20重量%〜50重量%の酸ィ匕ビスマ ス (Bi O )を含む。さらに、第 2ガラスフリットは、少なくとも、酸化モリブデン (MoO )
2 3 3 と酸化マグネシウム(MgO)と酸化セリウム(CeO )とのうちの一つの材料を含む。さら
2
に、第 2ガラスフリットは 550°Cを超える軟ィ匕点温度を有する。
[0043] なお、ブラックストライプ 7になるペースト層は、第 2電極 41b、 51bになる第 2電極べ 一スト層とは、別の材料が用いられ、異なる方法で形成されてもよい。しかしながら、 第 2電極ペースト層がブラックストライプ 7になるペースト層として利用されることによつ て、ブラックストライプ 7を単独で設けるステップが不要となり、生産効率が向上する。
[0044] 次に、第 1電極ペーストが、印刷法などによって第 2電極ペースト層の上に塗布され 、第 1電極ペースト層が形成される(S022の第 1電極ペースト層形成ステップ)。
[0045] なお、第 1電極ペーストは、少なくとも 70重量%〜90重量%の銀粒子と、 1重量% 〜 15重量%のガラスフリットと、 8重量%〜 15重量%の感光性有機バインダ成分とを 含む。感光性有機バインダ成分は、感光性ポリマー、感光性モノマー、光重合開始 剤、溶剤などを含む。第 1ガラスフリットは、少なくとも 20重量%〜50重量%の酸ィ匕ビ スマス (Bi O )を含む。さら〖こ、第 1ガラスフリットは、少なくとも、酸化モリブデン (Mo
2 3
O )と酸化マグネシウム(MgO)と酸化セリウム(CeO )とのうちの一つの材料を含む
3 2
。さらに、第 1ガラスフリットは、 550°Cを超える軟化点温度を有する。
[0046] 次に、これら前面ガラス基板 3上の全面に塗布された、第 2電極ペースト層と第 1電 極ペースト層とがフォトリソグラフィ法などを用いてパター-ングされる(S023のパタ 一二ングステップ)。
[0047] パターユング後の第 2電極ペースト層と第 1電極ペースト層とが、 550°C〜600°Cの 温度で焼成されることによって、線幅が 60 /z m程度の第 2電極 41b、 51bと第 1電極 4 2b、 52bと力 透明電極 4a、 5a上に形成される(S024の電極層焼成ステップ)。同 様に、電極層焼成ステップ (S024)において、ブラックストライプ 7も焼成され、形成さ れる。
[0048] なお、第 1電極 42b、 52bに用いられる第 1ガラスフリットと、第 2電極 41b、 51bに用 いられる第 2ガラスフリットとは、上述のように、酸ィ匕ビスマス (Bi O )の含有量が 20重
2 3
量%〜50重量%である。さらに、第 1ガラスフリットと第 2ガラスフリットとは、酸化ビス マスの他に、 15重量%〜35重量%の酸化硼素(B O )と 2重量%〜15重量%の酸 化硅素(SiO )と 0. 3重量%〜4. 4重量%の酸化アルミニウム (Al O )などを含むガ
2 2 3
ラス材料である。さらに、第 1ガラスフリットと第 2ガラスフリットとは、少なくとも、酸ィ匕モ リブデン(MoO )と酸化マグネシウム(MgO)と酸化セリウム(CeO )とのうちの一つ
3 2
の材料を含む。なお、第 1ガラスフリットと第 2ガラスフリットとは、全く同一の組成を有 するガラスフリットであってもよ 、し、各含有材料の含有量が異なる材料組成を有して いてもよい。
[0049] 従来の PDPでは、 450°C〜550°Cの低い軟化点温度を有するガラスフリットが用い られ、焼成温度が 550°C〜600°Cである。すなわち、焼成温度が、ガラスフリットの軟 化点温度より 100°C近く高い。このため、ガラスフリットに含まれている、反応性の高 い酸ィ匕ビスマス自体が、銀、黒色金属微粒子、またはペースト中に含まれる有機バイ ンダ成分と激しく反応し、バス電極 4b、 5b中と誘電体層 8中とに気泡が発生し、誘電 体層 8の絶縁耐圧性能が劣化することがある。
[0050] し力しながら、本発明の PDP1は、第 1ガラスフリットと第 2ガラスフリットとの軟ィ匕点 温度が 550°Cを超え、焼成温度が 550°C〜600°Cである。すなわち、第 1ガラスフリツ トと第 2ガラスフリットとの軟ィ匕点温度が焼成温度に近い。このことによって、銀、黒色 金属微粒子、または有機成分と、酸化ビスマスとの反応性が低下する。このため、バ ス電極 4b、 5b中と誘電体層 8中との気泡の発生が少なくなる。なお、ガラスフリットの 軟化点温度が 600°C以上であると、バス電極 4b、 5b、透明電極 4a、 5a、前面ガラス 基板 3、または誘電体層 8との接着性が低下する傾向を有する。このため、第 1ガラス フリットと第 2ガラスフリットとの軟ィ匕点温度は、好ましくは、 550°Cを超え、 600°C未満 である。
[0051] 次に、前面板 2の誘電体層 8を構成する、第 1誘電体層 81と第 2誘電体層 82とにつ いて詳細に説明する。
[0052] まず、第 2電極ペースト層と第 1電極ペースト層とを覆うように、第 1誘電体ペースト 力 前面ガラス基板 3上にダイコート法、またはスクリーン印刷法によって塗布される。 第 1誘電体ペーストは、塗布された後に乾燥され、焼成されて、第 1誘電体ペースト 層が形成される(S03の第 1誘電体ペースト層形成ステップ)。
[0053] 第 1誘電体層 81に含まれる第 1誘電体ガラス材料は、次の材料組成により構成され る。すなわち、第 1誘電体ガラス材料は、 25重量%〜40重量%の酸ィ匕ビスマス(Bi
2
O )と 27. 5重量%〜34重量%の酸化亜鉛(ZnO)と 17重量%〜36重量%の酸ィ匕
3
硼素(B O )と 1. 4重量%〜4. 2重量%の酸化硅素(SiO )と 0. 5重量%〜4. 4重
2 3 2
0 /0の酸ィ匕アルミニウム (Al O )とを含む。さら〖こ、第 1誘電体ガラス材料は、酸ィ匕カ
2 3
ルシゥム(CaO)と酸化ストロンチウム(SrO)と酸化バリウム(BaO)との中カゝら選ばれ る少なくとも 1種の材料を 5重量%〜13重量%含む。さらに、第 1誘電体ガラス材料 は、酸化モリブデン(MoO )と酸化タングステン (WO )とのいずれ力から選ばれる少
3 3
なくとも 1種の材料を 0. 1重量%〜7重量%含む。なお、酸化モリブデン(MoO )、ま
3 たは酸ィ匕タングステン (WO )に代えて、酸ィ匕セリウム (CeO )と酸化銅 (CuO)と二酸
3 2
化マンガン(MnO )と酸化クロム(Cr O )と酸化コバルト(Co O )と酸化バナジウム(
2 2 3 2 3
V O )と酸ィ匕アンチモン(Sb O )との中力も選ばれる少なくとも 1種の材料を 0. 1重
2 7 2 3
量%〜7重量%含んでもょ 、。
これらの組成成分力もなる第 1誘電体ガラス材料力 湿式ジェットミルまたはボール ミルが用いられて、平均粒径が 0. 5 /ζ πι〜2. 5 mとなるように粉砕され、第 1誘電 体ガラスフリットが作製される。次に、 55重量%〜70重量%の第 1誘電体ガラスフリツ トと 30重量%〜45重量%のバインダ成分とが三本ロールを用いて混練され、ダイコ ート用、または印刷用の第 1誘電体ペーストが作製される。なお、第 1誘電体ペースト に含まれるバインダ成分は、タービネオールまたはブチルカルビトールアセテートで あり、 1重量%〜20重量%のェチルセルロースまたはアクリル榭脂を含む。また、第 1 誘電体ペースト中には、印刷性の向上のために、必要に応じて可塑剤または分散剤 などが添加されてもよい。添加される可塑剤は、たとえば、フタル酸ジォクチル、フタ ル酸ジブチル、リン酸トリフエニル、リン酸トリブチルなどある。また、添加される分散剤 は、たとえば、グリセロールモノォレート、ソルビタンセスキォレへート、ホモゲノール( Kaoコーポレーション社の登録商標)、アルキルァリル基のリン酸エステルなどである 次に、第 1誘電体層ペースト層が、第 1誘電体ガラスフリットの軟ィ匕点温度より少し 高い温度の 575°C〜590°Cの温度で焼成される(S04の第 1誘電体ペースト層焼成 ステップ)。このことによって、第 2電極ペースト層と第 1電極ペースト層とブラックストラ イブ 7とを覆う第 1誘電体層 81が形成される。
[0056] 次に、第 1誘電体ペースト層の上に、第 2誘電体ペーストが、スクリーン印刷法、また はダイコート法によって塗布される。第 2誘電体ペーストは、塗布された後に乾燥され て、第 2誘電体ペースト層が形成される(S05の第 2誘電体ペースト層形成ステップ)
[0057] 第 2誘電体層 82に含まれる第 2誘電体ガラス材料は、次の材料組成より構成される 。すなわち、第 2誘電体ガラス材料は、 11重量%〜20重量%の酸化ビスマス( 1 O
2 3
)と 26. 1重量%〜39. 3重量%の酸化亜鉛(ZnO)と 23重量%〜32. 2重量%の酸 化硼素(B O )と 1重量%〜3. 8重量%の酸化硅素(SiO )と 0. 1重量%〜10. 2重
2 3 2
0 /0の酸ィ匕アルミニウム (Al O )とを含む。さら〖こ、第 2誘電体ガラス材料は、酸ィ匕カ
2 3
ルシゥム(CaO)と酸化ストロンチウム(SrO)と酸化バリウム(BaO)との中カゝら選ばれ る少なくとも 1種の材料を 9. 7重量%〜29. 4重量%含む。さらに、第 2誘電体ガラス 材料は、 0. 1重量%〜5重量0 /0の酸ィ匕セリウム (CeO )を含む。
2
[0058] これらの組成成分からなる第 2誘電体ガラス材料力 湿式ジェットミルまたはボール ミルが用いられて、平均粒径が 0. 5 /ζ πι〜2. 5 mとなるよう〖こ粉砕され、第 2誘電 体ガラスフリットが作製される。次に、 55重量%〜70重量0 /0の第 2誘電体ガラスフリツ トと 30重量%〜45重量%のバインダ成分とが三本ロールを用いて混練され、ダイコ ート用、または印刷用の第 2誘電体ペーストが作製される。なお、第 2誘電体ペースト に含まれるバインダ成分は、タービネオールまたはブチルカルビトールアセテートで あり、 1重量%〜20重量%のェチルセルロースまたはアクリル榭脂を含む。また、第 2 誘電体ペースト中には、印刷性の向上のために、必要に応じて可塑剤または分散剤 などが添加されてもよい。添加される可塑剤は、たとえば、フタル酸ジォクチル、フタ ル酸ジブチル、リン酸トリフエ-ル、リン酸トリブチルなどである。また、添加される分散 剤は、たとえば、グリセロールモノォレート、ソルビタンセスキォレへート、ホモゲノー ル (Kaoコーポレーション社の登録商標)、アルキルァリル基のリン酸エステルなどで ある。
[0059] 次に、第 2誘電体層ペースト層が、第 2誘電体ガラスフリットの軟化点温度より少し 高い温度の 550°C〜590°Cの温度で焼成される(S06の第 2誘電体ペースト層焼成 ステップ)。このこと〖こよって、第 1誘電体層 81を覆う第 2誘電体層 82が形成され、第 1誘電体層 81と第 2誘電体層 82とによって、誘電体層 8が形成される。
[0060] なお、誘電体層 8の膜厚は、第 1誘電体層 81と第 2誘電体層 82とを合わせて、可視 光の透過率が確保されるようにするために、 41 μ m以下が好ましい。第 1誘電体層 8 1は、バス電極 4b、 5bに含まれる銀との反応を抑制するために、酸化ビスマスの含有 量力 第 2誘電体層 82に含まれる酸化ビスマスの含有量よりも多ぐ 25重量%〜40 重量%である。このため、第 1誘電体層 81の可視光の透過率力 第 2誘電体層 82の 可視光の透過率よりも低くなる。したがって、第 1誘電体層 81の膜厚は第 2誘電体層 82の膜厚よりも薄い。このこと〖こよって、誘電体層 8を透過する可視光の透過率が確 保される。
[0061] なお、第 2誘電体層 82は、酸ィ匕ビスマスの含有率が 11重量%より少ない場合、着 色現象は生じに《なるが、第 2誘電体層 82中に気泡が発生しやすくなる。また、酸 化ビスマスの含有率が 20重量%を超える場合、着色現象が生じやすくなり、透過率 が上がり難い。したがって、第 2誘電体ペーストに含まれる酸化ビスマスの含有率は、 11重量%〜20重量%であることが好まし!/、。
[0062] また、誘電体層 8の膜厚が薄いほど、パネル輝度の向上と放電電圧の低減との効 果が顕著に表われる。このため、絶縁耐圧が低下しない範囲内であれば、可能な限 り誘電体層 8の膜厚は薄いことが望ましい。このような観点から、本発明の実施の形 態では、誘電体層 8の膜厚が 41 m以下に設定され、第 1誘電体層 81の膜厚が 5 m〜15 mに、第 2誘電体層 82の膜厚が 20 μ m〜36 μ mに、それぞれ、設定され ている。
[0063] 以上のように、 PDP1は、表示電極 6に銀材料が用いられても、前面ガラス基板 3の 黄変などの着色現象が少ない。なおかつ、誘電体層 8中の気泡の発生などがなぐ 絶縁耐圧性能に優れた誘電体層 8が実現される。
[0064] 次に、本発明における PDP1において、前面ガラス基板 3の着色現象、または第 1 誘電体層 81の着色現象と第 1誘電体層 81中の気泡の発生とが抑制される理由につ いて考察する。
[0065] 従来の PDPにおいて、 PDPがハイビジョン化されることによって、走査線数が増加 する。すなわち、表示電極の数が増加し、さらに表示電極間隔が小さくなる。このため 、表示電極を構成する銀電極から誘電体層またはガラス基板への銀イオンの拡散が 多くなる。銀イオン (Ag + )が誘電体層またはガラス基板に拡散すると、誘電体層中 のアルカリ金属イオンまたはガラス基板中に含まれる 2価の錫イオンによって、銀ィォ ン (Ag + )が還元作用を受ける。この結果、銀のコロイドが生成され、誘電体層または ガラス基板が、黄色または褐色に着色する。
[0066] これに対して、本発明の PDP1は、第 1ガラスフリットと第 2ガラスフリットとに、酸ィ匕モ リブデンと酸ィ匕マグネシウムと酸ィ匕セリウムとのうちから少なくとも一つの材料が添加さ れる。これらの材料が銀イオン (Ag + )と反応することによって、 Ag MoO、 Ag Mo
2 4 2 2
O、 Ag Mo O 、 AgMgO、 Ag CeOのような銀を含んだ化合物が 580°C以下の
7 2 4 13 2 3
低温で生成される。
[0067] 本発明では、誘電体層 8の焼成温度が 550°C〜590°Cである。このこと力ゝら、誘電 体層 8の焼成中に、誘電体層 8中に拡散する銀イオン (Ag + )が、第 1電極 42b、 52 bと第 2電極 41b、 51bとに含まれている酸ィ匕モリブデン、または、酸化マグネシウム、 酸化セリウムと反応し、安定な化合物が生成されて、銀イオン (Ag + )が安定化される 。すなわち、銀イオン (Ag + )が還元されることなく安定化される。このため、銀イオン (Ag + )が凝集してコロイドを生成することがない。銀イオン (Ag + )が安定化されるこ とによって、銀のコロイドィ匕に伴う酸素の発生も少なくなる。この結果、誘電体層 8中 の気泡の発生も少なくなる。
[0068] 本発明の PDP1に用いられる誘電体層 8は、銀材料を含む第 1電極 42b、 52bと接 する第 1誘電体層 81において、着色現象と気泡発生とが抑制される。さらに、第 1誘 電体層 81上に設けられる第 2誘電体層 82によって、高い可視光の透過率が実現さ れる。さらに、第 1電極 42b、 52bに用いられる第 1ガラスフリットと第 2電極 41b、 51b に用いられる第 2ガラスフリットとは、少なくとも、 20重量%〜50重量%の酸化ビスマ ス (Bi O )を含む。さらに、第 1ガラスフリットと第 2ガラスフリットとは、少なくとも酸化モ
2 3
リブデン(MoO )と酸化マグネシウム(MgO)と酸化セリウム(CeO )とのうちの一つ
3 2
の材料を含み、 550°Cを超える軟化点温度を有する。このこと〖こよって、バス電極 4b 、 5bからの気泡の発生がさらに抑制される。この結果、前面ガラス基板 3の黄変など の着色現象が少なぐ誘電体層 8全体として、気泡の発生と着色現象の発生とが極 めて少なぐ透過率の高い PDP1が実現される。
[0069] また、本発明の PDP1は、背面ガラス基板 11上にアドレス電極 12が形成される際、 アドレス電極 12が少なくとも銀と第 3ガラスフリットとを含有する。さらに、第 3ガラスフリ ットが、少なくとも酸ィ匕ビスマス (Bi O )を含む。これとともに、第 3ガラスフリットが 550
2 3
°Cを超える軟化点温度を有する。このこと〖こよって、前述のバス電極 4b、 5bと誘電体 層 8との関係と同様に、アドレス電極 12からの気泡の発生が抑制されて、下地誘電体 層 13の絶縁耐圧性能が向上する。この結果、背面板 10の信頼性が向上する。
[0070] また、下地誘電体層 13になる下地誘電体ペーストは、第 1誘電体ペーストと同一の 材料組成を有することが好ましい。すなわち、下地誘電体ペーストに含まれている下 地誘電体ガラスフリットが第 1誘電体ガラスフリットと同一の材料組成を有する。このこ とによって、前述のバス電極 4b、 5bと誘電体層 8との関係と同様に、アドレス電極 12 力もの気泡の発生がさらに抑制される。このため、第 2基板 11の黄変などの着色現象 が少なぐ下地誘電体層 13全体として、気泡の発生と着色現象の発生とが極めて少 ない PDP1が実現される。この結果、下地誘電体層 13の絶縁耐圧性能が向上し、背 面板 10の信頼性が向上する。
[0071] 以上のように、本発明の PDP1は、可視光の透過率が高ぐ絶縁耐圧性能が高い 前面板 2を有し、さらに、絶縁耐圧性能が高い背面板 10を有している。このため、信 頼性が高ぐ鉛成分を含まない環境に優しい PDP1が実現される。
産業上の利用可能性
[0072] 以上のように、本発明のプラズマディスプレイパネルは、誘電体層の着色現象と絶 縁耐圧性能の劣化とが抑制され、環境に優しく表示品質に優れたプラズマディスプ レイパネルが実現され、大画面の表示デバイスなどに有用である。

Claims

請求の範囲
[1] 前面ガラス基板上に形成され、銀を含有する第 1電極と、
前記第 1電極の下に形成される第 2電極と、
を有する表示電極と、
前記表示電極を覆う誘電体層と、
が形成された前面板と、
背面ガラス基板上にアドレス電極が形成された背面板と、を備え、
前記前面板と前記背面板とが対向配置されて、放電空間が形成されたプラズマディ スプレイパネルであって、
前記第 1電極と前記第 2電極とは、
少なくとも、酸化モリブデンと酸化マグネシウムと酸化セリウムとのうちの一つと、酸 ィ匕ビスマスと、を含み、
軟ィ匕点温度が 550°Cを超える、
ガラスフリットを含有することを特徴とする、
プラズマディスプレイパネノレ。
[2] 前記ガラスフリットが、 20重量%以上、 50重量%以下の前記酸ィ匕ビスマスを含むこと を特徴とする、
請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。
[3] 前記アドレス電極は、少なくとも銀とガラスフリットとを含有し、
前記アドレス電極が含有する前記ガラスフリットが、少なくとも酸ィ匕ビスマスを含むとと もに、軟ィ匕点温度が 550°Cを超えることを特徴とする、
請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。
[4] 前記誘電体層は、
少なくとも、 25重量%以上、 40重量%以下の酸化ビスマスを含有することを特徴とす る、
請求項 1または請求項 2のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
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