JP2003050227A

JP2003050227A - ガス濃度センサのヒータ制御装置

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Publication number: JP2003050227A
Application number: JP2002106332A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Haneda; 聡羽田; Hidekazu Kurokawa; 英一黒川; Akio Tanaka; 章夫田中
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2001-05-31
Filing date: 2002-04-09
Publication date: 2003-02-21
Anticipated expiration: 2022-04-09
Also published as: FR2825469B1; US20020179594A1; JP3843881B2; FR2825469A1; DE10223963A1; DE10223963B4; US6720534B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ガス濃度センサを適正に活性化し、ひいては同
センサの出力精度を向上させること。【解決手段】ガス濃度センサ１００は、排ガス中の酸素
を排出又は汲み込むポンプセル１１０と、該ポンプセル
１１０を通過した後のガスからＮＯｘ濃度を検出するた
めのセンサセル１３０と、これら各セルを加熱するヒー
タ１５１とを備える。マイコン１７０は、ポンプセル１
１０の素子インピーダンスを検出し、その検出値と所望
の目標値との偏差に応じてヒータ１５１の通電を制御す
る。また、マイコン１７０は、ヒータ１５１に投入した
電力を算出し、予め規定したヒータ電力と素子抵抗との
関係に基づいて素子インピーダンスの目標値を補正す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガス濃度センサの
ヒータ制御装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種のガス濃度検出装置として、限界
電流式のガス濃度センサを用い、例えば自動車の排ガス
中のＮＯｘを検出するものがある。ガス濃度センサは基
本構造として、ポンプセル（第１セル）とセンサセル
（第２セル）とを備え、ポンプセルでは、チャンバーに
導入した排ガス中の酸素の排出又は汲み込みが行われ、
センサセルでは、ポンプセルを通過した後のガスからＮ
Ｏｘ濃度（特定ガス成分の濃度）が検出される。

【０００３】また、上記ガス濃度センサでは、ポンプセ
ルやセンサセルを所定の活性温度に保持するためのヒー
タが設けられている。この場合、ポンプセルやセンサセ
ルが設けられる固体電解質素子の抵抗値（素子抵抗）を
検出し、その素子抵抗が活性温度相当の値になるよう、
ヒータの通電を制御している。より具体的には、素子抵
抗の検出値と目標値との偏差に応じてヒータの通電をフ
ィードバック制御している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、固体電
解質素子の劣化等によりガス濃度センサの特性が変化す
ると、それに起因して実際の制御温度が狙いの制御温度
からずれる。そのため、各セルが過剰に加熱されたり、
加熱が足りなかったりしてしまい、各セルが所望の活性
状態に保持できなくなる。かかる場合には、ポンプセル
電極での酸素排出量に差が生じ、ＮＯｘガスなどの微少
な酸素イオン検出に大きな影響を及ぼす。

【０００５】つまり、素子温が狙いの制御範囲よりも高
温側にずれた場合には、ポンプセルにおいてチャンバー
内の酸素が完全に分解され、更にはＮＯｘまで分解され
る。そのため、ＮＯｘ濃度が実際よりも低レベルで検出
されてしまう。また、素子温が狙いの制御範囲よりも低
温側にずれた場合には、ポンプセルでの酸素の分解が不
十分となる。そのため、チャンバー内の余剰酸素が増加
し、センサセルでＮＯｘと同時に分解される酸素量が増
加することから、ＮＯｘ濃度が実際よりも高レベルで検
出されてしまう。

【０００６】特に通常、ポンプセルでは数ｍＡのオーダ
ーでポンプセル電流が計測されるのに対し、センサセル
では数μＡのオーダーでセンサセル電流が計測される。
故に、ポンプセルでの酸素排出量に差が生じると、セン
サセル電流の検出誤差、すなわちＮＯｘ濃度の検出誤差
が顕著に現れる。

【０００７】本発明は、上記問題に着目してなされたも
のであって、その目的とするところは、ガス濃度センサ
を適正に活性化し、ひいては同センサの出力精度を向上
させることができるガス濃度センサのヒータ制御装置を
提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明におけるガス濃度
センサのヒータ制御装置では前提として、素子抵抗検出
手段により、少なくとも第１セル又は第２セルが設けら
れる固体電解質素子に対して印加する電圧又は電流が操
作されその時の電圧変化及び電流変化から素子抵抗が検
出される。また、ヒータ制御手段により、前記検出した
素子抵抗とその目標値との偏差に応じてヒータの通電が
制御される。特に請求項１に記載の発明では、ヒータ電
力算出手段により、ヒータに投入した電力が算出される
と共に、補正手段により、予め規定したヒータ電力と素
子抵抗との関係を示す基本特性に基づいて前記素子抵抗
の目標値が補正される。

【０００９】要するに、基本的にはヒータ電力と素子抵
抗との関係が一義的に決まり、その基本特性によればど
れだけのヒータ電力を投入したら素子抵抗がどの値にな
るかが分かる。逆に言い換えると、ある素子抵抗におい
て、その素子抵抗にするにはどれだけのヒータ電力を要
するかが分かる。かかる場合、固体電解質素子の劣化等
により特性変化が生じると、ヒータ電力が本来投入する
電力値とは違ってくるため、特性変化の有無と共にその
特性変化の程度も分かる。ヒータ制御は本来、ガス濃度
センサの基本特性に基づき実施され、特性が変化すると
固体電解質素子が過剰に加熱されたり、加熱が足りなか
ったりするが、上記の補正により、基本特性に即したヒ
ータ制御が可能となる。

【００１０】本発明によれば、ガス濃度センサの特性変
化が生じても、第１セルや第２セルが適正な活性状態で
保持される。つまり、これら各セルが所望の素子温度で
保持されるようになる。その結果、ガス濃度センサの検
出精度を向上させることができる。特に、排ガス中のＮ
ＯｘやＨＣ等のガス濃度を検出する第２セルでは、その
出力が微小であるため、各セルの活性状態がずれるとそ
の出力精度への影響が大きいが、本発明によればＮＯｘ
やＨＣ等のガス濃度の検出精度が向上する。

【００１１】なお本明細書では、固体電解質素子の抵抗
値（素子抵抗）を検出することを要件とするが、それは
交流的なインピーダンス、又はその逆数であるアドミタ
ンスを含むものである。

【００１２】また、請求項２に記載の発明では、ヒータ
抵抗検出手段により、ヒータの抵抗値が検出され、補正
手段により、予め規定したヒータ抵抗と素子抵抗との関
係を示す基本特性に基づいて前記素子抵抗の目標値が補
正される。更に、請求項３に記載の発明では、素子温度
検出手段により、前記固体電解質素子の温度が検出さ
れ、補正手段により、予め規定した素子温度と素子抵抗
との関係を示す基本特性に基づいて前記素子抵抗の目標
値が補正される。

【００１３】請求項２又は請求項３においても、ヒータ
抵抗や素子温度をパラメータとする基本特性を用いるこ
とにより、所望の素子抵抗に制御する際、本来それらヒ
ータ抵抗や素子温度がどういう値になるかが分かる。か
かる場合、固体電解質素子の劣化等により特性変化が生
じると、ヒータ抵抗や素子温度が本来の値とは違ってく
るが、本発明によれば特性変化の有無と共にその特性変
化の程度も分かり、更に上記の補正により、基本特性に
即したヒータ制御が可能となる。その結果、上記請求項
１と同様に、第１セルや第２セルが常に適正な活性状態
で保持され、ガス濃度センサの検出精度を向上させるこ
とができる。

【００１４】エンジンから排出される排ガスをガス濃度
センサにより検出するエンジン制御装置においては、請
求項４に記載したように、固体電解質素子の温度実測
値、若しくは排気温度や排気流量から推定した値にて素
子温度が検出されると良い。

【００１５】また、請求項５に記載の発明では、前記基
本特性のパラメータ（ヒータ電力、ヒータ抵抗、素子温
度）に応じて当該特性上の素子抵抗が推定され、その推
定値と前記検出した素子抵抗とから前記素子抵抗の目標
値が補正される。本発明によれば、その都度のガス濃度
センサにおいて基本特性との差（ズレ）がどの程度ある
かが分かり、その差に応じた補正が可能となる。従っ
て、センサ活性状態を基準に、上記基本特性上でのヒー
タ制御が可能となる。

【００１６】また、請求項６に記載の発明では、目標の
制御点を挟む少なくとも２点で基本特性上の素子抵抗が
推定され、それら各点の推定値と前記検出した素子抵抗
とから前記素子抵抗の目標値が補正される。この場合、
１点の推定値で補正を実施する場合に比べて補正の精度
が向上する。

【００１７】請求項７に記載の発明では、素子抵抗を目
標値に制御するために必要な基本特性上の基準値に基づ
き、その基準値からのずれ分により補正量が算出され
る。この場合、例えば図１１のような関係を用いること
で、補正量の算出処理を簡易に実施することができる。

【００１８】また、ガス濃度センサの温度環境が変わる
と、ヒータ電力と素子抵抗との関係等が変化する（図８
参照）。例えば、ヒータ以外の熱源により固体電解質素
子が加熱された場合、ヒータ電力は少なくてよくなる。
そこで、請求項８に記載したように、ガス濃度センサが
晒される環境下においてセンサ温度の外部要因を反映し
つつ、前記補正手段による目標値の補正が実施されると
良い。なお、センサ温度の外部要因とは、例えばエンジ
ン排ガスを検出するガス濃度センサでは、排ガス流量や
排ガス温度等のことである。或いは、請求項９に記載し
たように、ガス濃度センサに関してセンサ温度の外部要
因が変化しない状態であることを条件に、前記補正手段
による目標値の補正が実施されると良い。

【００１９】また、エンジンから排出される排ガスをガ
ス濃度センサにより検出するエンジン制御装置において
は、請求項１０に記載したように、エンジンが停止して
いることを条件に、前記補正手段による目標値の補正が
実施されると良い。これにより、高温の排ガスによる影
響を受けることなく、適正な補正処理が実現できる。

【００２０】また、請求項１１に記載の発明では、前記
補正手段による補正量が学習値としてバックアップ用の
メモリに記憶保持される。これにより、経時変化により
劣化が進行する際にも、その状況を容易に且つ確実に反
映しつつヒータ制御が実施できる。

【００２１】請求項１２に記載の発明では、前記補正手
段により得られる補正量に基づきガス濃度センサの劣化
の有無が判定される。つまり、ガス濃度センサの劣化が
進行すると、素子抵抗の目標値に対する補正量が増大す
る。そのことから、当該補正量によりセンサ劣化が適正
に判定できる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した一実
施の形態を図面に従って説明する。本実施の形態におけ
るガス濃度検出装置は、自動車用ガソリンエンジンに適
用されるものであって、限界電流式のガス濃度センサを
用い、被検出ガスである排ガスから酸素濃度を検出する
と共に、特定ガス成分としてのＮＯｘの濃度を検出す
る。この検出値はエンジン制御装置における各種制御に
用いられる。

【００２３】先ずはじめに、ガス濃度センサの構成を図
１を用いて説明する。ガス濃度センサは、ポンプセル
（第１セル）、センサセル（第２セル）及びモニタセル
からなる３セル構造を有し、排ガス中の酸素濃度とＮＯ
ｘ濃度とを同時に検出可能な、いわゆる複合型ガスセン
サとして具体化されている。

【００２４】ガス濃度センサ１００において、酸素イオ
ン伝導性材料からなる固体電解質（固体電解質素子）１
４１，１４２は板状をなし、図の上下に所定間隔を隔て
て積層されている。このうち、図の上側の固体電解質１
４１にはピンホール１４３が形成されており、このピン
ホール１４３を介して当該センサ周囲の排ガスが第１チ
ャンバー１４４内に導入される。第１チャンバー１４４
は、絞り部１４５を介して第２チャンバー１４６に連通
している。なお、符号１４７は多孔質拡散層である。

【００２５】また、図の下側の固体電解質１４２には、
ポンプセル１１０及びモニタセル１２０が設けられてお
り、ポンプセル１１０は、第１チャンバー１４４内に導
入した排ガス中の酸素を排出又は汲み込む働きをすると
共に、その際に排ガス中の酸素濃度を検出する。モニタ
セル１２０は、第２チャンバー１４６内の酸素濃度に応
じた起電力、又は電圧印加時に電流出力を発生する。こ
こで、ポンプセル１１０は、固体電解質１４２を挟んで
上下一対の電極１１１，１１２を有し、そのうち特に第
１チャンバー１４４側の電極１１１はＮＯｘ不活性電極
（ＮＯｘガスを分解し難い電極）である。また、モニタ
セル１２０も同様に、固体電解質１４２を挟んで上下一
対の電極１２１，１２２を有し、そのうち特に第２チャ
ンバー１４６側の電極１２１はＮＯｘ不活性電極（ＮＯ
ｘガスを分解し難い電極）である。これらポンプセル１
１０及びモニタセル１２０は、チャンバー１４４，１４
６内に存在する酸素を分解して電極１１２，１２２より
大気通路１５０側に排出する。

【００２６】センサセル１３０は、前記モニタセル１２
０に対向して設けられており、固体電解質１４１を挟ん
で上下一対の電極１３１，１３２を有する。センサセル
１３０は、ポンプセル１１０を通過した後のガスからＮ
Ｏｘ濃度を検出するものであり、第２チャンバー１４６
内でＮＯｘを分解した時に発生する酸素を電極１３２よ
り大気通路１４８側に排出する。

【００２７】固体電解質１４２の図の下面には絶縁層１
４９が設けられ、この絶縁層１４９により大気通路１５
０が形成されている。また、絶縁層１４９には、センサ
全体を加熱するためのヒータ１５１が埋設されている。

【００２８】上記構成のガス濃度センサ１００におい
て、排ガスは多孔質拡散層１４７及びピンホール１４３
を通って第１チャンバー１４４に導入される。そして、
この排ガスがポンプセル１１０近傍を通過する際、ポン
プセル１１０の電極１１１，１１２間に電圧を印加する
ことで分解反応が起こり、第１チャンバー１４４内の酸
素濃度に応じてポンプセル１１０を介して酸素が出し入
れされる。なおこのとき、第１チャンバー１４４側の電
極１１１がＮＯｘ不活性電極であるので、ポンプセル１
１０では排ガス中のＮＯｘは分解されず、酸素のみが分
解されて大気通路１５０に排出される。

【００２９】その後、ポンプセル１１０近傍を通過した
排ガスは第２チャンバー１４６に流れ込み、モニタセル
１２０では、ガス中の余剰酸素濃度に応じた出力が発生
する。モニタセル１２０の出力は、該モニタセル１２０
の電極１２１，１２２間に所定の電圧を印加すること
で、モニタセル電流として検出される。また、センサセ
ル１３０の電極１３１，１３２間に所定の電圧を印加す
ることでガス中のＮＯｘが還元分解され、その際発生す
る酸素が大気通路１４８に排出される。その際、センサ
セル１３０に流れた電流が排ガス中に含まれるＮＯｘ濃
度として検出される。

【００３０】次に、ポンプセル１１０、モニタセル１２
０及びセンサセル１３０の各特性を、図２（ａ）〜
（ｃ）を用いて説明する。なお、図２（ａ）〜（ｃ）は
酸素濃度及びＮＯｘ濃度が一定のもとでの出力特性を示
す。先ずは、ポンプセル特性を図２（ａ）を用いて説明
する。

【００３１】図２（ａ）は、ポンプセル特性としてのポ
ンプセル印加電圧Ｖｐとポンプセル電流Ｉｐとの関係を
示すＶ−Ｉ特性図であり、ポンプセル１１０は酸素濃度
に対して限界電流特性を有する。限界電流域はＶ軸に対
して僅かに右上がりの直線部分からなり、その領域は酸
素濃度が濃いほど（リーンであるほど）電圧値が大きく
なる方向にシフトする。同特性の抵抗支配域の傾きは概
ねポンプセル１１０の素子インピーダンスＲｉｐに一致
する。

【００３２】ここで、ポンプセル電流Ｉｐと印加電圧Ｖ
ｐとの関係は印加電圧特性として予め規定されており、
この印加電圧特性に従いその時々のポンプセル電流Ｉｐ
に応じてポンプセル印加電圧Ｖｐが可変に制御される。
実際には、第１チャンバー１４４内を所定の低酸素濃度
（ストイキ近傍）に保持すべく印加電圧直線ＬＸ１が設
定されており、例えば数ｐｐｍ〜数１０ｐｐｍ程度の僅
かな余剰酸素が第１チャンバー１４４内に残るようポン
プセル印加電圧Ｖｐが制御される。

【００３３】また、図２（ｂ）は、モニタセル特性とし
てのモニタセル印加電圧Ｖｍとモニタセル電流Ｉｍとの
関係を示すＶ−Ｉ特性図であり、モニタセル１２０は酸
素濃度に対して限界電流特性を有する。つまり、モニタ
セル１２０は、第２チャンバー１４６内の酸素濃度に応
じた出力を発生し、その際、モニタセル１２０に所定の
電圧Ｖｍ１を印加することにより電流値Ｉｍ１を出力す
る。この場合、ポンプセル１１０での酸素の出し入れに
より第１チャンバー１４４と共に第２チャンバー１４６
内が所定の低酸素濃度（例えば数ｐｐｍ〜数１０ｐｐｍ
程度）に保持されていれば、例えば０．５〜２μＡ程度
のモニタセル電流Ｉｍが流れる。

【００３４】更に、図２（ｃ）は、センサセル特性とし
てのセンサセル印加電圧Ｖｓとセンサセル電流Ｉｓとの
関係を示すＶ−Ｉ特性図であり、センサセル１３０はガ
ス中のＮＯｘ濃度に対して限界電流特性を有する。この
場合、センサセル１３０に所定の電圧Ｖｓ１を印加する
ことにより、第２チャンバー１４６内のＮＯｘ濃度に応
じた電流値Ｉｓ１を出力する。

【００３５】図１の説明に戻る。ガス濃度検出装置を示
す図１において、マイコン１７０は、ＣＰＵ、メモリ、
Ａ／Ｄ及びＤ／Ａ変換器等を備える周知の論理演算回路
で構成されている。ポンプセル１１０、モニタセル１２
０及びセンサセル１３０はそれぞれに電源回路を有して
おり、各電源回路において、ポンプセル電流Ｉｐは電流
検出器１７１で測定され、モニタセル電流Ｉｍは電流検
出器１７２で測定され、センサセル電流Ｉｓは電流検出
器１７３で測定される。これら各電流検出器１７１〜１
７３で測定された電流値はそれぞれマイコン１７０に取
り込まれる。マイコン１７０は、電流検出器１７１で測
定したポンプセル電流Ｉｐにより排ガス中の酸素濃度
（Ａ／Ｆ）を検出すると共に、電流検出器１７３で測定
したセンサセル電流Ｉｓにより排ガス中のＮＯｘ濃度を
検出する。また、マイコン１７０は、その都度のポンプ
セル電流やモニタセル電流に応じてポンプセル１１０の
印加電圧を可変に制御する。

【００３６】ガス濃度センサ１００のヒータ１５１は、
ヒータ制御回路１７５によりその動作が制御される。つ
まり、ヒータ制御回路１７５は、マイコン１７０からの
指令に従い、ガス濃度センサ１００の素子インピーダン
ス（素子抵抗）に応じてヒータ１５１への通電をデュー
ティ制御する。また、ヒータ制御回路１７５では、ヒー
タ電圧及びヒータ電流が検出され、その検出結果がマイ
コン１７０に対して出力される。なお、ヒータ１５１は
バッテリ電源からの給電により通電されるようになって
いる。

【００３７】次に、上記の如く構成されガス濃度検出装
置の作用を説明する。図３は、マイコン１７０により実
施されるメインルーチンの概要を示すフローチャートで
あり、同ルーチンはマイコン１７０への電源投入に伴い
起動される。

【００３８】図３において、先ずステップ１００では、
前回のＡ／Ｆ及びＮＯｘ濃度の検出時から所定時間Ｔａ
が経過したか否かを判別する。所定時間Ｔａは、Ａ／Ｆ
及びＮＯｘ濃度の検出周期に相当する時間であって、例
えばＴａ＝４ｍｓｅｃ程度に設定される。そして、ステ
ップ１００がＹＥＳであることを条件にステップ１１０
に進み、Ａ／Ｆ及びＮＯｘ濃度の検出処理を実施する。

【００３９】この場合、Ａ／Ｆの検出処理では、その時
々のポンプセル電流Ｉｐに応じた印加電圧Ｖｐを設定す
ると共に、その電圧印加時のポンプセル電流Ｉｐを検出
する。そして、該検出したポンプセル電流ＩｐをＡ／Ｆ
値に変換する。また、ＮＯｘ濃度の検出処理では、所定
の印加電圧Ｖｓを設定すると共に、その電圧印加時のセ
ンサセル電流Ｉｓを検出する。そして、該検出したセン
サセル電流ＩｓをＮＯｘ濃度値に変換する。

【００４０】Ａ／Ｆ及びＮＯｘ濃度の検出後、ステップ
１２０では、前回の素子インピーダンス検出時から所定
時間Ｔｂが経過したか否かを判別する。所定時間Ｔｂ
は、素子インピーダンスＲｉｐの検出周期に相当する時
間であって、例えばエンジン運転状態に応じて１２８ｍ
ｓｅｃ、２ｓｅｃ等の時間が選択的に設定される。そし
て、ステップ１２０がＹＥＳであることを条件に、ステ
ップ１３０で素子インピーダンスＲｉｐを検出すると共
に、続くステップ１４０でヒータ通電制御を実施する。
素子インピーダンスＲｉｐの検出処理、ヒータ通電制御
については後で詳しく説明する。

【００４１】次に、前記図３のステップ１３０における
素子インピーダンスＲｉｐの検出手順を図４を用いて説
明する。なお本実施の形態では、素子インピーダンスＲ
ｉｐの検出に際し、掃引法を用いていわゆる「交流イン
ピーダンス」を求めることとしている。

【００４２】図４において、先ずステップ１３１では、
ポンプセル１１０の印加電圧Ｖｐを操作し、それまでの
Ａ／Ｆ検出用の印加電圧に対して電圧を正側に数１０〜
１００μｓｅｃ程度の時間で単発的に変化させる。ま
た、ステップ１３２では、その時の電圧変化量ΔＶｐと
ポンプセル電流の変化量ΔＩｐとを読み取る。続くステ
ップ１３３では、前記ΔＶｐ値及びΔＩｐ値から素子イ
ンピーダンスＲｉｐを算出し（Ｒｉｐ＝ΔＶｐ／ΔＩ
ｐ）、その後元の図３のルーチンに戻る。

【００４３】上記の如く求められる素子インピーダンス
Ｒｉｐは、素子温に対して図６に示す関係を有する。す
なわち、素子温が低いほど、素子インピーダンスＲｉｐ
は飛躍的に大きくなる。

【００４４】次に、前記図３のステップ１４０における
ヒータ通電の制御手順を図５を用いて説明する。図５に
おいて、先ずステップ１４１では、昇温時ヒータ制御の
実施条件を判定する。具体的には、素子インピーダンス
Ｒｉｐが所定の判定値（例えば、５０Ω）以上であるか
否かにより昇温時ヒータ制御の実施条件を判別する。例
えば、エンジン始動直後でありガス濃度センサ１００の
素子温が未だ低い場合には、素子インピーダンスＲｉｐ
が大きく、昇温時ヒータ制御を行う旨が判別される（ス
テップ１４１がＹＥＳ）。

【００４５】ステップ１４１がＹＥＳの場合、ステップ
１４２に進み、昇温時ヒータ制御を実施する。この昇温
時ヒータ制御では基本的に、デューティ比１００％の全
通電制御が実施される。その後、元の図３のルーチンに
戻る。

【００４６】また、素子温が上昇すると、ステップ１４
１がＮＯとなり、ステップ１４３に進む。そしてそれ以
降、ガス濃度センサ１００の特性変化に応じて素子イン
ピーダンスの目標値Ｒｔｇを補正しつつヒータ１５１の
通電をフィードバック制御する。この場合、ヒータ電力
と素子インピーダンスとの関係が予め規定されており、
その関係に基づいて素子インピーダンスの目標値Ｒｔｇ
が補正される。

【００４７】詳しくは、先ずステップ１４３では、前記
図４の処理にて検出した素子インピーダンスＲｉｐ（以
下、検出インピーダンスとも言う）を読み込む。続くス
テップ１４４では、ヒータ制御回路１７５でのヒータ電
圧及びヒータ電流の検出値からヒータ１５１への投入電
力を算出する。

【００４８】その後、ステップ１４５では、例えば図７
の関係を用い、その時々のヒータ電力に対応する素子イ
ンピーダンス（基本特性上の実インピーダンスＲｒｅ）
を推定する。ここで、図７は、基本特性上のヒータ電力
と素子インピーダンスとの関係を示す図であり、基本特
性として、どれだけのヒータ電力を投入したら素子イン
ピーダンスがどの値になるかを表すものである。逆に言
い換えれば、ある素子インピーダンスにおいて、その素
子インピーダンスに保持するにはどれだけのヒータ電力
を要するかを表すものである。図７において、本来はヒ
ータ電力Ｗ１の投入により素子インピーダンスが目標値
Ｒｔｇに保持されるが、ヒータ電力の算出値が仮に「Ｗ
２」であった場合、その時の実インピーダンスは「Ｒｒ
ｅ１」であると推定される。

【００４９】また、エンジンの燃焼状態が変化したり、
燃料カットが行われたりして排ガス温度が変動すると、
図７の関係が変化する。この場合、図７の関係に代え
て、図８の関係を用いると良い。図８では、図７の関係
に対し、排気によるガス濃度センサ１００の加熱要因が
考慮されている。実際には、エンジン回転数や負荷（ア
クセル開度、吸気量等）、更には水温により排気量や排
気温度を推定し、その排気量や排気温度に応じてセンサ
加熱の度合を算出する。そして、その都度のヒータ電力
に加え、センサ加熱の度合により基本特性上の実インピ
ーダンスＲｒｅを推定する。因みに、センサ加熱の度合
が大きい場合には、ヒータによる加熱が不要となること
から、目標値Ｒｔｇに対するヒータ電力は小さくなる。

【００５０】その後、ステップ１４６では、前記した検
出インピーダンスＲｉｐ及び基本特性上の実インピーダ
ンスＲｒｅにより素子インピーダンスの目標値Ｒｔｇを
補正する。具体的には、「Ｒｉｐ−Ｒｒｅ」を目標値Ｒ
ｔｇに加算し、その和を新たに目標値Ｒｔｇとする。

【００５１】目標値Ｒｔｇの補正について、図９の特性
図を用いてより詳細に説明する。図９では、ガス濃度セ
ンサ１００の基本特性を「Ａ」に示し、素子劣化等によ
り変化した特性を「Ｂ」に示す。

【００５２】要するに、ガス濃度センサ１００の特性が
基本特性Ａのままであれば、素子インピーダンスの目標
値Ｒｔｇにフィードバック制御した時の素子温はＴｅｍ
ｐ１（目標温度）となる。これに対し、ガス濃度センサ
１００の特性が「Ｂ」に変化した場合、目標値Ｒｔｇに
対するフィードバック制御に伴い素子温がＴｅｍｐ２ま
で上昇してしまうことが考えられる。この場合、その都
度のヒータ電力（図７のＷ２）から基本特性Ａ上の実イ
ンピーダンス（図のＲｒｅ１）を推定すると共に、「Ｒ
ｔｇ−Ｒｒｅ１」を補正量として算出し、その補正量を
目標値Ｒｔｇに加算して新たな目標値（図のＲｔｇ'）
を算出する。なお通常は、素子インピーダンスが目標値
Ｒｔｇに収束し、Ｒｔｇ＝Ｒｉｐとなっており、上記の
補正は「Ｒｉｐ−Ｒｒｅ１」により補正することを意味
する。

【００５３】目標値Ｒｔｇの補正後、ステップ１４７で
は、素子インピーダンスの偏差に応じて、ヒータ通電の
ための制御デューティ比Ｄｕｔｙを算出する。この算出
手法自体は周知のものである。具体的には、前回処理時
の素子インピーダンスを前回値「Ｒ０」、比例定数をＫ
ｐ、積分定数をＫｉ、微分定数をＫｄとし、下記の数式
により比例項Ｇｐ、積分項Ｇｉ、微分項Ｇｄを算出す
る。Ｇｐ＝Ｋｐ・（Ｒｉｐ−Ｒｔｇ）Ｇｉ＝Ｇｉ＋Ｋｉ・（Ｒｉｐ−Ｒｔｇ）Ｇｄ＝Ｋｄ・（Ｒｉｐ−Ｒ０）そして、上記比例項Ｇｐ、積分項Ｇｉ、微分項Ｇｄを加
算して制御デューティ比Ｄｕｔｙを算出する（Ｄｕｔｙ
＝Ｇｐ＋Ｇｉ＋Ｇｄ）。その後、元の図３のルーチンに
戻る。

【００５４】なお本実施の形態では、図４の処理が特許
請求の範囲に記載した「素子抵抗検出手段」に、図５の
処理が同「ヒータ制御手段」に相当する。また、図５の
ステップ１４４が同「ヒータ電力算出手段」に、ステッ
プ１４５，１４６が同「補正手段」に相当する。

【００５５】以上詳述した本実施の形態によれば、以下
に示す効果が得られる。予め規定したヒータ電力と素子
インピーダンスとの関係を示す基本特性に基づいて素子
インピーダンスの目標値Ｒｔｇが補正されるので、ガス
濃度センサ１００の特性変化が生じても基本特性に即し
たヒータ制御が可能となる。つまり、ポンプセル１１０
やセンサセル１３０が適正な活性状態で保持される。そ
の結果、ガス濃度センサ１００の検出精度を向上させる
ことができる。特に、センサセル１３０では、その出力
が微小であるため、各セルの活性状態がずれるとその出
力精度への影響が大きいが、本実施の形態によればＮＯ
ｘ濃度の検出精度が向上する。

【００５６】また、その都度のヒータ電力に加え、エン
ジン運転状態によるセンサ加熱の度合（センサ温度の外
部要因）を考慮して素子インピーダンスの目標値Ｒｔｇ
を補正するようにしたので、その補正の精度が向上す
る。

【００５７】なお本発明は、上記以外に次の形態にて具
体化できる。上記実施の形態では、図５の処理におい
て、検出インピーダンスＲｉｐと基本特性上の実インピ
ーダンスＲｒｅとの差（Ｒｉｐ−Ｒｒｅ）により素子イ
ンピーダンスの目標値Ｒｔｇを補正したが、その補正の
手法はそれに限定されない。例えば、以下の（１），
（２）のように具体化しても良い。

【００５８】（１）目標の制御点を挟む少なくとも２点
で実インピーダンスＲｒｅを推定し、それら各点の推定
値と検出インピーダンスＲｉｐとから目標値Ｒｔｇを補
正する。具体的には、図１０に示すように、目標の素子
温Ｘ０（目標の制御点）を挟んで２点の素子温Ｘ１，Ｘ
２を設定し、その素子温Ｘ１，Ｘ２での素子インピーダ
ンスＲＸ１，ＲＸ２を検出する。また、素子温Ｘ１，Ｘ
２での基本特性上の実インピーダンスＲｒｅ１，Ｒｒｅ
２を推定する。この場合、センサ特性が図の基本特性Ａ
から特性Ｂに変化していれば、素子インピーダンスＲＸ
１，ＲＸ２（検出値）と実インピーダンスＲｒｅ１，Ｒ
ｒｅ２とに図示の如く差が生じ、その各々の差「ＲＸ１
−Ｒｒｅ１」、「ＲＸ２−Ｒｒｅ２」により目標値Ｒｔ
ｇを補正する。すなわち、「（ＲＸ１−Ｒｒｅ１）／２
＋（ＲＸ２−Ｒｒｅ２）／２」を補正量として算出し、
その補正量を目標値Ｒｔｇに加算して新たな目標値（図
のＲｔｇ'）を算出する。

【００５９】要するに、図１０からも分かるように、セ
ンサ特性の変化前と変化後と比較した場合、素子温に応
じてインピーダンスの変化量が相違する。それ故、２点
の実インピーダンスを用いて目標値を補正することによ
り、１点の実インピーダンスを用いて目標値を補正する
場合に比べて補正の精度が向上する。勿論、実インピー
ダンスを推定するためのポイントは、３点以上であって
も良い。

【００６０】（２）図１１に示す関係を用い、その都度
のヒータ電力からインピーダンス補正量を算出し、その
インピーダンス補正量により素子インピーダンスの目標
値Ｒｔｇを補正する。図１１では、素子インピーダンス
を目標値に制御するために必要なヒータの基準電力に基
づき、その基準電力からのずれ分Ｚにより補正量が算出
される。この場合、補正量の算出処理を簡易に実施する
ことができる。なお、図１１の関係において、排気によ
るガス濃度センサ１００の加熱要因（センサ温度の外部
要因）を反映させるようにしても良い。つまり、その都
度のヒータ電力に加え、センサ加熱の度合により補正量
を算出する。因みに、センサ加熱の度合が大きい場合に
は、ヒータによる加熱が不要となることから、基準電力
が小さくなるよう、特性線自体を図１１の左側にシフト
させると良い。

【００６１】また、ガス濃度センサ１００に関してセン
サ温度の外部要因が変化しない状態であることを条件
に、素子インピーダンスの目標値Ｒｔｇの補正を実施す
る。例えば、排気によるガス濃度センサ１００の加熱要
因がないことを条件に、前記目標値Ｒｔｇの補正を実施
する。更に、エンジンが停止していることを条件に、素
子インピーダンスの目標値Ｒｔｇの補正を実施する。こ
の場合、排気によるセンサ加熱の度合を考慮しなくて良
いため、前記図７の関係を用いて基本特性上の実インピ
ーダンスＲｒｅを推定する。

【００６２】上記補正処理の実施に際し、その時得られ
た補正量を学習値としてバックアップＲＡＭ等（バック
アップ用のメモリ）に記憶保持するようにしても良い。
そして、学習値が得られた後、その学習値を用いて補正
処理を実施する。このとき、補正により基本特性を書き
換える構成であっても良い。これにより、経時変化によ
り劣化が進行する際にも、その状況を容易に且つ確実に
反映しつつヒータ制御が実施できる。また、エンジンの
運転停止時に、上記補正処理を実施する構成であっても
良い。

【００６３】マイコン１７０により「ヒータ抵抗検出手
段」を実現し、予め規定したヒータ抵抗と素子インピー
ダンスとの関係を示す基本特性に基づいて素子インピー
ダンスの目標値を補正する構成とすることも可能であ
る。これは前述した図５のフローチャートを一部修正し
て実現できる。具体的には、マイコン１７０は、前記図
５のステップ１４４においてヒータ電力の算出の処理に
代えて、ヒータ抵抗の算出の処理を実施する（ヒータ抵
抗＝ヒータ電圧／ヒータ電流）。そして、続くステップ
１４５において、図１２に示す関係を用い、その時々の
ヒータ抵抗に対応する素子インピーダンス（基本特性上
の実インピーダンスＲｒｅ１）を推定する。この場合、
素子インピーダンスが目標値Ｒｔｇに保持されていれば
本来ヒータ抵抗がＲｈ１となるが、実際にはヒータ抵抗
がＲｈ２であった場合、その時の実インピーダンスはＲ
ｒｅ１であると推定される。そして、マイコン１７０
は、前述の通り検出インピーダンスＲｉｐと実インピー
ダンスＲｒｅとの差分に応じて目標値Ｒｔｇを補正す
る。

【００６４】更に、マイコン１７０により「素子温度検
出手段」を実現し、予め規定した素子温度と素子インピ
ーダンスとの関係を示す基本特性に基づいて素子インピ
ーダンスの目標値を補正する構成とすることも可能であ
る。素子温度を検出するには、ガス濃度センサ１００の
各セルを構成する固体電解質１４１，１４２に熱電対を
取り付けて素子温度を実測する方法（温度実測値を求め
る方法）、排気温度センサによる排気温度の検出値から
素子温度を推定する方法、排気流量センサによる排気流
量の検出値から素子温度を推定する方法等が適用でき
る。このとき、排気温度や排気流量に加えてエンジン回
転数を考慮すれば、素子温度の検出精度が向上する。

【００６５】具体的には、マイコン１７０は、前記図５
のステップ１４４においてヒータ電力の算出の処理に代
えて、素子温度の算出の処理を実施する。そして、続く
ステップ１４５において、図１３に示す関係を用い、そ
の時々の素子温度に対応する素子インピーダンス（基本
特性上の実インピーダンスＲｒｅ１）を推定する。この
場合、素子インピーダンスが目標値Ｒｔｇに保持されて
いれば本来素子温度がＴ１となるが、実際には素子温度
がＴ２であった場合、その時の実インピーダンスはＲｒ
ｅ１であると推定される。そして、マイコン１７０は、
前述の通り検出インピーダンスＲｉｐと実インピーダン
スＲｒｅとの差分に応じて目標値Ｒｔｇを補正する。

【００６６】以上、図１２や図１３を用いた補正手法で
あっても、結果的に基本特性に即したヒータ制御が可能
となる。その結果、上記ヒータ電力を用いた場合と同様
に、ガス濃度センサ１００の各セルが常に適正な活性状
態で保持され、当該センサ１００の検出精度を向上させ
ることができる。

【００６７】上記実施の形態では、ポンプセル１１０の
素子インピーダンスＲｉｐを検出し、そのＲｉｐが目標
値Ｒｔｇになるようヒータ通電を制御したが、これに代
えて、センサセル１３０の素子インピーダンスを検出
し、その素子インピーダンスが目標値になるようヒータ
通電を制御しても良い。又は、インピーダンスに代え
て、その逆数であるアドミタンスを演算するようにして
も良い。何れにしろ、ポンプセル（第１セル）又はセン
サセル（第２セル）が設けられる固体電解質素子に対し
て印加する電圧又は電流を操作しその時の電圧変化及び
電流変化から素子抵抗を検出する構成であれば良い。

【００６８】素子インピーダンスの目標値Ｒｔｇに対す
る補正量に基づき、ガス濃度センサ１００の劣化の有無
を判定するよう構成しても良い。つまり、ガス濃度セン
サ１００の劣化が進行すると、素子インピーダンスの目
標値Ｒｔｇに対する補正量が増大する。そのことから、
当該補正量によりセンサ劣化が適正に判定できる。具体
的には、その都度の補正量が所定の劣化判定値を越えれ
ば、劣化発生の旨を判定する。

【００６９】別構成のガス濃度センサ２００を図１４に
より説明する。このガス濃度センサ２００においても、
既述の通りガス濃度の検出精度が向上することに変わり
ない。ガス濃度センサ２００は、ポンプセル、センサセ
ル及びモニタセルからなる３セル構造を有し、排ガス中
の酸素濃度とＮＯｘ濃度とを同時に検出可能な、いわゆ
る複合型ガスセンサとして具体化されている。なお、図
１４（ａ）は、センサ素子の先端部構造を示す断面図で
あり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ線断面図
である。

【００７０】ガス濃度センサ２００において、酸素イオ
ン伝導性材料からなる固体電解質（固体電解質素子）２
４１，２４２は板状をなし、アルミナ等の絶縁材料から
なるスペーサ２４３を介して図の上下に所定間隔を隔て
て積層されている。このうち、図の上側の固体電解質２
４１にはピンホール２４１ａが形成されており、このピ
ンホール２４１ａを介して当該センサ周囲の排ガスが第
１チャンバー２４４内に導入される。第１チャンバー２
４４は、絞り部２４５を介して第２チャンバー２４６に
連通している。符号２４７は多孔質拡散層である。

【００７１】図の下側の固体電解質２４２には、第１チ
ャンバー２４４に面するようにしてポンプセル２１０が
設けられており、ポンプセル２１０は、第１チャンバー
２４４内に導入した排ガス中の酸素を排出又は汲み込む
働きをすると共に、その際に排ガス中の酸素濃度を検出
する。ここで、ポンプセル２１０は、固体電解質２４２
を挟んで上下一対の電極２１１，２１２を有し、そのう
ち特に第１チャンバー２４４側の電極２１１はＮＯｘ不
活性電極（ＮＯｘガスを分解し難い電極）である。ポン
プセル２１０は、第１チャンバー２４４内に存在する酸
素を分解して電極２１２より大気通路２５０側に排出す
る。

【００７２】また、図の上側の固体電解質２４１には、
第２チャンバー２４６に面するようにしてモニタセル２
２０及びセンサセル２３０が設けられている。モニタセ
ル２２０は、第２チャンバー２４６内の残留酸素濃度に
応じて起電力、又は電圧印加に伴い電流出力を発生す
る。また、センサセル２３０は、ポンプセル２１０を通
過した後のガスからＮＯｘ濃度を検出する。

【００７３】特に本実施の形態では、図１４（ｂ）に示
すように、排ガスの流れ方向に対して同等位置になるよ
う、モニタセル２２０及びセンサセル２３０が並列に配
置されると共に、これら各セル２２０，２３０の大気通
路２４８側の電極が共通電極２２２となっている。すな
わち、モニタセル２２０は、固体電解質２４１とそれを
挟んで対向配置された電極２２１及び共通電極２２２と
からなり、センサセル２３０は、同じく固体電解質２４
１とそれを挟んで対向配置された電極２３１及び共通電
極２２２とからなる。なお、モニタセル２２０の電極２
２１（第２チャンバー２４６側の電極）はＮＯｘガスに
不活性なＡｕ−Ｐｔ等の貴金属からなるのに対し、セン
サセル２３０の電極２３１（第２チャンバー２４６側の
電極）はＮＯｘガスに活性なＰｔ等の貴金属からなる。

【００７４】固体電解質２４２の図の下面には絶縁層２
４９が設けられ、この絶縁層２４９により大気通路２５
０が形成されている。また、絶縁層２４９には、センサ
全体を加熱するためのヒータ２５１が埋設されている。
ヒータ２５１はポンプセル２１０、モニタセル２２０及
びセンサセル２３０を含めたセンサ全体を活性状態にす
べく、外部からの給電により熱エネルギーを発生させ
る。

【００７５】上記構成のガス濃度センサ２００におい
て、排ガスは多孔質拡散層２４７及びピンホール２４１
ａを通って第１チャンバー２４４に導入される。そし
て、この排ガスがポンプセル２１０近傍を通過する際、
ポンプセル２１０の電極２１１，２１２間に電圧を印加
することで分解反応が起こり、第１チャンバー２４４内
の酸素濃度に応じてポンプセル２１０を介して酸素が出
し入れされる。なおこのとき、第１チャンバー２４４側
の電極２１１がＮＯｘ不活性電極であるので、ポンプセ
ル２１０では排ガス中のＮＯｘは分解されず、酸素のみ
が分解されて大気通路２５０に排出される。そして、ポ
ンプセル２１０に流れた電流により、排ガス中に含まれ
る酸素濃度が検出される。

【００７６】その後、ポンプセル２１０近傍を通過した
排ガスは第２チャンバー２４６に流れ込み、モニタセル
２２０では、ガス中の残留酸素濃度に応じた出力が発生
する。モニタセル２２０の出力は、該モニタセル２２０
の電極２２１，２２２間に所定の電圧を印加すること
で、モニタセル電流として検出される。また、センサセ
ル２３０の電極２３１，２２２間に所定の電圧を印加す
ることでガス中のＮＯｘが還元分解され、その際発生す
る酸素が大気通路２４８に排出される。その際、センサ
セル２３０に流れた電流により、排ガス中に含まれるＮ
Ｏｘ濃度が検出される。

【００７７】ガス濃度センサとしては、３セル構造のセ
ンサの他、４セル構造のセンサであっても良い。或い
は、５つ以上のセルを有するセンサ構造であっても良
い。要は、酸素排出又は汲み込み用の第１セルと特定ガ
ス成分の濃度検出用の第２セルとを少なくとも有する構
造であれば良い。３つ以上のセルを有するガス濃度セン
サでは、ヒータ制御に使用するための素子インピーダン
スを検出するセルを、第１セル又は第２セル以外のセル
としても良い。この場合、使用するセルの特性に合わせ
て本発明を適用すればよい。

【００７８】また、ＮＯｘ濃度を検出可能なガス濃度セ
ンサの他に、特定ガス成分としてのＨＣやＣＯの濃度を
検出可能なガス濃度センサにも適用できる。この場合、
第１セル（ポンプセル）にて被検出ガス中の余剰酸素を
排出し、第２セル（センサセル）にて余剰酸素排出後の
ガス成分からＨＣ又はＣＯを分解してＨＣ濃度又はＣＯ
濃度を検出する。更に、排ガス以外のガスを被検出ガス
とすることも可能である。かかる構成においても、本発
明を適用することによりガス濃度の検出精度が向上す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明の実施の形態におけるガス濃度検出装置の
概要を示す構成図。

【図２】ガス濃度センサの各セルの特性を示すＶ−Ｉ特
性図。

【図３】マイコンによるメインルーチンを示すフローチ
ャート。

【図４】素子インピーダンスの検出手順を示すフローチ
ャート。

【図５】ヒータ通電の制御手順を示すフローチャート。

【図６】素子温と素子インピーダンスとの関係を示す
図。

【図７】ヒータ電力と素子インピーダンスとの関係を示
す図。

【図８】ヒータ電力と素子インピーダンスとの関係を示
す図。

【図９】素子インピーダンスの目標値補正の概要を説明
するための図。

【図１０】素子温と素子インピーダンスとの関係を示す
図。

【図１１】ヒータ電力とインピーダンス補正量との関係
を示す図。

【図１２】ヒータ抵抗と素子インピーダンスとの関係を
示す図。

【図１３】素子温度と素子インピーダンスとの関係を示
す図。

【図１４】別のガス濃度センサの構成を示す断面図。

【符号の説明】

１００…ガス濃度センサ、１１０…ポンプセル（第１セ
ル）、１３０…センサセル（第２セル）、１４１，１４
２…固体電解質、１４４…第１チャンバー、１４６…第
２チャンバー、１５１…ヒータ、１７０…マイコン、１
７５…ヒータ制御回路、２００…ガス濃度センサ、２１
０…ポンプセル（第１セル）、２３０…センサセル（第
２セル）、２４１，２４２…固体電解質、２４４…第１
チャンバー、２４６…第２チャンバー、２５１…ヒー
タ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｆ０２Ｄ 45/00 Ｆ０２Ｄ 45/00 ３６８Ｆ３６８３６８ＨＧ０１Ｎ 27/04 ＺＧ０１Ｎ 27/04 27/26 ３７１Ｄ 27/26 ３７１３９１Ｚ３９１ 27/46 ３３１ 27/419 ３２７Ｑ３２７Ｃ３２７Ｅ３２７Ｇ (72)発明者田中章夫愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地株式会社デンソー内Ｆターム(参考） 2G060 AA08 AD01 AE27 AE33 AF07 AG11 GA03 HA01 HC02 HE01 KA03 3G084 BA00 CA01 CA02 CA07 DA04 DA10 EA07 EB17 FA07 FA10 FA20 FA27 FA28 FA33

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】チャンバーに導入した被検出ガス中の酸素
を排出又は汲み込む第１セルと、該第１セルを通過した
後のガスから特定ガス成分の濃度を検出するための第２
セルと、少なくともこれら第１セル及び第２セルを加熱
するヒータとを備えるガス濃度センサを用いたガス濃度
センサのヒータ制御装置において、少なくとも第１セル又は第２セルが設けられる固体電解
質素子に対して印加する電圧又は電流を操作しその時の
電圧変化及び電流変化から素子抵抗を検出する素子抵抗
検出手段と、前記検出した素子抵抗とその目標値との偏差に応じてヒ
ータの通電を制御するヒータ制御手段と、ヒータに投入した電力を算出するヒータ電力算出手段
と、予め規定したヒータ電力と素子抵抗との関係を示す基本
特性に基づいて前記素子抵抗の目標値を補正する補正手
段と、を備えることを特徴とするガス濃度センサのヒー
タ制御装置。
【請求項２】チャンバーに導入した被検出ガス中の酸素
を排出又は汲み込む第１セルと、該第１セルを通過した
後のガスから特定ガス成分の濃度を検出するための第２
セルと、少なくともこれら第１セル及び第２セルを加熱
するヒータとを備えるガス濃度センサを用いたガス濃度
センサのヒータ制御装置において、少なくとも第１セル又は第２セルが設けられる固体電解
質素子に対して印加する電圧又は電流を操作しその時の
電圧変化及び電流変化から素子抵抗を検出する素子抵抗
検出手段と、前記検出した素子抵抗とその目標値との偏差に応じてヒ
ータの通電を制御するヒータ制御手段と、ヒータの抵抗値を検出するヒータ抵抗検出手段と、予め規定したヒータ抵抗と素子抵抗との関係を示す基本
特性に基づいて前記素子抵抗の目標値を補正する補正手
段と、を備えることを特徴とするガス濃度センサのヒー
タ制御装置。
【請求項３】チャンバーに導入した被検出ガス中の酸素
を排出又は汲み込む第１セルと、該第１セルを通過した
後のガスから特定ガス成分の濃度を検出するための第２
セルと、少なくともこれら第１セル及び第２セルを加熱
するヒータとを備えるガス濃度センサを用いたガス濃度
センサのヒータ制御装置において、少なくとも第１セル又は第２セルが設けられる固体電解
質素子に対して印加する電圧又は電流を操作しその時の
電圧変化及び電流変化から素子抵抗を検出する素子抵抗
検出手段と、前記検出した素子抵抗とその目標値との偏差に応じてヒ
ータの通電を制御するヒータ制御手段と、前記固体電解質素子の温度を検出する素子温度検出手段
と、予め規定した素子温度と素子抵抗との関係を示す基本特
性に基づいて前記素子抵抗の目標値を補正する補正手段
と、を備えることを特徴とするガス濃度センサのヒータ
制御装置。
【請求項４】エンジン排気管にガス濃度センサが設けら
れ、エンジンから排出される排ガスを当該センサにより
検出するエンジン制御装置に適用され、前記素子温度検
出手段により検出される素子温度は、固体電解質素子の
温度実測値、若しくは排気温度や排気流量から推定した
値である請求項３に記載のガス濃度センサのヒータ制御
装置。
【請求項５】前記補正手段は、前記基本特性のパラメー
タに応じて当該特性上の素子抵抗を推定し、その推定値
と前記検出した素子抵抗とから前記素子抵抗の目標値を
補正する請求項１〜４の何れかに記載のガス濃度センサ
のヒータ制御装置。
【請求項６】前記補正手段は、目標の制御点を挟む少な
くとも２点で基本特性上の素子抵抗を推定し、それら各
点の推定値と前記検出した素子抵抗とから前記素子抵抗
の目標値を補正する請求項１〜４の何れかに記載のガス
濃度センサのヒータ制御装置。
【請求項７】前記補正手段は、素子抵抗を目標値に制御
するために必要な基本特性上の基準値に基づき、その基
準値からのずれ分により補正量を算出する請求項１〜４
の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
【請求項８】ガス濃度センサが晒される環境下において
センサ温度の外部要因を反映しつつ、前記補正手段によ
る目標値の補正を実施する請求項１〜７の何れかに記載
のガス濃度センサのヒータ制御装置。
【請求項９】ガス濃度センサに関してセンサ温度の外部
要因が変化しない状態であることを条件に、前記補正手
段による目標値の補正を実施する請求項１〜７の何れか
に記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
【請求項１０】エンジン排気管にガス濃度センサが設け
られ、エンジンから排出される排ガスを当該センサによ
り検出するエンジン制御装置に適用され、エンジンが停
止していることを条件に、前記補正手段による目標値の
補正を実施する請求項１〜７の何れかに記載のガス濃度
センサのヒータ制御装置。
【請求項１１】前記補正手段による補正量を学習値とし
てバックアップ用のメモリに記憶保持する請求項１〜１
０の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
【請求項１２】前記補正手段により得られる補正量に基
づきガス濃度センサの劣化の有無を判定する請求項１〜
１１の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装
置。