JP2003048992A - ポリテトラフルオロエチレンファインパウダー、それから得られるポリテトラフルオロエチレン成形体およびその製造方法 - Google Patents
ポリテトラフルオロエチレンファインパウダー、それから得られるポリテトラフルオロエチレン成形体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ３〜３０ＧＨｚという高周波領域における各
種電気特性および機械的特性に優れたポリテトラフルオ
ロエチレン成形体、特に高周波絶縁用のＰＴＦＥ成形
体、該成形体を与え得る押出成形性に優れたＰＴＦＥフ
ァインパウダーおよびその製造法を提供する。 【解決手段】 標準比重が２．１８０〜２．２２５であ
るポリテトラフルオロエチレンファインパウダーをフッ
素ラジカル源と接触させて得られる標準比重が２．１８
０〜２．２２５であるポリテトラフルオロエチレンファ
インパウダーであって、焼成後、５〜５０℃／秒で放冷
して得られる前記パウダーからなるフィルムの１２ＧＨ
ｚにおけるｔａｎδが２．０×１０-4以下である。
種電気特性および機械的特性に優れたポリテトラフルオ
ロエチレン成形体、特に高周波絶縁用のＰＴＦＥ成形
体、該成形体を与え得る押出成形性に優れたＰＴＦＥフ
ァインパウダーおよびその製造法を提供する。 【解決手段】 標準比重が２．１８０〜２．２２５であ
るポリテトラフルオロエチレンファインパウダーをフッ
素ラジカル源と接触させて得られる標準比重が２．１８
０〜２．２２５であるポリテトラフルオロエチレンファ
インパウダーであって、焼成後、５〜５０℃／秒で放冷
して得られる前記パウダーからなるフィルムの１２ＧＨ
ｚにおけるｔａｎδが２．０×１０-4以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、３〜３０ＧＨｚと
いう高周波領域における各種電気特性および機械的特性
に優れたポリテトラフルオロエチレン成形体、特に高周
波絶縁用のＰＴＦＥ成形体、該成形体を与え得る押出成
形性に優れたＰＴＦＥファインパウダーおよびその製造
方法に関する。
いう高周波領域における各種電気特性および機械的特性
に優れたポリテトラフルオロエチレン成形体、特に高周
波絶縁用のＰＴＦＥ成形体、該成形体を与え得る押出成
形性に優れたＰＴＦＥファインパウダーおよびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電波を使用した通信手段の発展は目覚し
いものがある。使用電波も送信する情報量の増加に伴っ
て、ますます高周波数領域が使用される傾向にある。た
とえば無線ＬＡＮや携帯電話には周波数３００ＭＨｚま
でのＵＨＦが使用されているが、これから開発の中心と
なる高周波無線ＬＡＮや衛星通信、携帯電話基地局など
には３〜３０ＧＨｚのマイクロ波が使用される。
いものがある。使用電波も送信する情報量の増加に伴っ
て、ますます高周波数領域が使用される傾向にある。た
とえば無線ＬＡＮや携帯電話には周波数３００ＭＨｚま
でのＵＨＦが使用されているが、これから開発の中心と
なる高周波無線ＬＡＮや衛星通信、携帯電話基地局など
には３〜３０ＧＨｚのマイクロ波が使用される。
【０００３】こうした高周波を使用する場合、コネクタ
などの電気部品やケーシング、同軸ケーブルなどの通信
機器に使用する資材の材料には、安定して低い誘電率
（εｒ）や、低い誘電正接（ｔａｎ δ）といった電気
的特性と、成形加工が容易なこと、さらにはメッキやハ
ンダ付けに耐えられる耐熱性などが要求される。そこ
で、従来、電気的特性に優れたフッ素系の樹脂が使用さ
れている。
などの電気部品やケーシング、同軸ケーブルなどの通信
機器に使用する資材の材料には、安定して低い誘電率
（εｒ）や、低い誘電正接（ｔａｎ δ）といった電気
的特性と、成形加工が容易なこと、さらにはメッキやハ
ンダ付けに耐えられる耐熱性などが要求される。そこ
で、従来、電気的特性に優れたフッ素系の樹脂が使用さ
れている。
【０００４】通信機器に使用されているフッ素系樹脂に
は、溶融加工できないポリテトラフルオロエチレン（テ
トラフルオロエチレン（以下、ＴＦＥと略す）の単独重
合体）やＴＦＥと微量のフッ素系モノマーを共重合して
得られた共重合体（いわゆる変性ＰＴＦＥ。以下、併せ
て「ＰＴＦＥ」という））のほか、溶融加工可能なテト
ラフルオロエチレン（ＴＦＥ）−ヘキサフルオロプロピ
レン（以下、ＨＦＰと略す）共重合体（ＦＥＰ、ＨＦＰ
含量６．９モル％以上）およびＴＦＥ−パーフルオロ
（アルキルビニルエーテル）（以下、ＰＡＶＥと略す）
共重合体（ＰＦＡ、ＰＡＶＥ含量１．５モル％以上）な
どがある。
は、溶融加工できないポリテトラフルオロエチレン（テ
トラフルオロエチレン（以下、ＴＦＥと略す）の単独重
合体）やＴＦＥと微量のフッ素系モノマーを共重合して
得られた共重合体（いわゆる変性ＰＴＦＥ。以下、併せ
て「ＰＴＦＥ」という））のほか、溶融加工可能なテト
ラフルオロエチレン（ＴＦＥ）−ヘキサフルオロプロピ
レン（以下、ＨＦＰと略す）共重合体（ＦＥＰ、ＨＦＰ
含量６．９モル％以上）およびＴＦＥ−パーフルオロ
（アルキルビニルエーテル）（以下、ＰＡＶＥと略す）
共重合体（ＰＦＡ、ＰＡＶＥ含量１．５モル％以上）な
どがある。
【０００５】これらのフッ素系樹脂は開始剤の種類にも
よるが、その末端に−ＣＦ2Ｈ、−ＣＨ2ＯＨ、−Ｃ
Ｈ3、−ＣＯＦ、−ＣＯＯＨなどの基が生じている。こ
れらの末端基が熱的に不安定であり、また撥水性を損な
うことがある。そこで、これらの末端不安定基を安定化
するためにフッ素化することはすでに知られている（特
公昭４６−２３２４５号公報、特開平１０−１４７６１
７号公報、特許第２９２１０２６号公報など）。
よるが、その末端に−ＣＦ2Ｈ、−ＣＨ2ＯＨ、−Ｃ
Ｈ3、−ＣＯＦ、−ＣＯＯＨなどの基が生じている。こ
れらの末端基が熱的に不安定であり、また撥水性を損な
うことがある。そこで、これらの末端不安定基を安定化
するためにフッ素化することはすでに知られている（特
公昭４６−２３２４５号公報、特開平１０−１４７６１
７号公報、特許第２９２１０２６号公報など）。
【０００６】しかしながら、不安定末端基のフッ素化に
より、高周波特性などの電気特性が向上することは知ら
れていない。
より、高周波特性などの電気特性が向上することは知ら
れていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記課題を
解決するものであり、末端不安定基が電気的特性、特に
高周波領域におけるｔａｎδなどの高周波特性に影響を
与えることを発見し、検討を重ねた結果、フッ素系樹脂
のうち、ある標準比重をもつ溶融加工できないＰＴＦＥ
のファインパウダーの末端不安定基をフッ素化すると、
熱安定性だけでなく、加工特性、ｔａｎδなどの高周波
特性も改善されることを見出した。さらに得られる成形
体も高周波特性および機械的特性が改善されていること
を見出し、本発明を完成するに至った。
解決するものであり、末端不安定基が電気的特性、特に
高周波領域におけるｔａｎδなどの高周波特性に影響を
与えることを発見し、検討を重ねた結果、フッ素系樹脂
のうち、ある標準比重をもつ溶融加工できないＰＴＦＥ
のファインパウダーの末端不安定基をフッ素化すると、
熱安定性だけでなく、加工特性、ｔａｎδなどの高周波
特性も改善されることを見出した。さらに得られる成形
体も高周波特性および機械的特性が改善されていること
を見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、標準
比重が２．１８０〜２．２２５であるポリテトラフルオ
ロエチレンファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触
させて得られる標準比重が２．１８０〜２．２２５であ
るポリテトラフルオロエチレンファインパウダーであっ
て、下記条件で作製したサンプルフィルムを用いて、下
記方法で測定した１２ＧＨｚにおけるｔａｎδが２．０
×１０-4以下である、ポリテトラフルオロエチレンファ
インパウダー。
比重が２．１８０〜２．２２５であるポリテトラフルオ
ロエチレンファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触
させて得られる標準比重が２．１８０〜２．２２５であ
るポリテトラフルオロエチレンファインパウダーであっ
て、下記条件で作製したサンプルフィルムを用いて、下
記方法で測定した１２ＧＨｚにおけるｔａｎδが２．０
×１０-4以下である、ポリテトラフルオロエチレンファ
インパウダー。
【０００９】（サンプルフィルムの作製条件）前記フッ
素化ＰＴＦＥファインパウダーを円柱状に圧縮成形す
る。この円柱から切出した厚さ０．５ｍｍのフィルムを
熱風循環式電気炉で３８０℃にて５分間加熱焼成する。
ついで直ちに常温（２５℃）の大気中に取り出し、５〜
５０℃／秒で常温にまで放冷してサンプルフィルムを作
製する。
素化ＰＴＦＥファインパウダーを円柱状に圧縮成形す
る。この円柱から切出した厚さ０．５ｍｍのフィルムを
熱風循環式電気炉で３８０℃にて５分間加熱焼成する。
ついで直ちに常温（２５℃）の大気中に取り出し、５〜
５０℃／秒で常温にまで放冷してサンプルフィルムを作
製する。
【００１０】（ｔａｎδ測定方法）ネットワークアナラ
イザーを使用し、空洞共振器により前記作製されたフィ
ルムの共振周波数およびＱ値の変化を測定し、１２ＧＨ
ｚにおけるｔａｎδを次式にしたがって算出する。 ｔａｎδ＝（１／Ｑｕ）×｛１＋（Ｗ2／Ｗ1）｝−（Ｐ
ｃ／ωＷ1）
イザーを使用し、空洞共振器により前記作製されたフィ
ルムの共振周波数およびＱ値の変化を測定し、１２ＧＨ
ｚにおけるｔａｎδを次式にしたがって算出する。 ｔａｎδ＝（１／Ｑｕ）×｛１＋（Ｗ2／Ｗ1）｝−（Ｐ
ｃ／ωＷ1）
【００１１】
【数２】
【００１２】ただし、式中の記号はつぎのものである。
Ｄ：空洞共振器直径（ｍｍ）
Ｍ：空洞共振器片側長さ（ｍｍ）
Ｌ：サンプル長さ（ｍｍ）
ｃ：光速（ｍ／ｓ）
Ｉｄ：減衰量（ｄＢ）
Ｆ0：共振周波数（Ｈｚ）
Ｆ1：共振点からの減衰量が３ｄＢである上側周波数
（Ｈｚ） Ｆ2：共振点からの減衰量が３ｄＢである下側周波数
（Ｈｚ） ε0：真空の誘電率（Ｈ／ｍ） εr：サンプルの比誘電率 μ0：真空の透磁率（Ｈ／ｍ） Ｒｓ：導体空洞の表面粗さも考慮した実効表面抵抗
（Ω） Ｊ0：−０．４０２７５９ Ｊ1：３．８３１７１ に関する。
（Ｈｚ） Ｆ2：共振点からの減衰量が３ｄＢである下側周波数
（Ｈｚ） ε0：真空の誘電率（Ｈ／ｍ） εr：サンプルの比誘電率 μ0：真空の透磁率（Ｈ／ｍ） Ｒｓ：導体空洞の表面粗さも考慮した実効表面抵抗
（Ω） Ｊ0：−０．４０２７５９ Ｊ1：３．８３１７１ に関する。
【００１３】前記ｔａｎδが１．８×１０-4以下である
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【００１４】前記ポリテトラフルオロエチレンファイン
パウダーの平均粒径が２００〜８００μｍであることが
好ましい。
パウダーの平均粒径が２００〜８００μｍであることが
好ましい。
【００１５】また、前記ポリテトラフルオロエチレンフ
ァインパウダーからなるポリテトラフルオロエチレン成
形体に関する。
ァインパウダーからなるポリテトラフルオロエチレン成
形体に関する。
【００１６】また、前記ポリテトラフルオロエチレン成
形体で被覆された高周波通信用同軸ケーブルに関する。
形体で被覆された高周波通信用同軸ケーブルに関する。
【００１７】また、前記ポリテトラフルオロエチレン成
形体で被覆された高周波通信用ＬＡＮケーブルに関す
る。
形体で被覆された高周波通信用ＬＡＮケーブルに関す
る。
【００１８】また、前記ポリテトラフルオロエチレン成
形体からなる絶縁体を有するプリント配線基板に関す
る。
形体からなる絶縁体を有するプリント配線基板に関す
る。
【００１９】また、標準比重が２．１８０〜２．２２５
である分子末端に不安定基を有するポリテトラフルオロ
エチレンファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触さ
せるポリテトラフルオロエチレンファインパウダーの製
造方法に関する。
である分子末端に不安定基を有するポリテトラフルオロ
エチレンファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触さ
せるポリテトラフルオロエチレンファインパウダーの製
造方法に関する。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明において使用する原料ＰＴ
ＦＥとしては、前記のＴＦＥの単独重合体でもよいし、
ＴＦＥ９９．９〜９９．９９９９モル％と、式（Ｉ）： ＣＸ2＝ＣＹ（ＣＦ2）nＺ （Ｉ） （式中、Ｘ、ＹおよびＺは同じかまたは異なり、いずれ
も水素原子またはフッ素原子、ｎは１〜５の整数）で示
されるフルオロオレフィン、および式（II）： ＣＦ2＝ＣＦ−ＯＲf （II） （式中、Ｒfは炭素数１〜３のパーフルオロアルキル
基）で示されるパーフルオロ（アルキルビニルエーテ
ル）（以下、ＰＡＶＥと略す）よりなる群から選ばれた
少なくとも１種のモノマー０．０００１〜０．１モル％
との共重合体（変性ＰＴＦＥ）があげられる。なお、前
記のとおり、本明細書では特に断らない限り単独重合体
と変性ＰＴＦＥを併せてＰＴＦＥと表記する。また、区
分けする必要がある場合はフッ素化前のＰＴＦＥは原料
ＰＴＦＥと、フッ素化されたＰＴＦＥはフッ素化ＰＴＦ
Ｅと称する。
ＦＥとしては、前記のＴＦＥの単独重合体でもよいし、
ＴＦＥ９９．９〜９９．９９９９モル％と、式（Ｉ）： ＣＸ2＝ＣＹ（ＣＦ2）nＺ （Ｉ） （式中、Ｘ、ＹおよびＺは同じかまたは異なり、いずれ
も水素原子またはフッ素原子、ｎは１〜５の整数）で示
されるフルオロオレフィン、および式（II）： ＣＦ2＝ＣＦ−ＯＲf （II） （式中、Ｒfは炭素数１〜３のパーフルオロアルキル
基）で示されるパーフルオロ（アルキルビニルエーテ
ル）（以下、ＰＡＶＥと略す）よりなる群から選ばれた
少なくとも１種のモノマー０．０００１〜０．１モル％
との共重合体（変性ＰＴＦＥ）があげられる。なお、前
記のとおり、本明細書では特に断らない限り単独重合体
と変性ＰＴＦＥを併せてＰＴＦＥと表記する。また、区
分けする必要がある場合はフッ素化前のＰＴＦＥは原料
ＰＴＦＥと、フッ素化されたＰＴＦＥはフッ素化ＰＴＦ
Ｅと称する。
【００２１】前記式（Ｉ）で示されるフルオロオレフィ
ンとしては、たとえばヘキサフルオロプロピレン（以
下、ＨＦＰと略す）などのパーフルオロオレフィン；パ
ーフルオロブチルエチレンなどのフルオロオレフィンな
どがあげられる。これらのうちでは電気特性に優れる点
から、ＨＦＰが好ましい。
ンとしては、たとえばヘキサフルオロプロピレン（以
下、ＨＦＰと略す）などのパーフルオロオレフィン；パ
ーフルオロブチルエチレンなどのフルオロオレフィンな
どがあげられる。これらのうちでは電気特性に優れる点
から、ＨＦＰが好ましい。
【００２２】また、前記式（II）で示されるパーフルオ
ロ（アルキルビニルエーテル）としては、パーフルオロ
（メチルビニルエーテル）（以下、ＰＭＶＥと略す）、
パーフルオロ（エチルビニルエーテル）（以下、ＰＥＶ
Ｅと略す）、パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）
（以下、ＰＰＶＥと略す）があげられる。これらのうち
では電気特性に優れる点から、ＰＭＶＥが好ましい。
ロ（アルキルビニルエーテル）としては、パーフルオロ
（メチルビニルエーテル）（以下、ＰＭＶＥと略す）、
パーフルオロ（エチルビニルエーテル）（以下、ＰＥＶ
Ｅと略す）、パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）
（以下、ＰＰＶＥと略す）があげられる。これらのうち
では電気特性に優れる点から、ＰＭＶＥが好ましい。
【００２３】本発明で使用する原料ＰＴＦＥファインパ
ウダーは乳化剤、特に含フッ素系の乳化剤の存在下に重
合開始剤を用いて乳化分散重合することにより得られ
る。得られる重合体の分子量を低分子量化するには、重
合開始剤の量を増やす、連鎖移動剤を添加する、変性モ
ノマーの添加などの方法が採用される。重合開始剤とし
ては、たとえば過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）、ジコハ
ク酸パーオキサイド（ＤＳＰ）などが、連鎖移動剤とし
てはたとえば水素、メタン、エタン、プロパンなどの炭
化水素、メタノール、エタノールなどの水溶性化合物な
どがあげられる。
ウダーは乳化剤、特に含フッ素系の乳化剤の存在下に重
合開始剤を用いて乳化分散重合することにより得られ
る。得られる重合体の分子量を低分子量化するには、重
合開始剤の量を増やす、連鎖移動剤を添加する、変性モ
ノマーの添加などの方法が採用される。重合開始剤とし
ては、たとえば過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）、ジコハ
ク酸パーオキサイド（ＤＳＰ）などが、連鎖移動剤とし
てはたとえば水素、メタン、エタン、プロパンなどの炭
化水素、メタノール、エタノールなどの水溶性化合物な
どがあげられる。
【００２４】さらに乳化重合法で得られるコロイド一次
粒子を芯−殻構造とすることにより、成形性、とりわけ
ペースト押出成形性を向上させることもできる。芯−殻
構造としては、たとえば芯をＴＦＥの単独重合体で構成
し、殻を変性ＰＴＦＥで構成したものが、ペースト押出
成形性が良好な点から好ましい。
粒子を芯−殻構造とすることにより、成形性、とりわけ
ペースト押出成形性を向上させることもできる。芯−殻
構造としては、たとえば芯をＴＦＥの単独重合体で構成
し、殻を変性ＰＴＦＥで構成したものが、ペースト押出
成形性が良好な点から好ましい。
【００２５】本発明で使用される原料ＰＴＦＥの標準比
重は、２．１８０〜２．２２５である。好ましくは、下
限が２．１９０であり、上限が２．２２０である。原料
ＰＴＦＥの標準比重が２．１８０より小さいと、フッ素
ラジカル源と接触させてフッ素化したときの末端基安定
化の効果が小さく、電気特性の向上も小さい。原料ＰＴ
ＦＥの標準比重が２．２２５をこえると、強度が減少し
成形性が低下し、クラックの発生も多くなる。
重は、２．１８０〜２．２２５である。好ましくは、下
限が２．１９０であり、上限が２．２２０である。原料
ＰＴＦＥの標準比重が２．１８０より小さいと、フッ素
ラジカル源と接触させてフッ素化したときの末端基安定
化の効果が小さく、電気特性の向上も小さい。原料ＰＴ
ＦＥの標準比重が２．２２５をこえると、強度が減少し
成形性が低下し、クラックの発生も多くなる。
【００２６】本発明では前記標準比重を有する原料ＰＴ
ＦＥファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触させる
ことによりフッ素化処理して、末端不安定基を安定化す
る。
ＦＥファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触させる
ことによりフッ素化処理して、末端不安定基を安定化す
る。
【００２７】フッ素化処理の反応温度は、１００〜２５
０℃であることが好ましい。より好ましくは、１１０〜
２００℃である。反応温度が１００℃より低いと、反応
速度が遅くなる傾向にある。反応温度が２５０℃をこえ
ると、原料ＰＴＦＥファインパウダー同士が融着したり
分解揮散する傾向にある。
０℃であることが好ましい。より好ましくは、１１０〜
２００℃である。反応温度が１００℃より低いと、反応
速度が遅くなる傾向にある。反応温度が２５０℃をこえ
ると、原料ＰＴＦＥファインパウダー同士が融着したり
分解揮散する傾向にある。
【００２８】フッ素ラジカル源としては、フッ素ガスの
ほか、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＩＦ3などのハロゲ
ン化フッ化物；ＸｅＦ2、ＸｅＦ4、ＫｒＦ2などの希ガ
スのフッ化物；ＮＦ3、ＮＦ2などの含窒素フッ素化合物
など前記反応温度でガス状の化合物があげられる。なか
でも、取扱い性、価格の点からフッ素ガスが最も好まし
い。フッ素ガスを用いてフッ素化処理をする場合、原料
ＰＴＦＥファインパウダーを１１０〜２５０℃にて、フ
ッ素ガスと１〜１０時間接触させる。好ましくは、反応
温度１８０〜２３０℃である。また反応時間は、２〜５
時間であることが好ましい。反応圧力は０．１〜１ＭＰ
ａ程度でよく、好ましくは大気圧である。フッ素ガスは
純粋なフッ素ガスでもよく、また窒素ガス、アルゴンガ
ス、ヘリウムガスなどの不活性ガスで５〜２５容量％、
好ましくは７〜２０容量％に希釈して使用してもよい。
ほか、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＩＦ3などのハロゲ
ン化フッ化物；ＸｅＦ2、ＸｅＦ4、ＫｒＦ2などの希ガ
スのフッ化物；ＮＦ3、ＮＦ2などの含窒素フッ素化合物
など前記反応温度でガス状の化合物があげられる。なか
でも、取扱い性、価格の点からフッ素ガスが最も好まし
い。フッ素ガスを用いてフッ素化処理をする場合、原料
ＰＴＦＥファインパウダーを１１０〜２５０℃にて、フ
ッ素ガスと１〜１０時間接触させる。好ましくは、反応
温度１８０〜２３０℃である。また反応時間は、２〜５
時間であることが好ましい。反応圧力は０．１〜１ＭＰ
ａ程度でよく、好ましくは大気圧である。フッ素ガスは
純粋なフッ素ガスでもよく、また窒素ガス、アルゴンガ
ス、ヘリウムガスなどの不活性ガスで５〜２５容量％、
好ましくは７〜２０容量％に希釈して使用してもよい。
【００２９】フッ素ラジカル源の添加量は、反応温度や
反応時間、フッ素ラジカル源の種類などによって異なる
が、フッ素原子に換算して、原料ＰＴＦＥファインパウ
ダー１００重量部（以下、「部」という）に対し、０．
０１〜１部が好ましい。より好ましくは０．１〜０．５
部である。フッ素ラジカル源の添加量が０．０１部より
少ないと、原料ＰＴＦＥのフッ素化が不充分となる傾向
にある。またフッ素ラジカル源の添加量が１部をこえて
も、フッ素化の効果は向上せず、不経済となる傾向にあ
る。
反応時間、フッ素ラジカル源の種類などによって異なる
が、フッ素原子に換算して、原料ＰＴＦＥファインパウ
ダー１００重量部（以下、「部」という）に対し、０．
０１〜１部が好ましい。より好ましくは０．１〜０．５
部である。フッ素ラジカル源の添加量が０．０１部より
少ないと、原料ＰＴＦＥのフッ素化が不充分となる傾向
にある。またフッ素ラジカル源の添加量が１部をこえて
も、フッ素化の効果は向上せず、不経済となる傾向にあ
る。
【００３０】フッ素化処理に使用する反応装置として
は、固―気接触を充分に行なうことができる装置であれ
ば問題なく使用できる。具体的には流動床型、棚段型の
固―気接触反応装置があげられる。
は、固―気接触を充分に行なうことができる装置であれ
ば問題なく使用できる。具体的には流動床型、棚段型の
固―気接触反応装置があげられる。
【００３１】かくして得られるフッ素化ＰＴＦＥファイ
ンパウダーは、−ＣＯＯＨ末端基がフッ素化されて−Ｃ
Ｆ3または−ＣＯＦ基に置き換わる。さらにフッ素化処
理を１８０℃以上の反応温度で行うと、前記−ＣＯＦ基
も−ＣＦ3に置き換わる。
ンパウダーは、−ＣＯＯＨ末端基がフッ素化されて−Ｃ
Ｆ3または−ＣＯＦ基に置き換わる。さらにフッ素化処
理を１８０℃以上の反応温度で行うと、前記−ＣＯＦ基
も−ＣＦ3に置き換わる。
【００３２】前記フッ素化ＰＴＦＥの標準比重は、２．
１８０〜２．２２５である。好ましくは、下限が２．１
９０であり、上限が２．２２０である。フッ素化ＰＴＦ
Ｅの標準比重が２．１８０より小さいと、フッ素化した
末端基安定化の効果が小さく、電気特性の向上も小さ
い。フッ素化ＰＴＦＥの標準比重が２．２２５をこえる
と、強度が減少し成形性が低下し、クラックの発生も多
くなる。なお、フッ素化前後でのＰＴＦＥ標準比重の変
化は誤差範囲内である。
１８０〜２．２２５である。好ましくは、下限が２．１
９０であり、上限が２．２２０である。フッ素化ＰＴＦ
Ｅの標準比重が２．１８０より小さいと、フッ素化した
末端基安定化の効果が小さく、電気特性の向上も小さ
い。フッ素化ＰＴＦＥの標準比重が２．２２５をこえる
と、強度が減少し成形性が低下し、クラックの発生も多
くなる。なお、フッ素化前後でのＰＴＦＥ標準比重の変
化は誤差範囲内である。
【００３３】前記フッ素化ＰＴＦＥファインパウダー
は、平均粒径が２００〜８００μｍであることが好まし
い。より好ましくは、２５０〜６００μｍである。平均
粒径が２００μｍより小さいと、微粉が多くなり、押出
成形時の押出圧力が高くなるため不安定となる傾向にあ
る。平均粒径が８００μｍをこえると、押出助剤が浸透
しにくくなるためムラが多く、押出圧力が不安定となる
傾向にある。
は、平均粒径が２００〜８００μｍであることが好まし
い。より好ましくは、２５０〜６００μｍである。平均
粒径が２００μｍより小さいと、微粉が多くなり、押出
成形時の押出圧力が高くなるため不安定となる傾向にあ
る。平均粒径が８００μｍをこえると、押出助剤が浸透
しにくくなるためムラが多く、押出圧力が不安定となる
傾向にある。
【００３４】本発明のフッ素化ＰＴＦＥファインパウダ
ーは、以下の条件でフィルムを作製し、以下の方法でｔ
ａｎδ値を測定すると、１２ＧＨｚでの誘電正接（ｔａ
ｎδ）が２．０×１０-4以下を示す。１．８×１０-4以
であることが好ましく、１．４×１０-4以上であること
がより好ましい。ｔａｎδが２．０×１０-4をこえる
と、同軸ケーブルにしたときの誘電損失が大きくなる。
ただし、原料ＰＴＦＥの同条件でのｔａｎδは通常２．
０×１０-4を超えている。
ーは、以下の条件でフィルムを作製し、以下の方法でｔ
ａｎδ値を測定すると、１２ＧＨｚでの誘電正接（ｔａ
ｎδ）が２．０×１０-4以下を示す。１．８×１０-4以
であることが好ましく、１．４×１０-4以上であること
がより好ましい。ｔａｎδが２．０×１０-4をこえる
と、同軸ケーブルにしたときの誘電損失が大きくなる。
ただし、原料ＰＴＦＥの同条件でのｔａｎδは通常２．
０×１０-4を超えている。
【００３５】（サンプルフィルムの作製条件）前記フッ
素化ＰＴＦＥファインパウダーを円柱状に圧縮成形す
る。この円柱から切出した厚さ０．５ｍｍのフィルムを
熱風循環式電気炉で３８０℃にて５分間加熱焼成する。
ついで直ちに常温（２５℃）の大気中に取り出し、常温
にまで放冷してサンプルフィルムを作製する。このと
き、放冷速度が重要である。特にＰＴＦＥの結晶化の下
限温度である２９０℃付近までの冷却速度は、電気的特
性に影響を与えるファクターとなる。すなわち、５〜５
０℃／秒の速度で放冷する。放冷速度は、１８〜３０℃
／秒であることが好ましい。この自然放冷によりＰＴＦ
Ｅの結晶化下限温度（約２９０℃）までに冷却される所
要時間は、約２〜１５秒間である（冷却速度約５〜５０
℃／秒）。この点、従来のｔａｎδの測定では徐冷（６
０℃／時間）していたのであるから、本発明の測定方法
は急冷条件といえる。前記急冷条件で得られたサンプル
のｔａｎδの値は高くなる。したがって、前記徐冷条件
で得られたサンプルのｔａｎδの値が低くても、急冷条
件で測定した場合、本発明における２．０×１０-4を超
えるものになる。
素化ＰＴＦＥファインパウダーを円柱状に圧縮成形す
る。この円柱から切出した厚さ０．５ｍｍのフィルムを
熱風循環式電気炉で３８０℃にて５分間加熱焼成する。
ついで直ちに常温（２５℃）の大気中に取り出し、常温
にまで放冷してサンプルフィルムを作製する。このと
き、放冷速度が重要である。特にＰＴＦＥの結晶化の下
限温度である２９０℃付近までの冷却速度は、電気的特
性に影響を与えるファクターとなる。すなわち、５〜５
０℃／秒の速度で放冷する。放冷速度は、１８〜３０℃
／秒であることが好ましい。この自然放冷によりＰＴＦ
Ｅの結晶化下限温度（約２９０℃）までに冷却される所
要時間は、約２〜１５秒間である（冷却速度約５〜５０
℃／秒）。この点、従来のｔａｎδの測定では徐冷（６
０℃／時間）していたのであるから、本発明の測定方法
は急冷条件といえる。前記急冷条件で得られたサンプル
のｔａｎδの値は高くなる。したがって、前記徐冷条件
で得られたサンプルのｔａｎδの値が低くても、急冷条
件で測定した場合、本発明における２．０×１０-4を超
えるものになる。
【００３６】（ｔａｎδ測定方法）ネットワークアナラ
イザーを使用し、空洞共振器により前記作製されたフィ
ルムの共振周波数およびＱ値の変化を測定し、１２ＧＨ
ｚにおけるｔａｎδを次式にしたがって算出する。次式
は、埼玉大学工学部の小林禧夫氏および佐藤純也氏が開
発された計算式（小林禧夫、佐藤純也「誘電体平板材料
のマイクロ波複素誘電率測定」信学技報、ＭＷ８７−
７、１９８７年５月号）にしたがっている。 ｔａｎδ＝（１／Ｑｕ）×｛１＋（Ｗ2／Ｗ1）｝−（Ｐ
ｃ／ωＷ1）
イザーを使用し、空洞共振器により前記作製されたフィ
ルムの共振周波数およびＱ値の変化を測定し、１２ＧＨ
ｚにおけるｔａｎδを次式にしたがって算出する。次式
は、埼玉大学工学部の小林禧夫氏および佐藤純也氏が開
発された計算式（小林禧夫、佐藤純也「誘電体平板材料
のマイクロ波複素誘電率測定」信学技報、ＭＷ８７−
７、１９８７年５月号）にしたがっている。 ｔａｎδ＝（１／Ｑｕ）×｛１＋（Ｗ2／Ｗ1）｝−（Ｐ
ｃ／ωＷ1）
【００３７】
【数３】
【００３８】ただし、式中の記号はつぎのものである。
Ｄ：空洞共振器直径（ｍｍ）
Ｍ：空洞共振器片側長さ（ｍｍ）
Ｌ：サンプル長さ（ｍｍ）
ｃ：光速（ｍ／ｓ）
Ｉｄ：減衰量（ｄＢ）
Ｆ0：共振周波数（Ｈｚ）
Ｆ1：共振点からの減衰量が３ｄＢである上側周波数
（Ｈｚ） Ｆ2：共振点からの減衰量が３ｄＢである下側周波数
（Ｈｚ） ε0：真空の誘電率（Ｈ／ｍ） εr：サンプルの比誘電率 μ0：真空の透磁率（Ｈ／ｍ） Ｒｓ：導体空洞の表面粗さも考慮した実効表面抵抗
（Ω） Ｊ0：−０．４０２７５９ Ｊ1：３．８３１７１
（Ｈｚ） Ｆ2：共振点からの減衰量が３ｄＢである下側周波数
（Ｈｚ） ε0：真空の誘電率（Ｈ／ｍ） εr：サンプルの比誘電率 μ0：真空の透磁率（Ｈ／ｍ） Ｒｓ：導体空洞の表面粗さも考慮した実効表面抵抗
（Ω） Ｊ0：−０．４０２７５９ Ｊ1：３．８３１７１
【００３９】このフッ素化ＰＴＦＥファインパウダー
は、高周波特性に特に優れており、高周波絶縁成形体を
製造する材料として好適である。またこの成形体は、標
準比重が２．２２５より大きいＰＴＦＥファインパウダ
ーをフッ素化したものを、本発明のフッ素化ＰＴＦＥフ
ァインパウダーと混合して、成形されてもよい。
は、高周波特性に特に優れており、高周波絶縁成形体を
製造する材料として好適である。またこの成形体は、標
準比重が２．２２５より大きいＰＴＦＥファインパウダ
ーをフッ素化したものを、本発明のフッ素化ＰＴＦＥフ
ァインパウダーと混合して、成形されてもよい。
【００４０】本発明のフッ素化ＰＴＦＥファインパウダ
ーは溶融加工できないため、ペースト押出成形法、ラム
押出成形法、圧縮成形法などの成形法によって成形加工
する。成形に供するフッ素化ＰＴＦＥの形状はファイン
パウダーのままでも、さらに加工してペレット状やフレ
ーク状にしてもよい。また、チューブ状の成形体または
電線やケーブルの被覆層などとする場合はペースト押出
成形法が好ましく、フィルム状またはシート状、板状な
どの成形体とする場合は圧縮成形法、ペースト押出成形
法、含浸法などが好ましく採用される。
ーは溶融加工できないため、ペースト押出成形法、ラム
押出成形法、圧縮成形法などの成形法によって成形加工
する。成形に供するフッ素化ＰＴＦＥの形状はファイン
パウダーのままでも、さらに加工してペレット状やフレ
ーク状にしてもよい。また、チューブ状の成形体または
電線やケーブルの被覆層などとする場合はペースト押出
成形法が好ましく、フィルム状またはシート状、板状な
どの成形体とする場合は圧縮成形法、ペースト押出成形
法、含浸法などが好ましく採用される。
【００４１】得られた成形体は、通常、続いて焼成され
る。焼成温度は３６０〜４００℃が適当である。また、
本発明においては焼成後の冷却が空気中での放冷（急
冷）であってもｔａｎδの値は小さくなるので、厳しい
温度管理は特に要求されないが、比重の観点からは、少
なくとも２５０℃までは２０℃／分以下の冷却速度で徐
冷することにより、標準比重が２．１８以上、特に２．
１８０〜２．２２５にまで高比重化した成形体が得られ
るため好ましい。
る。焼成温度は３６０〜４００℃が適当である。また、
本発明においては焼成後の冷却が空気中での放冷（急
冷）であってもｔａｎδの値は小さくなるので、厳しい
温度管理は特に要求されないが、比重の観点からは、少
なくとも２５０℃までは２０℃／分以下の冷却速度で徐
冷することにより、標準比重が２．１８以上、特に２．
１８０〜２．２２５にまで高比重化した成形体が得られ
るため好ましい。
【００４２】かくして得られる本発明の成形体は、ＡＳ
ＴＭ Ｄ４８９５に準じて測定した引張強度およびＪＩ
Ｓ Ｋ７１３７−２に準じて測定した引張り伸びがそれ
ぞれ２５〜６０ＭＰａ、好ましくは３０〜４０ＭＰａお
よび４００〜９００％、好ましくは５００〜７００％と
機械的特性に優れたものとなる。
ＴＭ Ｄ４８９５に準じて測定した引張強度およびＪＩ
Ｓ Ｋ７１３７−２に準じて測定した引張り伸びがそれ
ぞれ２５〜６０ＭＰａ、好ましくは３０〜４０ＭＰａお
よび４００〜９００％、好ましくは５００〜７００％と
機械的特性に優れたものとなる。
【００４３】本発明の成形体はマイクロ波領域（３〜３
０ＧＨｚ）における電気特性に優れている。またｔａｎ
δ（１２ＧＨｚ）は２．０×１０-4以下と低く、高周波
特性にも優れている。
０ＧＨｚ）における電気特性に優れている。またｔａｎ
δ（１２ＧＨｚ）は２．０×１０-4以下と低く、高周波
特性にも優れている。
【００４４】本発明の成形体はマイクロ波領域だけでは
なく３０ＧＨｚを超えるミリ波領域でも使用でき、もち
ろん３ＧＨｚより低いＵＨＦ（極超短波）領域でも使用
できる。
なく３０ＧＨｚを超えるミリ波領域でも使用でき、もち
ろん３ＧＨｚより低いＵＨＦ（極超短波）領域でも使用
できる。
【００４５】成形体の形態としては、とくに限定されな
いが、誘電損失が最も問題となり、優れたペースト押出
成形性が要求される同軸ケーブルやＬＡＮケーブル、高
周波通信用電線の絶縁被覆や絶縁チューブとしてとくに
有用である。そのほか、ハンダ付けが必要となるコネク
タ、プリント配線基板としても好適である。本発明の成
形体は優れた耐熱性を有しているので、ハンダ付け時の
耐熱性に問題はない。
いが、誘電損失が最も問題となり、優れたペースト押出
成形性が要求される同軸ケーブルやＬＡＮケーブル、高
周波通信用電線の絶縁被覆や絶縁チューブとしてとくに
有用である。そのほか、ハンダ付けが必要となるコネク
タ、プリント配線基板としても好適である。本発明の成
形体は優れた耐熱性を有しているので、ハンダ付け時の
耐熱性に問題はない。
【００４６】
【実施例】つぎに、本発明を実施例に基づいてさらに具
体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されな
い。
体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されな
い。
【００４７】なお、本発明の実施例で測定した各物性値
はつぎの方法で測定したものである。
はつぎの方法で測定したものである。
【００４８】（コロイド粒子の数平均一次粒径）ＰＴＦ
Ｅ粒子のラテックスを固形分０．１５重量％まで水で希
釈し、希釈したラテックスの単位長さに対する５５０ｎ
ｍの投射光の透過率と、透過型電子顕微鏡写真により定
方向径を測定して決定した数基準長さ平均粒子径とを測
定して作成した検量線を用い、各試料について測定した
上記透過率から決定する。
Ｅ粒子のラテックスを固形分０．１５重量％まで水で希
釈し、希釈したラテックスの単位長さに対する５５０ｎ
ｍの投射光の透過率と、透過型電子顕微鏡写真により定
方向径を測定して決定した数基準長さ平均粒子径とを測
定して作成した検量線を用い、各試料について測定した
上記透過率から決定する。
【００４９】（標準比重）ＡＳＴＭ Ｄ４８９５−８９
にしたがって作製されたサンプルを用い、水置換法によ
って測定する。
にしたがって作製されたサンプルを用い、水置換法によ
って測定する。
【００５０】（誘電正接（ｔａｎδ））ネットワークア
ナライザーとしてヒューレットパッカード社製のＨＰ８
５１０Ｃを使用し、空洞共振器により前記作製されたフ
ィルムの共振周波数およびＱ値の変化を測定し、１２Ｇ
Ｈｚにおけるｔａｎδを次式にしたがって算出する。 ｔａｎδ＝（１／Ｑｕ）×｛１＋（Ｗ2／Ｗ1）｝−（Ｐ
ｃ／ωＷ1）
ナライザーとしてヒューレットパッカード社製のＨＰ８
５１０Ｃを使用し、空洞共振器により前記作製されたフ
ィルムの共振周波数およびＱ値の変化を測定し、１２Ｇ
Ｈｚにおけるｔａｎδを次式にしたがって算出する。 ｔａｎδ＝（１／Ｑｕ）×｛１＋（Ｗ2／Ｗ1）｝−（Ｐ
ｃ／ωＷ1）
【００５１】
【数４】
【００５２】ただし、式中の記号はつぎのものである。
Ｄ：空洞共振器直径（ｍｍ）
Ｍ：空洞共振器片側長さ（ｍｍ）
Ｌ：サンプル長さ（ｍｍ）
ｃ：光速（ｍ／ｓ）
Ｉｄ：減衰量（ｄＢ）
Ｆ0：共振周波数（Ｈｚ）
Ｆ1：共振点からの減衰量が３ｄＢである上側周波数
（Ｈｚ） Ｆ2：共振点からの減衰量が３ｄＢである下側周波数
（Ｈｚ） ε0：真空の誘電率（Ｈ／ｍ） εr：サンプルの比誘電率 μ0：真空の透磁率（Ｈ／ｍ） Ｒｓ：導体空洞の表面粗さも考慮した実効表面抵抗
（Ω） Ｊ0：−０．４０２７５９ Ｊ1：３．８３１７１
（Ｈｚ） Ｆ2：共振点からの減衰量が３ｄＢである下側周波数
（Ｈｚ） ε0：真空の誘電率（Ｈ／ｍ） εr：サンプルの比誘電率 μ0：真空の透磁率（Ｈ／ｍ） Ｒｓ：導体空洞の表面粗さも考慮した実効表面抵抗
（Ω） Ｊ0：−０．４０２７５９ Ｊ1：３．８３１７１
【００５３】実施例１
標準比重が２．２２４の芯−殻構造のＰＴＦＥファイン
パウダー（芯部：ＨＦＰ変性ＰＴＦＥ、殻部：ＨＦＰ変
性ＰＴＦＥ（連鎖移動剤：エタン）、芯部および殻部あ
わせた全体のＨＦＰ変性量０．００１３モル％）２００
ｇを、ＴＦＥ−パーフルオロ（メチルビニルエーテル）
共重合体シートを敷いたトレーに約２０ｍｍの高さに充
填したのち、電気炉内に入れ、１２０℃にてフッ素ガス
／窒素ガス（２０／８０容量比）の混合ガスを１リット
ル／分の流量で５時間通し、フッ素化ＰＴＦＥファイン
パウダーを得た。前記測定法にしたがって数平均一次粒
径を測定した。
パウダー（芯部：ＨＦＰ変性ＰＴＦＥ、殻部：ＨＦＰ変
性ＰＴＦＥ（連鎖移動剤：エタン）、芯部および殻部あ
わせた全体のＨＦＰ変性量０．００１３モル％）２００
ｇを、ＴＦＥ−パーフルオロ（メチルビニルエーテル）
共重合体シートを敷いたトレーに約２０ｍｍの高さに充
填したのち、電気炉内に入れ、１２０℃にてフッ素ガス
／窒素ガス（２０／８０容量比）の混合ガスを１リット
ル／分の流量で５時間通し、フッ素化ＰＴＦＥファイン
パウダーを得た。前記測定法にしたがって数平均一次粒
径を測定した。
【００５４】得られたフッ素化ＰＴＦＥファインパウダ
ーを圧縮成型機により円柱状に圧縮成形した。この円柱
から厚さ０．５ｍｍのフィルムを切出し、熱風循環式電
気炉で３８０℃にて５分間加熱焼成した。ついで直ちに
常温（２５℃）の大気中に取り出し、放冷速度３０℃／
秒にて常温にまで放冷してフィルム成形体を作製した。
前記測定法にしたがってｔａｎδを測定した。結果を表
１に示す。
ーを圧縮成型機により円柱状に圧縮成形した。この円柱
から厚さ０．５ｍｍのフィルムを切出し、熱風循環式電
気炉で３８０℃にて５分間加熱焼成した。ついで直ちに
常温（２５℃）の大気中に取り出し、放冷速度３０℃／
秒にて常温にまで放冷してフィルム成形体を作製した。
前記測定法にしたがってｔａｎδを測定した。結果を表
１に示す。
【００５５】比較例１
実施例１で使用したフッ素化前の原料ＰＴＦＥファイン
パウダーについて、前記測定法にしたがって数平均一次
粒径を測定した。また実施例１と同様にしてｔａｎδの
測定を行なった。結果を表１に示す。
パウダーについて、前記測定法にしたがって数平均一次
粒径を測定した。また実施例１と同様にしてｔａｎδの
測定を行なった。結果を表１に示す。
【００５６】実施例２
標準比重が２．１９９の芯−殻構造のＰＴＦＥファイン
パウダー（芯部：ＨＦＰ変性ＰＴＦＥ、殻部：ＨＦＰ変
性ＰＴＦＥ（連鎖移動剤：イソブタン）、芯部および殻
部あわせた全体のＨＦＰ変性量０．００１３モル％）２
００ｇを使用したほかは実施例１と同様にしてフッ素化
処理を行ない、本発明のフッ素化ＰＴＦＥファインパウ
ダーを得た。前記測定法にしたがって数平均一次粒径を
測定した。得られたフッ素化ＰＴＦＥファインパウダー
について実施例１と同様にフィルム成形体を作製し、ｔ
ａｎδの測定を行った。結果を表１に示す。
パウダー（芯部：ＨＦＰ変性ＰＴＦＥ、殻部：ＨＦＰ変
性ＰＴＦＥ（連鎖移動剤：イソブタン）、芯部および殻
部あわせた全体のＨＦＰ変性量０．００１３モル％）２
００ｇを使用したほかは実施例１と同様にしてフッ素化
処理を行ない、本発明のフッ素化ＰＴＦＥファインパウ
ダーを得た。前記測定法にしたがって数平均一次粒径を
測定した。得られたフッ素化ＰＴＦＥファインパウダー
について実施例１と同様にフィルム成形体を作製し、ｔ
ａｎδの測定を行った。結果を表１に示す。
【００５７】比較例２
実施例２で使用したフッ素化前の原料ＰＴＦＥファイン
パウダーについて、前記測定法にしたがって数平均一次
粒径を測定した。また実施例１と同様にしてｔａｎδの
測定を行なった。結果を表１に示す。
パウダーについて、前記測定法にしたがって数平均一次
粒径を測定した。また実施例１と同様にしてｔａｎδの
測定を行なった。結果を表１に示す。
【００５８】実施例３
標準比重が２．１９４の芯−殻構造のＰＴＦＥファイン
パウダー（芯部：ＨＦＰ変性ＰＴＦＥ、殻部：ＨＦＰ変
性ＰＴＦＥ（連鎖移動剤：エタン）、芯部および殻部あ
わせた全体のＨＦＰ変性量０．００１３モル％）２００
ｇを使用したほかは実施例１と同様にしてフッ素化処理
を行ない、本発明のフッ素化ＰＴＦＥファインパウダー
を得た。前記測定法にしたがって数平均一次粒径を測定
した。得られたフッ素化ＰＴＦＥファインパウダーにつ
いて実施例１と同様にフィルム成形体を作製し、ｔａｎ
δの測定を行った。結果を表１に示す。
パウダー（芯部：ＨＦＰ変性ＰＴＦＥ、殻部：ＨＦＰ変
性ＰＴＦＥ（連鎖移動剤：エタン）、芯部および殻部あ
わせた全体のＨＦＰ変性量０．００１３モル％）２００
ｇを使用したほかは実施例１と同様にしてフッ素化処理
を行ない、本発明のフッ素化ＰＴＦＥファインパウダー
を得た。前記測定法にしたがって数平均一次粒径を測定
した。得られたフッ素化ＰＴＦＥファインパウダーにつ
いて実施例１と同様にフィルム成形体を作製し、ｔａｎ
δの測定を行った。結果を表１に示す。
【００５９】比較例３
実施例３で使用したフッ素化前の原料ＰＴＦＥファイン
パウダーについて、前記測定法にしたがって数平均一次
粒径を測定した。また実施例１と同様にしてｔａｎδの
測定を行なった。結果を表１に示す。
パウダーについて、前記測定法にしたがって数平均一次
粒径を測定した。また実施例１と同様にしてｔａｎδの
測定を行なった。結果を表１に示す。
【００６０】
【表１】
【００６１】
【発明の効果】本発明のフッ素化されたＰＴＦＥファイ
ンパウダーは、３〜３０ＧＨｚというマイクロ波領域で
も電気特性、特に低いｔａｎδを有し、かつ押出成形性
に優れた成形体を与えることができる。したがって、特
に衛星通信機器、携帯電話基地局などのマイクロ波を使
用する機器に使用する資材、たとえば同軸ケーブル、Ｌ
ＡＮケーブル、高周波通信用電線などの被覆材料、さら
にはプリント配線基板などとして有用である。
ンパウダーは、３〜３０ＧＨｚというマイクロ波領域で
も電気特性、特に低いｔａｎδを有し、かつ押出成形性
に優れた成形体を与えることができる。したがって、特
に衛星通信機器、携帯電話基地局などのマイクロ波を使
用する機器に使用する資材、たとえば同軸ケーブル、Ｌ
ＡＮケーブル、高周波通信用電線などの被覆材料、さら
にはプリント配線基板などとして有用である。
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フロントページの続き
(72)発明者 小野 真誠
大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン
工業株式会社淀川製作所内
(72)発明者 難波 義典
大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン
工業株式会社淀川製作所内
(72)発明者 笠井 俊二
大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン
工業株式会社淀川製作所内
(72)発明者 矢野 真一
大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン
工業株式会社淀川製作所内
(72)発明者 吉本 洋之
大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン
工業株式会社淀川製作所内
Ｆターム(参考） 4F070 AA24 AC01 AC34 AE03 BA05
BB03
Claims (8)
- 【請求項１】 標準比重が２．１８０〜２．２２５であ
るポリテトラフルオロエチレンファインパウダーをフッ
素ラジカル源と接触させて得られる標準比重が２．１８
０〜２．２２５であるポリテトラフルオロエチレンファ
インパウダーであって、下記条件で作製したサンプルフ
ィルムを用いて、下記方法で測定した１２ＧＨｚにおけ
るｔａｎδが２．０×１０-4以下である、ポリテトラフ
ルオロエチレンファインパウダー。 （サンプルフィルムの作製条件）前記フッ素化ＰＴＦＥ
ファインパウダーを円柱状に圧縮成形する。この円柱か
ら切出した厚さ０．５ｍｍのフィルムを熱風循環式電気
炉で３８０℃にて５分間加熱焼成する。ついで直ちに常
温（２５℃）の大気中に取り出し、５〜５０℃／秒で常
温にまで放冷してサンプルフィルムを作製する。 （ｔａｎδ測定方法）ネットワークアナライザーを使用
し、空洞共振器により前記作製されたフィルムの共振周
波数およびＱ値の変化を測定し、１２ＧＨｚにおけるｔ
ａｎδを次式にしたがって算出する。 ｔａｎδ＝（１／Ｑｕ）×｛１＋（Ｗ2／Ｗ1）｝−（Ｐ
ｃ／ωＷ1） 【数１】 ただし、式中の記号はつぎのものである。 Ｄ：空洞共振器直径（ｍｍ） Ｍ：空洞共振器片側長さ（ｍｍ） Ｌ：サンプル長さ（ｍｍ） ｃ：光速（ｍ／ｓ） Ｉｄ：減衰量（ｄＢ） Ｆ0：共振周波数（Ｈｚ） Ｆ1：共振点からの減衰量が３ｄＢである上側周波数
（Ｈｚ） Ｆ2：共振点からの減衰量が３ｄＢである下側周波数
（Ｈｚ） ε0：真空の誘電率（Ｈ／ｍ） εr：サンプルの比誘電率 μ0：真空の透磁率（Ｈ／ｍ） Ｒｓ：導体空洞の表面粗さも考慮した実効表面抵抗
（Ω） Ｊ0：−０．４０２７５９ Ｊ1：３．８３１７１ - 【請求項２】 前記ｔａｎδが１．８×１０-4以下であ
る請求項１記載のポリテトラフルオロエチレンファイン
パウダー。 - 【請求項３】 平均粒径が２００〜８００μｍである請
求項１または２記載のポリテトラフルオロエチレンファ
インパウダー。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載のポリテトラ
フルオロエチレンファインパウダーからなるポリテトラ
フルオロエチレン成形体。 - 【請求項５】 請求項４記載のポリテトラフルオロエチ
レン成形体で被覆された高周波通信用同軸ケーブル。 - 【請求項６】 請求項４記載のポリテトラフルオロエチ
レン成形体で被覆された高周波通信用ＬＡＮケーブル。 - 【請求項７】 請求項４記載のポリテトラフルオロエチ
レン成形体からなる絶縁体を有するプリント配線基板。 - 【請求項８】 標準比重が２．１８０〜２．２２５であ
る分子末端に不安定基を有するポリテトラフルオロエチ
レンファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触させる
ポリテトラフルオロエチレンファインパウダーの製造方
法。
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