JP2003043312A - サブマウントおよびそれを用いた光半導体装置ならびにサブマウントの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光半導体装置の小型化、低背化、低コスト化
を可能とし、レンズ搭載時に光半導体素子の搭載部に接
合材が拡がるのを防止して、光半導体素子を搭載部に強
固に接合できるものとすること。 【解決手段】 絶縁基板１０の上面に光半導体素子が搭
載される凸部５が設けられているとともに上面に凸部５
の横に位置させて光半導体素子と光学的に結合されるレ
ンズ８が接合材により接合されるサブマウント１であっ
て、絶縁基板１０の上面の凸部５の側面とレンズ８が接
合される部位との間に接合材の拡がりを防止するための
溝４が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野等で用
いられ、半導体レーザ等の光半導体素子を搭載するため
のサブマウントおよび光半導体装置ならびにサブマウン
トの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光通信分野においては、光半導体
装置が伝送されるべき電気的信号を電気−光変換し光フ
ァイバ等へ光信号として伝送するために用いられてお
り、１Ｇ（ギガ）ビット／（ｂｐｓ）を超えるデータ通
信のビットレートをもつものが広く用いられるようにな
ってきている。

【０００３】従来の光半導体装置を図８に示す。同図に
示すように、光半導体装置１０９を構成する光半導体素
子収納用パッケージ（以下、光半導体パッケージとい
う）１１１は、上面に半導体レーザ素子（ＬＤ）１０７
や受光素子（ＰＤ）１１９等の光半導体素子と、集光レ
ンズ等の透光性部材を取着した固定部材１２５が載置さ
れる載置部を有するＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ合
金等から成り、略四角形の板状体である基台１２０と、
基台１２０が載置される載置部を囲繞するようにして基
体１２１の上面にＡｇロウ等のロウ材を介して取着さ
れ、光信号の授受を行うための貫通孔を有する枠体１１
３と、枠体１１３の上面に接合されて光半導体素子を気
密封止する蓋体１１４とから主に構成されている。

【０００４】また、枠体１１３の側部には、枠体１１３
の貫通孔（不図示）に嵌入接合されて光ファイバ１１８
を固定するための筒状の固定部材１２４が設けられてい
る。

【０００５】そして、基台１２０の載置部にＬＤ搭載用
のサブマウント１０１と、ＰＤ搭載用のキャリア１２６
と、レンズ１０８を取着する固定部材１２５等を搭載
し、これらのサブマウント１０１，キャリア１２６，固
定部材１２５等を基台１２０を介して基体１２１上面に
接着固定する。また、ＬＤ１０７やＰＤ１１９等の光半
導体素子の各電極をボンディングワイヤ（不図示）を介
して、枠体１１３の側部に設けられたセラミック端子の
線路導体（不図示）に接続することにより、外部リード
端子（不図示）に電気的に接続する。次に、枠体１１３
の上面に蓋体１１４を取着し、基体１２１と枠体１１３
と蓋体１１４とからなる容器内部にＬＤ１０７およびＰ
Ｄ１１９等の光半導体素子を収容する。最後に、筒状の
固定部材に光ファイバ１１８の端部に取着されたステン
レススチールからなるフランジをＹＡＧレーザ光の照射
によるレーザ溶接によって接合し、光ファイバ１１８を
枠体１１３に固定することによって光半導体装置１０９
となる。

【０００６】かかる光半導体装置１０９は、外部電気回
路から供給される駆動信号によってＬＤ１０７に光を励
起させ、励起された光を光ファイバ１１８を介して外部
に伝達することによって高速光通信等に使用されるもの
として機能する。そして、従来より、高速、高信頼性の
光半導体装置が盛んに開発されており、近年小型化、低
背化、低コスト化等が益々要求されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
構成では、ＬＤ１０７搭載用のサブマウント１０１およ
びＰＤ１１９搭載用のキャリア１２６とは別にレンズ１
０８を取着した固定部材１２５を設けていたため、光半
導体装置１０９の小型化、低背化、低コスト化にとって
障害となっていた。このような障害を解消するため、従
来の光半導体装置１０９を構成する基台１２０に代え
て、ＬＤ１０７を搭載するサブマウント１０１に直接レ
ンズ１０８を搭載することにより、小型化、低背化、低
コスト化することが提案されている。この提案では、レ
ンズ１０８はサブマウント１０１のレンズ搭載部に導電
性樹脂等の接合材で接合されるが、光半導体素子の搭載
部に拡がることがないように接合材の量を調整して接合
していた。

【０００８】しかしながら、レンズ１０８搭載時に接合
材の量が少なすぎるとレンズ１０８の接合強度が低くな
り、レンズ１０８が容易にサブマウント１０１のレンズ
搭載部から剥離したり、接合材の量が多すぎると光半導
体素子の搭載部に接合材が拡がり、光半導体素子を金−
錫（Ａｕ−Ｓｎ）等のロウ材で光半導体素子の搭載部に
接合することができなかった。

【０００９】従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成
されたものであり、その目的は、光半導体装置の小型
化、低背化、低コスト化を可能とし、レンズ搭載時に光
半導体素子の搭載部に接合材が拡がるのを防止して、光
半導体素子を光半導体素子の搭載部に強固に接合可能と
したサブマウントおよびそれを用いた光半導体装置なら
びにサブマウントの製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のサブマウント
は、絶縁基板の上面に光半導体素子が搭載される凸部が
設けられているとともに前記上面に前記凸部の横に位置
させて前記光半導体素子と光学的に結合されるレンズが
接合材により接合されるサブマウントであって、前記絶
縁基板の上面の前記凸部の側面と前記レンズが接合され
る部位との間に前記接合材の拡がりを防止するための溝
が形成されていることを特徴とする。

【００１１】本発明は、絶縁基板の上面に光半導体素子
が搭載される凸部が設けられているとともに上面に凸部
の横に位置させて光半導体素子と光学的に結合されるレ
ンズが接合材により接合されていることから、光半導体
装置の小型化、低背化、低コスト化を可能にすることが
できる。また、絶縁基板の上面の凸部の側面とレンズが
接合される部位との間に接合材の拡がりを防止するため
の溝が形成されていることから、余剰の接合材がこの溝
へ入り、光半導体素子の搭載部に拡がることを防ぐこと
ができる。その結果、光半導体素子をその搭載部に強固
に接合することができる。

【００１２】本発明において、好ましくは、前記溝が前
記凸部の側面の直下に形成されていることを特徴とす
る。

【００１３】本発明は、上記の構成により、光半導体素
子の搭載部（凸部）の側面の直下に溝を形成すること
で、光半導体素子の搭載部とレンズが接合される部位と
を近接させて位置させることができ、サブマウントをき
わめて小型なものとすることができる。また、光半導体
素子の搭載部とレンズの接合部位とが離れている場合に
は、レンズの接合部位から広がって溝に達する接合材は
溝では少なくなっており、確実に接合材を溝で阻止でき
る。

【００１４】本発明の光半導体装置は、本発明のサブマ
ウントと、前記凸部上面に搭載された光半導体素子と、
前記絶縁基板の上面に前記凸部の横に位置させて前記半
導体素子と光学的に結合されるように接合材により接合
されたレンズとを具備したことを特徴とする。

【００１５】本発明の光半導体装置は、上記の構成によ
り、光半導体素子とレンズとを近接させて配置できると
ともに接合材が光半導体素子にかかるようなことがなく
なるため、光半導体素子の光学的な結合効率を高くで
き、また実装する部品点数が減り、実装コストが低減さ
れた小型の光半導体装置を構成することができる。

【００１６】本発明のサブマウントの製造方法は、絶縁
基板の上面に光半導体素子の搭載部を区画する溝を形成
した後、前記絶縁基板の上面の前記溝をはさんで前記搭
載部と隣接する部分を前記溝より浅い平坦部となるよう
に除去してレンズ搭載部を形成することを特徴とする。

【００１７】本発明は、上記の構成により、光半導体素
子の搭載部の側面の直下にレンズ搭載部より厚さ方向に
深い溝を形成できるため、光半導体素子の搭載部とレン
ズの接合部位とを近接させて位置させることができ、サ
ブマウントをきわめて小型なものとすることができる。
また、光半導体素子の搭載部とレンズの接合部位とが離
れている場合には、レンズの接合部位から広がって溝に
達する接合材は溝では少なくなっており、確実に接合材
を溝で阻止できる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明を以下に詳細に説明する。
図１（ａ）は本発明のサブマウントの一例を示す平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図であ
る。同図において、１は、光半導体素子の搭載部２と、
レンズ搭載部３と、光半導体素子の搭載部２の凸部５側
面の直下に形成された溝４を有するサブマウントであ
る。

【００１９】本発明のサブマウント１は、平板部６に設
けられた凸部５上面の光半導体素子の搭載部２にレーザ
光源として用いられる半導体レーザ素子（ＬＤ）、また
は半導体レーザ素子の温度変化等による光出力の変化を
監視し、その光出力が常に一定になるように駆動回路に
フィードバックをかける受光素子（ＰＤ）等の光半導体
素子と、レンズ搭載部３にレーザ光を集光等するレンズ
８を搭載する構成としていることから、光半導体装置の
小型化、低背化、低コスト化を達成することができる。

【００２０】本発明において、サブマウント１は絶縁材
料から成り、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）質焼
結体や、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体、炭化珪
素（ＳｉＣ）質焼結体、ガラスセラミックス焼結体、窒
化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）質焼結体のうち１種より成る。特に
熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の窒化アルミニウム質焼
結体、炭化珪素質焼結体、窒化珪素質焼結体のいずれか
から成るものがよく、これらは発熱した光半導体素子か
ら発生する熱を効率良く逃がす点で好ましい。

【００２１】光半導体素子の搭載部２に被着形成される
電極は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、めっき
法等の１種以上の薄膜形成法により形成され、またその
電極はフォトリソグラフィ法、エッチング法、リフトオ
フ法等によって所定のパターンに加工される。

【００２２】また、光半導体素子の搭載部２の電極は、
例えば密着金属、拡散防止層、主導体層が順次積層され
た３層構造の薄膜から成る。そして、密着金属層は、セ
ラミック等から成る絶縁基板１０との密着性の点で、Ｔ
ｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔａ₂Ｎ等の
うち少なくとも１種より成るのが良い。密着金属層の厚
さは０．０１〜０．２μｍ程度が良い。０．０１μｍ未
満では、強固に密着することが困難となり、０．２μｍ
を超えると、成膜時の内部応力によって剥離が生じ易く
なる。

【００２３】拡散防止層は、密着金属層と主導体層との
相互拡散を防ぐうえで、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｎｉ
−Ｃｒ合金，Ｔｉ−Ｗ合金等のうち少なくとも１種より
成るのが良い。拡散防止層の厚さは０．０５〜１μｍ程
度が良く、０．０５μｍ未満では、ピンホール等の欠陥
が発生して拡散防止層としての機能を果たしにくくな
る。１μｍを超えると、成膜時の内部応力により剥離が
生じ易くなる。拡散防止層にＮｉ−Ｃｒ合金を用いる場
合は、密着性も確保できるため、密着金属層を省くこと
も可能である。

【００２４】さらに、電気抵抗の低いＡｕ，Ｃｕ，Ｎ
ｉ，Ａｇ等より成る主導体層の厚さは０．１〜５μｍ程
度が良い。０．１μｍ未満では、電気抵抗が大きくなる
傾向にあり、５μｍを超えると、成膜時の内部応力によ
り剥離を生じ易くなる。また、Ａｕは貴金属で高価であ
ることから、低コスト化の点で薄く形成することが好ま
しい。Ｃｕは酸化し易いので、その上にＮｉおよびＡｕ
からなる保護膜を被覆するのが良い。

【００２５】サブマウント１の溝４は、例えばサブマウ
ント１の光半導体素子の搭載部２の電極を形成後、光半
導体素子の搭載部２を区画するために、ダイヤモンドブ
レード等によって、絶縁基板１０の厚み方向の途中まで
切削除去することで形成できる。

【００２６】サブマウント１の凸部５は、溝４と平行と
なる側の長さおよび溝４と垂直となる側の長さが、搭載
される略直方体の光半導体素子の溝４と平行となる外辺
の長さおよび溝４と垂直となる外辺の長さの１倍程度以
上が良い。１倍未満では、光半導体素子の密着強度が弱
くなる傾向がある。また、光半導体素子の接地面積も小
さくなるため、放熱効率も低下する傾向がある。

【００２７】なお、凸部５上面の光半導体素子の搭載部
２に、光半導体素子への入力信号のインピーダンスを整
合するためのインピーダンス整合回路を設けることもで
きる。

【００２８】次いで、サブマウント１のレンズ搭載部３
の平坦部は溝４を形成した後、同じくダイヤモンドブレ
ード等によって切削除去することで形成できる。

【００２９】また、溝４の幅は０．０５〜０．３ｍｍが
良い。０．０５ｍｍ未満では、接合材が溝４から溢れて
接合材の拡がりが発生しやすく、０．３ｍｍを超える
と、溝４を研削加工で形成する際に欠け、クラック等が
発生しやすくなる。溝４の深さは０．０５ｍｍ〜０．３
ｍｍ程度が良い。０．０５ｍｍ未満では、接合材が溝４
から溢れて接合材の拡がりが発生しやすく、０．３ｍｍ
を超えると、溝４を研削加工で形成する際に欠け、クラ
ック等が発生しやすくなる。また、溝４の長さはレンズ
８直径の１倍程度以上が良い。レンズ８直径の１倍未満
では、接合材の拡がりが発生しやすくなる。

【００３０】溝４の断面形状は、図３の半円形状、図４
のＶ溝形状、図５の角溝形状（凹形状）、図６の凸部５
の側面から若干の距離をおいて形成された角溝形状等の
種々の形状とし得、いずれも接合材の拡がり防止効果の
点で同様の作用効果を奏する。

【００３１】本発明のサブマウント１とレンズ８は導電
性樹脂等の接合材により接合される。サブマウント１の
レンズ搭載部３にディスペンサ等により接合材を塗布
し、レンズ８を圧着する。その後、ヒータブロック等で
加熱し接合される。

【００３２】レンズ８を接合する接合材は、粘度が９０
Ｐａ・ｓ〜１５０Ｐａ・ｓの導電性樹脂等が良い。即ち
９０Ｐａ・ｓ未満では、有機溶剤等の希釈剤の含有率が
高くなるため接着強度が弱くなりやすく、１５０Ｐａ・
ｓを超えると、接合材の厚みばらつきが大きくなり光軸
ズレが発生しやすくなる。

【００３３】本発明のサブマウント１に搭載されるレン
ズ８は、ＢＫ−７（ホーヤ社製商品名），ＴａＦ−３
（ホーヤ社製商品名）などの光学ガラスを球形に加工し
た球レンズであり、そのレンズ搭載部３に搭載される部
位を研磨加工等により平坦部としたものが良い。その平
坦部を搭載面にすることにより、精度良く強固にレンズ
８をサブマウント１に搭載することができる。また、レ
ンズ８は球レンズに限らず、非球面レンズであってもよ
い。

【００３４】次に、本発明の光半導体装置を図２に基づ
き説明する。図２は本発明の光半導体装置の断面図であ
り、光半導体素子７と、レンズ８が搭載された本発明の
サブマウント１と、サブマウント１が載置される載置部
を有するＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｃｕ−Ｗ合金等から成
る基体１１と、光信号の授受を行うための貫通孔（不図
示）を有する枠体１３と、枠体１３の上面に接合されて
光半導体素子７を気密封止する蓋体１４とから主に構成
されている。なお、基体１１、枠体１３、サブマウント
１とで光半導体パッケージが主に構成される。

【００３５】このような光半導体装置９は、光半導体素
子７から発光したレーザ光がレンズ８により集光され効
率良く光ファイバ１８に入射される。その際、光半導体
素子７は発光することにより発熱するが、温度により光
特性が変化しないように、熱伝導率の高い絶縁材料を用
いたサブマウント１を介し、外部に放熱される。

【００３６】本発明の光半導体装置９はサブマウント１
を具備することにより、光半導体素子７とレンズ８を隣
接させることができる。その結果、光の光学的な結合効
率を高くすることができるとともに、光半導体素子７
と、レンズ８を容易に光学的に結合することができる。

【００３７】また、サブマウント１の凸部５の側面とレ
ンズ８が接合される部位との間に溝４が形成されている
ことにより、容易にレンズ８をサブマウント１に搭載す
ることができるようになり、また精度良く強固に固定す
ることが容易になる。

【００３８】次に、本発明のサブマウント１の製造方法
を図７（ａ）〜（ｅ）に基づき［１］〜［６］に説明す
る。

【００３９】［１］窒化アルミニウムから成るセラミッ
クグリーンシート１６を積層し、約１５００℃の温度で
焼成し、絶縁基板１０としてのセラミック基板１５を得
る（ａ）。

【００４０】［２］セラミック基板１５の主面をアルミ
ナの砥粒を用いて研磨し、算術平均粗さが０．１μｍ程
度となるようにする（ａ）。

【００４１】［３］セラミック基板１５の研磨された主
面に、イオンプレーティング法によって、厚さ０．１μ
ｍのＴｉ層（密着金属層）、厚さ０．２μｍのＰｄ層
（拡散防止層）、厚さ０．２μｍのＡｕ層（主導体層）
を順次成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターン加
工後、電解めっきによって厚さ３μｍのＡｕめっき層を
被着させる。その後、エッチング法により薄膜回路パタ
ーン１７を形成する（ｂ）。

【００４２】［４］薄膜回路パターン１７を形成したセ
ラミック基板１５の上面に、スライサーによる研削加工
によって光半導体素子の搭載部２を区画する溝４を形成
する（ｃ）。

【００４３】［５］［４］と同様にしてスライサー等に
よる研削加工によって光半導体素子の搭載部２に隣接す
る部分を溝４より浅い平坦部となるようにレンズ搭載部
３を形成する（ｄ）。

【００４４】［６］１枚のセラミック基板が多数個取り
用の母基板となるため、［４］と同様にしてスライサー
等による研削加工によって個片切断を行う（ｅ）。

【００４５】また、本発明のサブマウント１は窒化アル
ミニウムから成るセラミックグリーンシートを金型成形
にて凸部５および溝４を形成後、積層し、約１５００℃
の温度で焼成することにより、凸部５および溝４を形成
することもできる。上記積層法で作製したセラミック基
板は上記［２］〜［３］の工程の後にスライサー等によ
る研削加工にて個片切断を行う。

【００４６】上記の製造方法にて作製したサブマウント
１において、レンズ８搭載時に余分な接合材は溝４に溜
まるため、光半導体素子の搭載部への拡がりを防ぐこと
ができる。

【００４７】

【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。

【００４８】（実施例）サブマウント１の外形寸法が縦
２ｍｍ×横４ｍｍ×高さ（厚さ）０．５ｍｍ、凸部５の
寸法が縦１ｍｍ×横４ｍｍ×高さ０．１５ｍｍ、溝４の
寸法が幅０．１５ｍｍ×長さ４ｍｍ×深さ０．０７ｍｍ
であり、溝４の断面形状が半円形状（図３）、Ｖ字形状
（図４）、角溝形状（図５）、凸部５との間に０．２ｍ
ｍの距離をおいて形成された角溝形状（図６）である４
種のサブマウント１を作製した。また、外形寸法および
凸部５の寸法が上記サブマウント１と同じであって、溝
４を有しないサブマウント１を別途作製した。

【００４９】また、レンズ８として、光学ガラスのＢＫ
−７により作製された直径０．８ｍｍの球レンズに直径
０．２ｍｍの円形の平坦部を設けたものを用意した。

【００５０】そして、導電性樹脂ＹＬ−９８０（油化シ
ェルエポキシ社製商品名）を８０℃に加熱し、１時間攪
拌を続け、均一なフェノール樹脂を得た。こうして得た
導電性樹脂をディスペンサにて図３〜図６の溝４を有す
るサブマウント１および溝のないサブマウント１のレン
ズ搭載部３に約２００μｇ塗布し、レンズ８を圧着し、
２００℃に設定したヒータブロック上に載せ、６０秒加
熱した。これらを双眼顕微鏡（倍率４０倍）により導電
性樹脂の拡がりを観察した。その結果、溝４を形成した
サブマウント１は何れも余分な接合材は溝４に溜まり、
光半導体素子の搭載部２への拡がりは観られなかった。
これに対し、溝４を形成していないサブマウント１は、
光半導体素子の搭載部２への接合材の拡がりが観られ
た。

【００５１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種
々の変更を行うことは何等差し支えない。

【００５２】

【発明の効果】本発明は、絶縁基板の上面に光半導体素
子が搭載される凸部が設けられているとともに上面に凸
部の横に位置させて光半導体素子と光学的に結合される
レンズ８が接合材により接合されていることから、光半
導体装置の小型化、低背化、低コスト化を可能にするこ
とができる。また、絶縁基板の上面の凸部の側面とレン
ズ８が接合される部位との間に接合材の拡がりを防止す
るための溝が形成されていることから、余剰の接合材が
この溝へ入り、光半導体素子の搭載部に拡がることを防
ぐことができる。その結果、光半導体素子をその搭載部
に強固に接合することができる。

【００５３】本発明は、好ましくは、溝が凸部の側面の
直下に形成されていることにより、光半導体素子の搭載
部（凸部）の側面の直下に溝を形成することで、光半導
体素子の搭載部とレンズが接合される部位とを近接させ
て位置させることができ、サブマウントをきわめて小型
なものとすることができる。また、光半導体素子の搭載
部とレンズの接合部位とが離れている場合には、レンズ
の接合部位から広がって溝に達する接合材は溝では少な
くなっており、確実に接合材を溝で阻止できる。

【００５４】本発明の光半導体装置は、本発明のサブマ
ウントと、凸部上面に搭載された光半導体素子と、絶縁
基板の上面に凸部の横に位置させて半導体素子と光学的
に結合されるように接合材により接合されたレンズとを
具備したことにより、光半導体素子とレンズとを近接さ
せて配置できるとともに接合材が光半導体素子にかかる
ようなことがなくなるため、光半導体素子の光学的な結
合効率を高くでき、また実装する部品点数が減り、実装
コストが低減された小型の光半導体装置を構成すること
ができる。

【００５５】本発明のサブマウントの製造方法は、絶縁
基板の上面に光半導体素子の搭載部を区画する溝を形成
した後、絶縁基板の上面の溝をはさんで搭載部と隣接す
る部分を溝より浅い平坦部となるように除去してレンズ
搭載部を形成することにより、光半導体素子の搭載部の
側面の直下にレンズ搭載部より厚さ方向に深い溝を形成
できるため、光半導体素子の搭載部とレンズの接合部位
とを近接させて位置させることができ、サブマウントを
きわめて小型なものとすることができる。また、光半導
体素子の搭載部とレンズの接合部位とが離れている場合
には、レンズの接合部位から広がって溝に達する接合材
は溝では少なくなっており、確実に接合材を溝で阻止で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のサブマウントについて実施の形態の一
例を示し、（ａ）はサブマウントの平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線におけるサブマウントの断面図であ
る。

【図２】本発明の光半導体装置について実施の形態の一
例を示す断面図である。

【図３】本発明のサブマウントにおける溝形状について
実施の形態の一例を示す断面図である。

【図４】本発明のサブマウントにおける溝形状について
実施の形態の他の例を示す断面図である。

【図５】本発明のサブマウントにおける溝形状について
実施の形態の他の例を示す断面図である。

【図６】本発明のサブマウントにおける溝形状について
実施の形態の他の例を示す断面図である。

【図７】（ａ）〜（ｅ）は本発明のサブマウントの各製
造工程を示し、それぞれサブマウントの断面図である。

【図８】従来の光半導体装置の断面図である。

【符号の説明】

１：サブマウント ２：光半導体素子の搭載部 ３：レンズ搭載部 ４：溝 ５：凸部 ６：平板部 ７：光半導体素子 ８：レンズ ９：光半導体装置 １０：絶縁基板

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板の上面に光半導体素子が搭載さ
   れる凸部が設けられているとともに前記上面に前記凸部
   の横に位置させて前記光半導体素子と光学的に結合され
   るレンズが接合材により接合されるサブマウントであっ
   て、前記絶縁基板の上面の前記凸部の側面と前記レンズ
   が接合される部位との間に前記接合材の拡がりを防止す
   るための溝が形成されていることを特徴とするサブマウ
   ント。
2. 【請求項２】 前記溝が前記凸部の側面の直下に形成さ
   れていることを特徴とする請求項１記載のサブマウン
   ト。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２記載のサブマウ
   ントと、前記凸部上面に搭載された光半導体素子と、前
   記絶縁基板の上面に前記凸部の横に位置させて前記半導
   体素子と光学的に結合されるように接合材により接合さ
   れたレンズとを具備したことを特徴とする光半導体装
   置。
4. 【請求項４】 絶縁基板の上面に光半導体素子の搭載部
   を区画する溝を形成した後、前記絶縁基板の上面の前記
   溝をはさんで前記搭載部と隣接する部分を前記溝より浅
   い平坦部となるように除去してレンズ搭載部を形成する
   ことを特徴とするサブマウントの製造方法。