JP2003032548A - 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム - Google Patents
固体撮像装置及びそれを用いた撮像システムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトダイオードからの光信号電荷を増幅す
る増幅素子の負荷となるMOSトランジスタのドレイン電
圧を一定にする固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 フォトダイオードD11〜D33は、アノード
側が接地され、カソード側が増幅MOS M311〜M333のゲー
トに接続される。増幅MOS M311〜M333のゲートには、リ
セットMOS M211〜M233のソースが接続される。増幅MOS
M311〜M333のドレインは、電源電圧を供給する選択MOS
M411〜M433に接続される。増幅MOS M311,M312,M313のソ
ースは、垂直信号線V1に接続される。垂直信号線V1は、
定電圧手段３であるゲート接地MOS M71を介して負荷MOS
M51に接続される。M71のゲートはゲート電圧を供給す
る電圧入力端子６に接続される。負荷MOS M51〜M53のソ
ースは共通のGNDライン４に、ゲートは入力MOS M50のゲ
ートに接続されると共に電圧入力端子５に接続される。
る増幅素子の負荷となるMOSトランジスタのドレイン電
圧を一定にする固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 フォトダイオードD11〜D33は、アノード
側が接地され、カソード側が増幅MOS M311〜M333のゲー
トに接続される。増幅MOS M311〜M333のゲートには、リ
セットMOS M211〜M233のソースが接続される。増幅MOS
M311〜M333のドレインは、電源電圧を供給する選択MOS
M411〜M433に接続される。増幅MOS M311,M312,M313のソ
ースは、垂直信号線V1に接続される。垂直信号線V1は、
定電圧手段３であるゲート接地MOS M71を介して負荷MOS
M51に接続される。M71のゲートはゲート電圧を供給す
る電圧入力端子６に接続される。負荷MOS M51〜M53のソ
ースは共通のGNDライン４に、ゲートは入力MOS M50のゲ
ートに接続されると共に電圧入力端子５に接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にビデオカメ
ラ、デジタルスチルカメラ、イメージスキャナ用のイメ
ージ入力装置に広範に用いられる固体撮像装置に関す
る。
ラ、デジタルスチルカメラ、イメージスキャナ用のイメ
ージ入力装置に広範に用いられる固体撮像装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、高解像化のため、微細化プロセス
を用いた光電変換素子のセルサイズ縮小が精力的に行わ
れる一方、光電変換信号出力が低下することなどから、
光電変換信号を増幅して出力することが可能な増幅型の
固体撮像装置が注目されている。このような増幅型光電
変換装置には、MOS型、AMI、CMD、BASIS等がある。この
うち、MOS型はフォトダイオードで発生した光キャリア
をMOSトランジスタのゲート電極に蓄積し、走査回路か
らの駆動タイミングに従って、その電位変化を出力部へ
電荷増幅して出力するものである。近年では、このMOS
型のうち、光電変換部や、その周辺回路部を含め全てCM
OSプロセスで実現するCMOS型固体撮像装置が特に注目さ
れてきている。
を用いた光電変換素子のセルサイズ縮小が精力的に行わ
れる一方、光電変換信号出力が低下することなどから、
光電変換信号を増幅して出力することが可能な増幅型の
固体撮像装置が注目されている。このような増幅型光電
変換装置には、MOS型、AMI、CMD、BASIS等がある。この
うち、MOS型はフォトダイオードで発生した光キャリア
をMOSトランジスタのゲート電極に蓄積し、走査回路か
らの駆動タイミングに従って、その電位変化を出力部へ
電荷増幅して出力するものである。近年では、このMOS
型のうち、光電変換部や、その周辺回路部を含め全てCM
OSプロセスで実現するCMOS型固体撮像装置が特に注目さ
れてきている。
【０００３】図１８に従来のCMOS型固体撮像装置のブロ
ック図を示す。図１８において、１は画素部、２は垂直
走査を行うための垂直走査回路ブロック、D11〜D33はフ
ォトダイオード、M211〜M233はフォトダイオードの電荷
をリセットするためのリセットMOS、M311〜M333はフォ
トダイオードの電荷を増幅するための増幅MOS、M411〜M
433は行を選択するための選択MOS、V1〜V3は垂直信号
線、M51〜M53は増幅MOSの負荷となる負荷MOS、M50は負
荷MOSに流す定電流を設定するための入力MOS、５は入力
MOSのゲート電圧を設定するための電圧入力端子であ
る。
ック図を示す。図１８において、１は画素部、２は垂直
走査を行うための垂直走査回路ブロック、D11〜D33はフ
ォトダイオード、M211〜M233はフォトダイオードの電荷
をリセットするためのリセットMOS、M311〜M333はフォ
トダイオードの電荷を増幅するための増幅MOS、M411〜M
433は行を選択するための選択MOS、V1〜V3は垂直信号
線、M51〜M53は増幅MOSの負荷となる負荷MOS、M50は負
荷MOSに流す定電流を設定するための入力MOS、５は入力
MOSのゲート電圧を設定するための電圧入力端子であ
る。
【０００４】以下に動作を説明する。フォトダイオード
D11〜D33に光が入射されると光信号電荷が発生し蓄積さ
れる。信号の読み出しは垂直シフトレジスタ２によって
垂直走査しながら行ごとに順次、垂直信号線V1〜V3に読
み出される。まず、１行目が選択されると選択MOS M411
〜M431のゲートPSEL1がハイレベルとなり、増幅MOS M31
1〜M331がアクティブとなる。これによって、１行目の
信号が垂直信号線V1〜V3に読み出される。次に、リセッ
トMOS M211〜M231のゲートPRES1がハイレベルとなりフ
ォトダイオードD11〜D31に蓄積された電荷がリセットさ
れる。次に、２行目が選択され同様にして２行目の信号
が垂直信号線V1〜V3に読み出される。３行目以降も同様
にして垂直信号線V1〜V3に順次読み出される。
D11〜D33に光が入射されると光信号電荷が発生し蓄積さ
れる。信号の読み出しは垂直シフトレジスタ２によって
垂直走査しながら行ごとに順次、垂直信号線V1〜V3に読
み出される。まず、１行目が選択されると選択MOS M411
〜M431のゲートPSEL1がハイレベルとなり、増幅MOS M31
1〜M331がアクティブとなる。これによって、１行目の
信号が垂直信号線V1〜V3に読み出される。次に、リセッ
トMOS M211〜M231のゲートPRES1がハイレベルとなりフ
ォトダイオードD11〜D31に蓄積された電荷がリセットさ
れる。次に、２行目が選択され同様にして２行目の信号
が垂直信号線V1〜V3に読み出される。３行目以降も同様
にして垂直信号線V1〜V3に順次読み出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような読み出し動作において、光信号が大きいほど垂直
信号線V1〜V3上の電圧は低くなる。また、垂直信号線V1
〜V3は負荷MOS M51〜M53のドレインに接続されているた
め、垂直信号線上の電圧が変化すると、MOSトランジス
タのチャネル長変調効果によって負荷MOSの電流値が変
化する。従って、ある行を読み出しているときに共通の
GNDライン４に流れる電流は、光が入射されている画素
数、あるいは入射される光量によって変化することにな
る。
ような読み出し動作において、光信号が大きいほど垂直
信号線V1〜V3上の電圧は低くなる。また、垂直信号線V1
〜V3は負荷MOS M51〜M53のドレインに接続されているた
め、垂直信号線上の電圧が変化すると、MOSトランジス
タのチャネル長変調効果によって負荷MOSの電流値が変
化する。従って、ある行を読み出しているときに共通の
GNDライン４に流れる電流は、光が入射されている画素
数、あるいは入射される光量によって変化することにな
る。
【０００６】一方で、チップサイズ等の制約からGNDラ
イン４の配線幅は有限の値しかとれず、あるインピーダ
ンスを持つ。また、負荷MOSに流す定電流の値は、入力M
OS M50のゲートと絶対的なGND（例えば外部基板の接地
電位）との間に入力電圧5を与えることにより設定して
いるため、GNDライン４のインピーダンスと流れる電流
で決まる電圧降下によって、設定電流の値が変化するこ
とになる。従って、光が入射されている画素が多いほ
ど、また、入射されている光量が大きいほどGNDライン
４の電圧降下が小さく負荷MOSの設定電流が多くなる。
イン４の配線幅は有限の値しかとれず、あるインピーダ
ンスを持つ。また、負荷MOSに流す定電流の値は、入力M
OS M50のゲートと絶対的なGND（例えば外部基板の接地
電位）との間に入力電圧5を与えることにより設定して
いるため、GNDライン４のインピーダンスと流れる電流
で決まる電圧降下によって、設定電流の値が変化するこ
とになる。従って、光が入射されている画素が多いほ
ど、また、入射されている光量が大きいほどGNDライン
４の電圧降下が小さく負荷MOSの設定電流が多くなる。
【０００７】結果的に光が入射されていない画素におい
ても負荷MOSの電流値が大きくなり、増幅MOSのゲート・
ソース間電圧が大きくなる。この現象によって、強い光
が入射されている画素を含む行と、そうでない行とのダ
ーク画素およびオプティカル・ブラック（OB）画素の出
力電圧が異なり、強いスポット光が入射された画像で、
スポットの左右に白っぽい帯が発生するという問題があ
った。
ても負荷MOSの電流値が大きくなり、増幅MOSのゲート・
ソース間電圧が大きくなる。この現象によって、強い光
が入射されている画素を含む行と、そうでない行とのダ
ーク画素およびオプティカル・ブラック（OB）画素の出
力電圧が異なり、強いスポット光が入射された画像で、
スポットの左右に白っぽい帯が発生するという問題があ
った。
【０００８】そこで本発明は、フォトダイオードからの
光信号電荷を増幅して出力する増幅素子の負荷となるMO
Sトランジスタのドレイン電圧を一定にする定電圧手段
を設けた固体撮像装置及びそれを用いた撮像システムを
提供することを目的とする。
光信号電荷を増幅して出力する増幅素子の負荷となるMO
Sトランジスタのドレイン電圧を一定にする定電圧手段
を設けた固体撮像装置及びそれを用いた撮像システムを
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明は、光信号を信号電荷に変換して蓄積する光
電変換素子と、この蓄積された前記信号電荷を増幅する
増幅素子と、この増幅素子における前記信号電荷をリセ
ットするリセット素子とを画素の構成要素として含む固
体撮像装置であって、前記増幅素子の出力に接続され、
前記増幅素子に電流を供給する負荷素子と、この負荷素
子の前記増幅素子の出力側の主電極領域の電圧を一定に
する定電圧手段とを備えることを特徴とする。
め、本発明は、光信号を信号電荷に変換して蓄積する光
電変換素子と、この蓄積された前記信号電荷を増幅する
増幅素子と、この増幅素子における前記信号電荷をリセ
ットするリセット素子とを画素の構成要素として含む固
体撮像装置であって、前記増幅素子の出力に接続され、
前記増幅素子に電流を供給する負荷素子と、この負荷素
子の前記増幅素子の出力側の主電極領域の電圧を一定に
する定電圧手段とを備えることを特徴とする。
【００１０】以上の構成によって、強い光が入射されて
いる画素を含む行の信号を読み出す場合においても、増
幅素子の負荷となる負荷素子の増幅素子の出力側の主電
極領域の電圧が一定となるので、垂直信号線の電圧変化
によって負荷素子に流れる定電流の値が変化することは
ない。このため、光が入射されている画素の数、あるい
は入射されている光量によってGNDラインの電圧降下量
が変化することはなく、負荷素子の設定電流は一定に保
たれる。
いる画素を含む行の信号を読み出す場合においても、増
幅素子の負荷となる負荷素子の増幅素子の出力側の主電
極領域の電圧が一定となるので、垂直信号線の電圧変化
によって負荷素子に流れる定電流の値が変化することは
ない。このため、光が入射されている画素の数、あるい
は入射されている光量によってGNDラインの電圧降下量
が変化することはなく、負荷素子の設定電流は一定に保
たれる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１２】（第１の実施の形態）図１は、本発明の固
体撮像装置の第１の実施の形態のブロック図である。上
記固体撮像装置を構成する各回路素子は、半導体集積回
路の製造技術によって、特に制限されないが、単結晶シ
リコンのような１個の半導体基板上において形成され
る。また、図１では簡単のため３行３列の画素アレイと
しているが、このサイズに限定したものではない。
体撮像装置の第１の実施の形態のブロック図である。上
記固体撮像装置を構成する各回路素子は、半導体集積回
路の製造技術によって、特に制限されないが、単結晶シ
リコンのような１個の半導体基板上において形成され
る。また、図１では簡単のため３行３列の画素アレイと
しているが、このサイズに限定したものではない。
【００１３】図１を用いて、本発明の固体撮像装置の構
成について説明する。光信号電荷を発生するフォトダイ
オードD11〜D33は、この例ではアノード側が接地されて
いる。フォトダイオードD11〜D33のカソード側は、増幅
MOS M311〜M333のゲートに接続されている。また、上記
増幅MOS M311〜M333のゲートには、これをリセットする
ためのリセットMOS M211〜M233のソースが接続され、リ
セットMOS M211〜M233のドレインは、リセット電源に接
続されている。さらに、上記増幅MOS M311〜M333のドレ
インは、電源電圧を供給するための選択MOS M411〜M433
に接続されている。上記リセットMOS M211のゲートは、
横方向に延長して配置される第１の行選択線（垂直走査
線）PRES1に接続される。同じ行に配置された他の画素
セルの同様なリセットMOS M221,M231のゲートも上記第
１の行選択線PRES1に共通に接続される。上記選択MOS M
411のゲートは、横方向に延長して配置される第２の行
選択線（垂直走査線）PSEL1に接続される。同じ行に配
置された他の画素セルの同様な選択MOS M421,M431のゲ
ートも上記第２の行選択線PSEL1に共通に接続される。
これら第１〜第２の行選択線は、垂直走査回路ブロック
２に接続され、後述する動作タイミングにもとづいて信
号電圧が供給される。図１に示されている残りの行にお
いても同様な構成の画素セルと、行選択線が設けられ
る。これらの行選択線には、上記垂直走査回路ブロック
２により形成されたPRES2〜PRES3、PSEL2〜PSEL3が供給
される。
成について説明する。光信号電荷を発生するフォトダイ
オードD11〜D33は、この例ではアノード側が接地されて
いる。フォトダイオードD11〜D33のカソード側は、増幅
MOS M311〜M333のゲートに接続されている。また、上記
増幅MOS M311〜M333のゲートには、これをリセットする
ためのリセットMOS M211〜M233のソースが接続され、リ
セットMOS M211〜M233のドレインは、リセット電源に接
続されている。さらに、上記増幅MOS M311〜M333のドレ
インは、電源電圧を供給するための選択MOS M411〜M433
に接続されている。上記リセットMOS M211のゲートは、
横方向に延長して配置される第１の行選択線（垂直走査
線）PRES1に接続される。同じ行に配置された他の画素
セルの同様なリセットMOS M221,M231のゲートも上記第
１の行選択線PRES1に共通に接続される。上記選択MOS M
411のゲートは、横方向に延長して配置される第２の行
選択線（垂直走査線）PSEL1に接続される。同じ行に配
置された他の画素セルの同様な選択MOS M421,M431のゲ
ートも上記第２の行選択線PSEL1に共通に接続される。
これら第１〜第２の行選択線は、垂直走査回路ブロック
２に接続され、後述する動作タイミングにもとづいて信
号電圧が供給される。図１に示されている残りの行にお
いても同様な構成の画素セルと、行選択線が設けられ
る。これらの行選択線には、上記垂直走査回路ブロック
２により形成されたPRES2〜PRES3、PSEL2〜PSEL3が供給
される。
【００１４】上記増幅MOS M311のソースは、縦方向に延
長して配置される垂直信号線V1に接続される。同じ列に
配置される画素セルの同様な増幅MOS M312,M313のソー
スも上記垂直信号線V1に接続される。上記垂直信号線V1
は、定電圧手段３であるゲート接地MOS M71を介して負
荷素子である負荷MOS M51に接続される。M71のゲートは
ゲート電圧を供給する電圧入力端子６に接続される。図
１に示されている残りの垂直信号線V2〜V3においても同
様に増幅MOS、ゲート接地MOS、負荷MOSが接続される。
さらに、上記負荷MOS M51〜M53のソースは共通のGNDラ
イン４に、ゲートは入力MOS M50のゲートに接続される
と共に電圧入力端子５に接続される。
長して配置される垂直信号線V1に接続される。同じ列に
配置される画素セルの同様な増幅MOS M312,M313のソー
スも上記垂直信号線V1に接続される。上記垂直信号線V1
は、定電圧手段３であるゲート接地MOS M71を介して負
荷素子である負荷MOS M51に接続される。M71のゲートは
ゲート電圧を供給する電圧入力端子６に接続される。図
１に示されている残りの垂直信号線V2〜V3においても同
様に増幅MOS、ゲート接地MOS、負荷MOSが接続される。
さらに、上記負荷MOS M51〜M53のソースは共通のGNDラ
イン４に、ゲートは入力MOS M50のゲートに接続される
と共に電圧入力端子５に接続される。
【００１５】次に、動作を説明する。フォトダイオード
D11〜D33に光が入射されると光信号電荷が発生し蓄積さ
れる。信号の読み出しは垂直シフトレジスタ２によって
垂直走査しながら行ごとに順次、垂直信号線V1〜V3に読
み出される。まず、１行目が選択されると選択MOS M411
〜M431のゲートPSEL1がハイレベルとなり、増幅MOS M31
1〜M331がアクティブとなる。これによって１行目の信
号が垂直信号線V1〜V3に読み出される。次に、リセット
MOS M211〜M231のゲートPRES1がハイレベルとなりフォ
トダイオードD11〜D31に蓄積された電荷がリセットされ
る。次に、２行目が選択され同様にして２行目の信号が
垂直信号線V1〜V3に読み出される。３行目以降も同様に
して垂直信号線V1〜V3に順次読み出される。
D11〜D33に光が入射されると光信号電荷が発生し蓄積さ
れる。信号の読み出しは垂直シフトレジスタ２によって
垂直走査しながら行ごとに順次、垂直信号線V1〜V3に読
み出される。まず、１行目が選択されると選択MOS M411
〜M431のゲートPSEL1がハイレベルとなり、増幅MOS M31
1〜M331がアクティブとなる。これによって１行目の信
号が垂直信号線V1〜V3に読み出される。次に、リセット
MOS M211〜M231のゲートPRES1がハイレベルとなりフォ
トダイオードD11〜D31に蓄積された電荷がリセットされ
る。次に、２行目が選択され同様にして２行目の信号が
垂直信号線V1〜V3に読み出される。３行目以降も同様に
して垂直信号線V1〜V3に順次読み出される。
【００１６】上記のような動作で例えば１行目を読み出
しているとき、各垂直信号線V1〜V3に読み出される信号
電圧が変化しても、負荷MOS M51〜M53のドレイン電圧
は、ゲート接地MOS M71〜M73のソース電圧で決定される
ため変化しない。このため、非常に大きい信号電荷を読
み出す場合においても、負荷MOS M51〜M53の電流値の変
化を小さく保つことができる。従って、光が入射されて
いる画素の数、あるいは入射される光量によってGNDラ
イン４の電圧降下量が変化することはないため、どの行
を読み出している場合においても負荷MOS M51〜M53の設
定電流が一定に保たれる。上記構成によれば、強い光が
入射されている画素を含む行と、そうでない行とのダー
ク画素およびＯＢ画素の出力電圧が等しくなり、強いス
ポット光が入射された画像において白っぽい帯が発生す
るという問題はなく、鮮明な画像を得ることができる。
しているとき、各垂直信号線V1〜V3に読み出される信号
電圧が変化しても、負荷MOS M51〜M53のドレイン電圧
は、ゲート接地MOS M71〜M73のソース電圧で決定される
ため変化しない。このため、非常に大きい信号電荷を読
み出す場合においても、負荷MOS M51〜M53の電流値の変
化を小さく保つことができる。従って、光が入射されて
いる画素の数、あるいは入射される光量によってGNDラ
イン４の電圧降下量が変化することはないため、どの行
を読み出している場合においても負荷MOS M51〜M53の設
定電流が一定に保たれる。上記構成によれば、強い光が
入射されている画素を含む行と、そうでない行とのダー
ク画素およびＯＢ画素の出力電圧が等しくなり、強いス
ポット光が入射された画像において白っぽい帯が発生す
るという問題はなく、鮮明な画像を得ることができる。
【００１７】（第２の実施の形態）図２は、本発明の固
体撮像装置の第２の実施の形態のブロック図である。第
２の実施の形態の画素部１は、第１の実施の形態に対し
てフォトダイオードD11〜D33のカソード側と増幅MOS M3
11〜M333のゲートとの間にフォトダイオードに蓄積され
た光信号電荷を転送するための転送MOS M111〜M133を追
加した構成となっている。
体撮像装置の第２の実施の形態のブロック図である。第
２の実施の形態の画素部１は、第１の実施の形態に対し
てフォトダイオードD11〜D33のカソード側と増幅MOS M3
11〜M333のゲートとの間にフォトダイオードに蓄積され
た光信号電荷を転送するための転送MOS M111〜M133を追
加した構成となっている。
【００１８】上記転送MOS M111のゲートは、横方向に延
長して配置される第３の行選択線（垂直走査線）PTX1に
接続される。同じ行に配置された他の画素セルの同様な
転送MOS M121,M131のゲートも上記第３の行選択線PTX1
に共通に接続される。第３の行選択線も第１、第２の行
選択線と同様に、垂直走査回路ブロック２に接続され、
後述する動作タイミングにもとづいて信号電圧が供給さ
れる。上記以外の画素部構成については図１と同様であ
り、同じ構成要素については同じ番号を附している。
長して配置される第３の行選択線（垂直走査線）PTX1に
接続される。同じ行に配置された他の画素セルの同様な
転送MOS M121,M131のゲートも上記第３の行選択線PTX1
に共通に接続される。第３の行選択線も第１、第２の行
選択線と同様に、垂直走査回路ブロック２に接続され、
後述する動作タイミングにもとづいて信号電圧が供給さ
れる。上記以外の画素部構成については図１と同様であ
り、同じ構成要素については同じ番号を附している。
【００１９】さらに上記垂直信号線V1は、ノイズ信号転
送スイッチM11を介してノイズ信号を一時保持するため
の容量CTN1に、また、光信号転送スイッチM21を介して
光信号を一時保持するための容量CTS1に同時に接続され
る。ノイズ信号保持容量CTN1と光信号保持容量CTS1の逆
側の端子は接地されている。ノイズ信号転送スイッチM1
1とノイズ信号保持容量CTN1との接続点と、光信号転送
スイッチM21と光信号保持容量CTS1との接続点はそれぞ
れ、保持容量リセットスイッチM31、M32を介し接地され
ると共に、水平転送スイッチM41、M42を介して、光信号
とノイズ信号の差をとるための差動回路ブロック８に接
続される。
送スイッチM11を介してノイズ信号を一時保持するため
の容量CTN1に、また、光信号転送スイッチM21を介して
光信号を一時保持するための容量CTS1に同時に接続され
る。ノイズ信号保持容量CTN1と光信号保持容量CTS1の逆
側の端子は接地されている。ノイズ信号転送スイッチM1
1とノイズ信号保持容量CTN1との接続点と、光信号転送
スイッチM21と光信号保持容量CTS1との接続点はそれぞ
れ、保持容量リセットスイッチM31、M32を介し接地され
ると共に、水平転送スイッチM41、M42を介して、光信号
とノイズ信号の差をとるための差動回路ブロック８に接
続される。
【００２０】水平転送スイッチM41、M42のゲートは列選
択線H1に共通に接続され、水平走査回路ブロック７に接
続される。図２に示されている残りの列V2〜V3において
も同様な構成の読み出し回路が設けられる。また、各列
に接続されたノイズ信号転送スイッチM11〜M13、光信号
転送スイッチM21〜M23のゲートは、PTN、PTSにそれぞれ
共通に接続され、後述する動作タイミングにもとづいて
それぞれ信号電圧が供給される。
択線H1に共通に接続され、水平走査回路ブロック７に接
続される。図２に示されている残りの列V2〜V3において
も同様な構成の読み出し回路が設けられる。また、各列
に接続されたノイズ信号転送スイッチM11〜M13、光信号
転送スイッチM21〜M23のゲートは、PTN、PTSにそれぞれ
共通に接続され、後述する動作タイミングにもとづいて
それぞれ信号電圧が供給される。
【００２１】次に、図３を参照して本実施の形態の動作
について説明する。フォトダイオードD11〜D33からの光
信号電荷の読み出しに先立って、リセットMOS M211〜M2
31のゲートPRES1がハイレベルとなる。これによって、
増幅MOS M311〜M331のゲートがリセット電源にリセット
される。リセットMOS M211〜M231のゲートPRES1がロウ
レベルに復帰した後に、選択MOS M411〜M431のゲートPS
EL1、ノイズ信号転送スイッチM11〜M13のゲートPTNがハ
イレベルとなる。これによって、リセットノイズが重畳
されたリセット信号（ノイズ信号）がノイズ信号保持容
量CTN1〜CTN3に読み出される。次に、ノイズ信号転送ス
イッチM11〜M13のゲートPTNがロウレベルに復帰する。
について説明する。フォトダイオードD11〜D33からの光
信号電荷の読み出しに先立って、リセットMOS M211〜M2
31のゲートPRES1がハイレベルとなる。これによって、
増幅MOS M311〜M331のゲートがリセット電源にリセット
される。リセットMOS M211〜M231のゲートPRES1がロウ
レベルに復帰した後に、選択MOS M411〜M431のゲートPS
EL1、ノイズ信号転送スイッチM11〜M13のゲートPTNがハ
イレベルとなる。これによって、リセットノイズが重畳
されたリセット信号（ノイズ信号）がノイズ信号保持容
量CTN1〜CTN3に読み出される。次に、ノイズ信号転送ス
イッチM11〜M13のゲートPTNがロウレベルに復帰する。
【００２２】次に、転送MOS M111〜M131のゲートPTX1が
ハイレベルとなり、フォトダイオードD11〜D33の光信号
電荷が、増幅MOS M311〜M331のゲートに転送される。転
送MOS M111〜M131のゲートPTX1がロウレベルに復帰した
後に、光信号転送スイッチM21〜M23のゲートPTSがハイ
レベルとなる。これによって、光信号が光信号保持容量
CTS1〜CTS3に読み出される。次に光信号転送スイッチM2
1〜M23のゲートPTSがロウレベルに復帰する。ここまで
の動作で、第１行目に接続された画素セルのノイズ信号
と光信号が、それぞれの列に接続されたノイズ信号保持
容量CTN1〜CTN3と光信号保持容量CTS1〜CTS3に保持され
る。
ハイレベルとなり、フォトダイオードD11〜D33の光信号
電荷が、増幅MOS M311〜M331のゲートに転送される。転
送MOS M111〜M131のゲートPTX1がロウレベルに復帰した
後に、光信号転送スイッチM21〜M23のゲートPTSがハイ
レベルとなる。これによって、光信号が光信号保持容量
CTS1〜CTS3に読み出される。次に光信号転送スイッチM2
1〜M23のゲートPTSがロウレベルに復帰する。ここまで
の動作で、第１行目に接続された画素セルのノイズ信号
と光信号が、それぞれの列に接続されたノイズ信号保持
容量CTN1〜CTN3と光信号保持容量CTS1〜CTS3に保持され
る。
【００２３】次に、リセットMOS M211〜M231のゲートPR
ES1および転送MOS M111〜M131のゲートPTX1がハイレベ
ルとなり、フォトダイオードD11〜D33の光信号電荷がリ
セットされる。この後、水平走査回路ブロックからの信
号H1〜H3によって、各列の水平転送スイッチM41〜M46の
ゲートが順次ハイレベルとなり、ノイズ保持容量CTN1〜
CTN3と光信号保持容量CTS1〜CTS3に保持されていた電圧
が、順次差動回路ブロックに読み出される。差動回路ブ
ロックでは、光信号とノイズ信号の差がとられ、出力端
子OUTに順次出力される。以上で、第１行目に接続され
た画素セルの読み出しが完了する。
ES1および転送MOS M111〜M131のゲートPTX1がハイレベ
ルとなり、フォトダイオードD11〜D33の光信号電荷がリ
セットされる。この後、水平走査回路ブロックからの信
号H1〜H3によって、各列の水平転送スイッチM41〜M46の
ゲートが順次ハイレベルとなり、ノイズ保持容量CTN1〜
CTN3と光信号保持容量CTS1〜CTS3に保持されていた電圧
が、順次差動回路ブロックに読み出される。差動回路ブ
ロックでは、光信号とノイズ信号の差がとられ、出力端
子OUTに順次出力される。以上で、第１行目に接続され
た画素セルの読み出しが完了する。
【００２４】その後、第２行目の読み出しに先立って、
ノイズ信号保持容量CTN1〜CTN3および光信号保持容量CT
S1〜CTS3のリセットスイッチM31〜M36のゲートPCTRがハ
イレベルとなり、GNDにリセットされる。以下同様に、
垂直走査回路ブロックからの信号によって第２行目以降
に接続された画素セルの信号が順次読み出され、全画素
セルの読み出しが完了する。
ノイズ信号保持容量CTN1〜CTN3および光信号保持容量CT
S1〜CTS3のリセットスイッチM31〜M36のゲートPCTRがハ
イレベルとなり、GNDにリセットされる。以下同様に、
垂直走査回路ブロックからの信号によって第２行目以降
に接続された画素セルの信号が順次読み出され、全画素
セルの読み出しが完了する。
【００２５】上記のような動作で例えば１行目を読み出
しているとき、各垂直信号線V1〜V3に読み出される信号
電圧が変化しても、負荷MOS M51〜M53のドレイン電圧
は、ゲート接地MOS M71〜M73のソース電圧で決定される
ため変化しない。このため、非常に大きい信号電荷を読
み出す場合においても、負荷MOS M51〜M53の電流値の変
化を小さく保つことができる。従って、光が入射されて
いる画素の数、あるいは入射される光量によってGNDラ
イン４の電圧降下量が変化することはないため、どの行
を読み出している場合においても負荷MOS M51〜M53の設
定電流が一定に保たれる。
しているとき、各垂直信号線V1〜V3に読み出される信号
電圧が変化しても、負荷MOS M51〜M53のドレイン電圧
は、ゲート接地MOS M71〜M73のソース電圧で決定される
ため変化しない。このため、非常に大きい信号電荷を読
み出す場合においても、負荷MOS M51〜M53の電流値の変
化を小さく保つことができる。従って、光が入射されて
いる画素の数、あるいは入射される光量によってGNDラ
イン４の電圧降下量が変化することはないため、どの行
を読み出している場合においても負荷MOS M51〜M53の設
定電流が一定に保たれる。
【００２６】上記構成によれば、強い光が入射されてい
る画素を含む行と、そうでない行とのダーク画素および
ＯＢ画素の出力電圧が等しくなり、強いスポット光が入
射された画像において白っぽい帯が発生するという問題
はなく、鮮明な画像を得ることができる。
る画素を含む行と、そうでない行とのダーク画素および
ＯＢ画素の出力電圧が等しくなり、強いスポット光が入
射された画像において白っぽい帯が発生するという問題
はなく、鮮明な画像を得ることができる。
【００２７】（第３の実施の形態）図４は、本発明の固
体撮像装置の第３の実施の形態のブロック図である。本
実施の形態では、画素部１の構成が異なる。この例で
は、増幅MOS M311〜M333のドレインは直接、電源に接続
されている。上記増幅MOS M311のソースは、縦方向に延
長して配置される垂直信号線V1に選択MOS M411を介して
接続される。同じ列に配置される画素セルの同様な増幅
MOS M312,M313のソースも上記垂直信号線V1に選択MOS M
412,M413を介して接続される。図４に示されている残り
の垂直信号線V2〜V3においても同様に増幅MOS、選択MOS
が接続される。
体撮像装置の第３の実施の形態のブロック図である。本
実施の形態では、画素部１の構成が異なる。この例で
は、増幅MOS M311〜M333のドレインは直接、電源に接続
されている。上記増幅MOS M311のソースは、縦方向に延
長して配置される垂直信号線V1に選択MOS M411を介して
接続される。同じ列に配置される画素セルの同様な増幅
MOS M312,M313のソースも上記垂直信号線V1に選択MOS M
412,M413を介して接続される。図４に示されている残り
の垂直信号線V2〜V3においても同様に増幅MOS、選択MOS
が接続される。
【００２８】本実施の形態の動作については第２の実施
の形態と同様であり同様の効果がある。
の形態と同様であり同様の効果がある。
【００２９】（第４の実施の形態）図５は、本発明の固
体撮像装置の第４の実施の形態のブロック図である。本
実施の形態では、第１の実施の形態に対して定電圧手段
３の構成が異なる。この構成では、ゲート接地MOS M71
〜M73のゲート電圧と負荷の定電流を設定する入力MOS M
50のゲート電圧を独立に与える必要がない。
体撮像装置の第４の実施の形態のブロック図である。本
実施の形態では、第１の実施の形態に対して定電圧手段
３の構成が異なる。この構成では、ゲート接地MOS M71
〜M73のゲート電圧と負荷の定電流を設定する入力MOS M
50のゲート電圧を独立に与える必要がない。
【００３０】（第５の実施の形態）図６は、本発明の固
体撮像装置の第５の実施の形態のブロック図である。本
実施の形態では、第１の実施の形態に対して定電圧手段
３の構成が異なる。
体撮像装置の第５の実施の形態のブロック図である。本
実施の形態では、第１の実施の形態に対して定電圧手段
３の構成が異なる。
【００３１】（第６の実施の形態）図７は、本発明の固
体撮像装置の第６の実施の形態のブロック図である。本
実施の形態の画素部１は、第３の実施の形態と同様の構
成となっている。垂直信号線V1は、垂直信号線V1を負荷
から切り離すためのスイッチM81とゲート接地MOS M71を
介して負荷素子である負荷MOS M51に接続される。ま
た、上記垂直信号線V1はクリップトランジスタM310にク
リップ動作を制御するためのスイッチM410を介して接続
される。図７に示されている残りの垂直信号線V2〜V3に
おいても同様に増幅MOS、スイッチ、ゲート接地MOS、負
荷MOS、クリップトランジスタおよび制御スイッチが接
続される。上記スイッチM81〜M83のゲートおよび上記ゲ
ート接地MOSM71〜M73のゲートは、制御信号入力端子９
およびゲート電圧を供給する電圧入力端子６に、また、
上記クリップトランジスタM310〜M330のゲートおよび上
記制御スイッチM410〜M430のゲートは、クリップ電圧入
力端子VCLIPおよび制御信号入力端子PSELにそれぞれ共
通に接続され、後述する動作タイミングにもとづいてそ
れぞれ信号電圧が供給される。上記負荷MOS M51〜M53の
ソースは共通のGNDライン４に、ゲートは入力MOS M50の
ゲートに接続されると共に電圧入力端子５に接続され
る。
体撮像装置の第６の実施の形態のブロック図である。本
実施の形態の画素部１は、第３の実施の形態と同様の構
成となっている。垂直信号線V1は、垂直信号線V1を負荷
から切り離すためのスイッチM81とゲート接地MOS M71を
介して負荷素子である負荷MOS M51に接続される。ま
た、上記垂直信号線V1はクリップトランジスタM310にク
リップ動作を制御するためのスイッチM410を介して接続
される。図７に示されている残りの垂直信号線V2〜V3に
おいても同様に増幅MOS、スイッチ、ゲート接地MOS、負
荷MOS、クリップトランジスタおよび制御スイッチが接
続される。上記スイッチM81〜M83のゲートおよび上記ゲ
ート接地MOSM71〜M73のゲートは、制御信号入力端子９
およびゲート電圧を供給する電圧入力端子６に、また、
上記クリップトランジスタM310〜M330のゲートおよび上
記制御スイッチM410〜M430のゲートは、クリップ電圧入
力端子VCLIPおよび制御信号入力端子PSELにそれぞれ共
通に接続され、後述する動作タイミングにもとづいてそ
れぞれ信号電圧が供給される。上記負荷MOS M51〜M53の
ソースは共通のGNDライン４に、ゲートは入力MOS M50の
ゲートに接続されると共に電圧入力端子５に接続され
る。
【００３２】さらに、上記垂直信号線V1は、クランプ容
量C01と転送スイッチM21を介して信号を一時保持するた
めの容量CT1に接続され、水平転送スイッチM41を介して
帰還系に帰還容量CFとリセットスイッチM0が接続された
演算増幅器１０の反転端子に接続される。演算増幅器１
０の正転端子はリファレンス電圧VREFに接続される。信
号保持容量CT1の逆側の端子は接地されている。クラン
プ容量C01と転送スイッチM21との接続点はクランプスイ
ッチM31を介してクランプ電源に接続される。
量C01と転送スイッチM21を介して信号を一時保持するた
めの容量CT1に接続され、水平転送スイッチM41を介して
帰還系に帰還容量CFとリセットスイッチM0が接続された
演算増幅器１０の反転端子に接続される。演算増幅器１
０の正転端子はリファレンス電圧VREFに接続される。信
号保持容量CT1の逆側の端子は接地されている。クラン
プ容量C01と転送スイッチM21との接続点はクランプスイ
ッチM31を介してクランプ電源に接続される。
【００３３】水平転送スイッチM41のゲートは列選択線H
1に接続され、水平走査回路ブロック5に接続される。図
７に示されている残りの列V2〜V3においても同様な構成
の読み出し回路が設けられる。また、各列に接続された
クランプスイッチM31〜M33のゲートおよび転送スイッチ
M21〜M23のゲートは、クランプ信号入力端子PC0Rおよび
転送信号入力端子PTにそれぞれ共通に接続され、後述す
る動作タイミングにもとづいてそれぞれ信号電圧が供給
される。
1に接続され、水平走査回路ブロック5に接続される。図
７に示されている残りの列V2〜V3においても同様な構成
の読み出し回路が設けられる。また、各列に接続された
クランプスイッチM31〜M33のゲートおよび転送スイッチ
M21〜M23のゲートは、クランプ信号入力端子PC0Rおよび
転送信号入力端子PTにそれぞれ共通に接続され、後述す
る動作タイミングにもとづいてそれぞれ信号電圧が供給
される。
【００３４】次に、図８を参照して本実施の形態の動作
について説明する。フォトダイオードD11〜D33からの光
信号電荷の読み出しに先立って、リセットMOS M211〜M2
31のゲートPRES1がハイレベルとなる。これによって、
増幅MOS M311〜M331のゲートがリセット電源にリセット
される。リセットMOS M211〜M231のゲートPRES1がロウ
レベルに復帰すると同時にスイッチM81〜M83のゲート制
御信号９がハイレベルとなり、さらにクランプスイッチ
M31〜M33のゲートPC0Rがハイレベルになった後に、選択
MOS M411〜M431のゲートPSEL1およびクリップ制御信号P
SELがハイレベルとなる。これによって、リセットノイ
ズが重畳されたリセット信号（ノイズ信号）が垂直信号
線V1〜V3に読み出されクランプ容量C01〜C03にクランプ
される。同時に転送スイッチM21〜M23のゲートPTがハイ
レベルとなり、信号保持容量CT1〜CT3がクランプ電圧に
リセットされる。次に、クランプスイッチM31〜M33のゲ
ートPC0Rがロウレベルに復帰する。
について説明する。フォトダイオードD11〜D33からの光
信号電荷の読み出しに先立って、リセットMOS M211〜M2
31のゲートPRES1がハイレベルとなる。これによって、
増幅MOS M311〜M331のゲートがリセット電源にリセット
される。リセットMOS M211〜M231のゲートPRES1がロウ
レベルに復帰すると同時にスイッチM81〜M83のゲート制
御信号９がハイレベルとなり、さらにクランプスイッチ
M31〜M33のゲートPC0Rがハイレベルになった後に、選択
MOS M411〜M431のゲートPSEL1およびクリップ制御信号P
SELがハイレベルとなる。これによって、リセットノイ
ズが重畳されたリセット信号（ノイズ信号）が垂直信号
線V1〜V3に読み出されクランプ容量C01〜C03にクランプ
される。同時に転送スイッチM21〜M23のゲートPTがハイ
レベルとなり、信号保持容量CT1〜CT3がクランプ電圧に
リセットされる。次に、クランプスイッチM31〜M33のゲ
ートPC0Rがロウレベルに復帰する。
【００３５】次に、転送MOS M111〜M131のゲートPTX1が
ハイレベルとなり、フォトダイオードD11〜D33の光信号
電荷が、増幅MOS M311〜M331のゲートに転送されると同
時に光信号が垂直信号線V1〜V3に読み出される。このと
きクリップトランジスタM310〜M330は制御信号によりア
クティブとなっているため、増幅MOS M311〜M331のゲー
ト電圧がクリップ電圧VCLIPよりも低い場合には、垂直
信号線の電圧はクリップ電圧VCLIPから決まる電圧にク
リップされる。次に、転送MOS M111〜M131のゲートPTX1
がロウレベルに復帰した後、転送スイッチM21〜M23のゲ
ートPTがロウレベルとなる。これによって、リセット信
号からの変化分（光信号）が信号保持容量CT1〜CT3に読
み出される。ここまでの動作で、第１行目に接続された
画素セルの光信号が、それぞれの列に接続された信号保
持容量CT1〜CT3に保持される。
ハイレベルとなり、フォトダイオードD11〜D33の光信号
電荷が、増幅MOS M311〜M331のゲートに転送されると同
時に光信号が垂直信号線V1〜V3に読み出される。このと
きクリップトランジスタM310〜M330は制御信号によりア
クティブとなっているため、増幅MOS M311〜M331のゲー
ト電圧がクリップ電圧VCLIPよりも低い場合には、垂直
信号線の電圧はクリップ電圧VCLIPから決まる電圧にク
リップされる。次に、転送MOS M111〜M131のゲートPTX1
がロウレベルに復帰した後、転送スイッチM21〜M23のゲ
ートPTがロウレベルとなる。これによって、リセット信
号からの変化分（光信号）が信号保持容量CT1〜CT3に読
み出される。ここまでの動作で、第１行目に接続された
画素セルの光信号が、それぞれの列に接続された信号保
持容量CT1〜CT3に保持される。
【００３６】次に、リセットMOS M211〜M231のゲートPR
ES1および転送MOS M111〜M131のゲートPTX1がハイレベ
ル、スイッチM81〜M83のゲート制御信号９がロウレベル
となり、フォトダイオードD11〜D33の光信号電荷がリセ
ットされる。この後、水平走査回路ブロックからの信号
H1〜H3によって、各列の水平転送スイッチM41〜M46のゲ
ートが順次ハイレベルとなり、信号保持容量CT1〜CT3に
保持されていた電圧が、順次演算増幅器の帰還容量CFに
読み出され、出力端子OUTに順次出力される。各列の信
号読み出しの合間でリセットスイチM0によって帰還容量
CFの電荷がリセットされる。以上で、第１行目に接続さ
れた画素セルの読み出しが完了する。以下同様に、垂直
走査回路ブロックからの信号によって第２行目以降に接
続された画素セルの信号が順次読み出され、全画素セル
の読み出しが完了する。
ES1および転送MOS M111〜M131のゲートPTX1がハイレベ
ル、スイッチM81〜M83のゲート制御信号９がロウレベル
となり、フォトダイオードD11〜D33の光信号電荷がリセ
ットされる。この後、水平走査回路ブロックからの信号
H1〜H3によって、各列の水平転送スイッチM41〜M46のゲ
ートが順次ハイレベルとなり、信号保持容量CT1〜CT3に
保持されていた電圧が、順次演算増幅器の帰還容量CFに
読み出され、出力端子OUTに順次出力される。各列の信
号読み出しの合間でリセットスイチM0によって帰還容量
CFの電荷がリセットされる。以上で、第１行目に接続さ
れた画素セルの読み出しが完了する。以下同様に、垂直
走査回路ブロックからの信号によって第２行目以降に接
続された画素セルの信号が順次読み出され、全画素セル
の読み出しが完了する。
【００３７】上記のような動作で例えば１行目を読み出
しているとき、各垂直信号線V1〜V3に読み出される信号
電圧が変化しても、負荷MOS M51〜M53のドレイン電圧
は、ゲート接地MOS M71〜M73のソース電圧で決定される
ため変化しない。またゲート接地MOS M71〜M73のドレイ
ン電圧はクリップトランジスタM310〜M330によりクリッ
プされるため、OFFすることはない。このため、非常に
大きい信号電荷を読み出す場合においても、負荷MOS M5
1〜M53の電流値の変化を小さく保つことができる。従っ
て、光が入射されている画素の数、あるいは入射される
光量によってGNDライン４の電圧降下量が変化すること
はないため、どの行を読み出している場合においても負
荷MOS M51〜M53の設定電流が一定に保たれる。
しているとき、各垂直信号線V1〜V3に読み出される信号
電圧が変化しても、負荷MOS M51〜M53のドレイン電圧
は、ゲート接地MOS M71〜M73のソース電圧で決定される
ため変化しない。またゲート接地MOS M71〜M73のドレイ
ン電圧はクリップトランジスタM310〜M330によりクリッ
プされるため、OFFすることはない。このため、非常に
大きい信号電荷を読み出す場合においても、負荷MOS M5
1〜M53の電流値の変化を小さく保つことができる。従っ
て、光が入射されている画素の数、あるいは入射される
光量によってGNDライン４の電圧降下量が変化すること
はないため、どの行を読み出している場合においても負
荷MOS M51〜M53の設定電流が一定に保たれる。
【００３８】上記構成によれば、強い光が入射されてい
る画素を含む行と、そうでない行とのダーク画素および
ＯＢ画素の出力電圧が等しくなり、強いスポット光が入
射された画像において白っぽい帯が発生するという問題
はなく、鮮明な画像を得ることができる。
る画素を含む行と、そうでない行とのダーク画素および
ＯＢ画素の出力電圧が等しくなり、強いスポット光が入
射された画像において白っぽい帯が発生するという問題
はなく、鮮明な画像を得ることができる。
【００３９】本実施の形態においては、垂直信号線V1を
負荷から切り離すためのスイッチM81〜M83を設けている
が、ゲート接地MOS M71〜M73のゲートに入力する電圧６
をゲート接地電圧とGNDとの間でパルス動作させる構成
でも同様の効果がある。
負荷から切り離すためのスイッチM81〜M83を設けている
が、ゲート接地MOS M71〜M73のゲートに入力する電圧６
をゲート接地電圧とGNDとの間でパルス動作させる構成
でも同様の効果がある。
【００４０】（第７の実施の形態）図９は、本発明の固
体撮像装置の第７の実施の形態のブロック図である。本
実施の形態では、画素部１の構成を１次元のラインセン
サーとした場合である。画素部１の構成は第１の実施の
形態に対して行を選択する選択MOSがない構成であり、
増幅MOS M313〜M333のドレインが直接、電源に接続され
ている。フォトダイオードD11〜D33に光が入射されると
光信号電荷が発生し蓄積されると同時に、増幅MOS M313
〜M333の出力ラインV4〜V6に出力される。次に、リセッ
トMOS M211〜M231のゲートPRESがハイレベルとなりフォ
トダイオードD11〜D31に蓄積された電荷がリセットされ
る。
体撮像装置の第７の実施の形態のブロック図である。本
実施の形態では、画素部１の構成を１次元のラインセン
サーとした場合である。画素部１の構成は第１の実施の
形態に対して行を選択する選択MOSがない構成であり、
増幅MOS M313〜M333のドレインが直接、電源に接続され
ている。フォトダイオードD11〜D33に光が入射されると
光信号電荷が発生し蓄積されると同時に、増幅MOS M313
〜M333の出力ラインV4〜V6に出力される。次に、リセッ
トMOS M211〜M231のゲートPRESがハイレベルとなりフォ
トダイオードD11〜D31に蓄積された電荷がリセットされ
る。
【００４１】上記のような動作で、各垂直信号線V4〜V6
に読み出される信号電圧が変化しても、負荷MOS M51〜M
53のドレイン電圧は、ゲート接地MOS M71〜M73のソース
電圧で決定されるため変化しない。このため、非常に大
きい信号電荷を読み出す場合においても、負荷MOS M51
〜M53の電流値の変化を小さく保つことができる。従っ
て、光が入射されている画素の数、あるいは入射される
光量によってGNDライン４の電圧降下量が変化すること
はないため、どの行を読み出している場合においても負
荷MOS M51〜M53の設定電流が一定に保たれる。
に読み出される信号電圧が変化しても、負荷MOS M51〜M
53のドレイン電圧は、ゲート接地MOS M71〜M73のソース
電圧で決定されるため変化しない。このため、非常に大
きい信号電荷を読み出す場合においても、負荷MOS M51
〜M53の電流値の変化を小さく保つことができる。従っ
て、光が入射されている画素の数、あるいは入射される
光量によってGNDライン４の電圧降下量が変化すること
はないため、どの行を読み出している場合においても負
荷MOS M51〜M53の設定電流が一定に保たれる。
【００４２】上記構成によれば、強い光が入射されてい
る画素の数によってダーク画素およびＯＢ画素の出力電
圧が変化することがないため、後段でＯＢをクランプす
る回路を設ける必要がなく回路が単純になる。
る画素の数によってダーク画素およびＯＢ画素の出力電
圧が変化することがないため、後段でＯＢをクランプす
る回路を設ける必要がなく回路が単純になる。
【００４３】（第８の実施の形態）図１０は、本発明の
固体撮像装置の例えば第６の実施の形態の固体撮像装置
を用いた撮像システムのブロック図である。１１は固体
撮像装置、１２は固体撮像装置の出力信号の振幅をコン
トロールするためのプログラマブル・ゲインアンプ（PG
A）、１３はADコンバータ（ADC）、１４はデジタル出力
である。本発明の固体撮像装置を用いた場合、強い光が
入射されている画素を含む行と、そうでない行との水平
ＯＢ画素の出力が変化することがないため、水平ＯＢを
クランプする必要がなく図１０のようにDC直結で構成で
きる。これによって、水平ＯＢクランプレベルが行ごと
にずれることによって発生する横スジ等は発生せず、簡
潔なブロック構成で高画質の撮像システムを構成でき
る。
固体撮像装置の例えば第６の実施の形態の固体撮像装置
を用いた撮像システムのブロック図である。１１は固体
撮像装置、１２は固体撮像装置の出力信号の振幅をコン
トロールするためのプログラマブル・ゲインアンプ（PG
A）、１３はADコンバータ（ADC）、１４はデジタル出力
である。本発明の固体撮像装置を用いた場合、強い光が
入射されている画素を含む行と、そうでない行との水平
ＯＢ画素の出力が変化することがないため、水平ＯＢを
クランプする必要がなく図１０のようにDC直結で構成で
きる。これによって、水平ＯＢクランプレベルが行ごと
にずれることによって発生する横スジ等は発生せず、簡
潔なブロック構成で高画質の撮像システムを構成でき
る。
【００４４】（第９の実施の形態）図１１を参照して、
本発明の固体撮像素子をビデオカメラに適用した場合の
一実施の形態について詳述する。
本発明の固体撮像素子をビデオカメラに適用した場合の
一実施の形態について詳述する。
【００４５】図１１は、本発明の固体撮像素子をビデオ
カメラに適用した場合を示すブロック図で、１０１は撮
影レンズで焦点調節を行うためのフォーカスレンズ１０
１Ａ、ズーム動作を行うズームレンズ１０１Ｂ、結像用
のレンズ１０１Ｃを備えている。
カメラに適用した場合を示すブロック図で、１０１は撮
影レンズで焦点調節を行うためのフォーカスレンズ１０
１Ａ、ズーム動作を行うズームレンズ１０１Ｂ、結像用
のレンズ１０１Ｃを備えている。
【００４６】１０２は絞り、１０３は撮像面に結像され
た被写体像を光電変換して電気的な撮像信号に変換する
固体撮像素子、１０４は固体撮像素子１０３より出力さ
れた撮像信号をサンプルホールドし、さらに、レベルを
アンプするサンプルホールド回路（Ｓ／Ｈ回路）であ
り、映像信号を出力する。
た被写体像を光電変換して電気的な撮像信号に変換する
固体撮像素子、１０４は固体撮像素子１０３より出力さ
れた撮像信号をサンプルホールドし、さらに、レベルを
アンプするサンプルホールド回路（Ｓ／Ｈ回路）であ
り、映像信号を出力する。
【００４７】１０５はサンプルホールド回路１０４から
出力された映像信号にガンマ補正、色分離、ブランキン
グ処理等の所定の処理を施すプロセス回路で、輝度信号
Ｙおよびクロマ信号Ｃを出力する。プロセス回路５から
出力されたクロマ信号Ｃは、色信号補正回路１２１で、
ホワイトバランス及び色バランスの補正がなされ、色差
信号Ｒ−Ｙ，Ｂ−Ｙとして出力される。
出力された映像信号にガンマ補正、色分離、ブランキン
グ処理等の所定の処理を施すプロセス回路で、輝度信号
Ｙおよびクロマ信号Ｃを出力する。プロセス回路５から
出力されたクロマ信号Ｃは、色信号補正回路１２１で、
ホワイトバランス及び色バランスの補正がなされ、色差
信号Ｒ−Ｙ，Ｂ−Ｙとして出力される。
【００４８】また、プロセス回路１０５から出力された
輝度信号Ｙと、色信号補正回路１２１から出力された色
差信号Ｒ−Ｙ，Ｂ−Ｙは、エンコーダ回路（ＥＮＣ回
路）１２４で変調され、標準テレビジョン信号として出
力される。そして、図示しないビデオレコーダ、あるい
は電子ビューファインダ等のモニタＥＶＦへと供給され
る。
輝度信号Ｙと、色信号補正回路１２１から出力された色
差信号Ｒ−Ｙ，Ｂ−Ｙは、エンコーダ回路（ＥＮＣ回
路）１２４で変調され、標準テレビジョン信号として出
力される。そして、図示しないビデオレコーダ、あるい
は電子ビューファインダ等のモニタＥＶＦへと供給され
る。
【００４９】次いで、１０６はアイリス制御回路で有
り、サンプルホールド回路１０４から供給される映像信
号に基づいてアイリス駆動回路１０７を制御し、映像信
号のレベルが所定レベルの一定値となるように、絞り１
０２の開口量を制御すべくｉｇメータを自動制御するも
のである。
り、サンプルホールド回路１０４から供給される映像信
号に基づいてアイリス駆動回路１０７を制御し、映像信
号のレベルが所定レベルの一定値となるように、絞り１
０２の開口量を制御すべくｉｇメータを自動制御するも
のである。
【００５０】１１４は、サンプルホールド回路４から出
力された映像信号中より合焦検出を行うために必要な高
周波成分を抽出する異なった帯域制限のバンドパスフィ
ルタ（ＢＰＦ）である。第１のバンドパスフィルタ１１
３（ＢＰＦ１）、及び第２のバンドパスフィルタ１１４
（ＢＰＦ２）から出力された信号は、ゲート回路１１５
及びフォーカスゲート枠信号で各々でゲートされ、ピー
ク検出回路１１６でピーク値が検出されてホールドされ
ると共に、論理制御回路１１７に入力される。
力された映像信号中より合焦検出を行うために必要な高
周波成分を抽出する異なった帯域制限のバンドパスフィ
ルタ（ＢＰＦ）である。第１のバンドパスフィルタ１１
３（ＢＰＦ１）、及び第２のバンドパスフィルタ１１４
（ＢＰＦ２）から出力された信号は、ゲート回路１１５
及びフォーカスゲート枠信号で各々でゲートされ、ピー
ク検出回路１１６でピーク値が検出されてホールドされ
ると共に、論理制御回路１１７に入力される。
【００５１】この信号を焦点電圧と呼び、この焦点電圧
によってフォーカスを合わせている。また、１１８はフ
ォーカスレンズ１０１Ａの移動位置を検出するフォーカ
スエンコーダ、１１９はズームレンズ１０１Ｂの焦点距
離を検出するズームエンコーダ、１２０は絞り１０２の
開口量を検出するアイリスエンコーダである。これらの
エンコーダの検出値は、システムコントロールを行う論
理制御回路１１７へと供給される論理制御回路１１７
は、設定された合焦検出領域内に相当する映像信号に基
づいて、被写体に対する合焦検出を行い焦点調節を行
う。即ち、各々のバンドパスフィルタ１１３，１１４よ
り供給された高周波成分のピーク値情報を取り込み、高
周波成分のピーク値が最大となる位置へとフォーカスレ
ンズ１０１Ａを駆動すべくフォーカス駆動回路９にフォ
ーカスモータ１１０の回転方向、回転速度、回転／停止
等の制御信号を供給し、これを制御する。
によってフォーカスを合わせている。また、１１８はフ
ォーカスレンズ１０１Ａの移動位置を検出するフォーカ
スエンコーダ、１１９はズームレンズ１０１Ｂの焦点距
離を検出するズームエンコーダ、１２０は絞り１０２の
開口量を検出するアイリスエンコーダである。これらの
エンコーダの検出値は、システムコントロールを行う論
理制御回路１１７へと供給される論理制御回路１１７
は、設定された合焦検出領域内に相当する映像信号に基
づいて、被写体に対する合焦検出を行い焦点調節を行
う。即ち、各々のバンドパスフィルタ１１３，１１４よ
り供給された高周波成分のピーク値情報を取り込み、高
周波成分のピーク値が最大となる位置へとフォーカスレ
ンズ１０１Ａを駆動すべくフォーカス駆動回路９にフォ
ーカスモータ１１０の回転方向、回転速度、回転／停止
等の制御信号を供給し、これを制御する。
【００５２】（第１０の実施の形態）図１２を参照し
て、本発明の固体撮像素子をスチルカメラに適用した場
合の一実施の形態について詳述する。
て、本発明の固体撮像素子をスチルカメラに適用した場
合の一実施の形態について詳述する。
【００５３】図１２は、本発明の固体撮像素子を「スチ
ルビデオカメラ」に適用した場合を示すブロック図であ
る。１０１はレンズのプロテクトとメインスイッチを兼
ねるバリア、１０２は被写体の光学像を固体撮像素子１
０４に結像させるレンズ、１０３はレンズ１０２を通っ
た光量を可変するための絞り、１０４はレンズ１０２で
結像された被写体を画像信号として取り込むための固体
撮像素子、１０６は固体撮像素子１０４から撮像信号処
理回路１０５を介して出力される画像信号のアナログ−
デジタル変換を行うＡ／Ｄ変換器、１０７はＡ／Ｄ変換
器１０６より出力された画像データに各種の補正を行う
と共にデータを圧縮する信号処理部である。また、１０
８は固体撮像素子１０４、撮像信号処理回路１０５、Ａ
／Ｄ変換器１０６、信号処理部１０７に、各種タイミン
グ信号を出力するタイミング発生部、１０９は各種演算
とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算
部、１１０は画像データを一時的に記憶するためのメモ
リ部、１１１は記録媒体に記録又は読み出しを行うため
のインターフェース部、１１２は画像データの記録又は
読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録
媒体、１１３は外部コンピュータ等と通信するためのイ
ンターフェース部である。
ルビデオカメラ」に適用した場合を示すブロック図であ
る。１０１はレンズのプロテクトとメインスイッチを兼
ねるバリア、１０２は被写体の光学像を固体撮像素子１
０４に結像させるレンズ、１０３はレンズ１０２を通っ
た光量を可変するための絞り、１０４はレンズ１０２で
結像された被写体を画像信号として取り込むための固体
撮像素子、１０６は固体撮像素子１０４から撮像信号処
理回路１０５を介して出力される画像信号のアナログ−
デジタル変換を行うＡ／Ｄ変換器、１０７はＡ／Ｄ変換
器１０６より出力された画像データに各種の補正を行う
と共にデータを圧縮する信号処理部である。また、１０
８は固体撮像素子１０４、撮像信号処理回路１０５、Ａ
／Ｄ変換器１０６、信号処理部１０７に、各種タイミン
グ信号を出力するタイミング発生部、１０９は各種演算
とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算
部、１１０は画像データを一時的に記憶するためのメモ
リ部、１１１は記録媒体に記録又は読み出しを行うため
のインターフェース部、１１２は画像データの記録又は
読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録
媒体、１１３は外部コンピュータ等と通信するためのイ
ンターフェース部である。
【００５４】次に、前述の構成における撮影時のスチル
ビデオカメラの動作について、説明する。
ビデオカメラの動作について、説明する。
【００５５】バリア１０１がオープンされるとメイン電
源がオンされ、次にコントロール系の電源がオンし、さ
らに、Ａ／Ｄ変換器１０６などの撮像系回路の電源がオ
ンされる。
源がオンされ、次にコントロール系の電源がオンし、さ
らに、Ａ／Ｄ変換器１０６などの撮像系回路の電源がオ
ンされる。
【００５６】それから、露光量を制御するために、全体
制御・演算部１０９は絞り１０３を開放にし、固体撮像
素子１０４から出力された信号はＡ／Ｄ変換器１０６で
変換された後、信号処理部１０７に入力される。そのデ
ータを基に露出の演算を全体制御・演算部１０９で行
う。
制御・演算部１０９は絞り１０３を開放にし、固体撮像
素子１０４から出力された信号はＡ／Ｄ変換器１０６で
変換された後、信号処理部１０７に入力される。そのデ
ータを基に露出の演算を全体制御・演算部１０９で行
う。
【００５７】この測光を行った結果により明るさを判断
し、その結果に応じて全体制御・演算部１０９は絞りを
制御する。
し、その結果に応じて全体制御・演算部１０９は絞りを
制御する。
【００５８】次に、固体撮像素子１０４から出力された
信号をもとに、高周波成分を取り出し被写体までの距離
の演算を全体制御・演算部１０９で行う。その後、レン
ズを駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判
断したときは、再びレンズを駆動し測距を行う。
信号をもとに、高周波成分を取り出し被写体までの距離
の演算を全体制御・演算部１０９で行う。その後、レン
ズを駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判
断したときは、再びレンズを駆動し測距を行う。
【００５９】そして、合焦が確認された後に本露光が始
まる。露光が終了すると、固体撮像素子１０４から出力
された画像信号はＡ／Ｄ変換器１０６でＡ−Ｄ変換さ
れ、信号処理部１０７を通り全体制御・演算１０９によ
りメモリ部に書き込まれる。その後、メモリ部１１０に
蓄積されたデータは、全体制御・演算部１０９の制御に
より記録媒体制御Ｉ／Ｆ部を通り半導体メモリ等の着脱
可能な記録媒体１１２に記録される。又外部Ｉ／Ｆ部１
１３を通り直接コンピュータ等に入力して画像の加工を
行ってもよい。
まる。露光が終了すると、固体撮像素子１０４から出力
された画像信号はＡ／Ｄ変換器１０６でＡ−Ｄ変換さ
れ、信号処理部１０７を通り全体制御・演算１０９によ
りメモリ部に書き込まれる。その後、メモリ部１１０に
蓄積されたデータは、全体制御・演算部１０９の制御に
より記録媒体制御Ｉ／Ｆ部を通り半導体メモリ等の着脱
可能な記録媒体１１２に記録される。又外部Ｉ／Ｆ部１
１３を通り直接コンピュータ等に入力して画像の加工を
行ってもよい。
【００６０】（第１１の実施の形態）図１３，１４を参
照して、本発明の固体撮像素子をシートフィード式の原
稿画像記録装置に適用した場合の一実施の形態について
詳述する。
照して、本発明の固体撮像素子をシートフィード式の原
稿画像記録装置に適用した場合の一実施の形態について
詳述する。
【００６１】図１３は、原稿画像を読み取る原稿画像読
取装置の概略図である。１０１は、密着型のイメージセ
ンサ（以下“ＣＩＳ”とも呼ぶ）であり、固体撮像素子
１０２、セルフォックレンズ１０３、ＬＥＤアレイ１０
４及びコンタクトガラス１０５から構成されている。
取装置の概略図である。１０１は、密着型のイメージセ
ンサ（以下“ＣＩＳ”とも呼ぶ）であり、固体撮像素子
１０２、セルフォックレンズ１０３、ＬＥＤアレイ１０
４及びコンタクトガラス１０５から構成されている。
【００６２】搬送ローラ１０６は、ＣＩＳ１０１の前後
に配置されており、原稿を配置させるために使用され
る。コンタクトシート１０７は、原稿をＣＩＳ１０１に
接触させる為に使用される。１１０は、制御回路であ
り、ＣＩＳ１０１からの信号の処理を行う。
に配置されており、原稿を配置させるために使用され
る。コンタクトシート１０７は、原稿をＣＩＳ１０１に
接触させる為に使用される。１１０は、制御回路であ
り、ＣＩＳ１０１からの信号の処理を行う。
【００６３】原稿検知レバー１０８は、原稿が差し込ま
れたことを検知するためのレバーであり、原稿が差し込
まれたことを検知すると、原稿検知レバー１０８が傾く
ことにより、原稿検知センサー１０９の出力が変化する
ことにより、その状態を制御回路１１０内のＣＰＵ２１
５に伝達することにより、原稿が差し込まれたと判断し
て、原稿搬送ローラ１０６駆動用モータ（図示せず）を
駆動させることにより、原稿搬送を開始させ読み取り動
作を行う。
れたことを検知するためのレバーであり、原稿が差し込
まれたことを検知すると、原稿検知レバー１０８が傾く
ことにより、原稿検知センサー１０９の出力が変化する
ことにより、その状態を制御回路１１０内のＣＰＵ２１
５に伝達することにより、原稿が差し込まれたと判断し
て、原稿搬送ローラ１０６駆動用モータ（図示せず）を
駆動させることにより、原稿搬送を開始させ読み取り動
作を行う。
【００６４】図１４は、図１３の制御回路１１０を詳細
に説明するための電気的構成を示すブロック図である。
以下に図１４を用いて、その回路動作を説明する。
に説明するための電気的構成を示すブロック図である。
以下に図１４を用いて、その回路動作を説明する。
【００６５】図１４において、１０１はイメージセンサ
（図１３のＣＩＳ）であり、光源である各色Ｒ，Ｇ，Ｂ
のＬＥＤ２０２も一体化されており、ＣＩＳ１０１のコ
ンタクトガラス１０５上を原稿を搬送させながら、ＬＥ
Ｄ制御（ドライブ）回路２０３にて１ライン毎に各色
Ｒ，Ｇ，ＢのＬＥＤ２０２を切り替えて点灯させること
により、Ｒ，Ｇ，Ｂ線順次のカラー画像を読み取ること
が可能である。
（図１３のＣＩＳ）であり、光源である各色Ｒ，Ｇ，Ｂ
のＬＥＤ２０２も一体化されており、ＣＩＳ１０１のコ
ンタクトガラス１０５上を原稿を搬送させながら、ＬＥ
Ｄ制御（ドライブ）回路２０３にて１ライン毎に各色
Ｒ，Ｇ，ＢのＬＥＤ２０２を切り替えて点灯させること
により、Ｒ，Ｇ，Ｂ線順次のカラー画像を読み取ること
が可能である。
【００６６】ＡＭＰ２０４は、ＣＩＳ２０１より出力さ
れた信号を増幅させる増幅器であり、２０５はこの増幅
出力のＡ／Ｄ変換を行って、例えば８ビットのデジタル
出力を得るＡ／Ｄ変換器である。シェーディングＲＡＭ
２０６は、キャリブレーション用のシートを予め読み取
ることにより、シェーディング補正用のデータが記憶さ
れており、シェーディング補正回路２０７は、シェーデ
ィングＲＡＭ２０６のデータに基づいて読み取られた画
像信号のシェーディング補正を行う。ピーク検知回路２
０８は、読み取られた画像データにおけるピーク値を、
ライン毎に検知する回路であり、原稿の先端を検知する
為に使用される。
れた信号を増幅させる増幅器であり、２０５はこの増幅
出力のＡ／Ｄ変換を行って、例えば８ビットのデジタル
出力を得るＡ／Ｄ変換器である。シェーディングＲＡＭ
２０６は、キャリブレーション用のシートを予め読み取
ることにより、シェーディング補正用のデータが記憶さ
れており、シェーディング補正回路２０７は、シェーデ
ィングＲＡＭ２０６のデータに基づいて読み取られた画
像信号のシェーディング補正を行う。ピーク検知回路２
０８は、読み取られた画像データにおけるピーク値を、
ライン毎に検知する回路であり、原稿の先端を検知する
為に使用される。
【００６７】ガンマ変換回路２０９は、ホストコンピュ
ータより予め設定されたガンマーカーブに従って読み取
られた画像データのガンマ変換を行う。
ータより予め設定されたガンマーカーブに従って読み取
られた画像データのガンマ変換を行う。
【００６８】バッファＲＡＭ２１０は、実際の読み取り
動作とホストコンピュータとの通信におけるタイミング
を合せる為に、画像データを１次的に記憶させるための
ＲＡＭであり、パッキング／バッファＲＡＭ制御回路２
１１は、ホストコンピュータより予め設定された画像出
力モード（２値、４ビット多値、８ビット多値、２４ビ
ット多値）に従ったパッキング処理を行った後に、その
データをバッファＲＡＭ２１０に書き込む処理と、イン
ターフェース回路２１２にバッファＲＡＭ２１０から画
像データを読み込んで出力させる。
動作とホストコンピュータとの通信におけるタイミング
を合せる為に、画像データを１次的に記憶させるための
ＲＡＭであり、パッキング／バッファＲＡＭ制御回路２
１１は、ホストコンピュータより予め設定された画像出
力モード（２値、４ビット多値、８ビット多値、２４ビ
ット多値）に従ったパッキング処理を行った後に、その
データをバッファＲＡＭ２１０に書き込む処理と、イン
ターフェース回路２１２にバッファＲＡＭ２１０から画
像データを読み込んで出力させる。
【００６９】インターフェース回路２１２は、パーソナ
ルコンピュータなどの本実施の形態に係る画像読み取り
装置のホスト装置となる外部装置との間でコントロール
信号の受容や画像信号の出力を行う。
ルコンピュータなどの本実施の形態に係る画像読み取り
装置のホスト装置となる外部装置との間でコントロール
信号の受容や画像信号の出力を行う。
【００７０】２１５は、例えばマイクロコンピュータ形
態のＣＰＵであり、処理手順を格納したＲＯＭ２１５Ａ
及び作業用のＲＡＭ２１５Ｂを有し、ＲＯＭ２１５Ａに
格納された手順に従って、各部の制御を行う。
態のＣＰＵであり、処理手順を格納したＲＯＭ２１５Ａ
及び作業用のＲＡＭ２１５Ｂを有し、ＲＯＭ２１５Ａに
格納された手順に従って、各部の制御を行う。
【００７１】２１６は、例えば水晶発振器、２１４は、
ＣＰＵ２１５の設定に応じて発振器２１６の出力を分周
して動作の基準となる各種タイミング信号を発生するタ
イミング信号発生回路である。２１３は、インターフェ
ース回路２１２を介して制御回路と接続される外部装置
であり、外部装置の一例としてはパーソナルコンピュー
タ等が挙げられる。
ＣＰＵ２１５の設定に応じて発振器２１６の出力を分周
して動作の基準となる各種タイミング信号を発生するタ
イミング信号発生回路である。２１３は、インターフェ
ース回路２１２を介して制御回路と接続される外部装置
であり、外部装置の一例としてはパーソナルコンピュー
タ等が挙げられる。
【００７２】（第１２の実施の形態）図１５，１６を参
照して、本発明の固体撮像素子を通信機能等を有する原
稿画像読み取り装置に適用した場合の一実施の形態につ
いて詳述する。
照して、本発明の固体撮像素子を通信機能等を有する原
稿画像読み取り装置に適用した場合の一実施の形態につ
いて詳述する。
【００７３】図１５は、画像読取装置の画像処理部の構
成を示すブロック図である。リーダ部１０１は、不図示
の原稿画像を読み取り、その原稿画像に応じた画像デー
タをプリンタ部１０２及び画像入出力制御部１０３へ出
力する。プリンタ部１０２は、リーダ部１０１及び画像
入出力制御部１０３からの画像データに応じた画像を記
録紙上に記録する。
成を示すブロック図である。リーダ部１０１は、不図示
の原稿画像を読み取り、その原稿画像に応じた画像デー
タをプリンタ部１０２及び画像入出力制御部１０３へ出
力する。プリンタ部１０２は、リーダ部１０１及び画像
入出力制御部１０３からの画像データに応じた画像を記
録紙上に記録する。
【００７４】画像入出力制御部１０３は、リーダ部１０
１に接続されており、ファクシミリ部１０４、ファイル
部１０５、コンピュータインターフェース部１０７、フ
ォーマッタ部１０８、イメージメモリ部１０９、コア部
１１０等からなる。これらの内、ファクシミリ部１０４
は、電話回線１１３を介して受信した圧縮画像データを
伸長した画像データをコア部１１０へ転送し、またコア
部１１０から転送された画像データを圧縮した圧縮画像
データを電話回線１１３を介して送信する。このファク
シミリ部１０４にはハードディスク１１２が接続されて
おり、受信した圧縮画像データを一時的に保存すること
ができる。
１に接続されており、ファクシミリ部１０４、ファイル
部１０５、コンピュータインターフェース部１０７、フ
ォーマッタ部１０８、イメージメモリ部１０９、コア部
１１０等からなる。これらの内、ファクシミリ部１０４
は、電話回線１１３を介して受信した圧縮画像データを
伸長した画像データをコア部１１０へ転送し、またコア
部１１０から転送された画像データを圧縮した圧縮画像
データを電話回線１１３を介して送信する。このファク
シミリ部１０４にはハードディスク１１２が接続されて
おり、受信した圧縮画像データを一時的に保存すること
ができる。
【００７５】ファイル部１０５には光磁気ディスクドラ
イブユニット１０６が接続されており、ファイル部１０
５は、コア部１１０から転送された画像データを圧縮
し、その画像データをそれを検索する為のキーワードと
共に光磁気ディスクドライブユニット１０６にセットさ
れた光磁気ディスクに記憶させる。また、ファイル部１
０５は、コア部１１０を介して転送されたキーワードに
基づいて、光磁気ディスクに記憶されている圧縮画像デ
ータを検索する。そして、検索された圧縮画像データを
読み出して伸長し、伸長された画像データをコア部１１
０へ転送する。
イブユニット１０６が接続されており、ファイル部１０
５は、コア部１１０から転送された画像データを圧縮
し、その画像データをそれを検索する為のキーワードと
共に光磁気ディスクドライブユニット１０６にセットさ
れた光磁気ディスクに記憶させる。また、ファイル部１
０５は、コア部１１０を介して転送されたキーワードに
基づいて、光磁気ディスクに記憶されている圧縮画像デ
ータを検索する。そして、検索された圧縮画像データを
読み出して伸長し、伸長された画像データをコア部１１
０へ転送する。
【００７６】コンピュータインターフェース部１０７
は、パーソナルコンピュータ又はワークステーション
（ＰＣ／ＷＳ）１１１とコア部１１０との間のインター
フェースである。
は、パーソナルコンピュータ又はワークステーション
（ＰＣ／ＷＳ）１１１とコア部１１０との間のインター
フェースである。
【００７７】また、フォーマッタ部１０８は、ＰＣ／Ｗ
Ｓ１１１から転送された画像を表わすコードデータをプ
リンタ部１０２で記録できる画像データに展開するもの
であり、イメージメモリ部１０９は、ＰＣ／ＷＳ１１１
から転送されたデータを一時的に記憶するものである。
Ｓ１１１から転送された画像を表わすコードデータをプ
リンタ部１０２で記録できる画像データに展開するもの
であり、イメージメモリ部１０９は、ＰＣ／ＷＳ１１１
から転送されたデータを一時的に記憶するものである。
【００７８】コア部１１０は、リーダ部１０１、ファク
シミリ部１０４、ファイル部１０５、コンピュータイン
ターフェース部１０７、フォーマッタ部１０８、イメー
ジメモリ部１０９のそれぞれの間のデータの流れを制御
する。
シミリ部１０４、ファイル部１０５、コンピュータイン
ターフェース部１０７、フォーマッタ部１０８、イメー
ジメモリ部１０９のそれぞれの間のデータの流れを制御
する。
【００７９】図１６は、図１５のリーダ部１及びプリン
タ部１０２の断面構成を示す図である。リーダ部１０１
の原稿給送装置２０１は、不図示の原稿を最終ページか
ら順に１枚ずつプラテンガラス２０２上ヘ給送し、原稿
の読み取り動作終了後、プラテンガラス２０２上の原稿
を排出するものである。また、原稿がプラテンガラス２
０２上ヘ搬送されると、ランプ２０３を点灯し、スキャ
ナユニット２０４の移動を開始させて、原稿を露光走査
する。
タ部１０２の断面構成を示す図である。リーダ部１０１
の原稿給送装置２０１は、不図示の原稿を最終ページか
ら順に１枚ずつプラテンガラス２０２上ヘ給送し、原稿
の読み取り動作終了後、プラテンガラス２０２上の原稿
を排出するものである。また、原稿がプラテンガラス２
０２上ヘ搬送されると、ランプ２０３を点灯し、スキャ
ナユニット２０４の移動を開始させて、原稿を露光走査
する。
【００８０】この露光走査による原稿からの反射光は、
ミラー２０５，２０６，２０７及びレンズ２０８によっ
て、固体撮像素子２０９へ導かれる。このように、走査
された原稿の画像は固体撮像素子２０９によって読み取
られる。この固体撮像素子２０９から出力される画像デ
ータは、Ａ／Ｄ変換、シェーディング補正等の処理が施
された後、プリンタ部１０２又はコア部１１０へ転送さ
れる。
ミラー２０５，２０６，２０７及びレンズ２０８によっ
て、固体撮像素子２０９へ導かれる。このように、走査
された原稿の画像は固体撮像素子２０９によって読み取
られる。この固体撮像素子２０９から出力される画像デ
ータは、Ａ／Ｄ変換、シェーディング補正等の処理が施
された後、プリンタ部１０２又はコア部１１０へ転送さ
れる。
【００８１】プリンタ部１０２のレーザドライバ３２１
は、レーザ発光部３０１を駆動し、リーダ部１０１から
出力された画像データに応じたレーザ光をレーザ発光部
３０１により発光させる。
は、レーザ発光部３０１を駆動し、リーダ部１０１から
出力された画像データに応じたレーザ光をレーザ発光部
３０１により発光させる。
【００８２】このレーザ光は感光ドラム３０２の異なる
位置に照射され、感光ドラム３０２にはこれらのレーザ
光に応じた潜像が形成される。この感光ドラム３０２の
潜像の部分には、現像機３０３によって現像剤が付着さ
れる。
位置に照射され、感光ドラム３０２にはこれらのレーザ
光に応じた潜像が形成される。この感光ドラム３０２の
潜像の部分には、現像機３０３によって現像剤が付着さ
れる。
【００８３】そして、レーザ光照射開始と同期したタイ
ミングで、カセット３０４及びカセット３０５のいずれ
かから記録しを給紙し、それを転写部３０６へ搬送し、
感光ドラム３０２に付着現像材をこの記録紙上に転写す
る。現像材の乗った記録紙は定着部３０７に搬送され、
定着部３０７における熱と圧力により現像材が記録紙上
に定着される。
ミングで、カセット３０４及びカセット３０５のいずれ
かから記録しを給紙し、それを転写部３０６へ搬送し、
感光ドラム３０２に付着現像材をこの記録紙上に転写す
る。現像材の乗った記録紙は定着部３０７に搬送され、
定着部３０７における熱と圧力により現像材が記録紙上
に定着される。
【００８４】定着部３０７を通過した記録紙は排出ロー
ラ３０８によって排出され、ソータ３２０は排出された
記録紙をそれぞれのピンに収納して記録紙の仕分けを行
う。
ラ３０８によって排出され、ソータ３２０は排出された
記録紙をそれぞれのピンに収納して記録紙の仕分けを行
う。
【００８５】尚、ソータ３２０は、仕分けが設定されて
いない場合には、排出ローラ３０８まで記録紙を搬送し
た後、排出ローラ３０８の回転方向を逆転させ、フラッ
パ３０９によってそれを再給紙搬送路３１０へ導く。
いない場合には、排出ローラ３０８まで記録紙を搬送し
た後、排出ローラ３０８の回転方向を逆転させ、フラッ
パ３０９によってそれを再給紙搬送路３１０へ導く。
【００８６】また、多重記録が設定されていない場合に
は、記録紙を排出ローラ３０８まで搬送しないように、
フラッパ３０９によってそれを再給紙搬送路３１０へ導
く。再給紙搬送路３１０へ導かれた記録紙は上述したタ
イミングと同じタイミングで転写部３０６へ給紙され
る。
は、記録紙を排出ローラ３０８まで搬送しないように、
フラッパ３０９によってそれを再給紙搬送路３１０へ導
く。再給紙搬送路３１０へ導かれた記録紙は上述したタ
イミングと同じタイミングで転写部３０６へ給紙され
る。
【００８７】（第１３の実施の形態）図１７を参照し
て、本発明の固体撮像素子を用いた、例えば実施の形態
９のビデオカメラを有するカメラ制御システムについて
詳述する。本実施の形態では、実施の形態９のビデオカ
メラに限らず、本発明の固体撮像素子を用いたスチルカ
メラであってもよい。
て、本発明の固体撮像素子を用いた、例えば実施の形態
９のビデオカメラを有するカメラ制御システムについて
詳述する。本実施の形態では、実施の形態９のビデオカ
メラに限らず、本発明の固体撮像素子を用いたスチルカ
メラであってもよい。
【００８８】図１７は、カメラ制御システムを示す概略
構成ブロック図である。１１０は映像データおよびカメ
ラ制御情報（ステータス情報も含む）をデジタル伝送す
るネットワークであり、ｎ台の映像送信端末１１２（１
１２―１〜１１２―ｎ）が接続している。
構成ブロック図である。１１０は映像データおよびカメ
ラ制御情報（ステータス情報も含む）をデジタル伝送す
るネットワークであり、ｎ台の映像送信端末１１２（１
１２―１〜１１２―ｎ）が接続している。
【００８９】各映像送信端末１１２（１１２―１〜１１
２―ｎ）には、カメラ制御装置１１４（１１４―１〜１
１４―ｎ）を介してカメラ１１６（１１６―１〜１１６
―ｎ）が接続されている。カメラ制御装置１１４（１１
４―１〜１１４―ｎ）は、映像送信端末１１２ビデオカ
メラ１１６（１１６―１〜１１６―ｎ）からの制御信号
に従い、接続するビデオカメラ１１６（１１６―１〜１
１６―ｎ）のパン、チルト、ズーム、フォーカス及び絞
りなどを制御する。
２―ｎ）には、カメラ制御装置１１４（１１４―１〜１
１４―ｎ）を介してカメラ１１６（１１６―１〜１１６
―ｎ）が接続されている。カメラ制御装置１１４（１１
４―１〜１１４―ｎ）は、映像送信端末１１２ビデオカ
メラ１１６（１１６―１〜１１６―ｎ）からの制御信号
に従い、接続するビデオカメラ１１６（１１６―１〜１
１６―ｎ）のパン、チルト、ズーム、フォーカス及び絞
りなどを制御する。
【００９０】また、ビデオカメラ１１６（１１６―１〜
１１６―ｎ）は、カメラ制御装置１１４（１１４―１〜
１１４―ｎ）から電源が供給されており、カメラ制御装
置１１４（１１４―１〜１１４―ｎ）は、外部からの制
御信号に従い、ビデオカメラ１１６（１１６―１〜１１
６―ｎ）の電源のＯＮ／ＯＦＦが制御される。
１１６―ｎ）は、カメラ制御装置１１４（１１４―１〜
１１４―ｎ）から電源が供給されており、カメラ制御装
置１１４（１１４―１〜１１４―ｎ）は、外部からの制
御信号に従い、ビデオカメラ１１６（１１６―１〜１１
６―ｎ）の電源のＯＮ／ＯＦＦが制御される。
【００９１】また、ネットワーク１１０には、映像送信
端末１１２（１１２―１〜１１２―ｎ）からネットワー
ク１１０に送出された映像情報を受信し、表示する映像
受信端末１１８（１１８―１〜１１８―ｍ）が接続され
ている。各映像受信端末１１８（１１８―１〜１１８―
ｍ）には、ビットマップディスプレイあるいはＣＲＴな
どで構成されるモニタ１２０（１２０―１〜１２０―
ｍ）が接続されている。
端末１１２（１１２―１〜１１２―ｎ）からネットワー
ク１１０に送出された映像情報を受信し、表示する映像
受信端末１１８（１１８―１〜１１８―ｍ）が接続され
ている。各映像受信端末１１８（１１８―１〜１１８―
ｍ）には、ビットマップディスプレイあるいはＣＲＴな
どで構成されるモニタ１２０（１２０―１〜１２０―
ｍ）が接続されている。
【００９２】ここで、ネットワーク１１０は、有線であ
る必要はなく、無線ＬＡＮ装置などを利用した無線ネッ
トワークでもよい。この場合、映像受信端末１１８は、
モニタ１２０と一体化して携帯型の映像受信端末装置と
することができる。
る必要はなく、無線ＬＡＮ装置などを利用した無線ネッ
トワークでもよい。この場合、映像受信端末１１８は、
モニタ１２０と一体化して携帯型の映像受信端末装置と
することができる。
【００９３】映像送信端末１１２（１１２―１〜１１２
―ｎ）は、接続するカメラ１１６（１１６―１〜１１６
―ｎ）の出力映像信号をＨ．２６１などの所定の圧縮方
式で圧縮し、ネットワーク１１０を介して、映像要求元
の映像受信端末１１８又はすべての映像受信端末１１８
に送信する。
―ｎ）は、接続するカメラ１１６（１１６―１〜１１６
―ｎ）の出力映像信号をＨ．２６１などの所定の圧縮方
式で圧縮し、ネットワーク１１０を介して、映像要求元
の映像受信端末１１８又はすべての映像受信端末１１８
に送信する。
【００９４】映像受信端末１１８は、ネットワーク１１
０、映像送信端末１１２及びカメラ制御装置１１４を介
して任意のカメラ１１６の種々のパラメータ（撮影方
位、撮影倍率、フォーカス及び絞りなど）と共に、電力
供給のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能である。
０、映像送信端末１１２及びカメラ制御装置１１４を介
して任意のカメラ１１６の種々のパラメータ（撮影方
位、撮影倍率、フォーカス及び絞りなど）と共に、電力
供給のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能である。
【００９５】ここで、映像送信端末１１２は、モニタを
接続し、圧縮映像を伸長する映像伸長装置を設けること
で、映像受信端末として兼用することができる。一方、
映像受信端末１１８は、カメラ制御装置１１４およびビ
デオカメラ１１６を接続し、映像圧縮装置を設けること
で、映像送信端末として兼用することができる。これら
の端末には、映像送信又は映像受信に必要なソフトウエ
アを記録するＲＯＭが備えられている。
接続し、圧縮映像を伸長する映像伸長装置を設けること
で、映像受信端末として兼用することができる。一方、
映像受信端末１１８は、カメラ制御装置１１４およびビ
デオカメラ１１６を接続し、映像圧縮装置を設けること
で、映像送信端末として兼用することができる。これら
の端末には、映像送信又は映像受信に必要なソフトウエ
アを記録するＲＯＭが備えられている。
【００９６】以上の構成によって、映像送信端末１１２
は、ネットワーク１１０を経由して遠隔地の映像受信端
末１１８に映像信号を伝送すると共に、映像受信端末１
１８から伝送されるカメラ制御信号を受けて、カメラ１
１６のパン、チルトなどの制御を実行する。
は、ネットワーク１１０を経由して遠隔地の映像受信端
末１１８に映像信号を伝送すると共に、映像受信端末１
１８から伝送されるカメラ制御信号を受けて、カメラ１
１６のパン、チルトなどの制御を実行する。
【００９７】また、映像受信端末１１８は、映像送信端
末１１２にカメラ制御信号を発信し、カメラ制御信号を
受信した映像送信端末１１２は、そのカメラ制御信号の
内容に応じてカメラ１６を制御すると共に、そのカメラ
１１６の現在の状態を返送する。
末１１２にカメラ制御信号を発信し、カメラ制御信号を
受信した映像送信端末１１２は、そのカメラ制御信号の
内容に応じてカメラ１６を制御すると共に、そのカメラ
１１６の現在の状態を返送する。
【００９８】映像受信端末１１８は、映像送信端末１１
２から送られてくる映像データを受信し、所定の処理を
施してモニタ１２０の表示画面上に撮影映像をリアルタ
イムに表示する。
２から送られてくる映像データを受信し、所定の処理を
施してモニタ１２０の表示画面上に撮影映像をリアルタ
イムに表示する。
【００９９】以上説明したように、フォトダイオードか
らの光信号電荷を増幅する増幅素子とその負荷となる負
荷素子とをゲート接地MOSを介して接続することによっ
て、強い光が入射されている画素を含む行と、そうでな
い行とのダーク画素およびＯＢ画素の出力電圧が等しく
なり、強いスポット光が入射された画像において白っぽ
い帯が発生するという問題はなく、鮮明な画像を得るこ
とができる。また、本発明の固体撮像装置を用いた撮像
システムにおいて、強い光が入射されている画素を含む
行と、そうでない行との水平ＯＢ画素の出力が変化する
ことがないため、水平ＯＢをクランプする必要がない。
これによって、水平ＯＢクランプレベルが行ごとにずれ
ることによって発生する横スジ等は発生せず、簡潔なブ
ロック構成で高画質の撮像システムを構成できる。
らの光信号電荷を増幅する増幅素子とその負荷となる負
荷素子とをゲート接地MOSを介して接続することによっ
て、強い光が入射されている画素を含む行と、そうでな
い行とのダーク画素およびＯＢ画素の出力電圧が等しく
なり、強いスポット光が入射された画像において白っぽ
い帯が発生するという問題はなく、鮮明な画像を得るこ
とができる。また、本発明の固体撮像装置を用いた撮像
システムにおいて、強い光が入射されている画素を含む
行と、そうでない行との水平ＯＢ画素の出力が変化する
ことがないため、水平ＯＢをクランプする必要がない。
これによって、水平ＯＢクランプレベルが行ごとにずれ
ることによって発生する横スジ等は発生せず、簡潔なブ
ロック構成で高画質の撮像システムを構成できる。
【０１００】
【発明の効果】本発明は、高画質な画像を得ることが可
能となる。
能となる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す固体撮像装置
のブロック図である。
のブロック図である。
【図２】第２の実施の形態を示す固体撮像装置のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図３】第２の実施の形態の動作を説明するためのタイ
ミング図である。
ミング図である。
【図４】第３の実施の形態を示す固体撮像装置のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図５】第４の実施の形態を示す固体撮像装置のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図６】第５の実施の形態を示す固体撮像装置のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図７】第６の実施の形態を示す固体撮像装置のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図８】第６の実施の形態の動作を説明するためのタイ
ミング図である。
ミング図である。
【図９】第７の実施の形態を示す固体撮像装置のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図１０】第８の実施の形態を示す撮像システムのブロ
ック図である。
ック図である。
【図１１】第９の実施の形態である、本発明の固体撮像
素子をビデオカメラに適用した場合を示すブロック図で
ある。
素子をビデオカメラに適用した場合を示すブロック図で
ある。
【図１２】第１０の実施の形態である、本発明の固体撮
像素子をスチルビデオカメラに適用した場合を示すブロ
ック図である。
像素子をスチルビデオカメラに適用した場合を示すブロ
ック図である。
【図１３】第１１の実施の形態である、原稿画像を読み
取る原稿画像読取装置の概略図である。
取る原稿画像読取装置の概略図である。
【図１４】図１３の制御回路１１０を詳細に説明するた
めの電気的構成を示すブロック図である。
めの電気的構成を示すブロック図である。
【図１５】第１２の実施の形態である、画像読取装置の
画像処理部の構成を示すブロック図である。
画像処理部の構成を示すブロック図である。
【図１６】図１５のリーダ部１０１及びプリンタ部１０
２の断面構成を示す図である。
２の断面構成を示す図である。
【図１７】第１３の実施の形態である、カメラ制御シス
テムを示す概略構成ブロック図である。
テムを示す概略構成ブロック図である。
【図１８】従来例の固体撮像装置のブロック図である。
１ 画素部
２ 垂直走査回路ブロック
３ 定電圧手段
４ ＧＮＤライン
５ 電圧入力端子
６ 制御パルス線
７ 水平走査回路ブロック
８ 差動回路ブロック
９ 制御信号入力端子
１０ 演算増幅器
１１ 固体撮像装置
１２ プログラマブル・ゲインアンプ
１３ ＡＤコンバータ
１４ デジタル出力
Ｄ１１〜Ｄ１３ フォトダイオード
Ｍ１１１〜Ｍ１３３ 転送ＭＯＳ
Ｍ２１１〜Ｍ２３３ リセットＭＯＳ
Ｍ３１１〜Ｍ３３３ 増幅ＭＯＳ
Ｍ４１１〜Ｍ４３３ 選択ＭＯＳ
Ｍ１１〜Ｍ１３ ノイズ信号転送スイッチ
Ｍ２１〜Ｍ２３ 光信号転送スイッチ
Ｍ３１〜Ｍ３６ 保持容量リセットスイッチ
Ｍ４１〜Ｍ４６ 水平転送スイッチ
Ｍ５０ 入力ＭＯＳ
Ｍ５１〜Ｍ５３ 負荷ＭＯＳ
Ｍ７１〜Ｍ７３ ゲート接地ＭＯＳ
Ｖ１〜Ｖ３ 垂直出力線
ＰＲＥＳ１〜ＰＲＥＳ３ 第１の行選択線
ＰＳＥＬ１〜ＰＳＥＬ３ 第２の行選択線
ＰＴＸ１〜ＰＴＸ３ 第３の行選択線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 樋山 拓己
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 BA14 CA02 DB09
DD09 DD12 FA06 FA33 GA01
GB09
5C024 CX03 GX03 GY36
5F049 MA01 MB03 NA04 NA20 NB05
RA08 RA10 SS03 UA20
Claims (6)
- 【請求項１】 光信号を信号電荷に変換して蓄積する光
電変換素子と、この蓄積された前記信号電荷を増幅する
増幅素子と、この増幅素子における前記信号電荷をリセ
ットするリセット素子とを画素の構成要素として含む固
体撮像装置であって、 前記増幅素子の出力に接続され、前記増幅素子に電流を
供給する負荷素子と、 この負荷素子の前記増幅素子の出力側の主電極領域の電
圧を一定にする定電圧手段とを備えることを特徴とする
固体撮像装置。 - 【請求項２】 特定の画素を選択する選択素子を画素の
構成要素としてさらに含むことを特徴とする請求項１記
載の固体撮像装置。 - 【請求項３】 前記光電変換素子に蓄積された信号電荷
を読み出し転送する転送素子を画素の構成要素としてさ
らに含み、 前記増幅素子が、前記転送素子から転送された信号電荷
を増幅することを特徴とする請求項１又は２記載の固体
撮像装置。 - 【請求項４】 前記負荷素子が、ＭＯＳトランジスタで
あって、前記出力側主電極領域がドレインであることを
特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の固体撮
像装置。 - 【請求項５】 前記定電圧手段は、前記負荷素子に直列
に接続されたゲート接地のＭＯＳトランジスタであるこ
とを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の固
体撮像装置。 - 【請求項６】 結像光学系によって結像された像、又は
密着配置されて露光された原稿の画像を光電変換する請
求項１〜５のいずれかに記載の固体撮像装置と、 この固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回
路とを有することを特徴とする撮像システム。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001212301A JP3962561B2 (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
| US10/190,713 US7355645B2 (en) | 2001-07-12 | 2002-07-09 | Image pickup apparatus with potential fluctuation prevention |
| EP02254791.3A EP1276316B1 (en) | 2001-07-12 | 2002-07-09 | Image pickup apparatus |
| EP12167310.7A EP2493177A3 (en) | 2001-07-12 | 2002-07-09 | Image pickup apparatus |
| EP10182083.5A EP2290953B1 (en) | 2001-07-12 | 2002-07-09 | Image pickup apparatus |
| CNB021406502A CN1222046C (zh) | 2001-07-12 | 2002-07-11 | 摄像装置 |
| KR10-2002-0040556A KR100498222B1 (ko) | 2001-07-12 | 2002-07-12 | 촬상장치 |
| TW091115582A TW554546B (en) | 2001-07-12 | 2002-07-12 | Image pickup apparatus |
| US11/861,790 US7986362B2 (en) | 2001-07-12 | 2007-09-26 | Image pickup apparatus maintaining constant potential of load-transistor main electrode |
| US13/158,613 US8553120B2 (en) | 2001-07-12 | 2011-06-13 | Solid state image pickup apparatus |
| US14/016,344 US9055211B2 (en) | 2001-07-12 | 2013-09-03 | Image pickup apparatus |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001212301A JP3962561B2 (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=19047483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001212301A Expired - Fee Related JP3962561B2 (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
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|---|---|
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| EP (3) | EP2493177A3 (ja) |
| JP (1) | JP3962561B2 (ja) |
| KR (1) | KR100498222B1 (ja) |
| CN (1) | CN1222046C (ja) |
| TW (1) | TW554546B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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