JP2003031741A - 半導体集積装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱抵抗の低減を図ると共に、製造工程の簡略
化を図ることが可能な構造を有する半導体集積装置を提
供する。 【解決手段】 半導体集積装置１０は、半導体チップ１
６、搭載部材１８、配線基板２０、及びベース部材２２
を備える。搭載部材１８は、半導体チップ１６を搭載す
るためのチップ搭載面１８ａを有する。ベース部材２２
は、半導体チップ１６と搭載部材１８と配線基板２０と
を搭載する。ベース部材２２の搭載部材１８を搭載する
部位には穴２４が設けられている。そして、搭載部材１
８は穴２４に嵌め込まれて、穴２４の内壁面と搭載部材
１８の側面とが摩擦作用により接合されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】パワーアンプモジュールなどの半導体集
積装置は、半導体チップ、半導体チップを搭載するため
の搭載部材、配線基板、及び半導体チップと搭載部材と
配線基板とを搭載するためのベース部材を備えている。
半導体チップは搭載部材に搭載され、この搭載部材がベ
ース部材上に搭載される。

【０００３】かかる搭載部材は、熱伝導性の良い材料か
ら構成され、半導体チップから発せられた熱をベース部
材に逃す。ベース部材は、一般に外部放熱器に接続さ
れ、搭載部材から伝わってくる熱を外部放熱器へ逃が
す。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体集積装置では、搭載部材とベース部材と
は半田付け（鉛と錫の合金）により固定されていたた
め、搭載部材とベース部材との間の熱抵抗が大きくな
り、半導体チップから発せられた熱を効率よく外部へ放
出することが難しかった。

【０００５】また、搭載部材とベース部材とを半田付け
するためには、半田付け前には半田付け用のフラックス
を塗布する工程が必要であった。また、このフラックス
が搭載部材の表面を汚染して、搭載部材への半導体チッ
プの接着を阻害するおそれをなくすため、半田付け後に
は余分なフラックスを洗浄する工程が必要であった。こ
のように、搭載部材とベース部材とを半田付けするため
には、フラックスの塗布工程と洗浄工程とが必要であ
り、その分だけ製造工程が複雑であった。

【０００６】そこで本発明は、熱抵抗の低減を図ると共
に、製造工程の簡略化を図ることが可能な構造を有する
半導体集積装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体集積
装置は、半導体チップ、半導体チップを搭載するための
チップ搭載面を有する搭載部材、配線基板、及び半導体
チップと搭載部材と配線基板とを搭載するためのベース
部材を備え、ベース部材の搭載部材を搭載する部位には
穴が設けられており、搭載部材は穴に嵌め込まれて、穴
の内壁面と搭載部材の側面とが摩擦作用により接合され
ている。

【０００８】この半導体集積装置では、ベース部材に設
けられた穴に搭載部材が嵌め込まれ、穴の内壁面と搭載
部材の側面とが摩擦作用により接合されることで、ベー
ス部材に対して搭載部材が固定されている。このよう
に、半田付けすることなく搭載部材とベース部材とが密
接して固定されているため、搭載部材とベース部材との
間の熱抵抗を低減することができ、半導体チップから発
せられる熱を外部へ効率的に放出することができる。ま
た、半田付けに伴うフラックスの塗布工程や、半田付け
後の洗浄工程が不要となり、製造工程の簡略化を図るこ
とが可能となる。

【０００９】本発明に係る半導体集積装置では、ベース
部材の穴の内壁面と、搭載部材の側面とは同一形状を有
していてもよい。このようにすれば、ベース部材の穴の
内壁面と搭載部材の側面とがほぼ全面で密接することと
なり、ベース部材に対する搭載部材の固定がより確実に
なる。

【００１０】このとき、ベース部材の穴の内壁面は長円
形状を有していてもよい。このようにすれば、ベース部
材の穴の内壁面と搭載部材の側面との密接度をより一層
高めることができる。

【００１１】また本発明に係る半導体集積装置では、搭
載部材のチップ搭載面は、ベース部材の配線基板を搭載
する基板搭載面を含む基準面から所定高さで突出してい
てもよい。このようにすれば、搭載部材のチップ搭載面
とベース部材に搭載された配線基板の主表面とを実質的
に同じ高さに設定することができ、その結果、半導体チ
ップと配線基板間の配線長が最短となり、つまり配線の
インダクタンス分が最小となり、高周波的に安定な回路
設計ができる。

【００１２】また本発明に係る半導体集積装置では、搭
載部材のチップ搭載面には溝が形成されていてもよい。
半導体チップと搭載部材間の配線を接合（ワイヤボンデ
ィング）するチップ搭載面は金めっきが露出していなけ
ればならないが、このようにすれば、金錫合金等の半田
を用いてチップ搭載面に半導体チップを搭載して固定す
るときに、余分な半田を溝に流れ込ませることで、半田
がチップ搭載面の全面に広がることを抑制することがで
きるため、半田の影響を受けることなくチップ搭載面に
ワイヤボンディングを施すことが可能となり、電気的な
接続をより確実なものとすることができる。

【００１３】また本発明に係る半導体集積装置では、配
線基板の搭載部材に対応する領域には、配線基板の一対
の主面を貫通する孔が形成されており、配線基板は孔内
に搭載部材を収容した状態でベース部材上に搭載されて
いてもよい。このようにすれば、搭載部材に合わせて配
線基板を分割する必要がなく、より少ない枚数、例えば
１枚で配線基板を構成することが可能となり、部品点数
の低減による製造工程の簡略化が図られる。

【００１４】また本発明に係る半導体集積装置では、配
線基板とベース部材とは、導電性樹脂により接着されて
いてもよい。このように、配線基板とベース部材とを半
田付けでなく導電性樹脂により接着すれば、半田付けに
伴うフラックスの塗布工程や、半田付け後の洗浄工程が
不要となり、製造工程の簡略化を図ることが可能とな
る。

【００１５】なお、本発明に係る半導体集積装置は、以
下のようにして好適に製造することができる。すなわ
ち、本発明に係る半導体集積装置の製造方法は、（１）
半導体チップ、半導体チップを搭載するためのチップ搭
載面を有する搭載部材、配線基板、及び搭載部材を搭載
する部位に穴が設けられており半導体チップと搭載部材
と配線基板とを搭載するためのベース部材を準備する準
備工程と、（２）ベース部材の穴に搭載部材を圧入して
嵌め込む嵌め込み工程と、（３）ベース部材に配線基板
を搭載する基板搭載工程と、（４）搭載部材のチップ搭
載面に半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、
（５）半導体チップと配線基板とを結線する結線工程
と、を備える。

【００１６】この方法によれば、ベース部材に設けられ
た穴に搭載部材を圧入して嵌め込むことで、穴の内壁面
と搭載部材の側面とが摩擦作用により接合され、ベース
部材に対して搭載部材が固定される。このように、半田
付けすることなく搭載部材とベース部材とを密接させて
固定することができるため、この方法により製造される
半導体集積装置によれば、搭載部材とベース部材との間
の熱抵抗を低減することができ、半導体チップから発せ
られる熱を効率的に放出することができる。また、半田
付けに伴うフラックスの塗布工程や、半田付け後の洗浄
工程が不要となるため、製造工程の簡略化を図ることが
可能となる。

【００１７】本発明に係る半導体集積装置の製造方法に
おいて、嵌め込み工程では、押し込み面に突起部が設け
られた治具を用い、治具の押し込み面を搭載部材のチッ
プ搭載面に押し当てて、搭載部材を穴に嵌め込むと共
に、搭載部材のチップ搭載面に溝を形成してもよい。こ
のようにすれば、ベース部材に設けられた穴に搭載部材
を嵌め込むのと同時に、チップ搭載面に溝を形成するこ
とが可能となり、製造工程の簡略化を図ることが可能と
なる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の好適な実施形態について説明する。なお、図面の説明
において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説
明を省略する。

【００１９】図１は、本実施形態に係る半導体集積装置
の構成を示す斜視図である（蓋を取った状態を示す）。
また図２は、本実施形態に係る半導体集積装置の本体部
の構成を示す分解斜視図である。

【００２０】図１に示す通り、パワーアンプモジュール
としての半導体集積装置１０は、蓋１２及び本体部１４
を備えている。本体部１４は、図１及び図２に示すよう
に、半導体チップ１６、搭載部材１８、配線基板２０、
及びベース部材２２を備えている。

【００２１】ベース部材２２は、上下面がほぼ長方形を
なす板状の部材である。このベース部材２２は、銅など
の熱伝導性の高い金属から構成されており、表面にはニ
ッケルめっきが施されている。このベース部材２２の搭
載部材１８を搭載する領域には、上下面を貫通する穴２
４が設けられている。穴２４の内壁面の形状は、後述す
る搭載部材１８の側面と同一形状をなし、本実施形態で
は長円形状をなしている。ここで「長円形状」とは、図
２に示すように、一対の直線と一対の円弧からなる小判
形状の他に、楕円形状をも含む概念である。なお、ベー
ス部材２２の一対の長縁部には、蓋１２を係止するため
の係止爪２６が設けられており、また一対の短縁部に
は、図示しない外部放熱器にねじ留めするため凹部２８
が設けられている。

【００２２】搭載部材１８は、上下面と側面とを有する
柱状の部材である。この搭載部材１８は、銅などの熱伝
導性の高い金属から構成されており、表面には金めっき
が施されている。搭載部材１８の側面形状（すなわち、
水平断面形状）は、ベース部材２２に設けられた穴２４
の内壁面と同一形状の長円形状をなしている。ここで
「同一形状」とは、形及び大きさが同一であることをい
う。搭載部材１８の上面は、半導体チップ１６を搭載す
るためのチップ搭載面１８ａとして機能している。そし
て、このチップ搭載面１８ａには長径方向に溝３０が形
成され、この溝３０によりチップ搭載面１８ａが搭載部
とボンディング部とに分けられている。

【００２３】この搭載部材１８は、ベース部材２２に設
けられた穴２４に圧入して嵌め込まれており、穴２４の
内壁面と搭載部材１８の側面とが摩擦作用により接合さ
れて、いわゆる締まり嵌め関係でベース部材２２に対し
て固定されている。

【００２４】配線基板２０は、ベース部材２２とほぼ同
じ大きさをなす長方形の板状の部材である。配線基板２
０の上面には配線部が形成されており、リード端子３２
を介して半導体集積装置１０の外部と半導体チップ１６
との間の信号の伝達を可能にする。この配線基板２０の
搭載部材１８に対応する領域には、配線基板２０の上下
面を貫通する孔３４が形成されている。そして配線基板
２０は、孔３４内に搭載部材１８を収容した状態で、ベ
ース部材２２上に搭載され導電性樹脂により接着固定さ
れている。

【００２５】半導体チップ１６は、例えば半導体基板上
にゲート領域、ソース領域、及びドレイン領域を形成し
た電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）などのトランジスタ
素子である。この半導体チップ１６は、搭載部材１８の
チップ搭載面１８ａ上の搭載部に搭載され、金錫合金に
より半田付けされている。

【００２６】図３は、半導体集積装置１０の半導体チッ
プ１６周辺部の詳細を示す断面図であり、図４は、半導
体集積装置１０の半導体チップ１６周辺部の詳細を示す
平面図である。

【００２７】図３に示すように、搭載部材１８はベース
部材２２の穴２４に嵌め込まれ、ベース部材２２の下面
と搭載部材１８の下面は面一にされている。また、搭載
部材１８のチップ搭載面１８ａは、ベース部材２２の上
面（基板搭載面）から所定高さで突出し、配線基板２０
の上面と実質的に同じ高さに設定されている。そして、
図３及び図４に示すように、半導体チップ１６のソース
領域と搭載部材１８のチップ搭載面１８ａのボンディン
グ部との間にはソースワイヤ３６が、半導体チップ１６
のゲート領域と配線基板２０との間にはゲートワイヤ３
８が、半導体チップ１６のドレイン領域と配線基板２０
との間にはドレインワイヤ４０が、それぞれワイヤボン
ディングされている。

【００２８】次に、図５〜図１０を参照して、本実施形
態に係る半導体集積装置１０の製造方法について説明す
る。

【００２９】まず、上述した構成の半導体チップ１６、
搭載部材１８、配線基板２０、ベース部材２２、蓋１
２、及びリード端子３２を準備する（準備工程）。

【００３０】次に、図５に示すように、ベース部材２２
に設けられた穴２４に搭載部材１８を圧入して嵌め込む
（嵌め込み工程）。これにより、穴２４の内壁面と搭載
部材１８の側面とが摩擦作用により接合され、いわゆる
締まり嵌めの関係でベース部材２２に対して搭載部材１
８が固定される。この嵌め込み工程では、図６に示すよ
うに、押し込み面５０ａに突起部５２が設けられた治具
５０を用い、治具５０の押し込み面５０ａを搭載部材１
８のチップ搭載面１８ａに押し当てて、搭載部材１８を
穴２４に嵌め込むと好ましい。このようにすれば、ベー
ス部材２２に設けられた穴２４に搭載部材１８を嵌め込
むのと同時に、チップ搭載面１８ａに溝３０を形成する
ことが可能となり、製造工程の簡略化を図ることが可能
となる。なお、チップ搭載面１８ａの溝３０は、ベース
部材２２の穴２４に搭載部材１８を嵌め込んだ後に形成
してもよいし、予め形成しておいてもよい。このベース
部材２２と搭載部材１８とにより、半導体集積装置用基
材６０が構成される。

【００３１】次に、図７に示すように、ベース部材２２
の上面に配線基板２０を搭載する（基板搭載工程）。基
板搭載工程では、孔３４内に搭載部材１８を収容するよ
うに、ベース部材２２の上面に配線基板２０を搭載して
接着固定する。ベース部材２２と配線基板２０との接着
は、導電性樹脂により行うと好ましい。このように、配
線基板２０とベース部材２２とを半田付けでなく導電性
樹脂により接着すれば、半田付けに伴うフラックスの塗
布工程や、半田付け後の洗浄工程が不要となり、製造工
程の簡略化を図ることが可能となる。

【００３２】次に、図８に示すように、搭載部材１８の
チップ搭載面１８ａの搭載部に、半導体チップ１６を搭
載する（チップ搭載工程）。チップ搭載工程では、金錫
合金等の半田により、チップ搭載面１８ａの搭載部に半
導体チップ１６を接着する。このとき、図９に示すよう
に、チップ搭載面１８ａには溝３０が形成されているた
め、半導体チップ１６を半田付けするために使用した金
錫合金等の半田５４の余剰分を溝３０に流し込ませるこ
とができる。その結果、半田５４がチップ搭載面１８ａ
のボンディング部にまで広がることを抑制することがで
きる。

【００３３】次に、図１０に示すように、半導体チップ
１６のゲート領域と配線基板２０との間、半導体チップ
１６のドレイン領域と配線基板２０との間、及び半導体
チップ１６のソース領域と搭載部材１８のチップ搭載面
１８ａのボンディング部との間にワイヤボンディングを
施す（結線工程）。このとき、上述したように余剰な半
田５４は溝３０に流し込むことで、チップ搭載面１８ａ
のボンディング部は半田５４により汚染されるおそれが
抑制されている。よって、半田５４の影響を受けること
なく半導体チップ１６のソース領域とチップ搭載面１８
ａのボンディング部との間にワイヤボンディングを施す
ことが可能となり、電気的な接続をより確実なものとす
ることができる。そして、半導体チップ１６の周辺部を
ボンディングワイヤも含めて樹脂封止する。これによ
り、半導体集積装置１０の本体部１４が形成される。

【００３４】最後に、半導体集積装置１０の本体部１４
に蓋１２を被せ、係止爪２６により蓋１２を固定して、
半導体集積装置１０の製造を終了する。

【００３５】次に、本実施形態に係る半導体集積装置１
０の作用及び効果について説明する。

【００３６】本実施形態に係る半導体集積装置１０で
は、ベース部材２２に設けられた穴２４に搭載部材１８
が嵌め込まれ、穴２４の内壁面と搭載部材１８の側面と
が摩擦作用により接合されることで、ベース部材２２に
対して搭載部材１８が固定されている。このように、半
田付けすることなく搭載部材１８とベース部材２２とが
密接して固定されているため、搭載部材１８とベース部
材２２との間の熱抵抗を低減することができ、半導体チ
ップ１６から発せられる熱を外部へ効率的に放出するこ
とができる。その結果、長期に亘って安定した特性を発
揮することができる。また、かかる構成の半導体集積装
置１０によれば、半田付けに伴うフラックスの塗布工程
や、半田付け後の洗浄工程が不要となり、製造工程の簡
略化を図ることが可能となる。

【００３７】また本実施形態に係る半導体集積装置１０
では、ベース部材２２の穴２４の内壁面と、搭載部材１
８の側面とは同一形状を有しているため、ベース部材２
２の穴２４の内壁面と搭載部材１８の側面とがほぼ全面
で密接することとなり、ベース部材２２に対する搭載部
材１８の固定をより確実にすることができる。特に、ベ
ース部材２２の穴２４の内壁面及び搭載部材１８の側面
は長円形状を有し、角がないため、ベース部材２２の穴
２４の内壁面と搭載部材１８の側面との密接度をより一
層高めることができ、ベース部材２２に対する搭載部材
１８の固定を一層確実にすることができる。

【００３８】また本実施形態に係る半導体集積装置１０
では、搭載部材１８のチップ搭載面１８ａは、ベース部
材２２の上面から所定高さで突出しており、搭載部材１
８のチップ搭載面１８ａと配線基板２０の上面とが実質
的に同じ高さに設定されている。その結果、半導体チッ
プ１６と配線基板２０間の配線長が最短となり、つまり
配線のインダクタンス分が最小となり、高周波的に安定
な回路設計ができる。

【００３９】また本実施形態に係る半導体集積装置１０
では、搭載部材１８のチップ搭載面１８ａには溝３０が
形成されているため、金錫合金等の半田５４を用いてチ
ップ搭載面１８ａに半導体チップ１６を搭載して固定す
るときに、余分な半田５４を溝３０に流れ込ませること
で、半田５４がチップ搭載面１８ａの全面に広がること
を抑制することができる。その結果、半田５４の影響を
受けることなくチップ搭載面１８ａにワイヤボンディン
グを施すことが可能となり、電気的な接続をより確実な
ものとすることができる。

【００４０】また本実施形態に係る半導体集積装置１０
では、配線基板２０の搭載部材１８に対応する領域に
は、上下面を貫通する孔３４が形成されており、配線基
板２０は孔３４内に搭載部材１８を収容した状態でベー
ス部材２２上に搭載されている。このように、搭載部材
１８に合わせて配線基板２０を分割することなく、１枚
で配線基板２０を構成しているため、部品点数の低減に
よる製造工程の簡略化を図ることが可能となる。

【００４１】また本実施形態に係る半導体集積装置１０
では、配線基板２０とベース部材２２とは、半田付けで
なく導電性樹脂により接着されているため、半田付けに
伴うフラックスの塗布工程や、半田付け後の洗浄工程が
不要となり、製造工程の簡略化を図ることが可能とな
る。

【００４２】本実施形態に係る半導体集積装置１０の製
造方法では、ベース部材２２に設けられた穴２４に搭載
部材１８を圧入して嵌め込むことで、穴２４の内壁面と
搭載部材１８の側面とが摩擦作用により接合され、ベー
ス部材２２に対して搭載部材１８が固定される。このよ
うに、半田付けすることなく搭載部材１８とベース部材
２２とを密接させて固定することができるため、この方
法により製造される半導体集積装置１０によれば、搭載
部材１８とベース部材２２との間の熱抵抗を低減するこ
とができ、半導体チップ１６から発せられる熱を効率的
に放出することができる。また、半田付けに伴うフラッ
クスの塗布工程や、半田付け後の洗浄工程が不要となる
ため、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。

【００４３】特に嵌め込み工程では、押し込み面５０ａ
に突起部５２が設けられた治具５０を用い、治具５０の
押し込み面５０ａを搭載部材１８のチップ搭載面１８ａ
に押し当てて、搭載部材１８を穴２４に嵌め込むと共
に、搭載部材１８のチップ搭載面１８ａに溝３０を形成
している。その結果、ベース部材２２に設けられた穴２
４に搭載部材１８を嵌め込むのと同時に、チップ搭載面
１８ａに溝３０を形成することが可能となり、製造工程
の簡略化を図ることが可能となる。

【００４４】なお、本発明は上記した実施形態に限定さ
れることなく、種々の変更が可能である。例えば、ベー
ス部材２２に設けられた穴２４は、上下面を貫通する貫
通穴である必要はなく、上面のみが開口する窪み穴であ
ってもよい。

【００４５】以上、本実施形態に係る半導体集積装置１
０について説明したが、この半導体集積装置１０は、以
下の半導体集積装置用基材６０に関する技術思想を含ん
でいる。すなわち、半導体集積装置用基材６０は、半導
体チップ１６を搭載するための搭載部材１８と、搭載部
材１８を搭載するためのベース部材２２とを備え、ベー
ス部材２２の搭載部材１８を搭載する部位には穴２４が
形成されており、搭載部材１８は穴２４に嵌め込まれ
て、穴２４の内壁面と搭載部材１８の側面とが摩擦作用
により接合されている。かかる半導体集積装置用基材６
０は、放熱特性に優れるため、本実施形態に係る半導体
集積装置１０のような、パワーアンプモジュールなどの
高電力を扱うモジュールに好適に用いることができる。

【００４６】以上の本発明の説明から、本発明を様々に
変形しうることは明らかである。そのような変形は、本
発明の思想および範囲から逸脱するものとは認めること
はできず、すべての当業者にとって自明である改良は、
本発明の範囲に含まれるものである。

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、熱抵抗の低減を図ると
共に、製造工程の簡略化を図ることが可能な構造を有す
る半導体集積装置が提供される。かかる半導体集積装置
によれば、放熱特性に優れるため、長期に亘って安定し
た特性を発揮することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施形態に係る半導体集積装置の構成を示す
斜視図である。

【図２】本実施形態に係る半導体集積装置の本体部の構
成を示す分解斜視図である。

【図３】半導体集積装置の半導体チップ周辺部の詳細を
示す断面図である。

【図４】半導体集積装置の半導体チップ周辺部の詳細を
示す平面図である。

【図５】半導体集積装置の製造工程を示す工程図である
（嵌め込み工程）。

【図６】嵌め込み工程において、押し込み面に突起部を
有する治具を用い、搭載部材をベース部材の穴に嵌め込
む様子を模式的に示す一部断面図である。

【図７】半導体集積装置の製造工程を示す工程図である
（基板搭載工程）。

【図８】半導体集積装置の製造工程を示す工程図である
（チップ搭載工程）。

【図９】半導体チップを接着する接着材の余剰分が溝に
流れ込むことで、接着材のボンディング部への広がりが
抑制される様子を示す平面図である。

【図１０】半導体集積装置の製造工程を示す工程図であ
る（結線工程）。

【符号の説明】

１０…半導体集積装置、１２…蓋、１４…本体部、１６
…半導体チップ、１８…搭載部材、１８ａ…チップ搭載
面、２０…配線基板、２２…ベース部材、２４…穴、３
０…溝、３４…孔、５０…治具、５０ａ…押し込み面、
５２…突起部、６０…半導体集積装置用基材。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップ、該半導体チップを搭載す
   るためのチップ搭載面を有する搭載部材、配線基板、及
   び該半導体チップと該搭載部材と該配線基板とを搭載す
   るためのベース部材を備え、 前記ベース部材の前記搭載部材を搭載する部位には穴が
   設けられており、該搭載部材は該穴に嵌め込まれて、該
   穴の内壁面と該搭載部材の側面とが摩擦作用により接合
   されている半導体集積装置。
2. 【請求項２】 前記ベース部材の前記穴の前記内壁面
   と、前記搭載部材の前記側面とは同一形状を有する請求
   項１に記載の半導体集積装置。
3. 【請求項３】 前記ベース部材の前記穴の前記内壁面は
   長円形状を有する請求項２に記載の半導体集積装置。
4. 【請求項４】 前記搭載部材の前記チップ搭載面は、前
   記ベース部材の前記配線基板を搭載する基板搭載面を含
   む基準面から所定高さで突出している請求項１に記載の
   半導体集積装置。
5. 【請求項５】 前記搭載部材の前記チップ搭載面には溝
   が形成されている請求項１に記載の半導体集積装置。
6. 【請求項６】 前記配線基板の前記搭載部材に対応する
   領域には、該配線基板の一対の主面を貫通する孔が形成
   されており、該配線基板は該孔内に該搭載部材を収容し
   た状態で前記ベース部材上に搭載されている請求項１に
   記載の半導体集積装置。
7. 【請求項７】 前記配線基板と前記ベース部材とは、導
   電性樹脂により接着されている請求項１に記載の半導体
   集積装置。