JP2003029415A - フォトレジスト加工方法及び段型金属体製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体製造技術を利用して、例えばマイクロ
アクチュエータの部品としての段型金属体を形成する場
合に、フォトレジスト層間のインターミックス防止層の
介在を省略する。 【解決手段】 各々が、異なるマスクパターンを使用し
かつ異なる露光量とされている露光操作を、フォトレジ
スト層２１の上面に対して、重複した露光部位を含みつ
つ、実施し、その後、現像する。これにより、フォトレ
ジスト層２１は、各露光部位においてその部位における
最大露光量に対応する深さまで、表面から除去され、結
果、モールド用段型凹所２３がフォトレジスト層２１に
形成され、該モールド用段型凹所２３より段型金属体の
形成が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジスト加
工方法及び段型金属体製造方法に関し、詳しくは半導体
製造技術を利用してフォトレジスト加工方法及び段型金
属体製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】本明細書において、説明の便宜上、基板
側及び反基板側をそれぞれ下側及び上側と適宜、呼ぶこ
とにする。半導体製造技術を利用して、段型金属体を装
備するマイクロマシーンを製造することがある。マイク
ロマシーンの段型金属体の従来の製造方法では、段型金
属体の各段間金属部分に対応して、レジストの形成と該
レジストへの対応モールド用段間部分用のモールド用空
間部分の形成とをひと組とした工程を実施し、このひと
組の工程を段型金属体の段間金属部分の個数だけ繰り返
している。この場合、下側のフォトレジスト層と上側の
フォトレジスト層とのインターミックスを防止するため
に、両フォトレジスト層の間にインターミックス防止層
を介在させている。インターミックス防止層の存在は、
上側のフォトレジスト層の露光に伴って、下側のフォト
レジスト層に異常パターンを生成する原因になり易いと
ともに、それ自体の除去、及びインターミックス防止層
の下のフォトレジスト層の除去を困難、又は煩雑にさせ
ると言う問題がある。

【０００３】特開平１１−８２４９号公報は、フォトレ
ジスト層の同一露光部位に対して、焦点深度と露光量と
を各々変えた露光を行うことにより、テーパー状断面の
空間をフォトレジスト層に形成することを開示する。特
開平１１−８２４９号公報の方法は、焦点深度を調整す
るのみであり、露光量の異なる露光操作を、パターンの
異なるマスクパターンを使って、実施することは示唆さ
れない。

【０００４】特開平７−１２１８２５号公報は、フォト
レジスト層において、第１の露光操作で第１の露光部位
に第１の露光量で露光し、次に、第２の露光操作では、
第１の露光部位とは部分的にも重複しない第２の露光部
位を第１の露光量とは異なる第２の露光量で露光し、次
に、現像を行って、フォトレジスト層の対応部分を除去
して、フォトレジスト層の相互に離れた第１及び第２の
露光部位において高さの異なる加工面を形成することを
開示する。特開平７−１２１８２５号公報の方法は、現
像後の上面の高さを調整することを開示するのみであ
り、段型凹所の形成には適用困難である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、イン
ターミックス防止層を省略して、フォトレジスト層に段
型凹所を形成する方法を提供することである。本発明の
他の目的は、インターミックス防止層を省略した段型金
属体製造方法を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のフォトレジスト
加工方法は次のステップを有している。 ・各々が、異なるマスクパターンを使用しかつ異なる露
光量とされる複数の露光操作を、重複した露光部位を含
みつつ、フォトレジスト層に対して行う。 ・その後、フォトレジスト層を現像して、フォトレジス
ト層に段型凹所を形成する。

【０００７】フォトレジスト層はポジ型及びネガ型のど
ちらであってもよいとする。ポジ型フォトレジスト層で
は、露光量の大きい露光部位程、現像後におけるフォト
レジスト層の除去部分の深さが増大する。これに対し
て、ネガ型フォトレジスト層では、露光量の大きい露光
部位程、現像後におけるフォトレジスト層の残存部分の
高さが増大する。複数回の露光操作により露光される露
光部位では、そこにおける除去部分の深さ又は残存部分
の高さは、該部位における最大露光量により決まる。

【０００８】露光操作を、露光量の小さいものから行う
か、又は大きいものから行うかは任意である。露光量の
異なる複数回の露光操作は任意の順番で実施できる。

【０００９】こうして、フォトレジスト層に対して、重
複露光部位を含みつつ、異なる露光量でかつ異なるマス
クパターンを使った露光操作を行うことにより、段型凹
所をフォトレジスト層に形成することができる。しか
も、インターミックス防止層の形成を省略できる。

【００１０】該フォトレジスト加工方法において、露光
量とは、露光強度と露光時間との積に関係するものであ
り、露光強度及び／又は露光時間を変更することにより
露光量を変更することができる。また、該フォトレジス
ト加工方法において、フォトレジスト層を現像後に最大
深さまで除去できる露光量の最小値を第１の露光量、露
光操作の回数をｎ（ｎは２以上の整数。）とそれぞれ定
義すると、少なくともｎ−１回の露光操作における露光
量は、第１の露光量未満である。

【００１１】本発明の段型金属体製造方法は次のステッ
プを有している。 ・各々が、異なるマスクパターンを使用しかつ異なる露
光量とされる複数の露光操作を、重複した露光部位を含
みつつ、フォトレジスト層に対して行う。 ・その後、フォトレジスト層を現像して、フォトレジス
ト層に段型凹所を形成する。 ・電気めっきにより段型凹所内に段型金属体を形成す
る。

【００１２】該段型金属体製造方法によれば、（ａ）電
気めっきに先立ち、段型凹所の露出面を、所定金属から
成るシード層で被覆してもよいし、又は、（ｂ）段型凹
所は、最深部においてフォトレジスト層の下面に開口し
て、電極機能用金属を露出させるものであり、電気めっ
きでは、電極機能用金属をシードとして、段型凹所内に
めっき用金属を形成する。

【００１３】該段型金属体製造方法において、露光量と
は、露光強度と露光時間との積に関係するものであり、
露光強度及び／又は露光時間を変更することにより露光
量を変更することができる。また、該フォトレジスト加
工方法において、フォトレジスト層を現像後に最大深さ
まで除去できる露光量の最小値を第１の露光量、露光操
作の回数をｎ（ｎは２以上の整数。）とそれぞれ定義す
ると、少なくともｎ−１回の露光操作における露光量
は、第１の露光量未満である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。図１は所定材料のポジ型フォ
トレジスト層を所定の光強度で露光した場合に該フォト
レジスト層についての露光時間と露光、現像後に表面か
ら除去されるレジスト膜の厚さとの関係を示すグラフで
ある。露光量＝光の強度×露光時間であり、図１のケー
スでは、光強度が一定であるので、露光量は露光時間に
比例する。図１の特性線から分かるように、除去膜厚
は、最初、露光時間の増大に連れて増大するが、所定値
に達すると、以降、露光時間の増大にもかかわらずフラ
ットとなる。図１の特性線において、除去膜厚の変化が
増加領域からフラット領域へ切替わる点を「エンドポイ
ント」と呼ぶことにする。フォトレジスト層１１への従
来のモールド用空間形成方法では、すなわち、段無しの
垂直側面のモールド用空間形成方法では、フォトレジス
ト層１１のリソグラフィ前の元の厚さをエンドポイント
における残存膜厚に設定するとともに、エンドポイント
における露光時間の５割増しの露光時間で露光操作を行
っていた。エンドポイントの除去膜厚ＨをＨ_maxとする
と、図１の特性線上のＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、各Ｐ
１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４における除去膜厚Ｈ１，Ｈ２，Ｈ
３，Ｈ４がそれぞれほぼ０，Ｈ_max／４，Ｈ_max／２，Ｈ
_maxとなる点として選択されている。

【００１５】図２は露光時間を図１の各Ｐ１，Ｐ２，Ｐ
３，Ｐ４に対応させたリソグラフィにより形成される凹
所１２を示している。基板層１０の上面にフォトレジス
ト層１１が成膜される。所定のマスクパターンによりフ
ォトレジスト層１１の上面の所定部位へ光を、Ｐ１，Ｐ
２，Ｐ３，Ｐ４における露光時間で照射する。その後、
現像すると、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４における露光時間
に対応した深さの凹所１２が各フォトレジスト層１１に
形成される。露光時間はＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の順に
長いので、凹所１２の深さはＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の
順に増大し、Ｐ１のにおける凹所１２の深さは０であ
り、また、Ｐ４における凹所１２の深さはフォトレジス
ト層１１の厚さに等しくなる。

【００１６】図３は露光量の異なる複数回の露光操作に
よりモールド用段型凹所２３が形成されたフォトレジス
ト層２１の構造図である。基板層２０側及びフォトレジ
スト層２１側をそれぞれ下側及び上側と定義して、以下
の説明を行う。また、フォトレジスト層２１はポジ型で
ある。モールド用段型凹所２３は、上側から順番に第１
のモールド用段間部分２４、第２のモールド用段間部分
２５、及び第３のモールド用段間部分２６が上下方向へ
連なる形状となっており、フォトレジスト層２１の上面
から第１のモールド用段間部分２４、第２のモールド用
段間部分２５、及び第３のモールド用段間部分２６のそ
れぞれの下端までの上下方向寸法はそれぞれｄ１，ｄ
２，ｄ３（ｄ１＜ｄ２＜ｄ３）に設定されている。モー
ルド用段型凹所２３では、その上面視で、下側のモール
ド用段間部分は上側のモールド用段間部分の内側に含ま
れると言う寸法関係になっている。このモールド用段型
凹所２３では、第１のモールド用段間部分２４及び第２
のモールド用段間部分２５は各１個、第３のモールド用
段間部分２６は２個設けられているが、上面視で下側の
モールド用段間部分が上側のモールド用段間部分の内側
に含まれると言う寸法関係になっている限り、１個の上
側のモールド用段間部分へ上端を臨ませる下側のモール
ド用段間部分の個数は、１個に限定されず、複数個であ
ってもよい。

【００１７】フォトレジスト層２１におけるモールド用
段型凹所２３の形成方法を述べる。フォトレジスト層２
１を、基板層２０の上面に、塗布し、次に、ベーキング
する。この後、各々がそれそれ第１のモールド用段間部
分２４、第２のモールド用段間部分２５、及び第３のモ
ールド用段間部分２６の横断面形状に対応するパターン
をそれぞれもつマスクパターンＭ１，Ｍ２，Ｍ３を使っ
て、フォトレジスト層２１に対して上面側から異なる露
光量で露光操作を行う。ここで、マスクパターンＭ１，
Ｍ２，Ｍ３を使った露光操作をそれぞれＯ１，Ｏ２，Ｏ
３と定義し、露光操作Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３における露光時
間をそれぞれＴ１，Ｔ２，Ｔ３と定義する。露光操作Ｏ
１，Ｏ２，Ｏ３の順番は任意である。また、露光量＝光
の強度×露光時間であり、この実施態様では、露光操作
Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３における光の強さは一定であるので、
露光時間Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３の相違は露光量の相違を意味
する。フォトレジスト層２１はポジ型であるので、Ｔ１
＜Ｔ２＜Ｔ３である。フォトレジスト層２１の上面にお
いて、フォトレジスト層２１の上面において、第３のモ
ールド用段間部分２６の直上の部位は、露光操作Ｏ１，
Ｏ２，Ｏ３における計３回の露光を受け、また、第２の
モールド用段間部分２５の直上の部位は、露光操作Ｏ
１，Ｏ２における計２回の露光を受け、また、第１のモ
ールド用段間部分２４の直上の部位は、露光操作Ｏ１に
おける露光を受ける。この後、フォトレジスト層２１は
現像され、モールド用段型凹所２３がフォトレジスト層
２１に形成される。このように、フォトレジスト層２１
の上面において、重複部分を含みつつ、異なる露光量の
露光操作を行って、モールド用段型凹所２３を形成する
ことができる。また、フォトレジスト層２１へのモール
ド用段型凹所２３の形成において、モールド用段型凹所
２３の各段面に相当する高さにおけるフォトレジスト層
２１の部分にインターミックス防止層を介在させること
を省略できる。

【００１８】図４〜図９はマイクロアクチュエータの段
型金属体を製造する工程に対応して製造される各中間品
の構造を示している。マイクロアクチュエータとして、
例えばハードディスクドライブのサスペンション先端部
の磁気ヘッド装置に装備されて、磁気ヘッドをハードデ
ィスクの放射方向へトラックに追従させるものがある。
例えば、コンデンサを構成する固定電極と可動電極とを
設け、複数個の可動電極は、１個の中心の固定電極の周
囲に配備され、コンデンサ電圧の調整により可動電極が
中心電極に対して周方向へ相対変位するマイクロアクチ
ュエータがあるものとして、図９の柱状金属体３４及び
段型金属体４８は、例えば、該マイクロアクチュエータ
において、可動電極を構成しており、柱状金属体３４
は、該可動電極の櫛歯部分、段型金属体４８は、該櫛歯
部分を覆うトップカバーを、それぞれ担うものとして、
作られている。図４の工程を説明する前に、図示を省略
した、図４の工程より前の工程を概略、説明する。基板
層３０の上に、下側シード層３１及びＰＭＭＡ（ポリメ
チルメタアクリレート）３２が下から順番に形成され
る。次に、柱状金属体３４の横断面形状に対応するパタ
ーンをもつマスクパターンを使用するリソグラフィを行
って、ＰＭＭＡ３２に柱状空間３３を形成する。柱状空
間３３は、ＰＭＭＡ３２を厚さ方向へ貫通して、その下
端は下側シード層３１へ達している。次に、ここまでの
中間品を電解液に浸漬して、下側シード層３１に陰極電
圧を印加し、電気めっきにより柱状空間３３内に柱状金
属体３４を形成する。該柱状金属体３４の材料は例えば
ニッケルである。次に、ＰＭＭＡ３２及び柱状金属体３
４の上面にフォトレジスト層３７を形成する。なお、フ
ォトレジスト層３７はポジ型である。

【００１９】図４において、モールド用段型凹所３８
は、上下方向へ連なりそれぞれ上側及び下側に配置され
る上側モールド用段間部分３９及び下側モールド用段間
部分４０を有している。モールド用段型凹所３８の上面
視では、下側モールド用段間部分４０は、上側モールド
用段間部分３９の外側へ部分的にもはみ出すことなく、
上側モールド用段間部分３９の内側に完全に収められて
いる。ＰＭＭＡ３２の上面へのフォトレジスト層３７の
形成後、上側モールド用段間部分３９の横断面形状に対
応するパターンをもつマスクパターンを使った、かつ露
光量を、フォトレジスト層３７の上面から上側モールド
用段間部分３９の下面までの寸法に対応する値にした、
露光操作Ｏ５と、下側モールド用段間部分４０の横断面
形状に対応するパターンをもつマスクパターンを使っ
た、かつ露光量を、フォトレジスト層３７の上面から下
側モールド用段間部分４０の下面までの寸法に対応する
値にした、露光操作Ｏ６とを実施する。Ｏ５，Ｏ６の順
番は任意である。その後、その時点までの工程を終了し
た中間品を現像し、上側モールド用段間部分３９の形成
されたフォトレジスト層２１を備える中間品を得る。該
中間品では、下側モールド用段間部分４０の下端はフォ
トレジスト層３７の下面に開口し、柱状金属体３４の上
面は下側モールド用段間部分４０へ露出している。該中
間品の構造が図４に示される。

【００２０】その後、フォトレジスト層３７の上面側へ
露出しているフォトレジスト層３７の上面、モールド用
段型凹所３８の側面、及び柱状金属体３４の上面に、蒸
着やスパッタリング等により上側シート層４３を所定厚
さで析出させる。ここまでの工程を終了した中間品の構
造が図５に示される。

【００２１】その後、図５の中間品を所定の電解液内へ
浸漬し、下側シード層３１に所定の陰極電圧を印加し、
例えばニッケルの電気めっきを行う。これにより、めっ
き層４５が、所定の厚さで上側シート層４３の上に堆積
する。めっき層４５の高さは、上側シート層４３の高い
所では高く、低い所では低くなるので、めっき層４５の
上面は、凹凸となる。ここまでの工程を終了した中間品
の構造が図６に示される。

【００２２】その後、フォトレジスト層３７の上面に高
さの揃う平坦面となるように、中間品をＣＭＰ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）を
該中間品に対して施す。ここまでの工程を終了した中間
品の構造が図７に示される。

【００２３】その後、上側段間金属部分４９の上面に金
めっきを行い、金めっき層５３を上側段間金属部分４９
の上面に形成する。ここまでの工程を終了した中間品の
構造が図８に示される。

【００２４】その後、該中間品を有機溶剤に浸漬する。
これにより、下側シード層３１より上側では、柱状金属
体３４、上側シート層４３の内の段型金属体４８を被覆
している部分、段型金属体４８、及び金めっき層５３の
みが残り、ＰＭＭＡ３２及びフォトレジスト層３７は除
去される。ここまでの状態が図８に示される。

【００２５】図４の中間品から図６の中間品を得るため
に、図５の中間品を作る工程、すなわち、上側シート層
４３を析出する工程を設けたが、モールド用段型凹所３
８の上側モールド用段間部分３９及び下側モールド用段
間部分４０の径の差が小さいときには、また、下側モー
ルド用段間部分４０が１個の上側モールド用段間部分３
９に対して複数個、ある場合に、複数個の下側モールド
用段間部分４０の横断面の合計面積と１個の上側モール
ド用段間部分３９の横断面の面積との差が小さいときに
は、図５の中間品を製造することなく、柱状金属体３４
の上面をめっきのシードとして使うことにより、図４の
中間品から図６の中間品を直接得ることができる。

【００２６】図１０はネガ型のレジストに本発明を適用
する場合の説明図である。図１０（ａ）では、フォトレ
ジスト層６１は、基板層６０の上に塗布されてから、ベ
ーキング処理される。図１０（ａ）の製品におけるフォ
トレジスト層６１の厚さはｄ５とする。図１０（ａ）の
製品に対して、露光操作Ｏ５，０６を施し、その後、現
像し、こうして得た製品の構造が図１０の（ｂ）及び
（ｃ）に示される。露光操作０５，Ｏ６における露光時
間をＴ５，Ｔ６とすると、Ｔ５は、フォトレジスト層６
１を残存フォトレジスト６２の上面の対応部位において
露光したときに、フォトレジスト層６１の元の厚さｄ５
をもつ残存フォトレジスト６２がそのまま残る露光時間
に設定され、Ｔ６は、フォトレジスト層６１を残存フォ
トレジスト６３の上面の対応部位において露光したとき
に、基板層６０からの高さｄ６（ｄ６＜ｄ５）の残存フ
ォトレジスト６３が残る露光時間に設定されている。す
なわち、フォトレジスト層６１をアンダー露光量で露光
させると、フォトレジスト層６１の上面の該露光部位の
溶解度が、該露光量に応じて低下して、現像後に膜残り
が生じる。したがって、アンダー露光量が小さい程、ｄ
６が減少する。図１０（ｄ）の製品は、図１０（ａ）の
製品について、フォトレジスト層６１に対して、露光操
作Ｏ５，Ｏ６を行い、次に、現像して、製造したもので
ある。なお、露光操作Ｏ５，Ｏ６において使用するマス
クパターンのパターンは、それぞれ上側段間フォトレジ
スト部分６６及び下側段間フォトレジスト部分６７横断
面の形状に対応したものであり、相互に異なったもので
ある。こうして、フォトレジスト層６１の残存部分の構
造では、上下に上側段間フォトレジスト部分６６及び下
側段間フォトレジスト部分６７をもつ段型フォトレジス
ト６５が得られ、上面視では、上側段間フォトレジスト
部分６６は、下側段間フォトレジスト部分６７の内側に
収まっている。また、フォトレジスト層６１の除去部分
の構造の観点で、構造を述べれば、段型フォトレジスト
６５に対応したモールド用段型凹所７０が得られる。モ
ールド用段型凹所７０は、上側段間フォトレジスト部分
６６及び下側段間フォトレジスト部分６７にそれぞれ対
応した上側モールド用段間部分７２及び下側モールド用
段間部分７３を上下の配置で備えている。

【図面の簡単な説明】

【図１】所定材料のポジ型フォトレジスト層を所定の光
強度で露光した場合に該フォトレジスト層についての露
光時間と露光、現像後に表面から除去されるレジスト膜
の厚さとの関係を示すグラフである。

【図２】露光時間を図１の各Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４に
対応させたリソグラフィにより形成される凹所を示す図
である。

【図３】露光量の異なる複数回の露光操作によりモール
ド用段型凹所が形成されたフォトレジスト層の構造図で
ある。

【図４】マイクロアクチュエータの段型金属体を製造す
る工程過程において所定工程終了時の中間品の構造図で
ある。

【図５】マイクロアクチュエータの段型金属体を製造す
る工程過程において図４の中間品に所定工程を施して得
られる中間品の構造図である。

【図６】マイクロアクチュエータの段型金属体を製造す
る工程過程において図５の中間品に所定工程を施して得
られる中間品の構造図である。

【図７】マイクロアクチュエータの段型金属体を製造す
る工程過程において図６の中間品に所定工程を施して得
られる中間品の構造図である。

【図８】マイクロアクチュエータの段型金属体を製造す
る工程過程において図７の中間品に所定工程を施して得
られる中間品の構造図である。

【図９】マイクロアクチュエータの段型金属体を製造す
る工程過程において図８の中間品に所定工程を施して得
られる中間品の構造図である。

【図１０】ネガ型のレジストに本発明を適用する場合の
説明図である。

【符号の説明】 ２０ 基板層 ２１ フォトレジスト層 ２３ モールド用段型凹所 ２４ 第１のモールド用段間部分 ２５ 第２のモールド用段間部分 ２６ 第３のモールド用段間部分 ３８ モールド用段型凹所 ３９ 上側モールド用段間部分 ４０ 下側モールド用段間部分 ４８ 段型金属体 ４９ 上側段間金属部分 ５０ 下側段間金属部分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻村 勉 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲事業 所内 Ｆターム(参考） 2H097 BB01 GB00 LA15

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 各々が、異なるマスクパターンを使用し
   かつ異なる露光量とされる複数の露光操作を、重複した
   露光部位を含みつつ、フォトレジスト層に対して行い、 その後、前記フォトレジスト層を現像して、前記フォト
   レジスト層に段型凹所を形成する、ことを特徴とするフ
   ォトレジスト加工方法。
2. 【請求項２】 前記露光量とは、露光強度と露光時間と
   の積に関係するものであることを特徴とする請求項１記
   載のフォトレジスト加工方法。
3. 【請求項３】 前記フォトレジスト層を現像後に最大深
   さまで除去できる露光量の最小値を第１の露光量、前記
   露光操作の回数をｎ（ｎは２以上の整数。）とそれぞれ
   定義し、 少なくともｎ−１回の露光操作における露光量は、第１
   の露光量未満であることを特徴とする請求項１記載のフ
   ォトレジスト加工方法。
4. 【請求項４】 各々が、異なるマスクパターンを使用し
   かつ異なる露光量とされる複数の露光操作を、重複した
   露光部位を含みつつ、フォトレジスト層に対して行い、 その後、前記フォトレジスト層を現像して、前記フォト
   レジスト層に段型凹所を形成し、 電気めっきにより前記段型凹所内に段型金属体を形成す
   る、ことを特徴とする段型金属体製造方法。
5. 【請求項５】 電気めっきに先立ち、前記段型凹所の露
   出面を、所定金属から成るシード層で被覆することを特
   徴とする請求項４記載の段型金属体製造方法。
6. 【請求項６】 前記段型凹所は、最深部において前記フ
   ォトレジスト層の下面に開口して、電極機能用金属を露
   出させるものであり、 前記電気めっきでは、前記電極機能用金属をシードとし
   て、前記段型凹所内にめっき用金属を形成する、ことを
   特徴とする請求項４記載の段型金属体製造方法。
7. 【請求項７】 前記露光量とは、露光強度と露光時間と
   の積に関係するものであることを特徴とする請求項４記
   載の段型金属体製造方法。フォトレジスト加工方法。
8. 【請求項８】 前記フォトレジスト層を現像後に最大深
   さまで除去できる露光量の最小値を第１の露光量、前記
   露光操作の回数をｎ（ｎは２以上の整数。）とそれぞれ
   定義し、 少なくともｎ−１回の露光操作における露光量は、第１
   の露光量未満であることを特徴とする請求項４記載の段
   型金属体製造方法。